TWI481075B - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

半導體發光裝置及其製造方法 相關申請案交叉參考
本發明根據2010年3月9日所提日本專利申請案2010-051506申請其權益；茲併提其全文以供參考。
本發明係關於半導體發光裝置及其製造方法。
曾揭露一種局部蝕除p型接觸層及發光半導體層以露出n型接觸層俾n型接觸層之露出區域鄰近發光半導體層之堆疊區域之構造。n型電極形成於n型接觸層之露出區域上，p型電極形成於p型接觸層之露出區域上。該構造可用來作為倒裝(面朝下)晶片型發光半導體層，其中n型接觸層及p型接觸層均接合於基板。
 【發明內容及實施方式】
根據一實施例，半導體發光裝置包含第一半導體層、第二半導體層、第一電極、第二電極、第一互連接及第二互連接。第一半導體層具有：第一主表面；第二主表面，設在第一主表面之相對側；突起，選擇性設在第二主表面上；以及溝槽，從第二主表面形成至第一主表面。第二半導體層堆疊在第一半導體層之突起上並包含發光層。第一電極設在第一半導體層之第二主表面及溝槽之側表面上。 第二電極設在第一半導體層相對側上之第二半導體層之表面上。第一互連接設在第二主表面相對側上之第一電極之表面上。第二互連接設在第二主表面相對側上之第二電極之表面上。
現在將參考圖式說明諸實施例。
第1圖係本實施例之半導體發光裝置之示意剖視圖。
本實施例之半導體發光裝置包含：半導體層之堆疊本體；含諸互連接及密封樹脂之封裝構造；以及磷層，集中形成為晶圓狀態。半導體層之堆疊本體包含第一半導體層11及第二半導體層12。第一半導體層11如圖示係n型GaN層，並用來作為側向電流路徑。然而，第一半導體層11之導電型不限於n型，可為p型。
光主要從第一半導體層11之第一主表面11a萃取至外面。第二半導體層12設在第一主表面11a之相對側上之第一半導體層11之第二主表面11b。
第二半導體層12具有包含發光層(主動層)之複數個半導體層之堆疊構造。第2圖顯示該構造之一例子。
n型GaN層31設在第一半導體層11之第二主表面11b上。n型InGaN層32設在GaN層31上。發光層33設在InGaN層32上。發光層33如圖示具有包含InGaN之多重量子阱構造。p型GaN層34設在發光層33上。p型AlGaN層35設在GaN層34上。p型GaN層36設在AlGaN層35上。
突起21及凹陷22設在第一半導體層11之第二主表面11b上。第二半導體層12設在突起21之表面上。因此，突 起21包含第一半導體層11及第二半導體層12之堆疊構造。
凹陷22之底面係第一半導體層11之第二主表面11b，且n側電極14設在凹陷22之第二主表面11b上作為第一電極。
相對於接觸第一半導體層11之表面，p側電極15設在突起21之第二半導體層12之相對表面上，作為第二電極。
第一半導體層11之第二主表面11b覆以諸如氧化矽膜之絕緣膜13。n側電極14及p側電極15從絕緣膜13露出。n側電極14及p側電極15藉絕緣膜13絕緣，並用來作為彼此電氣獨立之電極。而且，絕緣膜13亦覆蓋包含發光層之突起21之側面。
絕緣膜16設在第二主表面11b側上以覆蓋絕緣膜13、n側電極14及p側電極15。絕緣膜16如圖示由氧化矽膜或樹脂製成。
將位於第一半導體層11及第二半導體層12之相對側上之絕緣膜16的表面平面化，且在該表面上設置作為第一互連接之n側互連接17及作為第二互連接之p側互連接18。
