TWI425668B - 半導體發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Description

半導體發光裝置及其製造方法 [相關申請案的交互參照]
本申請案係根據並主張西元2010年3月9日提出申請之日本專利申請案第2010-051413號的優先權；其全部的內容均係引用於本文內，以供參考。
本發明係關於半導體發光裝置及其製造方法。
已知有一種供覆晶封裝用的氮化物半導體發光元件，其結構的p側電極包含有一反射電極層，係例如說由銀(Ag)所製成。在此種結構中，該反射電極層劣化時會對產品的壽命造成影響。
 【發明內容及實施方式】
根據一實施例，一半導體發光裝置包含一半導體層、一第一電極、一第二電極、一絕緣膜、一第一互連部、一第二互連部、一障壁金屬層、一第一金屬柱、一第二金屬柱、以及一樹脂。該半導體層具有一第一主要表面、一形成於與該第一主要表面相對之一側的第二主要表面、以及一發光層。該第一電極係設置於該半導體層的該第二主要表面上。該第二電極係設置於該半導體層的該第二主要表面上，並包含有一銀層。該絕緣膜係設置於該半導體層的該第二主要表面側，並包含有一第一開孔及一第二開孔。該第一互連部係設置於該絕緣膜上與該半導體層相對之一側的表面的一部份上，並設置於該第一開孔內而連接至該第一電極。該第二互連部係設置於該絕緣膜上與該半導體層相對之一側的表面的另一部份上，並設置於該第二開孔內而連接至該第二電極。該障壁金屬層係設置於該第二電極與該絕緣膜之間及該第二電極與該第二互連部之間，以覆蓋住該第二電極。該障壁金屬層係由一金屬材料製成。該該第二電極、該第一互連部、以及該第二互連部則由另一金屬材料製成。該第一金屬柱係設置於該第一互連部上與該第一電極相對之一側的表面上。該第二金屬柱係設置於該第二互連部上與該第二電極相對之一側的表面上。該樹脂覆蓋住該第一金屬柱的周邊及該第二金屬柱的周邊。現在將配合圖式來說明實施例。
第1圖是此實施例之一半導體發光裝置的示意剖面圖。
此實施例的半導體發光裝置包含一具有一發光層的半導體層9、一具有一互連層的封裝結構部、以及一磷層27，其等係共同形成於一晶圓狀態。半導體層9包含一第一半導體層11及一第二半導體層12。第一半導體層11係例示為一n型GaN層，用以做為一側向電流路徑。但是，第一半導體層11的導電型式並不限於n型，也可以是p型。
第一半導體層11的第一主要表面(上方表面)13係做為一光汲取面，光線主要是自此第一主要表面13汲取至外側。第二半導體層12是設置在第一半導體層11上位於與第一主要表面13相對之一側上的第二主要表面(下方表面)上。
第二半導體層12具有由複數個包含一發光層(活性層)的半導體層所構成的堆疊結構。第2圖顯示出此結構之一範例。
一n型GaN層31設置於第一半導體層11的第二主要表面。一n型InGaN層32設置於該GaN層31上。一發光層33設置於該InGaN層32上。發光層33係例示為具有一包含有InGaN的多重量子井結構。一p型GaN層34設置於發光層33上。一p型AlGaN層35設置於GaN層34上。一p型GaN層36設置於AlGaN層35上。
第一半導體層11的第二主要表面側有一部份具有一突出部，而第二半導體層12即是設置於該突出部的表面上。第二半導體層12在平面大小上是小於第一半導體層11。一n側電極14設置於第一半導體層11第二主要表面沒有設置第二半導體層12的部位上，做為一第一電極。
一p側電極15設置於第二半導體層12中與接觸著第一半導體層11之表面相對的表面上，做為一第二電極。如第2圖中所示，p側電極15包含一設置於GaN層36上的接點層37、以及一設置於接點層37上的銀(Ag)層38。此接點層37係例示為一鎳(Ni)層，其可與GaN層36形成良好的歐姆接點。
第一半導體層11的第二主要表面係以一絕緣膜17加以覆蓋，例如氧化矽膜。n側電極14及p側電極15係自絕緣膜17暴露出。n側電極14及p側電極15係由絕緣膜17加以絕緣隔開，用以做為電性互相獨立的電極。再者，絕緣膜17亦覆蓋住第一半導體層11之突出部的側向表面及形成在該突出部上之第二半導體層12的側向表面(或末端部位)。
一由與p側電極15不同之金屬材料製成的障壁金屬層16，設置於p側電極15上與第二半導體層12相對之一側的表面上。一絕緣膜18覆蓋著絕緣膜17及障壁金屬層16。障壁金屬層16是設置於p側電極15與絕緣膜18之間及位於p側電極15與一將稍後再加以說明的p側互連部22之間。
