TWI446061B - 用於偵測儲存電壓之方法，使用該儲存電壓之顯示裝置及用於驅動該顯示裝置之方法 - Google Patents

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Description

用於偵測儲存電壓之方法，使用該儲存電壓之顯示裝置及用於驅動該顯示裝置之方法
本發明係關於一種用於偵測儲存電壓之方法、使用該儲存電壓之顯示裝置及用於驅動該顯示裝置之方法。更特定言之，本發明係關於一種用於偵測施加於儲存線以形成儲存電容器之儲存電壓的方法、使用該儲存電壓之顯示裝置及用於驅動該顯示裝置之方法。
液晶顯示器("LCD")裝置為顯示影像且包括顯示基板、面向顯示基板之對立基板及安置於顯示基板與對立基板之間的液晶層之顯示裝置。
習知地，顯示基板包括閘極線、資料線、儲存線、薄膜電晶體("TFT")及像素電極，其形成於透明基板上以獨立地驅動複數個像素。對立基板包括具有：紅色濾光片(R)、綠色濾光片(G)及藍色濾光片(B)之彩色濾光片層，安置於彩色濾光片之間的邊界部分處之黑色矩陣，及與像素電極相對之共同電極。
最近，已開發與閘極線一起形成之儲存線與資料線部分地重疊之結構以防止漏光及增加孔徑比。
然而，當執行四遮罩法(藉由此方法，使用一個遮罩形成資料線及作用層)時，安置於資料線下方之作用層突起至資料線之輪廓。因此，像素電極與資料線之間的距離增加以對應於作用層之突起長度，以防止產生於像素電極與資料線之間的寄生電容增加，以使得孔徑比可減小。
本發明已努力解決上述問題且本發明之態樣提供一種用於偵測儲存電壓以防止作用層經活化以形成導體之方法，一種使用該儲存電壓之顯示裝置，及一種用於驅動使用該儲存電壓之該顯示裝置的方法。
在例示性實施例中，本發明提供一種用於偵測儲存電壓之方法，該方法包括：將測試電壓施加於顯示面板中的儲存線，同時改變測試電壓，該顯示面板具有安置於儲存線與資料線之間的作用層，該作用層根據測試電壓而處於作用狀態或非作用狀態；及偵測對應於作用層之非作用狀態中之測試電壓的儲存電壓。
根據例示性實施例，偵測儲存電壓包括：量測顯示面板之電流消耗，該電流消耗根據測試電壓之改變而改變；及基於電流消耗而確定儲存電壓。
根據例示性實施例，確定儲存電壓包括確定儲存電壓等同於或小於對應於起始點之測試電壓，在該起始點處，在測試電壓減小時飽和的電流消耗開始迅速減小。
或者，根據另一例示性實施例，確定儲存電壓包括確定儲存電壓等同於或小於對應於起始點之測試電壓，在該起始點處，在測試電壓減小時迅速減小的電流消耗開始飽和。
根據另一例示性實施例，本發明提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括：具有安置於儲存線與資料線之間的作用層之顯示基板；及將儲存電壓供應至儲存線之電源供應部 分，作用層藉由儲存電壓處於非作用狀態。
根據例示性實施例，儲存電壓處於約-20 V與約12 V之間的範圍中。根據例示性實施例，儲存電壓處於約-20 V與約0 V之間的範圍中。
根據例示性實施例，顯示基板包括：第一金屬圖案，其形成於一基板上且包括閘極線及儲存線，閘極線接收自電源供應部分提供之閘極信號；第一絕緣層，其形成於形成有第一金屬圖案之基板上；第二金屬圖案，其形成於第一絕緣層上且包括與儲存線至少部分地重疊且接收自電源供應部分提供之資料信號的資料線；第二絕緣層，其形成於形成有第二金屬圖案之基板上；及像素電極，其對應於每一像素而形成於第二絕緣層上，且與儲存線部分地重疊。根據例示性實施例，作用層形成於第一絕緣層與第二金屬圖案之間。另外，作用層包括突起至第二金屬圖案之外部的作用突起部分。
根據例示性實施例，儲存線包括：與閘極線平行延伸之儲存部分，及自儲存部分沿資料線延伸且與資料線重疊之阻光部分。
根據例示性實施例，阻光部分之寬度大於資料線之寬度及作用層之寬度。
