TWI452165B - 真空處理裝置、真空處理方法 - Google Patents

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Description

真空處理裝置、真空處理方法
本發明是關於具有脫氣室之真空處理裝置，特別是關於在基板進行脫氣後，在高真空環境下進行處理之真空處理裝置。
在從大氣環境搬入基板之真空處理裝置，於處理室的前段設有脫氣室，在脫氣室的內部加熱基板，在釋出吸附氣體後，搬入到處理室內，進行薄膜形成、表面處理等的真空處理。
特別是在真空處理裝置為於基板表面形成MgO薄膜之MgO成膜裝置的情況，由於基板在大氣中被裝設於載體後配置於搬入室內，故，大量的氣體會吸附於載體。因此，從搬入室使基板移動到處理室內之際，為了減少從基板、載體等所釋釋出的吸附氣體量，而一邊搬入到脫氣室內，一邊進行真空排氣一邊儘可能地長時間加熱，在脫氣室的內部成為高真空環境後，將其移動到處理室。
因此，除了處理室外，亦儘可能地在搬入室、脫氣室、緩衝室等連接排氣量大的真空泵浦，藉以真空排氣至高真空環境。
但是，在對搬入室進行高真空排氣之情況，需要經由20英吋以上的閥，將高真空排氣泵浦(渦輪分子泵浦、低溫泵浦等)連接於搬入室，在以80秒產距對基板進行處理之情況，1個月內會造成27000次以上的開閉頻度，因此，需要在大約3個月進行1次的翻修，閥的翻修及故障會成為裝置停工時間之一大原因。
又，複數個將脫氣室串連地連接，對各脫氣室連接高真空排氣泵浦(冷阱與渦輪分子泵浦之組合或低溫泵浦)(在高真空排氣泵浦，進一步連接真空泵浦)。
特別是所處理的基板大型化，被要求減低污染，因此真空排氣系統也隨著大型化。
因此，MgO成膜裝置的價格、管理成本變得昂貴，有需要寬廣的設置空間、設備等，期望能解決這些問題。
[非專利文獻1]扁平面板顯示器大事典，工業調查會，2001年12月25日，第1版，p269，p683-684，p688一689，p737-738
[非專利文獻2]新版真空手冊，(股)歐姆(Ohm)社，日本平成14年7月1日，p5(1、2項真空用語)
本發明之目的在於提供，不需要大型的真空泵浦，並能以低成本進行高真空環境的處理之真空處理裝置。
說明關於本發明的作動原理。
在高真空環境，在壓力P(Pa)、釋放氣體量Q(Pa、m3 /sec)、有效排氣速度S(m3 /sec)之間，存在有P=Q/S的關係。當釋放氣體量Q設為從載體與基板所釋釋出的吸附氣體之量時，在將載體與基板在真空環境中加熱到一定溫度並予以脫氣之情況，釋放氣體量Q的值，亦可視為僅成為時間之函數。即，加熱脫氣時的釋放氣體量Q，不會依存於加熱脫氣中之周圍之真空環境的壓力。
藉此，即使在進行程序的處理室，需要連接可作成為高真空環境之真空排氣裝置，在進行加熱脫氣之脫氣室，連接到達真空度較連接於處理室的真空排氣裝置更低的真空排氣裝置，能夠在較以往更高的壓力中進行加熱脫氣。
本發明是依據上述理解而創作出來的發明，一種真空處理裝置，係具備具有基板加熱機構的脫氣室、與進行基板的真空處理之處理室，前述脫氣室與前述處理室被配置於真空環境，在前述脫氣室內加熱並進行了脫氣處理之處理對象物被搬入到前述處理室內，在前述處理室內進行真空處理之真空處理裝置，其特徵為：連接於前述脫氣室之脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度係較連接於前述處理室之處理室用真空排氣裝置的排氣速度小。
