TWI396057B - 微影裝置，平台系統及平台控制方法 - Google Patents

微影裝置，平台系統及平台控制方法 Download PDF

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Mauritius Gerardus Elisabeth Schneiders
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Description

微影裝置，平台系統及平台控制方法
本發明係關於一種微影裝置、一種平台系統及一種平台控制方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。習知微影裝置包括：所謂的步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在微影術中，使用控制系統來控制諸如基板平台(亦被稱作基板台或晶圓台)或支撐件(亦被稱作光罩台或光罩平台)之可移動部分之位置、速度、加速度及/或其他位置參數。在該等控制系統中，使用回饋控制迴路來提供控制系統之精確回應。此外，為了達成快速回應，可使用前饋，諸如，加速度前饋。該加速度前饋可提供所要力以移動所討論之平台或其他可移動部分，加速度前饋係藉由將所要加速度與平台或其他可移動部分之質量相乘而判定。然而，平台可能不會無限地硬(亦即，不為剛性本體)，且內部共振模式(諸如，撓曲模式)可對前饋起反應，藉此可能地導致平台在加速或減速期間變形。
在回饋迴路中，提供位置量測以判定平台之位置。然而，位置量測不發生於平台之與施加有致動器力之位置點相同的位置點處，其因此在平台之以上變形發生時導致位置誤差。為了能夠取消該誤差，可使用快動前饋(snap-feedforward)來施加額外力，其(幾乎)瞬時地提供平台之移動。在控制圖表示中，快動前饋可經提供作為平行於加速度前饋之額外前饋路徑，且經輸入有對應設定點信號。在此文件中，應將術語"快動"理解為加速度之雙時間導數(double time derivative)。藉由施加快動前饋，平台處之量測位置之點藉此更精確地對應於所要位置設定點。然而，變形尚未由此快動前饋取消。在減速階段中，可能發生相反效應，藉以可能在相反方向上引導變形。因此，儘管施加快動前饋，但平台之變形可能發生於動態情形中，且平台之藉由施加快動前饋之瞬時移動可將高頻分量加至平台之移動，且可在施加快動前饋時形成殘餘誤差。
需要改良平台之動態行為。
根據本發明之一實施例，提供一種微影裝置，微影裝置包括：照明系統，照明系統經組態以調節輻射光束；支撐件，支撐件經建構以支撐圖案化器件，圖案化器件能夠在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板台，基板台經建構以固持基板；投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上；及平台控制系統，平台控制系統用以回應於設定點信號來控制支撐件及基板台中之一者的位置，平台控制系統包括：回饋控制迴路，回饋控制迴路用以以回饋方式來控制位置，回饋控制迴路具有設定點輸入；及加速度前饋，加速度前饋用以產生待前饋至回饋控制迴路中之前饋信號，前饋信號係自設定點信號導出，其中平台控制系統經配置以將位置設定點信號修改成經修改位置設定點信號，回饋控制迴路之設定點輸入用以接收經修改位置設定點信號，經修改位置設定點信號用以考慮基板台及支撐件中之一者的非剛性本體行為。
在本發明之另一實施例中，提供一種用於微影裝置之平台系統，平台系統包括：可移動平台；及平台控制系統，平台控制系統用以回應於設定點信號來控制平台之位置，平台控制系統包括：回饋控制迴路，回饋控制迴路用以以回饋方式來控制位置，回饋控制迴路具有設定點輸入；及加速度前饋，加速度前饋用以產生待前饋至回饋控制迴路中之前饋信號，前饋信號係自設定點信號導出，其中平台控制系統經配置以將位置設定點信號修改成經修改位置設定點信號，回饋控制迴路之設定點輸入用以接收經修改位置設定點信號，經修改位置設定點信號用以考慮平台之非剛性本體行為。
根據本發明之另一實施例，提供一種用以回應於設定點信號來控制可移動平台之位置的微影裝置平台控制方法，方法包括：藉由具有設定點輸入之回饋控制迴路而以回饋方式來控制平台位置；及產生待前饋至回饋控制迴路中之前饋信號，前饋信號係自設定點信號導出，其中將位置設定點信號修改成經修改位置設定點信號，回饋控制迴路之設定點輸入用以接收經修改位置設定點信號，經修改位置設定點信號用以考慮平台之非剛性本體行為。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置。裝置包括：照明系統(照明器)IL，其經組態以調節輻射光束B(例如，UV輻射或任何其他適當輻射)；圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT，其經建構以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件之第一定位器件PM。裝置亦包括基板台(例如，晶圓台)WT或"基板支撐件"，其經建構以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板之第二定位器件PW。裝置進一步包括投影系統(例如，折射投影透鏡系統)PS，其經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用於引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型的光學組件，或其任何組合。