在另一例示性實施例中，本發明提供一種用於驅動顯示裝置之方法，該方法包括：將閘極信號施加於閘極線以接通薄膜電晶體；將資料電壓施加於與作用層及儲存線重疊之資料線以在接通薄膜電晶體時將資料電壓傳輸至像素電 極；及將處於約-20 V與約12 V之間的範圍中之儲存電壓施加於形成像素電極及儲存電容器之儲存線，以維持傳輸至像素電極之資料電壓達一訊框。
根據例示性實施例，施加儲存電壓包括將處於約-20 V與約0 V之間的範圍中之儲存電壓施加於儲存線。
根據本發明，孔徑比可增加且電流消耗可減小。
當結合隨附圖式呈現時，本發明之以上及/或其他態樣、特徵及優勢將自以下實施方式變得更顯而易見。
現將於下文參考展示本發明之實施例的隨附圖式更為全面地描述本發明。然而，本發明可以許多不同形式實施且不應解釋為限於本文所陳述之實施例。實情為，提供此等實施例以使得此揭示內容將變得透徹及完整，且將會完全將本發明之範疇傳達至熟習此項技術者。在圖式中，出於清楚起見，可誇示層及區域之尺寸及相對尺寸。
應瞭解，當一元件或層被稱作"在另一元件或層上"、"連接至"或"耦合至"另一元件或層時，該元件或層可直接在另一元件或層上、連接至或耦合至另一元件或層，或可存在介入元件或層。相比而言，當一元件被稱作"直接在另一元件或層上"、"直接連接至"或"直接耦合至"另一元件或層時，不存在介入元件或層。全文中，相同數字指代相同元件。如本文所使用，術語"及/或"包括一或多個所列相關項之任何及所有組合。
應瞭解，儘管術語第一、第二、第三等可在本文中用以 描述各種元件、組件、區域、層及/或區段，但此等元件、組件、區域、層及/或區段不應受此等術語限制。此等術語僅用以將一元件、組件、區域、層或區段與另一區域、層或區段區分開。因此，下文所論述之第一元件、組件、區域、層或區段可稱作第二元件、組件、區域、層或區段，而不脫離本發明之教示。
為易於描述，可在本文中使用諸如"之下"、"下方"、"下部"、"上方"、"上部"及其類似術語之空間相關術語以描述如圖中所說明之一元件或特徵與另一元件或特徵之關係。應瞭解，空間相關術語意欲除包含該等圖中所描繪之定向以外，亦包含設備在使用或操作中的不同定向。舉例而言，若圖中之設備被翻轉，則描述為在其他元件或特徵"下方"或"之下"之元件應定向為在其他元件或特徵"上方"。因此，術語"下方"可包含上方及下方兩者之定向。可以其他方式(旋轉90度或其他定向)定向該設備且可相應地解釋本文中使用的空間相關描述詞。
本文中所使用之術語僅為了描述特定實施例，且並非意欲限制本發明。除非本文清楚地另外指示，否則如本文所使用，單數形式"一"及"該"亦意欲包括複數形式。應進一步瞭解，當在本說明書中使用術語"包含"時，該術語規定所述特徵、整體、步驟、操作、元件及/或組件之存在，而並非排除一或多個其他特徵、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其群之存在或添加。
本文參考作為本發明之理想化實施例(及中間結構)之示 意說明的橫截面說明來描述本發明之實施例。同樣地，預期到(例如)製造技術及/或公差導致的所說明之形狀的變化。因此，本發明之實施例不應理解為限於本文說明之區域的特定形狀，而可包括由(例如)製造導致的形狀偏差。舉例而言，說明為矩形的植入區域通常將具有圓的或彎曲的特徵，及/或在其邊緣處之植入濃度之梯度，而非自植入至非植入區域之二元改變。同樣地，藉由植入形成之內埋區域可導致在該內埋區域與植入經由其發生之表面之間的區域中之一些植入。因此，圖中說明之區域本質上為示意性的，且其形狀不意欲說明設備之區域的實際形狀且不意欲限制本發明之範疇。
除非另有定義，否則本文中所使用之所有術語(包括技術及科學術語)具有與一般熟習本發明所屬技術之技術者通常理解的相同意義。應進一步瞭解，應將術語(諸如通常使用的字典中所定義之彼等術語)解釋為具有與其在相關技術內容中之涵義一致的涵義，且該涵義不可解釋為理想化或過分形式之意義，除非本文中明確如此定義。
