CN106886111A - 一种阵列基板、显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板、显示面板及显示装置，通过在像素区域内增加至少一个控制电容，且控制电容的第一电极端具有固定电位，第二电极端具有与相邻两个晶体管之间的节点相同的电位，使得在栅线停止输入有效栅极扫描信号时，控制控制电容的第二电极端的电位保持为数据线加载的数据信号电位，减少与控制电容的第二电极端有关联的晶体管源漏极之间的压差，进而保证晶体管与存储电容相连位置的电位保持为数据线加载的数据信号电位，保证像素电极充电充足，改善因充电不足而导致的画面闪烁等问题。

Description

一种阵列基板、显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、显示面板及显示装置。
背景技术
在液晶显示器中，为了避免因像素结构内的像素电极充电不足而导致的屏幕闪烁，通常需要保证与像素电极相连的晶体管的源漏极的电位保持稳定，减小源漏极之间的压差，以降低晶体管的漏电流。
通常，与像素电极相连的晶体管为单栅极结构，当栅线停止加载栅极扫描信号时，位于存储电容与晶体管之间的节点处于悬浮状态，同时又因栅线与数据线之间的寄生电容的作用，使得该节点的电位会随着时间的推移发生波动，进而逐渐偏离数据线加载的数据信号电位，使得晶体管的源漏极之间压差较大，产生较大的漏电流，降低显示画面的质量；而在现有技术中，为了减少晶体管的漏电流，一般采用双栅极晶体管来代替单栅极晶体管，如图1a所示的阵列基板的俯视图，101为栅线，102为数据线，103为公共电极，104为像素电极；与图1a对应的等效电路图如图1b所示，包括由第一晶体管T1和第二晶体管T2组成的双栅极结构、以及存储电容C0，其中，存储电容C0的m端为像素电极104、n端为公共电极103。第一晶体管T1的栅极和第二晶体管T2的栅极均与栅线GATE相连，第一晶体管T1的漏极与像素电极104相连，第二晶体管T2的源极与数据线DATA相连；在栅线GATE加载有效栅极扫描信号时，第一晶体管T1和第二晶体管T2均开启，数据线DATA输入的数据信号流经第一晶体管T1和第二晶体管T2为与节点P0相连的像素电极104充电；然而，当栅线GATE停止加载有效栅极扫描信号时，第一晶体管T1和第二晶体管T2均关闭，节点P0和节点P1均处于悬浮状态，又因栅线GATE与数据线DATA之间的寄生电容的作用，使得节点P0和节点P1的电位随着第一晶体管T1和第二晶体管T2的关闭以及时间的推移而发生波动，尤其是节点P1的电位波动较大，根据模拟仿真结果，节点P1的电位最大可产生近11V的波动，使得第一晶体管T1的源漏极之间的压差较大，导致漏电流较大，可见双栅极晶体管对降低漏电流的作用也是有限的。
基于此，如何较大地降低晶体管的漏电流，保证像素电极充电充足，提高液晶显示器的画面质量，是本领域技术人员亟待解决的技术问题。
发明内容
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，用以解决现有技术中如何较大地降低晶体管的漏电流，保证像素电极充电充足，提高液晶显示器的画面质量。
本发明实施例提供了一种阵列基板，包括：基板，位于所述基板上交叉设置的栅线和数据线，由所述栅线和所述数据线限定出的多个呈阵列排布的像素区域，以及位于所述像素区域内的像素开关、存储电容、以及至少一个控制电容；其中，
所述像素开关包括串联连接的至少两个晶体管；且各所述晶体管的栅极均与所述栅线相连，串联连接的晶体管中的第一个晶体管与所述存储电容的一端相连，串联连接的晶体管中的最后一个晶体管与所述数据线相连；
所述控制电容的数量小于所述晶体管的数量；所述控制电容包括具有固定电位的第一电极端，以及具有与相邻两个所述晶体管之间的节点相同电位的第二电极端；所述控制电容用于在所述栅线停止加载有效栅极扫描信号时，控制所述控制电容的第二电极端的电位保持为所述数据线加载的数据信号电位。
本发明实施例还提供了一种显示面板，包括本发明实施例提供的上述阵列基板。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板。
本发明有益效果如下：
