TWI483917B - 經碳化矽被覆之碳材料之製造方法 - Google Patents

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Description

經碳化矽被覆之碳材料之製造方法
本發明係關於一種用碳化矽被覆碳基材而成之材料之製造方法。
包含將碳化矽被覆於表面之碳基材的材料於常溫及高溫下化學性穩定，且高溫下之機械強度亦優異，因此可用作高溫材料。近年來，於半導體製造領域中，耐熱性、耐蠕變性優異之高純度的經碳化矽被覆之碳材料用於對半導體晶圓進行熱處理、或將微量元素熱擴散至半導體晶圓中的步驟中之板或製程管等。
作為經碳化矽被覆之碳材料之製造法，已知：藉由使矽粉末與作為基材的石墨基材之表面接觸並加熱而進行化學反應從而獲得碳化矽被覆之方法(專利文獻1)；藉由化學氣相沈積法(CVD法，chemical vapor deposition method)將碳化矽被覆於碳基材表面之方法(專利文獻2)等。但是，於專利文獻1所記載之方法中，有於石墨基材上殘留作為原料的矽，並對所得之經碳化矽被覆之碳材料之耐熱性造成不良影響的情況。又，於專利文獻2所記載之方法中，由於沈積存在方向性，因此不適於均勻地被覆複雜形狀之碳基材之表面。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開平10-236893號公報
[專利文獻2]日本專利特開2002-37684號公報
本發明之課題在於解決上述先前技術之問題，並提供一種可整體均勻地形成碳化矽被膜、所得之經碳化矽被覆之碳材料的耐熱性優異、簡便的經碳化矽被覆之碳材料之製造方法。
本發明者等人為了解決上述課題而反覆研究，結果發現，使將非熔融性固體狀聚矽氧於非氧化性氣體環境下、於400~1500℃之溫度下加熱而得的非晶質無機陶瓷物質與碳基材於特定條件下進行處理，而可解決上述課題。
即，本發明提供一種經碳化矽被覆之碳材料之製造方法，該經碳化矽被覆之碳材料係具有碳基材、以及被覆該碳基材之碳化矽被膜而成者；該製造方法包括：使非晶質無機陶瓷物質與碳基材於非氧化性氣體環境中一起於超過1500℃且2200℃以下之溫度下加熱；上述非晶質無機陶瓷物質含有矽、碳及氧而成，且矽、碳及氧之平均元素比由下述組成式(1)：
Si1 Ca Ob 　(1)
(式中，a為滿足0.5≦a≦3.0之數，b為滿足1.0≦b≦4.0之數)
所示，具有包含Si-O-Si鍵之矽氧烷骨架，氫之質量分率為0~0.5質量%。
根據本發明之製造方法，由於起始原料為非晶質無機陶瓷物質，因此操作性佳。
藉由本發明之製造方法形成之碳化矽被覆由於是所產生之一氧化矽與碳基材藉由反應而生成者，因此與碳基材之密接性優異。又，由於在碳基材上碳化矽之形成並無方向性，因此碳基材整體可形成均勻厚度之碳化矽被覆。因此，於碳基材與碳化矽之界面不易引起剝離。
又，由於該經碳化矽被覆之碳材料不含金屬矽等作為殘留成分，因此耐熱性優異。
以下，對本發明進行詳細說明。再者，於本說明書中，「室溫」係指周圍溫度，通常可於10~35℃之範圍變動。
於本說明書中，「固形狀聚矽氧」係指常溫下為固體之聚矽氧。聚矽氧係有機聚矽氧烷基礎之高分子物質。
所謂「聚矽氧樹脂」，係指含有分支狀矽氧烷單元(即，被稱為T單元之三官能性矽氧烷單元及/或被稱為Q單元之四官能性矽氧烷單元)作為必須之矽氧烷單元而成、具有立體結構之有機聚矽氧烷。該聚矽氧樹脂視情況亦可含有被稱為D單元之直鏈狀矽氧烷單元及/或被稱為M單元、位於分子鏈末端之一官能性矽氧烷單元。
又，於本說明書中，高分子物質為「非熔融性」係指不具有軟化點，因此，若提高溫度，則非熔融性之高分子物質不熔融而發生熱分解。因此，「非熔融性固體狀聚矽氧」係指不具有軟化點之固體狀聚矽氧，「非熔融性聚矽氧樹脂」係指不具有軟化點之聚矽氧樹脂。
再者，於本說明書中，「軟化點」係指依據JIS K 2207所規定之軟化點試驗方法(環球法)而測定之溫度。
[碳基材]
本發明中所用之碳基材係包含石墨或無定形碳之具有一定形狀、尺寸之一般的多孔質固體材料。該碳基材之製造方法並無特別限定，通常藉由以下方式獲得：例如將燒結性碳質粉末(無定形碳粉末)冷等靜壓加壓(CIP)成形為所需形狀例如方塊、圓柱塊等，並進行燒成，視需要再進行石墨化。對如此所得之塊進一步實施切割、切削等機械加工而可精加工成所需之形狀、尺寸。又，亦可將燒結性碳質粉體進行擠壓成形並燒成，再視需要進行石墨化而獲得具有所需形狀、尺寸之成形體。如此所得之碳基材通常具有細孔結構而為多孔質。
[非晶質無機陶瓷物質]
本發明之製造方法中所用之非晶質無機陶瓷物質為一氧化矽供給源，係如上所述般。即，係包含含有矽、碳及氧，且具有包含Si-O-Si鍵之矽氧烷骨架的非晶質無機陶瓷物質，並且係矽、碳及氧之平均元素比由下述組成式(1)：
Si1 Ca Ob 　(1)
(式中，a為滿足0.5≦a≦3.0之數，b為滿足1.0≦b≦4.0之數)
所示，氫之質量分率為0~0.5質量%、特別是0~0.1質量%之物質。
只要不損及本發明之目的、效果，則亦可含有矽、碳、氧、氫以外之元素，但其含量為2.0質量%以下、特佳為0~1.0質量%。
該非晶質無機陶瓷物質如日本專利特開2008-81396號公報所詳細說明般，例如藉由將非熔融性固體狀聚矽氧於非氧化性氣體環境下、於400~1500℃之溫度下進行加熱而得。
作為非熔融性固體狀聚矽氧，例如可列舉非熔融性聚矽氧樹脂及硬化性聚矽氧組合物之硬化物。根據本發明之方法，通常可獲得高純度之碳化矽被覆，特別是可獲得於半導體領域中有害之雜質元素例如Fe、Cr、Ni、Al、Ti、Cu、Na、Zn、Ca、Zr、Mg、B等較少之被覆，於此方面而言，作為非熔融性固體狀聚矽氧，更有利的是非熔融性聚矽氧樹脂、以及有機過氧化物硬化性聚矽氧組合物及放射線硬化反應性聚矽氧組合物之硬化物。
-非熔融性聚矽氧樹脂-
非熔融性聚矽氧樹脂可藉由使熔融性聚矽氧樹脂不熔化而得。不熔化例如可藉由利用無機酸處理熔融性聚矽氧樹脂而進行。藉由不熔化處理，而於後續之非氧化性氣體環境下之加熱處理時不會熔融。
此處，「熔融性聚矽氧樹脂」係指於常溫下為固體，但具有軟化點之聚矽氧樹脂。若提高溫度則該聚矽氧樹脂於軟化點熔融或軟化。
作為上述不熔化處理時所使用之無機酸，例如可列舉：氯化氫氣體等氣體狀者，及鹽酸、硫酸等液狀者。無機酸之種類及濃度可根據用作原料之聚矽氧樹脂中所含的苯基量來適當選擇。於聚矽氧樹脂中所含之苯基量較少時，例如於聚矽氧樹脂中苯基相對於鍵結於矽原子之有機基及羥基之合計的比例(以下稱為「苯基含有率」)為0~5莫耳%時，可使用較佳為50質量%以下之濃度的鹽酸、更佳為30質量%以下之濃度的鹽酸、尤佳為10~25質量%之濃度的鹽酸。另一方面，於聚矽氧樹脂中所含的苯基量較多時，例如於苯基含有率超過5莫耳%、且25莫耳%以下時，較佳為可使用氯化氫氣體、濃硫酸等。藉此，即便因苯基量較多而立體阻礙較大時，不熔化反應亦容易迅速地進行。
作為該熔融性聚矽氧樹脂，例如可列舉下述平均組成式(2)所示之聚矽氧樹脂：