在下文中，將參考隨附圖式詳細闡釋本發明。
圖1為說明根據本發明之實例實施例之顯示裝置100的方塊圖。圖2為說明圖1中之顯示面板200的平面圖。圖3為沿圖2中之線I-I'截取的橫截面圖。
參看圖1、圖2及圖3，顯示裝置100包括顯示影像之顯示面板200及將電源供應至顯示面板200之電源供應部分300。
電源供應部分300將驅動顯示面板200所必需之電源(諸如閘極信號Vg、資料電壓Vp、共同電壓Vcom及儲存電壓Vcst)供應至顯示面板200。將閘極信號Vg施加於閘極線422，且將資料電壓Vp施加於資料線442。將共同電壓Vcom施加於共同電極520，且將儲存電壓Vcst施加於儲存線426。根據例示性實施例，電源供應部分300可為一單元。或者，根據另一例示性實施例，電源供應部分300可被分為複數個單元，每一單元輸出上述電源中之一個以上。
如圖4中所示，顯示面板200包括安置於儲存線426與資料線442之間的作用層470。
顯示面板200包括顯示基板400、面向顯示基板400之對立基板500，及安置於顯示基板400與對立基板500之間的液晶層600。
顯示基板400包括相繼整合於第一基板410上之第一金屬圖案420、第一絕緣層430、作用層470、第二金屬圖案440、第二絕緣層450及像素電極460。根據例示性實施例，第一基板410可包括透明玻璃或基於塑膠之材料，然而，本發明不限於此，且可在必要時改變。
第一金屬圖案420形成於第一基板410上，且包括施加閘極信號Vg所至之閘極線422、電連接至閘極線422之閘電極424，及與閘極線422電分離且施加儲存電壓Vcst所至之儲存線426。
根據例示性實施例，閘極線422沿第一方向延伸。
閘電極424電連接至閘極線422以形成薄膜電晶體("TFT"")’之閘極端子。
根據例示性實施例，儲存線426包括儲存部分426a及阻光部分426b。
儲存部分426a在相鄰閘極線422之間與閘極線422平行延伸。根據例示性實施例，在每一像素P中，儲存部分426a與像素電極460完全重疊。根據例示性實施例，儲存部分426a可具有相對較薄之寬度以增加孔徑比，且經形成鄰近於位於顯示基板之上部上的閘極線422。
阻光部分426b自儲存部分426a沿資料線442延伸以與資料線442重疊。根據例示性實施例，阻光部分426b之寬度大於資料線442之寬度，以防止光在資料線442之兩側洩漏。另外，阻光部分426b與像素電極460部分地重疊以形成儲存電容器Cst。
因此，沿每一像素P之邊緣形成儲存線426以形成儲存電容器Cst，以使得孔徑比可比在橫過每一像素P之中心部分形成儲存線426時增加更多。
根據例示性實施例，第一金屬圖案420包括具有相繼整合之鋁(Al)及鉬(Mo)的鉬/鋁("Mo/Al")雙層結構。或者，根據另一例示性實施例，第一金屬圖案420可包括單一金屬，諸如鋁(Al)、鉬(Mo)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦 (Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)等等，或其合金。另外，根據例示性實施例，第一金屬圖案420可包括具有單一金屬或合金之複數個層。
第一絕緣層430形成於形成有第一金屬圖案420之第一基板410上。第一絕緣層430為保護第一金屬圖案420且使第一金屬圖案420絕緣，且(根據例示性實施例)包括氮化矽("SiNx")或氧化矽("SiOx")之絕緣層。舉例而言，第一絕緣層430可具有約4,000與約4,500之間的厚度。
