TWI472012B - 感測器,薄膜電晶體陣列面板,及包含感測器之顯示面板 - Google Patents

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Yun-Jae Park
Seung-Hwan Moon
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Description

感測器,薄膜電晶體陣列面板,及包含感測器之顯示面板
本發明係關於一種感測器、一種包括該感測器之薄膜電晶體陣列面板及一種包括該感測器之顯示面板。更特定言之,本發明係關於一種改良溫度感測器、一種包括該溫度感測器之薄膜電晶體陣列面板及一種包括該溫度感測器之顯示面板。
用作電腦及電視機之監視器之顯示裝置通常包括諸如有機發光顯示裝置("OLED")、真空螢光顯示裝置("VFD")、場發射顯示裝置("FED")及電漿面板顯示裝置("PDP")之自發光顯示裝置及諸如需要外部光源之液晶顯示器(LCD)之非發射顯示裝置。
一LCD包括具備場產生電極之兩個面板及一插入於其之間並具有介電各向異性之液晶("LC")層。供應有電壓之場產生電極產生一在該LC層上之電場,且該LC層之透光率視所施加之電場強度的情況而改變,該施加電場可由所施加之電壓控制。因此,藉由調整施加電壓顯示所要影像。
用於LCD之光可由裝備於LCD上之燈提供或可使用自然光。
由於該LC層內之液晶的光學特徵基於溫度而改變,所以為了改良其可靠性必須考慮該LCD之溫度變化。
意即,由於該液晶諸如折射率、介電常數、彈性係數、及黏度之光學特徵與該LC層內之液晶分子之熱能成反比,所以隨著該液晶之溫度升高其光學特徵之值減小。因此,為了較好驅動LCD而優化液晶的狀態,必須偵測歸因於內部加熱及周圍環境內之溫度而引起之LCD的溫度變化。
將一溫度感測器置於一安裝有複數個驅動電路之印刷電路板("PCB")上以偵測LCD之溫度變化。然而,通常將PCB置於LCD之後側(燈及產生熱量之電元件安置於其上),而非與外部相鄰之前側(LC層安裝於其上)。因此,該溫度感測器偵測由熱而導致具有較大溫度偏差之後側處之溫度。結果,由於由該溫度感測器所偵測之溫度相對於LC層之溫度具有較大差異,因此不能精確達成基於該LC層的溫度之LCD的溫度補償。另外,由於該溫度感測器獨立安裝於該PCB上,所以增加了該LCD之設計冗餘及製造成本。
本發明解決習知技術之問題。
在本發明之一例示性實施例中,提供一感測器,其包括一形成於一基板上之感測器控制電極、一形成於該感測器控制電極上之絕緣層、一形成於該絕緣層上之半導體、一形成於該半導體上之歐姆接觸、形成於該歐姆接觸上之一感測器輸入電極及一感測器輸出電極及一形成於該感測器輸入電極及該感測器輸出電極上之鈍化層。
該絕緣層可進一步形成於該基板未由該感測器控制電極覆蓋之部分上。該鈍化層可進一步形成於該半導體未由該歐姆接觸、感測器輸入電極、或感測器輸出電極覆蓋之部分上及該絕緣層未由該半導體、歐姆接觸、感測器輸入電極及感測器輸出電極覆蓋之部分上。
該感測器輸入電極可包括由一預定距離隔開且形成為一梳狀部(comb)之複數個第一分枝,且該感測器輸出電極包括由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第二分枝,其中該等第一分枝經由該半導體分別與該等第二分枝嚙合。可將該等第一分枝與該等第二分枝交替配置。
該感測器可包括一連接至該感測器控制電極之第一訊號線、一連接至該感測器輸入電極之第二訊號線及一連接至該感測器輸出電極之第三訊號線。該鈍化層可進一步形成於該感測器控制電極上且可進一步包括一將該第一訊號線之一部分曝露之第一接觸孔、一將該第二訊號線之一部分曝露之第二接觸孔及一將該第三訊號線之一部分曝露之第三接觸孔。
該感測器可進一步包括分別經由第一及第二接觸孔連接第一訊號線與第二訊號線之接觸輔助件,且該等接觸輔助件可由氧化銦錫("ITO")或氧化銦鋅("IZO")製成。該第二訊號線可經由該第二接觸孔連接至一電壓,且該電壓可為一接地電壓。該第三訊號線可輸出一感測訊號,且該半導體可由非晶矽製成。該感測器可因此為一個二極體類型之溫度感測器。
在本發明之另一實施例中,提供一感測器,其包括一形成於一基板上之絕緣層、一形成於該絕緣層上之半導體、一形成於該半導體上之歐姆接觸、形成於該歐姆接觸上之一感測器輸入電極及一感測器輸出電極及一形成於該感測器輸入電極及該感測器輸出電極上之鈍化層。
該絕緣層可進一步形成於該基板未由該感測器控制電極覆蓋之部分上。該鈍化層可進一步形成於該半導體未由該歐姆接觸、感測器輸入電極或感測器輸出電極覆蓋之部分上及該絕緣層未由該半導體、歐姆接觸、感測器輸入電極及感測器輸出電極覆蓋之部分上。
該感測器輸入電極可包括由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第一分枝且該感測器輸出電極可包括由一預定距離隔開且形成一梳狀部之複數個第二分枝,其中該等第一分枝經由該半導體分別與該等第二分枝嚙合。可將該等第一分枝與該等第二分枝交替配置。
該感測器可進一步包括一連接至該感測器輸入電極之感測器輸入線及一連接至該感測器輸出電極之感測器輸出線,且該鈍化層可包括一將該感測器輸入線之一部分曝露之第一接觸孔及一將該感測器輸出線之一部分曝露之第二接觸孔。
該感測器輸入線可經由該第一接觸孔連接至一電壓,且該電壓可為一接地電壓。該感測器輸出線可輸出一感測訊號。該感測器可因此為一電阻器類型之溫度感測器。
在本發明之另一實施例中,提供一薄膜電晶體陣列面板,其包括形成於一基板上之一閘極線及一感測器控制電極、一形成於該閘極線及該感測器控制電極上之絕緣層及一形成於該絕緣層上之半導體、一形成於該半導體上之歐姆接觸。一資料線、一汲電極、一感測器輸入電極及一感測器輸出電極形成於該歐姆接觸上,且一鈍化層形成於該資料線、該汲電極、該感測器輸入電極及該感測器輸出電極上。