n側互連接17亦設在形成於絕緣膜16中的開口16a中，且深達n側電極14，並電連接於n側電極14。p側互連接18亦設在形成於絕緣膜16中的開口16b中，且深達p側電極15，並電連接於p側電極15。
例如，n側互連接17及p側互連接18藉由電鍍程序同時形成。於電鍍中，形成於包含開口16a、16b內壁面之絕緣膜16之表面上之種子金屬被用來作為電流路徑。
n側電極14、p側電極15、n側互連接17及p側互連接18均設在第一半導體層11之第二主表面11b側上，並構成用以供應電流至發光層之互連接層。
n側金屬柱19設在n側電極14相對側之n側互連接17之表面上，作為第一金屬柱。p側金屬柱20設在p側電極15相對側之p側互連接18之表面上，作為第二金屬柱。n側金屬柱19之周邊、p側金屬柱20、n側互連接17及p側互連接18之周邊均覆以樹脂26。
第一半導體層11透過n側電極14及n側互連接17電連接於n側金屬柱19。第二半導體層12透過p側電極15及p側互連接18電連接於p側金屬柱20。諸如焊球及金屬隆起之外部端子25設在自樹脂26露出之n側金屬柱19及p側金屬柱20之下端面上。半導體發光裝置可透過外部端子25電連接於外部電路。
於本實施例之構造中，即使第一半導體層11及第二半導體層12之堆疊本體很薄，其機械強度仍可藉由將n側金屬柱19、p側金屬柱20及樹脂26加厚維持。而且，n側金屬柱19及p側金屬柱20可透過外部端子25吸收及釋放在裝置安裝於電路板上時施加於半導體層之應力。較佳地，用以強化n側金屬柱19及p側金屬柱20之樹脂26具有一熱膨脹係數，其等於或接近電路板等之熱膨脹係數。樹脂26之例子包含環氧樹脂、矽樹脂及氟樹脂。
n側互連接17、p側互連接18、n側金屬柱19及p側金屬柱20可由如銅、鎳及銀之金屬製成。尤佳者係使用銅，其 具有良好熱導性、耐遷移性與絕緣膜間之優異接觸。
磷層27設在第一半導體層11之第一主表面11a上。磷層27沿第一主表面11a之平面方向設有大致均勻厚度。自發光層發出的光主要射入第一半導體層11、第一主表面11a及磷層27，並射至外部。
磷層27可吸收來自發光層的光，並發出波長轉換的光。如此，可發射來自發光層的光與磷層27的波長轉換光的混合光。例如，對氮系發光層而言，可獲得成為來自發光層之藍光與例如屬於黃磷層27之波長轉換光之黃光的混合光的白光、燈光等。
第3圖係上述半導體發光裝置中主要組件之示意立體圖。
第4A圖係對應第3圖之俯視圖。
第4B圖係顯示n側互連接17、p側互連接18、n側金屬柱19及p側金屬柱20之平面佈局例之俯視圖。
第1圖對應第4A圖之A-A截面。而且，第8B圖對應第4A圖之B-B截面。然而，第8B圖顯示基板10移除前之狀態。
凹陷22包含具有較寬寬度之第一凹陷22a及具有較窄寬度之第二凹陷22b。第一凹陷22a及第二凹陷22b具有相等深度。包含第二半導體層12之突起21圍繞凹陷22。藉由第二半導體層12及第一半導體層11之一部分移除而露出之第一半導體層11之第二主表面11b構成凹陷22之底面。
於凹陷22之第二主表面11b中形成自第二主表面11b延 伸至第一主表面11a之溝槽40。亦即，溝槽40貫穿凹陷22下方之第一半導體層11。例如，溝槽40成直線貫穿第一凹陷22a及第二凹陷22b。突起21沿寬度方向設在溝槽40之兩側上及溝槽40之縱端側上。基於處理理由，溝槽40不形成於突起21下方。
n側電極14形成於凹陷22之第二主表面11b上。p側電極15形成於突起21之第二半導體層12上。於俯視圖中，如第4A圖所示，p側電極15圍繞n側電極14。
