TWI463687B - A film forming method of a passivation film, and a method for manufacturing a solar cell element - Google Patents

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Description

鈍化膜之成膜方法、以及太陽電池元件之製造方法
本發明，係有關於鈍化膜之成膜方法，以及太陽電池元件之製造方法。
作為清淨能源而被矚目之太陽電池元件，係為了輸出特性之提升，而被要求有對於輸出特性之損失作抑制。作為太陽電池元件之輸出特性的損失之原因，係可列舉有：光學性損失、例如反射損失或是透過損失等，以及電性損失、例如由於載子之再結合所導致的損失或是歐姆損失等。
例如，在專利文獻1中，係為了抑制反射損失，並且抑制由於載子之再結合所導致的損失，而在具備有半導體層和被形成在半導體層上之鈍化膜以及電極之太陽電池元件中，於半導體層與鈍化層之間形成有氧過量區域。因此，係在對於半導體表面而進行了氮電漿處理之後，而形成有鈍化膜。另外，所謂鈍化膜，係指：在作為對於半導體層作保護之保護膜而起作用的同時，亦作為反射防止膜而起作用之膜。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本特開2005-159171號公報(申請項1、申請項7等)
然而，就算是在氮電漿處理後而成膜鈍化膜並使氧過量區域被形成，亦仍存在有下述之問題，亦即是：若是鈍化膜本身之膜質並不佳，則係無法對於在太陽電池元件中之由於載子之再結合所導致的損失充分地作抑制。
因此，本發明之課題，係在於解決上述先前技術之問題點，並提供一種：形成能夠對於由於載子之再結合所導致的損失充分地作抑制之太陽電池元件用之鈍化膜的成膜方法。又，係提供一種使用有此之太陽電池元件之製造方法。
本發明之成膜方法，係為將矽、和包含有從氮以及氧中所選擇之至少一種的成膜氣體作導入，並將導入此成膜氣體之噴淋板作為放電電極，而從高頻電源來施加高頻之電壓，以使電漿產生，並在太陽電池元件之擴散層處成膜鈍化膜之成膜方法，其特徵為：在成膜時，係進而一面從低頻電源來將低頻之電壓施加在噴淋板或是前述擴散層處，一面在前述擴散層上成膜鈍化膜。在本發明之成膜方法中，於成膜時，係從高頻電源來施加高頻之電壓，並進而一面從低頻電源來將低頻之電壓施加在噴淋板或是成膜對象處，一面在成膜對象處進行成膜，藉由此，膜之膜質、 亦即是膜密度以及膜中之固定電荷濃度，係被提升。若是將此所得到之膜例如作為太陽電池元件之鈍化膜而使用，則伴隨著膜質的提升，係能夠對由於載子之再結合所導致的損失充分地作抑制。
較理想，前述低頻電源，係一面將前述低頻之電壓施加在前述噴淋板處，一面在前述擴散層上成膜鈍化膜。此係因為，藉由一面將前述低頻之電壓施加在前述噴淋板處，一面在成膜對象上成膜太陽電池元件用之鈍化膜，成膜速度係變高之故。
進而，較理想，前述低頻電源之投入電力，係為前述高頻電源之投入電力的14~37%。若是此範圍，則膜質係更加提升，而能夠對由於載子之再結合所導致的損失充分地作抑制。
本發明之太陽電池元件之製造方法，其特徵為，具備有：在半導體基板之其中一面上形成擴散層之擴散層形成工程；和在前述擴散層上形成鈍化膜之鈍化膜形成工程；和在前述鈍化膜上形成柵極，而後，進而在半導體基板之另外一面處形成背面電極，並進行加熱，藉由此，而將前述柵極與前述擴散層相連接之電極形成工程，前述鈍化膜形成工程，係為將矽、和包含有從氮以及氧中所選擇之至少一種的成膜氣體作導入，並將導入此成膜氣體之噴淋板作為放電電極，而從高頻電源來施加高頻之電壓，並且，從低頻電源來將低頻之電壓施加在前述噴淋板或是前述被形成有擴散層之半導體基板處，以使電漿產生，而在前述 擴散層上，形成前述鈍化膜。在本發明之太陽電池元件之製造方法中，係從高頻電源而施加高頻之電壓，並且，從低頻電源而將低頻之電壓施加在前述噴淋板或是前述被形成有擴散層之半導體基板處，藉由此，鈍化膜之膜質、亦即是膜密度以及膜中之固定電荷濃度係為高，因此，能夠對於在太陽電池元件處之由於載子之再結合所導致的損失作充分的抑制。
