TWI461470B - 複合奈米粒子及其製造方法 - Google Patents

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TWI461470B
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Yukio Yoshida
Hiroshi Kakiuchi
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Daiken Chemical Co Ltd
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Description

複合奈米粒子及其製造方法 發明領域
本發明係有關於一種複合奈米粒子及其製造方法。
 發明背景
金屬奈米粒子係粒子徑為1nm至100nm之超微粒子，且由於存在於表面之原子非常不安定，因此，已知的是會自動地於粒子間引起熔合並粗大化，故，通常金屬奈米粒子係藉由使用有機保護基來覆蓋表面而安定化。金屬奈米粒子係與塊狀金屬不同，顯示所謂低熔點化．低溫燒結性之特異物性，且於工學應用上利用在配線形成用之導電糊。
金屬奈米粒子大多依據合成法來分類。金屬奈米粒子之合成法係大致分類成物理方法及化學方法二種，前述物理方法係將塊狀金屬粉碎而取得粒子，前述化學方法則自金屬鹽或金屬錯合物等之前驅物生成零價之金屬原子，並使該等凝集而取得奈米粒子。屬於物理方法之一的粉碎法係一種使用球磨機等裝置而將金屬磨碎，藉此微細化並取得金屬奈米粒子之方法，然而，藉由該方法所取得之粒子係粒子徑分布廣，要取得數百nm以下之尺寸的粒子是困難的。另一方面，化學方法包括：(1)所謂雷射合成法之藉由CO2 雷射將反應氣體加熱而合成金屬奈米粒子之方法；(2)所謂噴霧熱分解法之於高溫環境氣體中噴霧金屬鹽溶液而引起瞬間的溶液蒸發與熱分解，藉此取得金屬奈米粒子之方法；(3)所謂還原法之藉由還原反應而自金屬鹽溶液中取得金屬奈米粒子之方法等，然而，任一種方法皆有難以大量合成之缺點。
對此，發明人等為了解決此種既有的金屬奈米粒子合成法之問題，先行開發出一種熱分解控制法，該熱分解控制法只要以無溶劑加熱構成金屬源之金屬錯合物，即可合成金屬奈米粒子(專利文獻1、專利文獻2等)。該熱分解控制法的最大特徵在於只要以無溶劑加熱之簡便性，因此亦可大量合成。再者，藉由將具有穩定之還原性的有機化合物等加入反應系統中，而可使反應條件穩定，又，發現可進行粒子徑、形狀或表面保護層之設計等。
金屬奈米粒子之工業應用係於各種領域中熱烈地研討，其一可列舉如使用金屬奈米粒子之微細配線技術。金屬奈米粒子係由於表面藉由有機保護層來覆蓋，因此溶劑分散性高，又，藉由奈米粒子特有的低溫熔合現象之利用，而可期待目前所沒有的低溫配線。現在主要是進行對使用銀奈米粒子之配線材料之應用，然而，由於銀為貴金屬，因此成本高，又，於高濕度下使用時，被視為問題的是非常容易引起所謂遷移之現象，即：銀會離子化而於線路外再析出，藉此使電極間短路。故，可期待低成本，並盼望一種幾乎不會引起遷移之奈米粒子之開發。
對此，金屬奈米粒子之製造方法係揭示有一種方法，其係於惰性氣體環境中，在胺化合物之存在下將含有金屬鹽之初始原料進行熱處理(專利文獻1)。又，亦揭示有一種複合金屬超微粒子之製造方法，且該製造方法係於惰性環境氣體中將含有金屬鹽之初始原料進行熱處理，又，初始原料係含有(1)二種以上之金屬；以及(2)N與O之至少一種(專利文獻2)。若藉由該等製造方法，則可提供一種分散安定性優異之金屬奈米粒子。
然而，藉由該等製造方法所取得之金屬奈米粒子係於耐遷移性方面有進一步改善的空間。
[專利文獻1]日本專利公開公報特開2007-63579號
[專利文獻2]特開2007-63580號
[專利文獻3]WO2004/012884
[專利文獻4]特開2005-298921號
發明揭示
故，本發明之主要目的在於提供一種耐遷移性更加優異之金屬奈米粒子。
發明人係有鑑於習知技術之問題而反覆致力研究之結果，發現使用特定之初始原料而於一定條件下所製造的奈米粒子可達成前述目的，以致完成本發明。
即，本發明係有關於下述複合奈米粒子及其製造方法。
1.一種複合奈米粒子之製造方法，係於藉由通式R1 R2 R3 N(然而，R1 至R3 係相互相同或相異，並表示亦可具有取代基之烷基或芳基，且R1 至R3 亦可連結成環狀，又，R1 至R3 之碳數係相互相同或相異而為1至18)所表示之三級胺化合物之存在下，藉由於非氧化性環境氣體下以150℃以上將含有有機銀化合物及有機銅化合物之混合物進行熱處理，而取得於一個粒子中至少含有銀與銅之複合奈米粒子。
2.如前述第1項之製造方法，其中相對於與有機銀化合物及有機銅化合物之合計相對的有機銀化合物之注入莫耳比A，與複合奈米粒子中的銀成分及銅成分之合計相對的銀成分之莫耳比A’係0.8A≦A’≦1.2A。
3.如前述第1項之製造方法，其更存在有碳數5以上之1,2-烷二醇及/或其衍生物。
4.如前述第1項之製造方法，其中熱處理溫度係250℃以下。
5.如前述第1項之製造方法，其中注入莫耳比A係作成1%以上、99%以下。
6.如前述第1項之製造方法，其中有機銀化合物係脂肪酸銀，且有機銅化合物係脂肪酸銅。
7.一種複合奈米粒子，係含有有機成分者，又，於一個粒子中至少含有銀與銅，且混雜含有銀多於銅之組成的粒子與含有銅多於銀之組成的粒子。
8.如前述第7項之複合奈米粒子，其中與複合奈米粒子中的銀成分及銅成分之合計相對的銀成分之莫耳比係1%以上、99%以下。
9.如前述第7項之複合奈米粒子，其係耐遷移性配線形成用者。
10.如前述第7項之複合奈米粒子，其係耐遷移性接合用者。
11.一種糊，係含有如前述第7項之複合奈米粒子與溶劑及黏度調整用樹脂之至少一種。
12.一種電接合或電線路之形成方法，包含有以下程序，即：使用如申請專利範圍第7項之複合奈米粒子或含有該粒子之糊而形成電接合領域或圖案者；及於還原性環境氣體中以400℃以下將前述電接合領域或圖案焙燒，藉此取得由焙燒體所構成的電接合或電線路者。
13.如前述第12項之方法，其中焙燒體之內部結構係具有複合奈米粒子彼此相互熔合之結構。
14.如前述第13項之方法，其中前述結構係三維網眼狀結構。
15.一種電接合或電線路，係藉由如前述第12項之形成方法所取得者，又，焙燒體之內部結構係具有複合奈米粒子彼此相互熔合之結構。
16.如前述第15項之電接合或電線路，其中前述結構係三維網眼狀結構。
若藉由本發明之製造方法，則可適當地製造於一個粒子中含有銀與銅之複合奈米粒子。於習知技術中，要製造於一個粒子中含有兩者之奈米粒子是困難乃至不可能的，且藉由習知技術所取得之奈米粒子係銀粒子與銅粒子之混合物。相對於此，於本發明之製造方法中，並非單獨地析出由一者之成分所構成的粒子，而是可有效地製造複合奈米粒子。