本发明实施例提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置，通过在像素区域内增加至少一个控制电容，且控制电容的第一电极端具有固定电位，第二电极端具有与相邻两个晶体管之间的节点相同的电位，使得在栅线停止输入有效栅极扫描信号时，控制控制电容的第二电极端的电位保持为数据线加载的数据信号电位，减少与控制电容的第二电极端有关联的晶体管源漏极之间的压差，进而保证晶体管与存储电容相连位置的电位保持为数据线加载的数据信号电位，保证像素电极充电充足，改善因充电不足而导致的画面闪烁等问题。
附图说明
图1a为现有技术中一个像素区域的俯视图；
图1b为与图1a对应的等效电路图；
图2a至图2d分别为本发明实施例中提供的等效电路图；
图3a至图3h分别为本发明实施例中提供的在各晶体管为顶栅结构时各膜层的结构示意图；
图4为本发明实施例中提供的在各晶体管为顶栅结构时阵列基板的俯视图；
图5a至图5d分别为本发明实施例中提供的在各晶体管为底栅结构时各膜层的结构示意图；
图6a至图6b分别为本发明实施例中提供的在各晶体管为底栅结构时阵列基板的俯视图；
图7为本发明实施例提供的一种显示面板的结构示意图；
图8a和图8b分别为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明实施例提供的一种阵列基板、显示面板及显示装置的具体实施方式进行详细地说明。
附图中各部件的形状和大小不反映阵列基板的真实比例，目的只是示意说明本发明内容。
本发明实施例提供了一种阵列基板，可以包括：基板，位于基板上交叉设置的栅线和数据线，由栅线和数据线限定出的多个呈阵列排布的像素区域，以及位于像素区域内的像素开关、存储电容、以及至少一个控制电容；如图2a至图2d所示的等效电路图，在一个像素区域内，包括像素开关201、存储电容C0、以及至少一个控制电容CS；其中，
像素开关201包括串联连接的至少两个晶体管T；且各晶体管T的栅极均与栅线GATE相连，串联连接的晶体管T中的第一个晶体管T1与存储电容C0的m端相连，串联连接的晶体管T中的最后一个晶体管T2与数据线DATA相连；并且，存储电容C0的m端具有像素电极的电位，n端具有公共电极的电位，且第一个晶体管T1的漏极与像素电极相连(图2a至图2d中未示出)；
控制电容CS的数量小于晶体管T的数量；控制电容CS包括具有固定电位Vs的第一电极端a，以及具有与相邻两个晶体管T之间的节点相同电位的第二电极端b；控制电容CS用于在栅线GATE停止加载有效栅极扫描信号时，控制控制电容CS的第二电极端b的电位保持为数据线DATA加载的数据信号电位。
本发明实施例提供的上述阵列基板，通过在像素区域内增加至少一个控制电容CS，且控制电容CS的第一电极端a具有固定电位Vs，第二电极端b具有与相邻两个晶体管之间的节点相同的电位，使得在栅线GATE停止输入有效栅极扫描信号时，控制控制电容CS的第二电极端b的电位保持为数据线DATA加载的数据信号电位，减少与控制电容CS的第二电极端b有关联的晶体管的源漏极之间的压差，进而保证晶体管T与存储电容C0相连位置的电位保持为数据线DATA加载的数据信号电位，保证像素电极充电充足，改善因充电不足而导致的画面闪烁等问题。
在具体实施时，为了保证像素电极的正常充电，又能避免因栅线和数据线之间的寄生电容在像素开关中的晶体管关闭后对相邻两个晶体管之间的节点电位造成较大地波动，因此，控制电容的电容值小于存储电容的电容值，且大于栅线与数据线之间的寄生电容的电容值；当然，在调整控制电容的电容值大小时，可以根据控制电容的第一电极端与第二电极端之间的距离，以及第一电极端与第二电极端的正对面积来调整。
具体地，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，当一个像素区域内存在多个控制电容时，位于一个像素区域内的各控制电容的电容值均相等，以有效控制各控制电容的第二电极端的电位。
具体地，为了能够保证各像素区域内的像素电极充电充足，显示画面的亮度一致，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，位于不同像素区域内的各控制电容的电容值均相等。
在具体实施时，为了更加明显地凸显控制电容CS在减小晶体管T漏电流大小方面的作用，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，像素开关包括的晶体管数量一般不大于三个；其中，如图2a和图2b所示，像素开关201包括的晶体管T数量可以为3个；还可以如图2c和图2d所示，像素开关201包括的晶体管T数量可以为2个。
