TWI451469B - A cold cathode fluorescent tube electrode, and a cold cathode fluorescent tube using the same - Google Patents

Description

冷陰極螢光管用電極及使用該電極的冷陰極螢光管

本發明係關於一種冷陰極螢光管用電極以及使用該電極的冷陰極螢光管。

冷陰極螢光管作為液晶顯示器的背光用光源等，得到了廣泛的應用。冷陰極螢光管具有：細口徑的玻璃管和一對冷陰極螢光管用電極，該玻璃管內部封入有Hg與Ar、Ne等惰性氣體的同時，在內壁面塗敷有螢光體；前述一對冷陰極螢光管用電極在管軸方向彼此相對向而被安裝在該玻璃管內的兩端。藉由對一對冷陰極螢光管用電極間施加高電壓，在冷陰極螢光管內產生電場，從非加熱狀態的陰極(冷陰極)放射出電子。接著，因該電子與Hg原子產生碰撞而使Hg原子被激發，該Hg原子從激發態向基態遷移時放射出的紫外線照射到螢光體上，由此，從該螢光體放射出可視光。

在現有技術中，作為冷陰極螢光管用電極已知有一種實質上僅由Mo構成的電極(參照日本公開專利特開2000-133201號公報)。前述冷陰極螢光管用電極雖然管電壓較低、能源效率較好，但存在有如下問題：即，由於Mo極為昂貴，製造成本較高，而且，因為Mo硬度很大，將其加工成電極比較困難。

因此，作為為了抑制製造成本的同時並得到較良好的加工性而降低Mo含量的電極，已知有如下一種冷陰極螢光管用電極(參照日本公開專利特開2006-12505號公報)。即，該冷陰極螢光管用電極含有相對全量在6~35質量%範圍內的Mo，且剩餘部分由Ni及不可避免的不純物的合金構成。

而且，因Ni在塑性加工性上較為優良，在現有技術中，作為前述冷陰極螢光管用電極，實質上是僅由Ni構成的電極被廣泛使用，並且還被提案有多種由Ni基合金構成的冷陰極螢光管用電極。例如，本案發明者提案了一種由含有Mo和Nb的Ni基合金構成的冷陰極螢光管用電極(參照日本公開專利特開2007-31832號公報)。

但同時，實質上是由Ni構成的上述冷陰極螢光管用電極以及由Ni基合金構成的上述冷陰極螢光管用電極，構成該電極的Ni容易發生濺射，所被濺射的Ni原子與被封入在玻璃管內的Hg原子起反應，而消耗該Hg原子。其結果，實質上是由Ni構成的上述冷陰極螢光管用電極以及由Ni基合金構成的上述冷陰極螢光管用電極具有：其冷陰極螢光管的使用壽命變短、且對於作為環境對策的冷陰極螢光管內的低水銀化對應方面來說是不合適的問題。

本發明的目的在於提供下述一種能夠解決上述問題的冷陰極螢光管用電極以及使用該電極的冷陰極螢光管，具有優良的抗濺射性以及加工性，且能夠降低管電壓。同時，本發明的目的還在於提供一種冷陰極螢光管用電極以及使用該電極的冷陰極螢光管，能夠抑制與水銀的反應，實現作為環境對策的低水銀化。

本發明者們為了達成上述目的而進行了種種硏究，注意到Fe可作為比Mo成本低、且比Ni更具抗濺射性的金屬元素。然而，由於實質上僅由Fe構成的冷陰極螢光管用電極的放電特性不充分，嘗試添加各種以Fe為主要成份的金屬元素。結果得出，由包含規定範圍內的Mo的Fe基合金構成的冷陰極螢光管用電極同時具有可與實質上僅由Mo構成的上述冷陰極螢光管用電極匹敵的放電特性、以及抗濺射性。

於是，本發明者們在由含有Mo的Ni基合金構成的上述冷陰極螢光管用電極中，藉由使用Fe來取代Ni，驚異地發現可使抗濺射性提高，且可降低管電壓。而且，發現使用實質上僅由Fe構成的冷陰極螢光管用電極時會有生銹的問題，但藉由形成為含有規定範圍內的Mo、剩餘部分實質上為Fe的合金所構成的冷陰極螢光管用電極，Mo優先地獲取氧並形成被膜，結果可以抑制生銹。

因此，為了達到上述目的，本發明的冷陰極螢光管用電極的特徵在於，由含有相對全量為0.1~30質量%範圍內的Mo、Fe以及不可避免的不純物的合金構成。另外，本發明的冷陰極螢光管用電極最好是上述合金含有相對全量為0.1~10質量%範圍內的Mo。

此外，為了實現較低的管電壓，本發明的冷陰極螢光管用電極最好是上述合金含有相對全量為1.5~5.5質量%範圍內的Mo。

在本發明的冷陰極螢光管用電極中，上述合金可以進一步含有相對全量為5質量%以下的Ru。根據上述構成，能夠進一步降低管電壓。而且，根據該構成，上述合金中的Ru汲取氧而形成由氧化釕構成的被膜，由此能夠進一步抑制該合金中的Fe的生銹。

並且，本發明的冷陰極螢光管用電極最好由含有相對全量為0.1~30質量%範圍內的Mo、0.1~6質量%範圍內的Nb、Fe以及不可避免的不純物的合金構成。本發明的冷陰極螢光管用電極因上述合金含有上述範圍內的Nb，能夠在提高抗濺射性的同時，抑制Fe基合金的生銹，提高耐腐蝕性。

本發明的冷陰極螢光管用電極能夠應用在冷陰極螢光管中。

接著，結合附圖對本發明的實施形態進行更為詳細的說明。圖1中所示的本實施形態的冷陰極螢光管1用於液晶顯示器的背光用光源等，例如具有直徑為3mm、長度為300mm的玻璃管2、以及安裝在玻璃管2內兩端的一對冷陰極螢光管用電極3。以下，有時會將冷陰極螢光管用電極3簡述為電極3。

玻璃管2在內壁面塗敷有周知的螢光體，並在內部封入有Hg與Ar、Ne等惰性氣體。

冷陰極螢光管用電極3例如為一方呈開口的有底筒狀體，其開口部的外徑為2.1mm、筒壁厚0.15mm、長度為7.0mm。冷陰極螢光管用電極3雖然也可以設成薄板狀，但藉由形成為上述有底筒狀體，而能夠容易地放射出電子。