又，本發明之製造方法的另一特徵係亦可取得與原料之銀/銅注入比率相同或與其相近之比率的複合奈米粒子，特別是在初始原料中存在有1,2-烷二醇時，可更確實地取得具有接近注入比率之組成的複合奈米粒子。
由於本發明之複合奈米粒子係具有以下特異構造，即：於一個粒子中至少含有銀與銅，且混雜含有銀多於銅之組成的粒子與含有銅多於銀之組成的粒子，因此，可發揮比習知金屬奈米粒子(複合奈米粒子)更優異之耐遷移性。於習知技術中，已知的是例如含有金與銀之複合奈米粒子、含有銀與鈀之複合奈米粒子等，然而，在耐遷移性等方面有改善的必要，且該耐遷移性之改善可藉由本發明之複合奈米粒子來實現。
具有此種特徵之本發明之複合奈米粒子可發揮各種特性(觸媒活性、導電性、紫外線遮蔽性、熱射線遮蔽性、抗菌性、防污性、防鏽性、防蝕性等)，因此，可廣泛地使用在例如電子材料(印刷配線、導電性材料、光學元件等)、觸媒材料(高速反應觸媒、感測器等)、結構材料(遠紅外線材料、複合薄膜形成材等)、陶瓷．金屬材料(燒結助劑、塗覆材料等)、醫療材料等之各種用途中。特別是本發明複合奈米粒子可適當地使用作為要求耐遷移性之配線形成用或高溫焊錫替代之接合用。
圖式簡單說明
第1圖係顯示藉由實施例1所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第2圖係顯示藉由實施例1所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第3圖係顯示藉由實施例1所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第4圖係顯示藉由實施例4所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第5圖係顯示藉由實施例4所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第6圖係顯示藉由實施例4所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第7圖係顯示藉由實施例5所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第8圖係顯示藉由實施例5所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第9圖係顯示藉由實施例5所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第10圖係顯示藉由實施例6所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第11圖係顯示藉由實施例6所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第12圖係顯示藉由實施例6所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第13圖係顯示藉由實施例7所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第14圖係顯示藉由實施例7所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第15圖係顯示藉由實施例7所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第16圖係顯示藉由實施例8所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第17圖係顯示藉由實施例8所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第18圖係顯示藉由實施例8所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第19圖係顯示藉由實施例9所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第20圖係顯示藉由實施例9所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第21圖係顯示藉由實施例9所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第22圖係顯示藉由實施例10所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第23圖係顯示藉由實施例10所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第24圖係顯示藉由實施例11所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第25圖係顯示藉由實施例11所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第26圖係顯示藉由實施例11所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第27圖係顯示藉由實施例12所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第28圖係顯示藉由實施例12所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第29圖係顯示藉由實施例12所取得之粉末的TEM影像。
第30圖係顯示藉由實施例13所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第31圖係顯示藉由實施例13所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第32圖係顯示藉由實施例13所取得之粉末的TEM影像。
第33圖係顯示藉由實施例14所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第34圖係顯示藉由實施例14所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第35圖係顯示藉由實施例14所取得之粉末的TEM影像。
