TWI464964B - 磁片、天線模組、電子裝置及磁片製造方法 - Google Patents

磁片、天線模組、電子裝置及磁片製造方法 Download PDF

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Description

磁片、天線模組、電子裝置及磁片製造方法 [相關申請案之交互參照]
本申請案主張來自於2010年3月29日向日本專利局申請之日本專利申請案號2010-74956的優先權，其全部內容以引用方式併於此。
本揭露有關於設置在天線旁的磁片，使用該磁片之天線模組、其上安裝該天線模組的電子設備、以及該磁片的製造方法。
近年來，複數射頻(RF)天線係安裝在無線通訊裝置上。拿行動電話為例，電話通訊天線(700 MHz-2.1 GHz)、單波段天線(470-700 MHz)、GPS天線(1.5 GHz)、無線LAN/藍芽天線(2.45 GHz)、及之類係安裝在一個行動電話上。未來，除了那些RF天線外，會有諸如數位無線電天線(190 MHz)、次世代多媒體通訊天線(210 MHz)、及UWB天線(3-10 GHz)之RF天線安裝在一個行動電話上的可能性。
為了安裝這種複數RF天線並進一步使電子設備更小及更薄，需將RF天線變得更小。為了縮小RF天線，提出利用使用材料之電容率及導磁係數之波長縮短的設計方式。波長之局部縮短表示成{1/√(εr×μr)}，其中εr為相對電容率且μr為相對導磁係數。亦即，藉由使用以具有大相對電容率或大導磁係數的材料製成之基板來製造天線，可建構具有目標頻率之具有較短天線型樣的小尺寸天線。從材料物理性質的觀點來看，介電質材料僅具有電容率，磁性材料不僅具有導磁係數亦具有電容率。因此，藉由實際上使用磁性材料，可進一步縮小天線。
此外，近年來，廣泛使用稱為RFID(射頻識別)之非接觸式通訊系統。作為用於RFID系統中之無接觸式通訊方法，使用電容耦合系統、電磁感應系統、無線電波通訊系統、及之類。在其中，使用電磁感應系統的RFID系統之構造為，例如，在讀取器/寫入器側之初級線圈以及在轉頻器側之次級線圈。那兩線圈之磁耦致能經由線圈的資料通訊。轉頻器之每一天線線圈及讀取器/寫入器作用為LC共振電路。一般而言，那些線圈之每一者的共振頻率調整成用於通訊以共振之載波的載波頻率，藉此能夠設定轉頻器與讀取器/寫入器之間的適當通訊距離。
此外，近年來，非接觸式饋電(非接觸式電力傳輸、無線電力傳輸)系統也受到注目。作為用於非接觸式饋電系統中之電力傳輸方法，使用電磁感應系統、電磁共振系統、或之類。電磁感應系統採用與上述RFID系統中使用之系統類似的原理，並藉由使用當施加電流至初級線圈時所產生之磁場來傳送電力至次級線圈。同時，作為電磁共振系統，已知有使用電場耦合者及使用磁場耦合者。電磁共振系統使用藉由使用共振的電場或磁場耦合來執行電力傳輸。這兩者中，近年來使用磁場耦合的電磁共振系統開始受到注目。藉由使用線圈來設計其之共振天線。
雖天線線圈設計成使得天線模組本身在目標頻率共振，在其中天線線圈實際安裝在電子設備的情況中，難以獲得目標特性。這是因為從天線線圈所產生之磁場成分干擾(耦合)存在於其附近中之金屬及之類，藉此減少天線線圈的感應成分而位移共振頻率並進一步產生渦流損耗。作為這些問題之對策之一，使用磁片。藉由在天線線圈與存在於其附近中之金屬之間設置磁片，從天線線圈所產生之磁通量集中在磁片上，藉此能夠減少金屬干擾。
在此，作為磁片的材料之一，鐵磁體(主要包括氧化鐵之陶瓷)為已知。由於鐵磁體堅硬且脆弱，鐵磁體對於機械應力非常敏感，並且當稍施碰撞時會被壓碎。此外，壓碎的方式(壓碎方向、分裂之塊的大小、及之類)使導磁係數波動，且影響天線線圈的共振頻率，這產生問題。有鑑於上述，專利文獻1及專利文獻2的每一者提出事先受到開槽處理的鐵磁體板以控制壓碎鐵磁體的方式。
