JP2002134026A - プラズマディスプレイパネルの製造装置および製造方法およびそれらを用いて製造したプラズマディスプレイパネル - Google Patents
プラズマディスプレイパネルの製造装置および製造方法およびそれらを用いて製造したプラズマディスプレイパネルInfo
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- JP2002134026A JP2002134026A JP2000330214A JP2000330214A JP2002134026A JP 2002134026 A JP2002134026 A JP 2002134026A JP 2000330214 A JP2000330214 A JP 2000330214A JP 2000330214 A JP2000330214 A JP 2000330214A JP 2002134026 A JP2002134026 A JP 2002134026A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルの点灯初期段階
で発生する不純物ガスにより放電特性が劣化し動作が不
安定となる。 【解決手段】 プラズマディスプレイパネルの放電空間
と不純物ガスを除去する効果を有するユニットの内部空
間を同一空間にして所定の時間だけ放電をおこなうエー
ジング工程を施した後にプラズマディスプレイパネルの
ガス通気口を封止する。
で発生する不純物ガスにより放電特性が劣化し動作が不
安定となる。 【解決手段】 プラズマディスプレイパネルの放電空間
と不純物ガスを除去する効果を有するユニットの内部空
間を同一空間にして所定の時間だけ放電をおこなうエー
ジング工程を施した後にプラズマディスプレイパネルの
ガス通気口を封止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの製造方法、製造装置およびプラズマディス
プレイパネルに関する。
レイパネルの製造方法、製造装置およびプラズマディス
プレイパネルに関する。
【０００２】プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰ
と称する）は、ブラウン管にかわる表示デバイスとして
注目されており、ハイビジョンテレビ等の大型ディスプ
レイの用途で有望視されている。
と称する）は、ブラウン管にかわる表示デバイスとして
注目されており、ハイビジョンテレビ等の大型ディスプ
レイの用途で有望視されている。
【０００３】
【従来の技術】一般的なＡＣ型ＰＤＰの構造を図３に示
す。互いに相対して対をなす表示電極１０１、表示スキ
ャン電極１０２群がガラス基板１０３上に形成される。
これらの電極は透明電極と、透明電極の電気抵抗による
電圧低下を防ぐためのバス電極からなる。これらの表示
電極１０１、表示スキャン電極１０２群は誘電体層１０
４で被覆され、さらにＭｇＯ保護膜１０５で被覆され
る。これに対し、一方のガラス基板１０６にはストライ
ブ状のアドレス電極１０７が形成される。アドレス電極
１０７は誘電体層１０８に被覆されさらに、アドレス電
極１０７に隣接するようにリブ１０９が形成される。リ
ブ１０９はアドレス放電時の隣接セルへの影響を断ち、
光のクロストークを防ぐ働きがある。次にそれぞれのリ
ブに赤、青、緑の蛍光体１１０がアドレス電極１０７を
被覆するように塗り分けられる。ガラス基板１０３とガ
ラス基板１０６はギャップを保ちながら組み合わされ、
封止ガラスにより周囲を密閉する。その後、ガラス基板
に設けられた放電ガス通気口を通して、加熱しながらパ
ネル内を排気し（排気工程）、終了後にＮｅ等の不活性
ガスを主体とする放電ガスを封入し（ガス封入工程）、
放電ガス通気口を塞いだ（封止工程）構造となってい
る。
す。互いに相対して対をなす表示電極１０１、表示スキ
ャン電極１０２群がガラス基板１０３上に形成される。
これらの電極は透明電極と、透明電極の電気抵抗による
電圧低下を防ぐためのバス電極からなる。これらの表示
電極１０１、表示スキャン電極１０２群は誘電体層１０
４で被覆され、さらにＭｇＯ保護膜１０５で被覆され
る。これに対し、一方のガラス基板１０６にはストライ
ブ状のアドレス電極１０７が形成される。アドレス電極
１０７は誘電体層１０８に被覆されさらに、アドレス電
極１０７に隣接するようにリブ１０９が形成される。リ
ブ１０９はアドレス放電時の隣接セルへの影響を断ち、
光のクロストークを防ぐ働きがある。次にそれぞれのリ
ブに赤、青、緑の蛍光体１１０がアドレス電極１０７を
被覆するように塗り分けられる。ガラス基板１０３とガ
ラス基板１０６はギャップを保ちながら組み合わされ、
封止ガラスにより周囲を密閉する。その後、ガラス基板
に設けられた放電ガス通気口を通して、加熱しながらパ
ネル内を排気し（排気工程）、終了後にＮｅ等の不活性
ガスを主体とする放電ガスを封入し（ガス封入工程）、
放電ガス通気口を塞いだ（封止工程）構造となってい
る。
【０００４】前記工程で作製されたパネルでは、点灯の
初期段階においてＰＤＰ内部空間の構造物より不純物ガ
スが多く発生する。この不純物ガスの放出はＰＤＰ放電
