TWI446117B - 具有旋轉過濾器件的微影裝置 - Google Patents

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Description

具有旋轉過濾器件的微影裝置
本發明係關於一種具有特殊過濾器件之微影裝置、過濾器件本身、一種用於生產該過濾器件之方法及一種器件製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板上(通常施加至基板之目標部分上)的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)之製造中。在該情況下，圖案化器件(其或者被稱作光罩或主光罩)可用以產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。可將此圖案轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包括晶粒之一部分、一個晶粒或若干晶粒)上。圖案之轉印通常係經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。一般而言，單一基板將含有經順次圖案化之鄰近目標部分的網路。已知微影裝置包括：步進器，其中藉由一次性將整個圖案曝光至目標部分上來照射每一目標部分；及掃描器，其中藉由在給定方向("掃描"方向)上經由輻射光束而掃描圖案同時平行或反平行於此方向而同步地掃描基板來照射每一目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上而將圖案自圖案化器件轉印至基板。
在微影投影裝置中，可成像至基板上之特徵的尺寸受投影輻射之波長限制。為了產生具有更高密度之器件且因此具有更高操作速度的積體電路，需要能夠成像更小特徵。儘管大多數當前微影投影裝置使用由汞燈或準分子雷射所 產生之紫外光，但已提議使用為(例如)約13 nm之更短波長輻射。該輻射被稱作遠紫外線(EUV)或軟x射線，且可能源包括(例如)雷射產生之電漿源、放電電漿源，或來自電子儲存環之同步加速器輻射。
EUV輻射源通常為電漿源，例如，雷射產生之電漿源或放電源。任何電漿源之共同特徵為產生在所有方向上自電漿所逐出之快速離子及原子。此等粒子可損害通常為具有易碎表面之多層鏡面或掠入射鏡面之集光器及聚光器鏡面。此表面歸因於自電漿所逐出之粒子之衝擊或濺射而逐漸地降級，且鏡面之使用壽命因此減少。濺射效應對於輻射集光器或集光器鏡面特別成問題。集光器之目的為收集由電漿源在所有方向上所發射之輻射且將其引導朝向照明系統中之其他鏡面。輻射集光器經定位成極接近於電漿源中之EUV源且與電漿源中之EUV源成一視線，且因此自電漿接收大通量之快速粒子。因為系統中之其他鏡面可能在某種程度上被遮蔽，所以其通常在較小程度上受自電漿所逐出之粒子之濺射損害。
在不久的將來，遠紫外線(EUV)源將可能地使用錫(Sn)或另一金屬蒸汽來產生EUV輻射。此錫可沈積於鏡面(例如，輻射集光器之鏡面)上及/或洩漏至微影裝置中。該輻射集光器之鏡面可具有(例如)釕(Ru)之EUV反射頂部層。在反射Ru層上多於大約10 nm錫(Sn)之沈積物可以與本體Sn相同之方式來反射EUV輻射。集光器之總透射將顯著地減少，因為錫之反射係數大大低於釕之反射係數。
PCT專利申請公開案第WO 99/42904號揭示一種過濾器，其在使用中位於輻射遠離於源傳播所沿著之路徑中。可因此將過濾器置放於輻射源與(例如)照明系統之間。過濾器包括複數個箔片，其在使用中截獲碎片粒子，諸如，原子及微粒子。又，該等微粒子之叢集可由此等箔片截獲。此等箔片經定向成使得輻射可仍傳播穿過過濾器。箔片可為平坦或圓錐形的且可圍繞路徑而徑向地配置。可在緩衝氣體(例如，在約0.5托之壓力下的氪)中配置源、過濾器及投影系統。
PCT專利申請公開案第WO 03/034153號揭示一種污染物障壁，其包括第一箔片集合及第二箔片集合，使得離開源之輻射首先穿過第一箔片集合且接著穿過第二箔片集合。第一集合及第二集合之箔片分別界定第一通道集合及第二通道集合。隔開兩個通道集合，從而在兩個通道集合之間留出空間，沖洗氣體藉由氣體供應而供應至空間中。可提供排氣系統以自污染物障壁移除氣體。
歐洲專利申請公開案第EP 1 434 098號提供一種污染物障壁，其包括內環及外環，其中箔片中之每一者在其外端中之至少一者處可滑動地定位於內環及外環中之至少一者的凹槽中。藉由可滑動地定位箔片之外端中的一者，箔片可在徑向方向上擴張。污染物障壁可包括經配置以冷卻與箔片進行熱連接之環中之一者的冷卻系統。
為了防止來自源之碎片或由此碎片所產生之二次粒子沈積於光學元件上，可使用(諸如)美國專利申請公開案第US 2006/0186353號中所描述之過濾器件。