R1 m R2 n (OR3 )p (OH)q SiO(4-m-n-p-q)/2 　(2)
(式中，R1 獨立表示氫原子或芳基以外之相同或不同的可含有羰基之一價烴基，R2 表示苯基，R3 表示相同或不同之碳原子數1~4之一價烴基，m為滿足0.1≦m≦2之數，n為滿足0≦n≦2之數，p為滿足0≦p≦1.5之數，q為滿足0≦q≦0.35之數，其中，p+q>0，0.1≦m+n+p+q≦2.6)。
上述R1 較佳為獨立為氫原子或芳基以外之相同或不同的可含有羰基之碳原子數1~8之一價烴基。作為R1 之具體例，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基；環戊基、環己基等環烷基；乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基等烯基；丙烯醯基、甲基丙烯醯基等醯基。就原料獲得之容易性之觀點而言，R1 特佳為使用氫原子、甲基、乙基、乙烯基。
上述m為滿足0.1≦m≦2之數，m較佳為1.5以下，m較佳為0.1以上、特佳為0.5以上。若m之值為該範圍內，則容易將藉由加熱而無機化時之減量抑制在較低水平。
上述R2 為苯基，由於具有提高熔融性聚矽氧樹脂之熔點或軟化點之作用，因此可用於適當調節黏度及流動性。
上述n為滿足0≦n≦2之數，n較佳為1.5以下，n較佳為0.05以上、特佳為0.1以上。若n之值為該範圍內，則苯基之含量不會變得過多，而容易將對非熔融性聚矽氧樹脂進行加熱而無機化時之減量抑制在較低水平。
作為上述R3 之具體例，可列舉甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基等碳原子數1~4之烷基，於工業上而言特佳為使用甲基。若R3 為碳原子數為5以上之一價烴基，則OR3 所示之基的反應性易變低，對非熔融性聚矽氧樹脂進行加熱而無機化時之減量會較大。
上述p表示OR3 所示之烴氧基之含量，為滿足0≦p≦1.5之數，p較佳為1.2以下，p較佳為0.05以上、特佳為0.1以上。若p之值為該範圍內，則聚矽氧樹脂中之烴氧基之含量不會過多，而容易維持較高之聚矽氧樹脂之分子量。因此，可抑制對非熔融性聚矽氧樹脂成形體進行加熱而無機化時因矽、碳之脫離所致之減量。
上述q表示矽烷醇基之含量，為滿足0≦q≦0.35之數，較佳為滿足0≦q≦0.3之數，特佳為0。q表示於製造時於熔融性聚矽氧樹脂中少量殘存之矽烷醇基的含量。若q之值為該範圍內，則熔融性聚矽氧樹脂整體可抑制矽烷醇基之反應性，從而熔融性聚矽氧樹脂之保存穩定性提高。
p+q表示烴氧基與矽烷醇基之合計量，為p+q>0。烴氧基(較佳為烷氧基)及/或矽烷醇基就於後述不熔化處理時藉由水解縮合反應形成交聯方面而言係必須的。該等之基之合計較佳為於熔融性聚矽氧樹脂中存在1~15質量%，更佳為2~10質量%。
m+n+p+q為滿足0.1≦m+n+p+q≦2.6之數。若m+n+p+q為該範圍內，則可抑制對非熔融性聚矽氧樹脂進行加熱而無機化時之減量。
熔融性聚矽氧樹脂之分子量較佳為具有上述適度軟化點之程度。例如藉由凝膠滲透層析法(以下稱為「GPC」)而測定之重量平均分子量以聚苯乙烯換算計，較佳為600以上、更佳為1,000~10,000之範圍內。
作為熔融性聚矽氧樹脂，若為滿足上述條件之聚矽氧樹脂，則並無特別限定，較佳為於分子中具有甲基。熔融性聚矽氧樹脂可單獨使用一種，亦可併用分子結構或所含之矽氧烷單元之比例不同的二種以上。
此種熔融性聚矽氧樹脂可藉由先前公知之方法而製造。例如可根據目標熔融性聚矽氧樹脂之結構中所含的矽氧烷單元之比例，使相當之有機氯矽烷類視情況於碳原子數1~4之醇存在下共水解，將副產生之鹽酸及低沸點成分除去，藉此獲得目標物。又，於將烷氧基矽烷類、聚矽氧油或環狀矽氧烷作為起始原料時，可使用鹽酸、硫酸、甲磺酸等酸觸媒，視情況添加用以水解之水，進行聚合反應後，同樣地除去所使用之酸觸媒或低沸點成分，藉此獲得目標聚矽氧樹脂。
-硬化性聚矽氧組合物之硬化物-
於上述製造方法中，作為用作起始原料之非熔融性固體狀聚矽氧，亦可使用硬化性聚矽氧組合物之硬化物。
作為此種硬化性聚矽氧組合物，可使用公知者。作為其具體例，可列舉：有機過氧化物硬化性、加成硬化性、放射線硬化性、及縮合硬化性之聚矽氧組合物。
作為放射線硬化性聚矽氧組合物，可列舉紫外線硬化性聚矽氧組合物及電子束硬化性聚矽氧組合物。
作為有機過氧化物硬化性聚矽氧組合物，例如可列舉：使分子鏈末端(單末端或兩末端)及分子鏈非末端之任意一者或兩者具有乙烯基等烯基之直鏈狀有機聚矽氧烷於有機過氧化物存在下進行自由基聚合而硬化的聚矽氧組合物。
作為紫外線硬化性聚矽氧組合物，例如可列舉：藉由波長200~400 nm之紫外線之能量而硬化的聚矽氧組合物。此時，硬化機制並無特別限制。作為其具體例，可列舉：包含具有丙烯醯基或甲基丙烯醯基之有機聚矽氧烷與光聚合起始劑之丙烯酸系聚矽氧系聚矽氧組合物、包含含巰基之有機聚矽氧烷與具有乙烯基等烯基之有機聚矽氧烷以及光聚合起始劑之巰基-乙烯基加成聚合系聚矽氧組合物、使用與熱硬化性加成反應型相同之鉑族金屬系觸媒之加成反應系聚矽氧組合物、包含含有環氧基之有機聚矽氧烷與鎓鹽觸媒之陽離子聚合系聚矽氧組合物等，任一種均可用作紫外線硬化反應性聚矽氧組合物。
作為電子束硬化反應性聚矽氧組合物，亦可使用由藉由對具有自由基聚合性基之有機聚矽氧烷照射電子束而起始之自由基聚合而硬化之任意一種聚矽氧組合物。
作為加成硬化反應性聚矽氧組合物，例如可列舉：藉由使上述具有烯基之直鏈狀有機聚矽氧烷與有機氫化聚矽氧烷於鉑族金屬系觸媒存在下反應(氫矽烷基化加成反應)而硬化的聚矽氧組合物。
作為縮合硬化反應性聚矽氧組合物，例如可列舉：使兩末端矽烷醇封鏈有機聚矽氧烷與有機氫化聚矽氧烷或四烷氧基矽烷、有機三烷氧基矽烷等水解性矽烷及/或其部分水解縮合物於有機錫系觸媒等縮合反應觸媒存在下反應而硬化的聚矽氧組合物，或使兩末端由三烷氧基、二烷氧基有機基、三烷氧基矽烷氧基乙基、二烷氧基有機矽烷氧基乙基等封鏈之有機聚矽氧烷於有機錫觸媒等縮合反應觸媒存在下反應而硬化的聚矽氧組合物等。
以下，對各反應性聚矽氧組合物進行詳述。
‧有機過氧化物硬化反應型聚矽氧組合物：
作為有機過氧化物硬化反應型聚矽氧組合物，具體而言，例如可列舉包含以下成分之有機過氧化物硬化反應型聚矽氧組合物：
(a)含有至少2個鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷；
(b)有機過氧化物；及作為任意成分的
(c)含有至少2個鍵結於矽原子的氫原子(即SiH基)之有機氫化聚矽氧烷，相對於全部硬化性聚矽氧組合物中之烯基1莫耳，本(c)成分中之鍵結於矽原子的氫原子的量為0.1~2莫耳之量。
‧‧(a)成分
