CN111883545B - 薄膜晶体管基板及显示面板 - Google Patents

薄膜晶体管基板及显示面板 Download PDF

Info

Publication number
CN111883545B
CN111883545B CN202010896802.0A CN202010896802A CN111883545B CN 111883545 B CN111883545 B CN 111883545B CN 202010896802 A CN202010896802 A CN 202010896802A CN 111883545 B CN111883545 B CN 111883545B
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
extending direction
film transistor
segment
transistor substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202010896802.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111883545A (zh
Inventor
黄建龙
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN202010896802.0A priority Critical patent/CN111883545B/zh
Publication of CN111883545A publication Critical patent/CN111883545A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111883545B publication Critical patent/CN111883545B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1222—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or crystalline structure of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

本申请提供一种薄膜晶体管及显示面板，在薄膜晶体管基板中，有源层包括第一部分、第二部分和连接在第一部分与第二部分之间的中间部分，第一部分的延伸方向与中间部分的延伸方向重合；第一栅极和第二栅极分别与中间部分重叠设置；源极连接于第一部分，漏极连接于第二部分。本申请通过变更有源层的形状，以压缩有源层在垂直方向或水平方向的宽度，进而提高开口率。

Description

薄膜晶体管基板及显示面板
技术领域
本申请涉及一种显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管基板及显示面板。
背景技术
在面板行业中，开口率是衡量面板的重要指标，其指的是一个子像素中透光的面积与整个子像素的面积之比。随着市场对分辨率的要求越来越高，如何设计出高开口率的面板是各企业努力发展的方向。
在目前像素设计中，影响开口率的因素主要为扫描线与数据线的线路宽度。而扫描线方向的宽度主要受有源层对应于子像素的部分在垂直方向的宽度影响。而现有的有源层对应于子像素的部分一般是“U”形，导致有源层对应于薄膜晶体管的部分在垂直方向的宽度过大，进而促使子像素的开口率较低。
发明内容
本申请实施例提供一种薄膜晶体管基板及显示面板，以解决现有的显示面板因有源层对应于薄膜晶体管的部分在垂直方向的宽度过大，导致子像素的开口率较低的技术问题。
本申请实施例提供一种薄膜晶体管基板，所述薄膜晶体管基板包括：
多条扫描线，所述扫描线沿着第一方向延伸设置；
多条数据线，所述数据线沿着第二方向延伸设置，所述数据线的延伸方向与所述扫描线的延伸方向交叉设置形成交叉处；以及
多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述交叉处附近；
所述薄膜薄膜晶体管包括：
有源层，所述有源层包括第一部分、第二部分和连接在所述第一部分与所述第二部分之间的中间部分，所述第一部分的延伸方向与所述中间部分的延伸方向重合；
第一栅极，所述第一栅极连接于所述扫描线，所述第一栅极与所述中间部分重叠设置；
第二栅极，所述第二栅极连接于所述扫描线，所述第二栅极与所述中间部分重叠设置；
源极，所述源极连接于所述数据线，所述源极电连接于所述第一部分；以及