作用層470及第二金屬圖案440形成於第一絕緣層430上。經由一遮罩法形成作用層470及第二金屬圖案440，以減小遮罩操作之數目。因此，根據例示性實施例，作用層470包括與第二金屬圖案440大體上相同之形狀，且形成於第一絕緣層430與第二金屬圖案440之間。
根據例示性實施例，經由濕式蝕刻操作形成第二金屬圖案440，且經由乾式蝕刻操作形成作用層470，以使得第二金屬圖案440比作用層470得到更多蝕刻。因此，作用層470包括突起至第二金屬圖案440之外部的作用突起部分472。
當用以圖案化作用層470之遮罩不同於用以圖案化第二金屬圖案440之遮罩時，將作用層470形成於與閘電極424重疊之部分中。
根據例示性實施例，作用層470包括半導體層474及歐姆接觸層476。半導體層474為電流流動所經由之通道。歐姆接觸層476減小半導體層474與源電極444及汲電極446之間 的接觸電阻。根據例示性實施例，半導體層474包括非晶矽("a-Si")，且歐姆接觸層476包括以高濃度摻雜有n型摻雜劑之非晶矽("n+a-Si")。
第二金屬圖案440包括施加資料電壓Vp所至之資料線442(例如，參見圖1)，及源電極444及汲電極446。
資料線442沿垂直於第一方向之第二方向延伸，且藉由第一絕緣層430與閘極線422絕緣。根據例示性實施例，資料線442沿橫過閘極線422之第二方向延伸。
源電極444自資料線442延伸，以與閘電極424至少部分地重疊，且源電極444形成薄膜電晶體TFT之源極端子。
汲電極446與源電極444間隔一預定距離，且與閘電極424至少部分地重疊。汲電極446形成薄膜電晶體TFT之汲極端子。因此，包括閘電極424、源電極444、汲電極446及作用層470之薄膜電晶體TFT形成於顯示基板400之每一像素P中。至少一薄膜電晶體TFT形成於每一像素P中以獨立地驅動每一像素P。薄膜電晶體TFT回應於閘極信號Vg而將經由資料線442施加之資料電壓VP傳輸至像素電極460。
根據例示性實施例，第二金屬圖案440包括具有相繼整合之鉬(Mo)、鋁(Al)及鉬(Mo)的鉬/鋁/鉬("Mo/Al/Mo")三層結構。或者，根據另一例示性實施例，第二金屬圖案440包括單一金屬，諸如鋁(Al)、鉬(Mo)、釹(Nd)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鈦(Ti)、鎢(W)、銅(Cu)、銀(Ag)等等，或其合金。另外，根據例示性實施例，第二金屬圖案440可 包括具有單一金屬或合金之複數個層。
第二絕緣層450形成於形成有第二金屬圖案420之第一基板410上。第二絕緣層450為保護第二金屬圖案440及使第二金屬圖案440絕緣，且(例如)包括氮化矽("SiNx")或氧化矽("SiOx")之絕緣層。舉例而言，第二絕緣層450可具有約1,500與約2,000之間的厚度。
像素電極460對應於每一像素P而形成於第二絕緣層450上，且包括透明導電材料，光可經由該透明導電材料而透射。舉例而言，根據例示性實施例，像素電極460包括氧化銦鋅("IZO")或氧化銦錫("ITO")。
像素電極460經由接觸孔CNT電連接至汲電極446，經由第二絕緣層450形成該接觸孔CNT。因此，可將藉由接通薄膜電晶體TFT而傳輸至汲電極446之資料電壓Vp施加於像素電極460。
如上文提及，根據例示性實施例，像素電極460與儲存部分426a完全重疊，且與阻光部分426b部分地重疊，以形成儲存電容器Cst。藉由驅動薄膜電晶體TFT而施加於像素電極460之資料電壓Vp由儲存電容器Cst維持達一訊框。
根據例示性實施例，像素電極460包括預定開口圖案以將每一像素P分為複數個域，以使得可增強顯示面板200之光視角。
對立基板500面向顯示基板400，從而安置位於對立基板500與顯示基板400之間的液晶層600。根據例示性實施例，對立基板500包括形成於第二基板510之面向顯示基板 400之表面上的共同電極520。將共同電壓Vcom施加於共同電極520。
