TWI455179B - 製造一包含光阻圖案在一基板上之方法 - Google Patents

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TWI455179B
TWI455179B TW098126607A TW98126607A TWI455179B TW I455179 B TWI455179 B TW I455179B TW 098126607 A TW098126607 A TW 098126607A TW 98126607 A TW98126607 A TW 98126607A TW I455179 B TWI455179 B TW I455179B
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Description

製造一包含光阻圖案在一基板上之方法
本文中所揭示之實施例係關於形成包含光阻圖案在基板上之方法。
積體電路通常形成於諸如一矽晶圓或其他半導電材料之一半導體基板上。一般而言，利用係半導電、導電或絕緣之各種材料之層來形成積體電路。舉例而言，該等各種材料係使用各種製程來摻雜、離子植入、沈積、蝕刻、生長等。半導體處理之一繼續目標係繼續努力減小個別電子組件之大小，藉此達成較小且較密集之積體電路。
用於圖案化及處理半導體基板之一種技術係微影。該技術包括通常稱作光阻之一可圖案化遮罩層之沈積。該等材料可經處理以修改其在某些溶劑中之可溶性，且藉此可易於用於形成圖案在一基板上。舉例而言，可透過諸如一遮罩或光刻版之一輻射圖案化工具中之開口使一光阻層之部分曝露至光化能以與剛沈積狀態中之可溶性相比較改變所曝露區域對未曝露區域之溶劑可溶性。此後，端視光阻類型，可移除所曝露區域或未曝露區域，藉此在基板上留下該光阻之一遮罩圖案。可例如藉由蝕刻或離子植入來處理下伏基板之緊鄰於被遮掩部分之毗鄰區，以實現毗鄰該遮罩材料之基板之所期望處理。在某些情形下，利用多個不同光阻層及/或光阻與非輻射敏感遮罩材料之一組合。
首先參照圖1-13描述形成一包含光阻圖案在一基板上之實例方法。參照圖1，通常以參考編號10指示一基板(在一個實施例中係一半導體基板)。在本文件之上下文中，術語「半導體基板」或「半導電基板」被界定為意指包含半導電材料之任一構造，該半導電材料包括但不限於諸如一半導電晶圓(單獨或在其上包含其他材料之總成中)及半導電材料層(單獨或在包含其他材料之總成中)之塊狀半導電材料。術語「基板」係指包括但不限於上文所述之半導電基板之任一支承結構。
基板10繪示為包含其上方形成有一第一光阻14之基板材料12。基板12可係均質基板或非均質基板，且包含多個不同組成區域及/或層，該多個不同組成區域及/或層將使用欲形成於其上方之一包含光阻圖案以某一方式加以處理。僅舉例而言，該等處理可包含蝕刻、離子植入及/或氣體擴散或其他處理。此外，額外材料可係所收納之中間基板12及第一光阻14，例如一個或多個抗反射塗層及/或硬遮罩層。
參照圖2及3，第一光阻14已經圖案化以在例如圖3所繪示之橫截面之至少一個橫截面(意指在一直線上)中形成間隔開之第一遮掩罩16。在所圖解說明之實例中，該等間隔開之第一遮掩罩顯示為包含細長線，但本發明亦涵蓋任一替代遮罩圖案。舉例而言，可相對於該第一光阻替代或另外圖案化一系列封閉開口。出於繼續論述之目的，間隔開之第一遮掩罩16可視為在於一個橫截面中之第一遮掩罩16之毗鄰者之間具有橫向尺寸A及間距B。該等橫向尺寸中之某些或所有橫向尺寸可彼此相等或無橫向尺寸相等。此外，該等第一遮掩罩之毗鄰者之間的間距中之某些或所有間距可彼此相等或無間距相等。同樣，該等間距及尺寸中之某些或所有間距及尺寸可彼此相等或無間距及尺寸相等。