需要(例如)提供一種具有替代過濾器件之微影裝置，該過濾器件可適合應用於EUV微影裝置中。亦或或者需要(例如)提供該替代過濾器件本身、一種用於生產該過濾器件之方法及/或一種器件製造方法。
根據本發明之一態樣，提供一種包含過濾器件之微影裝置，過濾器件包含附著至能夠圍繞旋轉軸線而旋轉之固持器的複數個箔片，箔片經配置成大體上平行於旋轉軸線且包含選自由碳－碳複合物及碳－碳化矽複合物組成之群組的單向碳－纖維複合材料。
在一實施例中，微影裝置包含經建構以產生EUV輻射之輻射源，其中輻射源為Sn電漿源。在本文中，術語"經建構以產生EUV輻射"指代經設計以產生EUV輻射且經設計以用於EUV微影術中之源。在一變體中，輻射源分別包含雷射產生之電漿源(LPP)或放電產生之電漿源(Sn電漿源)。
在一實施例中，微影裝置包含：照明系統，照明系統經組態以調節輻射光束；支撐件，支撐件經建構以支撐圖案化器件，圖案化器件經組態以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板台，基板台經建構以固持基板；及投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上。在一實施例中，微影裝置為EUV微影裝置，且包含用以提供EUV輻射光束之EUV輻射源。微影裝置可包含輻射源，輻射源經建 構以產生輻射光束，在一實施例中，輻射光束為EUV輻射光束，且輻射源經建構以產生EUV輻射。
在一實施例中，碳－纖維複合材料中之纖維的方向垂直於旋轉軸線。
在一實施例中，箔片包含一單向碳－纖維複合材料層。在一實施例中，箔片中之每一者包含2至5個複合材料層。在後者實施例中，各別層內之碳纖維的方向可在每層不同。
在一實施例中，箔片包含第一單向碳－纖維複合材料層及第二單向碳－纖維複合材料層，其中第一層中之纖維的方向垂直於第二層中之纖維的方向。在一實施例中，箔片包含第一單向碳－纖維複合材料層及第二單向碳－纖維複合材料層，其中第一層中之纖維的方向相對於垂直於旋轉軸線之法線而具有第一方向角θ1，且其中第二層中之纖維的方向相對於法線而具有第二方向角θ2，且其中第一方向角及第二方向角(θ1、θ2)在0°至10°之範圍內，且其中第一層與第二層中之纖維的方向之間的相互角度(mutual angle)大於0°且等於或小於10°。
在一實施例中，固持器包含複數個套筒，其中每一箔片包含尾部部分，其中套筒經建構以收納尾部部分，且其中套筒經建構以防止箔片在垂直於旋轉軸線之方向上自固持器釋放。
在一實施例中，固持器之至少一部分可包含選自由碳－碳複合物(C－C複合物)及碳－碳化矽複合物(C－SiC複合物)組 成之群組的碳－纖維複合材料。在一實施例中，固持器可包含單向碳－纖維複合材料。
根據本發明之另一態樣，提供一種微影裝置，其包含過濾器件，過濾器件包含附著至能夠圍繞旋轉軸線而旋轉之固持器的複數個箔片，箔片經配置成平行於旋轉軸線且包含在至少1000℃之溫度下大體上不與液體Sn反應的材料。在一實施例中，材料在高達約2000℃之溫度下大體上不與液體Sn反應。
根據本發明之另一態樣，提供一種根據本發明之一實施例之使用微影裝置的器件製造方法。在態樣中，提供一種器件製造方法，其包含：圖案化輻射光束；將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上；及使用過濾器件來過濾輻射光束，過濾器件包含附著至能夠圍繞旋轉軸線而旋轉之固持器的複數個箔片，箔片經配置成大體上平行於旋轉軸線且包含選自由碳－碳複合物及碳－碳化矽複合物組成之群組的單向碳－纖維複合材料。
根據本發明之另一態樣，提供一種過濾器件本身，過濾器件包含附著至能夠圍繞旋轉軸線而旋轉之固持器的複數個箔片，箔片經配置成大體上平行於旋轉軸線且包含選自由碳－碳複合物及碳－碳化矽複合物組成之群組的單向碳－纖維複合材料。
如以上所提及，在一實施例中，固持器之至少一部分(諸如，固持器上游側)可包含選自由碳－碳複合物(C－C複合物)及碳－碳化矽複合物(C－SiC複合物)組成之群組的碳－纖 維複合材料。
在另一態樣中，提供一種用於生產用於過濾器件之箔片之方法，方法包含：a.提供含樹脂預浸漬薄片；b.固化樹脂；c.選用地縮減在b)處所獲得之產物之至少一部分的厚度；d.碳化在b)或c)處所獲得之產物；e.選用地將密化過程執行一或多次，其中密化過程包含以含碳化合物來浸潤經碳化產物且隨後碳化經浸潤產物；f.石墨化在d)或e)處所獲得之產物；g.選用地縮減在f)處所獲得之產物之至少一部分的厚度其中方法包含藉由過程c)或藉由過程g)或藉由過程c)及g)兩者而縮減厚度，且其中箔片包含選自由碳－碳複合物及碳－碳化矽複合物組成之群組的單向碳－纖維複合材料。含碳化合物可為(例如)酚系樹脂。