漏极，所述漏极电连接于所述第二部分。
在本申请实施例所述的薄膜晶体管基板中，所述第二部分的延伸方向与所述中间部分的延伸方向重合。
在本申请实施例所述的薄膜晶体管基板中，所述中间部分的延伸方向平行于所述扫描线的延伸方向。
在本申请实施例所述的薄膜晶体管基板中，所述第一栅极的延伸方向垂直于所述扫描线的延伸方向，所述第二栅极的延伸方向垂直于所述扫描线的延伸方向。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中，所述第二部分的延伸方向与所述中间部分的延伸方向相交。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中，所述中间部分的延伸方向平行于所述数据线的延伸方向。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中，所述数据线分别与所述第一栅极和所述第二栅极重叠设。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中，在所述薄膜晶体管基板的俯视图中，所述第一栅极的延伸方向垂直于所述数据线的延伸方向，所述第二栅极的延伸方向垂直于所述数据线的延伸方向。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中，所述数据线与所述中间部分重叠设置。
在本申请另一实施例所述的薄膜晶体管基板中，所述扫描线包括间隔设置的第一段和第二段，所述第一栅极与所述第二栅极相对设置；
所述第一栅极连接在所述第一段与所述第二段的相同侧，且位于所述第一段与所述第二段之间；所述第二栅极连接在所述第一段与所述第二段的另一相同侧，且位于所述第一段与所述第二段之间。
本申请实施例还涉及一种显示面板，其包括：
上述另一实施例的薄膜晶体管基板；
彩膜基板，所述彩膜基板与所述薄膜晶体管基板相对设置，所述彩膜基板包括黑矩阵，所述黑矩阵覆盖所述扫描线和所述数据线和所述薄膜晶体管。
在本实施例所述的显示面板中，所述显示面板还包括间隔柱，所述间隔柱设置在所述薄膜晶体管基板与所述彩膜基板之间，所述间隔柱设置在所述扫描线的延伸方向和所述数据线的延伸方向的交叉处；
所述数据线与所述中间部分重叠设置；所述间隔柱与所述中间部分重叠设置。
在本实施例所述的显示面板中，所述扫描线包括间隔设置的第一段和第二段，所述第一栅极与所述第二栅极相对设置；
所述第一栅极连接在所述第一段与所述第二段的相同侧，且位于所述第一段与所述第二段之间；所述第二栅极连接在所述第一段与所述第二段的另一相同侧，且位于所述第一段与所述第二段之间。
所述间隔柱于所述第一金属层所在平面的正投影位于所述第一段和所述第二段之间。
本申请的薄膜晶体管基板及显示面板通过变更有源层的形状，以压缩有源部在垂直方向或水平方向的宽度，进而提高开口率。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例，对于本领域普通技术人员而言，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请第一实施例的显示面板的剖视结构示意图；
图2为本申请第一实施例的显示面板的薄膜晶体管基板部分的俯视结构示意图；
图3为本申请第二实施例的显示面板的薄膜晶体管基板部分的俯视结构示意图；
图4为本申请第三实施例的显示面板的剖视结构示意图；
图5为本申请第三实施例的显示面板的薄膜晶体管部分的俯视结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“宽度”、“上”、“下”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。
请参照图1和图2，图1为本申请第一实施例的显示面板的剖视结构示意图；图2为本申请第一实施例的显示面板的薄膜晶体管基板部分的俯视结构示意图。
本申请第一实施例的显示面板100，其包括薄膜晶体管基板10和彩膜基板20。所述彩膜基板20与所述薄膜晶体管基板10相对设置。
所述彩膜基板20包括第一基底21、黑矩阵22和平坦层23。黑矩阵22设置在第一基底21上。平坦层23设置在黑矩阵22上。
所述薄膜晶体管基板10包括多个子像素区域。所述薄膜晶体管基板10包括第二基板11、有源层12、第一绝缘层13、第一金属层14、第二绝缘层15、第二金属层16和保护层17。
需要说明的是，薄膜晶体管基板10还包括像素电极层(图中未示出)。薄膜晶体管基板10中的薄膜晶体管可以是底栅型或顶栅型。其中本第一实施例的显示面板100以顶栅型薄膜晶体管为例进行说明，但不限于此。