圖案化器件支撐件或支撐結構以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件或支撐結構可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。圖案化器件支撐件或支撐結構可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。圖案化器件支撐件或支撐結構可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為透射類型(例如，使用透射光罩)。或者，裝置可為反射類型(例如，使用如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列，或使用反射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台或"基板支撐件"(及/或兩個或兩個以上光罩台或"光罩支撐件")的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台或支撐件，或可在一或多個台或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術可用以增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射光束借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統BD而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。輻射源SO及照明器IL連同光束傳送系統BD(在需要時)可被稱作輻射系統。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器AD。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於被固持於圖案化器件支撐件或支撐結構(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿圖案化器件(例如，光罩)MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束聚焦至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器件PW及位置感測器IF(例如，干涉量測器件、線性編碼器或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器件PM及另一位置感測器(其未在圖1中被明確地描繪)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位圖案化器件(例如，光罩)MA。一般而言，可借助於形成第一定位器件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT或"基板支撐件"之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT可僅連接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件(例如，光罩)MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件(例如，光罩)MA上之情形中，光罩對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
1.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或"光罩支撐件"及基板台WT或"基板支撐件"保持基本上靜止(亦即，單重靜態曝光)。接著，使基板台WT或"基板支撐件"在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單重靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
2.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或"光罩支撐件"及基板台WT或"基板支撐件"(亦即，單重動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT或"基板支撐件"相對於圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或"光罩支撐件"之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單重動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件(例如，光罩台)MT或"光罩支撐件"保持基本上靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT或"基板支撐件"。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT或"基板支撐件"之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2描繪平台ST之前饋-回饋控制系統。平台ST可經組態以控制圖案化器件支撐件或基板支撐件之位置。在圖2所示之控制圖中，藉由模型化平台之剛性本體行為的剛性本體rb轉移函數及模型化平台之可撓性(非剛性)本體行為的可撓性本體轉移函數(在圖2中經指示為flx)來表示平台ST。藉由ifm來量測輸出(亦即，平台之位置參數)，其可被認為係干涉計輸出、編碼器輸出或任何其他位置參數相關輸出。設定點產生器SGP將設定點提供至控制系統。設定點與位置量測ifm之間的差係作為誤差信號而提供至回饋迴路之控制器C，其又將致動器驅動信號提供至平台。加速度前饋提供平台致動器之額外致動器驅動信號，加速度前饋信號係(例如)藉由對位置設定點兩次求微分且將其乘以平台之質量以獲得力信號且自力信號判定致動器驅動信號而自設定點加以判定。