第36圖係顯示藉由實施例15所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第37圖係顯示藉由實施例15所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第38圖係顯示藉由實施例15所取得之粉末的TEM影像。
第39圖係顯示藉由實施例16所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第40圖係顯示藉由實施例16所取得之粉末的TEM影像。
第41圖係顯示於試驗例1中，藉由大氣中350℃×30分鐘之焙燒所取得之薄膜表面的SEM照片。
第42圖係顯示於試驗例1中，藉由大氣中350℃×30分鐘之焙燒所取得之薄膜截面的SEM照片。
第43圖係顯示於試驗例1中，在大氣中350℃×30分鐘之焙燒後，進一步地藉由還原環境氣體下350℃×30分鐘之焙燒所取得之薄膜表面的SEM照片。
第44圖係顯示於試驗例1中，在大氣中350℃×30分鐘之焙燒後，進一步地藉由還原環境氣體下350℃×30分鐘之焙燒所取得之薄膜截面的SEM照片。
 用以實施發明之形態 1.複合奈米粒子之製造方法
本發明之複合奈米粒子之製造方法係於藉由通式R1 R2 R3 N(然而，R1 至R3 係相互相同或相異，並表示亦可具有取代基之烷基或芳基，且R1 至R3 亦可連結成環狀，又，R1 至R3 之碳數係相互相同或相異而為1至18)所表示之三級胺化合物之存在下，藉由於非氧化性環境氣體下以150℃以上將含有有機銀化合物及有機銅化合物之混合物進行熱處理，而取得於一個粒子中至少含有銀與銅之複合奈米粒子。
本發明中的有機銀化合物係除了有機酸之銀鹽外，尚包含碳酸銀、銀之烷氧化物、銀之乙醯丙酮化物等，又，可使用該等之一種或二種以上。
又，於本發明中，有機銀化合物可適當地使用有機酸之銀鹽，舉例言之，此種銀鹽係除了硬脂酸鹽、環烷酸鹽、辛酸鹽、辛酸鹽、安息香酸鹽、正癸酸鹽、對甲苯甲酸鹽、丁酸鹽、己酸鹽、棕櫚酸鹽、油酸鹽、肉豆蔻酸鹽、月桂酸鹽、亞麻油酸鹽、次亞麻油酸鹽、蓖麻油酸鹽等之單羧酸鹽外，尚可列舉如：丙二酸鹽、琥珀酸鹽、馬來酸鹽、延胡索酸鹽、間苯二甲酸鹽、對苯二甲酸鹽、戊二酸鹽、己二酸鹽、酒石酸鹽、檸檬酸鹽、丙酮酸鹽等之二羧酸鹽。於該等中，使用碳數5以上(特別是6以上，更進一步為8至14)之有機酸之銀鹽是更為理想的。
本發明中的有機銅化合物係除了有機酸之銅鹽外，尚包含銅之烷氧化物、銅之乙醯丙酮化物等，又，可使用該等之一種或二種以上。
於本發明中，有機銅化合物可適當地使用有機酸之銅鹽，舉例言之，此種銅鹽係除了硬脂酸鹽、環烷酸鹽、辛酸鹽、辛酸鹽、安息香酸鹽、正癸酸鹽、對甲苯甲酸鹽、丁酸鹽、己酸鹽、棕櫚酸鹽、油酸鹽、肉豆蔻酸鹽、月桂酸鹽、亞麻油酸鹽、次亞麻油酸鹽、蓖麻油酸鹽等之單羧酸鹽外，尚可列舉如：丙二酸鹽、琥珀酸鹽、馬來酸鹽、延胡索酸鹽、間苯二甲酸鹽、對苯二甲酸鹽、戊二酸鹽、己二酸鹽、酒石酸鹽、檸檬酸鹽、丙酮酸鹽等之二羧酸鹽。於該等中，使用碳數5以上(特別是碳數6以上，更進一步為碳數8至14)之有機酸之銅鹽是更為理想的。
三級胺化合物係使用藉由通式R1 R2 R3 N(然而，R1 至R3 係相互相同或相異，並表示亦可具有取代基之烷基或芳基，且R1 至R3 亦可連結成環狀，又，R1 至R3 之碳數係相互相同或相異而為1至18)所表示者。舉例言之，取代基可列舉如：胺基、鹵素基、硝基、亞硝基、巰基、磺酸基、亞磺酸基、羥基、甲氧基、乙氧基、氰基、羧基、羰基、苯基、苯氧基、苯甲醯基、乙醯基等。前述烷基或芳基之碳數(然而，在具有取代基時係包含取代基之碳數)宜作成在烷基時通常為1至18，且特別是4至12，在芳基時通常為6至18，且特別是6至12。較為理想的三級胺化合物之具體例可列舉如：三辛胺、三丁胺、三異丁胺、N,N-二異丙基乙胺、參(2-乙基己)胺等，又，該等可使用一種或二種以上。
三級胺化合物之使用量可按照使用之三級胺化合物之種類等而適當地設定，通常相對於有機銅化合物及有機銀化合物之合計100莫耳，宜作成100莫耳至300莫耳，特別是150莫耳至250莫耳。
於本發明之製造方法中，只要不會對本發明之效果造成影響，則亦可存在有三級胺以外之胺(一級胺及二級胺)，然而，較為理想的是在未存在有一級胺及二級胺之條件下進行熱處理，藉此，可更確實地取得具有所期望之耐遷移性的複合奈米粒子。
於本發明之製造方法中，宜進一步地存在有碳數5以上之1,2-烷二醇及/或其衍生物(以下亦稱作「本發明二醇」)。藉由存在有本發明二醇，可取得具有更接近注入比之銀/銅組成的複合奈米粒子。前述碳數宜作成6以上，且更為理想的是10以上，最為理想的是12至30。舉例言之，此種1,2-烷二醇可列舉如：1,2-己二醇、1,2-辛二醇、1,2-壬二醇、1,2-癸二醇、1,2-十一烷二醇、1,2-十二烷二醇、1,2-十三烷二醇等。1,2-烷二醇宜為直鏈烷二醇，又，前述衍生物可列舉如：以其他取代基取代乙二醇之碳上的氫原子者。舉例言之，此時的取代基可列舉如：胺基、鹵素基、硝基、亞硝基、巰基、磺酸基、亞磺酸基、甲氧基、乙氧基、氰基、羧基、羰基、苯基、苯氧基、苯甲醯基、乙醯基等。另，於前述衍生物時之碳數係亦包含取代基之碳數的碳數。
本發明二醇之使用量並無限制，通常相對於有機銅化合物及有機銀化合物之合計100莫耳，宜作成100莫耳至300莫耳，特別是150莫耳至250莫耳。
於本發明中，熱處理係於非氧化性環境氣體下以150℃以上之溫度實施，藉此，可取得預定之複合奈米粒子。
熱處理環境氣體只要是非氧化性環境氣體則無限制，舉例言之，亦可為惰性氣體中、還原性環境氣體中等之任一者。於本發明中，特別是可藉由惰性氣體中適當地實施熱處理，且惰性氣體例如可使用氮、二氧化碳、氬、氦等。
熱處理溫度通常係作成150℃以上，且較為理想的是可作成160℃以上，另，上限可作成小於使用之有機銅化合物或有機銀化合物之完全分解溫度之溫度，通常可作成250℃以下。所謂完全分解溫度係指該有機銅化合物或有機銀化合物之有機成分完全分解之溫度，於本發明中，可於該溫度範圍內按照有機銅化合物及有機銀化合物之種類等而適當地設定，舉例言之，在分解開始溫度約100℃、完全分解溫度約400℃之有機銅化合物或有機銀化合物時，可將熱處理溫度保持於100℃至400℃之溫度範圍內。又，舉例言之，如後述實施例所揭示，亦可於熱處理溫度100℃至250℃(特別是100℃至200℃)之溫度範圍內適當地進行熱處理。
熱處理溫度之保持時間可按照熱處理溫度、使用之有機銅化合物或有機銀化合物之種類等而適當地變更。
在業已結束熱處理後，冷卻至室溫，並依需要進行精製。精製方法亦可應用眾所周知之精製法，舉例言之，可藉由離心分離、膜精製、溶劑萃取等來進行。