專利文獻1敘述藉由雷射處理在「陶瓷片」上形成虛線狀的溝槽，並且該陶瓷片係以一種方式設置在設備上，使得陶瓷片沿溝槽分裂。專利文獻1敘述，因此，形成複數陶瓷塊，並且增加在設備上設置陶瓷片的自由度。此外，專利文獻2敘述具有藉由研磨程序所形成之溝槽的「燒結的鐵磁體基板」。專利文獻2敘述，因此，當在設備上設置燒結的鐵磁體基板時，沿溝槽分裂燒結的鐵磁體板，藉此防止不規則破裂及損失。
如上述，專利文獻1及專利文獻2中所述的鐵磁體板皆沿著事先形成的溝槽分裂。因此，在使用那些鐵磁體板之每一者作為天線線圈的磁片之情況中，認為依據在沿溝槽分裂的狀態中之導磁係數來調整天線線圈之共振頻率。然而，在當安裝那些鐵磁體板之每一者到設備上時或安裝之後施加應力至鐵磁體板的情況中，恐進一步細分鐵磁體板並且改變鐵磁體板之導磁係數。在這種情況中，天線線圈的共振頻率，其假設鐵磁體板係沿溝槽分裂而加以調整，會自預期值變動。
有鑑於上述情況，希望提供一種磁片，其能夠防止伴隨著因為鐵磁體之非意圖分裂造成導磁係數之波動而來的共振頻率的位移、使用該磁片之天線模組、其上安裝該天線模組的電子設備、以及該磁片的製造方法。
在一實施例的一態樣中，提供與天線模組一起使用的磁片。磁片可包括具有複數隨機塑形塊之磁透層，使該磁片組態成影響該天線模組的共振頻率。該些隨機塑形塊之至少一者不具有矩形或三角形形狀。
在一實施例的再一態樣中，提供一種製造與天線模組一起使用之磁片之方法。該方法可包含將一磁透層分成複數隨機塑形塊，使該磁片組態成影響該天線模組的共振頻率，該些隨機塑形塊之至少一者不具有矩形或三角形形狀。
在一實施例的另一態樣中，提供一種製造與天線模組一起使用之磁片之方法。該方法包含在磁透層之頂表面或底表面的至少一者上設置保護層以形成該磁片；以及於該磁透層的外表面上在第一方向及第二方向中旋轉滾輪裝置，以將該磁透層分成複數隨機塑形塊，使該磁片組態成影響該天線模組的共振頻率。該些隨機塑形塊之至少一著不具有矩形或三角形形狀。該外表面與該磁透層之該頂表面或底表面之一相鄰。該滾輪裝置具有預定半徑。
在一實施例的又一態樣中，提供包含磁透層、第一保護層、第二保護層之一種磁片。該第一保護層設置在該磁透層的第一表面上且該第二保護層設置在該磁透層之第二表面上。該第二表面與該第一表面相對。該磁透層具有複數隨機塑形塊之磁透層。該些隨機塑形塊之至少一者不具有矩形或三角形形狀。該磁片組態成可與天線模組一起使用並在操作期間該磁透層影響該天線模組的希望共振頻率。
此後，將參照圖示敘述本發明之一實施例。
第1圖為顯示根據本發明之一實施例的磁片1之透射圖。
第2圖為顯示磁片1之層結構的爆炸透射圖。
此後，與磁片1之片表面(第一表面)平行的方向稱為X方向及Y方向，且層壓方向稱為Z方向(第一方向)。
如第1及2圖中所示，磁片1構造成使得鐵磁體層2夾於第一保護層3及第二保護層4之間。注意到第1及2圖中所示之磁片1的形狀為正方形，但磁片1可具有任意的形狀。
第3圖為顯示鐵磁體層2的平面圖。
鐵磁體層2可以各種鐵磁體之任一者製成，諸如Mn-Zn鐵磁體、Ni-Zn鐵磁體、Ni-Zn-Cu鐵磁體、Cu-Zn鐵磁體、Cu-Mg-Zn鐵磁體、Mn-Mg-Al鐵磁體、及YIG鐵磁體。鐵磁體層2的厚度為例如10μm至5mm。