n側電極14如墊形成於具有較寬寬度之第一凹陷22a之第二主表面11b上。這用來確保第二主表面11b上n側電極14與n側互連接17之大接觸面積。於第二凹陷22b之第二主表面11b上，n側電極14接近溝槽40之開口緣，沿溝槽40之縱向形成。
而且，如於第8B圖中所示，n側電極14亦形成於溝槽40內部(於其側面及底部)。n側電極14藉由例如使用未圖示之光阻掩模之蒸發程序，一體及同時形成於凹陷22之第二主表面11b上及溝槽40內部。
由於n側電極14亦形成於溝槽40之底部，惟磷層27可形成均厚，而在後述基板10移除後，磷層27形成於第一主表面11a上時，不貫穿進入溝槽40。
如於第8B圖中所示，絕緣膜13,16設在凹陷22周圍突起21之側面上。絕緣膜13,16可防止n側電極14和第二半導體層12以及n側電極14和p側電極15間的短路。
如以上所述，如圖所示，n側互連接17藉由電鍍程序 形成。該程序中的種子金屬亦形成於溝槽40中n側電極14之側面及底面上。因此，如於第8B圖中所示，n側互連接17亦埋入溝槽40中n側電極14之內部。因此，n側電極14與n側互連接17不僅在第二主表面11b上亦在溝槽40中相互接觸。這增加n側電極14與n側互連接17間的接觸面積，並可減少接觸阻力。
在n側電極及p側電極形成於半導體層之一主表面上之構造中，若p側電極之平面面積作成相對較大，發光面積即可增加以提高亮度。然而，若p側電極之平面面積增加而未改變晶片尺寸(平面尺寸),p側電極之平面面積即相對減小。p側電極之平面面積帶來對電流集中於p側電極所造成可靠度趨劣的關切。
然而，於本實施例中，溝槽40形成於第一半導體層11之區域中，在此，形成n側電極14，且n側電極14亦形成在溝槽40之側面上，亦即，第一半導體層11之側面上。因此，n側電極14與第一半導體層11接觸之面積可增加而不改變p側電極15與n側電極14間之平面面積比例。因此，可不增加晶片尺寸而增加n側電極14之面積以增進可靠度，並可抑制p側電極15之面積減小，以增進亮度。
而且，於n側電極14和第一半導體層11僅在有限平面表面接觸之構造中，第一半導體層11中之電場分布集中於前表面側，這造成難以控制光射出效率及色澤均勻度。這對磷層及透鏡之設計增加負荷，迫使晶片尺寸增大，造成成本增高，變成難以兼顧性能。
相對地，於本實施例中，n側電極14不僅與第一半導體層11之前表面接觸，亦與第一半導體層11之側面接觸。這增加第一半導體層11與n側電極14之接觸面積，抑制電場分布集中於第一半導體層11，並有助於特徵控制。結果，磷層及透鏡之設計負荷減小，導致小型化及成本減低。
在此，於溝槽40之處理在穿過第一半導體層11途中停止情況下，深度變化可能發生於程序中。溝槽40之深度變化導致構成溝槽40側面之n側電極14與第一半導體層11間接觸面積之變化。這變成其間接觸阻力之變化，並可能導致特徵變化。
相對地，於本實施例中，溝槽40由第一半導體層11之第二主表面11b形成，以深達相對側上之第一主表面11a。具體而言，如稍後所述，第一主表面11a下方之基板10用來於處理溝槽40中作為止動件，俾可獲得具有恆定深度之溝槽40。這用來防止經由溝槽40之側面，因n側電極14與第一半導體層11間接觸面積之變化所致特徵變化。
其次，參考第5A至9B圖，說明本發明之半導體發光裝置之製造方法。
第5A至5C圖對應第4A圖中之A-A截面。第6A至8B圖對應第4A圖中之B-B截面。