第3A圖顯示出p側電極15及障壁金屬層16的一範例性平面配置。障壁金屬層16的平面大小是大於p側電極15的平面大小，且障壁金屬層16覆蓋住p側電極15上與第二半導體層12相對之一側的整個表面。
回到第1圖，絕緣膜18是設置於第一半導體層11的第二主要表面側，以覆蓋住絕緣膜17、n側電極14、p側電極15、以及障壁金屬層16。絕緣膜18例示性地係由氧化矽膜或樹脂所製成。
絕緣膜18上位於與第一半導體層11及第二半導體層12相對之一側上的表面18c係被加以平坦化，而在該表面18c上設有一做為第一互連部的n側互連部21及一做為第二互連部的p側互連部22。
n側互連部21亦位在於形成於絕緣膜18上的開孔18a內並到達至n側電極14，且係電連接至n側電極14。p側互連部22亦位在形成於絕緣膜18上的開孔18b內並到達至障壁金屬層16，且係電連接至障壁金屬層16上。p側互連部22係經由障壁金屬層16而電連接至p側電極15。
例如說，n側互連部21及p側互連部22係由一電鍍程序加以同時形成的，在該程序中係將一種金屬形成於絕緣膜18的表面上，包括開孔18a、18b的內側壁面上，用以做為一電流路徑。
n側電極14、p側電極15、n側互連部21、以及p側互連部22全部都設置於第一半導體層11上與第一主要表面13相對之一側(第二主要表面側)上，並構成一互連層，用以供應電流至該發光層。
一n側金屬柱23設置於n側互連部21上與n側電極14相對之一側的表面上，做為一第一金屬柱。一p側金屬柱24設置於p側互連部22上p側電極15及障壁金屬層16相對一側的表面上，做為一第二金屬柱。n側金屬柱23的周邊、p側金屬柱24的周邊、n側互連部21、以及p側互連部22係由樹脂20加以覆蓋住。
第一半導體層11係經由n側電極14及n側互連部21電連接至n側金屬柱23。第二半導體層12係經由p側電極15、障壁金屬層16、以及p側互連部22電連接至p側金屬柱24。外部端點25，例如錫球及金屬突塊，係設置於n側金屬柱23及p側金屬柱24自樹脂20暴露出的下方末端表面上。此半導體發光裝置可經由該等外部端點25而電連接至外部電路上。
n側金屬柱23的厚度(第1圖中的垂直厚度)係大於包含半導體層9、n側電極14、p側電極15、障壁金屬層16、絕緣膜17、18、n側互連部21、以及p側互連部22在內之堆疊體的厚度。同樣的，p側金屬柱24的厚度係大於前述之堆疊體的厚度。在此條件滿足下，每一金屬柱23、24的厚度對平面尺寸的比值並不限於一或大於一，該比值也可以小於一。也就是說，n側金屬柱23的厚度可以小於其平面尺寸。
在此實施例的結構中，即使第一半導體層11及第二半導體層12的堆疊體係較薄，亦可透過加厚n側金屬柱23、p側金屬柱24、以及如前所述般覆蓋住其周邊的樹脂20來保持其機械強度。再者，n側金屬柱23及p側金屬柱24可以吸收及緩和在此裝置裝設至一電路板或類似者上時經由外部端點25施加至半導體層上的應力。最好，用來強化n側金屬柱23及p側金屬柱24的樹脂20所具有的熱膨脹係數是等於或接近於該電路板及類似者。樹脂20的例子包括環氧樹脂、矽氧樹脂、以及氟樹脂。
n側互連部21、p側互連部22、n側金屬柱23、以及p側金屬柱24可以由例如銅、金、鎳、銀之材料所製成。其中最好是使用銅，其具有良好的導熱性、高遷移阻抗性、以及與絕緣膜良好的接觸性。
磷層27是設置於第一半導體層11的第一主要表面13上。磷層27在第一主要表面13的平面方向上具有大致上均勻的厚度。磷層27可以吸收來自發光層的光線，並發射出波長轉換過之光線。因此，其可以發射出由來自發光層的光線及磷層27的波長轉換過光線的混合光。例如說，就氮化物基發光層而言，可以由來自發光層的藍光及例如說來自黃光磷層27之波長轉換過光線的黃光的混合光而得到白光、燈光、以及類似者。
由發光層發射出的光線主要會穿過第一半導體層11、第一主要表面13、磷層27，而發射至外界。由發光層發射出的光線亦會導引至與第一主要表面13相對的一側。
在此，在此實施例中，如前面配合第2圖所說明的，p側電極15包含一銀(Ag)層38。此銀(Ag)層38係做為一反射層，用以將被導引至與第一主要表面13相對之一側上的光線加以反射，將其導至第一主要表面13這一側。