空間内の放電ガスの純度を劣化させ、ＰＤＰの放電特性
劣化の要因となるとともに動作を不安定とする原因とな
っている。
初期段階においてＰＤＰ内部空間の構造物より不純物ガ
スが多く発生する。この不純物ガスの放出はＰＤＰ放電
空間内の放電ガスの純度を劣化させ、ＰＤＰの放電特性
劣化の要因となるとともに動作を不安定とする原因とな
っている。
【０００５】従来、上記問題の対策として、ＰＤＰに所
定の時間だけ放電をおこなうエージングを行った後にＰ
ＤＰ内部の放電ガスを入れ替えることにより、点灯の初
期段階にＰＤＰ内部空間の構造物から発生した不純物ガ
スを除去する方法や、ＰＤＰ放電空間内に不純物ガスを
除去する物質を設置した状態で製品化を行うことによ
り、点灯の初期段階に発生した不純物ガスをＰＤＰ放電
空間内の不純物ガスを除去する物質に吸着させ、ＰＤＰ
放電空間内の放電ガスの純度を保つ方法等があった。
定の時間だけ放電をおこなうエージングを行った後にＰ
ＤＰ内部の放電ガスを入れ替えることにより、点灯の初
期段階にＰＤＰ内部空間の構造物から発生した不純物ガ
スを除去する方法や、ＰＤＰ放電空間内に不純物ガスを
除去する物質を設置した状態で製品化を行うことによ
り、点灯の初期段階に発生した不純物ガスをＰＤＰ放電
空間内の不純物ガスを除去する物質に吸着させ、ＰＤＰ
放電空間内の放電ガスの純度を保つ方法等があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＰＤＰ
に所定の時間だけ放電をおこなうエージングを行った後
にＰＤＰ内部の放電ガスを入れ替えることにより、点灯
の初期段階にＰＤＰ内部空間の構造物から発生した不純
物ガスを除去する方法の場合、工程数を増加させ、ＰＤ
Ｐ製造に要する時間が増加するためコスト低減の妨げと
なっていた。
に所定の時間だけ放電をおこなうエージングを行った後
にＰＤＰ内部の放電ガスを入れ替えることにより、点灯
の初期段階にＰＤＰ内部空間の構造物から発生した不純
物ガスを除去する方法の場合、工程数を増加させ、ＰＤ
Ｐ製造に要する時間が増加するためコスト低減の妨げと
なっていた。
【０００７】また、ＰＤＰ放電空間内に不純物ガスを除
去する物質を設置した状態で製品化を行うことにより、
点灯の初期段階に発生した不純物ガスをＰＤＰ放電空間
内の不純物ガスを除去する物質に吸着させ、ＰＤＰ放電
空間内の放電ガスの純度を保つ方法の場合、ＰＤＰ放電
空間内に不純物ガスを除去する物質を設置するための空
間を設ける必要があり、ＰＤＰに突起を設けることとな
り、回路基板とのアッセンブリを行う際に回路基板への
構造的制約が生じたり、突起物があるためにＰＤＰの取
り扱いが困難となる等の問題を抱えていた。
去する物質を設置した状態で製品化を行うことにより、
点灯の初期段階に発生した不純物ガスをＰＤＰ放電空間
内の不純物ガスを除去する物質に吸着させ、ＰＤＰ放電
空間内の放電ガスの純度を保つ方法の場合、ＰＤＰ放電
空間内に不純物ガスを除去する物質を設置するための空
間を設ける必要があり、ＰＤＰに突起を設けることとな
り、回路基板とのアッセンブリを行う際に回路基板への
構造的制約が生じたり、突起物があるためにＰＤＰの取
り扱いが困難となる等の問題を抱えていた。
【０００８】本発明は上述の問題に鑑み、ＰＤＰ放電空
間内に不純物ガスを除去する物質を設置するための空間
を設けることなく、また、ＰＤＰに所定の時間だけ放電
をおこなうエージングを行った後にＰＤＰ放電空間内の
放電ガスを入れ替えることなく、ＰＤＰ点灯の初期段階
においてＰＤＰ放電空間内の構造物より発生する不純物
ガスを低減する手法を提供することを目的としている。
間内に不純物ガスを除去する物質を設置するための空間
を設けることなく、また、ＰＤＰに所定の時間だけ放電
をおこなうエージングを行った後にＰＤＰ放電空間内の
放電ガスを入れ替えることなく、ＰＤＰ点灯の初期段階
においてＰＤＰ放電空間内の構造物より発生する不純物
ガスを低減する手法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、プラズマディスプレイパネルに設けられたガス通気
口と接続するためのユニットと、プラズマディスプレイ
パネルにガス導入もしくはガス排気もしくはその両方を
行うユニットと、不純物ガスを除去する効果を有するユ
ニットと、前記ユニット同士を接続するための配管と、
プラズマディスプレイパネルを放電させるユニットから
構成されたプラズマディスプレイパネルの製造装置を用
い、プラズマディスプレイパネルの放電空間と不純物ガ
スを除去する効果を有するユニットの内部空間を同一空
間にして所定の時間だけ放電をおこなうエージング工程
を施した後にプラズマディスプレイパネルのガス通気口
を封止する手段を用いる。
に、プラズマディスプレイパネルに設けられたガス通気
口と接続するためのユニットと、プラズマディスプレイ
パネルにガス導入もしくはガス排気もしくはその両方を
行うユニットと、不純物ガスを除去する効果を有するユ
ニットと、前記ユニット同士を接続するための配管と、
プラズマディスプレイパネルを放電させるユニットから
構成されたプラズマディスプレイパネルの製造装置を用
い、プラズマディスプレイパネルの放電空間と不純物ガ
スを除去する効果を有するユニットの内部空間を同一空
間にして所定の時間だけ放電をおこなうエージング工程
を施した後にプラズマディスプレイパネルのガス通気口
を封止する手段を用いる。
【００１０】これにより、ＰＤＰ放電空間内に不純物ガ
スを除去する物質を設置するための空間を設けることな
く、また、ＰＤＰに所定の時間だけ放電をおこなうエー
ジングを行った後にＰＤＰ放電空間内の放電ガスを入れ
替えることなく、ＰＤＰ点灯の初期段階においてＰＤＰ
放電空間内の構造物より発生する不純物ガスを低減する
手法を提供することができる。
スを除去する物質を設置するための空間を設けることな
く、また、ＰＤＰに所定の時間だけ放電をおこなうエー
ジングを行った後にＰＤＰ放電空間内の放電ガスを入れ
替えることなく、ＰＤＰ点灯の初期段階においてＰＤＰ
放電空間内の構造物より発生する不純物ガスを低減する
手法を提供することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
第１の実施の形態に係るＰＤＰの製造装置の構成を模式
的に表す図である。ＰＤＰ１には図３に示す一般的な構
造のものを用いており、それぞれ必要な構成要素が形成
されたガラス基板１０３とガラス基板１０６を一定のギ
ャップを保ちながら組み合わせ、封止ガラスにより周囲
を封着した後に、ガラス基板１０６側に設けたガス通気
口２およびガス通気口２と接続されたガス通気管３をと
おして本製造装置とつなぎあわされている。ガス通気管
３には円筒状のガラス管を用い、ガス通気口２とガス通
気管３は低融点ガラスを用いて接続され、ＰＤＰ１の内
部空間はガス通気管３の端部以外で密閉されている。ガ
ス通気管３と製造装置側の配管４とは接続冶具５を用い
て接続され、接続冶具５には図示しないがガス通気管３
と配管４を密閉することができるようにＯリングが埋設
されている。配管４はガスを導入するためのガス導入系
６、および、真空排気するための排気系７にガス導入系
バルブ８、および、排気系バルブ９を介して接続されて
いる。また、配管４の経路中に不純物ガスを除去する物
質を設置するためのチャンバー１０が設けられチャンバ
ー１０の内部に不純物ガスを除去するためのゲッター１
１が設置されている。このゲッター１１には一般的なバ
リウムゲッターおよびジルコンゲッターを用いており、
事前に加熱することにより活性化されている。これらの
ゲッターは希ガス以外の気体を吸着し、また、比較的不
活性な窒素もジルコンゲッターが吸着する。チャンバー
１０と接続冶具５の間にもバルブ１２が設けられてい
る。また、ＰＤＰ１のガラス基板１０３側の電極に駆動
回路１３が接続されており、電極に電圧を印加すること
によりＰＤＰ１を放電させることができる。以上、第１
の実施の形態におけるＰＤＰ製造装置構成を示した。
第１の実施の形態に係るＰＤＰの製造装置の構成を模式
的に表す図である。ＰＤＰ１には図３に示す一般的な構
造のものを用いており、それぞれ必要な構成要素が形成
されたガラス基板１０３とガラス基板１０６を一定のギ
ャップを保ちながら組み合わせ、封止ガラスにより周囲
を封着した後に、ガラス基板１０６側に設けたガス通気
口２およびガス通気口２と接続されたガス通気管３をと
おして本製造装置とつなぎあわされている。ガス通気管
３には円筒状のガラス管を用い、ガス通気口２とガス通
気管３は低融点ガラスを用いて接続され、ＰＤＰ１の内
部空間はガス通気管３の端部以外で密閉されている。ガ
ス通気管３と製造装置側の配管４とは接続冶具５を用い
て接続され、接続冶具５には図示しないがガス通気管３
と配管４を密閉することができるようにＯリングが埋設
されている。配管４はガスを導入するためのガス導入系
６、および、真空排気するための排気系７にガス導入系
バルブ８、および、排気系バルブ９を介して接続されて
いる。また、配管４の経路中に不純物ガスを除去する物
質を設置するためのチャンバー１０が設けられチャンバ
ー１０の内部に不純物ガスを除去するためのゲッター１
１が設置されている。このゲッター１１には一般的なバ
リウムゲッターおよびジルコンゲッターを用いており、
事前に加熱することにより活性化されている。これらの
ゲッターは希ガス以外の気体を吸着し、また、比較的不
活性な窒素もジルコンゲッターが吸着する。チャンバー
１０と接続冶具５の間にもバルブ１２が設けられてい
る。また、ＰＤＰ１のガラス基板１０３側の電極に駆動
回路１３が接続されており、電極に電圧を印加すること
によりＰＤＰ１を放電させることができる。以上、第１
の実施の形態におけるＰＤＰ製造装置構成を示した。
【００１２】次に本装置接続後の本実施の形態に係る実
施例を示す。本装置接続時はガス導入系バルブ８、排気
系バルブ９、バルブ１２はすべて閉じられている。ま
ず、ＰＤＰ１を図示しないパネル加熱機構を用いて３０
０℃程度に加熱を行う。これは、ＰＤＰ１の構造物に吸
着している不純物を脱離させる目的で実施している。次
に排気系バルブ９およびバルブ１２を開放しＰＤＰ１の
内部空間１４を真空排気させる。この際、ＰＤＰ１の内
部空間１４と排気系７との間にはゲッター１１が介在し
ており、排気速度はゲッターがない場合と比較して向上
することとなる。十分に内部空間１４の不純物を脱離さ
せ真空排気が行われた後に、ＰＤＰ１の加熱を終了し、
徐冷をおこなった。ＰＤＰ１の温度が常温になった後に
排気系バルブ９を閉じ、ガス導入系バルブ８を開放し、
ＰＤＰ１の内部空間１４に放電ガスを導入する。今回放
電ガスにはＮｅ−Ｘｅの混合気体を用いているがこれに
限られるものではない。内部空間１４の圧力は１００〜
７６０Ｔｏｒｒ（１３．３〜１０１．０８ｋＰａ）程度
に設定した。次にガス導入系バルブ８を閉じ、ＰＤＰ１
の内部空間１４とゲッター１１の設置された空間が同一
空間になるようにする。すなわち、ＰＤＰ１の内部空間
１４とゲッター１１の設置された空間は放電ガスで満た
され、その圧力は１００〜７６０Ｔｏｒｒ（１３．３〜
１０１．０８ｋＰａ）程度に設定されている。この状態
で、駆動回路１３よりＰＤＰ１の電極に電圧を印加する
ことによりＰＤＰ１の内部空間１４を放電させるエージ
ングをおこなう。これによりＰＤＰ１の内部空間１４の
構造物より前述の真空排気では脱離しきれなかった不純
物ガスが発生するが、本実施例においては、発生した不
純物ガスはゲッター１１により吸着され、ＰＤＰ１の内
部空間１４に封入された放電ガスの純度は劣化しない。
十分なエージングを実施し、放出された不純物ガスをゲ
ッターに吸着させた後にエージングを終了し、バルブ１
２を閉じる。そして、ガス通気管３をバーナーを用いて
封止することによりＰＤＰを作製した。ガス通気管３を
封止した際にバルブ１２を閉じているためにゲッター１
１は大気開放されることはない。また、ゲッター１１の
埋設されたチャンバー１０にゲッター１１を加熱するた
めのヒーターが設置されていれば、ＰＤＰ１と本装置と
が接続されていないときに排気系バルブ９を開放しチャ
ンバー１０内を真空排気しながら加熱することによりゲ
ッターを再度活性化させゲッターを効率良く用いること
ができる。また、ゲッター１１は装置側に埋設されてい
るために封止後のＰＤＰ１の内部にはゲッターは存在し
ないことはいうまでもない。
施例を示す。本装置接続時はガス導入系バルブ８、排気
系バルブ９、バルブ１２はすべて閉じられている。ま
ず、ＰＤＰ１を図示しないパネル加熱機構を用いて３０
０℃程度に加熱を行う。これは、ＰＤＰ１の構造物に吸
着している不純物を脱離させる目的で実施している。次
に排気系バルブ９およびバルブ１２を開放しＰＤＰ１の
内部空間１４を真空排気させる。この際、ＰＤＰ１の内
部空間１４と排気系７との間にはゲッター１１が介在し
ており、排気速度はゲッターがない場合と比較して向上
することとなる。十分に内部空間１４の不純物を脱離さ
せ真空排気が行われた後に、ＰＤＰ１の加熱を終了し、
徐冷をおこなった。ＰＤＰ１の温度が常温になった後に
排気系バルブ９を閉じ、ガス導入系バルブ８を開放し、
ＰＤＰ１の内部空間１４に放電ガスを導入する。今回放
電ガスにはＮｅ−Ｘｅの混合気体を用いているがこれに
限られるものではない。内部空間１４の圧力は１００〜
７６０Ｔｏｒｒ（１３．３〜１０１．０８ｋＰａ）程度
に設定した。次にガス導入系バルブ８を閉じ、ＰＤＰ１
の内部空間１４とゲッター１１の設置された空間が同一
空間になるようにする。すなわち、ＰＤＰ１の内部空間
１４とゲッター１１の設置された空間は放電ガスで満た
され、その圧力は１００〜７６０Ｔｏｒｒ（１３．３〜
１０１．０８ｋＰａ）程度に設定されている。この状態
で、駆動回路１３よりＰＤＰ１の電極に電圧を印加する
ことによりＰＤＰ１の内部空間１４を放電させるエージ
ングをおこなう。これによりＰＤＰ１の内部空間１４の
構造物より前述の真空排気では脱離しきれなかった不純
物ガスが発生するが、本実施例においては、発生した不
純物ガスはゲッター１１により吸着され、ＰＤＰ１の内
部空間１４に封入された放電ガスの純度は劣化しない。
十分なエージングを実施し、放出された不純物ガスをゲ
ッターに吸着させた後にエージングを終了し、バルブ１
２を閉じる。そして、ガス通気管３をバーナーを用いて
封止することによりＰＤＰを作製した。ガス通気管３を
封止した際にバルブ１２を閉じているためにゲッター１
１は大気開放されることはない。また、ゲッター１１の
埋設されたチャンバー１０にゲッター１１を加熱するた
めのヒーターが設置されていれば、ＰＤＰ１と本装置と
が接続されていないときに排気系バルブ９を開放しチャ
ンバー１０内を真空排気しながら加熱することによりゲ
ッターを再度活性化させゲッターを効率良く用いること
ができる。また、ゲッター１１は装置側に埋設されてい
るために封止後のＰＤＰ１の内部にはゲッターは存在し
ないことはいうまでもない。
【００１３】本実施例によれば、ＰＤＰ放電空間内に不
純物ガスを除去する物質を設置するための空間を設ける
ことなく、また、ＰＤＰに所定の時間だけ放電をおこな
うエージングを行った後にＰＤＰ放電空間内の放電ガス
を入れ替えることなく、ＰＤＰ点灯の初期段階において
ＰＤＰ放電空間内の構造物より発生する不純物ガスを低
減する手法を提供することができる。
純物ガスを除去する物質を設置するための空間を設ける
ことなく、また、ＰＤＰに所定の時間だけ放電をおこな
うエージングを行った後にＰＤＰ放電空間内の放電ガス
を入れ替えることなく、ＰＤＰ点灯の初期段階において
ＰＤＰ放電空間内の構造物より発生する不純物ガスを低
減する手法を提供することができる。
【００１４】（実施の形態２）図２は本発明に係る第２
の実施の形態におけるＰＤＰの製造装置の構成を模式的
に表す図である。ＰＤＰ１には図３に示す一般的な構造
のものを用いており、それぞれ必要な構成要素が形成さ
れたガラス基板１０３とガラス基板１０６を一定のギャ
ップを保ちながら組み合わせ、封止ガラスにより周囲を
封着した後に、ガラス基板１０６側に設けたガス通気口
２と接続されたガス通気管３およびガス通気口２０と接
続されたガス通気管２１をとおして本製造装置とつなぎ
あわされている。ガス通気管３およびガス通気管２１に
は円筒状のガラス管を用い、ガス通気口２とガス通気管
３およびガス通気口２０とガス通気管２１は低融点ガラ
スを用いて接続され、ＰＤＰ１の内部空間はガス通気管
３およびガス通気管２１の端部以外で密閉されている。
ガス通気管３と製造装置側の配管４とは接続冶具５およ
び接続冶具２２を用いて接続され、接続冶具５には図示
しないがガス通気管３と配管４を密閉することができる
ようにＯリングが埋設されている。同様に接続冶具２２
にも図示しないがガス通気管２１と配管４を密閉するこ
とができるようにＯリングが埋設されている。配管４は
ガスを導入するためのガス導入系６、および、真空排気
するための排気系７にガス導入系バルブ８、および、排
気系バルブ９を介して接続されている。また、配管４の
経路中に不純物ガスを除去する物質を設置するためのチ
ャンバー１０が設けられチャンバー１０の内部に不純物
ガスを除去するためのゲッター１１が設置されている。
このゲッター１１には一般的なバリウムゲッターおよび
ジルコンゲッターを用いており、事前に加熱することに
より活性化されている。これらのゲッターは希ガス以外
の気体を吸着し、また、比較的不活性な窒素もジルコン
ゲッターが吸着する。チャンバー１０と接続冶具５の間
にはバルブ１２が設けられており、チャンバー１０と接
続冶具２２の間にもバルブ２３が設けられている。ま
た、チャンバー１０とバルブ２３の間にはガスを循環さ
せるための循環ポンプ２４が埋設されている。また、Ｐ
ＤＰ１のガラス基板１０３側の電極に駆動回路１３が接
続されており、電極に電圧を印加することによりＰＤＰ
１を放電させることができる。以上、第２の実施の形態
におけるＰＤＰ製造装置構成を示した。
の実施の形態におけるＰＤＰの製造装置の構成を模式的
に表す図である。ＰＤＰ１には図３に示す一般的な構造
のものを用いており、それぞれ必要な構成要素が形成さ
れたガラス基板１０３とガラス基板１０６を一定のギャ
ップを保ちながら組み合わせ、封止ガラスにより周囲を
封着した後に、ガラス基板１０６側に設けたガス通気口
２と接続されたガス通気管３およびガス通気口２０と接
続されたガス通気管２１をとおして本製造装置とつなぎ
あわされている。ガス通気管３およびガス通気管２１に
は円筒状のガラス管を用い、ガス通気口２とガス通気管
３およびガス通気口２０とガス通気管２１は低融点ガラ
スを用いて接続され、ＰＤＰ１の内部空間はガス通気管
３およびガス通気管２１の端部以外で密閉されている。
ガス通気管３と製造装置側の配管４とは接続冶具５およ
び接続冶具２２を用いて接続され、接続冶具５には図示
しないがガス通気管３と配管４を密閉することができる
ようにＯリングが埋設されている。同様に接続冶具２２
にも図示しないがガス通気管２１と配管４を密閉するこ
とができるようにＯリングが埋設されている。配管４は
ガスを導入するためのガス導入系６、および、真空排気
するための排気系７にガス導入系バルブ８、および、排
気系バルブ９を介して接続されている。また、配管４の
経路中に不純物ガスを除去する物質を設置するためのチ
ャンバー１０が設けられチャンバー１０の内部に不純物
ガスを除去するためのゲッター１１が設置されている。
このゲッター１１には一般的なバリウムゲッターおよび
ジルコンゲッターを用いており、事前に加熱することに
より活性化されている。これらのゲッターは希ガス以外
の気体を吸着し、また、比較的不活性な窒素もジルコン
ゲッターが吸着する。チャンバー１０と接続冶具５の間
にはバルブ１２が設けられており、チャンバー１０と接
続冶具２２の間にもバルブ２３が設けられている。ま
た、チャンバー１０とバルブ２３の間にはガスを循環さ
せるための循環ポンプ２４が埋設されている。また、Ｐ
ＤＰ１のガラス基板１０３側の電極に駆動回路１３が接
続されており、電極に電圧を印加することによりＰＤＰ
１を放電させることができる。以上、第２の実施の形態
におけるＰＤＰ製造装置構成を示した。
【００１５】次に本装置接続後の本実施の形態に係る実
施例を示す。本装置接続時はガス導入系バルブ８、排気
系バルブ９、バルブ１２、バルブ２３はすべて閉じられ
ている。まず、ＰＤＰ１を図示しないパネル加熱機構を
用いて３００℃程度に加熱を行う。これは、ＰＤＰ１の
構造物に吸着している不純物を脱離させる目的で実施し
ている。次に排気系バルブ９を開放しＰＤＰ１の内部空
間１４を真空排気させる。十分に内部空間１４の不純物
を脱離させ真空排気が行われた後に、ＰＤＰ１の加熱を
終了し、徐冷をおこなった。ＰＤＰ１の温度が常温にな
った後に排気系バルブ９を閉じ、ガス導入系バルブ８お
よびバルブ１２およびバルブ２３を開放し、ＰＤＰ１の
内部空間１４に放電ガスを導入する。今回放電ガスには
Ｎｅ−Ｘｅの混合気体を用いているがこれに限られるも
のではない。内部空間１４の圧力は１００〜７６０Ｔｏ
ｒｒ（１３．３〜１０１．０８ｋＰａ）程度に設定し
た。次にガス導入系バルブ８を閉じ、ＰＤＰ１の内部空
間１４とゲッター１１の設置された空間が同一空間にな
るようにする。すなわち、ＰＤＰ１の内部空間１４とゲ
ッター１１の設置された空間は放電ガスで満たされ、そ
の圧力は１００〜７６０Ｔｏｒｒ（１３．３〜１０１．
０８ｋＰａ）程度に設定されている。次にガス循環ポン
プ２４を動作させ、ＰＤＰ１の内部空間１４のガスをゲ
ッター１１の設置された空間を通して循環させる。この
状態で、駆動回路１３よりＰＤＰ１の電極に電圧を印加
することによりＰＤＰ１の内部空間１４を放電させるエ
ージングをおこなう。これによりＰＤＰ１の内部空間１
４の構造物より前述の真空排気では脱離しきれなかった
不純物ガスが発生するが、本実施例においては、発生し
た不純物ガスはガスの循環によりチャンバー１０に運ば
れることとなりゲッター１１により吸着され、純化され
たガスは再びＰＤＰ１の内部空間１４にもどる。よっ
て、ＰＤＰ１の内部空間１４に封入された放電ガスの純
度は劣化しない。十分なエージングを実施し、放出され
た不純物ガスをゲッターに吸着させた後にエージングを
終了し、バルブ１２およびバルブ２３を閉じる。そし
て、ガス通気管３およびガス通気管２１をバーナーを用
いて封止することによりＰＤＰを作製した。ガス通気管
３およびガス通気管２１を封止した際にはバルブ１２お
よびバルブ２３を閉じているためにゲッター１１は大気
開放されることはない。また、ゲッター１１の埋設され
たチャンバー１０にゲッター１１を加熱するためのヒー
ターが設置されていれば、ＰＤＰ１と本装置とが接続さ
れていないときに排気系バルブ９およびバルブ１２を開
放しチャンバー１１内を真空排気しながら加熱すること
によりゲッターを再度活性化させゲッターを効率良く用
いることができる。また、ゲッター１１は装置側に埋設
されているために封止後のＰＤＰ１の内部にはゲッター
は存在しないことはいうまでもない。
施例を示す。本装置接続時はガス導入系バルブ８、排気
系バルブ９、バルブ１２、バルブ２３はすべて閉じられ
ている。まず、ＰＤＰ１を図示しないパネル加熱機構を
用いて３００℃程度に加熱を行う。これは、ＰＤＰ１の
構造物に吸着している不純物を脱離させる目的で実施し
ている。次に排気系バルブ９を開放しＰＤＰ１の内部空
間１４を真空排気させる。十分に内部空間１４の不純物
を脱離させ真空排気が行われた後に、ＰＤＰ１の加熱を
終了し、徐冷をおこなった。ＰＤＰ１の温度が常温にな
った後に排気系バルブ９を閉じ、ガス導入系バルブ８お
よびバルブ１２およびバルブ２３を開放し、ＰＤＰ１の
内部空間１４に放電ガスを導入する。今回放電ガスには
Ｎｅ−Ｘｅの混合気体を用いているがこれに限られるも
のではない。内部空間１４の圧力は１００〜７６０Ｔｏ
ｒｒ（１３．３〜１０１．０８ｋＰａ）程度に設定し
た。次にガス導入系バルブ８を閉じ、ＰＤＰ１の内部空
間１４とゲッター１１の設置された空間が同一空間にな
るようにする。すなわち、ＰＤＰ１の内部空間１４とゲ
ッター１１の設置された空間は放電ガスで満たされ、そ
の圧力は１００〜７６０Ｔｏｒｒ（１３．３〜１０１．
０８ｋＰａ）程度に設定されている。次にガス循環ポン
プ２４を動作させ、ＰＤＰ１の内部空間１４のガスをゲ
ッター１１の設置された空間を通して循環させる。この
状態で、駆動回路１３よりＰＤＰ１の電極に電圧を印加
することによりＰＤＰ１の内部空間１４を放電させるエ
ージングをおこなう。これによりＰＤＰ１の内部空間１
４の構造物より前述の真空排気では脱離しきれなかった
不純物ガスが発生するが、本実施例においては、発生し
た不純物ガスはガスの循環によりチャンバー１０に運ば
れることとなりゲッター１１により吸着され、純化され
たガスは再びＰＤＰ１の内部空間１４にもどる。よっ
て、ＰＤＰ１の内部空間１４に封入された放電ガスの純
度は劣化しない。十分なエージングを実施し、放出され
た不純物ガスをゲッターに吸着させた後にエージングを
終了し、バルブ１２およびバルブ２３を閉じる。そし
て、ガス通気管３およびガス通気管２１をバーナーを用
いて封止することによりＰＤＰを作製した。ガス通気管
３およびガス通気管２１を封止した際にはバルブ１２お
よびバルブ２３を閉じているためにゲッター１１は大気
開放されることはない。また、ゲッター１１の埋設され
たチャンバー１０にゲッター１１を加熱するためのヒー
ターが設置されていれば、ＰＤＰ１と本装置とが接続さ
れていないときに排気系バルブ９およびバルブ１２を開
放しチャンバー１１内を真空排気しながら加熱すること
によりゲッターを再度活性化させゲッターを効率良く用
いることができる。また、ゲッター１１は装置側に埋設
されているために封止後のＰＤＰ１の内部にはゲッター
は存在しないことはいうまでもない。
【００１６】本実施例によれば、ＰＤＰ放電空間内に不
純物ガスを除去する物質を設置するための空間を設ける
ことなく、また、ＰＤＰに所定の時間だけ放電をおこな
うエージングを行った後にＰＤＰ放電空間内の放電ガス
を入れ替えることなく、ＰＤＰ点灯の初期段階において
ＰＤＰ放電空間内の構造物より発生する不純物ガスを低
減する手法を提供することができる。
純物ガスを除去する物質を設置するための空間を設ける
ことなく、また、ＰＤＰに所定の時間だけ放電をおこな
うエージングを行った後にＰＤＰ放電空間内の放電ガス
を入れ替えることなく、ＰＤＰ点灯の初期段階において
ＰＤＰ放電空間内の構造物より発生する不純物ガスを低
減する手法を提供することができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、ＰＤＰ放電空間内に不
純物ガスを除去する物質を設置するための空間を設ける
ことなく、また、ＰＤＰに所定の時間だけ放電をおこな
うエージングを行った後にＰＤＰ放電空間内の放電ガス
を入れ替えることなく、ＰＤＰ点灯の初期段階において
ＰＤＰ放電空間内の構造物より発生する不純物ガスを低
減する手法を提供することができる。
純物ガスを除去する物質を設置するための空間を設ける
ことなく、また、ＰＤＰに所定の時間だけ放電をおこな
うエージングを行った後にＰＤＰ放電空間内の放電ガス
を入れ替えることなく、ＰＤＰ点灯の初期段階において
ＰＤＰ放電空間内の構造物より発生する不純物ガスを低
減する手法を提供することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＰＤＰ用製造
装置構成模式図
装置構成模式図
【図２】本発明の第２の実施の形態に係るＰＤＰ用製造
装置構成模式図
装置構成模式図
【図３】ＰＤＰパネルを示す斜視図
１ プラズマディスプレイパネル ２ ガス通気口 ３ ガス通気管 ４ 配管 ５ 接続冶具 ６ ガス導入系 ７ 排気系 ８ ガス導入系バルブ ９ 排気系バルブ １０ チャンバー １１ ゲッター １２ バルブ １３ 駆動回路 １４ 内部空間 ２０ ガス通気口 ２１ ガス通気管 ２２ 接続冶具 ２３ バルブ ２４ 循環ポンプ １０１ 表示電極 １０２ 表示スキャン電極 １０３ ガラス基板 １０４ 誘電体層 １０５ ＭｇＯ保護膜 １０６ ガラス基板 １０７ アドレス電極 １０８ 誘電体層 １０９ リブ １１０ 蛍光体
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 安井 秀明 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5C012 AA09 VV02 5C040 FA01 GB03 GB14 HA05 HA08 JA24 MA20
Claims (13)
- 【請求項１】 プラズマディスプレイパネルに設けられ
たガス通気口と接続するためのユニットと、プラズマデ
ィスプレイパネルにガス導入もしくはガス排気もしくは
その両方を行うユニットと、不純物ガスを除去する効果
を有するユニットと、前記ユニット同士を接続するため
の配管と、プラズマディスプレイパネルを放電させるユ
ニットから構成されたプラズマディスプレイパネルの製
造装置であって、 ガス通気口と接続するためのユニットを介して、プラズ
マディスプレイパネルの放電空間と不純物ガスを除去す
る効果を有するユニットの内部空間が同一空間に配置さ
れるように配管で接続することができることを特徴とす
るプラズマディスプレイパネルの製造装置。 - 【請求項２】 プラズマディスプレイパネルに設けられ
たガス通気口と接続するためのユニットと、プラズマデ
ィスプレイパネルにガス導入もしくはガス排気もしくは
その両方を行うユニットとの間に、不純物ガスを除去す
る効果を有するユニットが配置されるように配管で接続
されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造装置。 - 【請求項３】 不純物ガスを除去する効果を有するユニ
ット内に不純物ガスを除去する物質が配置されているこ
とを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマディ
スプレイパネルの製造装置。 - 【請求項４】 前記不純物ガスを除去する効果を有する
ユニットがその内部空間にゲッターを有していることを
特徴とする請求項１から３のいずれかに記載のプラズマ
ディスプレイパネルの製造装置。 - 【請求項５】 不純物ガスを除去する効果を有するユニ
ットの内部空間を加熱する機構を有する請求項１から４
のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製造
装置。 - 【請求項６】 プラズマディスプレイパネルに設けられ
たガス通気口を封止した際に、不純物ガスを除去する効
果を有するユニットの内部空間が大気開放されない機構
を有する請求項１から５のいずれかに記載のプラズマデ