(a)成分之有機聚矽氧烷係有機過氧化物硬化反應型聚矽氧組合物之基礎聚合物。(a)成分之有機聚矽氧烷之聚合度並無特別限定，作為(a)成分，可使用25℃下為液狀之有機聚矽氧烷至生膠狀有機聚矽氧烷，可較佳地使用平均聚合度較佳為50~20,000，更佳為100~10,000，尤佳為100~2,000左右之有機聚矽氧烷。又，(a)成分之有機聚矽氧烷就原料獲得之容易性之觀點而言，基本上具有以下結構：分子鏈包含二有機矽氧烷單元(R4 2 SiO2/2 單元)之重複單元、且分子鏈兩末端由三有機矽烷氧基(R4 3 SiO1/2 )或羥基二有機矽烷氧基((HO)R4 2 SiO1/2 單元)封鏈之不具有分支的直鏈結構；或分子鏈包含該二有機矽氧烷單元之重複單元、且不具有分支之環狀結構；但亦可部分地含有三官能性矽氧烷單元或SiO2 單元等分支狀結構。此處，R4 係如以下說明之式(3)中所定義般。
作為(a)成分，例如可使用下述平均組成式(3)：
R4 a SiO(4-a)/2 　(3)
(式中，R4 表示相同或不同之未經取代或經取代之碳原子數為1~10、更佳為1~8之一價烴基，R4 之50~99莫耳%為烯基，a為1.5~2.8、更佳為1.8~2.5、尤佳為1.95~2.05之範圍的正數)所示，一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷。
作為上述R4 之具體例，可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；環戊基、環己基等環烷基；乙烯基、烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基等烯基；該等烴基之氫原子之一部分或全部被氟、溴、氯等鹵素原子、氰基等取代之基例如氯甲基、氯丙基、溴乙基、三氟丙基、氰基乙基等，就高純度之觀點而言，較佳為僅由烴基構成。
此時，R4 中至少2個為烯基(特別是碳原子較佳為2~8、更佳為2~6之烯基)。再者，烯基之含量於鍵結於矽原子之全部有機基中(即於上述平均組成式(3)中由R4 所示之未經取代或經取代之全部一價烴基中)，較佳為50~99莫耳%、特佳為75~95莫耳%。於(a)成分之有機聚矽氧烷具有直鏈狀結構時，該烯基可僅於分子鏈末端及分子鏈非末端之部分的任一者鍵結於矽原子，亦可於該兩者鍵結於矽原子。
‧‧(b)成分
(b)成分係於有機過氧化物硬化反應型有機聚矽氧烷組合物中用作用以促進(a)成分之交聯反應的觸媒之有機過氧化物。作為(b)成分，只要可促進(a)成分之交聯反應，則可使用先前公知之有機過氧化物。作為其具體例，可列舉：過氧化苯甲醯、過氧化2,4-二氯苯甲醯、過氧化對甲基苯甲醯、過氧化鄰甲基苯甲醯、過氧化2,4-二異丙苯、2,5-二甲基-雙(2,5-第三丁基過氧基)己烷、過氧化二第三丁基、過氧化苯甲酸第三丁酯、1,1-雙(第三丁基過氧基羧基)己烷等，但並不限定於該等。
(b)成分之添加量係作為用以促進(a)成分之交聯反應的觸媒的有效量。相對於(a)成分100質量份，較佳為設定為0.1~10質量份之範圍、更佳為設定為0.2~2質量份之範圍。若該添加量係相對於(a)成分100質量份而少於0.1質量份之量，則至硬化為止之時間花費較長，於經濟上不利。又，若該添加量係相對於(a)成分100質量份而多於10質量份之量，則會產生來源於(b)成分之發泡，而且該硬化反應物之強度及耐熱性會受到不良影響。
‧‧(c)成分
作為任意成分的(c)成分之有機氫化聚矽氧烷含有至少2個(通常2~200個)、較佳為3個以上(通常3~100個)之鍵結於矽原子的氫原子(SiH基)。可單獨將(a)成分亦可添加(b)成分進行加熱而硬化，藉由添加(c)成分，與(a)成分單獨之情形相比，更容易與(a)成分反應，因此能以更低溫度且以更短時間進行硬化。(c)成分之分子結構並無特別限定，例如線狀、環狀、分支狀、立體網狀(樹脂狀)等之先前所製造之任一種有機氫化聚矽氧烷均可用作(c)成分。於(c)成分具有線狀結構時，SiH基可僅於分子鏈末端及分子鏈非末端之部分的任一者鍵結於矽原子，亦可於該兩者鍵結於矽原子。又，1分子中之矽原子數(或聚合度)通常為2~300個，較佳為4~150個左右，於室溫(25℃)下為液狀之有機氫化聚矽氧烷可較佳地用作(c)成分。
作為(c)成分，例如可使用下述平均組成式(4)：
R5 b Hc SiO(4-b-c)/2 　(4)
(式中，R5 為相同或不同之未經取代或經取代之不含脂肪族不飽和鍵的碳原子數為1~10、更佳為1~8之一價烴基，b及c較佳為滿足0.7≦b≦2.1、0.001≦c≦1.0、且0.8≦b+c≦3.0之正數，更佳為滿足1.0≦b≦2.0、0.01≦c≦1.0、且1.5≦b+c≦2.5之正數)
所示之有機氫化聚矽氧烷。作為上述R5 ，例如可列舉與上述平均組成式(3)中之R4 同樣之基(其中烯基除外)。
作為上述平均組成式(4)所示之有機氫化聚矽氧烷之具體例，可列舉：1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、三(氫化二甲基矽烷氧基)甲基矽烷、三(氫化二甲基矽烷氧基)苯基矽烷、甲基氫化環聚矽氧烷、甲基氫化矽氧烷‧二甲基矽氧烷環狀共聚物、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化聚矽氧烷、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、兩末端甲基氫化矽烷氧基封鏈二甲基聚矽氧烷、兩末端甲基氫化矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧二苯基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧二苯基矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧甲基苯基矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、兩末端甲基氫化矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧二苯基矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、兩末端甲基氫化矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧甲基苯基矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、包含(CH3 )2 HSiO1/2 單元與(CH3 )2 SiO2/2 單元以及SiO4/2 單元之共聚物、包含(CH3 )2 HSiO1/2 單元與SiO4/2 單元之共聚物、包含(CH3 )2 HSiO1/2 單元與SiO4/2 單元以及(C6 H5 )3 SiO1/2 單元之共聚物等。
(c)成分之添加量為任意之量，相對於(a)成分100質量份，較佳為設定為0~100質量份之範圍、更佳為設定為0~50質量份之範圍。若該添加量係相對於(a)成分100質量份而多於100質量份之量，則會產生來源於(c)成分之發泡，而且該硬化反應物之強度及耐熱性會受到不良影響。
‧紫外線硬化反應性聚矽氧組合物：