一對冷陰極螢光管用電極3裝設在玻璃管2內，各電極3的上述開口部在玻璃管2的軸向互相呈相對向。在冷陰極螢光管用電極3的底部，連接有封接銷4，該封接銷4由科瓦合金(Kovar)線形成，封接於玻璃管2並向玻璃管2外側突出。在封接銷4之與冷陰極螢光管用電極3成反向側的端部，連接有由杜美絲(Dumet wire)形成的外部導線5。另外，在封接銷4設置有與玻璃管2進行封接用的玻璃微珠(未被圖示)。

冷陰極螢光管用電極3由含有Fe、相對全量為0.1~10質量%範圍內的Mo、以及不可避免的不純物的合金構成。

本實施形態中的冷陰極螢光管用電極3在構成該電極3的上述合金中，以Fe為基元素。由此，能夠抑制從上述電極3表面以及該電極3濺射的濺射粒子與玻璃管2內的Hg原子發生的反應，從而抑制Hg的消耗，能夠延長冷陰極螢光管1的使用壽命。此外，本實施形態中的冷陰極螢光管用電極3在構成該電極3的上述合金中，藉由將Fe作為基元素，能夠得到作為電極的基本電氣特性以及優良的加工性的同時，能夠實現低成本。

然而，構成冷陰極螢光管用電極3的上述合金如果實質上僅為Fe的話，其放電特性則並不充分。因而，本實施形態中的冷陰極螢光管用電極3在上述合金中添加上述含量範圍的Mo。

本實施形態中的冷陰極螢光管用電極3藉由使上述合金含有上述含量範圍的Mo，能夠降低放電時的管電壓，提高電子放射特性。另外，本實施形態中的冷陰極螢光管用電極3藉由使上述合金含有上述含量範圍的Mo，能夠抑制Fe基合金的生銹。此外，本實施形態中的冷陰極螢光管用電極3藉由使上述合金含有上述含量範圍的Mo，能夠抑制Fe基合金與Hg的反應。

在構成冷陰極螢光管用電極3的上述合金中，當Mo的含量為相對全量為不滿0.1質量%時，則不能提高電子放射特性，無法降低管電壓。同時，當Mo的含量為相對全量為未滿0.1質量%時，不能抑制Fe基合金的生銹，且不能充分抑制Fe基合金與Hg的反應。

而另一方面，在上述合金中，當Mo的含量為相對全量為超過10質量%時，在該合金中會形成反映脆性的Fe₂ Mo、Fe₃ Mo₃ 等的金屬間化合物，或者，由於因硬度增大而降低加工性，不能形成具有想要的形狀的冷陰極螢光管用電極3。

另外，為了更可靠地得到上述含有Mo的效果，在上述合金中，Mo的含量最好是相對全量在1.5~5.5質量%範圍內。

再者，本實施形態中的冷陰極螢光管用電極3可以使用由如下合金所構成者。即，該合金除了含有Fe、相對全量在0.1~10質量%範圍內的Mo、以及不可避免的不純物之外，還含有相對全量在5質量%以下的Ru。在該情況下，能夠進一步降低管電壓以及延長冷陰極螢光管1的使用壽命。

在上述合金中，Ru的含量如果為相對全量為超過5質量%，則無法進一步降低管電壓的同時，成本也增加。在上述合金中，為了更可靠地實現因添加Ru而得到的降低管電壓的效果，可將Ru的含量設定成相對全量在0.1~5質量%的範圍內。

此外，本實施形態中的冷陰極螢光管用電極3還可以使用由如下合金所構成者。即，該合金除了含有Fe、相對全量在0.1~30質量%範圍內的Mo、以及不可避免的不純物之外，還含有相對全量在0.1~6質量%範圍內的Nb。

這時，在上述合金中，當Mo的含量為相對全量為不滿0.1質量%時，則不能提高電子放射特性，無法降低管電壓。同時，在上述合金中，當Mo的含量為相對全量不滿0.1質量%時，不能抑制Fe基合金的生銹，且不能充分抑制Fe基合金與Hg的反應。

而另一方面，在上述合金中，當Mo的含量為相對全量超過30質量%時，無法降低冷陰極螢光管用電極3的管電壓。並且，在上述合金中，當Mo的含量為相對全量超過30質量%時，在該合金中會形成反映脆性的Fe₂ Mo、Fe₃ Mo₃ 等的金屬間化合物，或者硬度增大。其結果，加工性降低，不能形成具有想要的形狀的冷陰極螢光管用電極3。

另外，本實施形態中的冷陰極螢光管用電極3藉由使上述合金含有上述含量範圍的Nb，能夠降低放電時的管電壓，提高電子放射特性。另外，電極3藉由使上述合金含有上述含量範圍的Nb，能夠提高抗濺射性的同時，抑制Fe基合金的生銹，提高耐腐蝕性。

這時，在上述合金中，當Nb的含量為相對全量不滿0.1質量%時，則無法得到上述效果。

另一方面，在上述合金中，當Nb的含量為相對全量超過6質量%時，在該合金中會形成反映脆性的Fe₂ Nb等的金屬間化合物，或者因硬度增大而使加工性降低，不能形成具有想要的形狀的冷陰極螢光管用電極3。

接著，提示實施例以及比較例。

(實施例一)

在本實施例中，首先，在真空熔解爐中將Fe和Mo構成的鑄錠10kg熔解，調製成熔液，並將該熔液製成規定形狀的塊。上述塊含有相對全量為3.4質量%的Mo，剩餘部分由Fe以及不可避免的不純物的合金構成。上述不可避免的不純物含有相對上述合金的全量為0.10質量%以下的C、0.50質量%以下的Si、0.50質量%以下的Mn、0.05質量%以下的P、0.50質量%以下的S。

接著，對上述塊施以溫度1100℃的熱鍛，得到厚度為20mm的板材。隨後，藉由對上述厚度為20mm的板材施以線切割，得到厚度為1mm的板材。然後，藉由對上述厚度為1mm的板材進行硏磨，去除因上述線切割而產生的氧化皮(oxide scale)。

接著，對已去除上述氧化皮後的厚度為1mm的板材，依序反覆施以常溫下的冷壓延和氫環境下溫度800℃的退火，藉此得到厚度為0.2mm的薄板材。隨後，對上述厚度為0.2mm的薄板材施以10分鐘的氫環境下溫度800℃的退火後，藉由冷卻至常溫，得到用於冷陰極螢光管用電極3的電極材料。