又，本發明之真空處理裝置，理想為採用前述脫氣室用真空排氣裝置的到達壓力是較前述處理室用真空排氣裝置的到達壓力高的真空泵浦。
又，本發明之真空處理裝置，理想為在前述處理室配置MgO蒸鍍源，從前述MgO蒸鍍源釋出MgO蒸氣，來在前述處理對象物的表面形成MgO薄膜。
又，本發明之真空處理裝置，理想為具有複數個前述脫氣室，前述各脫氣室是被串連地連接，前述處理對象物在前述各脫氣室進行脫氣處理後，移動到前述處理室。
又，本發明之真空處理裝置，理想為前述脫氣室用真空排氣裝置是具有將前述脫氣室內的壓力作成為1Pa以上100Pa以下的壓力環境之排氣速度，而前述處理室用真空排氣裝置是具有將前述處理室內的壓力作成為未滿1Pa之真空排氣速度。
又，本發明之真空處理裝置，係具備具有基板加熱機構之脫氣室、與連接於前述脫氣室之緩衝室、及連接於前述緩衝室之處理室，前述脫氣室與前述緩衝室與前述處理室是配置於真空環境，在前述脫氣室內加熱並進行了脫氣處理之處理對象物通過前述緩衝室被搬入到前述處理室內，在前述處理室內進行真空處理之真空處理裝置，其特徵為：連接於前述脫氣室之脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度是較連接於前述緩衝室之緩衝室用真空排氣裝置的排氣速度小。
又，本發明之真空處理裝置，理想為前述脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度是較連接於前述處理室之處理室用真空排氣裝置的排氣速度小。
又，本發明之真空處理裝置，理想為採用前述脫氣室用真空排氣裝置的到達壓力是較前述處理室用真空排氣裝置的到達壓力高的真空泵浦。
又，本發明之真空處理裝置，理想為在前述處理室配置MgO蒸鍍源，從前述MgO蒸鍍源釋出MgO蒸氣，來在前述處理對象物的表面形成MgO薄膜。
又，本發明之真空處理裝置，理想為具有複數個前述脫氣室，前述各脫氣室是被串連地連接，前述處理對象物在前述各脫氣室進行脫氣處理後，移動到前述緩衝室。
又，本發明之真空處理裝置，理想為前述脫氣室用真空排氣裝置是具有將前述脫氣室內的壓力作成為1Pa以上100Pa以下的壓力環境之排氣速度，而前述緩衝室用真空排氣裝置是具有將前述緩衝室內的壓力作成為未滿1Pa之真空排氣速度。
又，本發明之真空處理方法，係將處理對象物裝設於載體後作成為搬送單元，將前述搬送單元從大氣環境中搬入到真空環境中，將前述搬送單元在脫氣室內加熱並進行脫氣處理後，搬入到緩衝室內，然後使緩衝室內的壓力降低後，將前述緩衝室與處理室連接，再將前述搬送單元搬入到前述處理室內，對前述搬送單元內的前述處理對象物進行真空處理之真空處理方法，其特徵為：將前述脫氣室內的壓力作成為1Pa以上100Pa以下的壓力環境，而將前述處理室內的壓力作成為未滿1Pa。
又，本發明之真空處理方法，理想為在前述處理室內使MgO蒸氣產生，然後在前述處理對象物表面形成MgO薄膜。
因不需要將脫氣環境作成高真空，所以，真空排氣系統可成為低成本，裝置的設置空間也變少。
因不需要將搬入室作成為高真空環境，所以，不需要在搬入室的真空排氣系統設置大型的閥。
圖4的圖表可得知，處理室之前的緩衝室進行真空排氣到可連接於處理室之壓力時，進行真空排氣之搬入室的壓力、在脫氣室進行脫氣之際的壓力亦可為以往大約3倍以上。
