TWI463232B - 液晶顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

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Kum Mi Oh
Han Seok Lee
Hee Sun Shin
Won Keun Park
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Lg Display Co Ltd
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Description

液晶顯示裝置及其製造方法
本發明係關於一種平板顯示裝置，並且特別地，本發明關於一種具有內置觸控式螢幕之液晶顯示裝置及其製造方法，本發明透過簡化製造製程可促進提高驅動性能，以及減少製造成本。
根據不同移動式設備，例如移動式終端及筆記型電腦之發展，對適合的平板顯示裝置之需求不斷增加。平板顯示裝置可包含一主動矩陣液晶顯示裝置(LCD)、一電漿顯示面板(Plasma Display Panel,PDP)、一場發射顯示裝置(FED)、或者一發光二極體(LED)顯示裝置等。在不同之平板顯示裝置之中，液晶顯示裝置(LCD)由於不同之優點，例如量產發展之成熟、容易驅動、低功耗、高質量解析度、以及更大之螢幕尺寸，得到廣泛之發展。
代替相關技術的滑鼠及鍵盤用作移動式電子設備之輸入裝置，最近使用一觸控式螢幕作為與平板顯示裝置相結合的一輸入裝置，其中觸控式螢幕使得一使用者透過使用一手指、筆、或觸針直接輸入資訊。
觸控式螢幕已經廣泛應用於多種領域之中，舉例而言，例如導航儀之移動終端、工業應用之終端、筆記型電腦、自動櫃員機(Automatic Teller Machine,ATM)、移動式電話、MP3播放器、個人數位助理(PDA)、可攜式多媒體播放器(PMP)、PSP(PlayStation Portable)、移動式遊戲機、數位媒體廣播(Digital Media Broadcasting,DMB)接收器、以及平板電腦。觸控式螢幕也已經結合於例如冷凍機、微波爐、以及洗衣機的非移動式電子設備之中。而且，觸控式螢幕的一容易之作業方法迅速擴大了應用領域。
為了減少移動式電子設備之尺寸，研究及開發出一種具有內置觸控式螢幕之液晶顯示裝置(LCD)。已經開發出一種內嵌觸控型液晶顯示裝置(LCD)，其中內嵌觸控型液晶顯示裝置(LCD)係指使用在主動結構中存在的元件，例如一底基板上的共同電極作為一觸控感測電極的液晶顯示裝置(LCD)。
「第1圖」係為習知技術之具有一內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之示意圖。請參閱「第1圖」，習知技術之具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)10包含有一彼此相結合之底基板50及頂基板60，以及一液晶層(圖未示)位於底及頂基板50及60之間。
作為內置觸控式螢幕作業之一實例，畫素陣列40也可用作一觸控式螢幕TS感測器。一小電壓可提供至畫素陣列40用以產生一均勻之靜電場。當一導體，例如一人指或者其他物體觸摸無塗層之前表面時，形成一電容Ctc。一與觸控式螢幕TS感測器相連接之控制器能夠自觸控式螢幕TS感測器的四個角部測量的電容中之變化，間接地確定觸控之位置。
在頂基板60之上，具有一黑矩陣62；紅、綠、以及藍色濾光器64R、64G、以及64B；以及一塗覆層66。此種情況下，黑矩陣62定義一對應於每一畫素的畫素區域。而且，紅、綠、以及藍色濾光器64R、64G、以及64B分別形成於透過黑矩陣62定義的各畫素區域之中。塗覆層66覆蓋紅、綠、以及藍色濾光器64R、64G、以及64B與黑矩陣62，用以平坦化頂基板60。
在底基板50之上，具有一畫素陣列40，畫素陣列40包含有複數個畫素用以驅動液晶層且偵測一觸控點。每一畫素透過彼此相交叉之複數個閘極線與複數個資料線定義。在閘極線與資料線之交叉部份，具有一用於每一畫素之薄膜電晶體(〞TFT〞)。每一畫素還包含有一共同電極及一畫素電極。
「第2圖」係為習知技術之具有一內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之中的一底基板50之橫截面圖。「第2圖」表示一邊緣場切換(Fringe Field Switch,FFS)模式之底基板，將在以下更詳細地描述。
請參閱「第2圖」，底基板50之每一畫素形成於一玻璃基板80之上。每一畫素包含有一蔽光層71，用以防止入射光線到達活性層72；一位於蔽光層71之上的緩衝層51；一位於緩衝層51之上的活性層72；一位於活性層72之上的閘極絕緣層52，以及一位於閘極絕緣層52之上的金屬材料之閘極73，其中閘極73與活性層72部份地相重疊，並且閘極73之至少一部份位於活性層72之一些部份上。並且還包含有一中間層介電質(ILD)53以及一資料電極(源/汲)74。中間層介電質53形成於閘極73之上，用以將閘極73與資料電極(源/汲)74絕緣。資料電極74與活性層72電連接。
進一步而言，一第一接觸孔透過蝕刻閘極絕緣層52及中間層介電質53形成，其中該接觸孔暴露活性層72之一預定部份。資料電極74透過埋藏一金屬材料於接觸孔之中形成，以與活性層72相接觸。活性層72、閘極絕緣層52、閘極73、以及資料電極74形成薄膜電晶體TFT部份。
在底基板50之每一畫素中，具有一第一鈍化層(PAS0)54、一第二鈍化層(PAS1)55、一共同電極75、一導電線(第三金屬)76、一第三鈍化層(PAS2)56、以及一畫素電極77，這些元件依次形成於中間層介電質53之上。第一及第二鈍化層(PAS0、PAS1)54及55形成為覆蓋閘極73及資料電極74。共同電極75形成於第二鈍化層55之上，其中共同電極75係由一透明導電材料，例如氧化銦錫(Indium-Tin-Oxide,ITO)形成。導電線76形成於共同電極75之一預定部份之上且與該部份電連接。第三鈍化層56形成為覆蓋共同電極75及導電線76。畫素電極77與第三鈍化層56及資料電極74之一頂部電連接，其中畫素電極77係由一透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)形成。