於本發明之製造方法中，較為理想的是可取得以下複合奈米粒子，即：相對於與有機銀化合物及有機銅化合物之合計相對的有機銀化合物之注入莫耳比A，與複合奈米粒子(作成粒子群)中的銀成分及銅成分之合計相對的銀成分之莫耳比A’係0.8A≦A’≦1.2A(特別是0.9A≦A’≦1.1A)。即，於本發明之製造方法中，可取得具有與注入比(銀成分/銅成分)相同或與其相近之組成的複合奈米粒子(粒子群)，此特別是在藉由1)熱處理溫度；2)銀/銅注入比率；及3)添加本發明二醇之至少任一者時可更確實地進行控制。
2.銀-銅複合奈米粒子
本發明之複合奈米粒子係含有有機成分者，又，於一個粒子中至少含有銀與銅，且混雜含有銀多於銅之組成的粒子與含有銅多於銀之組成的粒子。
本發明之複合奈米粒子係含有有機成分、銀及銅。本發明之複合奈米粒子宜為藉由前述本發明之製造方法所取得者，即，宜為藉由以下複合奈米粒子之製造方法所取得之複合奈米粒子，即：於藉由通式R1 R2 R3 N(然而，R1 至R3 係相互相同或相異，並表示亦可具有取代基之烷基或芳基，且R1 至R3 亦可連結成環狀，又，R1 至R3 之碳數係相互相同或相異而為1至18)所表示之三級胺化合物之存在下，藉由於非氧化性環境氣體下以150℃以上將含有有機銀化合物及有機銅化合物之混合物進行熱處理，而取得於一個粒子中至少含有銀與銅之複合奈米粒子。
有機成分並無特殊之限制，然而，由於本發明之複合奈米粒子宜為藉由本發明之製造方法所取得者，因此，有機成分宜含有作成初始原料使用之三級胺化合物、有機銀化合物及有機銅化合物以及該等之來源成分之至少一種。此時的來源成分宜為藉由將作成初始原料使用之三級胺化合物、有機銀化合物及有機銅化合物供給至前述熱處理而生成之有機成分。
又，使用1,2-烷二醇及/或其衍生物時，宜含有前述三級胺化合物、有機銀化合物、有機銅化合物及1,2-烷二醇及/或其衍生物以及該等之來源成分之至少一種。此時的來源成分宜為藉由將作成初始原料使用之三級胺化合物、有機銀化合物、有機銅化合物及1,2-烷二醇及/或其衍生物供給至前述熱處理而生成之有機成分。
有機成分之含量並無特殊之限制，通常宜為55重量%以下，特別是30重量%以下。有機成分之含量之下限值並無限制，通常可作成0.5重量%。
又，複合奈米粒子(粒子群)中的銀與銅之比率只要是於一個粒子中含有兩者，則無特殊之限制，通常與粒子群中的銀成分及銅成分之合計相對的銀成分之莫耳比係1%以上、99%以下，且較為理想的是5%以上、85%以下。
本發明之複合奈米粒子係混雜含有銀多於銅之組成的粒子(以下亦稱作「富銀粒子」)與含有銅多於銀之組成的粒子(以下亦稱作「富銅粒子」)，即，混雜富銀粒子與富銅粒子。此種構造可藉由進行一般的TEM/EDX測定來確認，且TEM/EDX測定用之裝置可使用市售裝置。具有此種特徵之複合奈米粒子可發揮優異之耐遷移性。
本發明之複合奈米粒子之平均粒子徑並無特殊之限制，通常為3nm至300nm，且較為理想的是3nm至50nm。
本發明之複合奈米粒子係由於分散安定性優異，因此，舉例言之，若使其分散於溶劑中，則可構成可溶化狀態，故，可適當地作成例如含有溶劑及黏度調整用樹脂之至少一種以及複合奈米粒子之糊使用。溶劑並無特殊之限制，舉例言之，可列舉如：萜烯系溶劑、酮系溶劑、醇系溶劑、酯系溶劑、醚系溶劑、脂肪族烴系溶劑、芳族烴系溶劑、賽路蘇系溶劑、卡必醇系溶劑等，更具體而言，可例示如：萜品醇、甲基乙基酮、丙酮、異丙醇、丁卡必醇、癸烷、十一烷、十四烷、苯、甲苯、己烷、二乙醚、煤油等之有機溶劑。又，黏度調整用樹脂並無限制，舉例言之，可使用苯酚樹脂、三聚氰胺樹脂、醇酸樹脂等之熱硬化性樹脂、苯氧樹脂、丙烯酸樹脂等之熱可塑性樹脂、環氧樹脂等之硬化劑硬化性樹脂等。在作成糊使用時，複合奈米粒子之含量可於20重量%至90重量%之範圍適當地設定。
本發明亦包含一種形成電接合或電線路之方法，且該方法包含有以下程序，即：1)藉由本發明之複合奈米粒子或含有該複合奈米粒子之糊而形成電接合領域或圖案者；及2)於還原性環境氣體中以400℃以下將前述電接合領域或圖案焙燒，藉此，取得電接合或電線路者。
電接合領域之形成例如可採用與用以接合二個線路之錫焊焊接等相同之方法，形成圖案之程序可使用在眾所周知之線路形成、電極形成等中所採用的方法，舉例言之，可藉由網版印刷、噴墨印刷等之印刷方法，形成預定之線路圖案、電極圖案等。
其次，於還原性環境氣體中焙燒該等電接合領域或圖案，藉此，可取得由焙燒體所形成的電接合或電線路。焙燒溫度可按照使用之複合奈米粒子之種類、糊組成等而適當地設定，通常係作成400℃以下，且較為理想的是作成150℃至400℃，更為理想的是作成180℃至380℃，最為理想的是作成280℃至380℃。還原性環境氣體可作成含有還原性氣體之環境氣體，舉例言之，可適當地採用含有氫氣1體積%至10體積%且剩餘部分為惰性氣體之混合氣體環境。前述惰性氣體係除了氬氣、氦氣等外，亦可使用氮氣。焙燒時間可按照焙燒溫度等而適當地設定，通常可作成1小時至10小時。
另，依需要亦可於前述還原性環境氣體下之焙燒前先行於大氣中或氧化性環境氣體中焙燒，此時的焙燒溫度通常可作成150℃至400℃，且較為理想的是作成280℃至380℃。藉由該焙燒，可抑制孔隙之產生，且使焙燒膜更緻密化而提升電特性。
依此，於本發明中，使用本發明之複合奈米粒子或含有該複合奈米粒子之糊，且於還原性環境氣體下將其焙燒(熱處理)，藉此，可形成耐遷移性優異同時具有複合奈米粒子相互熔合之結構的薄膜，故，可提供一種具有高導電性之電接合領域或圖案(電極圖案、線路圖案或配線圖案)。電接合領域或圖案通常呈膜狀，其膜厚通常為1μm至50μm，且較為理想的是1μm至10μm。
實施例
以下顯示實施例及試驗例，且更具體地說明本發明之特徵，然而，本發明之範圍並不限於實施例。
(1)試藥及測定機器
．於合成及測定中所使用的試藥：1,2-十二烷二醇、三辛胺、辛酸、碳酸銀係使用購入自中雷(NACALAI TESQUE)股份有限公司者，辛酸銅係使用購入自三津和化學藥品股份有限公司者，且未進行精製。
．TG/DTA測定：使用精工電子工業製造之「SSC/5200」熱分析裝置而於氮環境氣體下進行。
．粉末X射線繞射裝置(XRD)：使用理學(Rigaku)製造之「RINT2500」來進行。
．透過型電子顯微鏡(TEM)觀察：使用日本電子製造之「JEM2100IM」。
另，觀察試料係於附有碳支持膜之銅柵上，滴下於複合奈米粒子中加入甲苯而藉由超音波照射使其分散之液體，並乾燥而進行調製。
．能量分散X射線分析(EDX)：使用日本電子製造之「JEM2100IM」來進行。
．螢光X射線分析(XRF)：使用精工儀器股份有限公司製造之「微型元件監視器SEA5120」來進行。
(2)化合物之標示
於本實施例中，使用下述標示作為略語。
標示成：
．鏈長不同的脂肪酸銀Cm H2m+1 COOAg：Cm COOAg(m=7，13，17)
