TWI729249B - 成膜方法及真空處理裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題為，提供一種在將IGZO膜等之氧化物半導體適用於作為通道層之TFT的情況時，TFT之特性及可靠性優異的IGZO膜之成膜方法，及適於這種IGZO膜之成膜的真空處理裝置。 　　本發明之解決手段為，一種成膜方法，其係將包含銦與鎵與鋅的燒結體作為靶材(42a)，並於設置有此靶材的真空處理室(Vc4)內配置處理對象物(W)，若真空處理室真空排氣至特定的壓力，則將放電用的氣體與氧氣導入，並對靶材投入特定電力來將靶材進行濺鍍，藉由此，而藉由反應性濺鍍而於處理對象物的表面成膜IGZO膜，本發明之成膜方法，係包含有在靶材之濺鍍開始之前，先將真空處理室內之水分壓設為1×10-5 Pa～1×10-3 Pa之範圍的工程。

Description

成膜方法及真空處理裝置
本發明係關於成膜方法及真空處理裝置，更詳細而言，係關於適於將包含銦與鎵與鋅之燒結體作為靶材，並將此靶材進行濺鍍，藉由反應性濺鍍而於處理對象物的表面成膜IGZO膜者。
近年來，在平板顯示器作為驅動顯示元件的薄膜電晶體(以下，稱為「TFT」)之通道層，係使用有銦鎵鋅氧化物(IGZO)等之氧化物半導體。例如，作為氧化物半導體之IGZO膜，一般係使用濺鍍裝置來成膜。於此情況中，將包含銦與鎵與鋅的燒結體作為靶材，並於設置有此靶材的濺鍍裝置之真空處理室內配置處理對象物，若真空處理室真空排氣至特定的壓力，則將放電用的氣體與氧氣導入，並對靶材投入特定電力來將靶材進行濺鍍，藉由此，而藉由反應性濺鍍而於處理對象物的表面成膜IGZO膜(例如，參照專利文獻1)。
在想要藉由上述濺鍍裝置來成膜IGZO膜的情況時，係將既已形成有閘極等的玻璃基板以載體作保持，並在此狀態下搬送至真空處理室內來成膜，但，若依據本發明之發明者們的研究，則得知殘留在真空處理室內的水分子或附著於基板及載體而被帶進真空處理室內的水分子可能會對TFT之(初期)特性及可靠性造成影響。具體而言，若真空處理室內的水分壓低於特定壓力，則會產生上揚電壓(VON )往正側偏移的問題。另一方面，若真空處理室內的水分壓高於特定壓力，則會成為膜密度為低，且存在多數之起因於OH- 或O- 之弱耦合的缺陷的IGZO膜，而產生電子移動度降低或上揚電壓(VON )往正側偏移的問題。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2013-64185號公報
[發明所欲解決之課題]
本發明係基於以上之見解而完成者，其課題為，提供一種在將IGZO膜等之氧化物半導體適用於作為通道層之TFT的情況時，TFT之特性及可靠性優異的IGZO膜之成膜方法，及適於這種IGZO膜之成膜的真空處理裝置。 [用以解決課題之手段]
為了解決上述課題，本發明係一種成膜方法，其係將包含銦與鎵與鋅的燒結體作為靶材，並於設置有此靶材的真空處理室內配置處理對象物，若真空處理室真空排氣至特定的壓力，則將放電用的氣體與氧氣導入，並對靶材投入特定電力來將靶材進行濺鍍，藉由此，而藉由反應性濺鍍而於處理對象物的表面成膜IGZO膜，其特徵為，係包含在靶材之濺鍍開始之前，先將真空處理室內之水分壓設為1×10-5 Pa～1×10-3 Pa之範圍的工程。
若依據本發明之成膜方法，則可確認，藉由將以靶材之濺鍍所致之成膜時的真空處理室內之水分壓控制在特定範圍，可得到TFT之特性及可靠性優異的IGZO膜。於此情況中，若水分壓低於1×10-5 Pa，則會產生上揚電壓(VON )往正側偏移的問題。另一方面，若水分壓高於1×10-3 Pa，則會成為膜密度為低且存在多數之起因於OH- 或O- 之弱耦合的缺陷的IGZO膜，而產生電子移動度降低或上揚電壓(VON )往正側偏移的問題。