參照圖4，第一遮掩罩16已曝露至一含氟電漿，從而在第一遮掩罩16之最外表面周圍有效地形成一含氫及氟有機聚合物塗層18。此一塗層可作為一層沈積於遮掩罩16上方，及/或由罩16之外部材料轉變從而不依賴於向罩16添加厚度形成塗層18而產生。無論如何，可在基板10收納於其內之一室內及遠離基板10收納於其內之室之一處或兩處產生含氟電漿。若電漿產生發生在基板收納於其中之一室內，則此可(例如)包括一感應耦合式電漿產生反應器或一電容耦合式電漿產生反應器。亦可使用其他現有或仍欲開發之電漿系統。可用於形成含氟電漿之實例氣體包括氟碳化物(即CF4 、C4 F6 、C4 F8 )、氫氟碳化物(即CH2 F2 、CHF3 )及NF3 中之至少一者，該實例氣體包括其任何混合物。亦可添加惰性氣體。在一感應耦合式反應器中，實例參數包括自約1mTorr或至約20mTorr之壓力，自約0℃至約110℃之基板溫度，自約150瓦至約800瓦之源功率及小於或等於約50伏之偏壓電壓。含氟氣體進入至該反應器中之一實例總流動速率係自約20sccm至約150sccm。在一更具體實例中，CF4 及CH2 F2 兩者皆流入至該反應器中，舉例而言，CF4 自約20sccm至約120sccm且CH2 F2 自約5sccm至約25sccm。O2 亦可與或可不與該等氣體一起用於形成該含氟電漿。一實例O2 流動速率係自0sccm至約10sccm。
曝露至該含氟電漿之可改變或可不改變一個橫截面中之第一遮掩罩16之橫向尺寸，且可改變或可不改變該一個橫截面中之第一遮掩罩16之毗鄰者之間的間距。圖4繪示其中該曝露尚未改變尺寸A或間距B之一實施例。圖5繪示圖4所示基板之一替代實施例基板10a。已利用來自該第一所描述實施例之相似編號，其中差別係以後綴「a」指示。在圖5中，該等第一遮掩罩至一含氟電漿之曝露已藉由增加尺寸A及減少間距B改變了尺寸A及間距B。僅在以上實例製程中舉例而言，處於所述1mTorr至20mTorr範圍之較高端之壓力組合處於所述5sccm至25sccm範圍之較高端之流動CH2 F2 往往將增加尺寸A且減小間距B。
參照圖6，將一第二光阻20沈積於收納於第一遮掩罩16周圍之含氫及氟有機聚合物塗層18上方且使其與該含氫及氟有機聚合物塗層直接實體觸摸接觸。第一光阻14與第二光阻20可具有相同或不同組成。此外，第一光阻14與第二光阻20在正負方面可具有相同或不同類型。換言之，第一光阻16與第二光阻20兩者皆可係負、兩者皆可係正，或一個可係正而另一個係負。藉助含氫及氟有機聚合物塗層18形成第一遮掩罩16與第二光阻20之沈積之時間之間的基板無需曝露至任一烘烤或曝露至任一液體。在塗層18之形成與第二光阻20之沈積之間，在一個實施例中該基板無至烘烤之任一曝露，且在一個實施例中無至液體(除第二光阻外)之任一曝露。