作為紫外線硬化反應性聚矽氧組合物，具體而言，例如可列舉包含以下成分之紫外線硬化反應性聚矽氧組合物：
(d)紫外線反應性有機聚矽氧烷；及
(e)光聚合起始劑。
‧‧(d)成分
(d)成分之紫外線反應性有機聚矽氧烷通常於紫外線硬化反應性聚矽氧組合物中發揮出作為基礎聚合物之作用。(d)成分並無特別限定，較佳為於1分子中具有至少2個、更佳為2~20個、特佳為2~10個之紫外線反應性基的有機聚矽氧烷。於該有機聚矽氧烷中存在複數個之上述紫外線硬化反應性基可全部相同亦可不同。
(d)成分之有機聚矽氧烷就原料獲得之容易性之觀點而言，基本上具有以下結構：分子鏈(主鏈)包含二有機矽氧烷單元(R4 2 SiO2/2 單元)之重複單元、且分子鏈兩末端由三有機矽烷氧基(R4 3 SiO1/2 )封鏈之不具有分支的直鏈狀結構；或分子鏈包含該二有機矽氧烷單元之重複單元、且不具有分支之環狀結構；但亦可部分地含有三官能性矽氧烷單元或SiO2 單元等分支狀結構。此處，R4 係如式(3)所述般。於(d)成分之有機聚矽氧烷具有直鏈狀結構時，紫外線反應性基可僅於分子鏈末端及分子鏈非末端之部分之任一者具有，亦可於該兩者具有，較佳為至少於分子鏈兩末端具有紫外線反應性基。
作為該紫外線反應性基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯基等烯基；乙烯氧基、烯丙氧基、丙烯氧基、異丙烯氧基等烯氧基；丙烯醯基、甲基丙烯醯基等烯基以外之脂肪族不飽和基；環氧基；氫矽烷基等，較佳為可列舉丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、環氧基、及氫矽烷基，更佳為可列舉丙烯醯基及甲基丙烯醯基。
上述有機聚矽氧烷之黏度並無特別限定，較佳為於25℃下為100 mPa.s~1,000,000 mPa.s，更佳為200~500,000 mPa.s，特佳為200~100,000 mPa.s。
作為(d)成分之較佳之一形態，例如可列舉下述通式(5a)：
[式中，R6 為相同或不同之不具有紫外線反應性基之未經取代或經取代之一價烴基、R7 為相同或不同之具有紫外線反應性基之基，R8 為相同或不同之具有紫外線反應性基之基，m為5~1,000之整數，n為0~100之整數，f為0~3之整數，g為0~3之整數，其中，f+g+n≧2]或下述通式(5b)：
[式中，R6 、R7 、R8 、m、n、f、g如上述通式(5a)中所定義般，h為2~4之整數，i及j分別為1~3之整數，其中fi+gj+n≧2]所示之具有至少2個紫外線反應性基之有機聚矽氧烷。
上述通式(5a)及(5b)中，R6 為相同或不同之不具有紫外線反應性基之未經取代或經取代的碳原子數較佳為1~20、更佳為1~10、尤佳為1~8之一價烴基。作為R6 所示之一價烴基，例如可列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基；苯基、甲苯基、二甲苯基、萘基等芳基；環戊基、環己基、環戊基等環烷基；苄基、苯基乙基等芳烷基；將鍵結於該等烴基之氫原子之一部分或全部由鹵素原子、氰基、羧基等取代之基例如氯甲基、氯丙基、溴乙基、三氟丙基、氰基乙基、3-氰基丙基等，較佳為可列舉甲基及苯基，更佳為可列舉甲基。又，上述R3 所示之一價烴基於其骨架中可具有1種或2種以上之磺醯基、醚鍵(-O-)、羰基等。
於上述通式(5a)及(5b)中，作為R7 及R8 所含之紫外線反應性基，例如可列舉：乙烯基、烯丙基、丙烯基等烯基；乙烯氧基、烯丙氧基、丙烯氧基、異丙烯氧基等烯氧基；丙烯醯基、甲基丙烯醯基等烯基以外之脂肪族不飽和基；巰基；環氧基；氫矽烷基等，較佳為丙烯醯基、甲基丙烯醯基、環氧基、及氫矽烷基，更佳為丙烯醯基及甲基丙烯醯基。因此，R7 及R8 所示之具有紫外線反應性基之基例如為以上例示之具有紫外線反應基之一價基，作為其具體例，可列舉：乙烯基、烯丙基、3-縮水甘油氧基丙基、2-(3,4-環氧環己基)乙基、3-甲基丙烯醯氧基丙基、3-丙烯醯氧基丙基、3-巰基丙基、2-{雙(2-甲基丙烯醯氧基乙氧基)甲基矽烷基}乙基、2-{雙(2-丙烯醯氧基乙氧基)甲基矽烷基}乙基、2-{(2-丙烯醯氧基乙氧基)二甲基矽烷基}乙基、2-{雙(1,3-二甲基丙烯醯氧基-2-丙氧基)甲基矽烷基}乙基、2-{(1,3-二甲基丙烯醯氧基-2-丙氧基)二甲基矽烷基}乙基、2-{雙(1-丙烯醯氧基-3-甲基丙烯醯氧基-2-丙氧基)甲基矽烷基}乙基、及2-{雙(1-丙烯醯氧基-3-甲基丙烯醯氧基-2-丙氧基)二甲基矽烷基}乙基等，較佳為可列舉3-甲基丙烯醯氧基丙基、3-丙烯醯氧基丙基、2-{雙(2-甲基丙烯醯氧基乙氧基)甲基矽烷基}乙基、2-{雙(2-丙烯醯氧基乙氧基)甲基矽烷基}乙基、2-{(2-丙烯醯氧基乙氧基)二甲基矽烷基}乙基、2-{(1,3-二甲基丙烯醯氧基-2-丙氧基)二甲基矽烷基}乙基、2-{雙(1-丙烯醯氧基-3-甲基丙烯醯氧基-2-丙氧基)甲基矽烷基}乙基、及2-{雙(1-丙烯醯氧基-3-甲基丙烯醯氧基-2-丙氧基)二甲基矽烷基}乙基。R7 及R8 分別可相同亦可不同，R7 及R8 彼此可相同亦可不同。
上述通式(5a)及(5b)中，m通常為5~1,000，較佳為10~800，更佳為50~500之整數，n通常為0~100，較佳為0~50，更佳為0~20之整數，f為0~3，較佳為0~2，更佳為1~2之整數，g為0~3，較佳為0~2之整數，更佳為1或2。上述式(5b)中，h通常為2~4之整數，較佳為2或3。i及j分別為1~3之整數，較佳為1或2之整數。並且，上述通式(5a)及(5b)所示之有機聚矽氧烷如上所述，由於具有至少2個上述紫外線反應性基，因此於式(5a)中成為f+g+n≧2，並且於式(5b)中成為fi+gj+n≧2。
作為上述式(5a)及(5b)所示之有機聚矽氧烷之具體例，可列舉下述所示者等。
[上述式中，R9 係90%為甲基、10%為苯基]
‧‧(e)成分
(e)成分之光聚合起始劑具有促進上述(d)成分中之紫外線反應性基之光聚合的作用。(e)成分並無特別限定，作為其具體例，可列舉：苯乙酮、苯丙酮、二苯甲酮、茀、苯甲醛、蒽醌、三苯基胺、4-甲基苯乙酮、3-戊基苯乙酮、4-甲氧基苯乙酮、3-溴苯乙酮、4-烯丙基苯乙酮、對二乙醯基苯、3-甲氧基二苯甲酮、4-甲基二苯甲酮、4-氯二苯甲酮、4,4'-二甲氧基二苯甲酮、4-氯-4'-苄基二苯甲酮、3-氯酮、3,9-二氯酮、3-氯-8-壬基酮、安息香、安息香甲醚、安息香丁醚、雙(4-二甲基胺基苯基)酮、苄基甲氧基縮醛、2-氯-9-氧硫、二乙基苯乙酮、1-羥基氯苯基酮、1-羥基環己基苯基酮、2-甲基-(4-(甲硫基)苯基)-2-嗎啉基-1-丙烷、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、二乙氧基苯乙酮及2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮等，就高純度之觀點而言，較佳為二苯甲酮、4-甲氧基苯乙酮、4-甲基二苯甲酮、二乙氧基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮及2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮，更佳為二乙氧基苯乙酮、1-羥基環己基苯基酮及2-羥基-2-甲基-1-苯基丙烷-1-酮。該等光聚合起始劑可單獨使用1種亦可併用2種以上。
