TWI453562B - 定位系統、微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

Description

定位系統、微影裝置及元件製造方法

本發明係關於一種定位系統、微影裝置及用於製造元件之方法。

微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化元件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。習知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化元件轉印至基板。

圖2揭示用以定位台WT之定位系統PW，台WT可在(例如)真空腔室3內藉由平面馬達而為可移動的。平面馬達包括定子2及平移器35以在至少X、Y及Rz方向上且(在需要時)亦在Z、Rx及Ry方向上定位台WT。在X、Y及Rz方向上粗略定位機構(平面馬達)之反作用力傳輸至第一平衡質量6。第一平衡質量6在軸承5上為可移動的，軸承5允許第一平衡質量6在X、Y及Rz方向上相對於基底板BP而移動，且不允許在Z、Rx及Ry方向上相對於基底板BP而移動(亦即，經堅硬地耦接)。在精細定位機構1之所有自由度中之反作用力施加於平移器35上且轉移至第一平衡質量6。第一平衡質量6之質量中心與物件台WT之質量中心係在Z方向上之不同位置處，Z方向垂直於X及Y方向。質量中心之差的結果為：當平面馬達將在X及/或Y方向上之水平力施加至物件台WT時，分別圍繞Y及/或X軸之轉矩產生於第一平衡質量6中。因為平衡質量6係藉由軸承5而堅硬地耦接至在Rx及Ry方向上之基底板BP，所以此轉矩轉移至基底板BP。轉矩可導致基底板BP中之振動，此劣化定位系統或內部可使用定位系統之微影裝置的機能。

需要提供一種定位系統，其中最小化由自平衡質量轉移至基底板之轉矩所導致的振動。

在根據本發明之一實施例中，提供一種用以定位支撐件之定位系統，定位系統包括：第一致動器，第一致動器經組態以將致動力施加於支撐件上，第一致動器耦接至經建構及配置以吸收由第一致動器所產生之致動力引起之反作用力的第一平衡質量；及控制器及第二致動器，第二致動器經建構及配置以施加補償力以補償由第一致動器施加於第一平衡質量上之致動力所導致的轉矩。

在本發明之一實施例中，提供一種微影裝置，微影裝置包括：照明系統，照明系統經組態以調節輻射光束；圖案化元件支撐件，圖案化元件支撐件經建構以支撐圖案化元件，圖案化元件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板支撐件，基板支撐件經建構以固持基板；投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上；及定位系統，定位系統經建構及配置以定位支撐件中之至少一者，定位系統包括：第一致動器，第一致動器經組態以將致動力施加於支撐件上，第一致動器耦接至經建構及配置以吸收由第一致動器所產生之致動力引起之反作用力的第一平衡質量；及控制器及第二致動器，第二致動器經建構及配置以施加補償力以補償由第一致動器施加於第一平衡質量上之致動力所導致的轉矩。

在本發明之另一實施例中，提供一種元件製造方法，元件製造方法包括：將由輻射敏感材料層所至少部分地覆蓋之基板提供於基板支撐件上；將圖案化元件提供於圖案化元件支撐件上；將經圖案化輻射光束投影至輻射敏感材料層上；及定位支撐件中之至少一者，定位包括：在第一平衡質量與支撐件之間施加第一力，第一力相對於第一平衡質量來移動支撐件；及可控制地施加第二力以補償由第一平衡質量與支撐件之質量中心之位置差所導致的轉矩。

現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。

圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他適當輻射)；圖案化元件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化元件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化元件之第一定位元件PM。裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或「基板支撐件」，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位元件PW。裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化元件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。

照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。

圖案化元件支撐件以視圖案化元件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化元件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化元件。圖案化元件支撐件可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。圖案化元件支撐件可確保圖案化元件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語「主光罩」或「光罩」之任何使用均與更通用之術語「圖案化元件」同義。

本文所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之元件(諸如，積體電路)中的特定功能層。

圖案化元件可為透射或反射的。圖案化元件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於鏡面矩陣所反射之輻射光束中。

本文所使用之術語「投影系統」應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、折射反射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語「投影透鏡」之任何使用均與更通用之術語「投影系統」同義。

如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。

微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台或「基板支撐件」(及/或兩個或兩個以上光罩台或「光罩支撐件」)的類型。在該等「多平台」機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。