首先，如於第5A圖中所示，第一半導體層11形成於基板10之主表面上。第一半導體層11於基板10側上之表面對應於第一主表面11a。第二半導體層12形成於第一主表面 11a相對側之基板10之第二主表面11b上。例如，在發光層由氮化物半導體形成情況下，第一半導體層11及第二半導體層12之堆疊本體可在藍寶石基板上成長為晶體。
其次，例如，藉由使用未圖示之樹脂之RIE(反應離子蝕刻)程序，選擇性移除第二半導體層12及第一半導體層11之一部分。如於第5B及第6A圖中所示，第二半導體層12及第一半導體層11移出之部分構成凹陷22，且包含發光層之第二半導體層12留下之部分構成突起21。第一半導體層11之第二主表面11b對凹陷22露出。
如第9A圖所示，基板10以及第一半導體層11和第二半導體層12之堆疊本體處於晶圓狀態，且形成有複數個凹陷22，該圖以俯視圖顯示晶圓之一部分。
其次，如於第5B及第6B圖中所示，突起21與凹陷22間包含梯級部之整個晶圓表面覆以絕緣膜13。如圖所示，絕緣膜13藉由CVD(化學蒸汽沉積)程序形成。於絕緣膜13形成後，藉由熱處理激活第二半導體層12。
其次，如於第7A及第9B圖中所示，形成溝槽40，其自位於凹陷22底部之第二主表面11b延伸至基板10。而且，如於第9B圖中所示，形成切割溝槽50。溝槽40及切割溝槽50藉由例如使用未圖示之樹脂之RIE程序同時形成。
切割溝槽50貫穿第二半導體層12及第一半導體層11而至基板10。替代地，在形成上述凹陷22時，亦在用以形成切割溝槽50形成凹陷，且切割溝槽50形成自凹陷之底面至基板10。
切割溝槽50在基板10上將第一半導體層11分隔成複數個。如圖所示，切割溝槽50於晶圓表面上形成為格子狀。這導致有切割溝槽50圍繞的複數個晶片區域。在此，個別晶片區域之平面形狀可為矩形或方形。藉由與形成切割溝槽50同時形成溝槽40，避免程序數增加。
其次，開口選擇性形成於絕緣膜13中，且如於第5C及7B圖中所示，p側電極15形成於突起21之第二半導體層12上，且n側電極14形成於凹陷22中第一半導體層11之第二主表面11b上。而且，如於第7B圖中所示，n側電極14亦形成於溝槽40內部(側面及底面)。於相同製程中，n側電極14一體形成於凹陷2之第二主表面11b上及溝槽40內部。
其次，如於第1及8A圖中所示，形成覆蓋與n側電極14之絕緣膜16、p側電極15及絕緣膜13。如於第8A圖中所示，絕緣膜16亦埋入溝槽40中n側電極14之內部。在形成絕緣膜16之後，如圖示，藉由使用氫氟酸溶液，到達n側電極14之開口16a及到達p側電極15之開口16b形成於絕緣膜16中。而且，亦移除溝槽40中之絕緣膜16。
其次，未圖示之種子金屬(Cu)形成於絕緣膜16之上表面上，進一步形成開口16a、16b之內壁(側面及底面)、溝槽40中與n側電極14之內表面及未圖示之電鍍阻。接著，使用種子金屬作為電流路徑，進行銅鍍。
因此，如於第1及8B圖中所示，選擇性形成n側互連接17及p側互連接18於絕緣膜16之上表面(第一半導體層11及第二半導體層12之相對面)上。p側互連接18亦形成於 開口16b中，並連接於p側電極15。
n側互連接17亦形成於開口16a中，且連接於n側電極14。而且，n側互連接17亦形成於溝槽40中，且亦連接於溝槽40之n側電極14。n側電極14及n側互連接17埋入溝槽40中達到n側互連接17與第一半導體層11之側面間電阻之減少，該第一半導體層11之側面係溝槽40之側面。
其次，藉由化學品移除用於n側互連接17及p側互連接18之電鍍之電鍍阻。接著，形成另一電鍍阻，供形成金屬柱，且使用上述種子金屬作為電流路徑，進行電解電鍍。因此，如於第1圖中所示，n側金屬柱19形成於n側互連接17上，且p側金屬柱20形成於p側互連接18上。