隨後，測定由本實施例得到的電極材料的維氏硬度(Vickers hardness)，其值為156HV。結果示於表1中。

然後，與本實施例完全相同，測定實質上僅由Ni構成且剩餘部分是不可避免的不純物的電極材料(參考例一)的維氏硬度，其值為75HV。結果示於表1中。

接著，利用四探針法測定由本實施例得到的電極材料的電阻率，其值為19.7μΩ‧cm。結果示於表1及圖2中。

隨後，與本實施例完全相同，測定參考例一中的電極材料的電阻率，其值為4.6μΩ‧cm。結果示於表1中。

然後，使用本實施例中得到的電極材料，製成出兩枚縱長20mm、橫寬20mm、厚0.2mm的試驗片。

首先，將第一枚試驗片放置在空氣中2160小時，確認是否生銹，其結果並沒生銹。

接著，將第二枚試驗片放置在濺射裝置的真空室內，在5.33×10^-1 Pa的Ar環境下，在供應電力150W的條件下連續施以濺射8小時。隨後，藉由測定經連續濺射後的上述試驗片減少的重量，計算出本實施例中得到的電極材料的濺射率。

然後，關於參考例一的電極材料，與本實施例完全相同，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本實施例的電極材料的濺射率相當於59%。結果示於表1中。在表1中，濺射率值越低，則表示因濺射而產生的消耗越少，抗濺射性越為優良。

接著，使用本實施例中得到的電極材料，製成出縱長15mm、橫寬1.5mm、厚0.2mm的一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極3。

接著，為了對本實施例中得到的冷陰極螢光管用電極3的性能進行評價，製成冷陰極管A，該冷陰極管A在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極3。考慮到隨後檢查有無從冷陰極螢光管用電極3濺射出原子以及與Hg的反應時的方便性，冷陰極管A採用了內壁面沒有被塗敷螢光體的玻璃管。

首先，為了製成冷陰極管A，將由科瓦合金線形成的封接銷4連接到本實施例中得到的一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極3的端部，在該封接銷4之與冷陰極螢光管用電極3成反向側的端部，連接有由杜美絲形成的外部導線5。在封接銷4設置有與玻璃管2進行封接用的玻璃微珠(未被圖示)。

接著，在直徑為3mm、長為300mm之在內壁面沒有被塗敷螢光體的的玻璃管內兩端，裝設有連接了封接銷4的薄板狀的冷陰極螢光管用電極3。這時，在軸向設置一對冷陰極螢光管用電極3，以使未被連接有封接銷4之側的端部相互呈相對向。

隨後，將Hg與Ar以及Ne氣體封入到上述玻璃管內部後，將封接銷4與該玻璃管封接。這時，使封接銷4向上述玻璃管的外側突出，從而得到冷陰極管A。

然後，對製成的冷陰極管A的一對上述電極3之間，分別施加5mA、6mA、7mA、8mA的管電流，測定針對各個管電流而產生的管電壓。將結果示於圖3中。

接著，製成作為參考例二的一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極，製成具有該一對電極的冷陰極管B。其中，關於該電極，除了使用了實質上僅由Mo構成且剩餘部分是不可避免的不純物的電極材料之外，其他與本實施例完全相同。對製成的冷陰極管B的一對上述電極之間，分別施加5mA、6mA、7mA、8mA的管電流，測定針對各個管電流而產生的管電壓。將結果示於圖3中。並且，圖4中示出了對上述冷陰極管A(具有本實施例的冷陰極螢光管用電極3)施加了8mA的管電流時產生的管電壓相對於對上述冷陰極管B(具有參考例二的冷陰極螢光管用電極)施加了8mA的管電流時產生的管電壓的比。

接著，以管電流6mA固定的條件下，使上述冷陰極管A放電200小時後，將該冷陰極管A開封，取出冷陰極螢光管用電極3。隨後，為了檢查有無從冷陰極螢光管用電極3濺射出原子以及與Hg的反應，藉由電子微探儀(EPMA：Electron Probe Micro Analyzer)測定該電極3的表面組成以及上述玻璃管內壁面的組成。結果示於表2及表3中，表2表示了冷陰極螢光管用電極3的表面組成；表3表示上述玻璃管內壁面的組成。

接著，使用本實施例中得到的電極材料，製成兩對冷陰極螢光管用電極3，該電極3為一側呈開口的有底筒狀體，開口部的外徑為2.1mm、筒壁厚0.15mm、長7.0mm。

隨後，為了對具有本實施例中得到的冷陰極螢光管用電極3的冷陰極螢光管1進行水銀消耗量評價，製成了冷陰極螢光管1a，該冷陰極螢光管1a在內壁面塗敷有螢光體的玻璃管2的內部具有一對有底筒狀體的冷陰極螢光管用電極3。

首先，為了製成冷陰極螢光管1a，將由科瓦合金線形成的封接銷4連接到本實施例中得到的一對有底筒狀體的冷陰極螢光管用電極3的端部，在該封接銷4之與該電極3成反向側的端部，連接有由杜美絲形成的外部導線5。在封接銷4上設置有與玻璃管進行封接用的玻璃微珠(未被圖示)。

接著，在直徑為3mm、長為569mm之在內壁面塗敷有螢光體的玻璃管2內兩端，裝設有連接了封接銷4的有底筒狀體的冷陰極螢光管用電極3。這時，在軸向設置一對冷陰極螢光管用電極3，以使未被連接封接銷4之側的端部相互呈相對向。

隨後，將Hg與Ar氣體、Ne氣體封入到玻璃管2內部。以使Ar氣體以及Ne氣體的合計壓力達到5.3kPa的形式來實施上述封入。然後，將封接銷4和玻璃管2進行封接。這時，使封接銷4向上述玻璃管的外側突出，從而得到冷陰極螢光管1a。

接著，以管電流8mA固定的條件下，使被製成的本實施例的冷陰極螢光管1a放電2000小時。隨後，用240℃的溫度加熱玻璃管2，並使用螢光管中水銀測定裝置，測定從玻璃管2放射出的水銀量作為有效水銀量，該測定值為3.64g。上述有效水銀量相當於上述放電時未被消耗的金屬水銀量。