具体地，如图2a和图2b所示，当像素开关201包括的晶体管T数量为3个时，包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、以及第三晶体管T3；并且，第一晶体管T1、第二晶体管T2、以及第三晶体管T3为共栅极结构；即第一晶体管T1、第二晶体管T2、以及第三晶体管T3的栅极均与栅线GATE相连，第一晶体管T1的漏极与节点P0相连，第一晶体管T1的源极与节点P1相连；第二晶体管T2的漏极与节点P2相连，第二晶体管T2的源极与数据线DATA相连；第三晶体管T3的漏极与节点P1相连，第三晶体管T3的源极与节点P2相连。
当然，如图2c和图2d所示，当像素开关201包括的晶体管T数量为2个时，包括第一晶体管T1和第二晶体管T2；并且，第一晶体管T1和第二晶体管T2构成双栅极结构；即第一晶体管T1和第二晶体管T2的栅极均与栅线GATE相连，第一晶体管T1的漏极与节点P0相连，第一晶体管T1的源极与节点P1相连；第二晶体管T2的漏极与节点P1相连，第二晶体管T2的源极与数据线DATA相连。
进一步地，第一晶体管T1和第二晶体管T2可以均为N型晶体管，或均为P型晶体管；如图2c所示，在第一晶体管T1和第二晶体管T2均为N型时，栅线GATE加载的有效栅极扫描信号为高电平信号；如图2d所示，在第一晶体管T1和第二晶体管T2均为P型时，栅线GATE加载的有效栅极扫描信号为低电平信号。
当然，在本发明实施例提供的上述阵列基板中涉及的各晶体管T可以是薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，还可以是金属氧化物半导体场效应管(Metal OxideSemiconductor，MOS)；并且，上述各晶体管T(包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、以及第三晶体管T3)的源极和漏极的制作工艺相同，名称上是可以互换的，其可根据电压的方向在名称上改变。
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，为了保证像素电极充电充足，就需要控制节点P0的电位，进而最重要的就是控制与节点P0相邻最近的节点P1的电位保持为数据线DATA加载的数据信号电位，以减小第一晶体管T1源漏极之间的压差，减小漏电流；因此，在一个像素区域内可以将控制电容CS的数量设置为一个，且控制电容CS的第二电极端b的电位为第一个晶体管T1和相邻的晶体管T之间的节点P1电位，这样不仅保证了像素充电，还能较大程度地降低阵列基板的制作成本。
当然，一个像素区域内设置的控制电容CS的数量还可以是多个，但控制电容CS的数量一定要小于晶体管T的数量；因此，当设置的控制电容CS为多个时，需要使各控制电容CS的第二电极端b分别具有相邻两个晶体管T之间的节点电位，如图2a所示，控制电容CS的第二电极端b分别具有节点P1和节点P2的电位，实现对各个节点电位的控制，降低各晶体管T源漏极之间的压差，降低漏电流，保证像素电极的充电充足。
具体地，在对如图2c所示的结构进行模拟仿真后，具体结果可见表1，其中，包括正帧充电和负帧充电，数据线DATA加载的正帧充电电压为5V，负帧充电电压为-5V，因像素区域内的晶体管均为N型晶体管，所以栅开电压Vgh一般为10V，栅关电压Vgl一般为-7V；从表1中的结果可知，在像素区域内未设置控制电容CS，且栅线GATE停止加载栅开电压Vgh时，节点P1的电位分别由5V下降至-6.261V，-5V下降至-7.593V，而节点P0的电位分别由5V下降至4.789V，-5V下降至-5.228V，可见，节点P1的电位波动较大，节点P0因存储电容C0的存在而使得电位波动较小；当在像素区域内设置一个控制电容CS，如图2c和图2d所示，且栅线GATE停止加载栅开电压Vgh时，节点P1的电位分别由5V下降至4.433V，-5V下降至-5.225V，而节点P0的电位分别由5V下降至4.742V，-5V下降至-5.128V，可见在设置有控制电容CS时，可有效提高节点P0和节点P1的电位稳定性；当栅线GATE停止加载栅开电压Vgh350微秒后，从表1中的结果可知，节点P1的电位依然很稳定，进而使得节点P0的电位也更加稳定，因此，本发明实施例提供的上述阵列基板可有效地满足像素电极充电充足的要求，有利于显示画面质量的提高。
表1