如第3圖中所示，鐵磁體層2以複數隨機塑形鐵磁體塊2a所製成，其中至少一這種隨機塑形鐵磁體塊不具有矩形或三角形形狀。亦如第3圖中所示，該複數隨機塑形鐵磁體塊之一或更多不具有等於九十度的內角。可藉由使用下述方法來分裂一鐵磁體板而形成鐵磁體塊2a。鐵磁體塊2a具有在Z方向中近乎恆定且在X及Y方向中隨機之形狀(N稜柱：N為等於或大於3之任意數)。形成鐵磁體層2使得鐵磁體塊2a的「最長邊」等於或小於厚度的十倍。最長邊為在鐵磁體層2之預定區域(如10mm×10mm)中之X-Y方向中的最長塊。第3圖顯示在此所示之鐵磁體層2的最長邊L。此外，假設鐵磁體塊2a為正方形，在最長邊等於或小於厚度的十倍之情況中，在X-Y平面上之鐵磁體塊2a的面積等於或小於厚度平方之100(10×10)倍。
第一保護層3黏接至鐵磁體層2，保護鐵磁體層2，並在鐵磁體層2上之個別位置支撐鐵磁體塊2a。第一保護層3可以撓性材料製成，例如，諸如PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)、丙烯酸、鐵氟龍(Teflon：註冊商標)之聚合物材料、紙張、單面黏性材料、雙面黏性材料、或之類。替代地，作為第一保護層3，可使用撓性印刷板。
第二保護層4黏接至鐵磁體層2的表面，該表面與第一保護層3之表面相對，保護鐵磁體層2，並在鐵磁體層2上之個別位置支撐鐵磁體塊2a。第二保護層4係以和第一保護層3類似的材料製成。第一保護層3之材料可與第二保護層4之材料相同或不同。
以上述方式構造磁片1。如上述，將鐵磁體層2分成具有隨機形狀之複數鐵磁體塊2a。因此，在安裝天線線圈於磁片1上之後施加應力時的情況中，鐵磁體層2將不會進一步分裂，且能夠防止上述之導磁係數的波動。
磁片製造方法
首先，製造鐵磁體板片，從其製造磁片1。
第4圖為顯示鐵磁體板片5之爆炸透射圖。
如第4圖中所示，藉由黏接上述第一保護層3及第二保護層4至鐵磁體板6來形成鐵磁體板片5。鐵磁體板6為以上述材料製成之鐵磁體所製成之板，且不加以分裂。
接下來，在鐵磁體板片5上執行「分裂處理」。
第5圖為顯示如何執行分裂處理的圖。
如第5A圖中所示，藉由將鐵磁體板片5捲繞於滾輪R並旋轉滾輪R，放出鐵磁體板片5。在此，任意選擇滾輪R的旋轉速度。由於第一保護層3及第二保護層4為撓性，當圍繞滾輪R捲繞鐵磁體板片5時所產生的應力施加至鐵磁體板6，藉此壓碎鐵磁體板6。第一保護層3及第二保護層4在預定位置支撐被壓碎的鐵磁體板6之碎塊。注意到滾輪R之直徑與鐵磁體板6如何被壓碎之間有一預定關係，且將於下說明該關係。
如第5B圖中所示，在由箭頭A所示之一方向(第5B圖中之X方向)中捲繞鐵磁體板片5，且之後，在由箭頭B所示之一方向中捲繞鐵磁體板片5，其與箭頭A所示之方向呈正交(第5B圖中之Y方向)。結果為，在兩正交方向中施加應力，並且將鐵磁體板6分成具有隨機形狀之複數鐵磁體塊2a。若僅在一方向中捲繞鐵磁體板片5，會沿著滾輪R以條狀方式分裂鐵磁體板6。在此情況中，在其中在安裝之後於和條方向不同的方向中施加應力的情況中，會進一步分裂鐵磁體板6，並且會如下述般使導磁係數波動。注意到由箭頭A及B所示之圍繞滾輪R的捲繞方向不限於正交方向，但可為兩個不同的方向。
如上述，藉由分裂處理製造出鐵磁體板片5並壓碎鐵磁體板6，藉此製造出磁片1。
天線模組之構造
將敘述其中將磁片1及天線線圈模組化的天線模組。
第6圖為顯示天線模組10的透射圖。
天線模組10用於RF(射頻)通訊、RFID(射頻識別)系統、非接觸式饋電系統、或之類。在此，將假設天線模組10為RFID之天線模組來進行說明。不限於上述，天線模組10可為其中結合磁片1及天線線圈的模組。
如第6圖中所示，天線模組10包括磁片1、設置在磁片1上之天線線圈11、及連接至天線線圈11的IC晶片12。天線線圈11及IC晶片12藉由例如黏合而設置在磁片1上。