在一實施例中，含樹脂預浸漬薄片包含含樹脂預浸漬薄片層壓物。在一實施例中，在選用之過程c)之後且在過程d)之前，方法進一步包含將層壓過程執行一或多次，其中層壓過程包含：a1.將另一含樹脂預浸漬薄片配置至在b)或c)處所獲得之產物，以獲得在b)或c)處所獲得之產物與另一含樹脂預浸漬薄片之層壓物； b1.固化樹脂；及c1.選用地縮減在b1)處所獲得之產物之至少一部分的厚度。
藉由生產方法而獲得之箔片可應用於本發明之一實施例的過濾器件中。
現將參看隨附示意性圖式而僅藉由實例來描述本發明之實施例，在該等圖式中，對應參考符號指示對應部分。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置1。裝置1包括經組態以產生輻射之源SO，及經組態以調節來自接收自源SO之輻射之輻射光束B(例如，UV輻射或EUV輻射)的照明系統(照明器)IL。源SO可經提供為單獨單元且不為微影裝置之一部分。支撐件(例如，光罩台)MT經組態以支撐圖案化器件(例如，光罩)MA且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位圖案化器件MA之第一定位器件PM。基板台(例如，晶圓台)WT經組態以固持基板(例如，塗覆抗蝕劑之晶圓)W且連接至經組態以根據某些參數來精確地定位基板W之第二定位器件PW。投影系統(例如，反射投影鏡面系統)PS(亦被稱作投影光學器件箱POB)經組態以將由圖案化器件MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分C(例如，包括一或多個晶粒)上。
照明系統可包括用以引導、成形或控制輻射之各種類型的光學組件，諸如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
支撐件MT以視圖案化器件之定向、微影裝置之設計及其他條件(諸如，圖案化器件是否固持於真空環境中)而定的方式來固持圖案化器件。支撐件MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化器件。支撐件MT可為(例如)框架或台，其可根據需要而為固定或可移動的。支撐件MT可確保圖案化器件(例如)相對於投影系統而處於所要位置。可認為本文對術語"主光罩"或"光罩"之任何使用均與更通用之術語"圖案化器件"同義。
本文所使用之術語"圖案化器件"應被廣泛地解釋為指代可用以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以便在基板之目標部分中形成圖案的任何器件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則該圖案可能不會精確地對應於基板之目標部分中的所要圖案。通常，被賦予至輻射光束之圖案將對應於目標部分中所形成之器件(諸如，積體電路)中的特定功能層。
圖案化器件可為透射或反射的。圖案化器件之實例包括光罩、可程式化鏡面陣列，及可程式化LCD面板。光罩在微影術中為熟知的，且包括諸如二元交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例使用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之每一者可個別地傾斜，以便在不同方向上反射入射輻射光束。傾斜鏡面將圖案賦予於由鏡面矩陣所反射之輻射光束中。
本文所使用之術語"投影系統"應被廣泛地解釋為涵蓋任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、 電磁及靜電光學系統或其任何組合，其適合於所使用之曝光輻射，或適合於諸如浸沒液體之使用或真空之使用的其他因素。可認為本文對術語"投影透鏡"之任何使用均與更通用之術語"投影系統"同義。
如此處所描繪，裝置為反射類型(例如，使用反射光罩)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射光罩)。
微影裝置可為具有兩個(雙平台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化器件支撐件)的類型。在該等"多平台"機器中，可並行地使用額外台及/或支撐件，或可在一或多個台及/或支撐件上進行預備步驟，同時將一或多個其他台及/或支撐件用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，光罩與投影系統之間。浸沒技術在此項技術中被熟知用於增加投影系統之數值孔徑。如本文所使用之術語"浸沒"不意謂諸如基板之結構必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於(例如)投影系統與基板之間。
