JPH0636688A - ガラス封止デバイス製造方法およびガス放電表示パネルの製造装置 - Google Patents
ガラス封止デバイス製造方法およびガス放電表示パネルの製造装置Info
- Publication number
- JPH0636688A JPH0636688A JP4186578A JP18657892A JPH0636688A JP H0636688 A JPH0636688 A JP H0636688A JP 4186578 A JP4186578 A JP 4186578A JP 18657892 A JP18657892 A JP 18657892A JP H0636688 A JPH0636688 A JP H0636688A
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- JP
- Japan
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- discharge
- gas
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】材料の前駆物質を不活性ガス気流中のコンベア
式加熱炉内に導入し、前駆物質の熱分解，デバイス封止
を連続して行い、さらに引き続いてデバイス内排気を行
う。 【効果】化学的に活性な材料を用いたデバイスを高いス
ループットで製造できる。
式加熱炉内に導入し、前駆物質の熱分解，デバイス封止
を連続して行い、さらに引き続いてデバイス内排気を行
う。 【効果】化学的に活性な材料を用いたデバイスを高いス
ループットで製造できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はガラスにより密閉封止さ
れた形で動作するデバイスの製造方法およびその製造装
置に関する。
れた形で動作するデバイスの製造方法およびその製造装
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】直流型ガス放電表示パネルなど気体の放
電を利用する放電デバイスでは、陰極材料の選択がデバ
イスの性能を決める重要な要因である。例えば、ジャー
ナル・オブ・アプライド・フィジクス，第６８巻，３１
４７−３１５２ページ(Journalof Applied Physics，Ｖ
ol．６８，pp．３１４７−３１５２）に記されているよ
うに、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を陰極に用
いると、低い電圧で放電を生起・維持する事ができ、か
つ寿命も長いことが知られている。しかし、アルカリ金
属およびアルカリ土類金属は化学的に活性であり、空気
に触れると酸素や水分などと反応して、陰極としての特
性が劣化してしまうので、その製造方法に工夫を必要と
する。
電を利用する放電デバイスでは、陰極材料の選択がデバ
イスの性能を決める重要な要因である。例えば、ジャー
ナル・オブ・アプライド・フィジクス，第６８巻，３１
４７−３１５２ページ(Journalof Applied Physics，Ｖ
ol．６８，pp．３１４７−３１５２）に記されているよ
うに、アルカリ金属およびアルカリ土類金属を陰極に用
いると、低い電圧で放電を生起・維持する事ができ、か
つ寿命も長いことが知られている。しかし、アルカリ金
属およびアルカリ土類金属は化学的に活性であり、空気
に触れると酸素や水分などと反応して、陰極としての特
性が劣化してしまうので、その製造方法に工夫を必要と
する。
【０００３】バリウム陰極を形成する場合を例にして従
来のガス放電表示パネルの製造方法を述べる。特願昭55
−161989号明細書に記載されているように、空気中の成
分と反応しないアジ化バリウムＢａ(Ｎ3)2を真空中また
は不活性ガス中で熱分解することにより金属バリウムを
得る。この際、金属バリウムを形成すべき場所にアジ化
バリウムを塗布したパネルを排気装置内に組み込み、真
空中または不活性ガスに置換した状態で昇温し、アジ化
バリウムの熱分解過程を行い、引き続いて昇温してパネ
ルを封着するための低融点ガラスを融解して封着する。
そのままパネル内を排気して放電ガスを封入する。この
方法により、金属バリウムを大気に触れることなくガス
放電表示パネル内に形成することができる。
来のガス放電表示パネルの製造方法を述べる。特願昭55
−161989号明細書に記載されているように、空気中の成
分と反応しないアジ化バリウムＢａ(Ｎ3)2を真空中また
は不活性ガス中で熱分解することにより金属バリウムを
得る。この際、金属バリウムを形成すべき場所にアジ化
バリウムを塗布したパネルを排気装置内に組み込み、真
空中または不活性ガスに置換した状態で昇温し、アジ化
バリウムの熱分解過程を行い、引き続いて昇温してパネ
ルを封着するための低融点ガラスを融解して封着する。
そのままパネル内を排気して放電ガスを封入する。この
方法により、金属バリウムを大気に触れることなくガス
放電表示パネル内に形成することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、排気
装置の排気過程，昇温過程，パネル封止過程，冷却過