另外，雖可考慮於施行成膜或蝕刻等之特定的處理之真空處理裝置中，在將真空處理室內之水分壓控制在特定的範圍的情況時，在處理之前，先將真空處理室內一邊加熱一邊真空排氣，藉由此，而將殘留在真空處理室內的水分子或被帶進真空處理室內的水分子排氣，但，如此一來，依存於想要控制的真空處理室內之水分壓，係可能會有於真空排氣需要長時間而無法盡量迅速地開始處理並導致生產性差的問題。於此情況中，於先前技術中，係進行：於真空處理裝置連設有真空加熱室，於真空加熱室內，將加熱對象物進行加熱，而使附著在該處理對象物的水分子脫離。即使是這樣的手法，若在真空加熱室未能先使水分子從處理對象物充分地脫離，則水分子會被帶進真空處理室內，其結果，依存於想要控制的真空處理室內之水分壓，於真空排氣中會需要長時間。
因此，本發明之真空處理裝置，其特徵為，具備有：真空加熱室，係具有第1真空泵與加熱手段，在藉由第1真空泵真空排氣後的狀態下藉由加熱手段來將處理對象物進行加熱，而使附著在該處理對象物的水分子脫離、和存放室，係具有第2真空泵，從真空加熱室，加熱完畢的處理對象物係在真空環境中被搬送，在藉由第2真空泵真空排氣後的狀態下將處理對象物進行存放、以及真空處理室，係具有第3真空泵，從存放室，處理對象物係在真空環境中被搬送，在藉由第3真空泵真空排氣後的狀態下對於處理對象物施行特定的處理。
若依據本發明之真空處理裝置，則由於是採用在真空加熱室與真空處理室之間之處理對象物被搬送的路徑上設置存放室，將在真空加熱室預先使水分子脫離後的處理對象物存放在真空環境中，而將水分子進一步真空排氣的構造，因此不用等到在真空加熱室水分子從處理對象物充分脫離，即可搬送該處理對象物，並且可將在存放室使水分子進一步脫離的狀態之處理對象物搬送至真空處理室。並且，可在真空加熱室、存放室及真空處理室並行地進行處理，結果，可縮短直到成為想要控制的真空處理室內之水分壓為止之真空排氣的時間，可盡量迅速地開始特定的處理，而可提昇生產性。
另外，於本發明中，在稱作「處理對象物」的情況時，不僅是施以成膜或蝕刻等之特定的處理的玻璃基板或矽晶圓等，例如，在如玻璃基板被安裝於載體來搬送般的情況時，也包含載體的概念。又，作為真空處理裝置，不僅是將真空加熱室、存放室及真空處理室沿著一個方向來透過閘閥作連設者(所謂線內式之真空處理裝置)，亦可為所謂叢集設備式者。又，真空加熱室，亦可設為兼用作用以讓處理對象物出入之所謂裝載鎖定室。
又，於本發明中，較理想係具有測定前述真空加熱室內之水分壓的第1測定手段、和測定前述存放室內之水分壓的第2測定手段，並進而具備有判定手段，其係當以第1測定手段所測定之第1測定值到達特定值時，以及當以第2測定手段所測定之第2測定值到達低於第1測定值之特定值時，容許處理對象物的搬送。若依據此，則可將在使水分子有效率地脫離後之狀態下的處理對象物搬送至真空處理室，其結果，可更提昇生產性。進而，於本發明中，較理想係為了更進一步提昇生產性，而於前述存放室內設置有吸收水分子的吸附手段。
另外，在將上述真空處理裝置適用於IGZO膜之成膜的情況時，只要於前述真空處理室，設置有︰包含銦與鎵與鋅之燒結體的靶材、對靶材投入電力的電源、將放電用的氣體與氧氣分別導入的氣體導入手段、以及測定真空處理室內之水分壓的第3測定手段，且具備有若真空處理室內之水分壓到達1×10-5 Pa～1×10-3 Pa之範圍內的特定值，則進行放電用的氣體與氧氣之導入和對靶材之電力投入之控制手段即可。