參照圖7及8，第二光阻20已曝露至一光化能圖案，且此後經處理以在一個橫截面中形成包括第二光阻20且對應於該光化能圖案之間隔開之第二遮掩罩22。第一遮掩罩及第二遮掩罩16及22共同組成基板10上之一包含光阻圖案25，且其可用於處理其下基板材料。僅舉例而言，產生圖3及8圖案之實例處理包括透過合適之遮罩/光刻版曝露至光化能，後跟隨後溶劑處理。舉例而言，一合適之經光圖案化之光阻層可曝露至合適之顯影劑(即氫氧化四甲銨[TMAH])及清洗溶液(即丙二醇單甲醚乙酸酯[PGMEA]及/或丙二醇甲醚[PGME])以產生圖3及圖8構造。曝露至含氟電漿來產生塗層18保護或凍結下伏光阻以使其在隨後曝露至此等(及其他)顯影劑及清洗材料時不受化學或物理襲擊。藉此，可實施用於產生圖8及9構造之圖6中所沈積第二光阻20之圖案化，而不明顯地改變第一遮掩罩16，如在圖7及8中所繪示。
例如且僅舉例而言，可藉由蝕刻或離子植入來隨後處理位於包含光阻圖案25下方之基板材料12。圖9繪示一個實施例，其中在蝕刻至在高程上收納於第一光阻14內之基板12之材料中時，已將包含光阻遮罩圖案25用作一蝕刻遮罩。在一個實施例中，在形成圖4之經塗佈之第一遮掩罩16與形成圖7及8之第二遮掩罩22之時間之間，此處理不蝕刻在高程上收納於第一光阻14內之任一基板材料。
圖7及8繪示其中該等第二遮掩罩係與在一個橫截面中之該等第一遮掩罩間隔開之一實施例。當然本發明涵蓋替代實施例。舉例而言，圖10以俯視圖繪示圖7所示基板之一替代實施例基板10b。已在適當處利用了來自該第一所描述實施例之相似編號，其中差別係以後綴「b」或以不同編號指示。在圖10中，僅舉例而言，已相對於第一遮掩罩16正交地形成第二遮掩罩22b。遮掩罩16及22b可視為已相對於任何一個共同橫截面且於該橫截面中形成，例如圖10中之線23所繪示之一橫截面。
圖10僅提供其中該等第二遮掩罩之一部分係在高程上收納於該一個橫截面中之該等第一遮掩罩頂上之一個實例。本發明亦涵蓋該等構造之替代構造。舉例而言，圖11圖解說明另一替代實施例基板10c。已在適當處利用了來自上述實施例之相似編號，其中差別係以後綴「c」或以不同編號指示。圖11繪示在至少一個橫截面(即橫截面31)中具有間隔開之第一遮掩罩16c以形成所繪示之開口27之一經圖案化之第一光阻14c。第二光阻20c已經圖案化以在該一個橫截面中形成間隔開之第二遮掩罩22c從而形成與第一光阻14c中之開口27交疊之圓形開口28。藉此，相應圓27與28之相交/交疊區29界定一包含光阻圖案在基板上，可透過該圖案處理第一光阻14c下方之材料。
接下來參照圖12及13描述形成一包含光阻圖案在一基板上之方法之額外實施例。圖12比較圖4所示基板繪示作為圖3基板之替代處理之結果形成之一替代實施例基板片段10d。在適當處利用來自該第一所描述實施例之相似編號，其中差別係以後綴「d」指示。在圖12中，圖3之基板已放置於一合適之室內，且第一遮掩罩16d之第一光阻14d已經蝕刻以減小其在圖3之相同所繪示橫截面中之個別寬度A。在一個實施例中，該蝕刻包含電漿蝕刻。無論如何，圖12顯示其中該蝕刻亦減少第一遮掩罩16d在基板材料12上方之高程之一實施例，亦顯示其中較第一遮掩罩16d之高程該蝕刻減小更多寬度之一個實施例。
僅舉例而言，可在感應耦合式反應器內藉由電漿蝕刻獲得圖12構造。將達成經圖案化之第一光阻14之實質各向同性蝕刻(意指自該等所繪示第一光阻之頂部及側中之每一者之相等移除)之實例蝕刻參數係自約2mTorr至約50mTorr之壓力、自約0℃至約110℃之基板溫度、自約150瓦至約500瓦之源功率及小於或等於約25伏之偏壓電壓。在一個實施例中，蝕刻包含將一蝕刻氣體注入至該室中，其中一實例蝕刻氣體係自約20sccm至約100sccm之Cl2 與自約10sccm至約50sccm之O2 之一組合。此將以自約0.2奈米每秒至約3奈米每秒之一速率各向同性地蝕刻第一光阻14，從而產生實例14d/16d構造。雖然此一實例蝕刻實質上係各向同性，但圖12中之第一光阻14已發生了較大橫向蝕刻，乃因與僅一單個上表面相比較，橫向曝露了光阻之兩個側。