參看圖1，照明器IL自輻射源SO接收輻射。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置可為單獨實體。在該等情況下，不認為輻射源形成微影裝置之一部分，且輻射借助於包括(例如)適當引導鏡面及/或光束放大器之光束傳送系統而自輻射源SO傳遞至照明器IL。在其他 情況下，例如，當輻射源為汞燈時，輻射源可為微影裝置之整體部分。
照明器IL可包括經組態以調整輻射光束之角強度分布的調整器件。通常，可調整照明器之瞳孔平面中之強度分布的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部)。此外，照明器IL可包括各種其他組件，諸如，積光器IN及聚光器CO。照明器可用以調節輻射光束，以在其橫截面中具有所要均一性及強度分布。
輻射光束B入射於固持於支撐件(例如，光罩台)MT上之圖案化器件(例如，光罩)MA上，且由圖案化器件圖案化。在橫穿圖案化器件MA後，輻射光束B穿過投影系統PS，投影系統PS將光束投影至基板W之目標部分C上。借助於第二定位器件PW及位置感測器IF2(例如，干涉量測器件、線性編碼器，或電容性感測器)，基板台WT可精確地移動，例如，以便在輻射光束B之路徑中定位不同目標部分C。類似地，第一定位器件PM及另一位置感測器IF1(例如，干涉量測器件、線性編碼器，或電容性感測器)可用以(例如)在自光罩庫之機械擷取之後或在掃描期間相對於輻射光束B之路徑來精確地定位圖案化器件MA。一般而言，可借助於形成第一定位器件PM之一部分的長衝程模組(粗略定位)及短衝程模組(精細定位)來實現圖案化器件支撐件MT之移動。類似地，可使用形成第二定位器件PW之一部分的長衝程模組及短衝程模組來實現基板台WT之移動。在步進器(與掃描器相對)之情況下，圖案化器件支撐件MT可僅連 接至短衝程致動器，或可為固定的。可使用圖案化器件對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化器件MA及基板W。儘管如所說明之基板對準標記佔用專用目標部分，但其可位於目標部分之間的空間中(此等被稱為切割道對準標記)。類似地，在一個以上晶粒提供於圖案化器件MA上之情形中，圖案化器件對準標記可位於該等晶粒之間。
所描繪裝置可用於以下模式中之至少一者中：
a.在步進模式中，在將被賦予至輻射光束之整個圖案一次性投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件MT及基板台WT保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制單次靜態曝光中所成像之目標部分C的尺寸。
b.在掃描模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，同步地掃描圖案化器件支撐件MT及基板台WT(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板台WT相對於圖案化器件支撐件MT之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大尺寸限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
c.在另一模式中，在將被賦予至輻射光束之圖案投影至目標部分C上時，使圖案化器件支撐件MT保持基本上 靜止，從而固持可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT。在此模式中，通常使用脈衝式輻射源，且在基板台WT之每一移動之後或在掃描期間的順次輻射脈衝之間根據需要而更新可程式化圖案化器件。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化器件(諸如，如以上所提及之類型的可程式化鏡面陣列)之無光罩微影術。
亦可使用對以上所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
術語"透鏡"在情境允許時可指代各種類型之光學組件中之任一者或組合，包括折射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件。
本文所使用之術語"輻射"及"光束"涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為365 nm、248 nm、193 nm、157 nm或126 nm之波長λ)及遠紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在為5 nm至20 nm之範圍內的波長，例如，13.5 nm或6.6 nm)；以及粒子束(諸如，離子束或電子束)。通常，認為具有在約780 nm至3000 nm(或更大)之間的波長之輻射係IR輻射。UV指代具有大約100 nm至400 nm之波長的輻射。在微影術內，其通常亦應用於可由汞放電燈所產生之波長：G線436 nm；H線405 nm；及/或I線365 nm。VUV為真空UV(亦即，由空氣所吸收之UV)且指代大約100 nm至200 nm之波長。DUV為深UV，且通常在微影術中用於由準分子雷射所產生之波長，如126 nm至248 nm。熟習此項技術者應理解，具有在(例如)5 nm至20 nm之範圍內之波長的輻射係關於具有至少一部分在5 nm至20 nm之範圍內之某一波長帶的輻射。
