JP2012517700A - 光起電力電池における負に帯電したパッシベーション層 - Google Patents
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Abstract
本発明の実施形態は、光起電力デバイスを作製するために太陽基板を処理するための方法および装置を対象にしている。特に、負に帯電したパッシベーション層を生成するための方法および装置が提供される。
Description
本発明の実施形態は一般に、光起電力デバイスおよび光起電力デバイスの製造に関する。特に本発明の実施形態は、光起電力電池における負に帯電したパッシベーション層、および負に帯電したパッシベーション層の生成に関する。
光起電力(PV)電池また太陽電池は、放射を直流(DC)電気出力に変換する材料接合デバイスである。(光子からのエネルギーからなる)太陽光線に曝されると、太陽電池のp−n接合の電場が自由電子と正孔の対を分離し、したがって、光電圧を発生させる。n側からp側への回路は、太陽電池が電気的負荷に接続されたときの電子の流れを可能にし、PV電池接合デバイスの面積および他のパラメータは、得られる電流を決定する。電気出力は、電子と正孔が集電接合部によって分離されると発生する電圧と電流の積である。
太陽電池100に基づく、周知の半導体の断面図を図1に示す。太陽電池は、頂部電極として働く頂部グリッド101、反射防止層102、n型層103、p型バルク104、裏面電極として働くバックメタル層107に接続された点接触部105、および誘電体層106を有する。
電力は、頂部電極と裏面電極の間の外部電流によって発生し、電流は、放射によって電池から解放された電荷担体によって維持される。シリコン太陽電池を用いて高い効率を得るためには、前面および裏面における担体の再結合を低減することが必要である。これは通常、パッシベーションと呼ばれるプロセスによって行われる。太陽電池が光子を吸収すると、電子−正孔の対が生成される。こうした担体が半導体性の接合部に集められる前に再結合する場合には、担体が失われ、電池の電流に寄与することができなくなる。表面は高密度のダングリングボンドを伴う不連続性を示すので、再結合に対する主要な位置になる。その問題は、担体が接合部に達する前に表面に達する確率が高い、長い存続時間の基板を有する高度な電池の設計においてより悪化する。
表面を不活性化する魅力的な方法は、電池の本体上にパッシベーション層とも呼ばれる絶縁体層を堆積させることである。最も一般的には、パッシベーション層の材料としてSi3N4またはSiO2が用いられる。SiO2は、最小数のダングリングボンドを有する界面を形成する魅力的な特性を有する。しかしながら、SiO2は、反射防止コーティングの形成には適さない低い屈折率を有する。Si3N4は、少数のダングリングボンドを有する良好な界面を形成しない。しかしながら、Si3N4は、シリコンと共に使用する場合に理想的な値に近い屈折率を有する。
どちらの材料でも、パッシベーション層に電荷を加えることが可能である。CVDまたはPVDを用いると、正味の正電荷を有する窒化物が生じる。正味の正の固定電荷を有する二酸化シリコンも生じる。p型材料では、正電荷が面を反転させ、電子の層(少数担体)および正孔の欠乏(多数担体)を生成する。トラップ部は電子によって帯電するが、電子を放出し、それによって電子を中和するための正孔が存在しない。
PERL電池もしくはPERC電池、またはレーザ照射される裏面接触電池などの特定の電池の設計では、パッシベーション層に負電荷を与えることが望ましい。例えば図1に示す例については、小さい局所的な領域の形の裏面接触部を有する点接触式の電池が存在し、残りの裏面の範囲はパッシベーション層で覆われている。これらの接触部は、反転層を取り除く(drain off)CMOS構造を形成する。基板内での存続時間が長いため、少数担体の発生速度は極めて低く、反転層が生じることはない。蓄積層は、直ちに利用可能な多数担体を包含し、したがって、ずっと迅速に応答することが可能であるため好ましい。p型材料内に蓄積層を形成するには、負電荷が必要である。
しかしながら、負電荷は従来の太陽電池プロセスには適合しない。そうしたプロセスは、バルク中、およびパッシベーション層と半導体の間の界面における欠陥を不活性化するのに水素を使用する。水素は正電荷を有し、パッシベーション層内の負電荷を中和する。多くの場合、パッシベーション層は過剰な水素を伴って形成され、水素パッシベーションに対する供給源として作用する。このことは、パッシベーション層における正味の負電荷の実現をさらに複雑にする。
したがって、負に帯電したパッシベーション層が求められている。そのように負に帯電したパッシベーション層を提供する同時に、依然としてパッシベーション、およびそうした負に帯電したパッシベーション層を形成するプロセスに対する水素の有効性を維持することも望ましいであろう。
本発明の一実施形態は、処理チャンバ内で太陽電池基板の表面上に層を形成する方法であって、処理チャンバ内にテクスチャ化されたシリコン表面を有する太陽電池基板を配置すること、基板上に酸化物層を形成し、ある酸化物層の深さを有するようにすること、処理チャンバ内に負イオン源から形成された負イオンを提供すること、および負イオンを酸化物層に打ち込み、太陽電池基板上に負に帯電したパッシベーション誘電体層を形成することを含む方法に関する。