若與垂直蝕刻相比較期望甚至更多橫向蝕刻，則在一感應耦合式反應器中實例參數範圍包括自約2mTorr至約20mTorr之壓力、自約150瓦至約500瓦之源功率、小於或等於約25伏之偏壓電壓、自約0℃至約110℃之基板溫度、自約20sccm至約100sccm之Cl2 及/或HBr流動，自約5sccm至約20sccm之O2 流動及自約80sccm至約120sccm之CF4 流動。此可以較一大致垂直或傾斜表面大之一速率蝕刻一大致水平表面。
可期望以下情形：較自側所述蝕刻提供自所繪示第一光阻遮掩罩之頂部之更大移除，例如以達成相等高程及寬度減小或較寬度減小多的高程。與橫向方向相對，用於在垂直方向上達成較大蝕刻速率之實例參數包括自約2mTorr至約20mTor之壓力，自約0℃至約110℃之溫度，自約150瓦至約300瓦之源功率、大於或等於約200伏之偏壓電壓、自約20sccm至約100sccm之Cl2 及/或HBr流動及自約10sccm至約20sccm之O2 流動。
參照圖13，圖12之具有間隔開之遮掩罩16d之基板已曝露至一含氟電漿，從而該等在寬度減小之第一遮掩罩之最外表面周圍有效地形成一含氫及氟有機聚合物塗層18d。此在圖12之蝕刻發生之恰好相同室內且此蝕刻後發生。因此且在一個實施例中，此係在該基板不在圖12蝕刻之時間與曝露至含氟電漿之時間之間自該室移除之情形下就地進行。可進行上文參照含氟電漿曝露所述處理中之任一者以產生實例圖13實施例。因此，此電漿可在室內或遠離室產生。在某些實施例中，該曝露包含將一含氟氣體而非蝕刻氣體注入至該室中。在一個此實施例中，可在起始含氟氣體之注入之前停止蝕刻氣體之注入，且在另一實施例中，不在起始含氟氣體之注入之前停止蝕刻氣體之注入。例如且僅舉例而言，蝕刻氣體可在含氟氣體之流動時及期間繼續餵入至該室中，其中該蝕刻氣體之此繼續流動係低於、以或高於此蝕刻氣體在蝕刻行為期間之流動速率。
一第二光阻(未顯示)將沈積於收納於第一遮掩罩16d周圍之含氫及氟有機聚合物塗層18d上方。在一個實施例中，沈積該第二光阻使其與收納於第一遮掩罩16d周圍之含氫及氟有機聚合物塗層直接實體觸摸接觸，例如類似於圖6所繪示之處理。然後將圖案化該第二光阻以形成包含該第二光阻之間隔開之第二遮掩罩，其中該等第一遮掩罩及第二遮掩罩共同組成該基板上之一包含光阻圖案。因此，可進行如上文在此方面所述之處理。
第一遮掩罩藉以首先經受蝕刻行為以至少減小其個別寬度且然後曝露至一含氟電漿以形成塗層之如上所述之處理較先前技術處理方法可達成對寬度減小且藉此對遮掩罩之最終臨界尺寸或寬度及其間間距之更好控制。然而，本發明之某些實施例亦囊括將以上實施例中之任一者之實例第一遮掩罩曝露至一電漿，該電漿同時包含一反應組份及除該反應組份外之一含氟組份，該反應組份修改在該一個橫截面中之該等第一遮掩罩之個別寬度，該含氟組份在該等寬度經修改之第一遮掩罩之最外表面周圍形成一含氫及氟有機聚合物塗層。曝露至此電漿可減小在該一個橫截面中之該等第一遮掩罩之個別寬度，或增加該等第一遮掩罩及該一個橫截面之個別寬度。用於減小該等個別寬度之一實例此反應組份可得自O2 與Cl2 及HBr中之至少一者，該反應組份包括其混合物。用於增加該等個別寬度之一實例此反應組份可得自C2 H4 。實例含氟組份係上文所述之彼等含氟組份，且組合其他運作參數以足夠量提供以達成該形成含氫及氟有機聚合物塗層之所述行為。用於此之實例參數範圍包括如上文所述之彼等參數範圍中之任一者。
然後將一第二光阻沈積於收納於該等第一遮掩罩周圍之該含氫及氟有機聚合物塗層上方，例如如上文所述。在一個實施例中，沈積該第二光阻使其與收納於該等第一遮掩罩周圍之該含氫及氟有機聚合物塗層直接實體觸摸接觸。僅舉例而言，可藉由將該等第一間隔開之遮掩罩曝露至一電漿來製作上文所繪示及所描述實施例中之任一者，該電漿包含修改寬度之所述反應組份及形成電漿塗層之含氟組份兩者。
參照一基板10e參照圖14-29描述形成一包含光阻圖案在一基板上之額外實施例方法。已在適當處利用了來自上述實施例之相似編號，差別係以後綴「e」或以不同編號指示。圖14及15繪示其上方形成有第一光阻14e之一基板40。實例基板40包含基板材料42、形成於其上方之一蝕刻終止層44及收納於蝕刻終止層44上方之一欲蝕刻材料46。在一個實例中，材料46可係導電材料，包括導電線路或內部連線將由其形成之導電摻雜半導體材料。第一光阻14e可如上文參照第一光阻14之實施例中之任一者中所述。此 外，一個或多個抗反射塗層層及/或硬遮罩層(未顯示)可收納於第一光阻14e與基板40之間。基板42包含類似於上述實施例中基板12之材料的之任一下伏基板材料。出於繼續論述之目的，在一個實施例中，第一光阻14e包含一平面的在高程上最外表面48。在一個實施例中，且如圖所示，基板40僅在第一光阻40於其上形成之前具有一非平面的在高程上最外表面47，其中此係由基板40中所繪示之溝道50來例示。
參照圖16，第一光阻14e已曝露至一含氟電漿，從而平面的在高程上最外表面48上有效地形成一含氫及氟有機聚合物塗層18e。用以形成塗層18e之至一含氟電漿之實例曝露包括上文在塗層18's之形成中所述之彼等實例曝露中之任一者。
參照圖17，將一第二光阻20沈積於收納於第一光阻14e之平面的在高程上最外表面48上之含氫及氟有機聚合物塗層18e上方且使其與該含氫及氟有機聚合物塗層直接實體觸摸接觸。實例第二光阻20e包括上文參照光阻20's所述之彼等實例第二光阻中之任一者。
參照圖18-20，第二光阻20e已經圖案化以在至少一個橫截面(即圖19所處之橫截面)中形成包含第二光阻20e之間隔開之遮掩罩55。已進行此處理終止於含氫及氟有機聚合物塗層18e上。用於進行此處理之實例技術包括曝露至作為一顯影劑之TMAH，在之前或之後與藉助PGMEA或PGME中之一者或兩者之清洗組合。含氫及氟有機聚合物塗層18e有效地保護下伏材料免受蝕刻，且藉此服務於一蝕刻終止功能/能力。
參照圖21-23，收納於間隔開之遮掩罩55之間的含氫及氟有機聚合物18e以及收納於間隔開之遮掩罩55之間於其下之第一光阻14e已蝕刻至材料46。間隔開之遮掩罩55在此蝕刻期間已用作一遮罩，且藉此形成一包含光阻圖案60在基板10e上，包含光阻圖案60包含收納於含氫及氟有機聚合物18e上方之第二光阻20e，含氫及氟有機聚合物18e係收納於第一光阻14e上方。用於透過一含氫及氟有機聚合物18e以及透過光阻14e進行各向異性蝕刻之一實例電漿蝕刻化學品包括CF4 組合He及O2 中之至少一者。
圖24-26繪示在相對於蝕刻終止層44選擇性地蝕刻所曝露之基板材料46時使用包含光阻圖案60作為一蝕刻遮罩。雖然已相對於一蝕刻功能描述了該實施例，但本發明亦涵蓋離子植入或其他處理，無論該處理係現有或使用一包含光阻圖案(諸如圖案60)仍欲開發。
圖27-29繪示包含光阻圖案60(不顯示)之隨後移除。
10．．．基板
10b．．．基板
10c．．．基板
10d．．．基板
10e．．．基板
12．．．基板
14．．．第一光阻
14c．．．第一光阻
14d．．．第一光阻
14e．．．第一光阻
16．．．第一遮掩罩
16c．．．第一遮掩罩
16d．．．第一遮掩罩
18．．．含氫及氟有機聚合物塗層
18a．．．含氫及氟有機聚合物塗層
18d．．．含氫及氟有機聚合物塗層
18e．．．含氫及氟有機聚合物塗層
20．．．第二光阻
20c．．．第二光阻
20e．．．第二光阻
22．．．第二遮掩罩
22b．．．第二遮掩罩
22c．．．第二遮掩罩
25．．．包含光阻圖案
27．．．開口
28．．．圓形開口
29．．．相交/交疊區
40．．．基板
42．．．基板材料
44．．．蝕刻終止層
46．．．欲蝕刻材料
47．．．非平面的在高程上最外表面
48．．．平面的在高程上最外表面
50．．．溝道
55．．．遮掩罩
60．．．圖案
圖1係一基板在根據本發明之一實施例之製程中之一圖解截面圖。
圖2係圖1基板在繼圖1所示處理後之一處理下之一俯視圖。
圖3係透過圖2中之線3-3截取之一截面圖。圖4係圖3基板在繼圖3所示處理後之一處理下之一視圖。
圖5係圖4所示基板之一替代實施例基板之一視圖。圖6係圖4基板在繼圖4所示處理後之一處理下之一視圖。
圖7係圖6基板在繼圖6所示處理後之一處理下之一俯視圖。
圖8係透過圖7中之線8-8截取之一截面圖。圖9係圖8基板在繼圖8所示處理後之一處理下之一視圖。
圖10係圖7所示基板之一替代實施例基板之一俯視圖。
圖11係圖7及圖10之基板之另一替代實施例基板之一俯視圖。
圖12係另一替代實施例基板在繼圖3所示處理後之一處理下之一視圖。
圖13係圖12基板在繼圖12所示處理後之一處理下之一視圖。
圖14係另一替代實施例基板在根據本發明之一實施例之製程中之一圖解等角視圖。
圖15係透過圖14中之線15-15截取之一截面圖。
圖16係圖15基板在繼圖15所示處理後之一處理下之一視圖。
圖17係圖16基板在繼圖16所示處理後之一處理下之一視圖。
圖18係圖17基板在繼圖17所示處理後之一處理下之一圖解等角視圖。
圖19係透過圖18及20中之線19-19截取之一截面圖。
圖20係圖18之一俯視圖。
圖21係圖18基板在繼圖18所示處理後之一處理下之一視圖。
圖22係透過圖21及23中之線22-22截取之一截面圖。
圖23係圖21之一俯視圖。
圖24係圖21基板在繼圖21所示處理後之一處理下之一視圖。
圖25係透過圖24及26中之線25-25截取之一截面圖。
圖26係圖24之一俯視圖。
圖27係圖24基板在繼圖24所示處理後之一處理下之一視圖。
圖28係透過圖27及29中之線28-28截取之一截面圖。
圖29係圖27之一俯視圖。
10e．．．基板
40．．．基板
42．．．基板材料
44．．．蝕刻終止層
46．．．欲蝕刻材料
50．．．溝道

Claims (38)

  1. 一種形成一包含光阻圖案在一基板上之方法，其包含：在一基板上方形成一經圖案化之第一光阻，該經圖案化之第一光阻在至少一個橫截面中包含間隔開之第一遮掩罩；將該等第一遮掩罩曝露至一含氟電漿，從而在該等第一遮掩罩之最外表面周圍形成一含氫及氟有機聚合物塗層；將一第二光阻沈積於收納於該等第一遮掩罩周圍之該含氫及氟有機聚合物塗層上方且與使其與該含氫及氟有機聚合物塗層直接實體觸摸接觸；及將與該含氫及氟有機聚合物塗層直接實體觸摸接觸之該第二光阻曝露至一光化能圖案，且此後在該一個橫截面中形成包含該第二光阻且對應於該光化能圖案之間隔開之第二遮掩罩，該等第一遮掩罩及第二遮掩罩共同組成該基板上之一包含光阻圖案。