(e)成分之添加量並無特別限定，相對於(d)成分100質量份，較佳為0.01~10質量份，更佳為0.1~3質量份，尤佳為0.5~3質量份。若該添加量為該範圍內，則容易控制聚矽氧組合物之硬化。
‧加成硬化反應性聚矽氧組合物：
作為加成硬化反應性聚矽氧組合物，具體而言，例如可列舉包含以下成分之加成硬化反應性聚矽氧組合物：
(f)含有至少2個鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷；
(g)含有至少2個鍵結於矽原子之氫原子(即SiH基)之有機氫化聚矽氧烷，相對於全部硬化性聚矽氧組合物中之烯基1莫耳，本(g)成分中之鍵結於矽原子之氫原子的量成為0.1~5莫耳之量；及
(h)鉑族金屬系觸媒，有效量。
‧‧(f)成分
(f)成分之有機聚矽氧烷係加成硬化反應性聚矽氧組合物之基礎聚合物，含有至少2個鍵結於矽原子之烯基。作為(f)成分，可使用公知之有機聚矽氧烷。藉由凝膠滲透層析法(以下稱為「GPC」)而測定之(f)成分之有機聚矽氧烷的重量平均分子量以聚苯乙烯換算計較佳為3,000~300,000左右。進而(f)成分之有機聚矽氧烷置於25℃下之黏度較佳為100~1,000,000 mPa.s，特佳為1,000~100,000 mPa.s左右。若為100 mPa.s以下，則拉絲性低，而難以實現纖維之細徑化，於1,000,000 mPa.s以上時，變得難以操作。(f)成分之有機聚矽氧烷就原料獲得之容易性之觀點而言，基本上具有以下結構：分子鏈(主鏈)包含二有機矽氧烷單元(R10 2 SiO2/2 單元)之重複單元、且分子鏈兩末端由三有機矽烷氧基(R10 3 SiO1/2 )封鏈之不具有分支的直鏈狀結構；或分子鏈包含該二有機矽氧烷單元之重複單元、且不具有分支之環狀結構；但亦可部分地具有含R10 SiO3/2 單元或SiO4/2 單元之分支狀結構。此處，R10 係如以下說明之式(6)所述般。
作為(f)成分，例如可使用下述平均組成式(6)：
R10 1 SiO(4-1)/2 　(6)
(式中，R10 與上述同樣為相同或不同之未經取代或經取代之碳原子數為1~10、較佳為1~8之一價烴基，1較佳為1.5~2.8，更佳為1.8~2.5，尤佳為1.95~2.05之範圍之正數)所示、於一分子中具有至少2個烯基之有機聚矽氧烷。作為上述R10 ，例如可列舉對於上述平均組成式(3)中之R4 所例示之基。
此時，R10 中之至少2個係烯基(特別是碳原子較佳為2~8、更佳為2~6之烯基)。再者，烯基之含量於鍵結於矽原子之全部有機基中(即上述平均組成式(6)中由R10 所示之未經取代或經取代之全部一價烴基中)，較佳為50~99莫耳%，特佳為75~95莫耳%。於(f)成分之有機聚矽氧烷具有直鏈狀結構時，該烯基可僅於分子鏈末端及分子鏈非末端之部分之任一者鍵結於矽原子，亦可於該兩者鍵結於矽原子，就組合物之硬化速度、硬化物之物性等方面而言，較理想的是至少一個烯基鍵結於分子鏈末端之矽原子。
‧‧(g)成分
(g)成分之有機氫化聚矽氧烷含有至少2個(通常2~200個)、較佳為3個以上(通常3~100個)鍵結於矽原子之氫原子(SiH基)。(g)成分與(f)成分反應發揮出作為交聯劑之作用。(g)成分之分子結構並無特別限定，例如線狀、環狀、分支狀、立體網狀(樹脂狀)等之先前所製造之任一種有機氫化聚矽氧烷均可用作(b)成分。於(g)成分具有線狀結構時，SiH基可僅於分子鏈末端及分子鏈非末端之部分之任一者鍵結於矽原子，亦可於該兩者鍵結於矽原子。又，1分子中之矽原子數(或聚合度)通常為2~300個，較佳為4~150個左右，於室溫(25℃)下為液狀之有機氫化聚矽氧烷可較佳地用作(g)成分。
作為(g)成分，例如可使用下述平均組成式(7)：
R11 p Hq SiO(4-p-q)/2 　(7)
(式中，R11 為相同或不同之未經取代或經取代之不具有脂肪族不飽和鍵之碳原子數為1~10、更佳為1~8之一價烴基，p及q較佳為滿足0.7≦p≦2.1、0.001≦q≦1.0、且0.8≦p+q≦3.0之正數，更佳為滿足1.0≦p≦2.0、0.01≦q≦1.0、且1.5≦p+q≦2.5之正數)
所示之有機氫化聚矽氧烷。作為上述R11 ，例如可列舉對於上述平均組成式(3)中之R4 所例示之基(其中，烯基除外)。
作為上述平均組成式(7)所示之有機氫化聚矽氧烷之具體例，可列舉：1,1,3,3-四甲基二矽氧烷、1,3,5,7-四甲基環四矽氧烷、三(氫化二甲基矽烷氧基)甲基矽烷、三(氫化二甲基矽烷氧基)苯基矽烷、甲基氫化環聚矽氧烷、甲基氫化矽氧烷‧二甲基矽氧烷環狀共聚物、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化聚矽氧烷、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、兩末端甲基氫化矽烷氧基封鏈二甲基聚矽氧烷、兩末端甲基氫化矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧二苯基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧二苯基矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、兩末端三甲基矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧甲基苯基矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、兩末端甲基氫化矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧二苯基矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、兩末端甲基氫化矽烷氧基封鏈甲基氫化矽氧烷‧甲基苯基矽氧烷‧二甲基矽氧烷共聚物、包含(CH3 )2 HSiO1/2 單元與(CH3 )2 SiO2/2 單元以及SiO4/2 單元之共聚物、包含(CH3 )2 HSiO1/2 單元與SiO4/2 單元之共聚物、包含(CH3 )2 HSiO1/2 單元與SiO4/2 單元以及(C6 H5 )3 SiO1/2 單元之共聚物等。