接著，藉由化學品移除用以形成金屬柱之電鍍阻，而且移除種子金屬之露出部分。這透過種子金屬切斷n側互連接17與p側互連接18之電連接。
其次，如於第1圖中所示，n側互連接17、p側互連接18、n側金屬柱19、p側金屬柱20及絕緣膜16均覆以樹脂26。而且，此時，樹脂26之一部分埋入上述切割溝槽50中。
爾後，研磨樹脂26之表面以露出n側金屬柱19及p側金屬柱20之端面。接著，諸如焊球及金屬隆起之外部端子25設在露出表面上。
其次，移除基板10。如圖所示，藉由雷射剝離程序，自第一半導體層11移除基板10。具體而言，從基板10之背面側朝第一半導體層11施加雷射光，該基板10之背面側係 形成有第一半導體層11之主表面之相對面。雷射光具有基板10可傳輸之波長，且該波長在第一半導體層11之吸收範圍內。
當雷射光到達基板10與第一半導體層11間之介面時，接近介面之第一半導體層11藉由吸收雷射光之能量分解。例如，於第一半導體層11由GaN製成情況下，其分解成Ga及氮氣。該分解在基板10與第一半導體層11間形成小間隙，並分隔基板10與第一半導體層11。在遍及晶圓之預定區域上進行雷射光之照射，以移除基板。
在基板10移除後，如第1圖所示，磷層27形成於第一半導體層11之第一主表面11a上。例如，藉由利用自旋塗覆程序塗覆混合磷粒子之液態樹脂，接著將其熱固，形成磷層27。
在此，如第8B圖所示，由於第一主表面11a上溝槽40之開口封閉，因此，磷層27不貫穿進入溝槽40。而且由於樹脂26埋入切割溝槽50中，因此，磷層27亦不貫穿進入溝槽40。結果，磷層27可形成均厚，且可抑制色澤特徵之變化。
由於係在從上方，自第一主表面11a移除基板10後，形成磷層27，因此，基板10不存在於用來作為光萃取表面之第一主表面11a與用來增加光萃取效率之磷層27間。
接著，藉由沿切割溝槽50切割，獲得去框之半導體發光裝置。由於基板10業已移除，而且，樹脂26埋入切割溝槽50中，可容易進行切割，並可改進生產性。而且，由於 第一半導體層11及第二半導體層12不存在於切割溝槽50中，可避免於切割時損傷到此等半導體層。藉由如第1圖所示，沿充填樹脂26之切割溝槽50切割，去框裝置中第一半導體層11之端面覆以樹脂26。
藉由如第9B圖所示，於切割溝槽50所圍繞之複數個晶片區域之至少一晶片區域周圍切割，進行去框。亦即，可藉由於圍繞複數個晶片區域之切割溝槽50切割，進行去框。
上述切割前之程序各於晶圓狀態下集中進行，這消除各去框裝置之互連接及封裝之需要。亦即，互連接及封裝業已在去框裝置中完成。而且，容易達到個別裝置之平面尺寸接近裸晶(第一半導體層11及第二半導體層12之堆疊本體)之平面尺寸的小型化。
溝槽40及切割溝槽50兩者深達基板10之形成可在形成凹陷22之程序前完成。亦即，如於第5A圖中所示，在第一半導體層11及第二半導體層12依序形成於基板10之後，如第10A圖所示，形成溝槽40及切割溝槽50。溝槽40及切割溝槽50例如同時藉由RIE製程形成，並貫穿第二半導體層12及第一半導體層11至基板10。
接著，如第10B圖所示，選擇性移除溝槽40周圍之第二半導體層12及第一半導體層11之一部分，以形成凹陷22，其中第一半導體層11之第二主表面11b在溝槽40周圍露出。此時，構成突起21、溝槽40及切割溝槽50之部分覆以樹脂且不蝕刻。
在此，基板10雖無法完全移除，卻可如第11圖所示磨薄，並留在第一半導體層11之第一主表面11a上。磷層27設在基板10上，並遍及基板10，與第一主表面11a相對。
藉由薄化及留下基板10，可較基板10完全移除之構造，達到更高機械強度，並因此獲得更可靠構造。而且，剩餘之基板10可在去框後抑制翹曲，並有助於安裝在電路板等上。
於一晶片區域中，突起21可如第12A圖所示，被凹陷22及溝槽40分割。即使p側電極15被分割，p側互連接18及p側金屬柱20仍可設在p側電極15之各分割部上。
第2B圖顯示溝槽41、n側電極14及p側電極15之另一平面佈局例子。此例子中的溝槽41於第4A圖中沿B-B方向延伸。該溝槽41亦自凹陷22之底面(第二主表面11b)延伸至對面側上之第一主表面11a，且n側電極14形成於溝槽41之側面上。在此，可形成複數個沿複數方向延伸之平交溝槽。而且，雖然第4A圖顯示凹陷22及n側電極14之一部分伸入突起21側之佈局，凹陷22之平面佈局卻可如第12B圖所示呈矩形或方形。
業已參考例子說明諸實施例。然而，這些實施例不限於此，可在本發明之精神內，作種種修改。熟於本技藝者可對基板、半導體層、電極、互連接、金屬柱、絕緣層及樹脂之材料、尺寸、形狀、佈局等作種種修改，且此等修改亦涵蓋在本發明之範圍內，只要其不悖離本發明之精神即可。
磷例包含紅磷、黃磷、綠磷及藍磷。
例如，紅磷可包含磷化氮、CaAlSiN3：Eu、SiAlON磷。
較佳係使用以下化合物化學式(1)表示之紅SiAlON磷。
(M1-X RX )a1 AlSib1 Oc1 Nd1 ...(1)
M係除了Si及Al外之至少一金屬。較佳地，M係至少Ca及Sr之任一者。R係發光中心原子。較佳地，R為Eu。
x,a1,b1,c1及d1滿足以下關係。
0<x≦1,0.6<a1<0.95,2<b1<3.9,0.25<c1<0.45,4<d1<5.7
化學式(1)表示之紅SiAlON磷改進波長轉換效率之溫度性質。而且，紅SiAlON磷在大電流密度範圍內大幅改善效率。
例如，黃磷可包含矽化磷及(Sr,Ca,Ba2 SiO4 ：Eu)。
例如，綠磷可包含鹵磷酸磷、(Ba,Ca,Mg)10 (PO4 )6 ‧Cl2 ：Eu及SiAlON磷。
較佳係使用以下化合物化學式(2)表示之綠SiAlON磷。
(M1-X RX )a2 AlSib2 Oc2 Nd2 …(2)
M係除了Si及Al外之至少一金屬。較佳地，M係至少Ca及Sr之任一者。R係發光中心原子。較佳地，R為Eu。
x,a2,b2,c2及d2滿足以下關係。
0<x≦1,0.93<a2<1.3,4.0<b2<5.8.,0.6<c2<1,6<d2<11
化學式(2)表示之綠SiAlON磷改進波長轉換效率之溫度性質。而且，綠SiAlON磷在大電流密度範圍內大幅改善效率。
例如，綠磷可包含氧化磷及BaMgAl10 O17 ：Eu。
雖然業已說明某些實施例，惟此等實施例舉例提供，並不意圖限制發明範圍。實際上，本文所說明新穎方法及系統可以多種其他形式具體化；而且，在不悖離發明之精神下，可在本文所說明方法及系統之形式上作種種省略、替代及改變。後附申請專利範圍以及和其相當者意圖涵蓋發明範疇及精神內之形式或修改。
10‧‧‧基板
11‧‧‧第一半導體層
11a‧‧‧第一主表面
11b‧‧‧第二主表面
12‧‧‧第一半導體層
13‧‧‧絕緣膜
14‧‧‧n側電極
15‧‧‧p側電極
16‧‧‧絕緣膜
16a,16b‧‧‧開口
17‧‧‧n側互連接
18‧‧‧p側互連接
19‧‧‧n側金屬柱
20‧‧‧p側金屬柱
21‧‧‧突起
22‧‧‧凹陷
22a‧‧‧第一凹陷
22b‧‧‧第二凹陷
25‧‧‧外部端子
26‧‧‧樹脂
27‧‧‧磷層
31‧‧‧GaN層
32‧‧‧InGaN層
33‧‧‧發光層
34‧‧‧p型GaN層
35‧‧‧p型AlGaN層
36‧‧‧p型GaN層
40,41‧‧‧溝槽
50‧‧‧切割溝槽
第1圖係對應第4A圖之A-A截面之實施例之半導體發光裝置之示意剖視圖；第2圖係第1圖所示半導體層之發光層附近之放大剖視圖； 第3圖係本實施例之半導體發光裝置之相關部分之示意立體圖；第4A及4B圖係本實施例之半導體發光裝置之相關部分之示意俯視圖；第5A至5C圖顯示本實施例之半導體發光裝置之製造方法，且係對應第4A圖之A-A截面之示意剖視圖；第6A至8B圖顯示本實施例之半導體發光裝置之製造方法，且係對應第4A圖之B-B截面之示意剖視圖；第9A及9B圖係顯示本實施例之半導體發光裝置製造方法之示意俯視圖；第10A及10B圖係顯示本實施例之另一半導體發光裝置製造方法之示意俯視圖；第11圖係顯示一具體例之示意剖視圖，該具體例具有相對於第1圖之構造之基板；以及第12A及12B圖係本實施例之半導體發光裝置之另一具體例之相關部分之示意立體圖。
11‧‧‧第一半導體層
11a‧‧‧第一主表面
11b‧‧‧第二主表面
12‧‧‧第一半導體層
14‧‧‧n側電極
15‧‧‧p側電極
21‧‧‧突起
22‧‧‧凹陷
22a‧‧‧第一凹陷
22b‧‧‧第二凹陷
40‧‧‧溝槽

Claims (25)

  1. 一種半導體發光裝置，包括：半導體層，具有：第一主表面；第二主表面，設在該第一主表面之相對側；包含發光層之突起、及凹陷，設在該第二主表面上；以及溝槽，自該凹陷之底面延伸至該第一主表面；第一電極，設在該半導體層之該凹陷之該底面及該溝槽之側面上；第二電極，設在該半導體層的該突起之表面上；第一互連接，設在該第一電極之表面上；以及第二互連接，設在該第二電極之表面上；其中，該溝槽沿直線延伸。
  2. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該第一電極亦設在該溝槽之底部。
  3. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該第一互連接埋入該溝槽中該第一電極之內部。
  4. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該突起沿寬度方向設在該溝槽之兩側上。
  5. 如申請專利範圍第1項之裝置，更包括：絕緣膜，設在該第一電極附近之該突起之側面上。
  6. 如申請專利範圍第1項之裝置，更包括：第一金屬柱，設在該第一電極相對側的該第一互連接的表面上；以及第二金屬柱，設在該第二電極相對側的該第二互連接 的表面上。
  7. 如申請專利範圍第6項之裝置，更包括：樹脂，覆蓋該第一金屬柱及該第二金屬柱之每一者之周邊。
  8. 如申請專利範圍第1項之裝置，更包括：磷層，與該半導體層的該第一主表面相對。
  9. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該半導體層形成於基板上且自該基板移除。
  10. 如申請專利範圍第9項之裝置，其中，該半導體層在該基板上成長成為晶體且自該基板移除用於晶體成長。
  11. 如申請專利範圍第8項之裝置，其中，該磷層設於該半導體層的該第一主表面側上，且沒有基板設於該第一主表面與該磷層之間。