可藉由大體上平行於圖2中之加速度前饋之額外前饋且具備適當輸入來形成以上所描述之快動前饋：作為一實例，位置設定點可作為輸入而供應至快動前饋且經對應地求微分。
圖3展示根據本發明之一實施例之平台之控制系統的區塊示意性控制圖。設定點產生器、控制器、平台、位置感測器輸出信號ifm及加速度前饋AccFF可具有與以上參看圖2所描述之功能相同的功能。
根據本發明之一實施例，修改位置設定點信號，且將經修改位置設定點信號提供至包括控制器C之回饋控制迴路。經修改位置設定點信號考慮平台之非剛性本體行為。待提供至回饋控制迴路之設定點現經調適以考慮平台之可撓性，此避免控制誤差之快速瞬態，且因此避免在平台控制中及在平台致動中之高頻分量。用以將設定點信號修改成經修改設定點信號之設定點信號校正可大體上等於由加速度前饋之初始前饋所導致之平台變形。在一實施例中，可判定該校正，以便大體上對應於如由加速度前饋所提供之前饋信號乘以設定點成形函數，以藉此產生設定點成形信號。接著，將設定點成形信號加至如由設定點產生器SGP所提供之設定點，加法之結果係作為設定點信號而提供至封閉迴路控制迴路。在藉由將設定點成形信號加至設定點信號而產生經修改設定點信號的實施例中，無需修改設定點自身，此提供與現有設定點資料檔之相容性及與客戶設計設定點資料檔之相容性，且避免設定點之程式設計員必須考慮此處所描述之原理。根據一較佳實施例，藉由自前饋信號判定設定點成形信號，假定設定點成形發生於平台之動態行為發生之情況下(亦即，發生於加速度前饋為作用中之情況下)，藉此提供需要用以修改設定點信號之解決方案之便利且低的處理能力。在另一較佳實施例中，可藉由觀測平台之定位的誤差來判定設定點成形函數：可認為加速度前饋信號乘平台之可撓性(亦即，非剛性)本體行為導致此誤差。藉由知道加速度前饋、平台轉移函數之可撓性部分及發生誤差，熟習此項技術者現可判定用於設定點成形之轉移函數，以便大體上減少剩餘誤差。倘若平台之共振頻率大體上高於如由設定點產生器所提供之設定點的諧波含量，則設定點成形函數可由一常數近似，此提供需要判定設定點成形函數之快速且低的處理能力。
一般而言，藉由修改設定點，可藉由修改提供至回饋控制迴路之設定點來避免激勵此行為而應對平台之共振行為。根據技術發展水平，自位置設定點之兩次導數判定加速度前饋，藉此形成加速度設定點。該兩次導數隱含地假定平台係由剛性本體形成。然而，根據本發明之一實施例，考慮平台之非理想行為，其轉譯成用於位置回饋控制迴路之設定點與加速度前饋之間的不同關係。根據一實施例，此係藉由修改位置設定點信號以考慮平台之非剛性本體行為而完成。
可將參看圖3所描述之控制系統應用於微影裝置之任何控制系統，特別為平台位置控制系統，諸如，圖案化器件平台控制系統、基板台控制系統、主光罩光罩位置控制系統、浸沒液體供應系統位置控制系統，等等。
圖2及圖3所描繪之控制系統可由任何適當控制系統形成，諸如，類比控制系統、硬體實施數位控制系統、軟體實施數位控制系統或任何其他適當實施例。
圖4描繪以上所描述之位置控制系統之剩餘誤差，追蹤誤差係相對於時間而被描繪，追蹤誤差經界定為根據由設定點產生器SGP所產生之設定點之所要位置與如由位置量測信號IFM所提供之平台位置之間的差。如圖4所描繪，快動前饋(由2指示)將追蹤誤差相對於質量前饋(由1指示)而減少大約10倍。然而，藉由引入如以上所描述之設定點成形(由3指示)來獲得大體進一步減少。詳言之，應注意，避免激勵平台之共振模式，此轉譯成追蹤誤差中之低共振行為含量。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應理解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭，等等。熟習此項技術者應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化、器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365nm、248nm、193nm、157nm或126nm之波長)及遠紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5nm至20nm之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
1．．．質量前饋
2．．．快動前饋
3．．．設定點成形
AD．．．調整器
B．．．輻射光束
BD．．．光束傳送系統
accFF．．．加速度前饋
C．．．目標部分(圖1)
C．．．控制器(圖3)
CO．．．聚光器
flx．．．可撓性本體轉移函數
IF．．．位置感測器
IL．．．照明器
IN．．．積光器
M1．．．光罩對準標記
M2．．．光罩對準標記
MA．．．圖案化器件
MT．．．圖案化器件支撐件
P1．．．基板對準標記
P2．．．基板對準標記
PM．．．第一定位器件
PS．．．投影系統
PW．．．第二定位器
rb．．．剛性本體
SGP．．．設定點產生器
SO．．．輻射源
ST．．．平台
W．．．基板
WT．．．基板台
X．．．方向
Y．．．方向
圖1描繪可提供本發明之一實施例的微影裝置；
圖2描繪習知回饋-前饋控制系統之示意性表示；
圖3描繪根據本發明之一實施例之控制系統的示意性表示；且
圖4描繪根據本發明之一實施例且根據技術發展水平之平台定位的追蹤誤差相對於時間。
accFF．．．加速度前饋
C．．．控制器
flx．．．可撓性本體轉移函數
rb．．．剛性本體
SGP．．．設定點產生器
ST．．．平台

Claims (12)