銀(Ag)對於可見光範圍內的波長具有高反射率、對於600 nm或更長的光的反射率是98%、對於約500-600 nm的光的反射率是98%、而對於約450-500 nm的光的反射率是97%。
雖然很少會在空氣中氧化，但銀(Ag)與硫化氫反應而在表面上形成硫化物薄膜，並易可能會硫化成棕色及黑色。硫(S)很少會擴散進入GaN層，因此硫(S)自第一半導體層11及第二半導體層12這一側滲入的量幾乎可以略去。但是，樹脂無法阻擋硫(S)的滲入。硫(S)會自空氣中滲入至樹脂20內，並到達且硫化銀(Ag)層38。銀(Ag)層38硫化會減低反射率，造成產品壽命的縮短。
在此實施例中，為能防阻銀(Ag)層38因硫(S)而產生硫化反應，p側電極15在樹脂20這一側的表面(位在與第二半導體層12相對之一側上的表面)上要覆蓋以障壁金屬層16。障壁金屬層16可以阻擋經由樹脂20側滲入之硫(S)到達銀(Ag)層38。為達成此，障壁金屬層16例示性地由鈦(Ti)、鉭(Ta)、釕(Ru)、鋁(Al)，或任合包含他們之中至少一者的合金所製成。
此障壁金屬層16可以防止銀(Ag)層38的硫化。因此之故，可以抑阻銀(Ag)層38反射率的降，而能達到高效率光發射特性。再者，銀(Ag)層38劣化的抑阻作用可造成更長的產品壽命。
n側互連部21及p側互連部22例示性係為由電鍍所形成的銅(Cu)互連部。在此，電鍍液含有硫(S)。銀(Ag)層38因此硫(S)而造成的硫化也可以由障壁金屬層16加以防阻。
再者，障壁金屬層16是由與n側互連部21及p側互連部22不同的金屬材料所製成的。障壁金屬層16可以阻擋製做n側互連部21及p側互連部22的銅(Cu)擴散進入p側電極15。這可保護p側電極15免於受到銅(Cu)的污染。
再者，若障壁金屬層16是由自鈦(Ti)、鉭(Ta)、釕(Ru)中選出的至少一種金屬所製成，則其與由銅(Cu)所製成之p側互連部22間的接觸性將可增強，可改善產品的可靠性。
銀(Ag)不容易與GaN形成歐姆接點。因此，在此實施例中，如第2圖中所示，例如說，一鎳(Ni)層可與第二半導體層12之GaN層36內所含有的鎵(Ga)形成一合金，做為GaN層36與銀(Ag)層38間的一接點層37。這可減少p側電極15與第二半導體層12間的接點阻抗。
接下來將配合第4A圖至第11B圖來說明一種用以製造此實施例之半導體發光裝置的方法。
首先，如第4A圖中所示，將一第一半導體層11形成於一基體10之主要表面上。第一半導體層11位於基體10這一側的表面即是第一主要表面13。將一第二半導體層12形成於第一半導體層11上與第一主要表面13相對之一側的第二主要表面上。例如說，在發光層是由氮化物半導體所製成的情形中，第一半導體層11及第二半導體層12的堆疊體可以成長於藍寶石基體上的晶體。
接著，例如說，利用一使用未顯示出之遮罩的RIE(反應式離子蝕刻)程序來選擇性地移除第一半導體層11及第二半導體層12。如第4B圖所示，第一半導體層11位在第二主要表面側的一部份會被加工成一突出之形狀，而第二半導體層12則選擇性地保留於該突出部的表面上。
基體10及第一半導體層11係處於晶圓狀態，而複數個互相分隔開的第二半導體層12則係如同島嶼般選擇性地形成於第一半導體層11上，如第3B圖中所示。
接著，如第4B圖中所示，將第一半導體層11的第二主要表面及第二半導體層12的全部表面均以一絕緣膜17加以覆蓋住。
接著，如第5A圖中所示，將一抗蝕劑膜41形成於絕緣膜17上，並在抗蝕劑膜41上選擇性地形成一開孔41a。如此，暴露於開孔41a底部的絕緣膜17可例示性地由濕式蝕刻加以移除。因此，第一半導體層11會暴露於開孔41a的底部。
接著，如第5B圖中所示，將一n側電極14形成於第一半導體層11中暴露於開孔41a底部的第二主要表面上。n側電極14具有一種例如利用蒸鍍程序自第一半導體層11依序地形成鈦(Ti)膜、鋁(Al)膜、鎳(Ni)膜及金(Au)膜。
接著，以剝離程序將抗蝕劑膜41及形成於抗蝕劑膜41上方表面上而與n側電極14相同之金屬材料加以移除(第6A圖)，且接著進行一退火程序。藉由此退火程序，n側電極14中與第一半導體層11接觸的膜(例如鈦膜)會與包含於第一半導體層11內的鎵形成合金，而n側電極14即與第一半導體層11間形成歐姆接點。