．辛酸銅(C7 H15 COO)2 Cu：(C7 COO)2 Cu
．三辛胺(C8 H17 )3 N：(C8 )3 N
．1,2-十二烷二醇C10 H21 CH(OH)CH2 (OH)：1,2-DDO
．辛酸C7 H15 COOH：C7 COOH
．自Cm COOAg與(C8 )3 N所合成的銀奈米粒子：Cm Ag/(C8 )3 N(m=7，13，17)
．自Cm COOAg、(C7 COO)2 Cu與(C8 )3 N所合成的Ag/Cu複合奈米粒子：Cm Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(m=7，13，17)(注入比，反應溫度×反應時間)
．自C13 COOAg、(C7 COO)2 Cu、(C8 )3 N與1,2-DDO所合成的Ag/Cu複合奈米粒子：C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N/1,2-DDO(注入比，反應溫度×反應時間)
．自Ag2 CO3 、(C7 COO)2 Cu、(C8 )3 N與C7 COOH所合成的Ag/Cu複合奈米粒子：Ag2 CO3 /(C7 )2 Cu/(C8 )3 N/C7 COOH(注入比，反應溫度×反應時間)
(3)物性之測定方法
平均粒子徑：藉由前述透過型電子顯微鏡來測定，並求取任意所選出的粒子300個之直徑算數平均值，且以該值作成平均粒子徑。
金屬成分之含量：使用前述熱分析裝置，並藉由TG/DTA測定來求取。
<實施例1>
C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=5：5，160℃×24小時)之合成
以160℃將(C8 )3 N(2.7g，7.5mmol)、(C7 COO)2 Cu(0.88g，2.5mmol)與C13 COOAg(0.84g，2.5mmol)保持24小時後，冷卻至室溫。冷卻後，藉由丙酮(10ml)與甲醇(10ml)之混合液來洗淨，並以桐山漏斗過濾後，於減壓下乾燥，並取得藍紫色粉末(產量0.45g，金屬含有率86%，組成比 銀54mol%：銅46mol%，平均粒子徑4.1±0.87nm)。分別地，於第1圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第2圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第3圖中顯示TEM影像及粒子徑分布。
<實施例2>
C13 Ag/<C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=5：5，160℃×4小時)之合成
除了將實施例1中的反應時間從24小時變成4小時外，與實施例1相同地進行反應，藉此，取得藍紫色粉末(產量0.43g，金屬含有率80%，組成比 銀71mol%：銅29mol%)。
<實施例3>
C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=5：5，160℃×16小時)之合成
除了將實施例1中的反應時間從24小時變成16小時外，與實施例1相同地進行反應，藉此，取得藍紫色粉末(產量0.47g，金屬含有率82%，組成比 銀65mol%：銅35mol%)。
<實施例4>
C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=5：5，180℃×4小時)之合成
除了將實施例2中的反應溫度從160℃變成180℃外，與實施例2相同地進行反應，藉此，取得藍紫色粉末(產量0.49g，金屬含有率84%，組成比 銀50mol%：銅50mol%，平均粒子徑4.0±0.71nm)。分別地，於第4圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第5圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第6圖中顯示TEM影像及粒子徑分布。
<實施例5>
C7 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=5：5，160℃×24小時)之合成
除了將實施例1中所使用的脂肪酸銀C13 Ag變成C7 Ag外，與實施例1相同地進行反應，藉此，取得藍紫色粉末(產量：0.40g，金屬含有率：91%，組成比：銀58mol%，銅42mol%，平均粒子徑5.7±0.79nm)。分別地，於第7圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第8圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第9圖中顯示TEM影像及粒子徑分布。
<實施例6>
C17 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=5：5，160℃×24小時)之合成
除了將實施例1中所使用的脂肪酸銀C13 Ag變成C17 Ag外，與實施例1相同地進行反應，藉此，取得藍紫色粉末(產量：0.52g，金屬含有率83%，組成比 銀58mol%：銅42mol%，平均粒子徑4.1±2.3nm)。分別地，於第10圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第11圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第12圖中顯示TEM影像及粒子徑分布。
<實施例7>
C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=8：2，160℃×24小時)之合成
於實施例1中，除了將所加入的試藥量變成(C8 )3 N(2.1g，6.0mmol)、(C7 COO)2 Cu(0.35g，1.0mmol)與C13 COOAg(1.3g，4.0mmol)外，與實施例1相同地進行反應，藉此，取得藍紫色粉末(產量0.44g，金屬含有率80%，組成比 銀89mol%：銅11mol%，平均粒子徑4.2±0.49nm)。分別地，於第13圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第14圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第15圖中顯示TEM影像及粒子徑分布。
<實施例8>
C7 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=8：2，160℃×24小時)之合成