(g)成分之添加量相對於全部硬化性聚矽氧組合物中之烯基1莫耳，特別是相對於全部硬化性聚矽氧組合物中之鍵結於矽原子之烯基1莫耳，尤其是相對於(f)成分中之鍵結於矽原子之烯基1莫耳，本(g)成分中之SiH基量為0.1~5.0莫耳，較佳為0.5~3.0莫耳，更佳為0.8~2.0莫耳之量。此時，(f)成分中與矽原子鍵結之烯基相對於全部硬化性聚矽氧組合物中所存在之烯基之比例，較佳為80~100莫耳%，更佳為90~100莫耳%。於全部硬化性聚矽氧組合物中僅存在(f)成分作為具有烯基之成分時，相對於(f)成分中之烯基1莫耳，本(g)成分中之SiH量為0.1~5.0莫耳，較佳為0.5~3.0莫耳，更佳為0.8~2.0莫耳之量。若該添加量係少於上述SiH量之0.1莫耳之量，則直至硬化為止之時間花費較長，於經濟上不利。
又，若該添加量係多於上述SiH量之5.0莫耳之量，則於該硬化反應物中會產生因脫氫反應所致之發泡，而且該硬化反應物之強度及耐熱性會受到不良影響。
‧‧(h)成分
(h)成分之鉑族金屬系觸媒係用作用以促進(f)成分與(g)成分之加成硬化反應(氫矽烷基化反應)的觸媒。作為(h)成分，可使用公知之鉑族金屬系觸媒，較佳為使用鉑或鉑化合物。作為(h)成分之具體例，可列舉：鉑黑，氯化鉑，氯鉑酸，氯鉑酸之醇改性物，氯鉑酸與烯烴、醛、乙烯基矽氧烷或乙炔醇類之錯合物。
(h)成分之添加量係作為觸媒之有效量，根據所希望之硬化反應速度適時增減即可，相對於(f)成分換算成鉑族金屬以質量基準計，較佳為0.1~1,000 ppm，更佳為0.2~100 ppm之範圍。
‧縮合硬化反應型聚矽氧組合物：
作為縮合硬化反應型聚矽氧組合物，具體而言，例如可列舉包含以下成分之縮合硬化反應型聚矽氧組合物：
(i)含有至少2個、較佳為於分子鏈兩末端含有矽烷醇基(即矽原子鍵結羥基)或矽原子鍵結水解性基之有機聚矽氧烷；
(j)作為任意成分之水解性矽烷及/或其部分水解縮合物；以及
(k)作為任意成分之縮合反應觸媒。
‧‧(i)成分
(i)成分係含有至少2個矽烷醇基或矽原子鍵結水解性基之有機聚矽氧烷，係縮合硬化反應型聚矽氧組合物之基礎聚合物。(i)成分之有機聚矽氧烷就原料獲得之容易性之觀點而言，基本上具有以下結構：分子鏈(主鏈)包含二有機矽氧烷單元(R11 2 SiO2/2 單元)之重複單元、且分子鏈兩末端由三有機矽烷氧基(R11 3 SiO1/2 )封鏈之不具有分支的直鏈狀結構；或分子鏈包含該二有機矽氧烷單元之重複單元、且不具有分支之環狀結構；但亦可部分地含有分支狀結構。此處，R11 表示未經取代或經取代之碳原子數為1~10、更佳為1~8之一價烴基。
於(i)成分之有機聚矽氧烷中，作為矽烷醇基以外之水解性基，例如可列舉：乙醯氧基、辛醯氧基、苯甲醯氧基等醯氧基；二甲基酮肟、甲基乙基酮肟、二乙基酮肟等酮肟(即亞胺氧基)；甲氧基、乙氧基、丙氧基等烷氧基；甲氧基乙氧基、乙氧基乙氧基、甲氧基丙氧基等烷氧基烷氧基；乙烯氧基、異丙烯氧基、1-乙基-2-甲基乙烯氧基等烯氧基；二甲基胺基、二乙基胺基、丁基胺基、環己基胺基等胺基；二甲基胺基氧基、二乙基胺基氧基等胺基氧基；N-甲基乙醯胺基、N-乙基乙醯胺基、N-甲基苯甲醯胺基等醯胺基等。
該等水解性基例如較理想的是以如下基等形態位於直鏈狀二有機聚矽氧烷之分子鏈兩末端：三烷氧基矽烷氧基、二烷氧基有機矽烷氧基、三醯氧基矽烷氧基、二醯氧基有機矽烷氧基、三亞胺氧基矽烷氧基(即三酮肟矽烷氧基)、二亞胺氧基有機矽烷氧基、三烯氧基矽烷氧基、二烯氧基有機矽烷氧基、三烷氧基矽烷氧基乙基、二烷氧基有機矽烷氧基乙基等含2個或3個水解性基之矽烷氧基或含2個或3個水解性基之矽烷氧基烷基。
作為鍵結於矽原子之其他一價烴基，可列舉與對於上述平均組成式(3)中之R4 所例示者相同之未經取代或經取代之一價烴基。
作為(i)成分，例如可列舉：
[上述式中，X為上述矽烷醇基以外之水解性基，a為1、2或3，n及m分別為1~1,000之整數]。
作為(i)成分之具體例，可列舉：分子鏈兩末端矽烷醇基封鏈二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端矽烷醇基封鏈二甲基矽氧烷‧甲基苯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端矽烷醇基封鏈二甲基矽氧烷‧二苯基聚矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端三甲氧基矽烷氧基封鏈二甲基聚矽氧烷、分子鏈兩末端三甲氧基矽烷氧基封鏈二甲基矽氧烷‧甲基苯基矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端三甲氧基矽烷氧基封鏈二甲基矽氧烷‧二苯基聚矽氧烷共聚物、分子鏈兩末端2-三甲氧基矽烷氧基乙基封鏈二甲基聚矽氧烷等。該等可單獨使用1種亦可將2種以上組合而使用。
‧‧(j)成分
(j)成分之水解性矽烷及/或其部分水解縮合物為任意成分，發揮出作為硬化劑之作用。於作為基礎聚合物的(i)成分為1分子中含有至少2個矽烷醇基以外之矽原子鍵結水解性基之有機聚矽氧烷時，可省略將(j)成分添加至縮合硬化反應型聚矽氧組合物。作為(j)成分，可較佳地使用1分子中含有至少3個矽原子鍵結水解性基之矽烷及/或其部分水解縮合物(即至少1個、較佳為2個以上之水解性基殘存的有機聚矽氧烷)。
作為上述矽烷，例如可較佳地使用式(8)：
R12 r SiX4-r 　(8)
(式中，R12 為未經取代或經取代之碳原子數為1~10、更佳為1~8之一價烴基，X為水解性基，r為0或1)所示者。作為上述R12 ，可特佳地列舉：甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基等烷基；苯基、甲苯基等芳基；乙烯基、烯丙基等烯基。
作為(j)成分之具體例，例如可列舉：甲基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、乙烯基三乙醯氧基矽烷、正矽酸乙酯等及該等之部分水解縮合物。該等可單獨使用1種亦可組合2種以上而使用。
於使用(j)成分之水解性矽烷及/或其部分水解縮合物時，其添加量相對於(i)成分100質量份，較佳為0.01~20質量份，特佳為0.1~10質量份。於使用(j)成分時，若其添加量為上述範圍內，則本發明組合物之儲存穩定性及硬化反應速度特別良好。
‧‧(j)成分
(j)成分之縮合反應觸媒為任意成分，於上述(j)成分之水解性矽烷及/或其部分水解縮合物具有例如胺基氧基、胺基、酮肟之情形時，可不使用。作為(k)成分之縮合反應觸媒，例如可列舉：鈦酸四丁酯、鈦酸四異丙酯等有機鈦酸酯；二異丙氧基雙(乙醯基丙酮酸)鈦、二異丙氧基雙(乙基乙醯乙酸)鈦等有機鈦螯合化合物；三(乙醯基丙酮酸)鋁、三(乙基乙醯乙酸)鋁等有機鋁化合物；四(乙醯基丙酮酸)鋯、四丁酸鋯等有機鋯化合物；二丁基二辛酸錫、二丁基二月桂酸錫、二丁基二(2-乙基己酸)錫等有機錫化合物；環烷酸錫、油酸錫、丁酸錫、環烷酸鈷、硬脂酸鋅等有機羧酸之金屬鹽；己基胺、磷酸十二烷基胺等胺化合物、及其鹽；苄基三乙基乙酸銨等四級銨鹽；乙酸鉀、硝酸鋰等鹼金屬之低級脂肪酸鹽；二甲基羥基胺、二乙基羥基胺等二烷基羥基胺；含胍基之有機矽化合物等。該等可單獨使用1種亦可將2種以上組合而使用。