該感測器輸入電極可包括由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第一分枝,且該感測器輸出電極可包括由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第二分枝,其中該等第一分枝經由該半導體分別與該等第二分枝嚙合。
該面板可進一步包括一連接至該感測器控制電極之感測器控制線、一連接至該感測器輸入電極之感測器輸入線及一連接至該感測器輸出電極之感測器輸出線。該鈍化層可進一步形成於該感測器控制電極上且可包括一將該感測器控制線之一部分曝露之第一接觸孔、一將該感測器輸入線之一部分曝露之第二接觸孔及一將該感測器輸出線之一部分曝露之第三接觸孔,且其可進一步包括一將該汲電極之一部分曝露之第四接觸孔。
該面板可進一步包括一經由該第四接觸孔連接至該汲電極之像素電極及分別經由第一、第二及第三接觸孔連接至該感測器控制線、該感測器輸入線及該感測器輸出線之接觸輔助件。該等接觸輔助件可形成於與該像素電極相同之層上。
該感測器控制電極、該感測器輸入電極及該感測器輸出電極可形成於該面板之一邊緣上。該感測器控制電極、感測器輸入電極及感測器輸出電極形成一個二極體類型溫度感測器之部分。
在本發明之另一實施例中,提供一薄膜電晶體陣列面板,其包括一形成於一基板上之閘極線、一形成於該閘極線上之絕緣層、一形成於該絕緣層上之半導體、一形成於該半導體上之歐姆接觸。一資料線、一汲電極、一感測器輸入電極及一感測器輸出電極形成於該歐姆接觸上,且一鈍化層形成於該資料線、該汲電極、該感測器輸入電極及該感測器輸出電極上。
該感測器輸入電極包括由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第一分枝,且該感測器輸出電極包括由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第二分枝,其中該等第一分枝經由該半導體分別與該等第二分枝嚙合。
該面板可進一步包括一連接至該感測器輸入電極之感測器輸入線及一連接至該感測器輸出電極之感測器輸出線,其中該鈍化層包含一將該感測器輸入線之一部分曝露之第一接觸孔及一將該感測器輸出線之一部分曝露之第二接觸孔。該鈍化層可進一步包括一將該汲電極之一部分曝露之第三接觸孔。
該面板可進一步包括一經由該第三接觸孔連接至該汲電極之像素電極。該面板可進一步包括分別經由第一及第二接觸孔連接至該感測器輸入線及該感測器輸出線之接觸輔助件,且該等接觸輔助件可形成於與該像素電極相同之層上。
該感測器輸入電極及該感測器輸出電極可形成於該面板之一邊緣上。該感測器輸入電極及該感測器輸出電極形成一電阻器類型溫度感測器之部分。
在本發明之另一實施例中,一液晶顯示面板包括一第一面板、一第二面板、一置於該第一面板與該第二面板之間之液晶層及一形成於該第一面板之一第一表面上之溫度感測器,該第一面板之該第一表面面向該液晶層。
該第一面板可為一薄膜電晶體陣列面板。該溫度感測器可形成於該第一面板之一非顯示區域上。複數個溫度感測器可形成於該第一面板之該第一表面上。
該第一面板可包括至少一條資料線,且該溫度感測器可包括形成於該第一面板的與該資料線相同之層內之一感測器輸入電極及一感測器輸出電極。該第一面板可包括一基板及形成於該基板上之至少一條閘極線,且該溫度感測器可包括一形成於該基板上且在該第一面板的與該閘極線相同之層內之感測器控制電極。
下文將參看展示本發明之較佳實施例之所附圖式更充分地描述本發明。然而,此發明可以多種不同形式實施且不應被解釋為限於本文所陳述之實施例中。
在圖式中,為了清楚起見,將層及區域之厚度誇示。相同數字始終指相同元件。應瞭解當諸如一層、薄膜、區域、基板或面板之一元件被稱作在另一元件"上"時,其可直接在該另一元件上或亦可存在介入元件。相反,當一元件被稱作"直接"在另一元件"上"時,不存在介入元件。
將參看圖式描述根據本發明之實施例之感測器及具有感測器的薄膜電晶體("TFT")陣列面板。
圖1為一根據本發明一LCD之例示性實施例之方塊圖,圖2為一根據本發明一LCD之像素之例示性實施例的等效電路圖,且圖3為一根據本發明一LCD之例示性實施例的平面圖。
參看圖1,一LCD包括一LC面板總成300、連接至該LC面板總成之一閘極驅動器400及一資料驅動器500、一連接至資料驅動器500之灰度電壓產生器800、一溫度感測單元50及一控制上述元件之訊號控制器600。
另外參看圖1及2之電路圖,LC面板總成300包括一作為一薄膜電晶體("TFT")面板之下面板100、一作為一彩色濾光片面板之上面板200,其中面板100及200彼此面對,且一液晶層3插入其之間。LC面板總成300進一步包括複數條顯示訊號線G1-Gn及D1-Dm及連接至其且大體排列成一矩陣之複數個像素。
在下面板100上提供顯示訊號線G1-Gn及D1-Dm,且其包括傳輸閘極訊號(亦稱作"掃描訊號")之複數條閘極線G1-Gn及傳輸資料訊號之複數條資料線D1-Dm。閘極線G1-Gn大體在一列方向上延伸且大體相互平行,而資料線D1-Dm大體在一行方向上延伸且大體相互平行。
每一像素包括一連接至顯示訊號線G1-Gn及D1-Dm之開關元件Q及連接至開關元件Q之一LC電容器CL C 及一儲存電容器CS T 。在一替代實施例中,若不需要則可省略儲存電容器CS T
在下面板100上提供諸如一TFT之開關元件Q,且其具有三個端子,包括一連接至閘極線G1-Gn中之一條之控制端子、一連接至資料線D1-Dm中之一條之輸入端子及一連接至LC電容器CL C 及儲存電容器CS T 之輸出端子。
LC電容器CL C 包括一在下面板100上提供之像素電極190及一在上面板200上提供之共同電極270,其作為兩個端子。插入兩個電極190與270之間之LC層3充當LC電容器CL C 之介電質。像素電極190連接至開關元件Q,且共同電極270覆蓋上面板200之一完整表面或大體覆蓋該完整表面且供應有一共同電壓Vcom。或者,像素電極190及共同電極270兩者可提供在下面板100上,且像素電極190及該共同電極270中至少一個可具有桿或帶之形狀。