一第二接觸孔透過部份地蝕刻第一、第二以及第三鈍化層(PAS0、PAS1、以及PAS2)54、55以及56形成。在蝕刻之後，資料電極74之頂部藉由第二接觸孔暴露。畫素電極77形成於透過蝕刻第一、第二以及第三鈍化層(PAS0、PAS1、以及PAS2)54、55以及56形成的第二接觸孔之內部，由此畫素電極77與資料電極74電連接。
這裡，用作液晶顯示裝置(LCD)之一開關元件之薄膜電晶體(TFT)可形成為一頂閘結構或底閘結構。在具有頂閘結構的薄膜電晶體(TFT)之情況下，自背光單元發射出之光線通過基板80供給於活性層72，由此一光漏電流出現於活性層72之中，以及可出現劣降，例如串擾。串擾係為由打開誤傳影像的意想不到的畫素產生之不良視覺現象。在閘極關閉之後，在衰減時間期間殘留的閘極電壓加上自背光單元吸收的光子能量，可當薄膜電晶體(TFT)試圖關閉時，足以至少部份地打開薄膜電晶體(TFT)。
為了防止如此之限制，一金屬層，即，用以屏避光線的蔽光層71位於活性層72之下。因此，背光之光線防止入射於活性層72之上，以及因此漏電流最小化。
非晶矽之電子活動性能限制薄膜電晶體(TFT)之作業速度及幾何設計規則。為了克服如此之限制，低溫多晶矽(Low Temperature Poly Silicon,LTPS)用作形成底基板50之活性元件(例如薄膜電晶體)之材料，因為電子之移動(Electron Mobility)相比較於非晶矽高大約100倍。甚至當低溫多晶矽(LTPS)用作形成底基板50之薄膜電晶體(TFT)之材料時，如「第3圖」所示，對應於形成圖案層數的十個(10)光罩用於製造過程中，以及因此，執行複數個詳細過程(例如，155個步驟)。
低溫多晶矽(LTPS)使得實現相比較於非晶矽具有更高解析度的顯示面板，並且具有用於薄膜電晶體(TFT)作業之優秀特性。然而，因為具有額外的退火步驟，因此低溫多晶矽(LTPS)相比較於非晶矽需要製造過程具有更多之光罩及更詳細之步驟。因此，價格競爭力具有限制且製造效率降低。
因此，鑒於上述問題，本發明之目的在於提供一種具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)及其製造方法，藉以消除由於習知技術之限制及缺點所產生的一個或多個問題。
本發明之一方面在於提供一種液晶顯示裝置及其製造方法，其透過減少一底基板之形成過程中的光罩數目，有利於降低製造成本。
本發明之另一方面在於提供一種薄膜電晶體結構及其製造方法，能夠減少一頂閘結構中的一活性層中的光線漏電流。
本發明之再一方面在於提供一種液晶顯示裝置及其製造方法，其透過簡化一底基板之形成過程，可提高製造效率。
本發明之又一方面在於提供一種液晶顯示裝置，其透過使用低溫多晶矽(LTPS)作為薄膜電晶體中的活性半導體，可提高驅動性能。
本發明其他的優點與特徵將在如下的說明書中部分地加以闡述，並且本發明其他的優點與特徵對於本領域的普通技術人員來說，可以透過本發明如下的說明得以部分地理解或者可以從本發明的實踐中得出。本發明的目的和其他優點可以透過本發明所記載的說明書和申請專利範圍中特別指明的結構並結合圖式部份，得以實現和獲得。
為了獲得本發明目的之這些及其他優點，現對本發明作具體化和概括性的描述，本發明提供的一種液晶顯示裝置包含有：一第一基板，其具有透過閘極線與資料線定義的複數個畫素區域；一活性層，位於第一基板之每一畫素區域之中；一閘極圖案，其包含有複數個閘極，這些閘極之一部份與活性層之一預定部份相重疊，以及一絕緣層位於其間；複數個通道區域，位於與這些閘極相重疊之活性層之區域之中；複數個輕摻雜汲極區域，其位於活性層之中且與這些通道區域直接相鄰；以及一與活性層電連接之資料電極。
這裡，活性層包含有：複數個通道區域，其形成於與這些閘極相重疊之區域中；以及複數個輕摻雜汲極(lightly doped drain,LDD)區域，其形成於這些通道區域之周圍中。
在本發明之又一方面中，一種液晶顯示裝置之製造方法包含：在一具有透過閘極線與資料線定義的複數個畫素區域之基板上，沉積一半導體材料之活性層且形成圖案；塗覆一絕緣層於活性層之上；透過沉積及形成一導電材料之圖案於絕緣層之上，形成具有與活性層之一預定部份相重疊之複數個閘極的一閘極圖案；蝕刻絕緣層之一預定部份之一接觸孔，用以暴露活性層之一預定部份；透過埋藏一導電材料於接觸孔之中，形成一資料電極之圖案，資料電極與活性層電連接；透過活性層與這些閘極相重疊(其間具有絕緣層)，產生複數個通道；在與這些通道直接相鄰的活性層中輕摻雜複數個輕摻雜汲極區域。
此外，形成閘極圖案之過程包含：透過使用閘極線形成一第一閘極；形成一自第一閘極突出之第二閘極，其中第二閘極形成為與第一閘極相垂直；以及形成一自第二閘極突出之第三閘極，其中第三閘極形成為與第二閘極相垂直。
可以理解的是，如上所述的本發明之概括說明和隨後所述的本發明之詳細說明均是具有代表性和解釋性的說明，並且是為了進一步揭示本發明之申請專利範圍。
以下，將結合圖式部份詳細描述本發明之實施例。圖式中的相同標號表示相同或類似元件。
下文中，將結合圖式部份描述本發明之具有內置觸控式螢幕的一液晶顯示裝置(LCD)及其製造方法。
在本發明之實施例之以下說明中，如果一第一結構(例如，電極、線路、層、接觸件等)描述為形成於一第二結構〞之上〞或〞之下〞時，第一及第二結構可彼此相接觸，或者在第一及第二結構之間可具有一第三結構。
根據液晶層之一配向模式，一液晶顯示裝置(LCD)可分類為扭轉向列(Twisted-Nematic,TN)型、垂直配向(Vertical-Alignment,VA)型、平面切換(In-Plane Switching,IPS)型、以及邊緣場切換(Fringe Field Switching,FFS)型。這些不同之模式使用液晶的不同電-光性能以調節光線。