於實施例5中，除了將所加入的試藥量變成(C8 )3 N(2.1g，6.0mmol)、(C7 COO)2 Cu(0.35g，1.0mmol)與C7 COOAg(1.0g，4.0mmol)外，與實施例5相同地進行反應，藉此，取得藍紫色粉末(產量0.50g，金屬含有率92%，組成比 銀95mol%：銅5mol%，平均粒子徑8.4±1.4nm)。分別地，於第16圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第17圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第18圖中顯示TEM影像及粒子徑分布。
<實施例9>
C17 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=8：2，160℃×24小時)之合成
於實施例6中，除了將所加入的試藥量變成(C8 )3 N(2.1g，6.0mmol)、(C7 COO)2 Cu(0.35g，1.0mmol)與C17 COOAg(1.6g，4.0mmol)外，與實施例6相同地進行反應，藉此，取得藍紫色粉末(產量0.95g，金屬含有率50%，組成比 銀96mol%：銅4mol%，平均粒子徑5.5±1.9nm)。分別地，於第19圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第20圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第21圖中顯示TEM影像及粒子徑分布。
<實施例10>
C17 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=2：8，160℃×24小時)之合成
於實施例6中，除了將所加入的試藥量變成(C8 )3 N(3.2g，9.0mmol)、(C7 COO)2 Cu(1.4g，4.0mmol)與C17 COOAg(0.40g，1.0mmol)外，與實施例6相同地進行反應，藉此，取得藍紫色粉末(產量0.22g，金屬含有率99%，組成比 銀41mol%：銅59mol%，平均粒子徑21±8.9nm)。分別地，於第22圖中顯示所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果，於第23圖中顯示TEM影像及粒子徑分布。
<實施例11>
C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=5：5，180℃×4小時)之合成
除了將實施例4之比例尺作成5倍外，與實施例4相同地進行反應，藉此，取得藍紫色粉末(產量2.5g，金屬含有率85%，組成比 銀59mol%：銅41mol%，平均粒子徑3.9±0.71nm)。分別地，於第24圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第25圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第26圖中顯示TEM影像及粒子徑分布。
<實施例12>
C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N/1,2-DDO(銀：銅=5：5，160℃×16小時)之合成
除了添加1,2-DDO1.52g(7.5mmol)外，藉由與實施例3相同之條件實施熱處理，並取得藍紫色粉末(產量0.585g，金屬含有量73%，組成比 銀57mol%：銅43mol%，平均粒子徑3.59±0.52nm)。分別地，於第27圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第28圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第29圖中顯示TEM影像。
<實施例13>
C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N/1,2-DDO(銀：銅=8：2，160℃×16小時)之合成
於實施例12中，除了將所加入的試藥量變成1,2-DDO1.21g(6mmol)、(C8 )3 N(2.12g，6mmol)、(C7 COO)2 Cu(0.35g，1mmol)與C13 COOAg(1.34g，4mmol)外，作成與實施例12相同而實施熱處理，並取得藍紫色粉末(產量0.66g，金屬含有量72%，組成比 銀85mol%：銅15mol%，平均粒子徑4.23±0.36nm)。於第30圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第31圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第32圖中顯示TEM影像。
<實施例14>
C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N/1,2-DDO(銀：銅=2：8，160℃×16小時)之合成
於實施例12中，除了將所加入的試藥量變成1,2-DDO1.82g(9mmol)、(C8 )3 N(3.18g，9mmol)、(C7 COO)2 Cu(1.40g，4mmol)與C13 COOAg(0.335g，1mmol)外，作成與實施例12相同而實施熱處理，並取得藍紫色粉末(產量0.483g，金屬含有量78%，組成比 銀26mol%：銅74mol%，平均粒子徑5.50±2.73nm)。於第33圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第34圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第35圖中顯示TEM影像。
<實施例15>
C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N/1,2-DDO(銀：銅=5：95，160℃×16小時)之合成
於實施例12中，除了將所加入的試藥量變成1,2-DDO1.97g(9.75mmol)、(C8 )3 N(3.45g，9.75mmol)、(C7 COO)2 Cu(1.66g，4.75mmol)與C13 COOAg(0.084g，0.25mmol)外，作成與實施例12相同而實施熱處理，並取得茶色粉末(產量373mg，金屬含有量88%，組成比 銀7mol%：銅93mol%，平均粒子徑10.42±5.23nm)。分別地，於第36圖中顯示所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果，於第37圖中顯示X射線繞射分析(XRD)之結果，於第38圖中顯示TEM影像。