其結果，本發明可大幅地削減真空排氣系統，能夠將裝置成本削減大約5%～10%。又，設備電力、裝置運轉時的電力量、冷卻水大約可削減5%。且設置空間大約可削減3%。並且可削減不需要的真空排氣裝置，因此能夠提高裝置全體的可靠性的同時，亦可削減定期維修檢查成本。
參照圖1可知，圖號10是顯示本發明的一例之真空處理裝置。
此真空處理裝置10具有搬入室15、第一脫氣室11、第二脫氣室12、緩衝室13、處理室14、冷卻室17、以及搬出室16。
各室15、11～14、17、16是以此順序配置，藉由閘閥51～56呈串連方式連接著。
在第一、第二脫氣室11、12，分別連接有第一、第二脫氣室用真空排氣裝置61、62，在緩衝室13連接有緩衝室用真空排氣裝置63，而在處理室14連接有處理室用真空排氣裝置64。在冷卻室17，連接有冷卻室用的真空排氣裝置67。
關閉各閘閥51～56，使真空排氣裝置61～64、67作動，預先將第一、第二脫氣室11、12、緩衝室13、處理室14、和冷卻室17的內部進行真空排氣，開始進行真空處理作業。
開始後，使各真空排氣裝置61～64、67作動，而第一、第二脫氣室11、12、緩衝室13、處理室14、及冷卻室17持續進行真空排氣。
如圖2所示，藉由框體19，將玻璃基板等的處理對象物18設置在載體7上，藉以構成搬運單元5，打開搬入室15與大氣環境之間的門57，將搬運單元搬入到搬入室15內。
當預定片數的搬送單元5被搬入到搬入室15內時，則關閉門57，藉由搬入室用真空排氣裝置65，將搬入室15的內部進行真空排氣。
在搬入室15的內部到達大約100Pa的預定壓力的時候，打開閘閥51，使一片的搬送單元5從搬入室15移動到第一脫氣室11的內部。
在第一、第二脫氣室11、12的內部，分別設有第一、第二加熱機構31、32，當預先對第一加熱機構31通電使其發熱，再使搬送單元5與第一加熱機構31相對向，關閉與搬入室15之間的閘閥51，將搬送單元5加熱時，從昇溫的搬送單元5，被搬送單元5所吸附之吸附氣體被釋出到第一脫氣室11的內部。
從搬送單元5所釋出的吸附氣體，被第一真空排氣裝置61所真空排氣。當藉由第一真空排氣裝置61持續對第一脫氣室11的內部進行真空排氣，隨著經過脫氣處理之時間，使得釋放氣體量Q1 降低時，第一脫氣室11的內部壓力也隨著降低。
第一真空排氣裝置61的有效排氣速度S1 係為當僅在預先所設定的第一脫氣處理時間之期間進行脫氣處理時，第一脫氣室11內的壓力P1 可到達1～100Pa的範圍的壓力程度之大小，依據第一脫氣處理時間的經過，閘閥52打開，搬送單元5從第一脫氣室11移動到第二脫氣室12。
搬送單元5是與第二加熱機構32相對向。關閉閘閥52，藉由第二真空排氣裝置62一邊將第二脫氣室12的內部進行真空排氣，一邊加熱搬送單元5。
在此，將搬送單元5，在預先所設定的第二脫氣處理時間之期間，在第二脫氣室12的內部進行脫氣處理。
第二真空排氣裝置62的有效排氣速度S2 係為與第一真空排氣裝置61的有效排氣速度S1 同樣地，當僅在預先所設定的第二脫氣處理時間之期間，進行脫氣處理時，第二脫氣室12內的壓力P2 可到達1～100Pa的範圍的壓力程度之大小。
在此，第二真空排氣裝置62的有效排氣速度S2 係與第一真空排氣裝置61的有效排氣速度S1 相同大小，但是，搬送單元5的第二脫氣室12的內部之吸附氣體的釋放氣體量Q2 係較第一脫氣室11之釋放氣體量Q1 少，當在第二脫氣室12內部進行脫氣處理時，第二脫氣室12的內部壓力P2 會成為較第一脫氣室11的內部壓力P1 更低壓。