在平面切換(IPS)型及邊緣場切換(FFS)型之情況下，一畫素電極及一共同電極均形成於一底基板之上，由此液晶層之液晶分子可根據畫素電極與共同電極之間的一電場配向。
特別地，在平面切換(IPS)型之情況下，畫素電極與共同電極可相交替平行地排列，以使得在畫素電極與共同電極之間出現一平面型電場，由此配向液晶層之液晶分子。
然而，在平面切換(IPS)型之情況下，液晶分子可在畫素電極與共同電極之上方不正確配向，由此光線透射比在畫素電極及共同電極之上方相對地劣化。
為了解決平面切換(IPS)型之該問題，提出邊緣場切換(FFS)型。在邊緣場切換(FFS)型之情況下，一絕緣層可位於畫素電極與共同電極之間。在邊緣場切換(FFS)型之中，畫素電極與共同電極之任何一個可形成為一面板形或圖案，以及該另一個可形成為一指狀，由此一邊緣場出現於畫素電極與共同電極之間。因此，液晶層之液晶分子可透過畫素電極與共同電極之間出現的邊緣場配向。液晶分子之定位能夠透過改變邊緣場調節。
根據本發明之一實施例之具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)可形成為邊緣場切換(FFS)型。本發明之實施例之具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)可包含有一具有內置觸控式螢幕以偵測一使用者之觸控點的，內嵌觸控式液晶顯示面板；一用於將光線提供至該液晶面板的背光單元；以及一驅動電路。
該驅動電路可包含一定時控制器(T-con)、一資料驅動器(D-IC)、一閘極驅動器(G-IC)、一觸控感測驅動器、一背光驅動器、以及一電源。該驅動電路可全部或部份形成為玻璃覆晶基板(Chip-On-Glass,COG)或者晶粒軟膜結合(可撓性印刷電路板上晶粒,COF)。
液晶面板可包含有彼此相結合之底及頂基板以及其間的一液晶層。而且，複數個排列為矩陣結構之畫素(Clc)可形成於該液晶面板之中。液晶面板根據一輸入資料電壓可控制通過每一畫素之中液晶層之光線透射率，用以根據一視訊訊號顯示一影像。
而且，底基板上的共同電極可作為感測電極驅動，用以根據一使用者之觸摸感測電容之變化，由此能夠通過透過共同電極感測之電容偵測使用者之觸控點。
在頂基板之上，可具有一黑矩陣(BM)；紅、綠、以及藍色綠濾光器；以及一塗覆層。此種情況下，黑矩陣可定義一對應於複數個畫素之畫素區域。而且紅、綠、以及藍色綠濾光器可分別在透過黑矩陣定義的各畫素區域中形成。塗覆層可覆蓋紅、綠、以及藍色綠濾光器及黑矩陣用以平坦化頂基板。在底基板之上，可具有一包含有複數個畫素之畫素陣列，這些畫素用以驅動液晶層及透過感測根據使用者觸摸的電容偵測觸控點。畫素陣列可包含有一待描述之薄膜電晶體；共同電極；以及用以連接各畫素中的共同電極之導電線。
一閘極線與一資料線可垂直相交叉形成於底基板之上。複數個畫素可透過閘極線與資料線定義。在每一畫素之中，一薄膜電晶體可形成為一開關元件，以及一與薄膜電晶體電連接之畫素電極可形成於每一畫素中。這裡，薄膜電晶體可包含有一閘極、一活性層(半導體層)、一絕緣層、以及一資料電極(源/汲極)。該薄膜電晶體可具有一閘極位於活性層之下的底閘結構，或者具有一閘極位於活性層之上的頂閘結構。
「第4圖」係為本發明一實施例之一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之一底基板之平面圖。「第5圖」係為本發明一實施例之一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)中之一底基板之橫截面圖。「第5圖」係為沿「第4圖」之I-I’線之橫截面圖。
請參閱「第4圖」及「第5圖」，複數個畫素可形成於一底基板100之上。每一畫素可包含有一薄膜電晶體(TFT)，該薄膜電晶體(TFT)可包含一閘極圖案150、一活性層(半導體層)130、以及一絕緣層。
每一畫素可包含有一畫素電極220，畫素電極220可與薄膜電晶體相連接且根據一視訊訊號將一畫素電壓提供至該畫素；一將一共同電壓(Vcom)供給至該畫素之共同電極190a；以及將相鄰畫素之共同電極190a相連接之一導電線200a。這裡，導電線200a可用作一接觸線，用以允許待作為一觸控感測電極驅動的共同電極190a偵測觸控。
底基板100之每一畫素可包含有一形成於基板300上之緩衝層(圖未示)；一位於緩衝層上的活性層130；一位於活性層130上之閘極絕緣層(GI)140；一閘極圖案150，其形成於閘極絕緣層140之上且與活性層130部份地相重疊；一中間層介電質(ILD)160，其用以將閘極圖案150與一資料電極170相絕緣，其中中間層介電質(ILD)160可形成於閘極圖案150之上；以及資料電極(源/汲極)170，其與活性層130電連接且藉以一接觸孔部份地暴露。
閘極圖案150可包含有複數個閘極。在閘極絕緣層140位於閘極與活性層130之間的情況下，這些閘極可與活性層130相重疊，用以形成複數個通道。
該接觸孔可透過蝕刻閘極絕緣層140及中間層介電質(ILD)160形成，由此活性層之預定部份藉由該接觸孔暴露。
資料電極170可透過在該接觸孔中埋藏一導電材料形成。資料電極170可通過待描述之共同通道190b及導電通道200b與畫素電極220電連接。
在底基板100之每一畫素中，可具有一第一鈍化層(PAS1)180，共同電極層(共同電極190a、共同通道190b、共同電壓電極190c)，以及導電層(導電線200a及導電通道200b)。第一鈍化層(PAS1)180可形成為覆蓋閘極圖案150及資料電極170。共同電極層(共同電極190a、共同通道190b、共同電壓電極190c)可與第一鈍化層180及資料電極170之一頂部相接觸，其中共同電壓電極190c可由一透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)形成。導電線200a可形成於共同電極190a之一預定部份之上，並且可與共同電極190a電連接。