以下，參照附圖，以將處理對象物設為玻璃基板W，並於玻璃基板W之其中一面成膜IGZO膜的情況為例，來說明本發明之IGZO膜之成膜方法及適於IGZO膜之成膜的真空處理裝置之實施形態。於以下內容中，玻璃基板W係設為以朝垂直方向立起的姿勢被搬送者，且表示上、下、左、右的方向之用語，係以第1圖作為基準。
參照第1圖，VM係本實施形態之真空處理裝置。真空處理裝置VM，係具有沿著一個方向來透過閘閥Gv而彼此連設的第1～第4之真空腔Vc1、Vc2、Vc3、Vc4，藉由基板搬送手段TP而可將玻璃基板W搬送至第1～第4之真空腔Vc1、Vc2、Vc3、Vc4內的特定位置。基板搬送手段TP係具備有：載體Tc，係將玻璃基板W以朝垂直方向立起的姿勢作保持、和載體搬送手段Tt，係在真空處理裝置VM內將載體Tc朝水平方向搬送。另外，作為基板搬送手段TP，係由於可利用具備有複數根輥之周知者，因此省略更詳細的說明。
上游側(於第1圖中為最左側)之第1真空腔Vc1，係發揮作為所謂裝載鎖定腔之功用者，且具備將其內部進行真空排氣的真空泵11、和將其內部進行大氣開放的通氣閥12。於此情況中，真空泵11，係由可在從大氣壓至特定壓力(40Pa)之壓力範圍內將第1真空腔Vc1內迅速地進行真空排氣者中選擇，例如，可使用旋轉泵等。又，於第1真空腔Vc1的側壁，係設置有圖示省略的開閉門，在大氣壓狀態之第1真空腔Vc1中，可進行處理前的玻璃基板W之對於載體Tc的安裝及處理完畢的玻璃基板W之從載體Tc的卸下。另外，亦可為了將處理完畢的玻璃基板W取出，而在第4真空腔Vc4的下游側，連設有另一個裝載鎖定腔。
與第1真空腔Vc1鄰接的第2真空腔Vc2，係發揮作為本實施形態之真空加熱室之功用者，且具備可將其內部進行真空排氣至特定壓力(1×10-3 Pa)為止的真空泵21、和將以載體Tc所保持的玻璃基板W進行加熱的加熱手段22。於此情況中，真空泵21，係由可將包含有從載體Tc或玻璃基板W脫離的水分子之氣體有效率地排氣者中選擇，例如，可使用具備有前級泵的渦輪分子泵等。作為加熱手段22，係只要是可將載體Tc或玻璃基板W加熱至特定溫度(例如，100～120℃之範圍的溫度)來使水分子有效地脫離者則無特別限制，例如可使用護套式加熱器。又，於第2真空腔Vc2，係設置有作為第1測定手段之質量分析管23，而可測定其內部之水分壓。於此情況中，若以質量分析管23所測定到的水分壓(第1測定值)低於特定值(例如1×10-2 Pa)，則可容許往第3真空腔Vc3之玻璃基板W的搬送。
與第2真空腔Vc2鄰接的第3真空腔Vc3，係發揮作為本實施形態之存放室之功用者，且具備可將其內部進行真空排氣至特定壓力(1×10-4 Pa)為止的真空泵31。於此情況中，真空泵31，尤其係由可將水分子有效率地排氣者中選擇，例如，可使用低溫泵等。又，於第3真空腔Vc3內，係與以載體Tc所支撐的玻璃基板W對向地設置有作為吸附手段之低溫板32，而藉由低溫板32的板面來積極地吸附水分子。於第3真空腔Vc3，係亦設置有作為第2測定手段之質量分析管33，而可測定其內部之水分壓。於此情況中，若以質量分析管33所測定到的水分壓(第2測定值)為比低於上述第1測定值之特定值(例如5×10-3 Pa)更低，則可容許往第4真空腔Vc4之玻璃基板W的搬送。