天線線圈11為以線圈方式捲繞之導電線，且任意選擇其之形狀及捲繞數目。IC晶片12連接至天線線圈11的兩端。在RFID系統中，進入天線模組10之電磁波於天線線圈11中產生感應電動勢，其係供應至IC晶片12。藉由此電力之驅動，IC晶片12從藉由天線線圈11所輸入的進入電磁波(載波)儲存資訊，或輸出IC晶片12儲存至天線線圈11的資訊作為載波。
可任意選擇磁片1相關於天線線圈11之大小。有鑑於磁片1之角色，即防止從天線模組10所產生之磁場成分與在天線模組10附近中存在的金屬與之類的干擾(耦合)，較佳磁片1分佈於天線線圈11之大部分上方。
電子設備之構造
將敘述其上安裝天線模組10之電子設備。
第7圖為顯示電子設備20之示意圖。
如第7圖中所示，電子設備20包括殼體21，且殼體21容納天線模組10。電子設備20可為任何種類的設備，能夠執行RF通訊、RFID通訊、無接觸式饋電、或之類，諸如行動資訊終端、行動電話、或IC(積體電路)卡。無論設備種類為何，電子設備20大部分的時候包括，金屬件，如電池及屏蔽板。因此，在安裝於電子設備20上之天線模組10的附近中，存在與從天線模組10所產生之磁場成分干擾(耦合)的金屬及之類。
電子設備20執行經由電磁波於電子設備20與另一設備(此後稱為目標設備)之間的通訊或電力傳輸。在此情況中，設計電子設備20以接收具有預定頻率之電磁波並傳送具有相同頻率的電磁波。詳言之，天線線圈11及其之周邊電路形成LC共振電路，並且，在其中LC共振電路之頻率(共振頻率)與進入天線線圈11之電磁波的頻率相同(或接近)的情況中，放大感應的電流並且用於通訊或電力傳輸。在其中從天線線圈11輻射電磁波的情況中，類似地，輻射電磁波，其為LC共振電路之共振頻率。由於此，在進入或經輻射的電磁波與共振頻率不同的情況中，顯著降低通訊效率或傳輸效率。因此，應調整電子設備20使得電磁波變成與根據目標設備的共振頻率相同(或接近)。注意到此實施例中敘述天線線圈11，但天線的形狀不限於線圈形狀。在RF通訊中，使用具有各種形狀之天線，如偶極形狀或倒F形狀。在這種情況中，也應鑑於周邊材料而調整天線之共振頻率。
磁片之導磁係數對共振頻率之影響
在以磁片1及天線線圈11製成之天線模組10中，將藉由使用模擬分析來敘述天線線圈11之共振頻率如何受到磁片1之導磁係數影響。
第8圖顯示模擬模型S。第8A圖為顯示模擬模型S之示意圖，且第8B圖為顯示模擬模型S的剖面圖。如第8圖中所示，模擬模型S係由金屬板M、磁片J、及天線線圈A所構成。
金屬板M及天線線圈A兩者皆以銅製成。磁片J具有預定的複數相對導磁係數。複數相對導磁係數具有實部μr '及虛部μr "。實部μr '有關於具有與磁場相同相位之磁通量密度成分。虛部μr "為包括相位中之阻滯的指數，且相應於磁能的損耗。金屬板M之大小在X方向中為15.0mm；在Y方向中為14.5mm；且在厚度(Z方向)中為0.3mm。磁片J在X方向中為15.0mm；在Y方向中為14.5mm；且在厚度(Z方向)中為0.1mm。天線線圈A在線寬(X方向或Y方向)中為1.0mm且在厚度(Z方向)中為0.05mm。在天線線圈A與磁片J之間的間隙為0.1mm，且在磁片J與金屬板M之間的間隙為0.05mm。
藉由使用上述模擬模型S來執行模擬分析。第9圖為顯示模擬分析結果的圖。S11特性為表示電路之傳輸/反射電氣特性的S參數之一，且為由輸入端反射之電對進入輸入端之電的比率。在模擬分析中，在其中磁片J之虛部μr "為0且實部μr '為20、30、...、80的每一者之情況中計算S11特性。在每一圖中，具有最小S11特性之頻率為共振頻率。第10圖為顯示共振頻率對各個實部μr '的表。
如第9及10圖中所示，當導磁係數(實部μr ')互不相同時，共振頻率也互不相同。例如，了解到在複數相對導磁係數之實部μr '為50之磁片J與複數相對導磁係數之實部μr '為40之磁片J之間產生0.36 MHz的共振頻率差。了解到，因為經常設計諸如RFID之天線線圈使得共振頻率之變異落在0.1 MHz內，10之導磁係數差變成天線變異之極大因素。如上述，當磁片1之導磁係數波動時，共振頻率波動。
鐵磁體層之分裂大小如何影響導磁係數
在具有磁片1之天線模組10中，將敘述鐵磁體層2之分裂大小如何影響導磁係數。
第11圖分別顯示複數相對導磁係數(實部μr '及虛部μr ")對包括具有鐵磁體層之不同分裂大小的磁片之天線模組中頻率之測量結果。鐵磁體層之厚度設定成0.1mm。對於分裂使得藉由分裂所形成之鐵磁體塊的最長邊等於或小於1.0mm(等於或小於厚度的十倍)之鐵磁體層以及分裂使得鐵磁體塊之平均長度為近乎2.0mm之鐵磁體層進行測量。在第11圖中，實線顯示前者，且虛線顯示後者。第12圖為顯示在第11圖中所示之測量結果的預定頻率之複數相對導磁係數的實部μr '及虛部μr "之值的表。
如第11及12圖中所示，根據鐵磁體層之分裂大小，複數相對導磁係數(實部μr '及虛部μr ")顯著改變。當分裂大小變得較小時，實部μr '及虛部μr "傾向於減少。例如，在用於RFID中之13.56 MHz中，實部μr '中之差別等於或大於10。並且從上述模擬分析結果，可了解到因分裂大小造成之導磁係數差大幅影響共振頻率。
依據第11圖中所示之結果，預料到具有分裂使得平均長度大於2.0mm之鐵磁體塊的磁片會具有進一步更大的複數相對導磁係數。同時，認為磁片，其藉由進一步分裂具有分裂使最長邊等於或小於1.0mm的鐵磁體塊之磁片而得，將具有進一步更小的複數相對導磁係數值。然而，在其中具有分裂使最長邊等於或小於1.0mm的鐵磁體塊之磁片係安裝於天線線圈及電子設備上的情況中，磁片不會進一步被分裂。亦即，了解到，在使用分裂使最長邊等於或小於厚度的十倍的磁片之情況中，在安裝之前與之後幾乎不會產生導磁係數改變。
此外，根據第11圖，了解到複數相對導磁係數的虛部μr "亦隨著鐵磁體層之分裂大小變得更小而減少。複數相對導磁係數的虛部μr "表示磁損耗。從天線線圈的觀點來看，當複數相對導磁係數的虛部μr "為更小時，可獲得具有少損耗的天線線圈。
滾輪直徑與鐵磁體板的分裂大小之間的關係
如上述，在此實施例中，藉由將具有鐵磁體板6之鐵磁體板片5捲繞於滾輪R，壓碎鐵磁體板6以藉此形成鐵磁體塊2a。在其中滾輪R之直徑於此情況中互不相同的情況中，施加至鐵磁體板6的應力互不相同，且鐵磁體層2之分裂大小互不相同。第13圖為顯示滾輪R之直徑(此後稱為滾輪直徑)與鐵磁體層2的分裂大小之間的關係。
第13圖顯示藉由使用具有11.0mm、7.5mm、5.0mm、4.0mm、3.0mm、及2.0mm之每一者的滾輪直徑的滾輪壓碎具有100μm及200μm的每一者之厚度的鐵磁體板6之結果。第13圖的垂直軸顯示鐵磁體塊2a之最長邊的長度(x)對厚度(t)之比率(x/t)。此外，第14及15圖顯示藉由使用具有不同滾輪直徑的滾輪R所分裂之鐵磁體層2。第14圖顯示具有100μm的厚度之已壓碎鐵磁體板6，且第15圖顯示具有200μm的厚度之已壓碎鐵磁體板6。在第14及15圖中，每一白色虛線顯示所示區域中之最長邊，並顯示長度。
如第14及15圖中所示，由滾輪R壓碎鐵磁體板6，藉此分裂成具有隨機形狀的鐵磁體塊2a。因此，若進一步施加應力至鐵磁體層2，可防止鐵磁體層2在預定方向中分裂。
此外，如第13至15圖中所示，當滾輪直徑變更小時，每一鐵磁體塊2a的大小變更小。此外，了解到，當滾輪直徑變更小時，鐵磁體塊2a之最長邊的長度對厚度之比率(x/t)收斂於稍小於10的值。此外，在第14及15圖中，在其中滾輪直徑等於或小於4.0mm之情況中，了解到具有100μm的厚度之鐵磁體層2的鐵磁體塊2a之最長邊的長度等於或小於1.0mm，且具有200μm的厚度之鐵磁體層2的鐵磁體塊2a之最長邊的長度等於或小於2.0mm。有鑑於上述，藉由分裂鐵磁體層2使得鐵磁體塊2a的最長邊等於或小於厚度的十倍(每一鐵磁體塊2a之面積等於或小於厚度平方之100倍)，可在將磁片1安裝於電子設備20上作為天線模組10的情況中防止鐵磁體層2被進一步分裂。
如上述，在此實施例中，將鐵磁體層2分成具有等於或小於厚度之十倍的最長邊之複數鐵磁體塊2a。因此，在將磁片1安裝為天線模組10或天線模組10安裝於電子設備20上的情況中，鐵磁體層2不會被進一步分裂。因此，可防止天線線圈11的共振頻率與導磁係數之波動關聯地波動。
本發明不以上述實施例為限，且可於不脫離本發明精神下被修改。
本發明不限於上述實施例，且可藉由使用滾輪來執行分裂處理。然而，不限於此，可使用能夠將鐵磁體板壓碎成鐵磁體塊的任何方法。例如，在其中第一保護層或第二保護層的彈性很大或之類的情況中，可藉由在Z方向中施加壓力來壓碎鐵磁體板。
雖已參照附圖詳細敘述本發明之較佳實施例，本發明不限於上述範例。熟悉此技藝人士應了解到可根據設計需求及其他因素做出落入所附之申請專利範圍或其等效者的範疇內之各種修改、結合、子結合、及替換。
1．．．磁片
2．．．鐵磁體層
2a．．．鐵磁體塊
3．．．第一保護層
4．．．第二保護層
5．．．鐵磁體板片
6‧‧‧鐵磁體板
10‧‧‧天線模組
11‧‧‧天線線圈
12‧‧‧IC晶片
20‧‧‧電子設備
21‧‧‧殼體
第1圖為顯示磁片之透射圖。
第2圖為顯示磁片之層結構的爆炸透射圖。
第3圖為顯示磁片之鐵磁體層的平面圖。
第4圖為顯示鐵磁體板片之爆炸透射圖。
第5圖為顯示如何執行分裂處理的圖。
第6圖為顯示天線模組的透射圖。
第7圖為顯示電子設備之示意圖。
第8圖顯示模擬模型。
第9圖為顯示模擬分析結果的圖。
第10圖為顯示共振頻率對複數相對導磁係數之實部的表。
第11圖為顯示複數相對導磁係數對頻率之測量結果的圖。
第12圖為顯示在預定頻率之複數相對導磁係數的實部及虛部之值的表。
第13圖為顯示滾輪直徑及鐵磁體層之分裂大小之間的關係的圖。
第14圖為顯示鐵磁體層之圖。
第15圖為顯示鐵磁體層之圖。
2．．．鐵磁體層
2a．．．鐵磁體塊
L．．．最長邊

Claims (17)

  1. 一種與天線模組一起使用之磁片，該磁片包含：具有複數隨機塑形塊之磁透層，使該磁片組態成影響該天線模組的共振頻率，該些隨機塑形塊之至少一者不具有矩形或三角形形狀，其中該複數塊的每一者包括複數邊，該些邊的最長邊為近乎小於或等於1mm且該磁透層之厚度為近乎小於或等於0.1mm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之磁片，其中該複數塊的至少一些不具有等於九十度之內角。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之磁片，進一步包含設置在該磁透層的第一表面上之第一保護層，該第一保護層支撐該複數塊，以將該複數塊的每一者維持在該磁透層中的其個別位置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之磁片，進一步包含設置在該磁透層的第二表面上之第二保護層，該第二表面層與該第一表面層相對，該第二保護層進一步支撐該複數塊，以將該複數塊的每一者維持在該磁透層中的其個別位置。