  12. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該第一電極接觸該溝槽之側面。
  13. 如申請專利範圍第1項之裝置，其中，該半導體層已經形成於基板上。
  14. 一種製造半導體發光裝置之方法，包括：依序地形成第一半導體層及包含發光層之第二半導體層於基板上；形成具有該第一半導體層與該第二半導體層之堆疊構造之突起，以及藉由選擇性移除該第二半導體層及該第一半導體層之一部分，在該基板相對側之該第一半導體層之 表面上與曝露於凹陷之第一半導體層形成該凹陷；形成自該凹陷之底面延伸至該基板之溝槽；形成第一電極於該凹陷之底面及該溝槽之側面上；形成第二電極於該第一半導體層相對側的該突起之該第二半導體層之表面上；形成第一互連接於該第一半導體層相對側的該第一電極之表面上；以及形成第二互連接於該第二半導體層相對側的該第二電極之表面上；其中，該溝槽沿直線延伸。
  15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，該第一互連接埋入該溝槽中該第一電極之內部。
  16. 如申請專利範圍第14項之方法，更包括：於基板上形成切割溝槽，其將該第一半導體層分隔成複數個；該溝槽與該切割溝槽同時形成。
  17. 如申請專利範圍第14項之方法，更包括：形成第一金屬柱於該第一電極相對側的該第一互連接的表面上；形成第二金屬柱於該第二電極相對側的該第二互連接的表面上；以及形成樹脂，該樹脂覆蓋該第一金屬柱及該第二金屬柱之每一者之周邊。
  18. 如申請專利範圍第17項之方法，更包括： 於形成該第一金屬柱、該第二金屬柱及該樹脂後，移除該基板。
  19. 如申請專利範圍第17項之方法，更包括：於基板上形成切割溝槽，其將該第一半導體層分隔成複數個；當該樹脂形成時，該樹脂之一部分埋入該切割溝槽內。
  20. 一種製造半導體發光裝置之方法，包括：依序形成第一半導體層及包含發光層之第二半導體層於基板上；形成貫穿該第二半導體層及該第一半導體層並到達該基板之溝槽；形成具有該第一半導體層與該第二半導體層之堆疊構造之突起，以及藉由選擇性移除該溝槽附近該第二半導體層及該第一半導體層之一部分，在該基板相對側之該第一半導體層之表面上與曝露於溝槽附近之凹陷的第一半導體層形成該凹陷；形成第一電極於該凹陷之底面及該溝槽之側面上；形成第二電極於該第一半導體層相對側的該突起之該第二半導體層之表面上；形成第一互連接於該第一半導體層相對側的該第一電極之表面上；以及形成第二互連接於該第二半導體層相對側的該第二電極之表面上； 其中，該溝槽沿直線延伸。
  21. 如申請專利範圍第20項之方法，其中，該第一互連接埋入該溝槽中該第一電極之內部。
  22. 如申請專利範圍第20項之方法，更包括：於基板上形成切割溝槽，其將該第一半導體層分隔成複數個；該溝槽與該切割溝槽同時形成。
  23. 如申請專利範圍第20項之方法，更包括：形成第一金屬柱於該第一電極相對側的該第一互連接的表面上；形成第二金屬柱於該第二電極相對側的該第二互連接的表面上；以及形成樹脂，該樹脂覆蓋該第一金屬柱及該第二金屬柱之每一者之周邊。
  24. 如申請專利範圍第23項之方法，更包括：於形成該第一金屬柱、該第二金屬柱及該樹脂後，移除該基板。
  25. 如申請專利範圍第23項之方法，更包括：於基板上形成切割溝槽，其將該第一半導體層分隔成複數個；當該樹脂形成時，該樹脂之一部分埋入該切割溝槽內。
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