與第3真空腔Vc3鄰接的第4真空腔Vc4，係發揮作為本實施形態之真空處理室之功用者，而可實施本實施形態之成膜方法並於玻璃基板W之其中一面成膜IGZO膜。第4真空腔Vc，係具備可將其內部進行真空排氣至特定壓力(1×10-5 Pa)為止的渦輪分子泵、乾泵等之真空泵41。於第4真空腔Vc4之側壁面，係與以載體Tc所保持的玻璃基板W對向地設置有濺鍍陰極42。濺鍍陰極42雖無特別圖示來說明，但係以包含銦與鎵與鋅的燒結體之靶材42a和磁鐵單元42b所構成。靶材42a，係具有比玻璃基板W更大的輪廓之略直方體形狀者，於以濺鍍所致之成膜中，係以與將該靶材42a冷卻之銅製的背板(未圖示)接合的狀態作設置。另外，亦可依據玻璃基板W之成膜面的面積，而將複數個靶材42a並列設置於同一平面內來構成。於靶材42a，係亦連接有來自濺鍍電源E之輸出，而可投入特定電力。另一方面，磁鐵單元42b，係以設置於支撐板421(磁軛)之其中一面的中央磁鐵422、和以包圍此中央磁鐵422之周圍的方式來沿著支撐板421的外周配置成環狀的周邊磁鐵423所構成，而於靶材42a與玻璃基板W之間的空間形成有通道狀的洩漏磁場(未圖示)。於此情況中，例如，為了提高靶材42a之利用效率，而於磁鐵單元42b連結驅動手段(未圖示)，而於以濺鍍所致之成膜中，在上下方向或是左右方向之至少一方向以特定的衝程進行來回移動。
又，於第4真空腔Vc4的側壁係開設有氣體供給口，於氣體供給口係分別連接有氣體管43a、43b。氣體管43a、43b，係透過質量流控制器44a、44b，來分別與圖示省略之由氬等之稀有氣體所構成之放電用的氣體之氣體源、和氧氣或臭氧等之含氧的反應氣體之氣體源連通，而可於第4真空腔Vc4內導入被作了流量控制的稀有氣體與反應氣體。此等氣體管43a、43b及質量流控制器44a、44b係構成申請專利範圍的氣體導入手段。進而，於第4真空腔Vc4，係亦設置有作為第3測定手段之質量分析管45，而可測定其內部之水分壓。於此情況中，若以質量分析管45所測定到的水分壓成為特定之範圍(1×10-5 Pa～1×10-3 Pa)，則開始對於玻璃基板W之成膜。另外，例如，在如第4真空腔Vc4內被真空排氣至1×10-5 Pa附近的壓力般的情況時，第4真空腔Vc4內之壓力係可視為等同水分壓。在以這種壓力範圍進行成膜的情況時，亦可省略質量分析管45，而將離子真空計等之真空計作為第3測定手段來使用。
又，真空處理裝置VM，係具有具備有記憶體、微電腦或序列器等之周知的控制單元Cr，並成為例如接收質量分析管23、33、45的測定值之輸出，或統籌控制質量流控制器44a、44b、電源E及各真空泵11、21、31、41之運作。於本實施形態中，上述控制單元Cr，係兼具當以質量分析管23所測定之第1測定值到達特定值時，以及當以質量分析管33所測定之第2測定值到達低於第1測定值之特定值時，容許玻璃基板W的搬送之判定手段的功用，又，亦兼具作為若第4真空處理室Vc4內之水分壓真空排氣至1×10-5 Pa～1×10-3 Pa之範圍內的特定壓力，則進行導入稀有氣體及反應氣體與對靶材42a投入電力之控制手段的功用。以下，以藉由上述真空處理裝置VM於玻璃基板W單面藉由反應性濺鍍來成膜IGZO膜的情況為例，來說明本發明之實施形態之成膜方法。
首先，在大氣狀態之第1真空腔Vc1，將處理前的玻璃基板W設定於載體Tc。若玻璃基板W被設定於載體Tc，則使真空泵11運作來將第1真空腔Vc1內進行真空排氣。另外，第1真空腔Vc1所面向的無塵室，通常其溫度被控制在室溫(例如24℃)，濕度被控制在40%RH，而水分子會吸附於暴露在此無塵室中的載體Tc或玻璃基板W上。又，第2～第4之各真空腔Vc2～Vc4內，係使真空泵21、31、41運作來進行真空排氣。
接著，若第1真空腔Vc1內之壓力到達特定值(例如40Pa)，則打開閘閥Gv來將載體Tc搬送至真空排氣後的狀態之第2真空腔Vc2。在身為第2真空腔Vc2的真空加熱室，藉由加熱手段22將載體Tc或玻璃基板W加熱至特定溫度(例如，100～120℃之範圍的溫度)來使水分子脫離，並使脫離後的水分子藉由真空泵21而排氣。此時，以質量分析管23測定第2真空腔Vc2內之水分壓，若測定到的水分壓(第1測定值)低於特定值(例如1×10-2 Pa)，則打開閘閥Gv來將載體Tc搬送至真空排氣後的狀態之第3真空腔Vc3。