<實施例16>
Ag2 CO3 /(C7 )2 Cu/(C8 )3 N/C7 COOH(銀：銅=2：8，160℃×24小時)之合成
於實施例10中，除了將C17 COOAg變成Ag2 CO3 (0.138g，0.5mmol)，並加入C7 COOH(0.144g，1mmol)外，作成與實施例10相同而實施熱處理，並取得藍紫色粉末(產量0.366g，金屬含有量99%，組成比銀25mol%：銅75mol%，平均粒子徑31.4±36.7nm(混合平均粒子徑17.6±3.4nm與120.6±26.5nm))。於第39圖中顯示所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果，於第40圖中顯示TEM影像。
又，進行於實施例16中所取得之Ag/Cu二元金屬奈米粒子之TEM/EDX分析(第40圖)，且分別調查於粒徑大的粒子A與粒徑小的粒子B中的Ag/Cu組成比，於表1中顯示其結果。由表1之結果亦可清楚得知，於一個粒子中含有銀及銅兩者，又，亦可得知混雜有富銅粒子(第40圖，測定點A)與富銀粒子(第40圖，測定點B)。再者，可得知於藉由實施例16所取得之粒子(粉末)中，富銀粒子A之粒子徑小於富銅粒子B之粒子徑，且組成比依據粒子徑而不同。一般認為此係分解溫度較低之Ag2 CO3 分解後，(C7 COO)2 Cu會分解並開始銀與銅之複合化，且形成於銀與銅充分複合前之小粒子徑 中安定的富銀粒子，以及銀與銅充分複合而於大粒子徑中安定的富銅粒子。
<試驗例1> Ag/Cu複合奈米粒子之焙燒膜之特性
相對於藉由實施例11所合成的Ag/Cu複合奈米粒子C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(Ag：Cu=5：5，180℃×4小時)，將萜品醇(0.25g)加入聚乙烯系分散劑(0.08g)與溶劑中，且為了促進分散性而滴下甲苯數滴。摻合至甲苯揮發逸散且沒有殘存為止，並調合成金屬含有率65wt%之糊。使用該糊而藉由網版印刷法來印刷電極圖案，並於大氣中焙燒350℃×30分鐘。於第41及42圖中分別顯示其焙燒膜A之表面及截面的SEM照片。
另外將同樣地印刷而作成的電極圖案於大氣中焙燒350℃×30分鐘後，於氮中含有3體積%之氫的還原性環境氣體下焙燒350℃×30分鐘。於第43及44圖中分別顯示所取得之薄膜B之表面及截面的SEM照片。
如第41及42圖所示，可得知於大氣中的焙燒中，能一面維持粒子形狀一面形成燒結膜，另一方面，如第43及44圖所示，可得知若於大氣中的焙燒後，進一步地於氮中含有3體積%之氫的還原性環境氣體下焙燒，則可形成奈米粒子業已熔合之薄膜。即，即使是較低之焙燒溫度，亦不會留下奈米粒子之原形，而可取得具有奈米粒子彼此相互熔合之內部結構的薄膜。
又，於表2中顯示該薄膜B之電特性。相對於如焙燒膜A時的比電阻通常為100μΩcm，由表2中亦可清楚明白，薄膜B係顯示10μΩcm以下(特別是8μΩcm以下)之與塊狀匹敵之比電阻值。依此，配線形成是理所當然的，且使用Ag/Cu複合奈米粒子之糊亦可適當地使用作為高溫焊錫替代之接合用。
<試驗例2> Ag/Cu複合奈米粒子之耐遷移性之研討
所謂離子遷移係一種於高濕高溫下使電流入電子線路，藉此使陽極之金屬離子化而溶出，並使電極間短路之現象。在對於離子遷移之安定性之研討中所使用的電極係使用藉由實施例11所合成的C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=5：5，180℃×4小時)與藉由相同條件進行合成的銀奈米粒子而分別形成。電極之形成係於瑪瑙研缽中將萜品醇(0.25g)加入分散劑(0.08g)與溶劑中，且為了促進分散性而滴下甲苯數滴。再者，加入前述奈米粒子，並摻合至甲苯揮發逸散且沒有殘存為止，且進行糊化。使用該糊而藉由網版印刷法來印刷電極圖案，並藉由350℃×30分鐘、於氮中含有3%之氫的還原環境氣體下之焙燒條件進行電極形成。使用所形成的電極(電極間距離1mm)，並進行離子遷移測試，離子遷移測試係藉由水滴法來進行，且於電極間滴水，並計測通電後直到電極間短路為止之時間。於表3中顯示其結果。
由表3之結果亦可清楚明白，於使用銀奈米粒子所形成的電極時，在短路之前所需的時間為15秒，另一方面，於使用C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=5：5)所形成的電極時，在短路之前所需的時間為530秒，相較於使用銀奈米粒子所形成的電極者，在短路之前會需要約35倍之時間。由以上可得知，相較於銀奈米粒子，C13 Ag/(C7 )2 Cu/(C8 )3 N(銀：銅=5：5，180℃×4小時)係具有非常高之耐遷移性。
第1圖係顯示藉由實施例1所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第2圖係顯示藉由實施例1所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第3圖係顯示藉由實施例1所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第4圖係顯示藉由實施例4所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第5圖係顯示藉由實施例4所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第6圖係顯示藉由實施例4所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第7圖係顯示藉由實施例5所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第8圖係顯示藉由實施例5所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第9圖係顯示藉由實施例5所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第10圖係顯示藉由實施例6所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第11圖係顯示藉由實施例6所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第12圖係顯示藉由實施例6所