一実施形態では、負イオンは酸素イオンであり、パッシベーション層は二酸化シリコン層を含む。一実施形態では、方法はさらに、バイアス電場を与えるように、チャンバ内の対電極および基板を支持する基板支持体に電力を印加することによって、チャンバにバイアスをかけることを含む。
様々な実施形態は、第1の場の方向を有する第1の場の強さと、第2の場の方向を有する第2の場の強さとの間でバイアス電場を交互にするために、電力源からの電力を変えることを含むことができる。一実施形態において、方法は、正イオンの供給源をチャンバ内に供給することを含む。一実施形態では、第1の場の方向を有する第1の場の強さは、層内の第1の深さまで負イオンを打ち込み、第2の場の方向を有する第2の場の強さは、層内の第2の深さまで正イオンを打ち込む。
一実施形態による電力は、対電極と基板の間で約30および300ボルトの範囲で変化させる。特定の実施形態では、電力は、対電極と基板の間で約100および200ボルトの範囲で変化させる。特定の実施形態では、バイアス電場は、基板上に初期の酸化物層を成長させた後に与えられる。
特定の実施形態では、初期の酸化物層は、バイアス電場を与える前に少なくとも約20オングストロームの深さまで成長させる。各実施形態は、チャンバ内に第3のイオン源、例えばアルミニウムまたはハフニウムを導入することを含むことができる。
いくつかの実施形態では、対電極はガス分配プレートを備え、ガス分配プレートは酸素源および水素源と連通する。他の実施形態では、対電極は、チャンバ内の基板支持体に隣接して配置されたグリッドを備える。
一実施形態において、太陽電池基板の表面上にパッシベーション層を形成する方法は、処理チャンバ内にテクスチャ化されたシリコン表面を有する太陽電池基板を配置すること、基板上に酸化物層を形成し、ある酸化物層の深さを有するようにすること、チャンバ内に酸素および水素を供給すること、ならびにチャンバ内の対電極と基板の間に非対称のACバイアスを印加することであって、バイアスが正バイアスと負バイアスの間で変化し、正バイアスが負バイアスより大きい大きさを有し、したがって、水素イオンが酸化物層の深さより下の基板に打ち込まれ、酸素イオンが酸化物層に打ち込まれるが、基板には打ち込まれず、負に帯電したパッシベーション層を与えることを含む。
本発明のいくつかの例示的な実施形態を記述する前に、本発明が、以下の記述で述べる構造の詳細または処理ステップに限定されないことを理解されたい。本発明は他の実施形態が可能であり、また様々な方法で実施または実行することが可能である。
本明細書および添付の特許請求の範囲で使用するとき、単数形の「1つの(a、an)」および「その(the)」は、文脈において別段の明確な指示がない限り複数の指示対象を含む。
カリフォルニア州サンタクララのApplied Materials,Inc.は、CMOSトランジスタゲート用に薄い二酸化シリコン層を形成するRadOx(登録商標)と呼ばれるプロセスを含む、基板処理チャンバを販売している。RadOx(登録商標)プロセスは、ランプを用いて基板を加熱し、処理チャンバ内に水素および酸素を注入する。これらのガスは、基板の表面に当たるとラジカルを形成する。ラジカルは非荷電化学種より反応性が高く、その場蒸気発生(ISSG)酸化物成長として知られる蒸気のプロセスで得られるよりも、速い層成長速度を与える。
RadOx(登録商標)プロセスを図示する概略図を図2に示す。水素ガスおよび酸素ガスが、供給源210および212からチャンバ200に注入される。図2に示す実施形態では、ガスは、複数の流路を有するガス分配プレート214を通してチャンバに送り込まれ、水素の出口ポート201は水素供給部210と流体連通し、酸素の出口ポート202は酸素供給部212と流体連通する。イオン源であるガスは、チャンバ内でイオン化し、チャンバ200内の基板支持体220上に配置された基板205の表面にラジカルを形成することができる。ラジカルは反応して、二酸化シリコン層203を形成する。成長を止めた後、ある正味の濃度のラジカルが層203の中に存在するようになることに留意されたい。しかしながら、成長した層203が正味の負電荷を有するとは思われない。このように考えられるのは、層203を成長させるために酸素は界面204で消費されるが、水素は消費されないからである。その結果、層203は水素が豊富になるが、所望される正味の負電荷は伴わない。
本発明の一態様によれば、パッシベーション層にイオンを打ち込むための方法が提供される。本発明の一実施形態では、図3に示すように処理チャンバにバイアス電場が印加される。図3は、処理チャンバに入るガスのイオン化によって形成されるラジカルの偏った堆積の原理を概略的に図示している。水素ガスおよび酸素ガスが、水素源310および酸素源312からチャンバ300に注入される。ガスは、複数の流路を有するガス分配プレート314を通してチャンバに送り込まれ、水素の出口ポート301は水素供給部310と流体連通し、酸素の出口ポート302は酸素供給部312と流体連通する。代替的実施形態では、ガスは分配プレートを用いずに、チャンバに直接送り込むことができる。一実施形態では、図2に関連して前述したラジカル酸化プロセスを用いて初期層が形成された後、イオン源であるガスは、電力源306に電力が印加され、チャンバ300内にバイアスを与えると、処理チャンバ300内でイオン化される。したがって、チャンバ300内の基板支持体320上に配置された基板305の表面におけるラジカル酸化によって、二酸化シリコン層303が形成される。電力源306は、容量結合回路(図示せず)を通して、少なくとも一部が導電性であり、電極として作用する基板支持体320に接続される。ラジカルは反応して二酸化シリコン層303を形成し、界面304をもたらす。酸素ガスは処理チャンバ内に負イオンを提供し、水素ガスは処理チャンバ内に正イオンを提供する。一実施形態では、基板305は、光起電力デバイスの製造に用いられる太陽電池基板であり、太陽電池基板305上にパッシベーション層を形成する方法が提供される。太陽電池基板305は、通常はバルクシリコンまたは多結晶シリコンであり、表面のエッチングによって形成されたテクスチャ化された表面を有する。テクスチャ化された表面は、太陽電池基板から作製された光起電力電池における光トラッピングを可能にする。