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之磁片，其中該第一保護層由與該第二保護層不同之材料所構成。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之磁片，其中該磁透層由鐵磁體材料所構成。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之磁片，其中該磁透層 之厚度介於近乎10μm及近乎5mm之間。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之磁片，其中該複數塊的每一者包括複數邊，其中該些邊的最長邊為近乎等於或小於該磁透層之該厚度的十倍。
  9. 一種製造與天線模組一起使用之磁片之方法，該方法包含：將一磁透層分成複數隨機塑形塊，使該磁片組態成影響該天線模組的共振頻率，該些隨機塑形塊之至少一者不具有矩形或三角形形狀，其中藉由在第一方向及第二方向中於該磁透層的表面上旋轉滾輪裝置來分裂該磁透層，該第一方向與該第二方向為正交。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該複數塊的至少一些不具有等於九十度之內角。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之方法，進一步包含在該磁透層的第一表面上設置第一保護層，該第一保護層支撐該複數塊，以將該複數塊的每一者維持在該磁透層中的其個別位置。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之方法，進一步包含在該磁透層的第二表面上設置第二保護層，該第二表面層與該第一表面層相對，該第二保護層支撐該複數塊，以將該複數塊的每一者維持在該磁透層中的其個別位置。
  13. 一種製造與天線模組一起使用之磁片之方法，該方法包含：在磁透層之頂表面或底表面的至少一者上設置保護層 以形成該磁片；以及於該磁片的外表面上在第一方向及第二方向中旋轉滾輪裝置，以將該磁透層分成複數隨機塑形塊，使該磁片組態成影響該天線模組的共振頻率，該些隨機塑形塊之至少一者不具有矩形或三角形形狀，該外表面與該磁透層之該頂表面或底表面之一相鄰，該滾輪裝置具有預定半徑。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該複數塊的至少一些不具有等於九十度之內角。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之方法，其中該滾輪裝置之該預定半徑有關於該複數塊的每一者之大小，使該半徑隨該複數塊的每一者之該大小減少而減少。
  16. 一種磁片，包含：磁透層；第一保護層；第二保護層；其中該第一保護層設置在該磁透層的第一表面上且該第二保護層設置在該磁透層之第二表面上，該第二表面與該第一表面相對，其中該磁透層具有複數隨機塑形塊，該些隨機塑形塊之至少一者不具有矩形或三角形形狀，其中該磁片組態成可與天線模組一起使用並在操作期間該磁透層影響該天線模組的希望共振頻率，其中該複數塊的每一者包括複數邊，該些邊的最長邊為近乎小於或等於1mm且該磁透層之厚度為近乎小於或等 於0.1mm。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之磁片，其中該複數塊的每一者包括複數邊，其中該複數邊的最長邊為近乎等於或小於該磁透層之厚度的十倍，該磁透層之厚度介於近乎10μm及近乎5mm之間。
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