接著，如第6B圖中所示，將一抗蝕劑膜42形成於絕緣膜17及n側電極14上，並且在抗蝕劑膜42上選擇性地形成一開孔42a。如此可以例示性地利用濕式蝕刻來將暴露於開孔42a底部的絕緣膜17加以移除。因此，第二半導體層12會暴露於開孔42a的底部。
接著，如第7A圖中所示，將一p側電極15形成於第二半導體層12中暴露於開孔42a底部的表面上。p側電極15具有一種例如說利用蒸鍍程序自第二半導體層12側依序形成的一接點層37及一銀(Ag)層38所構成的結構，如第2圖中所示。
接著，以剝離程序將抗蝕劑膜42及形成於抗蝕劑膜42上方表面上而與p側電極15相同之金屬材料加以移除(第7B圖)，且接著進行一退火程序。藉由此退火程序，諸如鎳(Ni)層之類的接點層37會與包含於第二半導體層12之p型GaN層36內的鎵(Ga)形成合金，而p側電極15即與第二半導體層12間形成歐姆接點。
接著，如第8A圖中所示，將一抗蝕劑膜43形成於絕緣膜17、n側電極14、以及p側電極15上，並在選擇性地將抗蝕劑膜43在p側電極15處形成一開孔43a。開孔43a的平面尺寸是大於用以形成p側電極15的開孔42a的平面尺寸，而p側電極15的整個表面均將暴露於開孔43a的底部。
接著，如第8B圖中所示，將一障壁金屬層16例示性地由蒸鍍程序加以形成於p側電極15中暴露於開孔43a底部的表面上。障壁金屬層16係完全地覆蓋住p側電極15暴露出的表面。
接著，以剝離程序將抗蝕劑膜43及形成於抗蝕劑膜43上方表面上而與障壁金屬層相同之金屬材料加以移除，這會得到第9A圖中的架構。
接著，如第9B圖中所示，形成一絕緣膜18來覆蓋住n側電極14、p側電極15、障壁金屬層16、以及絕緣膜17，而後再將絕緣膜18的上方表面18c加以平坦化。其後，在絕緣膜18上形成一通達n側電極14的開孔18a及一通達障壁金屬層16的開孔18b。
接著，將一未顯示出的種金屬(Cu)形成於絕緣膜18的上方表面18c及開孔18a、18b的內壁上，並且進一步形成一未顯示出的電鍍抗蝕劑。接著，利用該種金屬做為一電流路徑來進行Cu電鍍。
如此，如第10A圖中所示，即可在絕緣膜18的上方表面(位在與第一半導體層11及第二半導體層12相對之一側的表面)18c上選擇性地形成一n側互連部21及一p側互連部22。n側互連部21亦形成於開孔18a內並連接至n側電極14。p側互連部22亦形成於開孔18b內並連接至障壁金屬層16。
接著，以化學藥劑將n側互連部21及p側互連部22進行電鍍所用的電鍍抗蝕劑加以移除。接著，形成另一電鍍抗蝕劑，用以形成金屬柱，並利用前述的種金屬、n側互連部21、以及p側互連部22做為電流路徑進行電解電鍍。如此，如第10B圖中所示，可在n側互連部21上形成一n側金屬柱23，並在p側互連部22上形成一p側金屬柱24。
接下來，以化學藥劑將形成金屬柱用的電鍍抗蝕劑加以移除，另外並將該種金屬暴露出的部份加以移除。這會打破n側互連部21及p側互連部22透過該種金屬所形成的電性連接。
接著，如第11A圖中所示，以樹脂20覆蓋住n側互連部21、p側互連部22、n側金屬柱23、p側金屬柱24、以及絕緣層18。其後將樹脂20的表面加以研磨，以暴露出n側金屬柱23及p側金屬柱24的上方表面。接下來將諸如錫球及金屬突塊之類的外部端點25設置於該暴露出的表面上。
接著，如第11B圖中所示，將基體10加以移除。在此，第11B圖係顯示成將位置關相對於第11A圖上下顛倒。
基體10是例示性地以雷射剝離法加以自第一半導體層11上移除。具體地說，將雷射光自基體10的背面側，即是與形成第一半導體層11之表面相對的表面，朝向第一半導體層11照射。該雷射光所具有的波長對於基體10而言是具有穿透性，且係位在第一半導體堆層11的吸收範圍內。
當雷射光到達基體10與第一半導體層11之間的界面處時，該第一半導體層11鄰近於該界面處會因吸收該雷射光的能量而分解。例如說，在該第一半導體層11是由GaN製成的情形中，其會分解成Ga及氮氣。此一分解反應會在基體10與第一半導體層11之間形成小間隙，將基體10自第一半導體層11上分離開。雷射光的照射是在晶圓上的預定區域內施行多次，以移除基體10。
在基體10移除後，如第1圖中所示，將一磷層27形成於第一半導體層11的第一主要表面13上。例如說，可藉由利用旋塗程序施用混合著磷顆粒的液態樹脂，而後加以加熱固化，來形成該磷層27。