其後，用900℃的溫度加熱玻璃管2，測定從玻璃管2放射出的水銀量作為消耗水銀量，該測定值為0.04g。上述消耗水銀量相當於上述放電時消耗的螢光體和附著在管壁上的化合物水銀量。上述有效水銀量和上述消耗水銀量之和相當於製作冷陰極螢光管1a時被封入在玻璃管2內的總水銀量。於是，根據下式(1)計算出上述放電時的水銀消耗率。結果示於表4中。

水銀消耗率(%)={消耗水銀量(g)/總水銀量(g)}×100(%)…(1)

接著，製作一對有底筒狀體的冷陰極螢光管用電極，關於該電極，除了使用了參考例一中的電極材料之外，其他與本實施例完全相同，並製成參考例一的冷陰極螢光管，該冷陰極螢光管在內壁面塗敷有螢光體之長569mm的玻璃管內部具有上述一對電極。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，以管電流8mA固定的條件下，使被製成的本實施例的冷陰極螢光管放電2000小時，計算出該放電時的水銀消耗率。結果示於表4中。

然後，為了對具有本實施例中製成的冷陰極螢光管用電極3的冷陰極螢光管1進行使用壽命的評價，製成冷陰極螢光管1b，該冷陰極螢光管1b除了玻璃管2的長度為300mm之外，其他與本實施例的冷陰極螢光管1a完全相同。

接著，在管電流8mA固定的條件下，使被製成的本實施例的冷陰極螢光管1b放電，測定此時的中心亮度。隨後，藉由對得出的結果進行萊曼(Lehmann)近似，計算出冷陰極螢光管1b的中心亮度減半所需的時間。並將結果示於圖5及表5中。

接著，製作一對有底筒狀體的冷陰極螢光管用電極，關於該電極，除了使用了參考例一中的電極材料之外，其他與本實施例完全相同，並製成參考例一的冷陰極螢光管，該冷陰極螢光管在長300mm的玻璃管內部具有上述一對電極。

隨後，與本實施例完全相同，在管電流8mA固定的條件下，使被製成的本實施例的冷陰極螢光管放電，測定放電時的中心亮度。隨後，藉由對得出的結果進行萊曼(Lehmann)近似，計算出本實施例的冷陰極螢光管的中心亮度減半所需的時間。並將結果示於圖5及5中。

(實施例二)

在本實施例中，製成了本實施例的電極材料。關於該電極材料，除了使用了含有相對全量為6.6質量%的Mo、剩餘部分為不可避免的不純物的合金之外，其他與實施例一完全相同。

接著，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的維氏硬度，其值為200HV。結果示於1中。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的電阻率，其值為26.0μΩ‧cm。結果示於1及圖2中。

然後，關於由本實施例得到的電極材料，以與實施例一完全相同的方式，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。當將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本實施例的電極材料的濺射率相當於65%。結果示於表1中。

其後，以與實施例一完全相同的方式，使用從本實施例中得到的電極材料製作一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極3，並製成冷陰極管C，該冷陰極管C在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極3。

接著，以與實施例一完全相同的方式，對製成的冷陰極管C的一對上述電極3之間施加8mA的管電流，測定產生的管電壓。在圖4中示出上述冷陰極管C的管電壓相對於上述冷陰極管B的管電壓的比。

(實施例三)

在本實施例中，製成了本實施例的電極材料。關於該電極材料，除了使用了含有相對全量為9.9質量%的Mo、剩餘部分為Fe以及不可避免的不純物的合金之外，其他與實施例一完全相同。

接著，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的維氏硬度，其值為291HV。結果示於表1中。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的電阻率，其值為26.2μΩ‧cm。結果示於表1及圖2中。

然後，關於由本實施例得到的電極材料，以與實施例一完全相同的方式，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。當將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本實施例的電極材料的濺射率相當於71%。結果示於表1中。

其後，以與實施例一完全相同的方式，使用從本實施例中得到的電極材料製作一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極3，並製成冷陰極管D，該冷陰極管D在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極3。

接著，以與實施例一完全相同的方式，對製成的冷陰極管D的一對上述電極3之間施加8mA的管電流，測定產生的管電壓。在圖4中示出上述冷陰極管D的管電壓相對於上述冷陰極管B的管電壓的比。

(實施例四)

在本實施例中，製成了本實施例的電極材料。關於該電極材料，除了使用了含有相對全量為0.17質量%的Mo、剩餘部分為Fe以及不可避免的不純物的合金之外，其他與實施例一完全相同。

接著，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的維氏硬度，其值為113HV。結果示於表1中。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的電阻率，其值為11.0μΩ‧cm。結果示於表1及圖2中。

然後，關於由本實施例得到的電極材料，以與實施例一完全相同的方式，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。當將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本實施例的電極材料的濺射率相當於58%。結果示於表1中。

其後，以與實施例一完全相同的方式，使用從本實施例中得到的電極材料製作一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極3，並製成冷陰極管E，該冷陰極管E在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極3。

接著，以與實施例一完全相同的方式，對製成的冷陰極管E的一對上述電極3之間施加8mA的管電流，測定產生的管電壓。在圖4中示出上述冷陰極管E的管電壓相對於上述冷陰極管B的管電壓的比。

(實施例五)

在本實施例中，製成了本實施例的電極材料。關於該電極材料，除了使用了含有相對全量為1.7質量%的Mo、剩餘部分為Fe以及不可避免的不純物的合金之外，其他與實施例一完全相同。

接著，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的維氏硬度，其值為149HV。結果示於表1中。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的電阻率，其值為15.4μΩ‧cm。結果示於表1及圖2中。

然後，關於由本實施例得到的電極材料，以與實施例一完全相同的方式，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。當將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本實施例的電極材料的濺射率相當於57%。結果示於表1中。

其後，以與實施例一完全相同的方式，使用從本實施例中得到的電極材料製作一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極3，並製成冷陰極管F，該冷陰極管F在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極3。

接著，以與實施例一完全相同的方式，對製成的冷陰極管F的一對上述電極3之間施加8mA的管電流，測定產生的管電壓。在圖4中示出上述冷陰極管F的管電壓相對於上述冷陰極管B的管電壓的比。

(實施例六)

在本實施例中，製成了本實施例的電極材料。關於該電極材料，除了使用了含有相對全量為5.0質量%的Mo、剩餘部分為Fe以及不可避免的不純物的合金之外，其他與實施例一完全相同。