具体的，有源层12、第一绝缘层13、第一金属层14、第二绝缘层15、第二金属层16和保护层17依次设置在所述第二基板11上。
所述有源层12包括第一部分12a、第二部分12b和连接在所述第一部分12a与所述第二部分12b之间的中间部分12c。所述第一部分12a的延伸方向与所述中间部分12c的延伸方向重合。
所述第一金属层14与所述有源层12异层设置。所述第一金属层14包括扫描线141、第一栅极142和第二栅极143。扫描线141沿着第一方向延伸。所述第一栅极142和所述第二栅极143间隔设置且各自与所述扫描线141相连。所述第一栅极142和所述第二栅极143分别与所述中间部分12c重叠设置。
所述第二金属层16分别与所述有源层12和所述第一金属层14异层设置。所述第二金属层16包括数据线161、源极162和漏极163。所述源极162与所述数据线161相连。所述数据线161沿着第二方向延伸。所述数据线161的延伸方向与所述扫描线141的延伸方向交叉设置形成交叉处。所述源极162电连接于所述第一部分12a。所述漏极163电连接于所述第二部分12b。
具体的，所述源极162通过第一过孔与所述第一部分12a相连。所述漏极163通过第二过孔与所述第二部分12b相连。
具体的，薄膜晶体管TFT设置在所述交叉处附近。薄膜晶体管TFT包括有源层12、第一栅极142、第二栅极143、源极162和漏极163。
可选的，如图2所示，所述数据线161的延伸方向与所述扫描线141的延伸方向垂直交叉设置。即第一方向垂直于第二方向。
所述黑矩阵22覆盖所述扫描线141、所述数据线161和所述薄膜晶体管TFT。
本申请第一实施例的显示面板100通过变更有源层12的形状，以压缩有源层在占据面积，进而提高开口率。具体的，将有源层12的第一部分12a和中间部分12c沿着同一方向延伸且相连，以缩小有源层12的占据面积，进而提高开口率。
在本第一实施例的显示面板100中，所述中间部分12c的延伸方向平行于所述扫描线141的延伸方向。由此，缩短了有源层12在垂直方向的宽度，进而提高开口率；需要说明的是，垂直方向为垂直于扫描线141的延伸方向的方向；在本实施例中，由于第一方向垂直于第二方向，故垂直方向等同于第二方向，水平方向等同于第一方向。
另外，所述第二部分12b的延伸方向与所述中间部分12c的延伸方向重合。由此，有源层12呈直线状，进一步缩短了有源层12在垂直方向的宽度。
可选的，所述第一栅极142的延伸方向垂直于所述扫描线141的延伸方向。所述第二栅极143的延伸方向垂直于所述扫描线141的延伸方向。由此简化了第一栅极142和第二栅极143分别与中间部分12c的搭接结构。
请参照图3，本第二实施的显示面板200与第一实施例的显示面板100的不同之处在于，所述第二部分12b的延伸方向与所述中间部分12c的延伸方向相交。
可选的，所述第二部分12b的延伸方向与所述中间部分12c的延伸方向垂直。
本申请的实施例还涉及一种薄膜晶体管基板，薄膜晶体管基板为第一实施例的显示面板100的薄膜晶体管基板10或第二实施例的显示面板200的薄膜晶体管基板10。本薄膜晶体管基板可以应用于OLED显示面板，也可以应用于液晶显示面板或Mini-LED显示面板等。
请参照图4和图5，本申请第三实施例还涉及一种显示面板300，其包括薄膜晶体管基板10、彩膜基板20和间隔柱30。所述彩膜基板20与所述薄膜晶体管基板10相对设置。所述间隔柱30设置在所述薄膜晶体管基板10与所述彩膜基板20之间。
所述彩膜基板20包括第一基底21、黑矩阵22和平坦层23。黑矩阵22设置在第一基底21上。平坦层23设置在黑矩阵22上。
所述薄膜晶体管基板10包括多个子像素区域。所述薄膜晶体管基板10包括第二基板11、有源层12、第一绝缘层13、第一金属层14、第二绝缘层15、第二金属层16和保护层17。
需要说明的是，薄膜晶体管基板10还可以包括像素电极层(图中未示出)。薄膜晶体管基板10中的薄膜晶体管可以是底栅型或顶栅型。其中本第三实施例的显示面板300以顶栅型薄膜晶体管为例进行说明，但不限于此。
具体的，有源层12、第一绝缘层13、第一金属层14、第二绝缘层15、第二金属层16和保护层17依次设置在所述第二基板11上。
所述有源层12包括第一部分12a、第二部分12b和连接在所述第一部分12a与所述第二部分12b之间的中间部分12c。所述第一部分12a的延伸方向与所述中间部分12c的延伸方向重合。