共同通道190b及導電通道200b可順次形成於第一接觸孔之內部，以及第一鈍化層180之上。因此，資料電極170、共同通道190b、以及導電通道200b可在第一接觸孔之中電連接。
底基板100之每一畫素可具有一第二鈍化層(PAS2)210，第二鈍化層(PAS2)用以覆蓋共同電極層(共同電極190a、共同通道190b、共同電壓電極190c)，以及導電層(導電線200a及導電通道200b)；以及一畫素電極220，畫素電極220與第二鈍化層210及資料電極170之一頂部電連接，其中畫素電極220可由一透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(Indium-Zinc-Oxide,IZO)等形成。
一第二接觸孔可透過部份地蝕刻第二鈍化層210形成，用以暴露導電通道200b。然後，畫素電極220可形成於第二接觸孔之內部，以及可與導電通道200b電連接。因此，畫素電極220可藉由共同通道190b及導電通道200b與資料電極170電連接。
在根據本發明一實施例之具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之中，在一影像圖框之顯示時間期間，一資料電壓可供給至畫素電極220，以及一共同電壓(Vcom)可供給至共同電壓電極190c，產生調節液晶材料的電壓電勢用以顯示一影像要素。
在一影像圖框之非顯示時段期間，形成於每一畫素中且與導電線200a相連接之共同電極190a可驅動作為觸控感測電極，用以偵測根據使用者之觸控的電容(Ctc)之變化。為此，共同電壓電極190c在一影像框架之顯示時段期間將共同電壓(Vcom)供給至該畫素，以及共同電極190a可驅動作為觸控感測電極，用以在框架之非顯示時段期間偵測使用者之觸控。
形成於用以暴露資料電極170之頂部的第一接觸孔中之共同通道190b與導電通道200b可用於資料電極170與畫素電極220之間的接觸。因此，作為共同電極層之一部份、第一接觸孔中形成的共同通道190b可與第一鈍化層180之上形成的共同電壓電極190c及共同電極190a電絕緣。該共同電壓不另外供給至在第一接觸孔內部形成的共同通道190b。同時，共同電壓在顯示時段期間，供給至第一鈍化層180之上形成的共同電壓電極190c。
上述本發明一實施例之具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)可包含具有頂閘結構之一薄膜電晶體，然而，可沒有一遮蔽入射於活性層130上的光線的另外之蔽光層。
「第6圖」係為本發明一實施例之具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之一閘極圖案以及一活性層之平面圖。「第7圖」係為本發明一實施例之一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)中之一閘極圖案以及一活性層之橫截面圖。「第7圖」係為沿「第6圖」之II-II’線之橫截面圖。
請參閱「第6圖」及「第7圖」，閘極圖案150可包含有第一至第三閘極152、154、以及156。
第一至第三閘極152、154、以及156可在閘極絕緣層140位於該兩個層之間的情況下，與活性層130相重疊，用以形成複數個通道(通道1至通道3)。也就是說，一通道係為活性層130之中電荷載子流動之一部份。如「第6圖」所示，這些通道可分別形成於活性層130與第一至第三閘極152、154、以及156相重疊的A、B、以及C區域之中。雖然圖未示，第一至第三閘極152、154、以及156可形成於與頂基板之黑矩陣(BM)相對應之區域之中，以使得這些特徵可不增加該畫素之尺寸。
閘極圖案150之第一閘極152可透過使用閘極線形成。第一通道(通道1)可形成於第一閘極152與活性層130之間的重疊部份。
第二閘極154可與第一閘極152相垂直。也就是說，當第一閘極152形成於一水平方向(閘極線方向)時，第二閘極154可形成於一垂直方向(資料線方向)上。第三閘極156可形成在與第一閘極152相同之方向，也就是說，水平方向(閘極線方向)上。然後第三閘極156可與第二閘極154相垂直。
為了最小化漏電流及串擾，以及提高到達期望畫素的資料之驅動可靠性，如「第7圖」所示，複數個輕摻雜汲極(LDD)區域134及通道132形成於活性層130之中。舉例而言，這些通道可形成於活性層130與第一至第三閘極152、154、以及156相重疊的區域之中。在每一通道132之兩側，可為輕摻雜汲極(LDD)區域134(例如，n-摻雜區域)。輕摻雜汲極(LDD)區域透過減少靠近汲極區域的電場密度最小化漏電流。除了通道132及輕摻雜汲極(LDD)區域134之外，還具有重摻雜區域136(例如，n+摻雜區域)。
在根據本發明之本實施例之液晶顯示裝置(LCD)之中，可不具有用以遮蔽入射於活性層130上的光線的蔽光層。相反，這些通道132與用以防止漏電流的輕摻雜汲極(LDD)區域134可形成於活性層130之中，以使得在不需要任何另外的蔽光裝置的情況下，可能防止活性層130中的漏電流。
可形成於活性層130與第一至第三閘極152、154、以及156相重疊的區域之通道，可根據畫素設計在幾何機構上變化。舉例而言，這些通道可透過調節活性層130之一寬度(W)及這些閘極之寬度(L1、L2、L3)確定。
在上述根據本發明之一實施例之一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之中，這些通道132與輕摻雜汲極(LDD)區域134可通過使用一活性層130以及複數個第一至第三閘極152、154、以及156形成，由此一輕摻雜汲極(LDD)區域的全部尺寸相比較於習知技術相對增加。因此，不需要一另外之蔽光層可能防止活性層130中的漏電流。
對於結合附圖的上述說明，這三個通道與複數個輕摻雜汲極(LDD)區域通過使用第一至第三閘極152、154、以及156形成。然而，其僅表示示例性情況，但是並非對該結構之限制。