經過所設定的第二脫氣處理時間後，打開閘閥53，將搬送單元5移動到緩衝室13內。
緩衝室用真空排氣裝置63為高真空排氣泵浦，其排氣速度S3 係較第一、第二真空排氣裝置61、62的真空排氣速度S1 、S2 大，當關閉閘閥53，藉由緩衝室用真空排氣裝置63進行真空排氣時，緩衝室13內的壓力會急速地下降。
在此，在緩衝室13設有緩衝室用加熱機構33，使搬送單元5與緩衝室用加熱機構33相對向，昇溫到與在第一、第二脫氣室11、12內的溫度相同同程度的溫度，一邊進行脫氣一邊讓緩衝室13的壓力降低。
處理室14的內部預先真空排氣到高真空環境，緩衝室13的內部壓力下降到與處理室14的內部壓力相同程度後，打開閘閥54，將搬送單元5移動到處理室14的內部，然後再關閉閘閥54。
處理室用真空排氣裝置64為高真空排氣泵浦，其真空排氣速度S4 係為緩衝室用真空排氣裝置63的排氣速度S3 以上，而處理室14的內部能夠作成為較緩衝室13的壓力更低壓。
在此處理室14的內部，配置有MgO蒸鍍源35。搬送單元5係處理對象物18的表面朝MgO蒸鍍源35配置著，當從MgO蒸鍍源35釋出MgO蒸氣時，MgO蒸氣到達處理對象物18的表面，使得MgO薄膜成長。
在形成預定膜厚的MgO薄膜後，打開閘閥55，將搬送單元5移動到冷卻室17，將其冷卻後，再移動到搬出室16。
當對處理室14內依次搬入未處理的搬送單元時，能夠對複數個處理對象物連續地進行真空處理(MgO薄膜的形成)。
將進行了真空處理之預定片數的搬送單元5配置於搬出室16內後，在關閉著閘閥56之狀態下，打開大氣之間的門58，將搬送單元5取出到大氣中。
圖4係顯示真空處理裝置10內之經過時間與搬送單元5的周圍環境的壓力之關係的圖表，橫軸顯示經過時間、縱軸顯示壓力(任意單位)。
橫軸的原點0係顯示在第一脫氣室11內開始進行脫氣處理之時刻，圖號t1 係顯示將搬送單元5從第一脫氣室11移動到第二脫氣室12之時刻，圖號t2 細係顯示從第二脫氣室12移動到緩衝室13之時刻，圖號t3 係顯示從緩衝室13移動到處理室14之時刻。
圖號A所示的曲線群係顯示適用本發明的情況之壓力變化，圖號B所示的曲線群係顯示以往技術的情況的壓力變化。
在進行脫氣之際，將搬送單元5加熱到相同溫度之情況時，由於吸附氣體的釋出速度是取決於脫氣時間，釋出速度相同情況之真空環境的壓力，取決於真空排氣系統之有效排氣速度的大小，故即使在高壓力下進行脫氣之本發明的情況、在高真空環境進行脫氣之以往技術的情況，在緩衝室13內之壓力均成為相同。
在上述真空處理裝置10，個別地設置真空排氣裝置61～67，但亦可例如共用一個至複数個。例如，亦可共用搬入室15與搬出室16之真空排氣裝置65、66。
以上，說明了關於將脫氣室內的壓力作成為1Pa以上100Pa以下的壓力環境，將緩衝室內的壓力作成為未滿1Pa之實施例，但是本發明亦適用於將脫氣室內的壓力作成為0.1Pa以上100Pa以下的壓力環境，而將緩衝室內的壓力未滿0.1Pa之真空處理裝置。
其次，說明關於本發明方法的其他例。
圖3的圖號110係為可使用於本發明方法之真空處理裝置，其具有真空槽114。
在真空槽114的內部，配置有基板加熱機構117，在基板加熱機構117，處理對象物118對向設置著。
在真空槽114，經由閥連接著真空排氣裝置c、164。圖號c的真空排氣裝置係粗略排氣用，圖號164的真空排氣裝置係為高真空用。一邊藉由粗略排氣用的真空排氣裝置c將真空槽114的內部進行真空排氣，一邊藉由基板加熱機構117將處理對象物118加熱，使處理對象物118的吸附氣體釋出，藉以進行脫氣處理。所釋出的吸附氣體會被粗略排氣用的真空排氣裝置c排出到大氣環境中。
在高真空用的真空排氣裝置164設有低溫泵浦，在進行脫氣處理之際，高真空用的真空排氣裝置164與真空槽114之間的閥a關閉，脫氣處理是以粗略排氣用的真空排氣裝置c來進行。因低溫泵浦未連接於真空槽114的內部環境，所以，在低溫泵浦未吸附有氣體。
在進行脫氣之際未使用低溫泵浦的狀態，真空槽114的內部維持1Pa以上100Pa以下的壓力。在該壓力範圍進行預定時間之處理對象物118的脫氣處理後，將低溫泵浦連接於真空槽114的內部環境，藉由低溫泵浦所具有的大小之有效排氣速度S5 ，對真空槽114的內部進行真空排氣時，真空槽114的內部會降低到脫氣後的釋放氣體量Q5 、與低溫泵浦之有效排氣速度S5 所決定的壓力P5 (=Q5 /S5 )。
在真空槽114的下部配置有MgO蒸鍍源135，當到達此低的壓力P5 後，從MgO蒸鍍源135將MgO蒸氣釋出時，在處理對象物118表面形成高品質的MgO薄膜。
由於脫氣中的釋放氣體未吸附於低溫泵浦，故，比起使用低溫泵浦並在脫氣處理中也作成高真空之以往技術的情況，不會增長處理時間，而能夠增長低溫泵浦之再生間隔。
〔實施例〕
說明使用於上述實施例的真空處理裝置10之具體的真空泵浦。
下述的表1顯示：圖1的真空處理裝置10之各真空排氣裝置61~63、65的結構、這些真空排氣裝置61~63、65的排氣速度、和將搬送單元5移動到下一個真空槽時的真空槽內部的壓力。
搬入室15以外的各室11~14、16、17預先被真空排氣。在處理室14進行處理對象物18的真空處理時的壓力為10-2 Pa程度。
搬入室用真空排氣裝置65是由乾式泵浦與機械式增壓泵浦所構成，總計排氣速度S1 為0.5m3 /sec之排氣單元。
使此搬入室用真空排氣裝置65做動，將搬入有搬送 單元5之搬入室15的壓力從大氣壓真空排氣到10~102 Pa程度，以10~102 Pa程度的壓力來與第一脫氣室11連接，將搬送單元5移動到第一脫氣室11。
第一真空排氣裝置61與第二真空排氣裝置62係為使用排氣速度S2 、S3 大約1.0m3 /sec的中、高真空排氣用廣域型渦輪分子泵浦(及背壓泵浦)之真空排氣系統，藉由第一真空排氣裝置61一邊將第一脫氣室11內進行真空排氣，一邊加熱搬送單元5使吸附氣體釋出，進行預定時間的脫氣，在真空排氣成第一脫氣室11的壓力為1~10Pa程度為止之狀態下，將第一脫氣室11與第二脫氣室12連接，讓搬送單元5移動到第二脫氣室12。
第二脫氣室12內，藉由第二真空排氣裝置62進行真空排氣，一邊維持1~10Pa程度的壓力一邊加熱搬送單元5，使吸附氣體釋出，進行預定時間的脫氣後，在1~10Pa程度的壓力下與緩衝室13連接，讓搬送單元5移動到緩衝室13。
緩衝室用真空排氣裝置63係使用總計排氣速度S3 大約80m3 /sec之渦輪分子泵浦與冷阱(及背壓泵浦)之高真空排氣系統，藉由緩衝室用真空排氣裝置63，一邊將緩衝室13內進行真空排氣，一邊加熱搬送單元5使吸附氣體釋出，進行預定時間的脫氣，在緩衝室13的壓力下降到10-3 Pa程度後，將緩衝室13與處理室14連接，使搬送單元5移動到處理室14內。再者，在將處理氣體導入到處理室後進行處理之情況，亦可在緩衝室的壓力降低後，將 處理氣體導入到緩衝室，再與處理室連接。