共同電極520包括透明導電材料以透射光。根據例示性實施例，共同電極520包括氧化銦鋅("IZO")或氧化銦錫("ITO")，其與像素電極460之氧化銦鋅("IZO")或氧化銦錫("ITO")相同。共同電極520包括開口圖案以增強光視角。
根據例示性實施例，對立基板500進一步包括黑色矩陣530。黑色矩陣530形成於像素P之間的邊界部分處且防止光洩漏，以使得增強對比率。
根據例示性實施例，對立基板500可進一步包括彩色濾光片層(未圖示)以顯示彩色影像。彩色濾光片層可包括經相繼配置以分別對應於像素P之紅色濾光片、綠色濾光片及藍色濾光片。
具有光學特性及電特性(諸如各向異性折射率及各向異性介電比率)之液晶有規則地配置於液晶層600中。液晶之配置方向由自施加於像素電極460之資料電壓Vp與施加於共同電極520之共同電壓Vcom之間的差異產生的電場來改變，以使得液晶層控制穿過液晶之光的透射率。
如上文提及，當作用層470安置於儲存線426與資料線442之間且作用突起部分472突起至資料線442之外部。根據例示性實施例，在作用層470經更多活化時，資料線442可與像素電極46更多地間隔開。
圖4為說明經由四遮罩法形成之顯示基板及經由五遮罩法形成之顯示基板的橫截面圖。
參看圖4，當經由五遮罩法C1製造顯示基板400時，作用層470未形成於資料線442下方，以使得像素電極460與資料線442間隔第一距離d1，以最小化產生於像素電極460與資料線442之間的寄生電容。
然而，當經由四遮罩法C2製造顯示基板400時，作用層470形成於資料線442下方且作用層470包括突起至資料線442之外部的作用突起部分472。當將預定儲存電壓Vcst施加於儲存線426以驅動顯示基板400時，作用層470經完全活化為導體。當作用層470為導體時，像素電極460與資料線442間隔第二長度d2，其為第一長度d1與第三長度d3之總和(第三長度d3對應於作用突起部分472之長度)，以最小化產生於像素電極460與資料線442之間的寄生電容。因此，孔徑比減小多達像素電極460之區域的減小之量。
基於施加於儲存線426之儲存電壓Vcst來活化作用層470。因此，藉由控制施加於儲存線426之儲存電壓Vcst而使像素電極460與資料線442之間的距離減小，以增加孔徑比。
圖5為說明用於偵測儲存電壓以減小像素電極460與資料線442之間的距離之方法的流程圖。
參看圖4及圖5，將不斷改變之測試電壓施加於儲存線426，以使得在具有安置於儲存線426與資料線442之間的作用層470之顯示面板200中偵測儲存電壓Vcst(操作S10)。舉例而言，可施加具有約-20 V與約20 V之間的範圍中之測試電壓。
接著，量測顯示面板200之隨施加於儲存線426之測試電壓改變而改變的電流消耗(操作S20)。
圖6為說明顯示面板之根據測試電壓之改變而改變之電流消耗的曲線圖。
參看圖4及圖6，當作用層470未形成於儲存線426與資料線442之間(C1)時，電流消耗幾乎不隨測試電壓改變而改變。
然而，當作用層470形成於儲存線426與資料線442之間(C2)時，電流消耗很難增加至第一點P1，電流消耗自第一點P1迅速地增加至第二點P2且接著電流消耗隨測試電壓增加而自第二點P2飽和。
接著，自所量測之電流消耗確定儲存電壓Vcst(操作S30)。
通常，顯示面板之電流消耗受資料線442之電容影響。根據例示性實施例，電流消耗可隨資料線442之電容增加而增加，且電流消耗可隨資料線442之電容減小而減小。另外，資料線442之電容受產生於資料線442與像素電極460之間的寄生電容影響。
如圖6中所說明，當作用層470未形成於儲存線426與資料線442之間(C1)時，資料線442維持與像素電極460之恆定距離，以使得產生於資料線442與像素電極460之間的寄生電容幾乎不改變。因此，資料線442之寄生電容幾乎不改變，以使得儘管儲存電壓Vcst改變，但電流消耗幾乎不變化。
然而，當作用層470形成於儲存線426與資料線442之間(C2)時，電流消耗根據基於儲存電壓Vcst活化作用層470而顯著地改變。
根據例示性實施例，可根據施加於經安置鄰近於作用層470之儲存線426之儲存電壓Vcst的位準而活化作用層470。作用層470可處於作用層470經完全活化且為導體之作用狀態、作用層470正經活化之作用進行狀態，及具有作用層470未經活化之絕緣狀態的非作用狀態。
當作用層470處於作用狀態時，作用層470為導體，以使得作用層470與像素電極460之間的距離減小作用突起部分472之長度且資料線442之電容增加。因此，電流消耗可增加。
然而，當作用層470處於非作用狀態時，作用層對資料線442之電容沒有影響，以使得作用層470與像素電極460之間的距離增加多達作用突起部分472之長度。因此，電流消耗可減小。另外，當因為在作用層470未形成於儲存線426與資料線442之間時，作用層470處於非作用狀態時，像素電極460與資料線442之間的距離被預設為第一距離d1。因此，孔徑比可增加。
此外，當作用層470處於非作用狀態時，儲存線426與資料線442之間的距離增加多達作用層470之厚度，以使得資料線442之電容減小更多。因此，電流消耗可減小更多。
當作用層470處於作用進行狀態時，作用層470處於非作用狀態至作用狀態之進程中，以使得電流消耗根據作用層 470經活化而迅速地增加。當作用層470處於作用進行狀態時，孔徑比可增加且電流消耗可比在作用層470處於作用狀態時增加更多。
因此，在施加於儲存線426之測試電壓改變時活化作用層470，以使得顯示面板200之電流消耗改變且自所改變之電流消耗確定儲存電壓Vcst之範圍。舉例而言，當在測試電壓改變時活化作用層470時，可確定在非作用週期(其中作用層470處於非作用狀態)中包括之測試電壓的儲存電壓Vcst，且可將所確定之儲存電壓Vcst施加於顯示面板200，以使得孔徑比可增加且電流消耗可減小。
根據例示性實施例，當確定儲存電壓Vcst時，可將大體上等同於或低於對應於第二點P2(其中在測試電壓減小時飽和之電流消耗迅速減小)之測試電壓的電壓確定為儲存電壓Vcst。舉例而言，預設儲存電壓Vcst，以使得作用層470處於作用進行狀態及大體上對應於非作用狀態之絕緣狀態。因此，孔徑比可增加且電流消耗可比在作用層470處於作用狀態時減小更多。根據例示性實施例，可將儲存電壓Vcst預設為低於約12 V(對應於圖6中之第二點P2)。然而，根據另一例示性實施例，在考慮圖6中之量測結果後，確定儲存電壓Vcst處於約-12 V與約12 V之間的範圍中。
根據另一例示性實施例，當確定儲存電壓Vcst時，可將大體上等同於或低於對應於第一點P1(其中在測試電壓減小時迅速減小之電流消耗飽和)之測試電壓的電壓確定為 儲存電壓Vcst。根據另一例示性實施例，預設儲存電壓Vcst，以使得作用層470大體上處於非作用狀態。因此，孔徑比可增加且電流消耗可比在作用層處於作用狀態及作用進行狀態減小更多。根據例示性實施例，將儲存電壓Vcst預設為低於約0V(對應於圖6中之第一點P1)。根據另一例示性實施例，將儲存電壓Vcst預設為處於約-7V與約7V之間的範圍中，以使得儲存電壓Vcst可同時用於經常用於顯示面板200中之閘極斷開電壓Voff或共同電壓Vcom。
接著，參看圖1，將闡釋用於驅動使用由上文提及之偵測方法偵測之儲存電壓Vcst之顯示裝置的方法。部分(A)為每一像素之等效電路圖。
參看圖1及圖3，將電源(諸如閘極信號Vg、資料電壓Vp、共同電壓Vcom、儲存電壓Vcst等等)自電源供應部分300傳輸至顯示面板200，以驅動顯示面板200。
將自電源供應部分300提供之閘極信號Vg施加於閘極線422，以接通薄膜電晶體TFT。