程，パネル内の排気過程，放電ガス封入過程という一連
のプロセスをバッチ的に行うため、スループットが低
く、量産には適さないという問題があった。
装置の排気過程，昇温過程，パネル封止過程，冷却過
程，パネル内の排気過程，放電ガス封入過程という一連
のプロセスをバッチ的に行うため、スループットが低
く、量産には適さないという問題があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、これらの一連
の過程を連続炉中で流れ作業的に行うように適用してス
ループットを高めた。
の過程を連続炉中で流れ作業的に行うように適用してス
ループットを高めた。
【０００６】
【作用】コンベア式電気炉を用いると温度分布を適切に
設定すれば、流れ作業的に所望の昇温・降温プロファイ
ルが得られるのでバッチ炉と同じ過程を高いスループッ
トで行える。ただし、化学的に安定なアジ化物が分解し
てアルカリ金属またはアルカリ土類金属が形成した後
は、酸素や水分などの大気成分に接触しないようにする
工夫が必要である。本発明では、バルブとポンプの適切
な操作によりこれを可能にした。
設定すれば、流れ作業的に所望の昇温・降温プロファイ
ルが得られるのでバッチ炉と同じ過程を高いスループッ
トで行える。ただし、化学的に安定なアジ化物が分解し
てアルカリ金属またはアルカリ土類金属が形成した後
は、酸素や水分などの大気成分に接触しないようにする
工夫が必要である。本発明では、バルブとポンプの適切
な操作によりこれを可能にした。
【０００７】
【実施例】本発明の一実施例として、図２の構造を有す
るガス放電ディスプレイを製造する方法及び装置を説明
する。図２にはガス放電パネルの放電セルの断面図を示
した。透光性面板１０には、陽極２０をＡｕ，Ａｇ等で
形成し、蛍光体１５も形成する。さらに隔壁１４を形成
する。隔壁１４は放電セルで発生した紫外線が隣の放電
セルの蛍光体を発光させないために設ける。したがっ
て、Ｎｅの可視発光を利用するガス放電ディスプレイで
は隔壁１４はなくても良い。基板１２上には陰極リード
２３を陽極２０と直交する向きに形成したのち、放電セ
ルに対応する穴を残して誘電体層２４により覆う。さら
に、陰極リード２３と接触する場所に陰極２２を形成す
る。陰極２２には、放電電圧が低いアルカリ金属または
アルカリ土類金属、たとえばバリウムを用いる。ガス放
電パネル５の全体は、真空封止されて大気とは隔離され
ており、内部には、放電ガスとして、希ガスを１種また
は複数種を混合したものを封入する。たとえば、Ｎｅ−
Ｘｅ混合ガスなどを用いる。
るガス放電ディスプレイを製造する方法及び装置を説明
する。図２にはガス放電パネルの放電セルの断面図を示
した。透光性面板１０には、陽極２０をＡｕ，Ａｇ等で
形成し、蛍光体１５も形成する。さらに隔壁１４を形成
する。隔壁１４は放電セルで発生した紫外線が隣の放電
セルの蛍光体を発光させないために設ける。したがっ
て、Ｎｅの可視発光を利用するガス放電ディスプレイで
は隔壁１４はなくても良い。基板１２上には陰極リード
２３を陽極２０と直交する向きに形成したのち、放電セ
ルに対応する穴を残して誘電体層２４により覆う。さら
に、陰極リード２３と接触する場所に陰極２２を形成す
る。陰極２２には、放電電圧が低いアルカリ金属または
アルカリ土類金属、たとえばバリウムを用いる。ガス放
電パネル５の全体は、真空封止されて大気とは隔離され
ており、内部には、放電ガスとして、希ガスを１種また
は複数種を混合したものを封入する。たとえば、Ｎｅ−
Ｘｅ混合ガスなどを用いる。
【０００８】陽極２０と陰極２２の間に電圧を印加する
と両者の間に放電が生起し、放電が発生する紫外線によ
り蛍光体１５が発光する。所望の放電セルのみを発光さ
せることにより、文字または画像の表示を得ることがで
きる。また特願平2−247071号明細書に記載されている
ように、各放電セルに陰極抵抗を取り付けたり、補助陽
極を取り付けたパネルに対しても以下の実施例を同様に
適用できる。
と両者の間に放電が生起し、放電が発生する紫外線によ
り蛍光体１５が発光する。所望の放電セルのみを発光さ
せることにより、文字または画像の表示を得ることがで
きる。また特願平2−247071号明細書に記載されている
ように、各放電セルに陰極抵抗を取り付けたり、補助陽
極を取り付けたパネルに対しても以下の実施例を同様に
適用できる。
【０００９】図３は、図２のパネルの最終組立工程を示
す図である。図３では簡単のために放電セルを２個しか
描いていないが、実際には必要な数だけ形成しておく。
面板１０には、先に説明したように陽極２０，蛍光体１
５，隔壁１４を形成しておく。基板１２には、陰極リー
ド２２，誘電体層２４を形成しておく。さらに、パネル
封着後にパネル内を排気するための排気管３２を取り付
け、排気管３２の先にはバルブ３３を取り付けておく。
これだけの部品が揃った段階で、基板３１上に、金属バ
リウムの前駆物質であるアジ化バリウムをスクリーン印
刷法などで塗布する。そして、面板１０を載せ、面板の
まわりに封着のためのフリット３１をセットする。この
状態で、図１に記載したデバイス製造装置にセットす
る。
す図である。図３では簡単のために放電セルを２個しか
描いていないが、実際には必要な数だけ形成しておく。