於使用(k)成分之縮合反應觸媒時，其添加量並無特別限定，作為觸媒之有效量即可，相對於(i)成分100質量份，較佳為0.01~20質量份，特佳為0.1~10質量份。於使用(k)成分時，若其添加量為上述範圍內，則就硬化時間與硬化溫度之觀點而言，於經濟上有利。
‧有機過氧化物硬化反應型聚矽氧組合物之硬化：
藉由加熱有機過氧化物硬化反應型聚矽氧組合物，而進行自由基反應，並進行硬化反應，從而有機過氧化物聚矽氧組合物發生硬化。至於使有機過氧化物聚矽氧組合物硬化之溫度條件，作為此時之加熱溫度，由於硬化反應依賴於被覆厚度、即依賴於塗敷量，因此並無特別限定，較佳為80℃~300℃，更佳為150℃~250℃。又，視需要可進行2次硬化，作為此時之溫度條件，較佳為120℃以上，更佳為150℃~250℃。此時之硬化時間較佳為10分鐘~48小時，更佳為30分鐘~24小時。
‧紫外線硬化反應性聚矽氧組合物之硬化：
藉由對紫外線硬化反應性聚矽氧組合物照射紫外線，而光聚合起始劑發生反應，並進行硬化反應，從而紫外線硬化反應性聚矽氧組合物發生硬化。至於紫外線照射條件，由於硬化反應依賴於被覆厚度、即依賴於塗敷量，因此並無特別限定，使用於365 nm具有發光波長之紫外線發光二極體，以照度為5~500 mW/cm2 、較佳為10~200 mW/cm2 、光量為0.5~100 J/cm2 、較佳為10~50 J/cm2 之條件照射紫外線照射，藉此可使其硬化。又，視需要可進行2次硬化，作為此時之溫度條件，較佳為120℃以上，更佳為150℃~250℃。此時之硬化時間較佳為10分鐘~48小時，更佳為30分鐘~24小時。
‧加成硬化反應性聚矽氧組合物之硬化：
藉由加熱加成硬化反應性聚矽氧組合物，而進行氫矽烷基化反應，從而加成硬化反應性聚矽氧組合物發生硬化。作為此時之加熱溫度，由於硬化反應依賴於被覆厚度、即依賴於塗敷量，因此並無特別限定，較佳為80~300℃，更佳為100~200℃。又，視需要可進行2次硬化，作為此時之溫度條件，較佳為120℃以上，更佳為150℃~250℃。此時之硬化時間較佳為10分鐘~48小時，更佳為30分鐘~24小時。
‧縮合硬化反應型聚矽氧組合物之硬化：
藉由加熱縮合硬化反應型聚矽氧組合物，而進行縮合反應，從而縮合硬化反應性聚矽氧組合物發生硬化。至於使縮合硬化反應型聚矽氧組合物硬化之溫度條件，作為此時之加熱溫度，由於硬化反應依賴於被覆厚度、即依賴於塗敷量，因此並無特別限定，較佳為80℃~300℃，更佳為100℃~200℃。又，視需要可進行2次硬化，作為此時之溫度條件，較佳為120℃以上，更佳為150℃~250℃。此時之硬化時間較佳為10分鐘~48小時，更佳為30分鐘~24小時。
[碳基材與非晶質無機陶瓷之高溫加熱處理]
將上述碳基材與非晶質無機陶瓷物質於非氧化性氣體環境下一起於超過1500℃且2200℃以下之溫度下供於加熱處理。
藉由該加熱處理而引起非晶質無機陶瓷物質之熱分解，而產生一氧化矽。一般認為：該一氧化矽不僅滲透碳基材表面而且可自表面通過細孔滲透至碳基材內部，於基材表面及細孔內進行反應而生成、堆積碳化矽。因此，所形成之碳化矽之被覆係以並非僅單純地覆蓋於基材表面，而是與其連接之形態以碳化矽至少含浸至一定深度之狀態形成。
碳基材與非晶質無機陶瓷物質於上述氣體環境內一起即以配置於鄰接位置之狀態進行加熱，結果所產生之一氧化矽可於碳基質表面發生反應。
該加熱處理於非氧化性氣體環境下、較佳為惰性氣體環境下進行。作為惰性氣體，例如可列舉氮氣、氬氣、氦氣等，特佳為氬氣。
又，該加熱處理於超過1500且2200℃以下之溫度下進行。該加熱之溫度較佳為1600℃以上。又，該加熱之溫度較佳為2200℃以下。藉由該加熱處理，一氧化矽自非晶質無機陶瓷物質開始脫離，與碳基材反應而形成碳化矽。又若超過2200℃，則碳基材之分解過於劇烈而不理想。加熱處理之結束點係例如不產生一氧化矽之時刻。
[實施例]
以下表示實施例，對本發明進行更詳細地說明，但本發明並不限定於該等實施例。
[實施例1]
以下表示實施例及比較例，對本發明進行更詳細地說明，但本發明並不限定於該等實施例。再者，於本實施例中，分子量係藉由GPC而測定之聚苯乙烯換算之重量平均分子量。又，將非晶質無機陶瓷物質中之矽、碳及氧之平均元素比簡稱為「元素比」。
將僅含有MeSiO3/2 單元作為矽氧烷單元、具有5質量%之矽烷醇基的熔融性聚矽氧樹脂(分子量：1000、元素比：SiCO1.5 、軟化點65℃)放入鋁培養皿，並浸漬於20質量%之濃度的鹽酸中，於室溫下放置2日。將如此所得之固體成分用水洗至廢水達到pH值為6，然後於約200℃之溫度下進行加熱乾燥。進而將如此處理之固體成分以如下所述之方式於非氧化性氣體環境下進行加熱。即，將該固體成分投入至氧化鋁舟，於橫置式管狀爐中，於氮氣環境下，以100℃/小時之升溫速度歷時約10小時自室溫加熱至1000℃，繼而於1000℃下保持1小時。然後，以200℃/小時之速度冷卻至室溫。藉此獲得黑色非晶質無機陶瓷物質。將於該加熱前後所測定之非晶質無機陶瓷物質之質量進行比較，而算出因加熱而損失之質量相對於加熱前之質量的比例(以下稱為「因加熱之損失率」)，結果為14.6%。
藉由FE-SEM(Field Emission scanning election microscopy，場發射型掃描電子顯微鏡)之EDX分析(Energy Dispersive X-ray Analysis，能量分散X射線分析)，測定該黑色非晶質無機陶瓷物質之元素比，結果為SiC0.82 O1.31 。
又，藉由FE-SEM之EDX分析，測定氫相對於非晶質無機陶瓷物質整體之質量分率(以下簡稱為「氫之質量分率」)，結果未達檢測極限之0.5質量%。
於由碳製成之容器中投入以上述方式獲得之非晶質無機陶瓷50 g以及作為基材的經CIP(Cold Isostatic Press，冷等靜壓)處理之圓筒狀碳成形體(直徑15 mm×長度50 mm、厚度2 mm)，於環境氣體爐內、氬氣環境下、以100℃/小時之升溫速度歷時20小時提高溫度至2000℃，於該2000℃下保持2小時後，冷卻至室溫，而獲得圓筒狀成形體之內部與外部之表面均為黃綠色之固體。該圓筒狀物質之加熱後的質量增加5%。又，圓筒狀物質之形狀係加熱後直徑15 mm×長度50 mm、厚度2.1 mm。
‧元素比之測定：
將該黃綠色固體之表面的被覆層(堆積層)削去製成樣品，使用碳分析裝置(LECO公司製造、商品名：CS-444LS)，進行碳分析，結果碳之質量比為30.3質量%。又，同樣使用所採取之樣品，使用氧分析裝置(LECO公司製造、商品名：TC436)，進行氧分析，結果氧之質量比為0.2質量%以下。元素比為Si1 C1.02 。
[實施例2]
材料：
(A)下式所示之一分子中含有烯基之二有機聚矽氧烷100質量份、
(式中，n、m係n/m=4/1、且該矽氧烷於25℃下之黏度為600 mPa.s之數)、及、
(B)過氧化苯甲醯0.5質量份、 (C)下式所示之具有鍵結於矽原子之氫原子的二有機聚矽氧烷33質量份、
將上述(A)~(C)成分投入至行星式混合機(註冊商標、井上製作所(股)製造之混合機)中，於室溫下攪拌一小時，而獲得於室溫下具有1000 mPa.s之黏度的硬化性聚矽氧組合物。