同時，將資料電壓Vp施加於與作用層470及儲存線426重疊之資料線442，以使得在接通薄膜電晶體TFT時，將自電源供應部分300提供之資料電壓Vp傳輸至像素電極460。
另外，將處於約-20V與約12V之間的範圍中之儲存電壓Vcst施加於與像素電極460形成一儲存電容器之儲存線426，以藉由接通薄膜電晶體TFT而維持傳輸至像素電極460之資料電壓Vp。儲存電壓Vcst藉由上文提及之用於偵測儲存電壓之方法而得以偵測，且在作用層470大體上處 於非作用狀態之電壓範圍中。儲存電壓Vcst可在約-20 V與約0 V之間的範圍中，在約0 V下作用層470大體上處於絕緣狀態。
在中間安置液晶層600彼此面向之像素電極460及共同電極520形成液晶電容器Clc(如圖1中所示)。液晶之配置方向由施加於像素電極460之資料電壓Vp與施加於共同電極520之共同電壓Vcom之間的差異產生的電場來改變，且液晶層600控制穿過液晶之光的透射率。因此，液晶之配置方向改變，以使得顯示面板200控制光透射率以顯示影像。
根據例示性實施例，在具有安置於儲存線426與資料線442之間的作用層470之顯示面板200中偵測作用層大體上處於非作用狀態之儲存電壓。藉由使用所偵測之儲存電壓Vcst來驅動顯示面板200，以使得孔徑比可增加且電流消耗可減小。
儘管已參考本發明之一些例示性實施例來展示及描述本發明，但一般熟習此項技術者應瞭解，在不脫離由隨附申請專利範圍界定之本發明之精神及範疇的情況下，可對本發明進行形式及細節上的各種改變。
100‧‧‧顯示裝置
200‧‧‧顯示面板
300‧‧‧電源供應部分
400‧‧‧顯示基板
410‧‧‧第一基板
420‧‧‧第一金屬圖案
422‧‧‧閘極線
424‧‧‧閘電極
426‧‧‧儲存線
426a‧‧‧儲存部分
426b‧‧‧阻光部分
430‧‧‧第一絕緣層
440‧‧‧第二金屬圖案
442‧‧‧資料線
444‧‧‧源電極
446‧‧‧汲電極
450‧‧‧第二絕緣層
460‧‧‧像素電極
470‧‧‧作用層
472‧‧‧作用突起部分
474‧‧‧半導體層
476‧‧‧歐姆接觸層
500‧‧‧對立基板
510‧‧‧第二基板
520‧‧‧共同電極
530‧‧‧黑色矩陣
600‧‧‧液晶層
A‧‧‧部分
C1‧‧‧五遮罩法
C2‧‧‧四遮罩法
Clc‧‧‧液晶電容器
CNT‧‧‧接觸孔
Cst‧‧‧儲存電容器
d1‧‧‧第一距離/第一長度
d2‧‧‧第二長度
d3‧‧‧第三長度
P‧‧‧像素
P1‧‧‧第一點
P2‧‧‧第二點
TFT‧‧‧薄膜電晶體
Vcom‧‧‧共同電壓
Vcst‧‧‧儲存電壓
Vg‧‧‧閘極信號
Vp‧‧‧資料電壓
圖1為說明根據本發明之顯示裝置之例示性實施例的方塊圖；圖2為說明根據本發明之例示性實施例之圖1中之顯示面板的平面圖；圖3為沿圖2中之線I-I'截取的橫截面圖； 圖4為說明根據本發明之經由四遮罩法形成之顯示基板及經由五遮罩法形成之顯示基板之例示性實施例的橫截面圖；圖5為說明根據本發明之用於偵測儲存電壓以減小像素電極與資料線之間的距離之方法之例示性實施例的流程圖；及圖6為說明根據本發明之顯示面板之根據測試電壓之改變而改變的電流消耗之例示性實施例的曲線圖。
100‧‧‧顯示裝置
200‧‧‧顯示面板
300‧‧‧電源供應部分
422‧‧‧閘極線
442‧‧‧資料線
460‧‧‧像素電極
A‧‧‧部分
Clc‧‧‧液晶電容器
Cst‧‧‧儲存電容器
Vcom‧‧‧共同電壓
Vcst‧‧‧儲存電壓
Vg‧‧‧閘極信號
Vp‧‧‧資料電壓

Claims (22)

  1. 一種用於偵測一儲存電壓之方法，該方法包含：將一測試電壓施加於一顯示面板中之一儲存線，同時改變該測試電壓，該顯示面板具有一安置於該儲存線與一資料線之間的作用層，該作用層根據該測試電壓而處於一作用狀態或一非作用狀態；及偵測對應於在該作用層之一非作用狀態中之該測試電壓的該儲存電壓。