根據本發明之另一實施例，如「第8圖」所示，閘極圖案150可包含有一另外之第四閘極158，用以包含有四個閘極。在該結構之中，「第8圖」中所示之第一至第三閘極152、154、以及156與「第6圖」中之相同。第四閘極158可自第一閘極152突出。一通道(通道4)可形成於第四閘極158與活性層130之間的一重疊部份。第四閘極158可自第一閘極152垂直地突出，由此透過第一及第四閘極152及158形成一〞T〞形。
如「第8圖」所示，如果閘極圖案150可包含有四個閘極，則可形成第一至第四通道(通道1至通道4)，以使得全部輕摻雜汲極(LDD)區域增加，用以不需要用於遮蔽入射於活性層130上的光線之另外層而防止漏電流。
「第9圖」至「第13圖」係為本發明一實施例之具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之製造方法之示意圖。如圖所示，「第10圖」至「第13圖」係分別為沿「第4圖」之I-I’線以及「第6圖」之II-II’線之橫截面圖。
在本發明一實施例之具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之製造方法中，省去在活性層之下形成用於遮蔽光線的另外蔽光層之過程，以及薄膜電晶體可形成有複數個閘極。因此，本發明相比較於習知技術用以形成蔽光層之過程，可減少光罩數目，由此減少製程成本。而且，本發明可增加輕摻雜汲極(LDD)區域用以防止漏電流而不減少畫素孔徑比。
更詳細而言，如「第10(a)圖」所示，一活性層130可透過在基板300之上沉積一例如低溫多晶矽(LTPS)的半導體形成，以及然後可透過使用一光罩的光微影及蝕刻過程形成圖案。如「第10(b)圖」所示，一閘極絕緣層140可透過化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition,CVD)其他適合過程，沉積四乙氧基矽烷(Tetra Ethyl Ortho Silicate,TEOS)、中間溫度氧化物(Middle Temperature Oxide,MTO)或者其他適合絕緣材料於該基板之一全部表面上形成。
如「第10(c)圖」所示，一導電材料可在與活性層130相重疊時，沉積於閘極絕緣層140之上。然後，使用一光罩的光微影及蝕刻過程可作用於沉積之導電材料，用以形成一閘極圖案150。閘極圖案150可包含有複數個第一至第三閘極152、154、以及156。在一光罩與光阻抗蝕圖案(以下，稱作〞PR圖案〞)用於形成第一至第三閘極152、154、以及156的情況下，如下所述，輕摻雜汲極(LDD)區域可形成於活性層130之通道兩側的預定部份之中。同時，如下所述，重摻雜區域可形成於除通道區域與輕摻雜汲極(LDD)區域之外的其他區域之中。
雖然圖未示，第一至第三閘極152、154、以及156可形成於與頂基板之黑矩陣(BM)相對應的區域之中，由此對畫素之孔徑比沒有影響。
將結合「第11圖」詳細描述閘極圖案150及輕摻雜汲極(LDD)區域之形成方法。如「第11(a)圖」所示，一導電材料可在與活性層130相重疊時，沉積於閘極絕緣層140之上用以形成一導電層151。然後，可執行使用PR圖案232作為一光罩的光微影及蝕刻過程，用以形成複數個導電圖案153。
在保留於這些導電圖案153上的PR圖案232用作一光罩的情況下，重摻雜區域136(例如，n+摻雜區域)可透過使用n型摻雜劑重摻雜活性層130形成。根據本發明之另一實施例，活性層可使用p型摻雜劑摻雜。
如「第11(b)圖」所示，第一至第三閘極152、154、以及156可透過自這些導電圖案153去除PR圖案232，以及蝕刻導電圖案形成。
如「第11(c)圖」所示，在第一至第三閘極152、154、以及156用作一光罩的情況下，活性層130可使用n型摻雜劑輕摻雜用以形成n-摻雜區。這樣，這些通道132可形成於活性層130與第一至第三閘極152、154、以及156相重疊的區域。在各通道132之兩側可為輕摻雜汲極(LDD)區域134，例如n-摻雜區。
通過上述製造過程，第一至第三閘極152、154、以及156可形成於閘極圖案150之中，以及這些輕摻雜汲極(LDD)區域134可形成於活性層130之中。
如「第12(a)圖」所示，一絕緣材料可沉積於基板上用以覆蓋閘極圖案150及閘極絕緣層140，用以形成一中間層介電質(ILD)160以將閘極圖案150與底基板之其他元件絕緣。然後，可執行光微影及蝕刻過程以形成接觸孔162，用以暴露活性層130之頂表面之預定部份。
如「第12(b)圖」所示，一導電材料可沉積(埋藏)於中間層介電質(ILD)160之全部表面上及接觸孔162之內部，以及然後使用光微影及蝕刻過程形成於一資料電極170之中。在接觸孔162之內部，資料電極170與活性層130電連接。
如「第12(c)圖」所示，第一鈍化層(PAS1)180可形成為覆蓋中間層介電質(ILD)160及資料電極170，以及然後使用一光罩執行光微影及蝕刻過程用以形成暴露資料電極170的第一接觸孔182。
如「第13(a)圖」所示，一透明導電材料例如氧化銦錫(ITO)可沉積於第一鈍化層(PAS1)180之上以及第一接觸孔182之內部，以及然後透過使用一光罩的光微影及蝕刻過程形成圖案。因此，一共同電極層(共同電極190a、共同通道190b、共同電壓電極190c)可形成於第一鈍化層(PAS1)180之預定區域上以及第一接觸孔182之內部。然後，一導電材料可沉積於第一鈍化層(PAS1)180及共同電極層(共同電極190a、共同通道190b、共同電壓電極190c)之上，以及然後使用一光罩可執行光微影及蝕刻過程用以在共同電極層(共同電極190a、共同通道190b、共同電壓電極190c)之預定部份上及第一接觸孔182之內部形成導電層(200a、200b)。因此，共同通道190b與導電通道200b電連接。
第二鈍化層(PAS2)210可形成為覆蓋共同電極層(共同電極190a、共同通道190b、共同電壓電極190c)及導電層(導電線200a及導電通道200b)。如「第13(b)圖」所示，可使用一光罩執行光微影及蝕刻過程用以在第二鈍化層(PAS2)210之預定部份中形成第二接觸孔212。此種情況下，第二接觸孔212可形成於與資料電極170相對應之區域中。而且，與資料電極170電連接之導電通道200b可藉由第二接觸孔212暴露。
其後，一透明導電材料，例如氧化銦錫(ITO)可形成於第二鈍化層(PAS2)210之上及第二接觸孔212之內部，用以形成畫素電極220。在第二接觸孔212之內部，畫素電極220可與導電通道200b電連接。因此，資料電極170藉由第一接觸孔182之內部形成的共同通道190b及導電通道200b與畫素電極220電連接。因此，共同電壓(Vcom)不提供於第一接觸孔182之內部形成的共同通道190b。
本發明之上述實施例之液晶顯示裝置(LCD)之製造方法省去遮蔽入射於活性層130上的光線的蔽光層之需求，以及因此相比較於習知技術能夠減少一個光罩。而且，該方法相比較於習知技術能夠減少大約12.2%之加工(例如，減少155個步驟至136個步驟)。因此，能夠節省製造成本且能夠提高製造效率。
本發明之上述實施例之液晶顯示裝置(LCD)及其製造方法使用低溫多晶矽(LTPS)作為底基板300上的活性材料用以提高驅動性能。
在上述之說明中，薄膜電晶體結構應用於具有內置觸控式螢幕之液晶顯示裝置(LCD)，其僅為一示例性實例。具有「第6圖」至「第8圖」之閘極圖案及活性層的該薄膜電晶體之結構可應用於除使用一薄膜電晶體作為一開關元件或驅動元件的液晶顯示裝置(LCD)之外的顯示裝置之中。
本領域之技術人員應當意識到在不脫離本發明所附之申請專利範圍所揭示之本發明之精神和範圍的情況下，所作之更動與潤飾，均屬本發明之專利保護範圍之內。關於本發明所界定之保護範圍請參照所附之申請專利範圍。
10．．．液晶顯示裝置
40．．．畫素陣列
50．．．底基板
51．．．緩衝層
52．．．閘極絕緣層
53．．．中間層介電質
54．．．第一鈍化層
55．．．第二鈍化層
56．．．第三鈍化層
60．．．頂基板
62．．．黑矩陣
64R．．．紅色濾光器
64G．．．綠色濾光器
64B．．．藍色濾光器
66．．．塗覆層
71．．．蔽光層
72．．．活性層
73．．．閘極
74．．．資料電極
75．．．共同電極
76．．．導電線
77．．．畫素電極
80．．．基板
100．．．底基板
130．．．活性層
132．．．通道
134．．．輕摻雜汲極(LDD)區域
136．．．重摻雜區域
140．．．閘極絕緣層
150．．．閘極圖案
151．．．導電層
152．．．第一閘極
153．．．導電圖案
154．．．第二閘極
156．．．第三閘極
158．．．第四閘極
160．．．中間層介電質
162．．．接觸孔
170．．．資料電極
180．．．第一鈍化層
182．．．第一接觸孔
190a．．．共同電極
190b．．．共同通道
190c．．．共同電壓電極
200a．．．導電線
200b．．．導電通道
210．．．第二鈍化層
212．．．第二接觸孔
220．．．畫素電極
232．．．PR圖案
300．．．基板
Ctc．．．電容
TS．．．觸控式螢幕
PAS0．．．第一鈍化I
PAS1．．．第二鈍化層
PAS2．．．第三鈍化層
ILD．．．中間層介電質
W．．．寬度
Vcom．．．共同電壓
A、B、C‧‧‧區域
L1、L2、L3‧‧‧寬度
第1圖係為習知技術之一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)及其製造方法之示意圖；
第2圖係為習知技術之一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之中的一底基板之橫截面圖；
第3圖係為習知技術之製造一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之光罩層之列表；
第4圖係為本發明一實施例之一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之一底基板之平面圖；
第5圖係為本發明一實施例之一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)中之一底基板之橫截面圖；
第6圖係為本發明一實施例之具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之一閘極圖案以及一活性層之平面圖；
第7圖係為本發明一實施例之一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)中之一閘極圖案以及一活性層之橫截面圖；
第8圖係為本發明另一實施例之一具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)中之一閘極圖案以及一活性層之平面圖；以及
第9圖至第13圖係為本發明一實施例之具有內置觸控式螢幕的液晶顯示裝置(LCD)之製造方法之示意圖。
100．．．底基板
130．．．活性層
140．．．閘極絕緣層
150．．．閘極圖案
160．．．中間層介電質
170．．．資料電極
180．．．第一鈍化層
190a．．．共同電極
190b．．．共同通道
190c．．．共同電壓電極
200a．．．導電線
200b．．．導電通道
210．．．第二鈍化層
220．．．畫素電極
300．．．基板
PAS1．．．第二鈍化層
PAS2．．．第三鈍化層
Vcom．．．共同電壓
ILD．．．中間層介電質

Claims (13)

  1. 一種液晶顯示裝置，係包含有：一第一基板，係具有透過閘極線與資料線定義的複數個畫素區域；一活性層，係位於該第一基板之每一畫素區域之中；一閘極圖案，係包含有複數個閘極，該等閘極之一部份與該活性層之一預定部份相重疊，以及一絕緣層位於其間；複數個通道區域，係位於與該等閘極相重疊之該活性層之該等部份之中；複數個輕摻雜汲極區域，係位於該活性層之中且與該等通道區域直接相鄰；以及一資料電極，係與該活性層電連接，其中該等閘極包含：一第一閘極；一第二閘極，係自該第一閘極突出；以及一第三閘極，係自該第二閘極突出。