處理室用真空排氣裝置64係使用與緩衝室用真空排氣裝置63相同的真空泵浦，可在進行了高真空排氣的狀態下，進行MgO薄膜的成膜。
說明使用除了真空排氣裝置與上述實施例不同外，其餘為相同結構的比較例的真空處理裝置時之順序。
在第一、第二脫氣室11、12與緩衝室13，在進行利用搬送單元5的加熱之脫氣的這一點上是與上述實施例相同。在表2中顯示從各室11連接到13、15之真空排氣裝置的結構、與移動到下一個真空槽時的壓力。
在比較例的真空處理裝置，在搬入室15，連接有由乾式泵浦與機械式增壓泵浦所構成、且總計排氣速度為4.5m3 /sec之排氣單元、和排氣速度為6.0m3 /sec之渦輪分子泵浦(及背壓泵浦)，首先，使用排氣單元，將在內部 搬入有搬送單元5之搬入室15內進行真空排氣，使搬入室15內的壓力從大氣壓減低到10Pa，接著，將排氣作動切換成渦輪分子泵浦，藉由渦輪分子泵浦，將搬入室15進行真空排氣，使搬入室15的壓力從10Pa降低到10-1 Pa，在該壓力下，讓搬送單元5移動到第一脫氣室11。
第一、第二脫氣室11、12，分別連接有由渦輪分子泵浦與冷阱(及背壓泵浦)所構成、且總計排氣速度大約80m3 /sec的高真空排氣系統，在第一脫氣室11，藉由高真空排氣系統一邊進行真空排氣一邊將搬送單元5加熱、脫氣，在使第一脫氣室11的壓力降低到10-2 Pa程度後，連接第一、第二脫氣室11、12，讓搬送單元5移動到第二脫氣室12內。
在第二脫氣室12，也藉由高真空排氣系統進行真空排氣，一邊維持10-2 Pa程度的壓力一邊進行加熱、脫氣，在10-2 Pa程度的壓力下連接到緩衝室13。
緩衝室13，亦連接有與第一、第二脫氣室11、12相同的高真空排氣系統(使用總計排氣速度大約80m3 /sec的渦輪分子泵浦與冷阱(及背壓泵浦)之高真空排氣系統)，藉由此高真空排氣系統，一邊進行真空排氣一邊進行加熱、脫氣，在使緩衝室13的壓力降低到10-3 Pa程度之狀態下連接到處理室14，將搬送單元5移動。
如以上所述，從大氣壓進行真空排氣，將搬送單元5進行加熱、脫氣後搬入到高真空狀態的處理室內之情況，在本發明的真空處理裝置與比較例的真空處理裝置，能夠在相同時間，從大氣壓，將壓力降低到10-3 Pa程度。
在與比較例相較之情況，本發明的第一、第二真空排氣系統61、62的真空泵浦的作動壓力範圍係為較緩衝室用真空排氣裝置63與處理室用真空排氣裝置64的真空泵浦的作動壓力範圍更高壓側，當將作動壓力之範圍的最低的壓力值作為到達壓力時，第一、第二真空排氣系統61、62的到達壓力係為較緩衝室用真空排氣裝置63與處理室用真空排氣裝置64的到達壓力更高壓。
因此，由於本發明，亦可在搬入室15不連接渦輪分子泵浦，並且在第一、第二脫氣室11、12，不需要冷阱，故裝置成本低，且容易進行維修。
再者，在本實施例，利用由渦輪分子泵浦所構成的第一、第二脫氣室用真空排氣裝置61、62來將第一、第二脫氣室11、12進行真空排氣，但亦可利用乾式泵浦與魯式鼓風泵浦(機械式增壓泵浦)代替渦輪分子泵浦，來進行排氣。又，本發明不限於線內式真空成膜裝置，亦可適用於葉片式裝置、加載互鎖裝置及艙口(hatch)式裝置。