在具体实施时，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，控制电容的第一电极端具有的固定电位可以是公共电极的电位，还可以是其他电位，如位于外围电路区的栅开电压Vgh，或栅关电压Vgl；但因公共电极位于阵列基板的显示区域，即像素区域，且一般由像素电极和公共电极构成存储电容，而栅开电压Vgh，或栅关电压Vgl则是位于阵列基板的外围电路区；若控制电容的第一电极端具有的固定电位为栅开电压Vgh，或栅关电压Vgl时，则需要另外布线使栅开电压Vgh或栅关电压Vgl产生器与控制电容的第一电极端电性相连，这无疑增加了像素区域内的布线数量，可能会引起开口率的降低，同时因布线长度较大，可能会出现短路或断路的情况；而当控制电容的第一电极端具有的固定电位为公共电极的电位时，因公共电极位于像素区域，所以可以通过过孔或导线使控制电容的第一电极端与公共电极电性相连，并且可以根据过孔或导线的设置位置与其他膜层一起通过一次构图工艺完成，无需额外增加制作工艺，且对开口率影响较小。另外，有源层与晶体管的源漏极通常均为重掺杂材料，以磷掺杂为主，掺杂浓度可以是1020原子每立方厘米，使得有源层的电阻较小，约为500欧姆，因此，该有源层可以作为控制电容的第二电极端；当然，对于有源层的掺杂元素，以及掺杂浓度并不限于此，还可以是其他掺杂元素和其他掺杂浓度，只要能够保证有源层的电阻较小，能够作为控制电容的第二电极端即可，在此不作限定。因此，在本发明实施例提供的上述阵列基板中，为了在不额外增加制作工艺的同时又可以不降低开口率，可以使控制电容的第一电极端具有公共电极的电位，控制电容的第二电极端具有相邻两个晶体管之间连接的有源层的电位。
下面就以一个像素区域内设置一个控制电容，像素开关包括第一开关晶体管和第二开关晶体管，以及控制电容的第一电极端具有公共电极的电位，控制电容的第二电极端具有第一个晶体管与相邻晶体管之间连接的有源层的电位为例，通过具体实施例详细说明控制电容的具体结构。
在第一开关晶体管和第二开关晶体管均为顶栅结构时，各膜层的结构示意图如图3a至图3h所示，其中，301为衬底基板，302为缓冲层，303为有源层，304为栅绝缘层，305为晶体管的栅极，306为钝化层，307为晶体管的源漏极，308为第一绝缘层，309为公共电极，310为第二绝缘层，311为像素电极；另外，图4所示为阵列基板的俯视图，其中，317为栅线，318为数据线，309为公共电极，303为有源层，虚线框319为控制电容；并且，图4中的虚线框319只是表示控制电容在俯视图中的大致位置，而控制电容在阵列基板上的具体膜层位置可见图3a至图3h所示的阵列基板的侧视图，且图3a至图3h为沿着图4中的AA’方向的侧视图。
具体地，在图3a至图3h中，因各晶体管为顶栅结构，因此，在阵列基板的制作过程中，需要在衬底基板301表面先沉积一层缓冲层302，以避免因衬底基板301中的杂质在热制程中扩散到有源层303而导致晶体管的漏电流增加；当然，在各晶体管为顶栅结构时，控制电容的第一电极端和/或第二电极端为设置于有源层303与公共电极309之间所在膜层的金属电极。
具体地，如图3a和图3b所示，当在有源层303与公共电极309所在层之间的所在膜层设置有一个金属电极，即第一金属电极312时，第一金属电极312可以与数据线同层设置且相互绝缘，即第一金属电极312与晶体管的源漏极307同层设置且相互绝缘，并且第一金属电极312可以通过过孔与公共电极309电性相连(如图3a所示)，或者通过导线与公共电极线电性相连(如图3b所示)，再或者通过导线直接加载由公共电极驱动器产生的公共电极信号(如图3b所示)，使第一金属电极312的电位为公共电极的电位；因此，控制电容的第一电极端为与数据线同层设置且相互绝缘的第一金属电极312，控制电容的第二电极端为与第一金属电极312正对的有源层303的区域，如虚线框内所示的区域。
或者，如图3c和图3d所示，当在有源层303与公共电极309所在层之间的所在膜层设置有一个金属电极，即第二金属电极313时，第二金属电极313可以与栅线同层设置且相互绝缘，即第二金属电极313与晶体管的栅极305同层设置且相互绝缘，并且第二金属电极313可以通过过孔与公共电极309电性相连(如图3c所示)，或者通过导线与公共电极线电性相连(如图3d所示)，再或者通过导线直接加载由公共电极驱动器产生的公共电极信号(如图3d所示)，使第二金属电极313的电位为公共电极的电位；此外，在第二金属电极313通过过孔与公共电极309电性相连时，过孔不仅需要穿过钝化层306，还需要穿过第一绝缘层308，使得该过孔在制作过程中不容易实现，为了解决此问题，通常在第一绝缘层所在膜层增加一个过渡金属电极313a，如图3e所示，即在形成晶体管的源漏极的同时，通过一次构图工艺形成过渡金属电极313a，使第二金属电极313通过过孔首先与过渡金属电极313a电性相连，之后在形成公共电极309的同时，通过一次构图工艺使过渡金属电极313a通过过孔与公共电极309电性相连，以最终实现第二金属电极313与公共电极309的电性相连；因此，控制电容的第一电极端为与栅线同层设置且相互绝缘的第二金属电极313，控制电容的第二电极端为与第二金属电极313正对的有源层303的区域，如虚线框内所示的区域。