所述第一金属层14与所述有源层12异层设置。所述第一金属层14包括扫描线141、第一栅极142和第二栅极143。扫描线141沿着第一方向延伸。所述第一栅极142和所述第二栅极143间隔设置且各自与所述扫描线141相连。所述第一栅极142和所述第二栅极143分别与所述中间部分12c重叠设置。
所述第二金属层16分别与所述有源层12和所述第一金属层14异层设置。所述第二金属层16包括数据线161、源极162和漏极163。所述源极162与所述数据线161相连。所述数据线161沿着第二方向延伸。所述数据线161的延伸方向与所述扫描线141的延伸方向交叉设置形成交叉处。所述源极162电连接于所述第一部分12a。所述漏极163电连接于所述第二部分12b。
具体的，所述源极162通过第一过孔与所述第一部分12a相连。所述漏极163通过第二过孔与所述第二部分12b相连。
可选的，如图4所示，所述数据线161的延伸方向与所述扫描线141的延伸方向垂直交叉设置。
所述黑矩阵22覆盖所述扫描线141、所述数据线161和所述薄膜晶体管TFT。
本申请第三实施例的显示面板300通过变更有源层12的形状，以压缩有源层12在占据面积，进而提高开口率。具体的，将有源层12的第一部分12a和中间部分12c沿着同一方向延伸且相连，以缩小有源层12的占据面积，进而提高开口率。
其中，所述第二部分12b的延伸方向与所述中间部分12c的延伸方向相交。所述中间部分12c的延伸方向平行于所述数据线161的延伸方向。由此缩短了有源层12在水平方向的宽度。所述水平方向垂直于上述垂直方向。
在本第三实施例所述的显示面板300中，所述数据线161分别与所述第一栅极142和所述第二栅极143重叠设置。由此数据线161与第一栅极142重叠的部分共用黑矩阵22的部分，数据线161与第二栅极142重叠的部分也共用黑矩阵22的部分。也即，用黑矩阵22的部分同时遮挡数据线161与第一栅极142重叠的部分以及数据线161与第二栅极142重叠的部分，以提高开口率。
在本第三实施例所述的显示面板300中，在所述薄膜晶体管基板10的俯视图(图5)中，所述第一栅极142的延伸方向垂直于所述数据线161的延伸方向，所述第二栅极143的延伸方向垂直于所述数据线161的延伸方向。同时，所述第一栅极142的延伸方向垂直于所述中间部分12c的延伸方向，所述第二栅极143的延伸方向垂直于所述中间部分12c的延伸方向。由此进一步缩短第一栅极142和第二栅极143的布线空间，从而提高开口率。
另外，所述数据线161还分别与所述中间部分12c和第一部分12a重叠设置。由此数据线161与中间部分12c重叠的部分共用黑矩阵22的部分，数据线161与第一部分12a重叠的部分也共用黑矩阵22的部分。也即，用黑矩阵22的部分同时遮挡数据线161与第一部分12a重叠的部分以及数据线161与中间部分12c重叠的部分，以提高开口率。
在本第三实施例所述的显示面板300中，所述扫描线141包括间隔设置的第一段14a和第二段14b。所述第一栅极142与所述第二栅极143相对设置。
所述第一栅极142连接在所述第一段14a与所述第二段14b的相同侧，且位于所述第一段14a与所述第二段14b之间。所述第二栅极143连接在所述第一段14a与所述第二段14b的另一相同侧，且位于所述第一段14a与所述第二段14b之间。其中相同侧的定义为同一侧的意思。
所述间隔柱30设置在所述扫描线141的延伸方向和所述数据线161的延伸方向的交叉处。
所述间隔柱30分别与所述中间部分12c和数据线161重叠设置。由此间隔柱30与中间部分12c重叠的部分共用黑矩阵22的部分，间隔柱30与数据线161重叠的部分也共用黑矩阵22的部分。也即，用黑矩阵22的部分同时遮挡间隔柱30与中间部分12c重叠的部分以及间隔柱30与数据线161重叠的部分，以提高开口率。
所述间隔柱30于所述第一金属层14所在平面的正投影位于所述第一段14a和所述第二段14b之间。由此，间隔柱30的底座与第一栅极142和第二栅极143的布线位置共用同一空间，以节省黑矩阵22的面积，进而提高开口率。
可选的，所述间隔柱30于第一金属层14所在平面的正投影覆盖所述第一栅极142和第二栅极143，进而节省黑矩阵22的遮挡面积，提高开口率。
本申请的实施例还涉及一种薄膜晶体管基板，薄膜晶体管基板为第三实施例的显示面板300的薄膜晶体管基板10。本薄膜晶体管基板可以应用于OLED显示面板，也可以应用于液晶显示面板或Mini-LED显示面板等。
本申请的薄膜晶体管基板及显示面板通过变更有源部的形状，以压缩有源部在垂直方向或水平方向的宽度，进而提高开口率。
以上对本申请实施例所提供的一种薄膜晶体管基板及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (7)