  1. 一種微影裝置，其包含：一照明系統，該照明系統經組態以調節一輻射光束；一圖案化器件支撐件，該圖案化器件支撐件經建構以支撐一圖案化器件，該圖案化器件能夠在該輻射光束之橫截面中向該輻射光束賦予一圖案以形成一經圖案化輻射光束；一基板支撐件，該基板支撐件經建構以固持一基板；一投影系統，該投影系統經組態以將該經圖案化輻射光束投影至該基板之一目標部分上；及一平台控制系統，該平台控制系統經組態以回應於一位置設定點信號來控制該等支撐件中之一者的一位置，該平台控制系統包含：一回饋控制迴路，該回饋控制迴路經組態成以一回饋方式來控制該位置，該回饋控制迴路具有一設定點輸入；及一加速度前饋，該加速度前饋經組態以產生一待前饋至該回饋控制迴路中之前饋信號，該前饋信號係自該位置設定點信號導出，其中該平台控制系統經配置以將該位置設定點信號修改成一經修改位置設定點信號，該回饋控制迴路之該設定點輸入用以接收該經修改位置設定點信號，該經修改位置設定點信號用以考慮該等支撐件中之該一者的一非剛性本體行為。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該平台控制系統經配置以藉由將一設定點成形信號加至該位置設定點信號而產生該經修改設定點信號。
  3. 如請求項2之微影裝置，其中該平台控制系統經配置以藉由將該前饋信號與一設定點成形函數相乘而判定該設定點成形信號。
  4. 如請求項3之微影裝置，其中該設定點成形函數經選擇以便補償該等支撐件中之該一者的一定位誤差，該定位誤差大體上等於該前饋信號乘該等支撐件中之該一者的一轉移函數部分，該轉移函數部分用以模型化該等支撐件中之該一者的該非剛性本體行為。
  5. 一種用於一微影裝置之平台系統，其包含：一可移動平台；及一平台控制系統，該平台控制系統經組態以回應於一位置設定點信號來控制該平台之一位置，該平台控制系統包含：一回饋控制迴路，該回饋控制迴路經組態成以一回饋方式來控制該位置，該回饋控制迴路具有一設定點輸入；及一加速度前饋，該加速度前饋經組態以產生一待前饋至該回饋控制迴路中之前饋信號，該前饋信號係自該位置設定點信號導出，其中該平台控制系統經配置以將該位置設定點信號修改成一經修改位置設定點信號，該回饋控制迴路之該設定點輸入用以接收該經修改位置設定點信號，該經修改位置設定點信號用以考慮該平台之一非剛性本體行為。
  6. 如請求項5之平台系統，其中該平台控制系統經配置以藉由將一設定點成形信號加至該位置設定點信號而產生該經修改設定點信號。
  7. 如請求項6之平台系統，其中該平台控制系統經配置以藉由將該前饋信號與一設定點成形函數相乘而判定該設定點成形信號。
  8. 如請求項7之平台系統，其中該設定點成形函數經選擇以便補償該平台之一定位誤差，該定位誤差大體上等於該前饋信號乘該平台之一轉移函數部分，該轉移函數部分用以模型化該平台之該非剛性本體行為。
  9. 一種用以回應於一位置設定點信號來控制一可移動平台之一位置的微影裝置平台控制方法，其包含：使用一具有一設定點輸入之回饋控制迴路而以一回饋方式來控制該平台之該位置；及產生一待前饋至該回饋控制迴路中之前饋信號，該前饋信號係自該位置設定點信號導出，其中將該位置設定點信號修改成一經修改位置設定點信號，該回饋控制迴路之該設定點輸入用以接收該經修改位置設定點信號，該經修改位置設定點信號用以考慮該平台之一非剛性本體行為。
  10. 如請求項9之微影裝置平台控制方法，其中藉由將一設定點成形信號加至該位置設定點信號而產生該經修改設定點信號。
  11. 如請求項10之微影裝置平台控制方法，其中藉由將該前饋信號與一設定點成形函數相乘而判定該設定點成形信號。
  12. 如請求項11之微影裝置平台控制方法，其中該設定點成形函數經選擇以便補償該平台之一定位誤差，該定位誤差大體上等於該前饋信號乘該平台之一轉移函數部分，該轉移函數部分用以模型化該平台之該非剛性本體行為。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9772562B2 (en) 2013-12-05 2017-09-26 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, models for error correction, computer program products for implementing such methods and apparatus
TWI704426B (zh) * 2018-03-30 2020-09-11 大陸商上海微電子裝備（集團）股份有限公司 運動控制裝置、運動控制方法、遮罩台系統和光蝕刻機

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5805868B2 (ja) * 2011-07-11 2015-11-10 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ターゲットの位置データを格納するためのリソグラフィシステムおよび方法
CN103085314B (zh) * 2013-02-01 2016-02-03 合肥合锻机床股份有限公司 安装有双移动工作台的压力机及移动控制装置与控制方法
JP6234170B2 (ja) * 2013-10-31 2017-11-22 キヤノン株式会社 プログラム、生成方法、生成装置、駆動装置、加工装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
NL2014752A (en) * 2014-06-03 2016-03-31 Asml Netherlands Bv Object positioning system, control system, lithographic apparatus, object positioning method and device manufacturing method.