  2. 如請求項1之方法，其中偵測該儲存電壓包含：量測該顯示面板之電流消耗，該電流消耗根據該測試電壓之一改變而改變；及基於該電流消耗而確定該儲存電壓。
  3. 如請求項2之方法，其中確定該儲存電壓包含：確定該儲存電壓等同於或小於對應於一起始點之該測試電壓，在該起始點處，在該測試電壓減小時飽和的該電流消耗開始迅速減小。
  4. 如請求項3之方法，其中該儲存電壓處於約-20V與約12V之間的一範圍中。
  5. 如請求項2之方法，其中確定該儲存電壓包含：確定該儲存電壓等同於或小於對應於一起始點之該測試電壓，在該起始點處，在該測試電壓減小時迅速減小的該電流消耗開始飽和。
  6. 如請求項5之方法，其中該儲存電壓處於約-20V與約0V之間的一範圍中。
  7. 一種顯示裝置，其包含：一顯示基板，其具有一安置於一儲存線與一資料線之間的作用層；及一電源供應部分，其將一儲存電壓供應至該儲存線，該作用層藉由該儲存電壓而處於一非作用狀態。
  8. 如請求項7之顯示裝置，其中該儲存電壓處於約-20V與約12V之間的一範圍中。
  9. 如請求項8之顯示裝置，其中該顯示基板包含：一第一金屬圖案，其形成於一基板上，且包含一閘極線及該儲存線，該閘極線接收一自該電源供應部分提供之閘極信號；一第一絕緣層，其形成於形成有該第一金屬圖案之該基板上；一第二金屬圖案，其形成於該第一絕緣層上，且包含一與該儲存線至少部分地重疊且接收一自該電源供應部分供應之資料信號的資料線；一第二絕緣層，其形成於形成有該第二金屬圖案之該基板上；及一像素電極，其對應於每一像素而形成於該第二絕緣層上，且與該儲存線部分地重疊。
  10. 如請求項9之顯示裝置，其中該作用層形成於該第一絕緣層與該第二金屬圖案之間。
  11. 如請求項10之顯示裝置，其中該作用層包含一突起至該第二金屬圖案之一外部的作用突起部分。
  12. 如請求項11之顯示裝置，其中該儲存線包含：一儲存部分，其與該閘極線平行延伸；及一阻光部分，其自該儲存部分沿該資料線延伸以與該資料線重疊。
  13. 如請求項12之顯示裝置，其中該阻光部分之一寬度大於該資料線之寬度及該作用層之寬度。
  14. 如請求項12之顯示裝置，其中在每一像素中，該儲存部分與該像素電極完全重疊。
  15. 如請求項12之顯示裝置，其中該儲存部分包含一薄的寬度且經形成鄰近於位於該顯示基板之一上部中的該閘極線。
  16. 如請求項10之顯示裝置，其中該作用層為一與該第二金屬圖案相同之形狀。
  17. 如請求項9之顯示裝置，其中該儲存線係沿每一像素之一邊緣而形成以形成一儲存電容器。
  18. 如請求項8之顯示裝置，其中該儲存電壓處於約-20V與約0V之間的一範圍中。
  19. 如請求項18之顯示裝置，其中該儲存電壓處於約-7V與約-1V之間的一範圍中。
  20. 一種用於驅動一顯示裝置之方法，該方法包含：將一閘極信號施加於一閘極線以接通一薄膜電晶體；將一資料電壓施加於一與一作用層及一儲存線重疊之資料線以在接通該薄膜電晶體時將該資料電壓傳輸至一像素電極；及 將一處於約-20V與約12V之間的一範圍中之儲存電壓施加於與該像素電極形成一儲存電容器之該儲存線，以維持傳輸至該像素電極之該資料電壓達一訊框。
  21. 如請求項20之方法，其中將處於約-20V與約0V之間的一範圍中之該儲存電壓施加於該儲存線。
  22. 如請求項21之方法，其中將處於約-7V與約-1V之間的一範圍中之該儲存電壓施加於該儲存線。
TW097107247A 2007-06-20 2008-02-29 用於偵測儲存電壓之方法，使用該儲存電壓之顯示裝置及用於驅動該顯示裝置之方法 TWI446061B (zh)

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