或者，如图3f所示，当在有源层303与公共电极309所在层之间的所在膜层设置有一个金属电极，即第三金属电极314时，第三金属电极314可以与栅线同层设置且相互绝缘，即第三金属电极314与晶体管的栅极305同层设置且相互绝缘，且第三金属电极314通过过孔与有源层303电性相连，使第三金属电极314的电位为第三金属电极314正对的有源层303区域的电位；因此，控制电容的第二电极端为与栅线同层设置且相互绝缘的第三金属电极314，控制电容的第一电极端为与第三金属电极314正对的公共电极309的区域，如虚线框内所示的区域；第三金属电极314与有源层303电性相连。
再或者，如图3g和图3h所示，还可以在有源层303与公共电极309所在层之间的所在膜层设置两个金属电极，即第四金属电极315与第五金属电极316，第四金属电极315可以与数据线同层设置且相互绝缘，即第四金属电极315与晶体管的源漏极307同层设置且相互绝缘，并且第四金属电极315可以通过过孔与公共电极309电性相连(如图3g所示)，或者通过导线与公共电极线电性相连(如图3h所示)，再或者通过导线直接加载由公共电极驱动器产生的公共电极信号(如图3h所示)，使第四金属电极315的电位为公共电极的电位；第五金属电极316可以与栅线同层设置且相互绝缘，第五金属电极316与晶体管的栅极305同层设置且相互绝缘，并且第五金属电极316可以通过过孔与有源层303电性相连，使第五金属电极316的电位为第五金属电极316正对的有源层303区域的电位；因此，控制电容的第一电极端为与数据线同层设置且相互绝缘的第四金属电极315，控制电容的第二电极端为与栅线同层设置且相互绝缘的第五金属电极316，如虚线框内所示的区域；第五金属电极316与有源层303电性相连。
在第一开关晶体管和第二开关晶体管均为底栅结构时，各膜层的结构示意图如图5a至图5d所示，其中，501为衬底基板，502为晶体管的栅极，503为栅绝缘层，504为有源层，505为钝化层，506为晶体管的源漏极，507为第一绝缘层，508为公共电极，509为第二绝缘层，510为像素电极；当然，在各晶体管为底栅结构时，控制电容的第一电极端或第二电极端为与数据线或栅线同层设置且相互绝缘的金属电极；因此，当控制电容的第一电极端或第二电极端为与数据线同层设置且相互绝缘的金属电极时，对应的俯视图如图6a所示；当控制电容的第一电极端或第二电极端为与栅线同层设置且相互绝缘的金属电极时，对应的俯视图如图6b所示；其中，514为栅线，515为数据线，虚线框516为控制电容，504为有源层，508为公共电极；并且，图5a至5c为图6a中沿着BB’方向的侧视图，图5d为图6b中沿着BB’方向的侧视图。
具体地，在图5a至图5d中，因各晶体管为底栅结构，在阵列基板的制作过程中，因在沉积有源层504之前已经在衬底基板501表面制作了栅极502和栅绝缘层503，栅绝缘层503可有效避免因衬底基板501中的杂质在热制程中扩散到有源层504，因而在衬底基板501之上无需再沉积缓冲层，减少了缓冲层的设置，有利于制作成本的降低。
具体地，如图5a和图5b所示，当在有源层504与公共电极508所在层之间的所在膜层设置有一个金属电极，即第六金属电极511时，第六金属电极511可以与数据线同层设置且相互绝缘，即第六金属电极511与晶体管的源漏极506同层设置且相互绝缘，并且第六金属电极511可以通过过孔与公共电极508电性相连(如图5a所示)，或者通过导线与公共电极线电性相连(如图5b所示)，再或者通过导线直接加载由公共电极驱动器产生的公共电极信号(如图5b所示)，使第六金属电极511的电位为公共电极的电位；因此，控制电容的第一电极端为与数据线同层设置且相互绝缘的第六金属电极511，控制电容的第二电极端为与第六金属电极511正对的有源层504的区域，如虚线框内所示的区域。