儲存電容器CS T 為LC電容器CL C 用之一輔助電容器。儲存電容器CS T 包括像素電極190及一提供於下面板100上之獨立訊號線(未圖示),且經由一絕緣體與像素電極190重疊。該獨立訊號線供應有一諸如共同電壓Vcom之預定電壓。或者,儲存電容器CS T 包括像素電極190及一稱作前閘極線之相鄰閘極線,其經由一絕緣體與像素電極190重疊。
對於彩色顯示器,每一像素唯一地表示諸如紅色、綠色及藍色之三種顏色中之一種或按時間順序表示此三種顏色,藉此獲得一所要顏色。該等三種顏色可為原色,或本文未具體描述之其它顏色。圖2展示一實例,其中每一像素包括一彩色濾光片230,該彩色濾光片230表示在上面板200之面向一關聯像素電極190的區域中之三種顏色中之一種。或者,彩色濾光片230可提供於下面板100之像素電極190之上或之下。
如圖2所示,一用於防止光損耗之諸如一黑色矩陣之光阻薄膜220形成於上面板200上,且在對應於像素電極190或彩色濾光片230之區域中具有開口。
將自一光源單元(未圖示)發射的光偏光之一對偏光板(未圖示)分別連接至面板總成300之面板100及200的外部表面上。或者,可提供一個或多個偏光板。
灰度電壓產生器800產生與LCD之亮度相關聯之複數個灰度階電壓。灰度電壓產生器800產生與像素之透射率相關聯之兩組複數個灰度電壓,且將該等灰度電壓提供給資料驅動器500。資料驅動器500將由訊號控制器600之控制為每一資料線D1 -Dm 而選定之灰度電壓作為一資料訊號分別施加於資料線。一組中之灰度電壓具有一相對於共同電壓Vcom之正極性,而另一組中之灰度電壓具有一相對於共同電壓Vcom之負極性。
閘極驅動器400連接至LC面板總成300之閘極線G1-Gn,將自一外部裝置輸入之閘極通電壓Von及閘極關電壓Voff合成,以產生具有該閘極通電壓Von及閘極關電壓Voff之組合之閘極訊號以將其施加至閘極線G1-Gn。閘極驅動器400可包括複數個積體電路("IC")。
資料驅動器500連接至LC面板總成300之資料線D1-Dm,其將從自灰度電壓產生器800供給的灰度電壓中選定之資料電壓施加至資料線D1-Dm,且其亦可包括複數個IC。
可將閘極驅動器400之閘極驅動電路或資料驅動器500之資料驅動電路建構為一安裝於LC面板總成300上之積體電路("IC")晶片,諸如在一"玻璃上晶片"("COG")類型安裝中,或在一捲帶式封裝("TCP")類型之可撓性印刷電路("FPC")薄膜上,其連接至LC面板總成300。或者可將驅動器400及500以及顯示訊號線G1 -Gn 及D1 -Dm 及TFT開關元件Q整合至LC面板總成300中。
溫度感測單元50包括至少一個溫度感測器51。溫度感測器51產生對應於由該溫度感測器51感測之溫度的溫度感測訊號Vs且將該感測訊號Vs輸出至訊號控制器600。
訊號控制器600控制閘極驅動器400及資料驅動器500。
參看圖3,將LC面板總成300分割為一其上形成LC層3之顯示區域DR及一非顯示區域B。非顯示區域B主要對應於LC面板總成300之邊緣(與LC面板總成300之一最外邊緣相鄰),且其由諸如一黑色矩陣之光阻薄膜220覆蓋。溫度感測單元50之溫度感測器51安裝於該非顯示區域B上。如圖3所示,在LC面板總成300之一上部分及一下部分上分別安裝兩個溫度感測器51。換言之,兩個溫度感測器51安裝於LC面板總成300之一第一邊緣部分上,且兩個溫度感測器51安裝於LC面板總成300之一第二邊緣部分上,其中該第一邊緣部分與該第二邊緣部分相對。然而,溫度感測器51之數量及所安裝位置不限於所說明之實施例。舉例而言,可將該溫度感測器51安裝於LC面板總成300之一左側及一右側以感測LC面板總成300之溫度,且溫度感測器51之其它替代排列及數量亦在此等實施例之範疇內。
現在,將詳細描述該LCD之運作。
訊號控制器600供應有RGB影像訊號R、G、及B以及自一外部圖形控制器(未圖示)輸入控制其顯示之輸入控制訊號,諸如一垂直同步訊號Vsync、一水平同步訊號Hsync、一主時脈訊號MCLK、一資料啟用訊號DE等。回應輸入影像訊號R、G、及B以及該等輸入控制訊號,訊號控制器600基於輸入控制訊號及一溫度感測訊號Vs而處理適合於LC面板總成300之運作之影像訊號R、G及B,並產生閘極控制訊號CONT1及資料控制訊號CONT2。訊號控制器600然後將閘極控制訊號CONT1提供給閘極驅動器400並將已處理過之影像訊號R'、G'及B'及資料控制訊號CONT2提供給資料驅動器500。
該等閘極控制訊號CONT1包括一垂直同步起始訊號、一用於通知開始一訊框且具有起始掃描之指令之掃描起始訊號STV及用於控制該閘極通電壓Von之輸出時間之至少一個閘極時脈訊號。閘極控制訊號CONT1可進一步包括一用於界定閘極通電壓Von之持續時間之輸出啟用訊號OE。
資料控制訊號CONT2包括一用於通知資料驅動器500開始一群組像素之資料傳輸之水平同步起始訊號STH、一具有將該等資料電壓施加於資料線D1-Dm之指令之負載訊號LOAD及一資料時脈訊號HCLK。資料控制訊號CONT2可進一步包括一用於反轉該等資料電壓之極性(相對於共同電壓Vcom)之反轉訊號RVS。
回應來自訊號控制器600之資料控制訊號CONT2,資料驅動器500接收一影像資料DAT之封包、用於來自訊號控制器600之該群組像素之已處理過的影像訊號,且將該影像資料DAT轉換成自灰度電壓(由灰度電壓發生器800供應)中選定之類比資料電壓,且將該等資料電壓施加於資料線D1-Dm。
回應來自訊號控制器600之閘極控制訊號CONT1,閘極驅動器400將閘極通電壓施加於閘極線G1-Gn,藉此開通連接至其之開關元件Q。施加於資料線D1-Dm之該等資料電壓經由已啟動之開關元件Q供給對應像素。
施加於像素之該資料電壓與共同電壓Vcom之間之差表示一在LC電容器CL C 上之充電電壓,其被稱作像素電壓。在LC電容器CL C 中之LC分子具有根據該像素電壓之量值而定之取向,且分子方位判定透過LC層3之光之偏光。該等偏光板將該偏光轉換為透光率。
藉由重複此程序一水平週期單位(其由"1H"表示且等於水平同步訊號Hsync、資料啟用訊號DE及閘極時脈訊號CPV之一個週期),所有閘極線G1-Gn在一訊框期間相繼供應有閘極通電壓Von,藉此將該等資料電壓施加於所有像素。當完成一個訊框之後下一個訊框開始時,控制施加於資料驅動器500之反轉控制訊號RVS(資料控制訊號CONT2之部分)以使得將該等資料電壓之極性反轉(其被稱作"訊框反轉")。亦可控制反轉控制訊號RVS以使得將在一個訊框中之一資料線中流動之資料電壓的極性反轉(例如,線反轉及點反轉),或將一個封包中之資料電壓之極性反轉(例如,行反轉及點反轉)。
現在,將參看圖4至5B描述根據本發明一感測器之例示性實施例及一具有該感測器的LCD之例示性實施例的結構。
圖4為一根據本發明一LCD之例示性實施例之布局圖,圖5A為一圖4中所示之該LCD沿線VA-VA'而截取之剖視圖,及圖5B為一圖4中所示之該LCD沿線VB-VB'而接取之剖視圖。
複數條閘極線121、一感測器控制電極126、一感測器控制線128及複數條儲存電極線131形成於一絕緣基板110上,諸如透明玻璃或其它適當透明絕緣材料。
閘極線121大體以一橫向方向延伸且相互分離並傳輸閘極訊號。閘極線121可大體相互平行延伸。每一閘極線121包括形成複數個閘電極124之複數個突出部及一具有與另一層或一外部驅動電路大面積接觸之末端部分129。閘極線121可延伸以連接至一可整合於絕緣基板110上之驅動電路。
感測器控制電極126具有一大體成矩形之形狀,該形狀之水平邊長於垂直邊,其中感測器控制電極126之水平邊可沿絕緣基板110之橫向方向延伸且感測器控制電極126之垂直邊可沿在絕緣基板110上之縱向方向延伸。感測器控制線128可在相對於該感測器控制電極126之縱向方向上延伸。雖然說明了感測器控制電極126之一特定排列,但可將感測器控制電極126如先前相對於圖3所描述而定位於絕緣基板110之替代外圍區域中。感測器控制線128包括一具有與另一層或一外部驅動電路大面積接觸之末端部分。
與閘極線121分開之儲存電極線131中之每一者亦大體以該橫向方向延伸且置於兩條相鄰閘極線121之間。儲存電極線131供應有一諸如另一面板(未圖示)之共同電壓之預定電壓。
閘極線121、感測器控制電極126、感測器控制線128及儲存電極線131較佳由諸如Al及Al合金之含鋁Al金屬、諸如Ag及Ag合金之含銀Ag金屬、諸如Cu及Cu合金之含銅Cu金屬、諸如Mo及Mo合金之含鉬Mo金屬、鉻Cr、鈦Ti或鉭Ta製成。閘極線121、感測器控制電極126、感測器控制線128及儲存電極線131可具有一個多層結構,其包括具有不同物理特徵之兩層薄膜。若採用一個兩層薄膜結構,則為減少訊號延遲或在閘極線121、感測器控制電極126、感測器控制線128及儲存電極線131中之電壓降落,兩層薄膜中之一層較佳由一包括含Al金屬之低電阻金屬製成。另一層薄膜較佳由諸如Cr、Mo、Mo合金、Ta、或Ti之材料製成,其具有較好的物理、化學及與諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)之其它材料之電接觸特徵。該等兩層薄膜之提供較佳特徵之適當組合的某些組合實例包括一下Cr薄膜與一上Al(Al-Nd合金)薄膜及一下Al(Al合金)薄膜與一上Mo薄膜。
另外,閘極線121、感測器控制電極126、感測器控制線128及儲存線131之側面為錐形,且該等側面相對於基板110之一表面的傾角在約30至約80度之範圍內。
一較佳由氮化矽(SiNx)製成之閘極絕緣層140形成於閘極線121、感測器控制電極126、感測器控制線128及儲存電極線131上且亦形成於絕緣基板110未由閘極線121、感測器控制電極126、感測器控制線128及儲存電極線131覆蓋之部分上。
較佳由氫化非晶矽(縮寫為"a-Si")製成之複數條半導體條151、複數個半導體島及一半導體矩形155形成於閘極絕緣層140上。每一半導體條151大體在一縱向方向上延伸(通常垂直於儲存電極線131及閘極線121延伸),且具有向閘電極124朝外分枝之複數個突出部154及置於儲存電極線131上之複數個突起。半導體矩形155與半導體條151分開且具有一與感測器控制電極126之形狀大體相似之形狀。
複數條歐姆接觸條161及複數個歐姆接觸島165形成於半導體條151上,且複數個歐姆接觸島162及164形成於半導體矩形155上。歐姆接觸條161及島165、162及164較佳由矽化物或以n型雜質高濃度摻雜之n+氫化a-Si製成。每一歐姆接觸條161具有複數個突出部163,且突出部163及歐姆接觸島165成對地位於半導體條151之突出部154上。
歐姆接觸島162及164分別位於半導體矩形155上,且相互分開。
半導體條151、半導體矩形155及歐姆接觸條161及島165、162及164之側面為錐形,且其相對於絕緣基板110之傾角較佳在約30至約80度之範圍內。
複數條資料線171、複數個汲電極175、一感測器輸入電極172、一感測器輸入線176、一感測器輸出電極174及一感測器輸出線178形成於歐姆接觸條161及島165及閘極絕緣層140上。
傳輸資料電壓之資料線171大體在縱向方向上延伸且交叉越過閘極線121及儲存電極線131。每一資料線171具有一具有與另一層或一外部裝置大面積接觸之末端部分179。向汲電極175突出之每一資料線171之複數個分枝形成複數個源電極173。
感測器輸入線176大體在一縱向方向上延伸,諸如平行於感測器控制線128之方向,且感測器輸入電極172包括一連接至該感測器輸入線176之連接部分、一在大體垂直於該縱向方向之橫向方向上延伸且連接至該連接部分之橫向部分及經由該橫向部分自該連接部分延伸之複數個分枝,該等分枝在縱向方向上像一梳狀部一樣延伸。
感測器輸出線178大體在一縱向方向上延伸,諸如平行於感測器輸入線176及感測器控制線128之方向,且感測器輸出電極174包括一連接至感測器輸出線178之連接部分、一在大體垂直於該縱向方向之橫向方向上延伸且連接至該連接部分之橫向部分及經由該橫向部分自該連接部分延伸之複數個分枝,該等分枝在縱向方向上像一梳狀部一樣延伸。
感測器輸入電極172及感測器輸出電極174之分枝經由半導體矩形155交替地嚙合。
一閘電極G 124、一源電極S 173及一汲電極D 175以及一半導體條151之突出部154之每一組形成一具有一通道之TFT,該通道形成於置於源電極S 173與汲電極D 175之間之半導體突出部154中。
感測器控制電極126、感測器輸入電極172及感測器輸出電極174以及半導體矩形155形成一用於一溫度感測器51之感測器電晶體。該感測器電晶體之規格由電極126及172之寬度W及長度L以及半導體矩形155之厚度T界定。
資料線171、源電極173、汲電極175、感測器輸入線176、感測器輸入電極172、感測器輸出線178及感測器輸出電極174較佳由包括Cr、Mo、Ti、Ta或其合金之難熔金屬製成。其可具有一多層結構,其較佳包括一低電阻薄膜及一較好接觸薄膜。
根據此實施例之TFT陣列面板之半導體條151具有與資料線171及汲電極175幾乎相同之平坦形狀,同時亦與下面的歐姆接觸161及165之形狀幾乎相同。然而,半導體條151之突出部154包括未由資料線171及汲電極175覆蓋之某些曝露部分,諸如位於源電極173與汲電極175之間之部分。
與閘極線121、資料線171、源電極173、汲電極175相似,感測器輸入線176、感測器輸入電極172、感測器輸出線178及感測器輸出電極174具有錐形側面,且其相對於絕緣基板110之傾角在約30至約80度之範圍內。
一鈍化層180形成於資料線171、源電極173、汲電極175、感測器輸入線176、感測器輸入電極172、感測器輸出線178、感測器輸出電極174及半導體條151與半導體矩形155之曝露部分上,同時亦形成於閘極絕緣層140之某些其它曝露部分上。
鈍化層180較佳由具有較好平面特徵之感光有機材料、諸如由電漿增強化學氣相沉積("PECVD")形成之a-Si:C:O及a-Si:O:F之低介電絕緣材料或諸如氮化矽及氧化矽之無機材料製成。鈍化層180可具有一雙層結構,其包括一下無機薄膜及一上有機薄膜。
鈍化層180具有分別將資料線171之末端部分179、汲電極175及感測器輸入線176與感測器輸出線178之末端部分曝露之複數個接觸孔182、185、186及187。鈍化層180及閘極絕緣層140亦具有分別將閘極線121之末端部分129及感測器控制線128之末端部分曝露之複數個接觸孔181及189。
複數個像素電極190及較佳由IZO或ITO製成之複數個接觸輔助件81、82、86、87及89形成於鈍化層180上。相對於在鈍化層180中形成之接觸孔而形成接觸輔助件81、82、86、87及89。
將像素電極190經由接觸孔185實體地電連接至汲電極175以使得像素電極190接收來自汲電極175之資料電壓。
供應有資料電壓之像素電極190與共同電極270合作在上面板200上產生電場,其使置於其間之液晶層3中之液晶分子重新取向。
像素電極190可視需要與閘極線121及資料線171重疊以增加孔徑比。
將接觸輔助件81、82、86、87及89分別經由接觸孔181、182、186、187及189連接至閘極線121之曝露末端部分129、資料線171之曝露末端部分179、感測器輸入線176之曝露末端部分、感測器輸出線178之曝露末端部分及感測器控制線128之曝露末端部分。而不需要時,接觸輔助件81、82、86、87及89可較佳保護該等曝露末端部分且補充曝露部分與外部裝置之連接性。
當將供應閘極訊號之閘極驅動器400整合於絕緣基板110上時,接觸輔助件81可對連接閘極線121之末端部分129與閘極驅動器400有作用,或者可將其省略。
根據本發明之另一實施例,像素電極190由一透明導電聚合物製成。對於一反射式LCD,像素電極190由一不透明反射金屬製成。在該等情形下,接觸輔助件81及82可由一與像素電極190不同之材料(諸如IZO或ITO)製成。
連同閘極線121及資料線171一起整合於絕緣基板110上且基於所感測之溫度改變其運作狀態或電阻值的溫度感測器51之尺寸可為大約2 mm×2 mm或更小。另外,形成於基板110上之感測器控制電極126能夠阻塞來自一置於LC面板總成300之一下部分下方之光源(未圖示)發出的光。然而,由於溫度感測器51之定位通常受限於非顯示區域B,因而此特徵不限制LC面板總成300之透光率。
如圖6A至7B中所示,根據感測器控制線128、感測器輸入線176及感測器輸出線178之連接,於LC面板總成300的非顯示區域B上與閘極線121及資斜線171一起形成的溫度感測器51之例示性實施例包括一個二極體類型溫度感測器及一電阻器類型溫度感測器,此在下文進一步進行描述。
圖6A為當根據本發明之一例示性實施例之一溫度感測器為二極體類型溫度感測器時該二極體類型溫度感測器之一例示性實施例的等效電路圖,圖6B為展示一輸出電壓相對於圖6A中所示的該二極體類型溫度感測器之溫度變化的特徵的曲線圖。圖7A為當根據本發明之一例示性實施例之一溫度感測器為電阻器類型溫度感測器時,該電阻器類型溫度感測器之一例示性實施例之等效電路圖,圖7B為展示一輸出電壓相對於圖7A中所示的該電阻器類型溫度感測器之溫度變化的特徵的曲線圖。
將參看圖6A及6B描述當將溫度感測器51之線128、176及178連接為一個二極體類型溫度感測器時之例示性實施例。
參看圖6A,溫度感測器51之一感測器控制線G 128連接至一感測器輸出線D 178,且溫度感測器51之感測器輸入線S 176連接至一接地GND,以使得一感測器電晶體(意即溫度感測器51)充當一個二極體。