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第13圖係顯示藉由實施例7所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第14圖係顯示藉由實施例7所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第15圖係顯示藉由實施例7所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第16圖係顯示藉由實施例8所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第17圖係顯示藉由實施例8所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第18圖係顯示藉由實施例8所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第19圖係顯示藉由實施例9所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第20圖係顯示藉由實施例9所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第21圖係顯示藉由實施例9所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第22圖係顯示藉由實施例10所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第23圖係顯示藉由實施例10所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第24圖係顯示藉由實施例11所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第25圖係顯示藉由實施例11所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第26圖係顯示藉由實施例11所取得之粉末的TEM影像及粒子徑分布。
第27圖係顯示藉由實施例12所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第28圖係顯示藉由實施例12所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第29圖係顯示藉由實施例12所取得之粉末的TEM影像。
第30圖係顯示藉由實施例13所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第31圖係顯示藉由實施例13所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第32圖係顯示藉由實施例13所取得之粉末的TEM影像。
第33圖係顯示藉由實施例14所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第34圖係顯示藉由實施例14所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第35圖係顯示藉由實施例14所取得之粉末的TEM影像。
第36圖係顯示藉由實施例15所取得之粉末的利用TG/DTA測定之熱重量(TG)變化之結果。
第37圖係顯示藉由實施例15所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第38圖係顯示藉由實施例15所取得之粉末的TEM影像。
第39圖係顯示藉由實施例16所取得之粉末的X射線繞射分析(XRD)之結果。
第40圖係顯示藉由實施例16所取得之粉末的TEM影像。
第41圖係顯示於試驗例1中，藉由大氣中350℃×30分鐘之焙燒所取得之薄膜表面的SEM照片。
第42圖係顯示於試驗例1中，藉由大氣中350℃×30分鐘之焙燒所取得之薄膜截面的SEM照片。
第43圖係顯示於試驗例1中，在大氣中350℃×30分鐘之焙燒後，進一步地藉由還原環境氣體下350℃×30分鐘之焙燒所取得之薄膜表面的SEM照片。
第44圖係顯示於試驗例1中，在大氣中350℃×30分鐘之焙燒後，進一步地藉由還原環境氣體下350℃×30分鐘之焙燒所取得之薄膜截面的SEM照片。

Claims (10)

  1. 一種複合奈米粒子之製造方法，其特徵在於，於藉由通式R1 R2 R3 N(然而，R1 至R3 係相互相同或相異，並表示亦可具有取代基之烷基或芳基，且R1 至R3 亦可連結成環狀，又，R1 至R3 之碳數係相互相同或相異而為1至18)所表示之三級胺化合物及碳數5以上之1,2-烷二醇及/或其衍生物之存在下，藉由於非氧化性環境氣體下以150℃以上將含有有機銀化合物及有機銅化合物之混合物進行熱處理，而取得於一個粒子中至少含有銀與銅，且於X射線繞射分析中具有銀波峰與銅波峰之複合奈米粒子。
  2. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中相對於與有機銀化合物及有機銅化合物之合計相對的有機銀化合物之注入莫耳比A，與複合奈米粒子中的銀成分及銅成分之合計相對的銀成分之莫耳比A’係0.8A≦A’≦1.2A。
  3. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中熱處理溫度係250℃以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中相對於有機銀化合物及有機銅化合物之合計的有機銀化合物之注入莫耳比A係作成1%以上、99%以下。
  5. 如申請專利範圍第1項之製造方法，其中有機銀化合物係脂肪酸銀，且有機銅化合物係脂肪酸銅。
  6. 一種複合奈米粒子，係含有有機成分者，其特徵在於，又，於一個粒子中至少含有銀與銅，且混雜含有銀多於 銅之組成的粒子與含有銅多於銀之組成的粒子，且於X射線繞射分析中具有銀波峰與銅波峰。
  7. 如申請專利範圍第6項之複合奈米粒子，其中與複合奈米粒子中的銀成分及銅成分之合計相對的銀成分之莫耳比係1%以上、99%以下。
  8. 如申請專利範圍第6項之複合奈米粒子，其係耐遷移性配線形成用者。
  9. 如申請專利範圍第6項之複合奈米粒子，其係耐遷移性接合用者。
  10. 一種糊，係含有如申請專利範圍第6項之複合奈米粒子與溶劑及黏度調整用樹脂之至少一種。
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