若是藉由本發明之鈍化膜之成膜方法，則所得到之鈍化膜的膜質係為佳，並能夠對於在太陽電池元件處之由於載子之再結合所導致的損失作充分的抑制，因此，能夠獲得輸出特性的提升之優異效果。又，若藉由本發明之太陽電池元件之製造方法，則由於鈍化膜之膜質係為佳，因此，能夠對於由於載子之再結合所導致的損失作抑制，故而，能夠獲得輸出特性之提升之優異效果。
首先，針對太陽電池作說明。身為太陽電池之各胞的太陽電池元件1，係具備有p型半導體基板11。p型半導體基板11，係藉由紋理(texture)蝕刻而在表面上被設置有未圖示之凹凸。在此p型半導體基板11之其中一面上，係被設置有n型擴散層12。n型擴散層12，例如，係為在p型半導體基板11之表面上塗布含有磷之塗料，而後 再施加熱處理，所形成者。在n型擴散層12之表面上，係被形成有鈍化層13。
鈍化層13，係由氮化矽膜(SiN)、氧化矽膜(SiO)、氮氧化矽膜(SiON)中之任一者的膜(鈍化膜)所成。此鈍化膜，係藉由於後再作詳細敘述的本實施形態之成膜方法所成膜。藉由以本實施形態之成膜方法來作形成，鈍化膜之膜質係提升。其結果，作為對於載子之再結合是否被作了抑制一事作評價之指標而可列舉的載子之生命期，係變長，亦即是，載子之損失係被抑制。故而，在太陽電池元件1處之輸出效率係提升。
在鈍化膜13處，係被設置有柵極14。此柵極14，係被設置在鈍化膜之上，並藉由於其後進行加熱，而突破鈍化膜，並與n型擴散層12相連接。在p型半導體基板11之另外一面上，係依序被形成有BSF層15以及背面電極層16。BSF層15，係為高濃度p型擴散層，BSF層，係為在背面電極層16形成時而同時被形成者。背面電極層16，係由作為p+層之p型雜質供給源以及柵極而起作用之第1背面電極層16a、和作為從太陽電池背面全體而來之集電電極而起作用的第2背面電極層16b所成。第1背面電極層16a，係為了使鋁離子在元件中擴散並作為p+層之p型雜質供給源，而藉由將鋁單體或是包含有鋁之糊作塗布並進行燒成，而形成之。又，第2背面電極層16b，係為由低電阻之銀所成。
針對實施形成在此太陽電池元件中所被使用之鈍化膜 的成膜方法之成膜裝置作說明。成膜裝置2，係為用以實施電漿CVD法並形成鈍化膜者。成膜裝置2，係具備有能夠保持為所期望之真空狀態的真空室21。在真空室21中，係被設置有具備未圖示之加熱裝置的載置台22，在載置台22處，係被載置有成膜對象S，該成膜對象S，係為由將被形成有n型擴散層12之p型半導體基板11作了複數並排所成者。藉由加熱裝置，能夠在成膜時將此成膜對象S以成為所期望之基板溫度的方式來作調整。
在真空室21之天花板面處，係以與成膜對象S相對向的方式而被設置有噴淋板23。在噴淋板23處，係被連接有將成膜氣體作導入之氣體導入手段24。作為氣體導入手段24，在本實施形態中，係被構成為例如能夠導入3種類之氣體，被分別封入有相異之氣體(在本實施形態中，係為SiH4 、NH3 、N2 )的氣體源24a、24b、24c，係分別經介於閥24e而被連接於氣體導入管24d處。另外，在本實施形態中，雖係構成為能夠將3種類之氣體作導入，但是，亦可構成為以能夠因應於所期望之膜構成來作導入的方式，來具備有例如6種類之氣體源，並因應於膜之構成來對於氣體作選擇。
又，在噴淋板23處，係被連接有高頻電源25，並構成為能夠施加高頻之電壓。故而，噴淋板23，係為作為將成膜氣體以在真空室21內而成為均一的方式來作導入之氣體導入口而起作用，並且，亦被施加有高頻之電壓並作為放電電極來起作用者。