接著，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的維氏硬度，其值為175HV。結果示於表1中。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的電阻率，其值為23.8μΩ‧cm。結果示於表1及圖2中。

然後，關於由本實施例得到的電極材料，以與實施例一完全相同的方式，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。當將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本實施例的電極材料的濺射率相當於57%。結果示於表1中。

其後，以與實施例一完全相同的方式，使用從本實施例中得到的電極材料製作一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極3，並製成冷陰極管G，該冷陰極管G在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極3。

接著，以與實施例一完全相同的方式，對製成的冷陰極管G的一對上述電極3之間施加8mA的管電流，測定產生的管電壓。在圖4中示出上述冷陰極管G的管電壓相對於上述冷陰極管B的管電壓的比。

(比較例一)

在本比較例中，製成了本比較例的電極材料。關於該電極材料，除了使用了實質上僅由Fe構成且剩餘部分為不可避免的不純物的金屬之外，其他與實施例一完全相同。

接著，以與實施例一完全相同的方式，測定由本比較例得到的電極材料的維氏硬度，其值為110HV。結果示於表1中。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，測定由本比較例得到的電極材料的電阻率，其值為10.1μΩ‧cm。結果示於表1及圖2中。

然後，關於由本比較例得到的電極材料，以與實施例一完全相同的方式，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。當將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本比較例的電極材料的濺射率相當於58%。結果示於表1中。

其後，以與實施例一完全相同的方式，使用從本比較例中得到的電極材料製作一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極，並製成冷陰極管H，該冷陰極管H在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極。

接著，以與實施例一完全相同的方式，對製成的冷陰極管H的一對上述電極之間分別施加5mA、6mA、7mA、8mA的管電流，並分別測定針對各個管電流產生的管電壓。結果示於圖3中。在圖4中示出上述冷陰極管H的管電壓相對於上述冷陰極管B的管電壓的比。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，藉由EPMA測定上述冷陰極管H的冷陰極螢光管用電極的表面組成以及玻璃管內壁面的組成。結果示於表2及表3中。

(比較例二)

在本比較例中，製成了本比較例的電極材料。關於該電極材料，除了使用了含有相對全量為15.3質量%的Mo、剩餘部分為Ni以及不可避免的不純物的合金之外，其他與實施例一完全相同。

接著，以與實施例一完全相同的方式，測定由本比較例得到的電極材料的維氏硬度，其值為305HV。結果示於表1中。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，測定由本比較例得到的電極材料的電阻率，其值為72.6μΩ‧cm。結果示於表1中。

然後，關於由本比較例得到的電極材料，以與實施例一完全相同的方式，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。當將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本比較例的電極材料的濺射率相當於111%。結果示於表1中。

其後，以與實施例一完全相同的方式，使用從本比較例中得到的電極材料製作一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極，並製成冷陰極管J，該冷陰極管J在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極。

接著，以與實施例一完全相同的方式，藉由EPMA測定上述冷陰極管J的冷陰極螢光管用電極的表面組成以及玻璃管內壁面的組成。結果示於表2及表3中。

(比較例三)

在本比較例中，製成了本比較例的電極材料。關於該電極材料，除了使用了含有相對全量為16.0質量%的Mo、剩餘部分為Fe以及不可避免的不純物的合金之外，其他與實施例一完全相同。

接著，以與實施例一完全相同的方式，測定由本比較例得到的電極材料的維氏硬度，其值為490HV。結果示於表1中。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，測定由本比較例得到的電極材料的電阻率，其值為33.6μΩ‧cm。結果示於表1及圖2中。

然後，關於由本比較例得到的電極材料，以與實施例一完全相同的方式，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。當將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本比較例的電極材料的濺射率相當於65%。結果示於表1中。

其後，以與實施例一完全相同的方式，使用從本比較例中得到的電極材料製作一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極，並製成冷陰極管K，該冷陰極管K在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極。

接著，以與實施例一完全相同的方式，對製成的冷陰極管K的一對上述電極之間施加8mA的管電流，測定產生的管電壓。在圖4中示出上述冷陰極管K的管電壓相對於上述冷陰極管B的管電壓的比。

(比較例四)

在本比較例中，製成了本比較例的電極材料。關於該電極材料，除了使用了含有相對全量為23.3質量%的Mo、剩餘部分為Fe以及不可避免的不純物的合金之外，其他與實施例一完全相同。

接著，以與實施例一完全相同的方式，測定由本比較例得到的電極材料的維氏硬度，其值為493HV。結果示於表1中。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，測定由本比較例得到的電極材料的電阻率，其值為36.2μΩ‧cm。結果示於表1及圖2中。

然後，關於由本比較例得到的電極材料，以與實施例一完全相同的方式，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。當將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本比較例的電極材料的濺射率相當於83%。結果示於表1中。

其後，以與實施例一完全相同的方式，使用從本比較例中得到的電極材料製作一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極，並製成冷陰極管L，該冷陰極管L在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極。

接著，以與實施例一完全相同的方式，對製成的冷陰極管L的一對上述電極之間施加8mA的管電流，測定產生的管電壓。在圖4中示出上述冷陰極管L的管電壓相對於上述冷陰極管B的管電壓的比。

從表1可以明顯看出，實施例一~實施例六的電極材料與比較例二的電極材料相比，維氏硬度較小，加工性優良。上述實施例一~實施例六的電極材料由含量為相對全量為0.17~9.9質量%範圍內的Mo、以及剩餘部分實質上為Fe的合金構成。而上述比較例二的電極材料由含量為相對全量為15.3質量%範圍內的Mo、以及剩餘部分實質上為Ni的合金構成。一般對於金屬材料來說，維氏硬度較低的材料冷塑加工性較為優良，維氏硬度要是在300HV以下，則容易進行冷加工。所以，從表1的結果可以明顯看出，實施例一~實施例六的電極材料可容易加工成實施例1的冷陰極螢光管用電極3。

同時，從表1可以明顯看出，比較例二的電極材料的濺射率比參考例一的電極材料要大。上述比較例二的電極材料由含量為相對全量為15.3質量%範圍內的Mo、剩餘部分實質上為Ni的合金構成。上述參考例一的電極材料實質上僅由Ni構成。而另一方面，明顯可以看出實施例一~實施例六的電極材料的濺射率比參考例一的電極材料要小。上述實施例一~實施例六的電極材料由含量為相對全量為0.17~9.9質量%範圍內的Mo、剩餘部分實質上為Fe的合金構成。所以，可以明顯得出實施例一~實施例六的電極材料因濺射率小而具備優良的抗濺射性。