1.一种薄膜晶体管基板，其特征在于，包括：
多条扫描线，所述扫描线沿着第一方向延伸设置；
多条数据线，所述数据线沿着第二方向延伸设置，所述数据线的延伸方向与所述扫描线的延伸方向交叉设置形成交叉处；以及
多个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管设置在所述交叉处附近；
所述薄膜晶体管包括：
有源层，所述有源层包括第一部分、第二部分和连接在所述第一部分与所述第二部分之间的中间部分，所述第一部分的延伸方向与所述中间部分的延伸方向重合；所述中间部分的延伸方向平行于所述数据线的延伸方向；
第一栅极，所述第一栅极连接于所述扫描线，所述第一栅极与所述中间部分重叠设置；
第二栅极，所述第二栅极连接于所述扫描线，所述第二栅极与所述中间部分重叠设置；
源极，所述源极连接于所述数据线，所述源极电连接于所述第一部分；以及
漏极，所述漏极电连接于所述第二部分；
所述数据线分别与所述第一栅极和所述第二栅极重叠设置；所述扫描线包括间隔设置的第一段和第二段，所述第一栅极与所述第二栅极相对设置；
所述第一栅极连接在所述第一段与所述第二段的相同侧，且位于所述第一段与所述第二段之间；所述第二栅极连接在所述第一段与所述第二段的另一相同侧，且位于所述第一段与所述第二段之间。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述第二部分的延伸方向与所述中间部分的延伸方向相交。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，在所述薄膜晶体管基板的俯视图中，所述第一栅极的延伸方向垂直于所述数据线的延伸方向，所述第二栅极的延伸方向垂直于所述数据线的延伸方向。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管基板，其特征在于，所述数据线与所述中间部分重叠设置。
5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管基板；
彩膜基板，所述彩膜基板与所述薄膜晶体管基板相对设置，所述彩膜基板包括黑矩阵，所述黑矩阵覆盖所述扫描线和所述数据线和所述薄膜晶体管。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板还包括间隔柱，所述间隔柱设置在所述薄膜晶体管基板与所述彩膜基板之间，所述间隔柱设置在所述扫描线的延伸方向和所述数据线的延伸方向的交叉处；
所述数据线与所述中间部分重叠设置；所述间隔柱与所述中间部分重叠设置。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述间隔柱于所述扫描线所在平面的正投影位于所述第一段和所述第二段之间。
CN202010896802.0A 2020-08-31 2020-08-31 薄膜晶体管基板及显示面板 Active CN111883545B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010896802.0A CN111883545B (zh) 2020-08-31 2020-08-31 薄膜晶体管基板及显示面板