此時,來自感測器輸出線D 178之輸出電壓VD 表示為:[等式1]V D V dd RI D 此處,ID 為流經感測器輸出線D 178之電流,R為連接至溫度感測器51之外部之電阻器,且Vdd為輸入電壓。
此時,對於由感測器控制線G 128與感測器輸出線D 178之間的連接而產生的感測器控制線G 128與感測器輸入線S 176之間的電壓及感測器輸出線D 178與感測器輸入線S 176之間的電壓,ID 表示為:
此處,μn 為視溫度變化而定之電子遷移率,Cg為感測器輸入電極172之電容,W為通道寬度,L為通道長度,如圖4所示量測W及L,且VT H 為臨限電壓。
電子遷移率μn 表示為:
此處,μ0 為延伸狀態之電子遷移率,Nc為在遷移邊緣之狀態密度,k為Boltzmann常數,T為溫度(K),n為總電子密度,且Ea為一啟動能量。在一個實施例中,μ0 為~6[cm2 /vs],Nc為~2×102 1 [cm3 /eV],k為1.3805×10 2 3 [J/K],且Ea為0.13[eV]。
結果,參看[等式1]及[等式3],輸出電壓VD 基於溫度變化而變化。
如圖6B中所示,具有圖6A中所示之等效電路的溫度感測器51之輸出電壓VD 隨溫度改變而線性地變化。
參看圖7A及7B將描述當將溫度感測器51之線128、176及178連接為一電阻器類型溫度感測器時之一例示性實施例。
如圖7A所示,感測器控制線G128不供應有任何訊號,一感測器輸入線S176經由一電阻器Rc連接至一接地GND,且一感測器輸出線D 178供應有一外部施加之驅動電壓Vdd。
在此實施例中,由於感測器控制線G128不供應有任何訊號,所以一溫度感測器51(意即一感測器電晶體)充當一電阻器Rs。
來溫度感測器51(意即一感測器電晶體)之輸出電壓Vout表示為:
Rs表示為:且σ表示為:
在此,e為一載體電容量。
如上文所述,由於電子遷移率μn 以[等式3]表示,所以輸出電壓Vout基於溫度變化而變化。
輸出電壓Vout如圖7B中所示相對於溫度變化而變化。如圖7B中所示,雖然該電阻器類型溫度感測器之輸出電壓Vout非線性地變化,但基於電阻器之特徵之溫度感測器51的敏感性較好。
在該電阻器類型溫度感測器中,由於感測器控制線G 128不供應有任何訊號,所以可不需要一感測器控制線G 176及一感測器控制電極126。
將參看圖8A及8B描述根據本發明一電阻器類型溫度感測器之另一例示性實施例。包括該電阻器類型溫度感測器之LCD之結構可與圖4及5A中所示之結構相同且因此將其省略。
圖8A為一根據本發明一電阻器類型溫度感測器之一例示性實施例的布局圖且圖8B為圖8A中所示之該電阻器類型溫度感測器沿線VIIIB-VIIIB'而截取之剖視圖。
如圖8A及8B中所示,根據本發明之一電阻器類型溫度感測器之另一例示性實施例之結構除不形成一感測器控制電極126及一感測器控制線128外與圖4及5A中所示之結構相似。
意即,一閘極絕緣層140形成於一絕緣基板110上(不存在感測器控制電極126及感測器控制線128),且一具有比垂直側長之水平側之半導體矩形155形成於閘極絕緣層140上。複數個歐姆接觸162及164形成於該半導體矩形155上。另外,一感測器輸入線176、一感測器輸入電極172、一感測器輸出電極174及一感測器輸出線178形成於歐姆接觸162及164及閘極絕緣層140上。
一鈍化層180形成於感測器輸入線176、感測器輸入電極172、感測器輸出電極174、感測器輸出線178上以及在閘極絕緣層140及半導體矩形155之任何曝露部分上。鈍化層180具有分別將感測器輸入線176及感測器輸出線178之末端部分曝露之複數個接觸孔186及187。
接觸輔助件86及87可分別與接觸孔186、187組合形成於鈍化層180上。
如上文所述,由於其不供應有訊號,因此電阻器類型溫度感測器被設計成無感測器控制線128及感測器控制電極126。
對於根據本發明之實施例之一個二極體類型溫度感測器及一電阻器類型溫度感測器,實際上由其輸出之輸出電壓相對於溫度變化之例示性曲線圖分別如圖9及10中所示。
僅為例示之目的,在圖9及10中,驅動電壓Vdd為大約5V,且W/L為3200/4.5。在圖9中,電阻器R之電阻值為大約620 kΩ,且在圖10中電阻器Rc之電阻值為大約2 kΩ。
如圖9及10中所示,LCD所感測之溫度範圍為大約-20℃至80℃。在圖9中,由一大約10℃之單元感測溫度,且在圖10中,由一大約2.5℃之單元感測溫度。在圖9中,電壓變化差值△VD 為大約1.31V且在圖10中,電壓變化差值△Vo u t 為大約4.37V。因此,由於來自該等溫度感測器之輸出電壓之動態敏感性較大,所以不用單獨的訊號處理處理(諸如濾波、放大等等)可直接使用該等輸出電壓。
由於該等溫度感測器以及該等閘極線及該等資料線直接整合於該LC面板總成中,所以根據本發明之溫度感測器之該等例示性實施例感測對應於LC層之溫度變化之精確溫度。
根據本發明,溫度感測器直接整合於LCD中以感測該LCD之溫度,且藉此該溫度不需較多增加製造成本可被精確感測。另外,基於一顯示裝置之精確感側之溫度達成該顯示裝置之控制,且藉此改良該顯示裝置之影像品質。由於不需要在外部安裝獨立溫度感測器於該LCD上,因此改良了該設計且減少了製造成本。
此外,由於溫度感測器之驅動特徵藉由改變其線之連接而改變且實現了具有適合於顯示裝置及其周圍環境之特徵的溫度感測器,因此改良了該溫度感測器及該顯示裝置之驅動效率。
另外,由於該溫度感測器接觸LCD之表面之面積尺寸歸因於梳狀部形狀而增加,同時維持了該溫度感測器之較小尺寸,因此改良了感測之可靠性且不需要額外之電路。
儘管參看該等較佳實施例已對本發明進行了詳細描述,但應瞭解本發明並不限於所揭示之實施例,相反,而意欲涵蓋包括於附加申請專利範圍之範疇及精神內之多種修改及均等配置。此外,使用術語第一、第二等等並不表示任何次序或重要性,而用於將一個元件與另一個元件區別開。此外,使用術語一等等並不表示限制數量,而表示存在至少一個所引用的物件。
3...液晶層
50...溫度感測單元
51...溫度感測器
81、82、86、87、89...接觸輔助件
100、200...面板
110...基板
121...閘極線
124...閘電極
126...感測器控制電極
128...感測器控制線
129、179...末端部分
131...儲存電極線
140...閘極絕緣層
151、154、155...半導體
161、162、163、164、165...歐姆接觸
171...資料線
172...感測器輸入電極
173...源電極
175...汲電極
176...感測器輸入線
174...感測器輸出電極
178...感測器輸出線
180...鈍化層
181、182、185、186、187、189...接觸孔
190...像素電極
220...光阻薄膜
230...彩色濾光片
270...共同電極
300...液晶面板總成
400、410...閘極驅動器
500...資料驅動器
600...訊號控制器
800...灰度電壓產生器
DAT...輸出影像訊號
DE...資料啟用訊號
D1-Dm...資料線
G1-Gn...閘極線
Hsync...水平同步訊號
MCLK...主時脈
Q...開關元件
R、G、B...輸入影像訊號
STV...掃描起始訊號
Vcom...共同電壓
Von...閘極通電壓
Voff...閘極關電壓
Vsync...垂直同步訊號
CL C ...液晶電容器
CS T ...儲存電容器
CONT1,CONT2...控制信號
圖1為一根據本發明一LCD之例示性實施例之方塊圖;圖2為一根據本發明一LCD之像素之例示性實施例的等效電路圖;圖3為一根據本發明一LCD之例示性實施例的平面圖;圖4為一根據本發明一LCD之例示性實施例的布局圖;圖5A為一圖4中所示之LCD沿線VA-VA'而截取之剖視圖;圖5B為一圖4中所示之LCD沿線VB-VB'而截取之剖視圖;圖6A為一可用於本發明之一實施例中的一個二極體類型溫度感測器之一個例示性實施例的等效電路圖;圖6B為一展示一輸出電壓相對於圖6A中所示的該二極體類型溫度感測器之溫度變化的特徵的曲線圖;圖7A為一可用於本發明之一實施例中的一電阻器類型溫度感測器之一個例示性實施例的等效電路圖;圖7B為一展示一輸出電壓相對於圖7A中所示的該電阻器類型溫度感測器之一溫度變化的特徵之曲線圖;圖8A為一根據本發明一電阻器類型溫度感測器之另一例示性實施例的布局圖;圖8B為圖8A中所示之該電阻器類型溫度感測器沿線VIIIB-VIIIB'而截取之剖視圖;圖9為展示一輸出電壓相對於一根據本發明之二極體類型溫度感測器之一例示性實施例中的溫度變化的曲線圖;及圖10為展示一輸出電壓相對於一根據本發明之電阻器類型溫度感測器之一例示性實施例中的溫度變化的曲線圖。
81、82、86、87、89...接觸輔助件
121...閘極線
126...感測器控制電極
128...感測器控制線
129、179...末端部分
131...儲存電極線
154、155...半導體
171...資料線
172...感測器輸入電極
173...源電極
174...感測器輸出電極
175...汲電極
176...感測器輸入線
178...感測器輸出線
181、182、185、186、187、189...接觸孔
190...像素電極

Claims (37)

  1. 一種用於一液晶顯示面板之溫度感測器,其包含:一感測器控制電極,其形成於一基板上;一絕緣層,其形成於該感測器控制電極上;一半導體,其形成於該絕緣層上;一歐姆接觸,其形成於該半導體上;形成於該歐姆接觸上之一感測器輸入電極及一感測器輸出電極;及一鈍化層,其形成於該感測器輸入電極及該感測器輸出電極上,其中該溫度感測器係配置於該液晶顯示面板上且在該面板之一影像顯示區域外部,其中該感測器輸入電極包含由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第一分枝,且該感測器輸出電極可包括由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第二分枝,且其中該等第一分枝經由該半導體分別與該等第二分枝嚙合。
  2. 如請求項1之溫度感測器,其中該絕緣層進一步形成於該基板未由該感測器控制電極覆蓋之部分上。
  3. 如請求項2之溫度感測器,其中該鈍化層進一步形成於該半導體未由該歐姆接觸、感測器輸入電極或感測器輸出電極覆蓋之部分上及該絕緣層未由該半導體、歐姆接觸、感測器輸入電極及感測器輸出電極覆蓋之部分上。
  4. 如請求項1之溫度感測器,其中該等第一分枝相對於該等第二分枝交替地配置。
  5. 如請求項1之溫度感測器,其進一步包含:一第一訊號線,其連接至該感測器控制電極;一第二訊號線,其連接至該感測器輸入電極;及一第三訊號線,其連接至該感測器輸出電極,其中該鈍化層進一步形成於該感測器控制電極上且包含一第一接觸孔,其曝露該第一訊號線之一部分,一第二接觸孔,其曝露該第二訊號線之一部分,及一第三接觸孔,其曝露該第三訊號線之一部分。
  6. 如請求項5之溫度感測器,其進一步包含分別經由該第一及該第二接觸孔連接該第一訊號線及該第二訊號線之接觸輔助件。
  7. 如請求項6之溫度感測器,其中該等接觸輔助件由氧化銦錫或氧化銦鋅製成。
  8. 如請求項5之溫度感測器,其中該第二訊號線經由該第二接觸孔連接至一電壓。
  9. 如請求項8之溫度感測器,其中該電壓為一接地電壓。
  10. 如請求項8之溫度感測器,其中該第三訊號線輸出一感測訊號。
  11. 如請求項1之溫度感測器,其中該半導體由非晶矽製成。
  12. 如請求項1之溫度感測器,其中該感測器為一個二極體類型之溫度感測器。
  13. 一種用於一液晶顯示面板之溫度感測器,其包含:一絕緣層,其形成於一基板上; 一半導體,其形成於該絕緣層上;一歐姆接觸,其形成於該半導體上;形成於該歐姆接觸上之一感測器輸入電極及一感測器輸出電極;及一鈍化層,其形成於該感測器輸入電極及該感測器輸出電極上,其中該溫度感測器係配置於該液晶顯示面板上且在該面板之一影像顯示區域外部,其中該感測器輸入電極包含由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第一分枝,且該感測器輸出電極包含由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第二分枝,且其中該等第一分枝經由該半導體分別與該等第二分枝嚙合。
  14. 如請求項13之溫度感測器,其中該絕緣層進一步形成於該基板未由該感測器控制電極覆蓋之部分上。
  15. 如請求項14之溫度感測器,其中該鈍化層進一步形成於該半導體未由該歐姆接觸、感測器輸入電極或感測器輸出電極覆蓋之部分上及該絕緣層未由該半導體、歐姆接觸、感測器輸入電極及感測器輸出電極覆蓋之部分上。
  16. 如請求項13之溫度感測器,其中該等第一分枝相對於該等第二分枝交替地配置。
  17. 如請求項13之溫度感測器,其進一步包含:一連接至該感測器輸入電極之感測器輸入線及一連接至該感測器輸出電極之感測器輸出線,其中該鈍化層包含一曝露該感測器輸入線之一部分之 第一接觸孔及一曝露該感測器輸出線之一部分之第二接觸孔。
  18. 如請求項17之溫度感測器,其中該感測器輸入線經由該第一接觸孔連接至一電壓。
  19. 如請求項18之溫度感測器,其中該電壓為一接地電壓。
  20. 如請求項18之溫度感測器,其中該感測器輸出線輸出一感測訊號。
  21. 如請求項13之溫度感測器,其中該感測器為一電阻器類型之溫度感測器。
  22. 一種薄膜電晶體陣列面板,其包含:一閘極線及一感測器控制電極,其形成於一基板上;一絕緣層,其形成於該閘極線及該感測器控制電極上;一半導體,其形成於該絕緣層上;一歐姆接觸,其形成於該半導體上;一資料線、一汲電極、一感測器輸入電極及一感測器輸出電極,其形成於該歐姆接觸上;及一鈍化層,其形成於該資料線、該汲電極、該感測器輸入電極及該感測器輸出電極上,其中該感測器控制電極、該半導體、該感測器輸入電極及該感測器輸出電極形成一種用於一液晶顯示面板之溫度感測器,其中該溫度感測器係配置於該薄膜電晶體陣列面板上且在該面板之一影像顯示區域外部,其中該感測器輸入電極包含由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第一分枝,且該感測器輸出電極包含由一預 定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第二分枝,且其中該等第一分枝經由該半導體分別與該等第二分枝嚙合。
  23. 如請求項22之面板,其進一步包含:一感測器控制線,其連接至該感測器控制電極;一感測器輸入線,其連接至該感測器輸入電極;及一感測器輸出線,其連接至該感測器輸出電極,其中該鈍化層進一步形成於該感測器控制電極上且包含一第一接觸孔,其曝露該感測器控制線之一部分,一第二接觸孔,其曝露該感測器輸入線之一部分,及一第三接觸孔,其曝露該感測器輸出線之一部分。
  24. 如請求項23之面板,其中該鈍化層進一步包含一曝露該汲電極之一部分之第四接觸孔。
  25. 如請求項24之面板,其進一步包含一經由該第四接觸孔連接至該汲電極之像素電極。
  26. 如請求項25之面板,其進一步包含分別經由該第一、該第二及該第三接觸孔連接至該感測器控制線、該感測器輸入線及該感測器輸出線之接觸輔助件。
  27. 如請求項26之面板,其中該等接觸輔助件形成於與該像素電極相同之層上。
  28. 如請求項22之面板,其中該感測器控制電極、該感測器輸入電極及該感測器輸出電極形成於該面板之一邊緣上。
  29. 如請求項22之面板,其中該感測器控制電極、該感測器輸入電極及該感測器輸出電極形成一個二極體類型之溫度感測器之部分。
  30. 一種薄膜電晶體陣列面板,其包含:一閘極線,其形成於一基板上;一絕緣層,其形成於該閘極線上;一半導體,其形成於該絕緣層上;一歐姆接觸,其形成於該半導體上;一資料線、一汲電極、一感測器輸入電極及一感測器輸出電極,其形成於該歐姆接觸上;及一鈍化層,其形成於該資料線、該汲電極、該感測器輸入電極及該感測器輸出電極上,其中該該感測器輸入電極及該感測器輸出電極形成一種用於一液晶顯示面板之溫度感測器,其中該溫度感測器係配置於該薄膜電晶體陣列面板上且在該面板之一影像顯示區域外部,其中該感測器輸入電極包含由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第一分枝且該感測器輸出電極包含由一預定距離隔開且形成為一梳狀部之複數個第二分枝,且其中該等第一分枝經由該半導體分別與該等第二分枝嚙合。
  31. 如請求項30之面板,其進一步包含一連接至該感測器輸入電極之感測器輸入線及一連接至該感測器輸出電極之感測器輸出線;其中該鈍化層包含一曝露該感測器輸入線之一部分之 第一接觸孔及一曝露該感測器輸出線之一部分之第二接觸孔。
  32. 如請求項31之面板,其中該鈍化層進一步包含一曝露該汲電極之一部分之第三接觸孔。
  33. 如請求項32之面板,其進一步包含一經由該第三接觸孔連接至該汲電極之像素電極。
  34. 如請求項33之面板,其進一步包含分別經由該第一及第二接觸孔連接至該感測器輸入線及該感測器輸出線之接觸輔助件。
  35. 如請求項34之面板,其中該等接觸輔助件形成於與該像素電極相同之層上。
  36. 如請求項30之面板,其中該感測器輸入電極及該感測器輸出電極形成於該面板之一邊緣上。
  37. 如請求項30之面板,其中該感測器輸入電極及該感測器輸出電極形成一電阻器類型之溫度感測器之部分。
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