CN105068386B (zh) * 2015-09-07 2017-04-12 哈尔滨工业大学 一种双工件台系统安全保护方法
CN105700302A (zh) * 2016-03-18 2016-06-22 天津中精微仪器设备有限公司 一种快速光刻系统
CN107797387A (zh) * 2016-08-30 2018-03-13 上海微电子装备（集团）股份有限公司 工件台运动控制方法
CN107885036A (zh) * 2016-09-29 2018-04-06 上海微电子装备（集团）股份有限公司 运动台驱动装置
CN107976870B (zh) * 2016-10-24 2020-12-04 上海微电子装备（集团）股份有限公司 一种运动台定位误差补偿装置及补偿方法
EP3376289A1 (en) 2017-03-17 2018-09-19 ASML Netherlands B.V. Stage system and metrology tool

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200424801A (en) * 2003-03-06 2004-11-16 Asml Netherlands Bv Controlling a position of a mass, especially in a lithographic apparatus
TW200538884A (en) * 2004-02-18 2005-12-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control
JP2007035780A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Hitachi High-Technologies Corp 回路パターン製造装置
JP2007318107A (ja) * 2006-05-04 2007-12-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040204777A1 (en) * 2003-04-14 2004-10-14 Alon Harpaz Precision motion control using feed forward of acceleration
TWI243291B (en) * 2003-05-13 2005-11-11 Asml Netherlands Bv Control system, lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7084958B2 (en) * 2004-04-14 2006-08-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, control system and device manufacturing method
US7327437B2 (en) * 2004-12-07 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US7505114B2 (en) * 2005-12-22 2009-03-17 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200424801A (en) * 2003-03-06 2004-11-16 Asml Netherlands Bv Controlling a position of a mass, especially in a lithographic apparatus
TW200538884A (en) * 2004-02-18 2005-12-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control
JP2007035780A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Hitachi High-Technologies Corp 回路パターン製造装置
JP2007318107A (ja) * 2006-05-04 2007-12-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置およびデバイス製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9772562B2 (en) 2013-12-05 2017-09-26 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for measuring a structure on a substrate, models for error correction, computer program products for implementing such methods and apparatus
TWI704426B (zh) * 2018-03-30 2020-09-11 大陸商上海微電子裝備（集團）股份有限公司 運動控制裝置、運動控制方法、遮罩台系統和光蝕刻機

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Publication number Publication date
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