由於磷層27是在基體10自第一主要表面13上加以移除後才形成的，基體10並不會存在於第一主要表面13及磷層27之間，這可增進光汲取效率。
接下來透過切割作業即可得到一分割好的半導體發光裝置。由於基體10係已經被移除掉的，因此切割作業可以輕易地進行，可以改善生產效率。分割作業是沿著一個包含有至少一第二半導體層12的區域加以切割而實施的。例如說，如第3B圖中單點虛線所示，切割作業是以一第二半導體層12做為一單元的方式來加以進行的。另一種方式是，如雙點虛線所示，切割作業是以多個第二半導體層12做為一單元的方式來加以進行的。
前面所述的程序，一直到切割前，均是共同在晶圓狀態下進行的，這可免除針對每一分割好的裝置來做互連及封裝的需要，可以大幅度地縮減製造成本。也就是說，互連及封裝在分割好的裝置中是已經完成的。再者，其可以輕易地縮減尺寸，其中各裝置的平面尺寸是接近於夥晶片(第一半導體層11及第二半導體層12的堆疊體)的平面尺寸。
在此，基體10並不一定要完全加以移除，而是可以研磨削薄而保留於第一半導體層11的第一主要表面13上，如第12圖中所示。藉由將基體10削薄及保留下來，其可以得到較基體10完全移除之結構更高的機械強度，因之而可得到較可靠的結構。再者，保留下來的基體10可以抑阻分割後的翹曲情形，有助於裝設至電路板及類似者上。
由於並未面對著發光層，因此n側電極14可以不包含有一層做為反射金屬層的銀(Ag)層。n側電極14內不使用銀(Ag)可以減低本。另一種方式是將n側電極14及p側電極15以相同的材料來加以同時形成，加工的次數可以減少，而可得達成成本減低。在此種情形下，n側電極14也會包含有一銀(Ag)層。因此，為抑阻其硫化，最好在n側電極14上亦覆蓋以障壁金屬層16。
具體地說，如第13圖中所示，障壁金屬層16覆蓋著n側電極14位在與第一半導體層11相對之一側上的表面。n側互連部21經由障壁金屬層16而電性連接n側電極14。覆蓋p側電極15的障壁金屬層16及覆蓋n側電極14的障壁金屬層16是由相同的材料在同一時間內形成的。但是，覆蓋p側電極15的障壁金屬層16是與覆蓋n側電極14的障壁金屬層16分離開而無電性連接。
在前述的實施例中，p側電極15是在n側電極14形成後才加以形成的。但是，也可以先形成p側電極15，而後再形成n側電極14。
前述的實施例係配合於範例來加以說明。但是，這些實施例並不僅限於此，在本發明的精神內仍可多樣地變化。該等基體、半導體層、電極，互連部、金屬柱、絕緣膜、以及樹脂的材料、尺寸、形狀、配置、以及類似者，均可為熟知此技藝者來加以做多種的變化，而此等變化只要是不脫離本發明的精神，均是包含於本發明的範疇內。
雖然前文中針對某些實施例來加以說明，但是這些實施例均僅是舉例說明而已，並非是用以限制本發明的範疇。事實上，本文中所描述的新穎方法及系統是可以多種其他的形成來加以實施的；再者，在不脫離本發明精神的情形下，本文中所描述的方法及系統仍可有多種可能的省略、替換、以及形式變化。下文所附的申請專利範圍及他們的等效者，係意欲涵蓋該等屬於本發明範疇及精神內的形式及變化。
9．．．半導體層
10．．．基體
11．．．第一半導體層
12．．．第二半導體層
13．．．第一主要表面
14．．．n側電極
15．．．p側電極
16．．．障壁金屬層
17．．．絕緣膜
18．．．絕緣膜
18a．．．開孔
18b．．．開孔
18c．．．上方表面
20．．．樹脂
21．．．n側互連部
22．．．p側互連部
23．．．n側金屬柱
24．．．p側金屬柱
25．．．外部端點
27．．．磷層
31．．．n型GaN層
32．．．n型InGaN層
33．．．發光層
34．．．p型GaN層
35．．．p型AlGaN層
36．．．p型GaN層
37．．．接點層
38．．．銀層
41．．．抗蝕劑膜
41a．．．開孔
42．．．抗蝕劑膜
42a．．．開孔
43．．．抗蝕劑膜
43a．．．開孔
第1圖一實施例之半導體發光裝置的示意剖面圖。
第2圖是第1圖中靠近發光層處的示意放大剖面圖。
第3A圖顯示出p側電極及障壁金屬層的平面配置之例子，而第3B圖則顯示出第二半導體層在晶圓狀態下的平面配置的例子。
第4A圖至第11B圖是示意剖面圖，顯示出一種製造本實施例之半導體發光裝置的方法。
第12圖是另一實施例的半導體發光裝置的示意剖面圖。
第13圖是再另一實施例的半導體發光裝置的示意剖面圖。
9．．．半導體層
11．．．第一半導體層