另外，從圖2可以明顯看出Mo含量越大、電阻率越大，因而明顯可以得出實施例一~實施例六的電極材料的放電特性較為優良。特別是因為當Mo的含量為相對於全量超過10質量%時，電阻率急劇上升，因此可以明顯看出在含有Mo且由Fe基合金構成的電極材料中，較為理想的是將Mo的含量設定為相對於全量在10質量%以下。

此外，從圖3可以明顯看出，實施例一的冷陰極螢光管用電極3與實質上僅由Fe構成的比較例一的冷陰極螢光管用電極相比，儘管Mo的含量少，但管電壓小。上述實施例一的冷陰極螢光管用電極3由含量為相對全量為3.4質量%的Mo、剩餘部分實質上為Fe的合金構成。同時，明顯可以看出，使用實施例一的冷陰極螢光管用電極3時的管電壓，與使用參考例二的實質上僅由Mo構成的冷陰極螢光管用電極時的管電壓較為接近。所以，明顯可知實施例一的冷陰極螢光管用電極3的管電壓較低，能源效率較為良好。

並且，從圖4可以明顯看出，當將管電流設為8mA時，實施例一~實施例六的冷陰極螢光管用電極3與比較例一的實質上僅由Fe構成的冷陰極螢光管用電極相比，管電壓較小。上述實施例一~實施例六的冷陰極螢光管用電極3由含量為相對全量為0.17~9.9質量%範圍內的Mo、剩餘部分實質上為Fe的合金構成。另外，明顯可知：Mo的含量為相對全量為1.5~5.5質量%範圍內、剩餘部分實質上為Fe的實施例一、五、六的冷陰極螢光管用電極3因管電壓特別低，能源效率較為良好。

另外，從表2可以明確知道，在冷陰極管A(具有實施例一的薄板狀的冷陰極螢光管用電極3)中，該電極3的表面上並不存在Hg原子。並且，從表3可以明顯看出，在上述冷陰極管A中，玻璃管的內壁面上有相對全量為3.3質量%的Fe原子，但並不存在Hg原子，這個可以認為是由於冷陰極螢光管用電極3的表面上有Mo存在。所以，在上述冷陰極管A中，雖然構成上述電極3的Fe原子些微被濺射，但是該電極3的表面和玻璃管的內壁面兩處並沒有形成合金(汞合金(amalgam))。由此，可以明確知道，冷陰極管A不會有因汞合金的形成而消耗玻璃管內的Hg，能夠延長該冷陰極管A的使用壽命。

另一方面，從表2可以明顯看出，在冷陰極管H(具有比較例一的薄板狀的冷陰極螢光管用電極)中，該電極的表面上存在相對全量為2.5質量%的Hg原子。所以，明顯可知，在冷陰極管H中，雖然只是微量，但是Fe和Hg在上述電極表面上進行了反應。因此明確可知，冷陰極管H由於汞合金的形成，消耗了玻璃管內的Hg，該冷陰極管H的使用壽命變短。

此外，從表3可知，在冷陰極管J(具有比較例二的薄板狀的冷陰極螢光管用電極)中，在玻璃管內壁面上存在有相對全量為1.5質量%的Mo原子、44.33質量%的Ni原子以及1.2質量%的Hg原子。所以，明顯可知，在冷陰極管J中，構成上述電極的Mo原子以及Ni原子被大量濺射並附著在玻璃管的內壁面上，形成了易與Hg起反應的Ni和Hg構成的汞合金。因此明確可知，冷陰極管J由於汞合金的形成，消耗了玻璃管內的Hg，該冷陰極管J的使用壽命變短。

所以，可以明確知道：在內壁面塗敷螢光體的玻璃管2的內部具有上述各實施例一~實施例六的冷陰極螢光管用電極3的冷陰極螢光管1，因不會由於汞合金的形成而消耗玻璃管內的Hg，能夠延長該螢光管1的壽命。

從表4明確可知，實施例一的冷陰極螢光管用電極3與參考例一的實質上僅由Ni構成的冷陰極螢光管用電極相比，水銀消耗率格外低。上述實施例一的冷陰極螢光管用電極3由含量為相對全量為3.4質量%的Mo、剩餘部分實質上為Fe的合金構成。所以可知，實施例一的冷陰極螢光管1的玻璃管2內的Hg的消耗非常少，能夠延長該螢光管1的使用壽命。

(實施例七)

在本實施例中，製成了本實施例的電極材料。關於該電極材料，除了使用了含有相對全量為3.4質量%的Mo、相對全量為0.6質量%的Ru、以及剩餘部分為Fe以及不可避免的不純物的合金之外，其他與實施例一完全相同。

接著，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的維氏硬度，其值為153HV。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，測定由本實施例得到的電極材料的電阻率，其值為22.1μΩ‧cm。

然後，關於由本實施例得到的電極材料，以與實施例一完全相同的方式，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。當將參考例一的電極材料的濺射率設定為100%時，本實施例的電極材料的濺射率相當於71%。

其後，以與實施例一完全相同的方式，使用從本實施例中得到的電極材料製作一對有底筒狀體的冷陰極螢光管用電極3，並製成冷陰極螢光管1，該冷陰極螢光管1在內壁面塗敷有螢光體的長300mm的玻璃管2內部，具有上述電極3。

隨後，除了使用了由本實施例得到的冷陰極螢光管1以外，其餘與本實施例完全相同，測定在管電流8mA固定的條件下放電時的中心亮度，藉由對得出的結果進行萊曼(Lehmann)近似，計算出冷陰極螢光管1的中心亮度減半所需的時間。並將結果示於圖5及表5中。

根據圖5以及表5可以推測出，實施例一的冷陰極螢光管1與參考例一的冷陰極螢光管相比，中心亮度減半所需的時間較長，而實施例七的冷陰極螢光管1與實施例一的冷陰極螢光管1相比，中心亮度減半所需的時間更長。所以，明顯可知，特別是實施例七的冷陰極螢光管1能夠延長使用壽命。

上述實施例一的冷陰極螢光管1具有含量為相對全量為3.4質量%的Mo、剩餘部分實質上為Fe的冷陰極螢光管用電極3。上述實施例七的冷陰極螢光管1具有含量為相對全量為3.4質量%的Mo、相對全量為0.6質量%的Ru、剩餘部分實質上為Fe的冷陰極螢光管用電極3。上述參考例一的冷陰極螢光管具有實質上僅由Ni構成的冷陰極螢光管用電極。

(實施例八)

在本實施例中，首先，藉由在真空熔解爐中將Fe、Mo以及Nb熔解，調製成熔液並進行鑄造，製成約重10kg的鑄錠。上述鑄錠含有相對全量為3.4質量%的Mo與1.6質量%的Nb、剩餘部分由Fe及不可避免的不純物的合金構成。上述不可避免的不純物含有相對上述合金的全量為0.10質量%以下的C、0.50質量%以下的Si、0.80質量%以下的Mn、0.05質量%以下的P、以及0.50質量%以下的S。

接著，除了使用了由本實施例得到的鑄錠以外，其他以與實施例一完全相同的方式製作本實施例的電極材料。

隨後，以與實施例一完全相同的方式，使用本實施例中得到的電極材料製成試驗片，並藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。

然後，對於實質上僅由Ni構成、剩餘部分為不可避免的不純物的電極材料(參考例三)，與本實施例完全相同，製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。將參考例三的電極材料的濺射率設定為100%時，本實施例的電極材料的濺射率相當於69.1%。結果示於表6中。

接著，為了對本實施例中得到的電極材料的加工性進行評價，進行了張力試驗。首先，對由本實施例得到的上述鑄錠，施以溫度1100℃的熱鍛，並反覆進行常溫下的冷壓延、以及氫環境下溫度800℃的退火。在氫環境下800℃的退火進行10分鐘後，藉由冷卻至常溫，製成圓棒試驗片。上述圓棒試驗片具有作為平行部的小徑部、和在該試驗片兩端的大徑部，平行部長24mm、直徑為8mm。

隨後，對該圓棒試驗片進行張力速度為24mm/秒的張力試驗，測定張力強度為502N/mm² 。並且，測定張力試驗後的圓棒試驗片的平行部的長度以及直徑，計算出張力試驗的延伸率及頸縮率，延伸率為34.9%、頸縮率為59.6%。結果示於表7中。

然後，針對參考例三的電極材料，以與本實施例完全相同的方式，製作圓棒試驗片，並進行張力試驗，測定張力強度的同時，計算出延伸率以及頸縮率，分別得出張力強度為361N/mm² 、延伸率為18.8%、頸縮率為6.4%。結果示於表7中。

接著，以與實施例一完全的方式，使用由本實施例得到的電極材料製成兩對本實施例的薄板狀的冷陰極螢光管用電極3。

隨後，為了對由本實施例得到的冷陰極螢光管用電極3的性能進行評價，以與本實施例一完全相同的方式，製成冷陰極管M，該冷陰極管M在內壁面沒被塗敷螢光體的直徑為3mm、長為300mm的玻璃管內部，具有一對薄板狀的該電極3。

然後，以管電流6mA固定的條件下，使上述冷陰極管M放電300小時後，開封該冷陰極管M，並取出冷陰極螢光管用電極3。接著，為了檢查有無從冷陰極螢光管用電極3濺射出的原子以及與Hg的反應，藉由EPMA測定冷陰極螢光管用電極3的表面組成以及上述玻璃管內壁面的組成。結果，將在冷陰極螢光管用電極3的表面以及玻璃管的內壁上有無水銀原子示於表8中。

接著，除了使用了參考例三的電極材料之外，其餘與本實施例完全相同的方式，製作一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極，製成具有該電極的冷陰極管N(參考例三)。針對得到的冷陰極管N，以與本實施例一完全相同的方式，藉由EPMA測定冷陰極螢光管用電極的表面組成以及玻璃管內壁面的組成。結果示於表8中。

為了對由本實施例得到的冷陰極螢光管用電極3的性能進行評價，以與實施例一完全相同的方式，製成冷陰極螢光管1c，該冷陰極螢光管1c在內壁面被塗敷了螢光體的直徑為3mm、長為300mm的玻璃管2內部，具有一對薄板狀的上述電極3。

接著，對製成的本實施例的冷陰極螢光管1的一對上述電極3之間分別施加5mA、6mA、7mA、8mA的管電流，並分別測定針對各個管電流產生的管電壓。結果示於圖6中。

然後，除了使用了參考例一的電極材料以外，其他以與本實施例完全相同的方式，製成一對冷陰極螢光管用電極，並製成具有該電極的冷陰極螢光管(參考例三)。對製成的冷陰極螢光管的一對上述電極之間分別施加5mA、6mA、7mA、8mA的管電流，並分別測定針對各個管電流產生的管電壓。結果示於圖6中。

(比較例五)

在本比較例中，製成了本比較例的電極材料。關於該電極材料，除了使用實質上僅由Mo構成、剩餘部分為不可避免的不純物的金屬之外，其他與實施例八完全相同。

接著，與實施例八完全相同，使用由本比較例得到的電極材料製成試驗片，藉由測定經連續濺射後的該試驗片減少的重量，計算出該電極材料的濺射率。將參考例三的電極材料的濺射率設定為100%時，本比較例的電極材料的濺射率相當於83.4%。結果示於表6中。

隨後，以與實施例八完全相同的方式，對由本比較例得到的電極材料製作圓棒試驗片，並進行張力試驗，測定張力強度的同時，計算出延伸率以及頸縮率，分別得出張力強度為335N/mm² 、延伸率為2.4%、頸縮率為1.6%。結果示於表7中。

然後，以與實施例八完全相同的方式，使用由本比較例得到的電極材料，製成一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極，並製成冷陰極管P，該冷陰極管P在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極。

接著，針對上述冷陰極管P，以與實施例八完全相同的方式，藉由EPMA測定冷陰極螢光管用電極的表面組成以及玻璃管內壁面的組成。結果示於表8中。

隨後，以與實施例八完全相同的方式，使用由本比較例得到的電極材料，製成一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極，並製成冷陰極螢光管，該冷陰極螢光管在內壁面塗敷有螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極。對製成的冷陰極螢光管的一對上述電極之間分別施加5mA、6mA、7mA、8mA的管電流，並分別測定針對各個管電流產生的管電壓。結果示於圖6中。

(比較例六)