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202010896802.0A CN111883545B (zh) 2020-08-31 2020-08-31 薄膜晶体管基板及显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111883545A CN111883545A (zh) 2020-11-03
CN111883545B true CN111883545B (zh) 2022-07-29

Family

ID=73199496

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202010896802.0A Active CN111883545B (zh) 2020-08-31 2020-08-31 薄膜晶体管基板及显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN111883545B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112736094A (zh) * 2020-12-30 2021-04-30 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及显示装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102411240A (zh) * 2010-09-20 2012-04-11 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN103915510A (zh) * 2014-03-27 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种多栅薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN104022157A (zh) * 2014-05-26 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN104779272A (zh) * 2015-04-10 2015-07-15 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管和阵列基板及其制作方法、显示装置
CN106950772A (zh) * 2017-04-01 2017-07-14 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN107742648A (zh) * 2017-10-27 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置
CN107910376A (zh) * 2017-11-10 2018-04-13 深圳市华星光电技术有限公司 垂直结构薄膜晶体管的制造方法及垂直结构薄膜晶体管
CN108122930A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 乐金显示有限公司 薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示面板

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102411240A (zh) * 2010-09-20 2012-04-11 乐金显示有限公司 液晶显示装置及其制造方法
CN103915510A (zh) * 2014-03-27 2014-07-09 京东方科技集团股份有限公司 一种多栅薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN104022157A (zh) * 2014-05-26 2014-09-03 京东方科技集团股份有限公司 一种薄膜晶体管、阵列基板及显示装置
CN104779272A (zh) * 2015-04-10 2015-07-15 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管和阵列基板及其制作方法、显示装置
CN108122930A (zh) * 2016-11-30 2018-06-05 乐金显示有限公司 薄膜晶体管和使用该薄膜晶体管的显示面板
CN106950772A (zh) * 2017-04-01 2017-07-14 厦门天马微电子有限公司 阵列基板、显示面板和显示装置
CN107742648A (zh) * 2017-10-27 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管、阵列基板及其制造方法和显示装置
CN107910376A (zh) * 2017-11-10 2018-04-13 深圳市华星光电技术有限公司 垂直结构薄膜晶体管的制造方法及垂直结构薄膜晶体管

Also Published As

Publication number Publication date
CN111883545A (zh) 2020-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106684101B (zh) 阵列基板、显示面板及显示装置
JP5548488B2 (ja) 液晶表示パネル
CN101634770B (zh) 面内切换模式液晶显示装置
CN107272292B (zh) 一种显示基板、显示面板及显示装置
US8724061B2 (en) Pixel structure
CN103439842B (zh) 像素结构及具有此像素结构的液晶显示面板
CN113075825B (zh) 阵列基板及显示面板
CN104049429A (zh) 一种像素结构及其制作方法
CN109388265B (zh) 一种阵列基板、触控显示面板及显示装置
CN103365011A (zh) 边缘场开关模式液晶显示装置的阵列基板
CN105629591A (zh) 一种阵列基板、其制备方法及液晶显示面板
CN111061103B (zh) Coa基板及液晶显示面板
CN113176691B (zh) 阵列基板及显示面板
TWI382260B (zh) 液晶裝置
JP2018124322A (ja) 液晶表示パネルおよび液晶表示装置
CN111883545B (zh) 薄膜晶体管基板及显示面板
CN114690491B (zh) 阵列基板及显示面板
KR102162755B1 (ko) 고 투과율을 갖는 고 해상도 액정표시장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
US11852936B2 (en) Liquid crystal display panel
JPH08160451A (ja) アクティブマトリクス液晶表示素子
CN111273494B (zh) 阵列基板及显示装置
CN113820883A (zh) 显示面板的像素单元及显示面板
CN205787507U (zh) 显示装置及阵列基板
CN218938718U (zh) 一种液晶显示面板及显示装置
KR102627812B1 (ko) 디스플레이 패널의 픽셀 유닛, 디스플레이 패널의 하부 기판 및 디스플레이 패널

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant