JP2005063834A - 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 製造コストの低減が可能であり、また仕事関数が小さい金属について製造プロセスにおける安定性を確保することが可能な、有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 対向する陽極２３と主陰極５０ａとの間に、少なくとも発光層６０を備えた有機ＥＬ装置であって、導電性材料および電子注入性材料が混合された液状体を発光層６０上に塗布して、主陰極５０ａを形成する。前記導電性材料は、エチレンジオキシチオフェンを含む高分子化合物であることが望ましい。また前記電子注入性材料は、カルシウム等の仕事関数が小さい金属を中心原子とするアセチルアセトナト錯体であることが望ましい。さらに、主陰極５０ａの表面に、金属微粒子からなる補助陰極５０ｂを形成することが望ましい。
【選択図】 図５

Description

本発明は、有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法および電子機器に関するものである。

一般に、有機ＥＬ装置を構成する有機ＥＬ素子は、陽極と陰極との間に有機発光性材料を薄膜形成した構造となっている。そして、両電極から注入された電子と正孔とが発光層内で再結合し、励起したエネルギーが発光として放出される機構となっている。このような有機ＥＬ装置は、各電極と発光層との間の電荷注入障壁が高いため、通常は陽極バッファ層となる正孔注入層（正孔輸送層）、および陰極バッファ層となる電子注入層（電子輸送層）をそれぞれ設けた積層構造となっている。この積層構造において、特に電子注入層としては、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）や酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が知られており、これらを設けることで低電圧駆動を実現した有機ＥＬ装置が知られている（例えば、非特許文献１参照）。また陰極としては、例えば仕事関数の小さいカルシウム（Ｃａ）等が用いられている。さらに陰極のキャップ層として、導電性の高いアルミニウム（Ａｌ）等の被膜が形成されている。

この電子注入層および陰極の薄膜形成については、主に気相プロセスである真空蒸着法が用いられている。この真空蒸着法は真空雰囲気下で行われるため、エネルギーコストが高価となり、しかも今後ディスプレイとして実用化される際に基板の大型化を妨げる一因になると考えられている。また、気相プロセスを用いた場合には下地となる有機物や基板が高熱環境に晒されることから、耐熱性に乏しい材料の場合には発光特性の劣化や基板の変形といった問題が起こることが懸念される。

そこで、電子注入層および陰極を液相プロセスによって形成する方法が検討されている。これは、各層の構成材料を含む液状体をスピンコート法等によって塗布し、さらに焼成して電子注入層および陰極を形成するものである。このような液相プロセスを採用することにより、エネルギー消費量を低減することができる。また、塗布された液状体は比較的低温で焼成することが可能であり、下地となる有機物等へのダメージを低減することができる。なお、液相プロセスにより陰極を形成する方法として、導電性微粒子が分散した高分子溶液を用いるものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２−２３７３８９号公報

しかしながら、電子注入層および陰極を液相で形成するには、以下のような問題がある。まず、電子注入層および陰極についてそれぞれ液状体の塗布および焼成を行うので、工程数が多くなり、製造コストの削減に限界があるという問題がある。また、電子注入層および陰極の構成材料として仕事関数が小さい金属を使用するため、非真空雰囲気下では不安定であるという問題がある。なお、液相プロセスでは各層の構成材料を溶媒に溶解させた液状体または分散媒に分散させた液状体を使用するが、使用する溶媒または分散媒によっては下地層が溶出してしまうという問題もある。また、下地層の表面に液状体を塗布する際に、液状体が濡れ広がりにくいという問題もある。

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、製造コストの低減が可能であり、また仕事関数が小さい金属について製造プロセスにおける安定性を確保することが可能な、有機ＥＬ装置およびその製造方法の提供を目的とする。
また、良好な表示特性を有する電子機器の提供を目的とする。

上記目的を達成するため、本発明の有機ＥＬ装置は、対向する陽極と主陰極との間に、少なくとも発光層を備えた有機ＥＬ装置であって、前記発光層に隣接して前記主陰極が形成され、前記主陰極は導電性材料と電子注入性材料との混合材料によって構成されていることを特徴とする。
この構成によれば、１回の液相プロセスにより、導電性および電子注入性を備えた主陰極を形成することができる。また、気相プロセスのように真空条件を必要としないので、エネルギー消費量を低減することができる。したがって、製造コストを低減することができる。

また、前記電子注入性材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属または遷移金属を中心原子とする金属錯体であることが望ましい。
この構成によれば、仕事関数が小さい金属を用いて主陰極が形成されるので、発光層に対する電子注入性を向上させることができる。

また、前記電子注入性材料は、β−ジケトン錯体であることが望ましい。
特に、前記電子注入性材料は、アセチルアセトナト錯体であることが望ましい。
この構成によれば、中心原子を取り囲むように配置された配位子により、中心原子が安定的に保持される。したがって、仕事関数が小さい金属を用いて主陰極を形成する場合でも、その金属を錯体の中心原子とすることにより、製造プロセスにおける当該金属の安定性を確保することができる。

そして、前記電子注入性材料は、ビスアセチルアセトナトカルシウム錯体であることが望ましい。
この構成によれば、仕事関数が小さいカルシウムを用いて主陰極が形成されるので、発光層に対する電子注入性を向上させることができる。またカルシウムを錯体の中心原子とすることにより、製造プロセスにおけるカルシウムの安定性を確保することができる。

なお、前記電子注入性材料は、有機リチウム化合物であってもよい。
また、前記電子注入性材料は、フッ化リチウムであってもよい。
これらの構成によっても、発光層に対する電子注入性を確保しつつ、製造プロセスにおける安定性を確保することができる。

一方、前記導電性材料は、導電性高分子化合物であることが望ましい。
特に、前記導電性材料は、エチレンジオキシチオフェンを含む高分子化合物であることが望ましい。
なお、前記導電性材料は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳであってもよい。
これらの構成によれば、比較的低温で主陰極を焼成することが可能になり、主陰極の下地層に対する熱影響を低減することができる。

なお、前記導電性材料は、金属微粒子であってもよい。
また、前記導電性材料は、導電性高分子化合物と金属微粒子との混合材料であってもよい。
この構成によれば、主陰極の導電性を向上させることができる。特に、導電性高分子化合物と金属微粒子との混合材料によって主陰極を構成することにより、比較的低温で主陰極を焼成しつつ、主陰極の導電性を確保することが可能になる。

また、前記主陰極の表面に、金属微粒子からなる補助陰極が形成されていることが望ましい。
この構成によれば、陰極全体の導電性を向上させることができる。

一方、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、対向する陽極と主陰極との間に、少なくとも発光層を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、導電性材料および電子注入性材料が混合された液状体を前記発光層上に塗布して、前記主陰極を形成することを特徴とする。
この構成によれば、１回の液相プロセスにより、導電性および電子注入性を備えた主陰極を形成することができる。また、気相プロセスのように真空条件を必要としないので、エネルギー消費量を低減することができる。したがって、製造コストを低減することができる。

また、前記液状体を、液滴吐出装置によって前記発光層上に塗布してもよい。
この構成によれば、所定量の液状体を所定位置に正確に吐出して、主陰極を形成することができる。

また、塗布された前記液状体を１５０℃以下で焼成して、前記主陰極を形成することが望ましい。
この構成によれば、比較的低温で主陰極を焼成するので、主陰極の下地層に対する熱影響を低減することができる。

一方、本発明の他の有機ＥＬ装置は、上述した有機ＥＬ装置の製造方法を使用して製造したことを特徴とする。
この構成によれば、製造コストの低減が可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。

一方、本発明の電子機器は、上述した有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、良好な表示特性を有する電子機器を提供することができる。

以下、本発明を詳しく説明する。なお、この実施の形態は、本発明の一部の態様を示すものであり、本発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下に示す各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材ごとに縮尺を異ならせてある。

［有機ＥＬ装置］
まず、本発明の有機ＥＬ装置の一実施形態を説明する。
（等価回路）
図１は、本実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図であり、図１において符号１は有機ＥＬ装置である。この有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリクス方式のもので、複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有し、走査線１０１と信号線１０２との各交点付近に画素領域Ｘを形成したものである。信号線１０２には、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスタ及びレベルシフタを備える走査線駆動回路８０が接続されている。

さらに、画素領域Ｘ各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から供給される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む画素電極（電極）２３と、この画素電極２３と共通陰極（電極）５０との間に挟み込まれた機能層１１０とが設けられている。このような画素電極２３と共通陰極５０と機能層１１０とにより、発光素子、すなわち有機ＥＬ素子が構成されている。

このような構成の有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して電源線１０３から画素電極２３に電流が流れ、さらに機能層１１０を介して共通陰極５０に電流が流れる。すると、機能層１１０は、これを流れる電流量に応じて発光する。

（平面構成）
次に、本実施形態の有機ＥＬ装置１の具体的な態様を、図２〜５を参照して説明する。なお、図２は有機ＥＬ装置１の構成を模式的に示す平面図である。

図２に示すように本実施形態の有機ＥＬ装置１は、光透過性と電気絶縁性とを備える基板２０と、スイッチング用ＴＦＴ（図示せず）に接続された画素電極が基板２０上にマトリックス状に配置されてなる画素電極域（図示せず）と、画素電極域の周囲に配置されるとともに各画素電極に接続される電源線と、少なくとも画素電極域上に位置する平面視ほぼ矩形の画素部３（図２中一点鎖線枠内）とを備えて構成されている。なお、本実施形態において画素部３は、中央部分の実表示領域４（図中二点鎖線枠内）と、実表示領域４の周囲に配置されたダミー領域５（一点鎖線および二点鎖線の間の領域）とに区画されている。

実表示領域４には、それぞれ画素電極を有する発光素子Ｒ、Ｇ、ＢがＡ−Ｂ方向およびＣ−Ｄ方向に規則的に配置されている。
また、実表示領域４の図２中両側には、走査線駆動回路８０、８０が配置されている。この走査線駆動回路８０、８０は、ダミー領域５の下層側に位置して設けられている。

また、実表示領域４の図２中上方側には検査回路９０が配置されており、この検査回路９０はダミー領域５の下層側に配置されて設けられている。この検査回路９０は、有機ＥＬ装置１の作動状況を検査するための回路であって、例えば検査結果を外部に出力する検査情報出力手段（図示せず）を備え、製造途中や出荷時における表示装置の品質、欠陥の検査を行うことができるように構成されている。

走査線駆動回路８０および検査回路９０の駆動電圧は、所定の電源部から駆動電圧導通部３１０（図３参照）および駆動電圧導通部３４０（図４参照）を介して印加されている。また、これら走査線駆動回路８０および検査回路９０への駆動制御信号および駆動電圧は、この有機ＥＬ装置１の作動制御を司る所定のメインドライバなどから駆動制御信号導通部３２０（図３参照）および駆動電圧導通部３５０（図４参照）を介して送信および印加されるようになっている。なお、この場合の駆動制御信号とは、走査線駆動回路８０および検査回路９０が信号を出力する際の制御に関連するメインドライバなどからの指令信号である。

（断面構成）
図３は図２のＡ−Ｂ線に沿う断面図、図４は図２のＣ−Ｄ線に沿う断面図、図５は図３の要部拡大断面図である。図３、図４に示すように、有機ＥＬ装置１は、基板２０と封止基板３０とが封止樹脂４０を介して貼り合わされてなるものである。基板２０、封止基板３０および封止樹脂４０で囲まれた領域においては、封止基板３０の内面に水分や酸素を吸収するゲッター剤４５が貼着されている。また、その空間部は窒素ガスが充填されて窒素ガス充填層４６となっている。このような構成のもとに、有機ＥＬ装置１内部に水分や酸素が浸透するのが抑制され、これにより有機ＥＬ装置１はその長寿命化が図られたものとなっている。

基板２０としては、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、この基板２０の対向側である封止基板３０側から発光光を取り出す構成であるので、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。不透明基板としては、例えば、アルミナ等のセラミック、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化などの絶縁処理を施したものの他に、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などが挙げられる。
また、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置の場合には、基板２０側から発光光を取り出す構成であるので、基板２０としては、透明あるいは半透明のものが採用される。例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等が挙げられ、特にガラス基板が好適に用いられる。なお、本実施形態では、基板２０側から発光光を取り出すボトムエミッション型とし、よって基板２０としては透明あるいは半透明のものを用いるようにする。

封止基板３０としては、例えば電気絶縁性を有する板状部材を採用することができる。また、封止樹脂４０は、例えば熱硬化樹脂あるいは紫外線硬化樹脂からなるものであり、特に熱硬化樹脂の一種であるエポキシ樹脂よりなっているのが好ましい。

また、図５に示すように、基板２０上には、画素電極２３を駆動するための駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部１１が設けられている。この回路部１１は基板２０上に形成されたものである。すなわち、基板２０の表面にはＳｉＯ２ を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ２ および／またはＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。

また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線１０１の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ２ を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。

また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、前述した電源線１０３（図１参照、図５においてはソース電極２４３の位置に紙面垂直方向に延在する）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。

ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層は、例えばアクリル系の樹脂成分を主体とする第２層間絶縁層２８４によって覆われている。この第２層間絶縁層２８４は、アクリル系の絶縁膜以外の材料、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ２ などを用いることもできる。そして、ＩＴＯからなる画素電極２３が、この第２層間絶縁層２８４の表面上に形成されるとともに、該第２層間絶縁層２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。
以上に説明した基板２０から第２層間絶縁層２８４までの層が、回路部１１を構成するものとなっている。

なお、走査線駆動回路８０および検査回路９０（図２参照）に含まれるＴＦＴ（駆動回路用ＴＦＴ）、すなわち、例えばこれらの駆動回路のうち、シフトレジスタに含まれるインバータを構成するＮチャネル型又はＰチャネル型のＴＦＴは、画素電極２３と接続されていない点を除いて前記駆動用ＴＦＴ１２３と同様の構造とされている。

画素電極２３が形成された第２層間絶縁層２８４の表面は、画素電極２３と、例えばＳｉＯ２ などの親液性材料を主体とする親液性制御層２５と、アクリル樹脂やポリイミド樹脂などからなる有機バンク層２２１とによって覆われている。なお、本実施形態における親液性制御層２５の「親液性」とは、少なくとも有機バンク層２２１を構成するアクリル樹脂やポリイミド樹脂などの材料と比べて親液性が高いことを意味するものとする。そして、親液性制御層２５に設けられた開口部２５ａおよび有機バンク層２２１に設けられた開口部２２１ａの開口内部が、画素領域を構成している。なお、各色表示領域（画素領域）の境界には、金属クロムをスパッタリングなどにて成膜した図示略のＢＭ（ブラックマトリクス）が、有機バンク層２２１と親液性制御層２５との間に位置して形成されている。

（発光素子）
そして、各画素領域における画素電極２３の上方には、発光素子（有機ＥＬ素子）Ｒ、Ｇ、Ｂが設けられている。発光素子Ｒ、Ｇ、Ｂは、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔注入層７０と、有機ＥＬ物質からなる発光層６０（６０Ｒ、６０Ｇ、６０Ｂ）と、共通陰極５０とが順に形成されたことによって構成されている。そして、このような構成のもとに発光素子Ｒ、Ｇ、Ｂは、正孔注入層７０から注入された正孔と、共通陰極５０から送られてきた電子とが発光層６０で結合することにより、赤色、緑色あるいは青色の発光をなすようになっている。

陽極として機能する画素電極２３は、本例ではボトムエミッション型であることから透明導電材料によって形成されている。透明導電材料としてはＩＴＯが好適とされるが、これ以外にも、例えば酸化インジウム・酸化亜鉛系アモルファス透明導電膜（Indium Zinc Oxide ：ＩＺＯ／アイ・ゼット・オー）（登録商標））（出光興産社製）等を用いることができる。なお、本実施形態ではＩＴＯを用いるものとする。また、トップエミッション型である場合には、特に光透過性を備えた材料を採用する必要はなく、例えばＩＴＯの下層側にＡｌ等を設けて反射層として用いることもできる。

正孔注入層７０の形成材料としては、特に３，４−ポリエチレンジオシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水やイソプロピルアルコール等の極性溶媒に溶解させたものが好適に用いられる。なお、正孔注入層７０の形成材料としては、前記のものに限定されることなく種々のものが使用可能である。例えば、ポリスチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレンやその誘導体などを、適宜な分散媒、例えば前記のポリスチレンスルフォン酸に分散させたものなどが使用可能である。

発光層６０を形成するための材料としては、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料が用いられる。また、本実施形態では、フルカラー表示を行うべく、その発光波長帯域が光の三原色にそれぞれ対応して形成されている。すなわち、発光波長帯域が赤色に対応した発光層６０Ｒ、緑色に対応した発光層６０Ｇ、青色に対応した発光層６０Ｂの三つの発光層により、１画素が構成され、これらが階調して発光することにより、有機ＥＬ装置１が全体としてフルカラー表示をなすようになっている。

発光層６０の形成材料として具体的には、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。
なお、「高分子」とは、分子量が数百程度の所謂「低分子」よりも分子量の大きい重合体を意味し、上述の高分子材料には、一般に高分子と呼ばれる分子量１００００以上の重合体の他に、分子量が１００００以下のオリゴマーと呼ばれる低重合体が含まれる。

なお、本実施形態では、赤色の発光層６０Ｒの形成材料としてＭＥＨＰＰＶ（ポリ（３−メトキシ ６−（３−エチルヘキシル）パラフェニレンビニレン）を、緑色の発光層６０Ｒの形成材料としてポリジオクチルフルオレンとＦ８ＢＴ（ジオクチルフルオレンとベンゾチアジアゾールの交互共重合体）の混合溶液を、青色の発光層６０Ｒの形成材料としてポリジオクチルフルオレンを用いている。また、これら各発光層６０については、特にその厚さについては制限がなく、また各色毎に好ましい厚さも変わるものの、例えば青色発光層６０Ｂの厚さとしては、６０〜７０ｎｍ程度とするのが好ましい。

共通陰極５０は、図２ないし図４に示すように、実表示領域４およびダミー領域５の総面積より広い面積を備え、それぞれを覆うように形成されたものである。図５に示すように、共通陰極５０は、発光層の表面に接する主陰極５０ａと、主陰極５０ａの表面に形成された補助陰極５０ｂとによって構成されている。主陰極５０ａの膜厚は、１００〜１０００ｎｍとするのが好ましく、特に２００〜５００ｎｍ程度とするのが好ましい。その主陰極５０ａは、導電性材料と電子注入性材料との混合材料によって構成されている。

（電子注入性材料）
主陰極５０ａを構成する電子注入性材料として、有機金属錯体を採用することが可能である。この有機金属錯体を構成するキレート配位子として、アセチルアセトン（ａｃａｃ），ジピパロイルメタン（ｄｐｍ），ヘキサフルオロアセチルアセトン（ｈｆａ），２，２，６，６，−テトラメチル−３，５−オクタンジオアセトン（ＴＭＯＤ），テノイルトリフルオロアセトン（ＴＴＡ），１−フェニル−３−イソヘプチ−１，３−プロパンジオン（商品名ＬＩＸ５４，ＬＩＸ５１；ヘンケル社）等のβ−ジケトン系の配位子、８−キノリノール（オキシン），２−メチル−８−キノリノール等のキノリノール系の配位子、トリオクチルホフフィンオキシド（ＴＯＰＯ），リン酸トリブチル（ＴＢＰ），イソブチルメチルケトン（ＭＢＫ），ビス（２−エチルヘキシル）リン酸（Ｄ２ＥＨＰＡ）等のリン酸系の配位子、酢酸，安息香酸等のカルボン酸系の配位子、ジフェニルチオカルバゾン配位子等を好適に用いることができる。中でもβ−ジケトン系の配位子を有する錯体（β−ジケトン錯体）は、酸性試薬で且つ酸素原子による多座配位子であるため、安定な錯体を形成できる。

また、有機金属錯体を構成する中心原子として、アルカリ金属やアルカリ土類金属、希土類金属、遷移金属等の金属元素を採用することが可能である。例えば、アルカリ金属としてＬｉ、Ｎａ、Ｃｓ等が採用可能であり、アルカリ土類金属としてＣａ、Ｂａ、Ｓｒ等が採用可能であり、希土類金属としてＳｍ、Ｔｂ、Ｅｒ等が採用可能である。特に、仕事関数が３．０ｅＶ以下の金属を採用することが望ましい。これにより、低電圧で電子を放出させることが可能になり、低電圧で発光層を発光させることができるようになる。
そして、具体的な有機金属錯体として、アセチルアセトナト金属錯体であるビスアセチルアセトナト／カルシウム錯体（Ｃａ（ａｃａｃ）２）を採用することが望ましい。カルシウム（仕事関数；２．６ｅＶ）等の低仕事関数の金属元素は、電子注入性に優れているが、非真空雰囲気下では不安定である。そこで、アセチルアセトナト等のキレート配位子を備えた錯体とすることにより、電子注入性を維持しつつ、製造プロセスにおける安定性を確保することができる。

また、主陰極５０ａを構成する電子注入性材料として、金属のハロゲン化物あるいは酸化物を採用することも可能である。その金属として、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属または遷移金属等の金属元素を採用することが可能である。また金属ハロゲン化物は、金属フッ化物であることが望ましいが、これ以外の金属塩化物や金属臭化物等であってもよい。そして、具体的な金属ハロゲン化物として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を使用することが望ましい。
なお、主陰極５０ａを構成する電子注入性材料として、フッ化リチウム等の無機リチウム化合物の他に、安息香酸リチウムや酢酸リチウム等の有機リチウム化合物を採用することも可能である。

また、主陰極５０ａを構成する電子注入性材料として、複数種類の有機金属錯体を混合して用いることも可能である。例えば、本実施形態のように１画素内にＲ，Ｇ，Ｂの複数種類の発光層６０が設けられている場合に、それぞれの発光層６０に対して最適な有機金属錯体を混合して主陰極５０ａを構成してもよい。この場合、各錯体が機能を補完し合うことにより、発光効率を更に高めることができる。また、各発光層６０の表面にそれぞれ別個の主陰極５０ａを形成し、各主陰極５０ａを構成する電子注入性材料として、各発光層６０に最適な金属錯体を採用してもよい。この場合、発光層６０毎に最適な材料設計を行なうことが可能になり、また各発光層６０の色バランスを調節することも容易となる。
特に、青の発光素子については、上述した有機金属錯体とともに、または上述した有機金属錯体に代えて、リチウム化合物を採用するのが好ましい。これにより、青の発光層６０Ｂを低電圧で発光させることができる。

また、上記錯体はそれ自体単独で用いることもできるし、従来から知られている電子注入性材料と混合して使用することもできる。このような公知の電子注入性材料としては、シクロペンタジエン誘導体，オキサジアゾール誘導体，ビススチリルベンゼン誘導体，ｐ−フェニレン化合物，フェナントロリン誘導体，トリアゾール誘導体等が挙げられる。

（導電性材料）
一方、主陰極５０ａを構成する導電性材料として、導電性高分子材料を採用することが可能である。特に、導電性高分子材料として、エチレンジオキシチオフェンを含む高分子化合物を採用することが望ましい。具体的には、正孔注入層７０の構成材料でもある３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ＝１／２０）［商品名；バイトロン−ｐ（Bytron-p）：バイエル社製］の分散液を使用する。これは、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させたものである。

また、主陰極５０ａを構成する導電性材料として、上述した導電性高分子に代えて、または導電性高分子とともに、導電性を有する金属微粒子を採用することも可能である。特に、導電性高分子と金属微粒子との混合材料によって主陰極５０ａを構成した場合には、比較的低温で主陰極５０ａを焼成しつつ、主陰極５０ａの導電性を確保することが可能になる。金属微粒子として、具体的にはＡｕやＡｇ、Ａｌ等を使用することができる。ＡｕやＡｇは、導電性に優れているが、仕事関数が大きい金属である。しかし本実施形態では、電子注入性材料を導電性材料に混合して主陰極５０ａを構成するので、仕事関数の大きい物質を導電性材料として採用することも可能である。なお、主陰極５０ａを構成する導電性材料として、ＡｕやＡｇ等の金属微粒子以外に、カーボンペーストを採用することも可能である。

なお、導電性材料に非導電性の電子注入性材料を混合して主陰極５０ａが構成される場合には、主陰極５０ａの電気抵抗が大きくなる場合がある。そこで、共通陰極５０全体の導電性を高めるため、主陰極５０ａの表面に補助陰極５０ｂを設けることが望ましい。なお補助陰極５０ｂは、主陰極５０ａを覆って酸素や水分などからこれを保護する機能も有している。補助陰極５０ｂは、導電性を有する金属微粒子によって構成されている。この金属微粒子として、化学的に安定な導電性材料であれば特に限定されることなく、任意のもの、例えば金属や合金などが使用可能であり、具体的にはＡｌ（アルミニウム）やＡｕ（金）、Ａｇ（銀）などが好適に用いられる。この補助陰極５０ｂの厚さとしては、１００ｎｍ〜５００ｎｍ程度とするのが好ましく、特に２００ｎｍ程度とするのが好ましい。１００ｎｍ未満では保護機能が十分に得られないおそれがあり、また５００ｎｍを越えると製造時における熱的負荷が高くなり、発光層６０に劣化や変質等の悪影響を及ぼすおそれがあるからである。なお、本実施形態ではＡｇによって補助陰極５０ｂを形成している。また、特にトップエミッション型の有機ＥＬ装置とする場合には、十分に薄い補助陰極５０ｂを形成してこれに透光性を持たせることが可能であり、あるいは透光性を有するＩＴＯ等の導電性材料を用いて補助陰極５０ｂを形成することも可能である。

このような構成からなる有機ＥＬ装置１にあっては、主陰極５０ａによって前記発光層６０に対する電子注入性を確保することができる。したがって、良好な発光特性が得られるようになる。

［有機ＥＬ装置の製造方法］
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ装置１の製造方法の一例を、図６および図７を参照して説明する。なお、図６および図７に示す各断面図は、図２中のＡ−Ｂ線の断面図に対応しており、各製造工程順に示している。
まず、図６（ａ）に示すように、基板２０上の回路部１１の表面に、画素電極２３を形成する。具体的には、まず基板２０の全面を覆うように、ＩＴＯ等の導電材料からなる導電膜を形成する。その際、第２層間絶縁層２８４のコンタクトホール２３ａの内部に導電材料を充填してコンタクトを形成する。そして、この導電膜をパターニングすることにより画素電極２３を形成するとともに、コンタクトを介して駆動用ＴＦＴ１２３のドレイン電極２４４に導通させる。これと同時に、ダミー領域のダミーパターン２６も形成する。なお図３および図４では、画素電極２３およびダミーパターン２６を総称して画素電極２３としている。

なおダミーパターン２６は、実表示領域に形成されている画素電極２３と同様に島状に形成されているが、第２層間絶縁層２８４を介して下層のメタル配線へ接続しない構成とされている。もちろん、表示領域に形成されている画素電極２３とは異なる形状であってもよい。なお、この場合、ダミーパターン２６は少なくとも前記駆動電圧導通部３１０（３４０）の上方に位置するものも含むものとする。

次いで、図６（ｂ）に示すように、画素電極２３、ダミーパターン２６上、および第２層間絶縁層２８４上に、絶縁層である親液性制御層２５を形成する。なお、画素電極２３においては一部が開口する態様にて親液性制御層２５を形成し、開口部２５ａ（図３も参照）において画素電極２３からの正孔移動が可能とされている。続いて、親液性制御層２５において、異なる２つの画素電極２３の間に位置して形成された凹状部に、ＢＭ（図示せず）を形成する。具体的には、親液性制御層２５の前記凹状部に対して、金属クロムを用いスパッタリング法にて成膜する。

次いで、図６（ｃ）に示すように、親液性制御層２５の所定位置、詳しくは前記ＢＭを覆うように有機バンク層２２１を形成する。具体的な有機バンク層２２１の形成方法としては、例えばアクリル樹脂やポリイミド樹脂などのレジストを溶媒に溶解したものを、スピンコート法、ディップコート法などの各種塗布法により塗布して有機質層を形成する。なお、有機質層の構成材料は、後述するインクの溶媒に溶解せず、しかもエッチングなどによってパターニングし易いものであればどのようなものでもよい。
続いて、有機質層をフォトリソグラフィ技術、エッチング技術を用いてパターニングし、有機質層にバンク開口部２２１ａを形成することにより、開口部２２１ａに壁面を有した有機バンク層２２１を形成する。なお、この場合、有機バンク層２２１は、少なくとも前記駆動制御信号導通部３２０の上方に位置するものを含むものとする。

次いで、有機バンク層２２１の表面に、親液性を示す領域と、撥液性を示す領域とを形成する。本実施形態においては、プラズマ処理によって各領域を形成するものする。そのプラズマ処理は、予備加熱工程と、有機バンク層２２１の上面および開口部２２１ａの壁面ならびに画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５の上面をそれぞれ親液性にする親インク化工程と、有機バンク層の上面および開口部の壁面を撥液性にする撥インク化工程と、冷却工程とによって構成される。

すなわち、基材（バンクなどを含む基板２０）を所定温度、例えば７０〜８０℃程度に加熱し、次いで親インク化工程として大気圧下で酸素を反応ガスとするプラズマ処理（Ｏ２ プラズマ処理）を行う。次いで、撥インク化工程として大気圧下で４フッ化メタンを反応ガスとするプラズマ処理（ＣＦ４ プラズマ処理）を行い、その後、プラズマ処理のために加熱された基材を室温まで冷却することで、親液性および撥液性が所定箇所に付与されることとなる。

なお、このＣＦ４ プラズマ処理においては、画素電極２３の電極面２３ｃおよび親液性制御層２５についても多少の影響を受けるが、画素電極２３の材料であるＩＴＯおよび親液性制御層２５の構成材料であるＳｉＯ２ 、ＴｉＯ２ などはフッ素に対する親和性に乏しいため、親インク化工程で付与された水酸基がフッ素基で置換されることがなく、親液性が保たれる。

次いで、正孔注入層形成工程によって正孔注入層７０を形成する。この正孔注入層形成工程では、液滴吐出法として、特にインクジェット法が好適に採用される。すなわち、このインクジェット法により、正孔注入層形成材料を電極面２３ｃ上に選択的に配し、これを塗布する。その後、乾燥処理および熱処理を行い、電極２３上に正孔注入層７０を形成する。正孔注入層７０の形成材料としては、例えば前記のＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを水やイソプロピルアルコールなどの極性溶媒に溶解させたものが用いられる。

ここで、このインクジェット法による正孔注入層７０の形成にあたっては、まず、インクジェットヘッド（図示略）に正孔注入層形成材料を充填し、インクジェットヘッドと基材（基板２０）とを相対移動させながら、インクジェットヘッドの吐出ノズルを親液性制御層２５に形成された前記開口部２５ａ内に位置する電極面２３ｃに対向させる。そして、１滴当たりの液量が制御された液滴を吐出ノズルから電極面２３ｃに吐出する。次に、吐出後の液滴を乾燥処理し、正孔注入層材料に含まれる分散媒や溶媒を蒸発させることにより、正孔注入層７０を形成する。

このとき、吐出ノズルから吐出された液滴は、親液性処理がなされた電極面２３ｃ上にて広がり、親液性制御層２５の開口部２５ａ内に満たされる。その一方で、撥インク処理された有機バンク層２２１の上面では、液滴がはじかれて付着しない。したがって、液滴が所定の吐出位置からずれて、液滴の一部が有機バンク層２２１の表面にかかったとしても、該表面が液滴で濡れることがなく、弾かれた液滴が親液性制御層２５の開口部２５ａ内に引き込まれる。
なお、この正孔注入層形成工程以降では、各種の形成材料や形成した要素の酸化・吸湿を防止すべく、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気などの不活性ガス雰囲気で行うことが好ましい。

次いで、図７（ｄ）に示すように、発光層形成工程による発光層６０の形成を行う。この発光層形成工程では、前記の正孔注入層７０の形成と同様に、液滴吐出法であるインクジェット法が好適に採用される。すなわち、インクジェット法により、発光層形成材料を正孔注入層７０上に吐出し、その後、乾燥処理および熱処理を行うことにより、有機バンク層２２１に形成された開口部２２１ａ内に発光層６０を形成する。この発光層６０の形成は、その色毎に行う。なお、インクジェット法（液滴吐出法）を用いることにより、発光層６０の形成材料を、所定位置、すなわち画素領域のみに選択的に配置することが可能であり、また個々の位置において吐出量を変えることも可能である。また、前記発光層形成工程では、正孔注入層７０の再溶解を防止するため、発光層形成材料に用いる溶媒として、正孔注入層７０に対して不溶な無極性溶媒を用いる。一方、焼成温度としては１５０℃〜２００℃の範囲とするのが好ましく、特に１８０℃程度とするのが好ましい。１５０℃未満では、形成材料が十分に硬化せず、したがって後述するようにその上に青色発光層の形成材料が設けられると、形成材料どうしが混ざり合ってしまうおそれがあるからである。また、２００℃を越えると、形成材料が熱により変質し劣化してしまうおそれがあるからである。

（陰極の形成）
次いで、図７（ｅ）に示すように、共通陰極５０を形成する。共通陰極５０の形成工程では、まず発光層６０および有機バンク層２２１を覆うように主陰極５０ａを形成する。主陰極５０ａの形成は、主陰極５０ａの構成材料を含む液状体を塗布することによって行う。そのため、まず主陰極５０ａの構成材料を含む液状体を作製する。導電性材料として前記ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを採用する場合には、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水やイソプロピルアルコール等の極性溶媒に溶解させる。また、導電性材料として金属微粒子を採用する場合には、分散媒として、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ジメチルケトンなどの極性物質を用いる。

さらに、電子注入性材料として前記Ｃａ（ａｃａｃ）２を採用する場合には、これを水等の極性物質に溶解させる。Ｃａ（ａｃａｃ）２の濃度は、例えば１ｗｔ％とする。なお電子注入性材料として、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓのフッ化物など、水溶性を示すものを採用する場合にも、これを水等の極性物質に溶解させることができる。そして、上述した導電性材料の分散液と電子注入性材料の溶液とを混合することにより、前記液状体を作製する。このように、分散媒または溶媒として極性物質を採用すれば、塗布された液状体に対する発光層６０の再溶解を抑制することが可能になる。なお、例外的に発光層６０が前記極性物質に溶出してしまう場合には、分散媒または溶媒としてトルエン、キシレン、ベンゼン、ヘキサン、シクロヘキサン、テトラデカン、イソオクタンなどの非極性物質を用いてもよい。

そして、上記のように作製した液状体を、発光層６０および有機バンク層２２１の表面に塗布する。塗布法にはスピンコート法などを採用することができるが、発光層６０や正孔注入層７０と同様にインクジェット法を採用することも可能である。さらに、塗布された液状体を乾燥および焼成することにより、主陰極５０ａの被膜を形成する。主陰極５０ａの成膜温度は、１５０℃以下とすることが望ましい。１５０℃を超える温度で熱処理を行うと、有機物によって構成される発光層６０の機能を低下させるおそれがあるからである。この点、導電性材料としてＰＥＤＯＴ／ＰＳＳを採用すれば、１００℃×１０分程度の条件で焼成することが可能であり、発光層６０に対するダメージを抑制することができる。

次いで、主陰極５０ａの表面を覆うように、補助陰極５０ｂを形成する。補助陰極５０ｂの形成は、補助陰極５０ｂの構成材料を含む液状体を塗布することによって行う。その液状体は、水、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、ジメチルケトンなどの分散媒に、ＡｕやＡｇなどの金属微粒子を分散させて作製する。液状体の塗布には、主陰極５０ａの形成と同様に、スピンコート法やインクジェット法などを採用することが可能である。さらに、塗布された液状体を乾燥および焼成することにより、補助陰極５０ｂの被膜を形成する。補助陰極５０ｂの成膜温度は、主陰極５０ａの成膜温度と同様に、１５０℃以下とすることが望ましい。

なお、主陰極５０ａおよび補助陰極５０ｂの構成材料を含む液状体をスピンコート法によって塗布した場合には、画素領域にのみ選択的に形成材料を配するのでなく、基板２０のほぼ全面に被膜が形成されることになる。そこで、後工程となる封止工程に先立ち、基板周辺部に形成された主陰極５０ａおよび補助陰極５０ｂの被膜を、図７（ｅ）に示すように除去する。また、成膜時においてマスク等を用いることにより、基板周辺部には成膜しないようにしてもよい。
以上により、共通陰極５０が形成される。

その後、図７（ｆ）に示すように、封止基板３０により基板２０の表面を封止する。この封止工程では、内側にゲッター剤４５を貼り付けた封止基板３０を、基板２０に対して封止樹脂４０により接着する。この封止工程は、窒素、アルゴン、ヘリウムなどの不活性ガス雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、基板２０、封止基板３０および封止樹脂４０によって包囲される空間に、不活性ガスが気密封止される。
以上により、本実施形態の有機ＥＬ装置１が形成される。

以上に詳述したように、本実施形態の有機ＥＬ装置およびその製造方法では、導電性材料と電子注入性材料との混合材料によって主陰極５０ａを構成した。この構成によれば、１回の液相プロセスにより、導電性および電子注入性を備えた主陰極５０ａを形成することができる。また、気相プロセスのように真空条件を必要としないので、エネルギー消費量を低減することが可能になる。したがって、製造コストを低減することができる。このように液相プロセスを用いれば、基板サイズの制限がなくなって、大画面ディスプレイの製造に有効となる。また、蒸着マスクが不要となるので、高精細なディスプレイの製造に有効となる。さらに、耐熱性の低いプラスチック基板を用いたフレキシブルなディスプレイの開発に有効となる。

さらに本実施形態では、電子注入性材料として、低仕事関数金属を中心原子とする錯体を採用した。この構成によれば、金属錯体の配位子は中心原子を取り囲むように配置されるため、これが立体障害となって中心原子はこれらの配位子の内部に安定的に保持される。そのため、低仕事関数金属の表面を安定金属で覆う工程や、安定雰囲気下で低仕事関数金属を封止する工程などを要することなく、製造プロセスにおける低仕事関数金属の安定性を確保することができる。したがって、製造プロセスが簡略化され、製造コストを低減することができる。また、安定した錯体を採用することにより、発光層内への不純物の混入を未然に防ぐことができるので、耐湿性が向上する。したがって、発光効率が高く安定した特性を有する有機ＥＬ装置を得ることができる。

［電子機器］
次に、本発明の電子機器について、図８を用いて説明する。図８は、本実施形態の有機ＥＬ装置を備えた携帯電話の斜視図である。図８において符号１０００は携帯電話本体を示し、符号１００１は表示部を示している。この携帯電話１０００は、本実施形態の有機ＥＬ装置からなる表示部１００１を備えているので、良好な表示特性を発揮することができる。

なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施形態では発光層６０に高分子材料を用いたが、この代わりに低分子材料を用いることもできる。また、上述の回路部１１の構成はほんの一例であり、これ以外の構成を採ることも可能である。

ガラス基板の上面にＩＴＯからなる画素電極を形成し、その上面にＰＥＤＯＴ／ＰＳＳからなる正孔注入層を形成し、その上面に高分子材料からなる発光層を形成した。そして発光層の上面に、導電性材料であるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳと、電子注入性材料であるカルシウムアセチルアセトナト錯体（Ｃａ（ａｃａｃ）２）とで構成される主陰極を形成した。具体的には、１ｗｔ％に調整したＣａ（ａｃａｃ）２の水溶液と、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ分散液とを、１：４の割合で混合して液状体を作製し、スピンコート法によって塗布した。その回転速度は５００ｒｐｍ、回転時間は６０秒である。さらに、塗布された液状体を１００℃で１０分間加熱して焼成し、厚さ３００ｎｍの主陰極の被膜を形成した。
このように形成した有機ＥＬ装置は、１０Ｖ以下の電圧で良好に発光した。

実施形態の有機ＥＬ装置の配線構造を示す模式図である。 実施形態の有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図である。 図２のＡ−Ｂ線に沿う側面断面図である。 図２のＣ−Ｄ線に沿う側面断面図である。 図３の要部拡大断面図である。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に説明する断面図である。 有機ＥＬ装置の製造方法を工程順に説明する断面図である。 実施形態の有機ＥＬ装置を備えた携帯電話の斜視図である。

符号の説明

２３陽極 ５０ａ主陰極 ５０ｂ補助陰極 ６０発光層

Claims (18)

1. 対向する陽極と主陰極との間に、少なくとも発光層を備えた有機ＥＬ装置であって、
   前記発光層に隣接して前記主陰極が形成され、前記主陰極は導電性材料と電子注入性材料との混合材料によって構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
2. 前記電子注入性材料は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属または遷移金属を中心原子とする金属錯体であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
3. 前記電子注入性材料は、β−ジケトン錯体であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
4. 前記電子注入性材料は、アセチルアセトナト錯体であることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
5. 前記電子注入性材料は、ビスアセチルアセトナトカルシウム錯体であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
6. 前記電子注入性材料は、有機リチウム化合物であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
7. 前記電子注入性材料は、フッ化リチウムであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
8. 前記導電性材料は、導電性高分子化合物であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
9. 前記導電性材料は、エチレンジオキシチオフェンを含む高分子化合物であることを特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
10. 前記導電性材料は、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳであることを特徴とする請求項１ないし請求項９のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
11. 前記導電性材料は、金属微粒子であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
12. 前記導電性材料は、導電性高分子化合物と金属微粒子との混合材料であることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
13. 前記主陰極の表面に、金属微粒子からなる補助陰極が形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１２のいずれかに記載の有機ＥＬ装置。
14. 対向する陽極と主陰極との間に、少なくとも発光層を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
    導電性材料および電子注入性材料が混合された液状体を前記発光層上に塗布して、前記主陰極を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
15. 前記液状体を、液滴吐出装置によって前記発光層上に塗布することを特徴とする請求項１４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
16. 塗布された前記液状体を１５０℃以下で焼成して、前記主陰極を形成することを特徴とする請求項１４または請求項１５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
17. 請求項１４ないし請求項１６のいずれかに記載の有機ＥＬ装置の製造方法を使用して製造したことを特徴とする有機ＥＬ装置。
18. 請求項１ないし請求項１３または請求項１７のいずれかに記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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