接著，在身為第3真空腔Vc3的存放室，將在真空加熱室Vc2預先使水分子脫離後的載體Tc及玻璃基板W存放在真空環境中，藉由此，而將水分子進一步真空排氣。此時，較理想為，藉由身為吸附手段的低溫板32的板面來積極地吸附水分子。接著，以質量分析管33測定第3真空腔Vc3內之水分壓，若測定到的水分壓(第2測定值)低於特定值(例如5×10-3 Pa)，則打開閘閥Gv來將載體Tc搬送至真空排氣後的狀態之第4真空腔Vc4，並與靶材42a對向地配置玻璃基板W。
接著，在身為第4真空腔Vc4的真空處理室，以質量分析管45測定其內部之水分壓，若所測定到的水分壓成為1×10-5 Pa～1×10-3 Pa之範圍，則開始對於玻璃基板W之成膜。亦即，控制質量流控制器44a、44b來以特定的流量分別導入稀有氣體及反應氣體(此時，真空處理室Vc4內之壓力成為0.1～1.0Pa之範圍，氧分壓成為0～0.05Pa之範圍)，與此相配合，從濺鍍電源E對靶材42a投入特定電力(例如，功率密度為2～5W/cm2 )，而於真空處理室Vc4內形成電漿。藉由此，靶材42a之濺鍍面會被濺鍍，而飛散的銦、鎵及鋅的原子與氧之反應生成物會附著、堆積於玻璃基板W的表面，而成膜IGZO膜。
若依據本實施形態，則藉由將IGZO膜之成膜時的真空處理室Vc4內之水分壓控制在1×10-5 Pa～1×10-3 Pa之範圍，而可得到TFT之特性及可靠性優異的IGZO膜。若水分壓低於1×10-5 Pa，則會產生上揚電壓(VON )往正側偏移的問題。另一方面，若水分壓高於1×10- 3 Pa，則會成為膜密度為低且存在多數之起因於OH- 或O- 之弱耦合的缺陷的IGZO膜，而產生電子移動度降低或上揚電壓(VON )往正側偏移的問題。
進而，若依據本實施形態，則藉由採用在真空加熱室Vc2與真空處理室Vc4之間之玻璃基板W及載體Tc被搬送的路徑上設置存放室Vc3，在此存放室Vc3，將在真空加熱室Vc2預先使水分子脫離後的玻璃基板W及載體Tc存放在真空環境中，而將水分子進一步真空排氣的構造，不用等到在真空加熱室Vc2使水分子從玻璃基板W及載體Tc充分地脫離，即可搬送該玻璃基板W及載體Tc，並且可將在存放室Vc3使水分子進一步脫離的狀態之玻璃基板W及載體Tc搬送至真空處理室Vc4。並且，可在真空加熱室Vc2、存放室Vc3及真空處理室Vc4並行地進行處理，其結果，可縮短直到想要控制的真空處理室Vc4內之水分壓為止之真空排氣的時間，可盡量迅速地開始成膜處理，而可提昇生產性。
接著，為了確認上述效果，而進行以下的實驗。於本實驗中，首先，如第2圖所展示之ES型TFT般，製造出具有使用上述真空處理裝置VM所成膜的IGZO膜作為通道層(活性層)53的TFT。亦即，藉由周知的方法，於玻璃基板50之其中一面形成有作為閘極電極51之鉻膜，之後，將於此閘極電極51上形成有作為閘極絕緣膜52之氧化鋁膜者作為處理對象物W，將此處理對象物W在第1真空腔Vc1內設定於載體Tc。此時，第1真空腔Vc1所面向的無塵室的溫度被控制在24℃，濕度被控制在40%RH，而水分子會吸附於暴露在此無塵室中的處理對象物W及載體Tc。接著，若將第1真空腔Vc1內進行真空排氣而達到40Pa，則將載體Tc搬送至真空加熱室Vc2，並藉由加熱手段22來將載體Tc及處理對象物W加熱至100℃，而使水分子預先脫離。接著，若以質量分析管23所致之第1測定值低於1×10- 2 Pa，則將載體Tc搬送至與存放室Vc3內的低溫板32對向的位置。若以質量分析管33所致之第2測定值低於5×10-3 Pa，則將載體Tc搬送至與真空處理室Vc4內的靶材42a對向的位置。若藉由質量分析管45所測定到的水分壓成為1×10-3 Pa之範圍，則開始IGZO膜之成膜。成膜條件，係設為真空處理室內壓力為0.67Pa、對靶材之投入電力(功率密度)：5W/cm2 。將IGZO膜成膜後的處理對象物W從載體Tc取下，將IGZO膜圖案化而成為通道層53。接著，形成Es層(蝕刻停止層)54，並進一步形成源極電極55s及汲極電極55d，之後，形成鈍化膜(保護膜)56，藉由此，而製造出第2圖所展示之TFT。又，當真空處理室Vc4之水分壓為8×10-6 Pa、2×10-5 Pa、1×10-4 Pa、5×10-3 Pa、1×10-2 Pa時係開始IGZO膜的成膜，而分別製造出具有該IGZO膜之TFT。
根據上揚電壓Von來進行以這種方式得到的TFT之特性評估。參照第3圖，上揚電壓Von，係為將汲極電壓Vd設為5V，測定使閘極電壓Vg在-15V～20V之範圍內變化時的汲極電流Id(A)，而汲極電流Id成為1×10-9 A時的閘極電壓Vg。在上揚電壓Von為0V～1V之範圍的情況時，評估為特性及可靠性優異的TFT。將真空處理室Vc4之水分壓與TFT之上揚電壓Von的關係展示於第4圖。若依據此，則得知藉由將IGZO膜成膜時之水分壓設為1×10-5 Pa～1×10-3 Pa之範圍，係可將TFT之上揚電壓Von設為0V～1V之範圍，而可得到特性及可靠性優異的TFT。
以上，雖針對本發明之實施形態進行了說明，但本發明並不限定於上述內容。於上述實施形態中，雖以根據質量分析管23、33之測定值而容許搬送，並根據質量分析管45之測定值而開始處理的情況為例進行了說明，但並不一定要設有質量分析管23、33、45。在此，由於第1真空腔Vc1所面向的無塵室之環境(溫度、濕度)被控制在略一定，因此在處理對象物(玻璃基板W或載體Tc)被投入第1真空腔Vc1之前，只要將暴露在無塵室的時間控制在略一定(例如1小時)，即可將吸附於各處理對象物的水分量視為同等。因此，例如，在處理對象物被搬送至真空處理室Vc4後經過特定時間後的時點，可將真空處理室Vc4內之水分壓視為1×10-5 Pa～1×10-3 Pa之範圍而開始特定處理。但，若處理對象物暴露於無塵室的時間過短，則附著於處理對象物的水分量會變得過少，結果，真空處理室Vc4內之水分壓會變得低於1×10-5 Pa，而有TFT之上揚電壓Von變得大於1V的情況。因此，將處理對象物暴露於無塵室的時間，較理想係設定成至少特定量的水分會附著於處理對象物。又，在暴露於無塵室的時間為短的情況時，亦可作為使用加熱手段22之加熱的前置工程，而進行將處理對象物暴露於等同無塵室的環境中既定時間的工程，若依據此，則可對吸附於處理對象物來帶進真空加熱室Vc2的水分量進行管理，而為有利。
於上述實施形態中，雖以藉由反應性濺鍍而成膜IGZO膜的濺鍍裝置為例進行了說明，但即使對於以反應性濺鍍以外之方法而成膜的成膜裝置或蝕刻裝置亦可適用本發明。
於上述實施形態中，雖以將玻璃基板W在朝垂直方向立起的狀態下進行搬送的情況為例進行了說明，但即使是將玻璃基板W在水平保持的狀態下進行反應的情況亦可適用本發明。
於上述實施形態中，雖以控制單元Cr兼用作判定手段與控制手段的情況為例進行了說明，但亦可以個別的控制單元來構成判定手段與控制手段。
又，於上述實驗中，作為具有作為通道層之IGZO膜的TFT雖是以ES型之TFT為例來進行了說明，但只要藉由控制IGZO膜成膜時之水分壓，而將TFT之上揚電壓Von設為0V～1V之範圍，則無關於TFT之構造或製法，皆可得到特性及可靠性優異的TFT。
