TWI457042B - 具有潛伏致動層之有機發光裝置 - Google Patents

Claims (19)

1. 一種有機發光裝置，其具有包含至少一種金屬先質之反應產物之陰極層，當曝露至熱或光時，該金屬先質能夠釋出至少一種低功函數金屬，其中該金屬先質係包括式M(N3 )x 化合物，其中M係選自由鋰、鈉、鉀、銣、銫、鉣、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鐳、鑭、鈰、鐠、釹、鉅、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鎦及其組合所構成群組；且x為1至3。
2. 如請求項1之有機發光裝置，其中該至少一種低功函數金屬係具有功函數值小於3.0eV。
3. 如請求項1之有機發光裝置，其中該至少一種低功函數金屬係選自包括鋰、鈉、鉀、銣、銫、鉣、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鐳、鑭、鈰、鐠、釹、鉅、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鎦及其組合。
4. 如請求項1之有機發光裝置，其中低功函數金屬為鋇。
5. 如請求項1之有機發光裝置，其中金屬先質係包括雙疊氮化鋇。
6. 一種有機發光裝置，其包含：基板，至少一個陰極層，覆蓋該基板一個表面之至少一部份，此陰極層包含得自使至少一種式M(N3 )x 金屬先質分解之反應產物；陽極層材料，覆蓋第二個基板之至少一部份，及； 有機發光材料，位於陰極層與陽極層之間，而其中當相反電荷被施加至陽極與陰極層時，光係被發射；其中M係選自包括鋰、鈉、鉀、銣、銫、鉣、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鐳、鑭、鈰、鐠、釹、鉅、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鎦及其組合；且x為1至3。
7. 如請求項6之有機發光裝置，其中陰極層材料係包括鋇。
8. 如請求項6之有機發光裝置，其中金屬先質為雙疊氮化鋇。
9. 一種製造有機發光裝置之方法，該方法包括在大氣空氣中，對基板施加至少一種金屬先質之溶液，其包含至少一種金屬之疊氮化物，M(N3 )x ，且使該至少一種金屬先質曝露至熱或光，以釋出該至少一種金屬；其中M係選自包括鋰、鈉、鉀、銣、銫、鉣、鈹、鎂、鈣、鍶、鋇、鐳、鑭、鈰、鐠、釹、鉅、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鎦及其組合；且x具有數值1至3。
10. 如請求項9之方法，其中該至少一種金屬先質為雙疊氮化鋇。
11. 一種製造有機發光二極體之方法，其包括以下步驟：提供至少一種金屬先質，其能夠轉變成經沉積之含金屬層，其中該至少一種金屬先質係包括式M(N3 )x 化合物，其中M係選自由鋰、鈉、鉀、銣、銫、鉣、鈹、鎂、 鈣、鍶、鋇、鐳、鑭、鈰、鐠、釹、鉅、釤、銪、釓、鋱、鏑、鈥、鉺、銩、鐿、鎦及其組合所構成群組；且x具有數值1至3；在基板頂上形成包含該至少一種金屬先質之層；使先質層轉化，以形成經沉積之含金屬陰極；將發光有機層與陰極合併，及將陽極與陰極及發光層合併，該發光層係被定位於陰極與陽極之間。
12. 如請求項11之方法，其中該至少一種金屬先質為金屬疊氮化物。
13. 如請求項11之方法，其中該至少一種金屬先質為雙疊氮化鋇。
14. 如請求項11之方法，其中轉化係使用能量來源達成，選自包括光、熱、電子束照射、離子束照射及其混合。
15. 如請求項11之方法，其中該至少一種金屬先質係以流體施用。
16. 如請求項11之方法，其中陰極具有功函數值小於3.0eV。
17. 一種光面板，其包含如請求項1之裝置。
18. 如請求項17之光面板，其中陰極層材料係包括鋇。
19. 如請求項17之光面板，其中該至少一種金屬先質係包括雙疊氮化鋇。