或者，如图5c所示，当在有源层504与公共电极508所在层之间的所在膜层设置有一个金属电极，即第七金属电极512时，第七金属电极512可以与数据线同层设置且相互绝缘，即第七金属电极512与晶体管的源漏极506同层设置且相互绝缘，并且通过过孔与有源层504电性相连，使第七金属电极512的电位为第七金属电极512正对的有源层504区域的电位；因此，控制电容的第二电极端为与数据线同层设置且相互绝缘的第七金属电极512，控制电容的第一电极端为与第七金属电极512正对的公共电极508的区域，如虚线框内所示的区域；第七金属电极512与有源层504电性相连。
再或者，如图5d所示，还可以在衬底基板501与有源层504之间的所在膜层设置一个金属电极，即第八金属电极513，第八金属电极513可以与栅线同层设置且相互绝缘，即第八金属电极513与晶体管的栅极502同层设置且相互绝缘，并且第八金属电极513可以通过导线与公共电极线电性相连，或者通过导线直接加载由公共电极驱动器产生的公共电极信号，使第八金属电极513的电位为公共电极的电位；因此，控制电容的第一电极端为与栅线同层设置且相互绝缘的第八金属电极513，控制电容的第二电极端为与第八金属电极513正对的有源层504的区域，如虚线框内所示的区域。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示面板，如图7所示，包括本发明实施例提供的上述阵列基板701，一般还包括与阵列基板701相对而置的对向基板702；当然，该显示面板可以为：液晶显示面板、电致发光显示面板等任何通过阵列基板中的像素开关来实现显示功能的产品或部件；例如，当该显示面板为液晶显示面板时，还会包括封装于阵列基板与对向基板之间的液晶层，设置于对向基板外表面的上偏光片，以及设置于阵列基板外表面的下偏光片等部件；若当该显示面板为电致发光显示面板时，除了阵列基板和对向基板之外，还包括封装阵列基板的封装结构等部件，在此不作赘述。此外，该显示面板的实施可以参见上述阵列基板的实施例，重复之处不再赘述。
基于同一发明构思，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括本发明实施例提供的上述显示面板；当显示面板为液晶显示面板时，如图8a和图8b所示，一般还包括位于显示面板801一侧的侧入式光源802或直下式光源803；在光源为侧入式光源时，侧入式光源802一般位于显示面板801的一个侧边(如图8a所示)，或位于显示面板的相对两个侧边，或位于显示面板的四个侧边；在光源为直下式光源时，直下式光源803位于垂直于显示面板801一个表面的方向上，一般设置为多个且平行间隔排布，如图8b所示；而当显示面板为电致发光显示面板时，则不需要额外光源；当然，该显示装置可以为：手机(如图9所示)、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。该显示装置的实施可以参见上述显示面板的实施例，重复之处不再赘述。
本发明实施例提供了一种阵列基板、显示面板及显示装置，通过在像素区域内增加至少一个控制电容，且控制电容的第一电极端具有固定电位，第二电极端具有与相邻两个晶体管之间的节点相同的电位，使得在栅线停止输入有效栅极扫描信号时，控制控制电容的第二电极端的电位保持为数据线加载的数据信号电位，减少与控制电容的第二电极端有关联的晶体管源漏极之间的压差，进而保证晶体管与存储电容相连位置的电位保持为数据线加载的数据信号电位，保证像素电极充电充足，改善因充电不足而导致的画面闪烁等问题。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (20)

1.一种阵列基板，包括：基板，位于所述基板上交叉设置的栅线和数据线，由所述栅线和所述数据线限定出的多个呈阵列排布的像素区域，以及位于所述像素区域内的像素开关、存储电容、以及至少一个控制电容；其中，
所述像素开关包括串联连接的至少两个晶体管；且各所述晶体管的栅极均与所述栅线相连，串联连接的晶体管中的第一个晶体管与所述存储电容的一端相连，串联连接的晶体管中的最后一个晶体管与所述数据线相连；
所述控制电容的数量小于所述晶体管的数量；所述控制电容包括具有固定电位的第一电极端，以及具有与相邻两个所述晶体管之间的节点相同电位的第二电极端；所述控制电容用于在所述栅线停止加载有效栅极扫描信号时，控制所述控制电容的第二电极端的电位保持为所述数据线加载的数据信号电位。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述像素开关包括的晶体管数量不大于三个。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电容的数量为一个，所述控制电容的第二电极端的电位为所述第一个晶体管和相邻的所述晶体管之间的节点电位。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述像素开关包括串联连接的第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管构成双栅极结构。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为N型晶体管，或均为P型晶体管。
6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电容的电容值小于所述存储电容的电容值，且大于所述栅线与所述数据线之间的寄生电容的电容值。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，一个所述像素区域内存在多个所述控制电容，位于一个所述像素区域内的各所述控制电容的电容值均相等。
8.如权利要求7所述的阵列基板，其特征在于，位于不同所述像素区域内的各所述控制电容的电容值均相等。
9.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容由像素电极和公共电极构成；所述控制电容的第一电极端具有所述公共电极的电位，所述控制电容的第二电极端具有相邻两个所述晶体管之间连接的有源层的电位。
10.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，各所述晶体管为顶栅结构，所述控制电容的第一电极端和/或第二电极端为设置于所述有源层与所述公共电极之间所在膜层的金属电极。
11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电容的第一电极端为与所述数据线同层设置且相互绝缘的第一金属电极，所述控制电容的第二电极端为与所述第一金属电极正对的所述有源层的区域。
12.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电容的第一电极端为与所述栅线同层设置且相互绝缘的第二金属电极，所述控制电容的第二电极端为与所述第二金属电极正对的所述有源层的区域。
13.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电容的第二电极端为与所述栅线同层设置且相互绝缘的第三金属电极，所述控制电容的第一电极端为与所述第三金属电极正对的所述公共电极的区域；
所述第三金属电极与所述有源层电性相连。
14.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电容的第一电极端为与所述数据线同层设置且相互绝缘的第四金属电极，所述控制电容的第二电极端为与所述栅线同层设置且相互绝缘的第五金属电极；
所述第五金属电极与所述有源层电性相连。
15.如权利要求9所述的阵列基板，其特征在于，各所述晶体管为底栅结构，所述控制电容的第一电极端或第二电极端为与所述数据线或所述栅线同层设置且相互绝缘的金属电极。
16.如权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电容的第一电极端为与所述数据线同层设置且相互绝缘的第六金属电极，所述控制电容的第二电极端为与所述第六金属电极正对的所述有源层的区域。
17.如权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电容的第二电极端为与所述数据线同层设置且相互绝缘的第七金属电极，所述控制电容的第一电极端为与所述第七金属电极正对的所述公共电极的区域；
所述第七金属电极与所述有源层电性相连。
18.如权利要求15所述的阵列基板，其特征在于，所述控制电容的第一电极端为与所述栅线同层设置且相互绝缘的第八金属电极，所述控制电容的第二电极端为与所述第八金属电极正对的所述有源层的区域。
19.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1-18任一项所述的阵列基板。
20.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求19所述的显示面板。
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