一実施形態では、チャンバは初期の酸化物層を形成せずにバイアスをかけられ、チャンバ300のバイアス後に酸化物層303が形成される。先に言及したように、一実施形態では、バイアスを印加せずに薄い初期層303を成長させる。この初期層303は約20Åの厚さとすることが可能であり、無線周波数(RF)の交流(AC)の電力源とすることができる電力源306によって生成された電場のバイアスの下で、加速されたイオンの衝突による界面304での表面への損傷を防止することができる。先に言及したように、電力源306は、基板支持体320、および対電極として機能するガス分配プレート314に結合される。
一実施形態ではパルス電圧のバイアスが用いられるが、他の実施形態はDC電圧のバイアスを用いることができる。当業者には理解されるように、ガス分配プレート314は、負イオンを層303に打ち込むために基板305に対して負にバイアスされる。正イオンを打ち込むには、このバイアスを反転させる。第1の場の方向を有する第1の場の強さと、第2の場の方向を有する第2の場の強さとの間でバイアス電場を交互にすることによって、正イオンおよび負イオンを層303に打ち込むことが可能になる。チャンバ内の正イオンの供給源を用いて電力を印加し、第1の場の強さおよび第1の場の方向でバイアスをかけることによって、基板の第1の深さまで負イオンを打ち込むことが可能になる。第2の場の強さおよび第2の場の方向を与えるようにバイアスを変えると、正イオンを打ち込み、異なるイオンを異なる深さまで打ち込むことができる。
一般的には、パルスバイアスは、基板305の裏面に対するAC結合という利点を与え、電気的な結合を容易にする。特定の実施形態では、ACバイアスは、図3のグラフ307に示すように対称ではない(非対称である)。本発明の実施形態に従って、約200〜300KHzの範囲内の周波数を用いることができる。周波数が高まると、基板305の裏面への容量結合が容易になることが理解されるであろう。一実施形態によれば、印加される各パルスの持続時間は50%のデューティサイクルとすることができ、印加される電圧は、例えば約100〜200Vの範囲内など比較的低くすることができる。本発明は、特定の電力範囲に限定されず、印加される電力は、広い範囲にわたって変えることができ、例えば、300V未満のイオン加速電圧を生じるようにすることができる。一般的に、イオンエネルギーは、酸素などの負イオンを層303に打ち込むが、基板305には打ち込まないようにするのに足りるものとすべきであり、イオンおよび層303の厚さに依存する。これは、SRIMのようなコンピュータプログラムを用いて計算することができる。パルスの負電圧の大きさは、パルスの正電圧の大きさと比べると小さい。この差が、負の酸素イオンが層303に打ち込まれるが、基板305には打ち込まれないことを保証する。反対に、水素は層303の深さを越えて基板に打ち込まれる。水素は軽いため、損傷を引き起こさない。より重い酸素は損傷を引き起こす可能性があり、したがって、層303に打ち込むことはできるが、基板305に打ち込むことはできない。この水素と酸素の分離によって、水素が酸素を中和する能力が低減され、また水素は基板305のバルク中には存在するが、層303中には存在しないようになる。
プロセスの持続時間は一般に、所望のドーズをドーズ率で割ったものに等しくなる。例えば、所望の電荷が1013イオン/cm2である場合、イオンの到着率(ドーズ率)は1012/cm2/秒であり、その場合、持続時間は10秒である。1つまたは複数の実施形態によれば、酸化物層303は、約40〜200Å程度の厚さであり、イオンエネルギーは、シリコンへの損傷を最小限に抑えるために、ピークの濃度が層303の上半分に存在するように選択される。
図4は、基板305を処理するための代替的実施形態を示している。図4では、チャンバは、ガス分配プレートにバイアスをかけるのではなく、基板より上にワイヤグリッド318を配置してバイアスを確立することを除き、図3に示すチャンバと実質的に同様である。加えて、酸素源312が、酸素ガス302をイオン化するための遠隔のイオン化装置334を含むガスライン332に結合される。ウェハより上のワイヤグリッド318は、イオンを基板に向けて加速するように適合された対電極を形成する。グリッドのメッシュは1〜2mmとすることができ、ウェハより上に1〜2cm程度の間隔を置いて配置することが可能である。酸化物を成長させるためにウェハを加熱することがあるため、図4に示すようにグリッドが成長チャンバの中に含まれる場合には、グリッドを、タングステン、またはウェハに対する熱ランプのフラックスを許容できる一部の金属で作製すべきである。代替的手法は、層303を成長させた後、ラジカルを層303に注入するために用いられる第2のチャンバであり、したがって、1つのチャンバは単に熱ランプを有するチャンバとなり、第2のチャンバは、単にイオン注入器および加速グリッドを有する荷電チャンバとなる。
他の実施形態では、パッシベーションの目的で追加のイオンまたは異なるイオンを打ち込むことができる。例えば、アルミニウムまたはハフニウムを層303に打ち込むことができる。アルミニウムは、シリコン中でp型ドーパントになり、酸化物中に負に帯電した化学種を形成すると考えられる。水素からの分離を高めるため、またはより薄い酸化物への打ち込みを可能にするために、他のイオンが酸化物中で異なる範囲を有してもよい。
本発明の実施形態に適用される本発明の基本的かつ新規な特徴について示し、記述し、指摘してきたが、当業者によって、本発明の趣旨から逸脱することなく、図示した方法、装置およびシステムの形態および詳細、ならびにその動作に、様々な省略および置換および変更が行われ得ることが理解されるであろう。したがって、本発明は、添付の特許請求の範囲の範囲によって示されるようにのみ制限されるものである。
Claims (15)
- 処理チャンバ内で太陽電池基板の表面上に層を形成する方法であって、
前記処理チャンバ内にテクスチャ化されたシリコン表面を有する太陽電池基板を配置すること、
前記基板上に酸化物層を形成し、ある酸化物層の深さを有するようにすること、
前記処理チャンバ内に負イオン源から形成された負イオンを提供すること、および
前記負イオンを前記酸化物層に打ち込み、前記太陽電池基板上に負に帯電したパッシベーション誘電体層を形成すること
を含む方法。 - 前記負イオンが酸素イオンであり、前記パッシベーション層が二酸化シリコン層を含む、請求項1に記載の方法。
- バイアス電場を与えるように、前記チャンバ内の対電極および前記基板を支持する基板支持体に電力を印加することによって、前記チャンバにバイアスをかけることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 第1の場の方向を有する第1の場の強さと、第2の場の方向を有する第2の場の強さとの間で前記バイアス電場を交互にするために、電力源からの電力を変化させることをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 正イオンの供給源を前記チャンバ内に供給することをさらに含み、前記第1の場の方向を有する前記第1の場の強さが、前記層内の第1の深さまで前記負イオンを打ち込み、前記第2の場の方向を有する前記第2の場の強さが、前記層内の第2の深さまで前記正イオンを打ち込む、請求項4に記載の方法。
- 前記電力を、対電極と基板の間で約100および200ボルトの範囲で変化させる、請求項5に記載の方法。
- 前記バイアス電場が、前記基板上に初期の酸化物層を成長させた後に与えられることをさらに含み、前記初期の酸化物層を、前記バイアス電場を与える前に少なくとも約20オングストロームの深さまで成長させる、請求項3に記載の方法。
- 前記チャンバ内に第3のイオン源を導入することをさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 前記第3のイオン源が、アルミニウムイオンまたはハフニウムイオンを提供する、請求項8に記載の方法。
- 前記対電極がガス分配プレートを備え、前記ガス分配プレートが酸素源および水素源と連通する、請求項3に記載の方法。
- 前記対電極が、前記チャンバ内の前記基板支持体に隣接して配置されたグリッドを備える、請求項3に記載の方法。
- 太陽電池基板の表面上にパッシベーション層を形成する方法であって、
前記処理チャンバ内にテクスチャ化されたシリコン表面を有する太陽電池基板を配置すること、
前記基板上に酸化物層を形成し、ある酸化物層の深さを有するようにすること、
前記チャンバ内に酸素および水素を供給すること、ならびに
前記チャンバ内の対電極と前記基板の間に非対称のACバイアスを印加することであって、前記バイアスが正バイアスと負バイアスの間で変化し、前記正バイアスが前記負バイアスより大きい大きさを有し、したがって、水素イオンが前記酸化物層の深さより下の前記基板に打ち込まれ、酸素イオンが前記酸化物層に打ち込まれるが、前記基板には打ち込まれず、負に帯電したパッシベーション層を与えること
を含む方法。 - 前記酸化物層を、前記バイアスを印加する前に少なくとも約20オングストロームの深さまで成長させる、請求項12に記載の方法。
- 前記チャンバ内に第3のイオン源を導入することをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記第3のイオン源がハフニウムまたはアルミニウムを含む、請求項14に記載の方法。
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DE102012102745A1 (de) * | 2011-07-29 | 2013-01-31 | Schott Solar Ag | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle sowie Solarzelle |
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---|---|---|---|---|