圖5(a)係該情況的本發明的實施例，在此真空處理裝置20，於配置有基板搬送機器人之搬送室29，連接有進行搬送單元5的搬入與搬出之搬入搬出室25、分別配置有加熱裝置的第一、第二脫氣室21、22、以及對搬送單元5的處理對象物進行真空處理之處理室24。在此，處理室24為在真空環境中，形成MgO薄膜等的薄膜，或在真空環境中進行蝕刻等的真空處理之裝置，搬入搬出室25以外的各室21、22、24及29預先被真空排氣。
連接於搬入搬出室25與第一、第二脫氣室21、22之真空排氣系統75、71、72是連接有乾式泵浦75a、71a、72a與機械式增壓泵浦75b、71b、72b，在從大氣壓進行真空排氣之情況，藉由乾式泵浦75a、71a、72a直接真空排氣，在乾式泵浦75a、71a、72a的排氣速度降低之壓力下，乾式泵浦75a、71a、72a將機械式增壓泵浦75b、71b、72b的背壓一邊進行真空排氣，機械式增壓泵浦75b、71b、72b一邊將各室25、21、22進行真空排氣(在搬送室29，連接有未圖示的高真空排氣系統，並被配置於真空環境中)。
在第一、第二脫氣室21、22內，於1Pa以上的壓力中依次進行脫氣，在釋放氣體量減少後，經由搬送室29搬入到處理室24內。
在處理室24，連接有由渦輪分子泵浦所構成的真空排氣系統73，在處理室24內被真空排氣到10-3 Pa後，開始進行真空處理，在進行處理後，從搬入搬出室25取出到大氣中。
因渦輪分子泵浦僅設置於處理室24，所以能夠藉由低成本的真空排氣系統，將處理室24作成為高真空環境。
同圖(b)係為以往技術的真空處理裝置120，搬送室129連接有搬入搬出室125、第一、第二脫氣室121、122、以及處理室124。搬入搬出室125以外的各室121、122，124及129預先被真空排氣。又，在處理室124與第一、第二脫氣室121、122，分別連接有由渦輪分子泵浦所構成的真空排氣系統173、171、172，能夠真空排氣成高真空。
連接於搬入搬出室125之真空排氣系統係具有乾式泵浦175a、機械式增壓泵浦175b、和渦輪分子泵浦175c，搬入搬出室125內，首先，藉由乾式泵浦175a從大氣環境進行真空排氣，接著，藉由乾式泵浦175a，將背壓一邊真空排氣一邊藉由機械式增壓泵浦175b進行真空排氣，在降低到渦輪分子泵浦175c可作動之壓力為止後，開始進行利用渦輪分子泵浦175c之真空排氣。
在該狀態下，將搬送對象物5移動到第一脫氣室121，一邊藉由真空排氣系統171、172進行真空排氣，一邊依次在第一、第二脫氣室121、122內進行脫氣，然後在處理室124，將壓力降低到可進行真空處理之壓力為止。
本發明的真空處理裝置20與此比較例的真空處理裝置120，從大氣壓進行真空排氣，並在加熱、脫氣後，可開始進行真空處理的壓力為止所進行真空排氣之時間相同，比較例的真空處理裝置120，由於除了處理室124以外，在搬入搬出室125與第一、第二脫氣室121、122亦連接有渦輪分子泵浦，所以，比起比較例，本發明的真空處理裝置20，其成本低，且容易進行維修。
5．．．搬送單元
7．．．載體
10、20．．．真空處理裝置
11、12、21、22．．．脫氣室
13．．．緩衝室
14、24．．．處理室
17．．．冷卻室
18．．．處理對象物
31、32．．．基板加熱機構
33．．．緩衝室用加熱機構
35．．．MgO蒸鍍源
61、62、71、72．．．脫氣室用真空排氣裝置
63．．．緩衝室用真空排氣裝置
圖1是顯示本發明的真空處理裝置的一例之圖。
圖2是用來說明搬送單元之圖。
圖3是用來說明本發明的其他例之圖。