  2. 如請求項1之方法，其中該等第二遮掩罩係與該一個橫截面中之該等第一遮掩罩間隔開。
  3. 如請求項1之方法，其中該等第二遮掩罩之至少一部分係在高程上收納於該一個橫截面中之該等第一遮掩罩頂上。
  4. 如請求項1之方法，其中該等間隔開之第一遮掩罩在該曝露之前在於該一個橫截面中之該等第一遮掩罩之毗鄰者之間具有橫向尺寸及間距，該曝露不改變該等尺寸及 該等間距。
  5. 如請求項1之方法，其中該等間隔開之第一遮掩罩在該曝露之前在於該一個橫截面之該等第一遮掩罩之毗鄰者之間具有橫向尺寸及間距，該曝露改變該等尺寸及該等間距。
  6. 如請求項1之方法，其中該第一光阻與該第二光阻具有相同組成。
  7. 如請求項1之方法，其中該第一光阻與該第二光阻具有不同組成。
  8. 如請求項1之方法，其中該第一光阻與該第二光阻在正負方面具有相同類型。
  9. 如請求項8之方法，其中該第一光阻及該第二阻為正類型。
  10. 如請求項8之方法，其中該第一光阻及該第二阻為負類型。
  11. 如請求項1之方法，其中該第一光阻與該第二光阻在正負方面具有不同類型。
  12. 如請求項1之方法，其包含在此蝕刻期間使用該包含光阻圖案作為一蝕刻遮罩來蝕刻在高程上收納於該第一光阻內之基板材料。
  13. 如請求項12之方法，在形成包含該塗層之該等第一遮掩罩與形成該等第二遮掩罩之間不蝕刻在高程上收納於該第一光阻內之任一基板材料。
  14. 如請求項1之方法，在該含氫及氟有機聚合物塗層之形 成與第二光阻之該沈積之間，無該基板至烘烤之任一曝露。
  15. 如請求項1之方法，在該含氫及氟有機聚合物塗層之形成與第二光阻之該沈積之間，無該基板至液體之任一曝露。
  16. 一種形成一包含光阻圖案在一基板上之方法，其包含：在一基板上方形成一經圖案化之第一光阻，該經圖案化之第一光阻在至少一個橫截面中包含間隔開之第一遮掩罩；在一室內，蝕刻該等第一遮掩罩以減小其在該一個橫截面中之個別寬度；在該室內且在該蝕刻後，將該等間隔開之第一遮掩罩曝露至一含氟電漿，從而在該等寬度減小之第一遮掩罩之最外表面周圍形成一含氫及氟有機聚合物塗層，在該蝕刻與該曝露之間不將該基板自該室移除；將一第二光阻沈積於收納於該等第一遮掩罩周圍之該含氫及氟有機聚合物塗層上方；及圖案化該第二光阻以在該一個橫截面中形成包含該第二光阻之間隔開之第二遮掩罩，該等第一遮掩罩及第二遮掩罩共同組成該基板上之一包含光阻圖案。
  17. 如請求項16之方法，其中沈積該第二光阻使其與收納於該等第一遮掩罩周圍之該含氫及氟有機聚合物塗層直接實體觸摸接觸。
  18. 如請求項16之方法，其包含使用一氣體形成該含氟電 漿，該氣體包含氟碳化物、氫氟碳化物及NF3 中之至少一者，該氣體包括其任何混合物。
  19. 如請求項16之方法，其中該蝕刻亦減小該等第一遮掩罩之高程。
  20. 如請求項19之方法，其中較該等第一遮掩罩之高程該蝕刻減小更多寬度。
  21. 如請求項19之方法，其中較該等第一遮掩罩之寬度該蝕刻減小更多高程。
  22. 如請求項19之方法，其中該蝕刻減小該等第一遮掩罩之相等的寬度及高程。