微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術可用以增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語「浸沒」不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。

參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。

照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。

輻射光束B入射於被固持於圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化元件(例如，光罩)MA上，且由圖案化元件圖案化。在橫穿圖案化元件(例如，光罩)MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位元件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位元件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位圖案化元件(例如，光罩)MA。一般而言，可借助於形成第一定位元件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或「基板支撐件」之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化元件(例如，光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化元件(例如，光罩)MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。

所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：

1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT或「基板支撐件」在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。

2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」及基板台WT或「基板支撐件」(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或「基板支撐件」相對於圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單重動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。

3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT或「光罩支撐件」保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化元件，且移動或掃描基板台WT或「基板支撐件」。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或「基板支撐件」之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化元件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化元件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。

第二定位系統PW或第一定位系統PM或兩者包括第一致動器，第一致動器經組態以將力施加於圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT及/或基板支撐件WT上，第一致動器連接至第一平衡質量，第一平衡質量經建構及配置以吸收致動器之反作用力，其中第一平衡質量及支撐件具有質量中心，質量中心之位置在垂直於移動方向之方向上不同，且定位系統包括控制器及第二致動器，第二致動器經建構及配置以補償由第一平衡質量與圖案化元件支撐件(例如，光罩台MT)及/或基板支撐件WT之質量中心之位置差所導致的轉矩。

圖3揭示經組態以定位基板支撐件(例如，晶圓台)WT之定位系統PW，然而，定位系統PW亦可用以移動圖案化元件支撐件(例如，光罩台)MT。基板支撐件WT係由平面馬達移動，平面馬達具有提供至第一平衡質量6之磁鐵板及提供至基板支撐件WT之線圈系統。平面馬達將力F1施加於基板支撐件WT上，此使基板支撐件WT在方向11上移動，此力亦在第一平衡質量6上形成反作用力F1。因為第一平衡質量6具有在晶圓台WT之質量中心15下方之距離h1處的質量中心13，所以力F1在基底框架BF上形成轉矩，其在離基底框架BF之質量中心之距離h2處具有量值F1*h1之力F2。為了補償此轉矩，提供控制器CNT，控制器CNT經由連接件17而連接至平面馬達，使得其具備表示由平面馬達所形成之力F1之量、方向及位置的信號。控制器包括針對由第一致動器所施加之致動力之量的輸入，及經建構及配置以基於致動力而計算補償力的計算器。由計算器所計算且由第二致動器所產生之補償力產生轉矩，轉矩補償由第一平衡質量與基板支撐件WT之質量中心之位置差所導致的轉矩。本文所使用之術語「補償力」可涵蓋由致動器實際地所產生之力，以及由施加力引起之轉矩。控制器CNT計算力F2a及F2b，力F2a及F2b經由電連接件23而可由第二致動器21施加於第二平衡質量M上而以使得基底框架BF上之合成施加轉矩具有與具有量值h1*F1之干擾轉矩相等之量值但相反之正負號的方式來補償轉矩。為了確保除了補償轉矩以外不施加淨力，F2a必須等於F2b。控制器CNT基於第二致動器可施加補償力之方向及位置而計算補償力，使得補償轉矩。在本發明之第一實施例中，第二致動器21在線性方向上移動第二平衡質量。

圖3揭示定位系統，其中補償由在方向11上基板支撐件WT之加速所導致的轉矩。因為平面馬達可用於在兩個方向上之移動，所以定位系統亦可經建構及配置用於補償在兩個方向上之轉矩。第二致動器及第二平衡質量(除了所描繪之兩者以外)可經建構及配置以補償由在大體上垂直於由11所描繪之方向之方向上基板支撐件WT之加速所導致的轉矩。定位系統可接著具備三個或四個第二致動器及平衡質量。藉由在一方向上同時移動第二平衡質量，定位系統亦可補償在重力方向上之力。

圖4揭示根據本發明之一實施例的定位系統。此實施例針對相同參考數字而類似於圖3之實施例。根據圖4所示之本發明之實施例，控制器CNT連接至第二致動器211，第二致動器211在旋轉方向上驅動第二平衡質量M2。致動器旋轉第二平衡質量M2，以便形成轉矩以補償基底框架BF之由平面馬達施加於晶圓台WT及第一平衡質量6上之力F1所導致的轉矩。

圖5揭示根據本發明之一實施例的定位系統。圖4之實施例針對相同參考數字而類似於圖3之實施例。根據圖5所示之本發明之實施例，第二致動器21在第一平衡質量6與第二平衡質量M之間施加補償力。由第二致動器21所施加之補償力可由控制器CNT計算。補償力等於F1*h1/h2，其中F1為致動力，h1為基板支撐件之質量中心與第一平衡質量6之質量中心之間的距離，且h2為第一平衡質量6之質量中心與第二平衡質量M之質量中心之間的距離。

圖6揭示根據本發明之一實施例的定位系統。此實施例針對相同參考數字而類似於圖3所示之實施例。在根據圖6所示之本發明之實施例中，由基板支撐件WT之重力中心相對於平衡質量6之位置失配引起的轉矩係藉由第二致動器212、214在地面層GF與基底框架BF之間施加補充力而加以補償。補償力可藉由下式進行計算：

h1*F1=l₁ *F214-l₂ *F212。

其中l₁ 、l₂ 分別為第一平衡質量6之質量中心與第二致動器214、212之間的距離。F214及F212為由第二致動器214、212所施加之補償力。為了使基底框架在其位置處保持穩定，補償力F214與F212之和應為零。地面層GF可具有有限硬度，且因此，可藉由使壓電致動器延長其長度而產生補償力，藉以應考慮到地面硬度。

圖7揭示根據本發明之一實施例的定位系統。此實施例針對相同參考數字而類似於圖3之實施例。根據圖7所示之實施例，第二平衡質量M係自基底框架BF懸掛，且第二致動器21可將補償力施加於第二平衡質量M上以補償轉矩。控制器CNT可基於重力中心h₁ 及h₂ 與致動力F1之間的距離而計算補償力。

根據本發明之一實施例，可藉由圖案化元件支撐件MT及其平衡質量所產生之抵消轉矩而補償由基板支撐件WT及其平衡質量6所產生之轉矩。可藉由視圖案化元件支撐件MT相對於基板支撐件WT之移動方向而將圖案化元件支撐件MT之平衡質量置放於支撐件MT自身略微上方或下方來達成此補償。

亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。舉例而言，有可能組合圖3、圖4、圖5、圖6及圖7之轉矩補償系統。

儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。

儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化元件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化元件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化元件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。

本文所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5nm至20nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。

術語「透鏡」在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。

儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。

以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。

1．．．精細定位機構

2．．．定子

3．．．真空腔室

5．．．軸承

6．．．第一平衡質量

11．．．方向

13．．．質量中心

15．．．質量中心

17．．．連接件

21．．．第二致動器

23．．．電連接件

35．．．平移器

211．．．第二致動器

212．．．第二致動器

214．．．第二致動器

AD．．．調整器

B．．．輻射光束

BD．．．光束傳送系統

BF．．．基底框架

BP．．．基底板

C．．．目標部分

CNT．．．控制器

CO．．．聚光器

F₁ ．．．致動力

F_2a ．．．力

F_2b ．．．力

GF．．．地面層

h₁ ．．．重力中心

h₂ ．．．重力中心

IF．．．位置感測器

IL．．．照明器

IN．．．積光器

l₁ ．．．第一平衡質量6之質量中心與第二致動器214之間的距離

l₂ ．．．第一平衡質量6之質量中心與第二致動器212之間的距離

M．．．第二平衡質量

M1．．．光罩對準標記

M2．．．光罩對準標記

MA．．．圖案化元件

MT．．．圖案化元件支撐件

P1．．．基板對準標記

P2．．．基板對準標記

PM．．．第一定位系統

PS．．．投影系統

PW．．．第二定位系統

SO．．．輻射源

W．．．基板

WT．．．基板台

X．．．方向

Y．．．方向

Z．．．方向

圖1描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；

圖2揭示包括藉由平面馬達而為可移動之台的定位系統，其中平衡質量與台具有在不同位置上之質量中心；

圖3揭示根據本發明之一實施例的定位系統；

圖4揭示根據本發明之一實施例的定位系統；

圖5揭示根據本發明之一實施例的定位系統；

圖6揭示根據本發明之一實施例的定位系統；且

圖7揭示根據本發明之一實施例的定位系統。

6．．．第一平衡質量

11．．．方向

13．．．質量中心

15．．．質量中心

17．．．連接件

21．．．第二致動器

23．．．電連接件

BF．．．基底框架

CNT．．．控制器

F₁ ．．．致動力

F_2a ．．．力

F_2b ．．．力

h₁ ．．．重力中心

M．．．第二平衡質量

Claims (17)

1. 一種用以定位一支撐件之定位系統，其包含：一第一致動器，經組態以將一致動力(actuation force)施加於該支撐件上，該第一致動器耦接至一第一平衡質量(balance mass)，該第一平衡質量經建構及配置以吸收由該第一致動器所產生之該致動力引起之一反作用力(reaction force)；及一控制器及一第二致動器，經建構及配置以施加一補償力(compensation force)以補償由該第一致動器施加於該第一平衡質量上之該致動力所導致的一轉矩(torque)。
2. 如請求項1之定位系統，其中該控制器及該第二致動器經建構及配置以補償由該第一平衡質量與該支撐件之一質量中心之一位置差所導致的一轉矩。
3. 如請求項2之定位系統，其中該第一平衡質量與該支撐件之該質量中心在一第一方向上具有一位置差，且該第一致動器經建構及配置以在垂直於該第一方向之一方向上施加該致動力。
4. 如請求項3之定位系統，其中該第一方向大體上平行於重力，且垂直於該第一方向之該方向大體上係在一水平平面中。
5. 如請求項1之定位系統，其中該第一致動器為一平面馬達，該平面馬達包括一磁鐵板及一線圈系統。
6. 如請求項5之定位系統，其中該磁鐵板提供至該第一平衡質量，且該線圈系統提供至該支撐件。
7. 如請求項1之定位系統，其中該定位系統包括一基底框架，該基底框架可移動地支撐該支撐件、該第一平衡質量及該第一致動器。
8. 如請求項1之定位系統，其中該第二致動器經建構及配置以將該補償力施加於一第二平衡質量上。
9. 如請求項8之定位系統，其中該第二致動器經組態以在該基底框架與支撐該基底框架之一地面層之間施加該補償力。
10. 如請求項7之定位系統，其中該第二平衡質量經組態為藉由該第二致動器而在一旋轉方向上致動以施加該補償轉矩。
11. 如請求項7之定位系統，其中該第二平衡質量係自該基底框架可移動地懸掛，且該第二致動器經組態以在該第二平衡質量與該基底框架之間施加該補償力。
12. 如請求項7之定位系統，其中該第二平衡質量係自該第一平衡質量可移動地懸掛。
13. 如請求項1之定位系統，其中該控制器包含：一輸入，該輸入表示由該第一致動器所施加之該致動力；及一計算器，該計算器經建構及配置以基於該致動力而計算該補償力。
14. 如請求項1之定位系統，其中該控制器經建構及配置以基於該致動力之一位置及方向以及該補償力之一位置及方向而計算該補償力。
15. 一種微影裝置，其包含： 一照明系統，經組態以調節一輻射光束；一圖案化元件支撐件，經建構以支撐一圖案化元件，其能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板支撐件，經建構以固持一基板；一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一定位系統，該定位系統經建構及配置以定位該等支撐件中之至少一者，該定位系統包括：一第一致動器，該第一致動器經組態以將一致動力施加於該支撐件上，該第一致動器耦接至一第一平衡質量，該第一平衡質量經建構及配置以吸收由該第一致動器所產生之該致動力引起之一反作用力；及一控制器及一第二致動器，該第二致動器經建構及配置以施加一補償力，以補償由該第一致動器施加於該第一平衡質量上之該致動力所導致的一轉矩。
16. 一種元件製造方法，其包含：將由一輻射敏感材料層所至少部分地覆蓋之一基板提供於一基板支撐件上；將一圖案化元件提供於一圖案化元件支撐件上；將一經圖案化輻射光束投影至該輻射敏感材料層上；及定位該等支撐件中之至少一者，該定位包括：在一第一平衡質量與該支撐件之間施加一第一力，該第一力相對於該第一平衡質量來移動該支撐件；及 可控制地施加一第二力以補償由該第一平衡質量與該支撐件之質量中心之一位置差所導致的一轉矩。
17. 如請求項16之方法，其中將該第二力施加於一第二平衡質量上。