將該硬化性聚矽氧組合物於約200℃之溫度下加熱30分鐘，而獲得聚矽氧硬化物。將該聚矽氧硬化物以與實施例1相同之方式於非氧化性氣體環境下加熱，而獲得黑色非晶質無機陶瓷物質。因加熱之損失率為16.7%。
藉由FE-SEM(場發射型掃描電子顯微鏡)之EDX分析(能量分散X射線分析)，測定該非晶質無機陶瓷物質之元素比，結果為SiC1.3 O1.4 。
又，藉由FE-SEM之EDX分析，測定氫相對於該非晶質無機陶瓷物質整體之質量分率(以下簡稱為「氫之質量分率」)，結果未達檢測極限之0.5質量%。
於由碳製成之容器中，投入以上述方式獲得之非晶質無機陶瓷物質50 g、作為基材的經CIP處理之圓筒狀碳成形體(直徑15 mm×長度50 mm、厚度2 mm)，以與實施例1相同之方式於環境氣體爐內加熱後，冷卻至室溫，而獲得圓筒狀成形體之內部與外部之表面均為黃綠色之固體。該圓筒狀物質於加熱後之質量增加5%。又，圓筒狀物質之形狀係加熱後直徑15 mm×長度50 mm、厚度2.1 mm。
‧元素比之測定：
將該黃綠色之固體的表面之被覆層(堆積層)削去而製成樣品，使用碳分析裝置(LECO公司製造、商品名：CS-444LS)進行碳分析，結果碳之質量比為30.2質量%。又，同樣使用所採取之樣品，使用氧分析裝置(LECO公司製造、商品名：TC436)進行氧分析，結果氧之質量比為0.2質量%以下。元素比為Si1 C1.00 。
‧雜質元素之分析：
不使上述硬化性聚矽氧組合物含浸多孔質碳質基材，而投入5 g至碳製容器中，於該狀態進行處理，除此以外，以與上述相同之方式使其硬化，進行熱處理而獲得綠色固體。將其供於ICP發光分析，結果關於各種元素之含量，可獲得表1所示之結果。「<0.1」係指未達作為測定極限的0.1 ppm。
根據上述結果，於半導體裝置領域中，通常成為問題的雜質元素之鎳、鉻、鐵、鋁均未達檢測極限。
[產業上之可利用性]
根據本發明之方法而得之經碳化矽被覆之碳材料由於耐熱性、耐蠕變性優異，而可用作高溫材料。例如在半導體製造領域中可用於對半導體晶圓進行熱處理、或將微量元素熱擴散至半導體晶圓中之步驟中所使用的板及製程管之材料。

Claims (15)

  1. 一種經碳化矽被覆之碳材料之製造方法，該經碳化矽被覆之碳材料係具有碳基材、及被覆該碳基材之碳化矽被膜而成；且該製造方法包括：使非晶質無機陶瓷物質與碳基材於非氧化性氣體環境中一起於超過1500℃且2200℃以下之溫度加熱；上述非晶質無機陶瓷物質含有矽、碳及氧而成，且矽、碳及氧之平均元素比為下述組成式(1)：Si1 Ca Ob (1)(式中，a為滿足0.5≦a≦3.0之數，b為滿足1.0≦b≦4.0之數)所示，並具有包含Si-O-Si鍵之矽氧烷骨架，氫之質量分率為0~0.5質量%，上述非晶質無機陶瓷物質係使非熔融性固體狀聚矽氧於非氧化性氣體環境下於400~1500℃之溫度加熱而得者。
  2. 如請求項1之製造方法，其中上述非熔融性固體狀聚矽氧係將熔融性聚矽氧樹脂進行不熔化處理而得之非熔融性聚矽氧樹脂。
  3. 如請求項2之製造方法，其中上述熔融性聚矽氧樹脂係下述平均組成式(2)所示者：R1 m R2 n (OR3 )p (OH)q SiO(4-m-n-p-q)/2 (2)(式中，R1 獨立表示氫原子或芳基以外之可含羰基之一價烴基，R2 表示苯基，R3 表示碳原子數1~4之一價烴基，m 為滿足0.1≦m≦2之數，n為滿足0≦n≦2之數，p為滿足0≦p≦1.5之數，q為滿足0≦q≦0.35之數，其中，p+q>0，且0.1≦m+n+p+q≦2.6)。
  4. 如請求項1之製造方法，其中上述非熔融性固體狀聚矽氧係硬化性聚矽氧組合物之硬化物。
  5. 如請求項4之碳化矽接合體之製造方法，其中上述硬化性聚矽氧組合物係有機過氧化物硬化性聚矽氧組合物或放射線硬化性聚矽氧組合物。
  6. 如請求項4之方法，其中上述硬化性聚矽氧組合物係包含以下成分之有機過氧化物硬化性聚矽氧組合物：(a)含有至少2個鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷；及(b)有機過氧化物；及(c)作為任意成分的含有至少2個鍵結於矽原子之氫原子之有機氫化聚矽氧烷，相對於全部硬化性聚矽氧組合物中的烯基1莫耳，本(c)成分中之鍵結於矽原子之氫原子的量為0.1~2莫耳之量。
  7. 如請求項4之方法，其中上述硬化性聚矽氧組合物係包含以下成分之紫外線硬化性聚矽氧組合物：(d)紫外線反應性有機聚矽氧烷；及(e)光聚合起始劑。
  8. 如請求項7之方法，其中上述(d)成分之紫外線反應性有機聚矽氧烷係下述通式(5a)： [式中，R6 為相同或不同之不具有紫外線反應性基之未經取代或經取代之一價烴基，R7 為相同或不同之具有紫外線反應性基之基，R8 為相同或不同之具有紫外線反應性基之基，m為5~1,000之整數，n為0~100之整數，f為0~3之整數，g為0~3之整數，其中，f+g+n≧2]所示之具有至少2個紫外線反應性基之聚有機矽氧烷。
  9. 如請求項8之方法，其中上述紫外線反應性基係烯基、烯氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、環氧基或氫矽烷基。
  10. 如請求項7之方法，其中上述(d)成分之紫外線反應性有機聚矽氧烷係下述通式(5b)： [式中，R6 為相同或不同之不具有紫外線反應性基之未經取代或經取代之一價烴基，R7 為相同或不同之具有紫外線反應性基之基，R8 為相同或不同之具有紫外線反應性基之基，m為5~1,000之整數，n為0~100之整數，f為0~3之整數，g為0~3之整數，h為2~4之整數，i及j分別為1~3 之整數，其中fi+gj+n≧2]所示之具有至少2個紫外線反應性基之有機聚矽氧烷。
  11. 如請求項10之方法，其中上述紫外線反應性基為烯基、烯氧基、丙烯醯基、甲基丙烯醯基、巰基、環氧基或氫矽烷基。
  12. 如請求項7之方法，其中(e)成分相對於(d)成分100質量份而含有0.01~10質量份。
  13. 如請求項4之方法，其中上述硬化性聚矽氧組合物係包含以下成分之加成硬化性聚矽氧組合物：(f)含有至少2個鍵結於矽原子之烯基的有機聚矽氧烷；(g)含有至少2個鍵結於矽原子之氫原子之有機氫化聚矽氧烷，相對於全部硬化性聚矽氧組合物中之烯基1莫耳，該(g)成分中之鍵結於矽原子之氫原子的量為0.1~5莫耳之量；及(h)鉑族金屬系觸媒，有效量。
  14. 如請求項4之方法，其中上述硬化性聚矽氧組合物係包含以下成分之縮合硬化性聚矽氧組合物：(i)含有至少2個矽烷醇基或矽原子鍵結水解性基之有機聚矽氧烷；(j)作為任意成分的水解性矽烷、其部分水解縮合物或該等之組合；以及(k)作為任意成分的縮合反應觸媒。
  15. 一種經碳化矽被覆之碳材料，其係藉由如請求項1之製造方法而獲得。
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