US3917491A (en) * | 1974-01-08 | 1975-11-04 | Us Army | Methods for fabricating resistant MOS devices |
US4197141A (en) | 1978-01-31 | 1980-04-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Method for passivating imperfections in semiconductor materials |
US4774196A (en) * | 1987-08-25 | 1988-09-27 | Siliconix Incorporated | Method of bonding semiconductor wafers |
US5010040A (en) | 1988-12-30 | 1991-04-23 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating solar cells |
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JPH0837316A (ja) | 1994-07-22 | 1996-02-06 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 非晶質半導体光電変換装置 |
DE19522539C2 (de) * | 1995-06-21 | 1997-06-12 | Fraunhofer Ges Forschung | Solarzelle mit einem, eine Oberflächentextur aufweisenden Emitter sowie Verfahren zur Herstellung derselben |
US5968379A (en) | 1995-07-14 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | High temperature ceramic heater assembly with RF capability and related methods |
JPH1070297A (ja) | 1996-08-27 | 1998-03-10 | Mitsui Petrochem Ind Ltd | 太陽電池の製造方法 |
US7004107B1 (en) | 1997-12-01 | 2006-02-28 | Applied Materials Inc. | Method and apparatus for monitoring and adjusting chamber impedance |
DE19929278A1 (de) * | 1998-06-26 | 2000-02-17 | Nissin Electric Co Ltd | Verfahren zum Implantieren negativer Wasserstoffionen und Implantierungseinrichtung |
US7465478B2 (en) | 2000-08-11 | 2008-12-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma immersion ion implantation process |
JP2002289584A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-04 | Ebara Corp | 表面処理方法 |
WO2004027877A1 (ja) * | 2002-09-19 | 2004-04-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | 抵抗変化機能体およびその製造方法 |
US7381595B2 (en) | 2004-03-15 | 2008-06-03 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | High-density plasma oxidation for enhanced gate oxide performance |
US7659475B2 (en) * | 2003-06-20 | 2010-02-09 | Imec | Method for backside surface passivation of solar cells and solar cells with such passivation |
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US7375378B2 (en) | 2005-05-12 | 2008-05-20 | General Electric Company | Surface passivated photovoltaic devices |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014532111A (ja) * | 2011-08-02 | 2014-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 電界によりパターン及び構造形成を制御する方法及びデバイス |
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