  2. 如請求項第1項所述之液晶顯示裝置，其中該第二閘極之定向與該第一閘極相垂直，以及其中該第三閘極之定向與該第一閘極之方向相同且還與該第二閘極之定向相垂直。
  3. 如請求項第2項所述之液晶顯示裝置，其中該等閘極更包含有 一第四閘極，該第四閘極之定向與該第二閘極之方向相同且與該第三閘極之定向相垂直。
  4. 如請求項第1項所述之液晶顯示裝置，更包含有：一第一鈍化層，係用以覆蓋該閘極；一第一接觸孔，係透過蝕刻該第一鈍化層之一預定部份形成，該第一接觸孔用於暴露該閘極；一共同電極層，係位於該第一鈍化層之上及該第一接觸孔之內部；一導電層，係位於該第一鈍化層之上以及該第一接觸孔內部之該共同電極層之上；一第二鈍化層，係位於該共同電極層及該導電層之上；一第二接觸孔，係透過蝕刻該第二鈍化層之一預定部份形成，該第二接觸孔用以暴露與該資料電極相對應之該導電層；以及一畫素電極，係位於該第二鈍化層之上及該第二接觸孔之內部，該畫素電極與該導電層電連接。
  5. 如請求項第4項所述之液晶顯示裝置，其中該資料電極與該畫素電極藉由該第一接觸孔內部之該共同電極層及該導電層彼此電連接。
  6. 如請求項第5項所述之液晶顯示裝置，更包含有：一第二基板； 一液晶層；一內嵌觸控型感測電極。
  7. 一種液晶顯示裝置之製造方法，係包含：在一具有透過閘極線與資料線定義的複數個畫素區域之基板上，沉積一半導體材料之活性層且形成圖案；塗覆一絕緣層於該活性層之上；透過沉積及形成一導電材料之圖案於該絕緣層之上，形成具有與該活性層之一預定部份相重疊之複數個閘極的一閘極圖案；蝕刻該絕緣層之一預定部份之一接觸孔，用以暴露該活性層之一預定部份；透過埋藏一導電材料於該接觸孔之中，形成一資料電極之圖案，該資料電極與該活性層電連接；透過該活性層與該等閘極相重疊(其間具有該絕緣層)，產生複數個通道；以及在與該等通道直接相鄰的該活性層中輕摻雜複數個輕摻雜汲極區域，其中形成該等閘極之圖案之該過程包含：形成一第一閘極之圖案；形成自該第一閘極突出之一第二閘極之圖案，其中該第二閘極形成為與該第一閘極相垂直；以及 形成自該第二閘極突出之一第三閘極之圖案，其中該第三閘極形成為與該第二閘極相垂直。
  8. 如請求項第7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，更包含形成一自該第一閘極突出之一第四閘極之圖案，其中該第四閘極與該第二閘極具有該相同之方向，以及形成為與該第三閘極相垂直。
  9. 如請求項第7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中形成該等閘極之圖案之該過程包含使用該等閘極作為一光罩，在該活性層中形成複數個輕摻雜汲極區域。
  10. 如請求項第7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，更包含：塗覆一第一鈍化層於該資料電極之上，以及蝕刻該第一鈍化層之一預定部份，用以形成暴露該資料電極之一第一接觸孔；沉積一共同電極層及一導電層，其中該共同電極層位於該第一鈍化層之上及該第一接觸孔之內部，以及該導電層與該共同電極層電連接；塗覆一第二鈍化層於該共同電極及該導電線之上，以及蝕刻該第二鈍化層之一預定部份，用以形成一暴露與該資料電極相對應之該導電層之一預定部份；以及沉積一畫素電極於該第二鈍化層之上及該二接觸孔之內部，該畫素電極與該導電層電連接。
  11. 如請求項第10項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中該資料電極與該畫素電極藉由該第一接觸孔之內部形成的該共同電極層及該導電層彼此電連接。
  12. 如請求項第7項所述之液晶顯示裝置之製造方法，其中一薄膜電晶體係由低溫多晶矽(LTPS)形成。
  13. 如請求項第10項所述之液晶顯示裝置之製造方法，更包含：形成該導電層之圖案用以形成一導電電極；以及將一觸控式螢幕控制件與該導電電極相連接。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5899237B2 (ja) * 2011-11-18 2016-04-06 シャープ株式会社 半導体装置、表示装置、ならびに半導体装置の製造方法
KR101353284B1 (ko) * 2012-04-25 2014-01-21 엘지디스플레이 주식회사 액정 디스플레이 장치와 이의 제조방법
CN102709240B (zh) * 2012-05-04 2014-11-26 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制作方法、阵列基板和显示装置
JP5947650B2 (ja) 2012-07-27 2016-07-06 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置および電子機器
JP2014095795A (ja) 2012-11-09 2014-05-22 Japan Display Inc 液晶表示装置およびその製造方法
CN103838445B (zh) * 2012-11-22 2017-06-13 Lg伊诺特有限公司 触窗
US9287406B2 (en) 2013-06-06 2016-03-15 Macronix International Co., Ltd. Dual-mode transistor devices and methods for operating same
TWI510988B (zh) * 2013-07-17 2015-12-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 內嵌式觸控顯示面板
CN103713792B (zh) * 2013-12-23 2016-06-01 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制造方法和触摸显示装置