在本比較例中，製成了本比較例的電極材料。關於該電極材料，除了使用實質上僅由Fe構成、剩餘部分為不可避免的不純物的金屬之外，其他與實施例八完全相同。

然後，以與實施例八完全相同的方式，使用由本比較例得到的電極材料，製成一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極，並製成冷陰極管Q，該冷陰極管Q在內壁面沒被塗敷螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極。

接著，針對上述冷陰極管Q，以與實施例八完全相同的方式，藉由EPMA測定冷陰極螢光管用電極的表面組成以及玻璃管內壁面的組成。結果示於表8中。

隨後，以與實施例八完全相同的方式，使用由本比較例得到的電極材料，製成一對薄板狀的冷陰極螢光管用電極，並製成冷陰極螢光管，該冷陰極螢光管在內壁面塗敷有螢光體的玻璃管內部，具有上述一對電極。對製成的冷陰極螢光管的一對上述電極之間分別施加5mA、6mA、7mA、8mA的管電流，並分別測定針對各個管電流產生的管電壓。結果示於圖6中。

從表6明顯可知，實施例八的電極材料與比較例五的實質上由Mo構成的電極材料相比，濺射率較小，具有優良的抗濺射性。上述實施八的電極材料由含量為相對全量為3.4質量%的Mo、1.6質量%的Nb、剩餘部分實質上為Fe的合金構成。

另外，從表7可以明顯看出，實施例八的電極材料與比較例五相比，張力強度較大，具有優良的強度。此外，從表7可以明顯得出，實施例八的電極材料與比較例五相比，延伸率以及頸縮率特別大，具有優良的加工性。

從表8可以明顯看出，在冷陰極管M(具有實施例八的薄板狀的冷陰極螢光管用電極3)中，在該電極3的表面以及玻璃管的內壁面上不存在Hg原子。所以，在上述冷陰極管M中，雖然構成冷陰極螢光管用電極3的Fe原子些微被濺射，但在該電極3的表面以及玻璃管的內壁面兩處明顯沒有形成Fe和Hg構成的合金(汞合金)。由此可以明確得知，上述冷陰極管M不會因形成汞合金而消耗玻璃管內的Hg，從而，能夠延長該冷陰極管M的使用壽命。

而另一方面，明顯可知，在冷陰極管N(具有參考例三的薄板狀的冷陰極螢光管用電極)中，該電極表面上存在有相對全量為87質量%的Hg原子，玻璃管的內壁面上存在有相對全量為21質量%的Hg原子。所以，明顯可知，在上述冷陰極管N中，構成上述冷陰極螢光管用電極的Ni原子被濺射，在該電極表面上，形成了Ni與Hg構成的汞合金。由此可以明確得知，上述冷陰極管N因形成汞合金而消耗了玻璃管內的Hg，會縮短該冷陰極管N的使用壽命。

而且，明顯可知，在冷陰極管Q(具有比較例六的薄板狀的冷陰極螢光管用電極)中，雖然在玻璃管的內壁面上不存在Hg原子，但在該電極表面上存在相對全量為2.5質量%的Hg原子。所以，明顯可知，在上述冷陰極管Q中，構成上述冷陰極螢光管用電極的Fe原子被濺射，在該電極表面上，形成了些微Fe和Hg構成的汞合金。由此可以明確得知，上述冷陰極管Q因形成汞合金而消耗了玻璃管內的Hg，與冷陰極管M相比，該冷陰極管Q的使用壽命變短。

另外，從圖6明顯可知，實施例八的冷陰極螢光管用電極3與實質上由Ni構成的參考例三的冷陰極螢光管用電極相比，Mo的含量雖然相對全量只有較少的3.4質量%，但是管電壓較小。並且還明顯可知，使用實施例八的冷陰極螢光管用電極3時的管電壓，與使用比較例五的實質上由Mo構成的冷陰極螢光管用電極時的管電壓較為接近。所以，明顯可知實施例八的冷陰極螢光管用電極3的管電壓較低，能源效率較為良好。

1．．．冷陰極螢光管

2．．．玻璃管

3．．．冷陰極螢光管用電極

4．．．封接銷

5．．．外部導線

圖1是表示本實施形態的冷陰極螢光管及冷陰極螢光管用電極的說明圖。

圖2是表示具有實施例一~實施例六的冷陰極螢光管用電極的冷陰極管的電阻率的圖表。

圖3是表示具有實施例一的冷陰極螢光管用電極的冷陰極管的電流電壓特性的圖表。

圖4是表示具有實施例一~實施例六的冷陰極螢光管用電極的冷陰極管的管電壓比的圖表。

圖5是表示實施例一、實施例七的冷陰極螢光管的使用壽命的圖表。

圖6是表示具有實施例八的冷陰極螢光管用電極的冷陰極螢光管的管電壓比的圖表。

Claims (8)

1. 一種冷陰極螢光管用電極，其特徵在於：除了不可避免的不純物以外，係具有由Mo及Fe所成之合金組成，前述Mo係相對全量為0.1~9.9質量%。
2. 如申請專利範圍第1項之冷陰極螢光管用電極，其中，該冷陰極螢光管用電極含有相對全量為1.5~5.5質量%範圍內的Mo。
3. 如申請專利範圍第1項之冷陰極螢光管用電極，其中，該冷陰極螢光管用電極除了前述Mo以外，另外含有相對全量為5質量%以下的Ru。
4. 如申請專利範圍第1項之冷陰極螢光管用電極，其中，該冷陰極螢光管用電極除了前述Mo以外，另外含有相對全量為0.1~6質量%範圍內的Nb。
5. 一種冷陰極螢光管，其特徵在於具備有：除了不可避免的不純物以外，具有由Mo及Fe所成之合金組成，前述Mo係由相對全量為0.1~9.9質量%所成的冷陰極螢光管用電極。
6. 如申請專利範圍第5項之冷陰極螢光管，其中，前述冷陰極螢光管用電極含有相對全量為1.5~5.5質量%範圍內的Mo。
7. 如申請專利範圍第5項之冷陰極螢光管，其中，前述冷陰極螢光管用電極除了前述Mo以外，另外含有相對全量為5質量%以下的Ru。
8. 如申請專利範圍第5項之冷陰極螢光管，其中，前 述冷陰極螢光管用電極除了前述Mo以外，另外含有相對全量為0.1~6質量%範圍內的Nb。