12．．．第二半導體層
13．．．第一主要表面
14．．．n側電極
15．．．p側電極
16．．．障壁金屬層
17．．．絕緣膜
18．．．絕緣膜
18a．．．開孔
18b．．．開孔
18c．．．上方表面
20．．．樹脂
21．．．n側互連部
22．．．p側互連部
23．．．n側金屬柱
24．．．p側金屬柱
25．．．外部端點
27．．．磷層

Claims (41)

  1. 一種半導體發光裝置，包含：一半導體層，具有一第一主要表面、一形成於與該第一主要表面相對之一側的第二主要表面、以及一發光層；一第一電極，設置於該半導體層的該第二主要表面上；一第二電極，設置於該半導體層的該第二主要表面上，並包含有一銀層；一絕緣膜，設置於該半導體層的該第二主要表面側，並包含有一第一開孔及一第二開孔；一第一互連部，設置於該絕緣膜上與該半導體層相對之一側的表面的一部份上，並設置於該第一開孔內而連接至該第一電極；一第二互連部，設置於該絕緣膜上與該半導體層相對之一側的表面的另一部份上，並設置於該第二開孔內而連接至該第二電極；一障壁金屬層，設置於該第二電極與該絕緣膜之間及該第二電極與該第二互連部之間，以覆蓋住該第二電極，且係由一金屬材料製成，該第二電極、該第一互連部、以及該第二互連部則係由另一金屬材料製成；一第一金屬柱，設置於該第一互連部上與該第一電極相對之一側的表面上；一第二金屬柱，設置於該第二互連部上與該第二電極相對之一側的表面上；以及 一樹脂，覆蓋住該第一金屬柱的周邊及該第二金屬柱的周邊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該第二互連部經由該障壁金屬層連接至該第二電極。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該障壁金屬層包含至少一種選自鈦、鉭、以及釕的金屬。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中：該障壁金屬層在平面尺寸是大於該第二電極，以及該障壁金屬層覆蓋住該第二電極上與該半導體層相對之一側的整個表面。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中用以形成該第一互連部、該第二互連部、該第一金屬柱、以及該第二金屬柱的金屬材料是相同的。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中：該半導體層包含一氮化鎵層，以及該第二電極包含一接點層，設置於該氮化鎵層與該銀層之間，並與該氮化鎵層內所含的鎵形成一合金。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該障壁金屬層亦覆蓋住該第一電極上與該半導體層相對一側的表面，且該第一互連部係經由該障壁金屬層連接至該第一電極。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，其中該第一金屬柱及該第二金屬柱每一者的厚度係大於一包含有該半導體層、該第一電極、該第二電極、該障壁金屬層、該絕緣膜、該第一互連部、以及該第二互連部在內之堆疊體的厚度。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之半導體發光裝置，進一步包含：一磷層，面對於該半導體層的該第一主要表面。
  10. 一半導體發光裝置，包含：一半導體層，具有一第一主要表面、一形成於與該第一主要表面相對之一側的第二主要表面、以及一發光層；一第一電極，設置於該半導體層的該第二主要表面上；一第二電極，設置於該半導體層的該第二主要表面上，並包含有一銀層；一絕緣膜，設置於該半導體層的該第二主要表面側，並包含有一第一開孔及一第二開孔；一第一互連部，設置於該絕緣膜上與該半導體層相對之一側的表面的一部份上，並設置於該第一開孔內而連接至該第一電極；一第二互連部，設置於該絕緣膜上與該半導體層相對之一側的表面的另一部份上，並設置於該第二開孔內而連接至該第二電極；以及一障壁金屬層，設置於該第二電極與該絕緣膜之間及 該第二電極與該第二互連部之間，以覆蓋住該第二電極，並包含至少一種選自鈦、鉭、以及釕的金屬。
  11. 一種製造一半導體發光裝置的方法，包含有下列步驟：形成一半導體層，該半導體層具有一第一主要表面、一形成於與該第一主要表面相對之一側的第二主要表面、以及一發光層；形成一第一電極於該半導體層的該第二主要表面上；形成一包含有一銀層的第二電極於該半導體層的該第二主要表面；形成一障壁金屬層於該第二電極上相對於該半導體層之一側的表面上；形成一絕緣膜於該半導體層的該第二主要表面側上，該絕緣膜覆蓋住該第一電極、該第二電極、以及該障壁金屬層；於該絕緣膜上形成一第一開孔，通達該第一電極；於該絕緣膜上形成一第二開孔，通達該障壁金屬層；形成一第一互連部於該絕緣膜上與該半導體層相對之一側的表面的一部份上，該第一互連部經由該第一開孔連接至該第一電極；形成一第二互連部於該絕緣膜上與該半導體層相對之一側的該表面的另一部份上，該第二互連部經由該第二開孔連接至該障壁金屬層；形成一第一金屬柱於該第一互連部上與該第一電極相 對之一側的表面上；形成一第二金屬柱於該第二互連部上與該第二電極相對之一側的表面上；以及形成一樹脂來覆蓋住該第一金屬柱的周邊及該第二金屬柱的周邊。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之製造一半導體發光裝置的方法，其中該障壁金屬層包含至少一種選自鈦、鉭、以及釕的金屬。
  13. 如申請專利範圍第11項所述之製造一半導體發光裝置的方法，進一步包含下列步驟：進行退火，以使一接點層與一氮化鎵層內所含的鎵形成合金，該半導體層包含該氮化鎵層，而該第二電極包含設置於該氮化鎵層與該銀層之間的該接點層。
  14. 如申請專利範圍第11項所述之製造一半導體發光裝置的方法，其中該第一互連部及該第二互連部係以電鍍法同時形成的。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之製造一半導體發光裝置的方法，其中該第一金屬柱及該第二金屬柱係透過利用該第一互連部及該第二互連部做為一種子層而同時以電鍍法加以形成的。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之製造一半導體發光裝置的方法，其中：該半導體層的形成包含下列步驟： 形成一第一半導體層於一基體上；以及形成一第二半導體層於該第一半導體層上相對於該基體之一側的表面，以及該第一電極係形成於該第一半導體層上，而該第二電極是形成於該第二半導體層上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之製造一半導體發光裝置的方法，進一步包含有下列步驟：藉由沿著一包含有多個第二半導體層中至少一者的區域加以切割，以進行分割作業；該等多個第二半導體層係選擇性地形成於該第一半導體層上。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之製造一半導體發光裝置的方法，進一步包含有下列步驟：在形成該第一金屬柱、該第二金屬柱、以及該樹脂後，將該基體自該第一半導體層上分離開並移除掉。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之製造一半導體發光裝置的方法，進一步包含有下列步驟：在移除該基體後，形成一磷層於該第一半導體層上與該第二半導體層相對之一側的表面上。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之製造一半導體發光裝置的方法，進一步包含有下列步驟：在形成該磷層後，藉由沿著一包含有多個第二半導體層中至少一者的區域加以切割，以進行分割作業，該等多個第二半導體層係選擇性地形成於該第一半導 體層上。
  21. 一種半導體發光裝置，包含：一半導體層，具有一第一主要表面、一與該第一主要表面相對之第二主要表面、以及一發光層，該半導體層在該第一主要表面側上不包含基體；一第一電極，設置於該半導體層的該第二主要表面上；一第二電極，設置於該半導體層的該第二主要表面上，並包含有一銀層；一第一互連部，連接至該第一電極；一第二互連部，連接至該第二電極；一障壁金屬層，設置於該第二電極上與該第二主要表面相對之一側的表面上，該障壁金屬層係由一金屬材料製成，該金屬材料不同於該第二電極、該第一互連部及該第二互連部之材料；一第一金屬柱，設置於該第一互連部上與該第一電極相對之一側的表面上；一第二金屬柱，設置於該第二互連部上與該第二電極相對之一側的表面上；以及一樹脂，設置於該第一金屬柱與該第二金屬柱之間；以及一磷層，設置於該第一主要表面側上，在該第一主要表面與該磷層之間沒有基體。
  22. 如申請專利範圍第21項所述之半導體發光裝置， 其中該障壁金屬層包含選自鈦、鉭及釕的至少一種金屬。
  23. 如申請專利範圍第21項所述之半導體發光裝置，其中該第二互連部經由該障壁金屬層連接至該第二電極。
  24. 如申請專利範圍第21項所述之半導體發光裝置，其中：該障壁金屬層在平面尺寸是大於該第二電極，以及該障壁金屬層覆蓋住該第二電極上與該半導體層相對之一側的整個表面。
  25. 如申請專利範圍第21項所述之半導體發光裝置，其中該第一互連部、該第二互連部、該第一金屬柱以及該第二金屬柱是由相同金屬材料所製成的。
  26. 如申請專利範圍第21項所述之半導體發光裝置，其中：該半導體層包含一氮化鎵層，以及該第二電極包含一接點層，設置於該氮化鎵層與該銀層之間，並與該氮化鎵層內所含的鎵形成一合金。
  27. 如申請專利範圍第21項所述之半導體發光裝置，其中該障壁金屬層亦覆蓋住該第一電極上與該半導體層相對之一側的表面，且該第一互連部係經由該障壁金屬層連接至該第一電極。
  28. 如申請專利範圍第21項所述之半導體發光裝置，其中該第一金屬柱及該第二金屬柱每一者的厚度係大於一包含有該半導體層、該第一電極、該第二電極、該障壁金屬層、該第一互連部、以及該第二互連部在內之堆疊體的 厚度。
  29. 如申請專利範圍第21項所述之半導體發光裝置，其中該半導體層已經晶體成長於一基體上。
  30. 如申請專利範圍第21項所述之半導體發光裝置，其中該樹脂連同該第一金屬柱與該第二金屬柱支撐該半導體層。
  31. 如申請專利範圍第21項所述之半導體發光裝置，其中該第一金屬柱具有可連接端部，且該第二金屬柱具有可連接端部。
  32. 一種半導體發光裝置，包含：一半導體層，具有一第一主要表面、一與該第一主要表面相對之第二主要表面、以及一發光層，該半導體層在該第一主要表面側上不包含基體；一第一電極，設置於該半導體層的該第二主要表面上；一第二電極，設置於該半導體層的該第二主要表面上，並包含有一銀層；一第一互連部，連接至該第一電極；一第二互連部，連接至該第二電極；一障壁金屬層，設置於該第二電極上與該第二主要表面相對之一側的表面上，該障壁金屬層包含選自鈦、鉭及釕的至少一種金屬；一第一金屬柱，設置於該第一互連部上與該第一電極相對之一側的表面上； 一第二金屬柱，設置於該第二互連部上與該第二電極相對之一側的表面上；以及一樹脂，設置於該第一金屬柱與該第二金屬柱之間；以及一磷層，設置於該第一主要表面側上，在該第一主要表面與該磷層之間沒有基體。
  33. 如申請專利範圍第32項所述之半導體發光裝置，其中該第二互連部經由該障壁金屬層連接至該第二電極。
  34. 如申請專利範圍第32項所述之半導體發光裝置，其中：該障壁金屬層在平面尺寸是大於該第二電極，以及該障壁金屬層覆蓋住該第二電極上與該半導體層相對之一側的整個表面。
  35. 如申請專利範圍第32項所述之半導體發光裝置，其中該第一互連部、該第二互連部、該第一金屬柱以及該第二金屬柱是由相同金屬材料所製成的。
  36. 如申請專利範圍第32項所述之半導體發光裝置，其中：該半導體層包含一氮化鎵層，以及該第二電極包含一接點層，設置於該氮化鎵層與該銀層之間，並與該氮化鎵層內所含的鎵形成一合金。
  37. 如申請專利範圍第32項所述之半導體發光裝置，其中該障壁金屬層亦覆蓋住該第一電極上與該半導體層相對之一側的表面，且該第一互連部係經由該障壁金屬層連 接至該第一電極。
  38. 如申請專利範圍第32項所述之半導體發光裝置，其中該第一金屬柱及該第二金屬柱每一者的厚度係大於一包含有該半導體層、該第一電極、該第二電極、該障壁金屬層、該第一互連部、以及該第二互連部在內之堆疊體的厚度。
  39. 如申請專利範圍第32項所述之半導體發光裝置，其中該半導體層已經晶體成長於一基體上。
  40. 如申請專利範圍第32項所述之半導體發光裝置，其中該樹脂連同該第一金屬柱與該第二金屬柱支撐該半導體層。
  41. 如申請專利範圍第32項所述之半導體發光裝置，其中該第一金屬柱具有可連接端部，且該第二金屬柱具有可連接端部。
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