面板１０には、先に説明したように陽極２０，蛍光体１
５，隔壁１４を形成しておく。基板１２には、陰極リー
ド２２，誘電体層２４を形成しておく。さらに、パネル
封着後にパネル内を排気するための排気管３２を取り付
け、排気管３２の先にはバルブ３３を取り付けておく。
これだけの部品が揃った段階で、基板３１上に、金属バ
リウムの前駆物質であるアジ化バリウムをスクリーン印
刷法などで塗布する。そして、面板１０を載せ、面板の
まわりに封着のためのフリット３１をセットする。この
状態で、図１に記載したデバイス製造装置にセットす
る。
【００１０】図１(ａ)に示したデバイス製造装置は、加
熱炉上部匡体５６と加熱炉下部匡体５７，搬送装置５５
と上部ヒータ５１，下部ヒータ５２，不活性ガス送気装
置６０から構成される。上部ヒータ５１および下部ヒー
タ５２の温度設定を適当に選ぶことにより、装置内の温
度分布を図１の下段に示した分布にする。搬送装置５５
として、図ではベルト式のものを書いたが、多数のロー
ラを並べた方式を用いてもよい。デバイス製造装置内に
は、Ａｒなどの希ガスや窒素など、製造しようとしてい
るアルカリ金属またはアルカリ土類金属に対して化学的
に不活性なガスを流す。十分な流量なガスを流すことに
より、装置内に酸素や水分など陰極材料と反応する大気
成分が残らないようにする。
熱炉上部匡体５６と加熱炉下部匡体５７，搬送装置５５
と上部ヒータ５１，下部ヒータ５２，不活性ガス送気装
置６０から構成される。上部ヒータ５１および下部ヒー
タ５２の温度設定を適当に選ぶことにより、装置内の温
度分布を図１の下段に示した分布にする。搬送装置５５
として、図ではベルト式のものを書いたが、多数のロー
ラを並べた方式を用いてもよい。デバイス製造装置内に
は、Ａｒなどの希ガスや窒素など、製造しようとしてい
るアルカリ金属またはアルカリ土類金属に対して化学的
に不活性なガスを流す。十分な流量なガスを流すことに
より、装置内に酸素や水分など陰極材料と反応する大気
成分が残らないようにする。
【００１１】図１(ａ)の左側から、図３のように組み立
てたパネル部品を装置内に導入する。この際、バルブ３
３は閉じておく。パネル部品は、図１(ｂ)に示した温度
プロファイルで昇温・降温過程を経る。まず、室温から
２００℃まで徐々に温度を上げ、アジ化バリウムを熱分
解させる。急激に温度を上げると、熱分解が爆発的に進
行し、基板上のアジ化バリウムが所望の場所以外に飛散
することがあるので、温度プロファイルの設定に注意が
必要である。２００℃になった時点で、アジ化バリウム
の分解は終了し、基板１２上には金属バリウムが生成し
ている。次に、４５０℃まで昇温してフリット３１を溶
かし、面板１０と基板１２とを封着する。この過程での
昇温速度は、面板１０と基板１２がサーマルショックに
より破損しない程度の速度に設定する。その後、温度を
室温まで下げる。この冷却過程の降温速度もパネルが破
損しない程度の速度に設定する。
てたパネル部品を装置内に導入する。この際、バルブ３
３は閉じておく。パネル部品は、図１(ｂ)に示した温度
プロファイルで昇温・降温過程を経る。まず、室温から
２００℃まで徐々に温度を上げ、アジ化バリウムを熱分
解させる。急激に温度を上げると、熱分解が爆発的に進
行し、基板上のアジ化バリウムが所望の場所以外に飛散
することがあるので、温度プロファイルの設定に注意が
必要である。２００℃になった時点で、アジ化バリウム
の分解は終了し、基板１２上には金属バリウムが生成し
ている。次に、４５０℃まで昇温してフリット３１を溶
かし、面板１０と基板１２とを封着する。この過程での
昇温速度は、面板１０と基板１２がサーマルショックに
より破損しない程度の速度に設定する。その後、温度を
室温まで下げる。この冷却過程の降温速度もパネルが破
損しない程度の速度に設定する。
【００１２】室温に戻ったところで、排気管３２に接続
しているバルブ３３の先にポンプ７０を取り付けて、バ
ルブ３３を閉めたままで排気する。この状態では面板１
０と基板１２に囲まれたパネル内空間にはデバイス製造
装置内に循環している不活性ガスが封入されている。そ
の後、バルブ３３を開けてガス放電パネル５内を真空に
排気し、所望の放電ガスを導入する。この状態で、バル
ブ３３と基板１２との間の排気管３２を封止するとガス
放電パネル５が完成する。
しているバルブ３３の先にポンプ７０を取り付けて、バ
ルブ３３を閉めたままで排気する。この状態では面板１
０と基板１２に囲まれたパネル内空間にはデバイス製造
装置内に循環している不活性ガスが封入されている。そ
の後、バルブ３３を開けてガス放電パネル５内を真空に
排気し、所望の放電ガスを導入する。この状態で、バル
ブ３３と基板１２との間の排気管３２を封止するとガス
放電パネル５が完成する。
【００１３】上記の説明では、ある１枚のパネルがどの
ような温度履歴をたどるかを説明したが、図１にも示し
たように、同時に複数枚のパネルを流せるので、本装置
は量産性に優れる。
ような温度履歴をたどるかを説明したが、図１にも示し
たように、同時に複数枚のパネルを流せるので、本装置
は量産性に優れる。
【００１４】上記の説明では、ポンプ７０の接続を室温
に戻ってから行っているが、降温過程の途中でポンプ７
０を接続して排気を始めてもよい。また、デバイス製造
装置に導入する前にあらかじめポンプ７０を接続してお
いてもよい。
に戻ってから行っているが、降温過程の途中でポンプ７
０を接続して排気を始めてもよい。また、デバイス製造
装置に導入する前にあらかじめポンプ７０を接続してお
いてもよい。
【００１５】図４(ａ)は本発明の別の実施例によるデバ
イス製造装置を示し、同図（ｂ）は温度プロファイルを
示したものである。基本的な製造過程は図１の装置と同
じである。本実施例では、温度プロファイルが最高温度
になる地点に不活性ガス排気経路６２を設け、かつ不活
性ガス送気装置６０を入口と出口の２カ所設けた点が異
なる。デバイス製造装置内での一連の過程のうち最高温
度に達する地点では、フリット３１の融解にともなって
汚染したガスが発生する。一方、封着過程では金属バリ
ウムの状態になっているので、汚染ガスがこの温度領域
に進入するのは好ましくない。
イス製造装置を示し、同図（ｂ）は温度プロファイルを
示したものである。基本的な製造過程は図１の装置と同
じである。本実施例では、温度プロファイルが最高温度
になる地点に不活性ガス排気経路６２を設け、かつ不活
性ガス送気装置６０を入口と出口の２カ所設けた点が異
なる。デバイス製造装置内での一連の過程のうち最高温
度に達する地点では、フリット３１の融解にともなって
汚染したガスが発生する。一方、封着過程では金属バリ
ウムの状態になっているので、汚染ガスがこの温度領域
に進入するのは好ましくない。
【００１６】図４の実施例では、不活性ガスが加熱炉の
入口と出口の両方から入り、不活性ガス排気経路に抜け
るので、上記の問題点を改善できる。
入口と出口の両方から入り、不活性ガス排気経路に抜け
るので、上記の問題点を改善できる。
【００１７】図５は、本発明によるさらに別の実施例で
ある。不活性ガスを不活性ガス送気経路６３から導入
し、加熱炉の入口と出口に抜けるようになっているの
で、同じ目的を達成できる。
ある。不活性ガスを不活性ガス送気経路６３から導入
し、加熱炉の入口と出口に抜けるようになっているの
で、同じ目的を達成できる。
【００１８】以上の実施例では、ガス放電パネルにバリ
ウム陰極を形成する場合のみを取り上げたが、本発明が
バリウム以外のアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属
にも適用できることは明かである。また、適用デバイス
も、ガス放電パネルに限らないことも自明である。
ウム陰極を形成する場合のみを取り上げたが、本発明が
バリウム以外のアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属
にも適用できることは明かである。また、適用デバイス
も、ガス放電パネルに限らないことも自明である。
【００１９】
【発明の効果】本発明によればガス放電パネルなどのデ
バイス内にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属など
化学的に活性な陰極材料を取り込むプロセスを、高いス
ループットで製造できる。
バイス内にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属など
化学的に活性な陰極材料を取り込むプロセスを、高いス
ループットで製造できる。
【図１】本発明の実施例のガラス封止デバイス製造装置
の説明図。
の説明図。
【図２】ガス放電パネルの構造を示す断面図。
【図３】ガス放電パネルの組立方法を示す断面図。
【図４】本発明の第二の実施例のガラス封止デバイス製
造装置の説明図。
造装置の説明図。
【図５】本発明の第三の実施例のガラス封止デバイス製
造装置の説明図。
造装置の説明図。
５…ガス放電パネル、３２…排気管、３３…バルブ、５
１…上部ヒータ、５２…下部ヒータ、５５…搬送装置、
５６…加熱炉上部匡体、５７…加熱炉下部匡体、６０…
不活性ガス送気装置、７０…ポンプ。
１…上部ヒータ、５２…下部ヒータ、５５…搬送装置、
５６…加熱炉上部匡体、５７…加熱炉下部匡体、６０…
不活性ガス送気装置、７０…ポンプ。
Claims (2)
- 【請求項１】アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の
窒化物の熱分解によりアルカリ金属あるいはアルカリ土
類金属の材料を有するガラス封止デバイスを製造する方
法において、前記窒化物の熱分解過程と、前記ガラス封
止デバイスを密閉する封着過程と、不活性ガス気流中で
連続して行い、引き続いて前記ガラス封止デバイス内を
排気する排気過程を含むことを特徴とするガラス封止デ
バイス製造方法。 - 【請求項２】アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属の
窒化物の熱分解によりアルカリ金属あるいはアルカリ土
類金属の陰極を有するガス放電表示パネルを製造する装
置において、前記窒化物の熱分解手段と、ガス放電表示
パネルを密閉する封着を不活性ガス気流中で連続して行
う手段と、引き続いて前記ガス放電表示パネル内を排気
する排気手段と、前記ガス放電表示パネル内に放電ガス
を封入する手段とを含むことを特徴とするガス放電表示