ィスプレイパネルの製造装置。 - 【請求項７】 プラズマディスプレイパネルに設けられ
たガス通気口と接続するためのユニットと、プラズマデ
ィスプレイパネルにガス導入もしくはガス排気もしくは
その両方を行うユニットと、不純物ガスを除去する効果
を有するユニットと、前記ユニット同士を接続するため
の配管と、プラズマディスプレイパネルを放電させるユ
ニットから構成されたプラズマディスプレイパネルの製
造装置を用いたプラズマディスプレイパネルの製造方法
であって、 プラズマディスプレイパネルの放電空間と不純物ガスを
除去する効果を有するユニットの内部空間を同一空間に
して所定の時間だけ放電をおこなうエージング工程を施
した後にプラズマディスプレイパネルのガス通気口を封
止することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの
製造方法。 - 【請求項８】 プラズマディスプレイパネルの放電空間
と不純物ガスを除去する効果を有するユニットの内部空
間を同一空間にし、プラズマディスプレイパネルの放電
空間中のガスを不純物ガスを除去する効果を有するユニ
ットを通して循環させながら、所定の時間だけ放電をお
こなうエージング工程を施した後に、プラズマディスプ
レイパネルのガス通気口を封止することを特徴とする請
求項７に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方
法。 - 【請求項９】 プラズマディスプレイパネル封止後のプ
ラズマディスプレイパネルの放電空間内に不純物ガスを
除去する物質が存在しないことを特徴とする請求項７、
８に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１０】 前記不純物ガスを除去する効果を有す
るユニットがその内部空間にゲッターを有していること
を特徴とする請求項７から９のいずれかに記載のプラズ
マディスプレイパネルの製造方法。 - 【請求項１１】 プラズマディスプレイパネルの封止後
に不純物ガスを除去する効果を有するユニットの内部空
間が大気開放されないことを特徴とする請求項７から１
０のいずれかに記載のプラズマディスプレイパネルの製
造方法。 - 【請求項１２】 請求項１から６のいずれかに記載の製
造装置を用いて作製されたプラズマディスプレイパネ
ル。 - 【請求項１３】 請求項７から１１のいずれかに記載の
製造方法を用いて作製されたプラズマディスプレイパネ
ル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000330214A JP2002134026A (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | プラズマディスプレイパネルの製造装置および製造方法およびそれらを用いて製造したプラズマディスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000330214A JP2002134026A (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | プラズマディスプレイパネルの製造装置および製造方法およびそれらを用いて製造したプラズマディスプレイパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002134026A true JP2002134026A (ja) | 2002-05-10 |
Family
ID=18806774
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000330214A Pending JP2002134026A (ja) | 2000-10-30 | 2000-10-30 | プラズマディスプレイパネルの製造装置および製造方法およびそれらを用いて製造したプラズマディスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002134026A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453891B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2004-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 기판 제조 방법과 제조 장치 |
-
2000
- 2000-10-30 JP JP2000330214A patent/JP2002134026A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100453891B1 (ko) * | 2002-07-09 | 2004-10-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 기판 제조 방법과 제조 장치 |
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