CN104820324A (zh) * 2014-01-31 2015-08-05 Jsr株式会社 液晶显示元件及感放射线性树脂组合物
CN103915510B (zh) * 2014-03-27 2017-08-04 京东方科技集团股份有限公司 一种多栅薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
US10564779B2 (en) 2014-04-25 2020-02-18 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate and manufacturing method thereof, and touch display device
CN105097828B (zh) * 2015-06-09 2018-11-09 武汉华星光电技术有限公司 Tft基板结构的制作方法及tft基板结构
KR102363840B1 (ko) * 2015-07-28 2022-02-16 엘지디스플레이 주식회사 터치 표시 장치의 박막트랜지스터를 포함하는 기판
CN105931986A (zh) * 2016-05-18 2016-09-07 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制造方法、阵列基板和显示装置
KR101831186B1 (ko) * 2016-06-30 2018-02-22 엘지디스플레이 주식회사 코플라나 형태의 산화물 박막트랜지스터 및 그 제조 방법과, 이를 이용한 표시패널 및 표시장치
CN106886111A (zh) * 2017-03-31 2017-06-23 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板及显示装置
CN108535925B (zh) * 2018-03-20 2021-04-02 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
US11146780B1 (en) * 2020-07-06 2021-10-12 A.U. Vista, Inc. Artificial window with parallax effect
CN111883545B (zh) * 2020-08-31 2022-07-29 武汉华星光电技术有限公司 薄膜晶体管基板及显示面板
KR20220117971A (ko) * 2021-02-17 2022-08-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004264652A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、液晶装置、液晶装置の駆動方法、投射型表示装置
US20060214168A1 (en) * 2003-03-25 2006-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
TWI279610B (en) * 2002-05-17 2007-04-21 Toshiba Matsushita Display Tec Display device and manufacturing method of the same

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3163822B2 (ja) * 1993-02-23 2001-05-08 セイコーエプソン株式会社 トランジスタ及びその製造方法
KR101031674B1 (ko) * 2003-12-29 2011-04-29 엘지디스플레이 주식회사 액정표시소자의 제조방법 및 이에 사용되는 회절마스크
JP4444035B2 (ja) * 2004-04-21 2010-03-31 シャープ株式会社 表示装置用アクティブマトリクス基板およびその製造方法
JP4565573B2 (ja) * 2006-09-07 2010-10-20 株式会社フューチャービジョン 液晶表示パネルの製造方法
KR20080029587A (ko) * 2006-09-29 2008-04-03 일진디스플레이(주) 액정표시장치
KR101393637B1 (ko) * 2006-11-23 2014-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시판
US8217913B2 (en) * 2009-02-02 2012-07-10 Apple Inc. Integrated touch screen
KR101753802B1 (ko) * 2010-09-20 2017-07-04 엘지디스플레이 주식회사 터치 스크린이 내장된 액정 표시장치와 이의 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI279610B (en) * 2002-05-17 2007-04-21 Toshiba Matsushita Display Tec Display device and manufacturing method of the same
JP2004264652A (ja) * 2003-03-03 2004-09-24 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス基板、液晶装置、液晶装置の駆動方法、投射型表示装置
US20060214168A1 (en) * 2003-03-25 2006-09-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof

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