パネルの製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4186578A JPH0636688A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | ガラス封止デバイス製造方法およびガス放電表示パネルの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4186578A JPH0636688A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | ガラス封止デバイス製造方法およびガス放電表示パネルの製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636688A true JPH0636688A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16190995
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4186578A Pending JPH0636688A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | ガラス封止デバイス製造方法およびガス放電表示パネルの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0636688A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1998039738A1 (fr) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Sega Enterprises, Ltd. | Processeur d'images, methode de traitement d'images, support d'enregistrement et machine a sous de type recreatif |
| KR19990043617A (ko) * | 1997-11-29 | 1999-06-15 | 김영남 | 플라즈마 표시소자의 제조방법 |
| US6737792B2 (en) | 1999-12-27 | 2004-05-18 | Sony Corporation | Field emission cathode, electron emission device and electron emission device manufacturing method |
| US7395784B2 (en) | 2004-05-31 | 2008-07-08 | Richell Usa, Inc. | Pet toilet |
| JP2008157541A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-07-10 | Ngk Insulators Ltd | フラットパネル熱処理炉 |
| US7625260B2 (en) | 2004-02-20 | 2009-12-01 | Chugai Ro Co., Ltd. | Method of sealing glass panel assembly and sealing process furnace |
| JP2010505236A (ja) * | 2006-09-28 | 2010-02-18 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | 潜在活性化層を有する有機発光素子 |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP4186578A patent/JPH0636688A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO1998039738A1 (fr) * | 1997-03-03 | 1998-09-11 | Sega Enterprises, Ltd. | Processeur d'images, methode de traitement d'images, support d'enregistrement et machine a sous de type recreatif |
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| US7057613B2 (en) | 1997-03-03 | 2006-06-06 | Kabushiki Kaisha Sega Enterprises | Image processing unit, image processing method and medium, and game machine |
| US7413514B2 (en) | 1997-03-03 | 2008-08-19 | Kabushiki Kaisha Sega Enterprises | Video game machine with rotational mechanism |
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