  23. 如請求項16之方法，其中該蝕刻包含將一蝕刻氣體注入至該室中，且該曝露包含將除該蝕刻氣體外之一含氟氣體注入至該室中，該蝕刻氣體之該注入係在起始該含氟氣體之該注入之前停止。
  24. 如請求項16之方法，其中該蝕刻包含將一蝕刻氣體注入至該室中，且該曝露包含將除該蝕刻氣體外之一含氟氣體注入至該室中，該蝕刻氣體之該注入在起始該含氟氣體之該注入之前不停止。
  25. 如請求項16之方法，其中該蝕刻包含電漿蝕刻。
  26. 如請求項16之方法，其中該含氟電漿包含在該室內之電漿產生。
  27. 如請求項16之方法，其中該含氟電漿包含遠離該室之電漿產生。
  28. 一種形成一包含光阻圖案在一基板上之方法，其包含： 在一基板上方形成一經圖案化之第一光阻，該經圖案化之第一光阻在至少一個橫截面中包含間隔開之第一遮掩罩；將該等間隔開之第一遮掩罩曝露至一電漿，該電漿同時包含一反應組份及除該反應組份外之一含氟組份，該反應組份修改該一個橫截面中之該等第一遮掩罩之個別寬度，該含氟組份在該等寬度經修改之第一遮掩罩之最外表面周圍形成一含氫及氟有機聚合物塗層；將一第二光阻沈積於收納於該等第一遮掩罩周圍之該含氫及氟有機聚合物塗層上方；及圖案化該第二光阻以在該一個橫截面中形成包含該第二光阻之間隔開之第二遮掩罩，該等第一遮掩罩及第二遮掩罩共同組成該基板上之一包含光阻圖案。
  29. 如請求項28之方法，其中該曝露減小該一個橫截面中之該等第一遮掩罩之個別寬度。
  30. 如請求項28之方法，其中該曝露增加該一個橫截面中之該等第一遮掩罩之個別寬度。
  31. 如請求項28之方法，其中沈積該第二光阻使其與收納於該等第一遮掩罩周圍之該含氫及氟有機聚合物塗層直接實體觸摸接觸。
  32. 如請求項28之方法，其中該反應組份係得自O2 與Cl2 及HBr中之至少一者，該反應組份包括其混合物。
  33. 如請求項第28項之方法，在該含氫及氟有機聚合物塗層之形成與第二光阻之該沈積之間，無該基板至烘烤之任 一曝露。
  34. 一種形成一包含光阻圖案在一基板上之方法，其包含：在一基板上方形成一第一光阻，該第一光阻具有一平面的在高程上最外表面；將該第一光阻曝露至一含氟電漿，從而在該平面的在高程上最外表面上形成一含氫及氟有機聚合物塗層；將一第二光阻沈積於收納於該第一光阻之該平面的在高程上最外表面上之該含氫及氟有機聚合物塗層上方且使其與該含氫及氟有機聚合物塗層直接實體觸摸接觸；圖案化該第二光阻以在至少一個橫截面中形成包含該第二光阻之間隔開之遮掩罩，該圖案化包含蝕刻該第二光阻至終止於該含氫及氟有機聚合物塗層上；及在於該含氫及氟有機聚合物塗層上終止該蝕刻後，使用該等間隔開之遮掩罩作為一遮罩蝕刻收納於該等間隔開之遮掩罩之間的該含氫及氟有機聚合物塗層及位於該等間隔開之遮掩罩之間於其下之該第一光阻，以在該基板上形成包含收納於該含氫及氟有機聚合物塗層上方之該第二光阻之一包含光阻圖案，該含氫及氟有機聚合物塗層收納於該第一光阻上方。
  35. 如請求項34之方法，其中該基板僅在形成該第一光阻之前具有一非平面的在高程上最外表面。
  36. 如請求項34之方法，其中該第一光阻與該第二光阻具有不同組成。
  37. 如請求項34之方法，其中該第一光阻與該第二光阻在正 負方面具有不同類型。
  38. 如請求項34之方法，其包含使用一氣體形成該含氟電漿，該氣體包含氟碳化物、氫氟碳化物、NF3 及N2 中之至少一者，該氣體包括其任何混合物。
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