Cr‧‧‧控制單元(判定手段、控制手段)E‧‧‧濺鍍電源(電源)Vc2‧‧‧第2真空腔(真空加熱室)Vc3‧‧‧第3真空腔(存放室)Vc4‧‧‧第4真空腔(真空處理室)VM‧‧‧真空處理裝置W‧‧‧玻璃基板(處理對象物)21‧‧‧第1真空泵22‧‧‧加熱手段23‧‧‧質量分析管(第1測定手段)31‧‧‧第2真空泵32‧‧‧低溫板(吸附手段)33‧‧‧質量分析管(第2測定手段)41‧‧‧第3真空泵42a‧‧‧靶材43a、43b‧‧‧氣體管(氣體導入手段)44a、44b‧‧‧質量流控制器(氣體導入手段)45‧‧‧質量分析管(第3測定手段)
[第1圖]係說明本發明之實施形態之真空處理裝置的示意圖。 　　[第2圖]係對具有藉由本發明之實施形態之成膜方法所成膜的IGZO膜之TFT的構造作展示的示意圖。 　　[第3圖]係說明在確認本發明之效果的實驗中之評估方法的圖。 　　[第4圖]係對確認本發明之效果的實驗結果作展示的圖。
11‧‧‧真空泵
12‧‧‧通氣閥
21‧‧‧第1真空泵
22‧‧‧加熱手段
23‧‧‧質量分析管(第1測定手段)
31‧‧‧第2真空泵
32‧‧‧低溫板(吸附手段)
33‧‧‧質量分析管(第2測定手段)
41‧‧‧第3真空泵
42‧‧‧濺鍍陰極
42a‧‧‧靶材
42b‧‧‧磁鐵單元
43a、43b‧‧‧氣管(氣體導入手段)
44a、44b‧‧‧質量流控制器(氣體導入手段)
45‧‧‧質量分析管(第3測定手段)
421‧‧‧支撐板
422‧‧‧中央磁鐵
423‧‧‧周邊磁鐵
Cr‧‧‧控制單元(判定手段、控制手段)
E‧‧‧濺鍍電源(電源)
Vc1‧‧‧第1真空腔
Vc2‧‧‧第2真空腔(真空加熱室)
Vc3‧‧‧第3真空腔(存放室)
Vc4‧‧‧第3真空腔(真空處理室)
VM‧‧‧真空處理裝置
W‧‧‧玻璃基板(處理對象物)
TP‧‧‧基板搬送手段
Tc‧‧‧載體
Tt‧‧‧載體搬送手段
Gv‧‧‧閘閥

Claims (3)

  1. 一種真空處理裝置，其特徵為具備有：真空加熱室，係具有第1真空泵與加熱手段，在藉由第1真空泵真空排氣後的狀態下藉由加熱手段來將處理對象物進行加熱，而使附著在該處理對象物的水分子脫離；和存放室，係具有第2真空泵，從真空加熱室，加熱完畢的處理對象物係在真空環境中被搬送，在藉由第2真空泵真空排氣後的狀態下將處理對象物進行存放；以及真空處理室，係具有第3真空泵，從存放室，處理對象物係在真空環境中被搬送，在藉由第3真空泵真空排氣後的狀態下對於處理對象物施行特定的處理，係具有測定前述真空加熱室內之水分壓的第1測定手段、和測定前述存放室內之水分壓的第2測定手段，並進而具備有判定手段，其係當以第1測定手段所測定之第1測定值到達特定值時，以及當以第2測定手段所測定之第2測定值到達低於第1測定值之特定值時，容許處理對象物的搬送。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之真空處理裝置，其中，於前述存放室內設置有吸收水分子的吸附手段。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之真空處理裝 置，其中，於前述真空處理室，設置有：包含銦與鎵與鋅之燒結體的靶材、對靶材投入電力的電源、將放電用的氣體與氧氣分別導入的氣體導入手段、以及測定真空處理室內之水分壓的第3測定手段，且具備有若真空處理室內之水分壓真空排氣至1×10-5Pa~1×10-3Pa之範圍內的特定壓力，則進行放電用的氣體與氧氣之導入和對靶材之電力投入的控制手段。
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