進而，在本實施形態中，在載置台22處，係被設置有低頻電源26，並能夠對於成膜對象S側而施加低頻電壓。亦即是，在本實施形態之成膜裝置2中，係被構成為：於成膜時，能夠藉由高頻電源25以及低頻電源26來施加相異頻率之電壓並形成電漿而進行成膜。
針對使用有成膜裝置2之成膜方法作說明。首先，將成膜對象S載置在真空室21內之載置台22上。接著，使真空室21內成為所期望之真空狀態。而後，從氣體導入手段24來導入成膜氣體，並且，從高頻電源25以及低頻電源26來施加電壓，而使電漿產生，並對於成膜對象S而形成鈍化膜。在本實施形態中，藉由一面從高頻電源25以及低頻電源26來施加電壓，一面進行鈍化膜之成膜，能夠形成膜質為佳之鈍化膜，藉由此，能夠使得在使用有此膜之太陽電池元件1中的生命期提升。
作為成膜氣體，當作為鈍化膜而形成氮化矽膜的情況時，係作為含有Si之氣體，而導入SiH4 ，並且，作為含有N之氣體，而導入由NH3 、N2 以及NF3 中所選擇之1以上的氣體。當形成氧化矽膜的情況時，係作為含有Si之氣體，而導入SiH4 ，並且，作為含有O之氣體，而導入由N2 O以及O2 中所選擇之1以上的氣體。又，當形成氮氧化矽膜的情況時，係作為含有Si之氣體，而導入SiH4 ，並且，作為含有N之氣體，而導入由NH3 、N2 以及NF3 中所選擇之1以上的氣體，且作為含有O之氣體，而導入由N2 O以及O2 中所選擇之1以上的氣體。又進而， 在成膜氣體中，亦可作為載體氣體，而導入惰性氣體，例如導入Ar氣體。例如，當作為鈍化膜而形成SiN膜的情況時，各氣體之流量，係為：SiH4 ：1500~1600sccm、NH3 ：3000~6000sccm、N2 ：4000~7000sccm。
作為高頻電源25，係只要能夠施加13.56~27.12MHz之高頻的電壓即可，作為低頻電源26，係只要能夠施加20~400kHz之低頻的電壓即可。
又，高頻電源25之投入電力，係為1000~3500W。低頻電源26之投入電力，係為300~2000W，較理想，係為500~1250W。又，低頻電源26之投入電力，係為高頻電源25之投入電力的約14~37%，較理想，係成為約26~34%。藉由使低頻電源26之投入電力相對於高頻電源25之投入電力而成為此範圍，能夠形成膜質更佳之鈍化膜，藉由此，能夠使得在太陽電池元件中之生命期提升。其結果，在太陽電池元件處之輸出特性係提升。
此種鈍化膜之其他的成膜條件，係如下所述一般。基板溫度：380~420℃、真空室內壓力：100~250Pa、基板-噴淋板間距離(E/S)：12~25mm。
藉由上述一般之成膜條件所形成的鈍化膜，成膜時間係為25秒，膜厚係為800Å，折射率係為1.9~2.2，設置有此膜之太陽電池元件1的生命期，係為1000μs以上，進而，亦有成為2500μs以上的情況，而可以得知，由於載子之再結合所致的損失係被抑制。
接下來，針對成膜裝置2之其他實施形態，使用圖3 來作說明。圖3，係為展示成膜裝置之另外之實施形態的模式圖。在此其他實施形態之成膜裝置3中，低頻電源26，係被設置在高頻電源25所被設置之噴淋板23處。就算是如此這般地而將低頻電源26設置在噴淋板23側，亦能夠藉由相同之成膜條件，而相同的得到與上述之成膜裝置2一般的能夠形成膜質良好之膜的效果。進而，圖3中所示之其他的成膜裝置3，係存在有相較於圖中所示之成膜裝置2而成膜速度為更快之優點。亦即是，本發明，係在作為對於真空室21內之電漿的產生有所寄予的陰極電極而起作用之噴淋板23、以及作為陽極電極而起作用之載置台22，此兩者中之任一者處，而被設置有低頻電源，並在此兩者中之任一者處，一面藉由高頻電源來施加高頻之電壓，一面施加低頻之電壓，而能夠使鈍化膜之膜質提升，藉由此，而對於太陽電池元件中之由於載子之再結合所導致的損失作抑制。
於先前技術中，在僅施加高頻(13.56MHz~27.12MHz)之電壓所形成的電漿中，係依存於氣體種類、投入電力、電極間距離等之用以產生電漿的條件，來對於電漿密度以及電漿電位作決定，但是，在30Å/s以上之高速度成膜條件中，係無法得到在太陽電池元件中所需要之膜質(亦即是膜密度以及膜中固定電荷)。因此，在先前技術之鈍化膜中，係無法對由於載子之再結合所導致的損失充分地作抑制。
相對於此，在本實施形態中，係將高頻以及低頻之相 異頻率的電壓作重疊而施加，來形成鈍化膜，藉由此，鈍化膜係成為例如作為太陽電池元件1而理想之膜質，具體而言，係成為高膜密度以及高膜中固定電荷濃度。此係因為，藉由將以低頻之電壓所激勵的離子之電荷加入至以高頻之電壓所激勵的電漿之電荷中，能夠將基板與電漿間之電位差(亦即是鞘電場)增大，其結果，能夠使入射至基板表面之離子能量增大。藉由此離子能量之增大，由朝向基板表面之入射離子所致的離子衝擊亦增大，鈍化膜係更緻密地被形成(高膜密度)，在鈍化膜中所存在之電荷亦增大，其結果，鈍化膜係具備有高的正固定電荷濃度。
藉由形成此種鈍化膜，朝向鈍化膜之界面而移動的正載子(電洞)，係被反彈而推回。藉由此，就算是缺陷密度為高之界面，亦能夠將電洞密度降低，因此，能夠對於載子之再結合作抑制，而能夠使載子之生命期增長。
在各實施形態之成膜裝置中，藉由在前述噴淋板或者是前述載置部處連接有施加低頻之電壓的低頻電源，所形成之膜的膜質(亦即是膜密度以及膜中固定電荷濃度)係提升。若是將此所得到之膜例如作為太陽電池元件之鈍化膜來作使用，則伴隨著膜質的提升，係能夠充分地抑制由於載子之再結合所導致的損失。又，藉由在噴淋板13處連接高頻電源以及低頻電源，成膜速度係變高。
以下，藉由實施例，對於本發明作詳細說明。
〔實施例1〕
在本實施例中，係使用圖2中所示之成膜裝置2而形成鈍化膜並製作了太陽電池元件。
首先，在藉由紋理蝕刻而於表面上設置了凹凸之厚度220μm的單結晶矽之p型半導體基板11(156mm×156mm)的表面上，形成了n型擴散層12。將此些之複數枚並排在托盤上，而作為成膜對象S。
接著，將成膜對象S搬入至圖2中所示之成膜裝置2處，並設為基板溫度：350℃、SiH4 流量：1500sccm、NH3 流量：5000sccm、N2 流量：6000sccm、高頻電源25之頻率：13.56MHz、高頻電源25之投入電力：1500W、真空室內壓力：100Pa、E/S：14mm、低頻電源之頻率：300kHz、低頻電源26之投入電力：500W，而形成了由氮化矽膜所成之鈍化膜。
接著，將形成了鈍化膜之成膜對象S從成膜裝置2而取出，並藉由網版印刷法而將銀糊以10μm之厚度而在鈍化膜上塗布成格子狀，之後，以150℃而進行10分鐘之乾燥，而作成了柵極膜。
而後，藉由網版印刷法而將銀糊以10μm之厚度來作塗布，並以150℃而乾燥10分鐘，而形成了第1背面電極膜。接著，藉由網版印刷法而將鋁糊以10μm之厚度來作塗布，之後，以150℃而乾燥10分鐘，而形成了第2背面電極膜。最後，對於成膜對象S，以750℃來進行3秒鐘之熱處理，而將第1背面電極膜與第2背面電極膜作成第1背面電極層16a與第2背面電極層16b，又，在背面電 極層16與p型半導體基板11之間，形成BSF層15。柵極膜，係突破鈍化膜並與n型擴散層12相接觸，而成為柵極14。如此這般，藉由成膜裝置2而得到將鈍化膜作為鈍化層13而形成了的太陽電池元件1。
〔實施例2〕
在本實施例中，相較於實施例1，除了將低頻電源26之投入電力設為1000W以外，係藉由完全相同之條件而製作了太陽電池元件1。
〔實施例3〕
在本實施例中，除了係使用圖3中所示之成膜裝置3而形成鈍化膜之外，係藉由與實施例1相同之條件而製作了太陽電池元件1。
〔實施例4〕
在本實施例中，相較於實施例3，除了將低頻電源26之投入電力設為1000W以外，係藉由完全相同之條件而製作了太陽電池元件1。
對於藉由實施例1~4所得到了的太陽電池元件1之生命期，藉由使用有微波光導電衰減法之生命期測定裝置(KOBELCO科研公司製)而作了測定。將測定結果展示於圖4中。
如圖4中所示一般，當低頻電源26之投入電力為 1000W的情況時，不論是在圖2中所示之裝置或者是圖3中所示之裝置的任一者之情況中，生命期均係為幾乎2000μs。在500W的情況時，在圖2中所示之成膜裝置2以及圖3中所示之成膜裝置3的任一者之情況中，生命期均係為超過2000μs，但是，係以圖3中所示之成膜裝置3者成為較高。通常，太陽電池元件之生命期，係為1000μs左右，因此，圖2中所示之成膜裝置2以及圖3中所示之成膜裝置3的結果，係均為相較於先前技術而有所提升，亦即是係變長。
故而，在本實施形態中，藉由設置高頻電源25以及低頻電源26，並一面施加高頻之電壓以及低頻之電壓，一面形成鈍化膜，能夠形成膜質為佳之鈍化膜，藉由此，能夠使太陽電池元件的生命周期提升。
〔實施例5〕
在本實施例中，係使用圖3中所示之成膜裝置3，並使低頻電源26之投入電力變化，而形成鈍化膜並製作了太陽電池元件。亦即是，在鈍化膜之形成時，低頻電源之投入電力，係分別設為0W、500W、1000W，而分別製作了太陽電池元件，除此之外，係以與實施例3完全相同之條件，而製作了太陽電池元件1。
對於所得到了的太陽電池元件之生命期，藉由微波光導電衰減法而作了測定。將測定結果展示於圖5中。
如圖5中所示一般，在低頻電源26之投入電力為 500W的情況時，生命期係成為最長，並超過了2500μs。又，相較於低頻電源26之投入電力係為0時(亦即是並不設置低頻電源26的情況時)，係以1000W的情況時之生命期為較長，並為2000μs。又，由此些之結果，可以得知，當低頻電源26之投入電力係為250~1000W的情況時(亦即是低頻電源26之投入電力為高頻電源25之投入電力之約16~67%的情況時)，生命期係超過了2000μs。特別是，當低頻電源26之投入電力係為400~700W的情況時(亦即是低頻電源26之投入電力為高頻電源25之投入電力之約26~45%的情況時)，生命期係超過了2500μs，而得到了更為優秀之結果。
〔實施例6〕
在本實施例中，相較於實施例3，除了將高頻電源25之投入電力作了變更，以及將低頻電源26之投入電力作了變更之點以外，係藉由完全相同之條件而形成鈍化膜並製作了太陽電池元件。亦即是，除了將高頻電源25之投入電力設為3500W、並將低頻電源26之投入電力分別設為500W、1000W、1500W、1900W，而分別製作了太陽電池元件以外，係以與實施例3完全相同之條件，而製作了太陽電池元件1。
對於藉由實施例6所得到了的太陽電池元件1之生命期，藉由微波光導電衰減法而作了測定。將測定結果展示於圖6中。
如圖6中所示一般，在低頻電源之投入電力為1000W的情況時，生命期係成為最長，並超過了3000μs。另外，當低頻電源26之投入電力係為1500W以及1900W的情況時，生命期係為約1000μs左右。由此些之結果，可以得知，當低頻電源26之投入電力係為500~1500W的情況時(亦即是低頻電源26之投入電力為高頻電源25之投入電力之約14~37%的情況時)，生命期係超過了2000μs。特別是，當低頻電源26之投入電力係為550~1200W的情況時(亦即是低頻電源26之投入電力為高頻電源25之投入電力之約15~34%的情況時)，生命期係超過了2500μs，而得到了更為優秀之結果。
從此些之實施例5、6的結果，可以得知，低頻電源26之投入電力為高頻電源25之投入電力的約14~37%一事、特別是低頻電源26之投入電力為高頻電源25之投入電力的約26~34%一事，係為理想。
〔實施例7〕
在本實施例中，相較於實施例1，除了變更為：SiH4 流量：3000sccm、NH3 流量：1800sccm、N2 流量：2500sccm以外，係與實施例1完全相同地而形成了由氮化矽膜所成之鈍化膜。
〔實施例8〕
在本實施例中，相較於實施例7，除了變更為：低頻 電源26之投入電力：1000W以外，係與實施例7完全相同地而形成了由氮化矽膜所成之鈍化膜。
〔實施例9〕
在本實施例中，除了使用有成膜裝置3之點以外，係藉由與實施例7完全相同之條件而進行成膜，並對膜厚作了測定。
〔實施例10〕
在本實施例中，除了使用有成膜裝置3之點以外，係藉由與實施例8完全相同之條件而進行成膜，並對膜厚作了測定。
針對在各實施例中所得到之膜，藉由橢圓偏光計(ALVAC公司製，ESM-3000AT)來對於膜厚作測定，並將測定出的膜厚除以成膜時間，而求取出了成膜速度。將結果展示於圖7中。
如圖7中所示一般，就算是相同之成膜條件，相較於使用成膜裝置2而作了成膜的情況，係以使用成膜裝置3而作了成膜的情況時之成膜速度為較快。故而，可以得知，係以如同成膜裝置3一般地而對噴淋板23施加高頻電壓以及低頻電壓為理想。
藉由本實施形態之成膜方法以及成膜裝置所得到之鈍化膜，例如係亦可作為有機EL等之鈍化膜來利用，但是，較理想，係作為如同本實施形態一般之太陽電池元件之 鈍化膜來使用。
〔產業上之利用可能性〕
本發明，係可在太陽電池元件之製造領域中而作利用。
1‧‧‧太陽電池元件
2‧‧‧成膜裝置
3‧‧‧成膜裝置
11‧‧‧p型半導體基板
12‧‧‧n型擴散層
13‧‧‧鈍化層
14‧‧‧柵極
15‧‧‧BSF層
16‧‧‧背面電極層
16a‧‧‧第1背面電極層
16b‧‧‧第2背面電極層
21‧‧‧真空室
22‧‧‧載置台
23‧‧‧噴淋板
24‧‧‧氣體導入手段
24a、24b、24c‧‧‧氣體源
24d‧‧‧氣體導入管
24e‧‧‧閥
24‧‧‧氣體導入手段
25‧‧‧高頻電源
26‧‧‧低頻電源
S‧‧‧成膜對象
[圖1]太陽電池元件之模式性剖面圖。
[圖2]本實施形態之成膜裝置的模式圖。
[圖3]另外之實施形態之成膜裝置的模式圖。
[圖4]展示在實施例1~4中之結果的圖表。
[圖5]展示實施例5之結果的圖表。
[圖6]展示實施例6之結果的圖表。
[圖7]展示在實施例7~10中之結果的圖表。
2‧‧‧成膜裝置
21‧‧‧真空室
22‧‧‧載置台
23‧‧‧噴淋板
24‧‧‧氣體導入手段
24a、24b、24c‧‧‧氣體源
24d‧‧‧氣體導入管
24e‧‧‧閥
25‧‧‧高頻電源
26‧‧‧低頻電源
S‧‧‧成膜對象

Claims (2)

  1. 一種成膜方法，係為將矽、和包含有從氮以及氧中所選擇之至少一種的成膜氣體作導入，並將導入此成膜氣體之噴淋板作為放電電極，而從設定頻率為13.56~27.12MHz之高頻電源來施加高頻之電壓，以在噴淋板和太陽電池元件之間使電漿產生，並在前述太陽電池元件之擴散層處成膜鈍化膜之成膜方法，其特徵為：在成膜時，係進而一面從設定頻率為20~400kHz之低頻電源來將低頻之電壓施加在噴淋板或是前述擴散層處，一面在前述擴散層上成膜具有正的固定電荷之鈍化膜，並且，前述低頻電源之投入電力，係為前述高頻電源之投入電力的14~37%。
  2. 一種太陽電池元件之製造方法，其特徵為，具備有：在半導體基板之其中一面上形成擴散層之擴散層形成工程；和在前述擴散層上形成鈍化膜之鈍化膜形成工程；和在前述鈍化膜上形成柵極，而後，進而在半導體基板之另外一面處形成背面電極，並進行加熱，藉由此，而將前述柵極與前述擴散層相連接之電極形成工程，前述鈍化膜形成工程，係為將矽、和包含有從氮以及氧中所選擇之至少一種的成膜氣體作導入，並將導入此成膜氣體之噴淋板作為放電電極，而從設定頻率為13.56~27.12MHz之高頻電源來施加高頻之電壓，並且，從設定 頻率為20~400kHz之低頻電源來將低頻之電壓施加在前述噴淋板或是前述被形成有擴散層之半導體基板處，以使電漿產生，而在前述具有正的固定電荷之擴散層上，形成前述鈍化膜，並且，前述低頻電源之投入電力，係為前述高頻電源之投入電力的14~37%。
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