圖4是顯示搬送單元的周圍環境的壓力之時間變化的圖表。
圖5(a)是顯示本發明的一例之葉片式真空處理裝置，(b)是顯示以往技術之葉片式真空處理裝置的圖。

Claims (9)

  1. 一種真空處理裝置，係具備：具有基板加熱機構的脫氣室；與進行基板的真空處理之處理室，前述脫氣室與前述處理室係被配置於真空環境，在前述脫氣室內被加熱且進行脫氣處理之處理對象物被搬入到前述處理室內，在前述處理室內進行真空處理之真空處理裝置，其特徵為：當以真空排氣裝置的動作壓力之範圍的最低壓力值作為到達壓力時，在連接於前述脫氣室之脫氣室用真空排氣裝置，使用前述到達壓力較連接於前述處理室之處理室用真空排氣裝置的到達壓力更高的壓力之真空泵浦，前述脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度係較前述處理室用真空排氣裝置的排氣速度小。
  2. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，在前述處理室配置有MgO蒸鍍源，從前述MgO蒸鍍源釋出MgO蒸氣，來在前述處理對象物的表面形成MgO薄膜。
  3. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，具有複數個前述脫氣室，前述各脫氣室是呈串連式連接著，前述處理對象物在前述各脫氣室進行脫氣處理後，移動到前述處理室。
  4. 如申請專利範圍第1項之真空處理裝置，其中，前述脫氣室用真空排氣裝置具有將前述脫氣室內的壓 力作成為1Pa以上100Pa以下的壓力環境之排氣速度，前述處理室用真空排氣裝置具有將前述處理室內的壓力作成為未滿1Pa之排氣速度。
  5. 一種真空處理裝置，係具備：具有基板加熱機構的脫氣室；連接於前述脫氣室之緩衝室；及連接於前述緩衝室之處理室，前述脫氣室與前述緩衝室與前述處理室是配置於真空環境，在前述脫氣室內被加熱並進行了脫氣處理之處理對象物，通過前述緩衝室搬入到前述處理室內，在前述處理室內進行真空處理之真空處理裝置，其特徵為：當以真空排氣裝置的動作壓力之範圍的最低壓力值作為到達壓力時，在連接於前述脫氣室的脫氣室用真空排氣裝置，使用前述到達壓力較連接於前述緩衝室之緩衝室用真空排氣裝置的到達壓力更高的壓力之真空泵浦，前述脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度，係較前述緩衝室用真空排氣裝置的排氣速度小。
  6. 如申請專利範圍第5項之真空處理裝置，其中，前述脫氣室用真空排氣裝置的排氣速度係較連接於前述處理室之處理室用真空排氣裝置的排氣速度小。
  7. 如申請專利範圍第5項之真空處理裝置，其中，在前述處理室配置有MgO蒸鍍源，從前述MgO蒸鍍源釋出MgO蒸氣，來在前述處理對象物的表面形成MgO薄膜。
  8. 如申請專利範圍第5項之真空處理裝置，其中，具有複數個前述脫氣室，前述各脫氣室是呈串連式連接著，前述處理對象物在前述各脫氣室進行脫氣處理後，移動到前述緩衝室。
  9. 如申請專利範圍第5項之真空處理裝置，其中，前述脫氣室用真空排氣裝置具有將前述脫氣室內的壓力作成為1Pa以上100Pa以下的壓力環境之排氣速度，前述緩衝室用真空排氣裝置具有將前述緩衝室內的壓力作成為未滿1Pa之排氣速度。
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