圖2更詳細地展示投影裝置1，其包括輻射系統42、照明系統44，及投影系統PS。輻射系統42包括可為放電電漿源之輻射源SO。EUV輻射可由源中之氣體或蒸汽產生，例如，Xe氣體、Li蒸汽或Sn蒸汽，其中形成極熱電漿以發射在電磁光譜之EUV範圍內的輻射。藉由(例如)放電而導致至少部分地離子化之電漿來形成極熱電漿。對於輻射之有效產生，可能需要為(例如)10 Pa之Xe、Li、Sn蒸汽或任何其他適當氣體或蒸汽的分壓。在一實施例中，應用作為EUV源之Sn源。由輻射源SO所發射之輻射經由定位於源腔室47中之開口中或後之選用之污染物障壁49而自源腔室47傳遞至集光器腔室48中。污染物障壁49可包含通道結構。污染物障壁49可包含氣體障壁或氣體障壁與通道結構之組合。本文進一步所指示之污染物障壁49至少包含通道結構。
集光器腔室48包括可由掠入射集光器所形成之輻射集光器50(本文亦指示為集光器鏡面)。輻射集光器50具有上游輻射集光器側50a及下游輻射集光器側50b。由集光器50所傳遞之輻射可反射離開掠入射鏡面51，以在集光器腔室48中之孔徑處聚焦於虛擬源點52中。來自集光器腔室48，輻射光束56係經由正入射反射器53、54而在照明系統44中反射至定位於圖案化器件支撐件MT(例如，主光罩或光罩台) 上之圖案化器件(例如，主光罩或光罩)上。形成經圖案化光束57，其在投影系統PS中經由反射元件58、59而成像至基板台WT上。比所示元件多之元件可通常存在於照明系統44及投影系統PS中。視微影裝置之類型而定，可選用地存在掠入射鏡面51。掠入射鏡面可為光柵光譜過濾器51。另外，可存在比圖所示之鏡面多的鏡面，例如，可存在比元件58、59多1至4個的反射元件。
代替作為集光器鏡面50之掠入射鏡面或除了作為集光器鏡面50之掠入射鏡面以外，可應用正入射集光器。如本文在一實施例中更詳細地描述為具有反射器142、143及146之巢套式集光器且如(例如)圖2示意性地所描繪之集光器鏡面50在本文中進一步用作集光器(或集光器鏡面)之實例。因此，適用時，作為掠入射集光器之集光器鏡面50亦可大體上被解釋為集光器且在一特定實施例中亦被解釋為正入射集光器。
代替光柵光譜過濾器51或除了光柵光譜過濾器51以外，如圖2示意性地所描繪，可應用對於EUV而言為透射且對於UV輻射而言為較不透射或甚至大體上吸收UV輻射之透射光學過濾器。因此，"光柵光譜純度過濾器"在本文中進一步被指示為"光譜純度過濾器"，其包括光柵或透射過濾器。未描繪於示意性圖2中但亦經包括作為選用之光學元件的可為EUV透射光學過濾器(例如，配置於集光器鏡面50之上游)，或照明系統44及/或投影系統PS中之光學EUV透射過濾器。
在一實施例中(亦見上文)，輻射集光器50可為掠入射集光器。沿著光學軸O對準集光器50。源SO或其影像位於光學軸O上。輻射集光器50可包括反射器142、143、146(亦被稱作Wolter型反射器，其包含若干Wolter型反射器)。此等反射器142、143、146可為巢套式且圍繞光學軸O而旋轉地對稱。在圖2中(以及在其他圖中)，內部反射器由參考數字142指示，中間反射器由參考數字143指示，且外部反射器由參考數字146指示。輻射集光器50封閉某一容積，亦即，外部反射器146內之容積。通常，外部反射器146內之此容積為周邊閉合的，但可存在小開口。所有反射器142、143及146包括至少一部分包括一反射層或許多反射層之表面。因此，反射器142、143及146(可存在更多反射器且輻射集光器50之實施例可具有三個以上反射器)至少部分地經設計用於反射及收集來自源SO之EUV輻射，且反射器之至少一部分可能未經設計以反射及收集EUV輻射。舉例而言，反射器之背側之至少一部分可能未經設計以反射及收集EUV輻射。在此等反射層之表面上，可此外存在用於保護之頂蓋層或提供於反射層之表面之至少一部分上的光學過濾器。
輻射集光器50通常置放於源SO或源SO之影像附近。每一反射器142、143、146可包含至少兩個鄰近反射表面，較遠離於源SO之反射表面與較接近於源SO之反射表面相比經置放成與光學軸O成小角度。以此方式，掠入射集光器50經組態以產生沿著光學軸O傳播之(E)UV輻射光束。 至少兩個反射器可經大體上同軸地置放且圍繞光學軸O而大體上旋轉對稱地延伸。應瞭解，輻射集光器50可在外部反射器146之外部表面上具有另外特徵或圍繞外部反射器146而具有另外特徵，例如，保護性固持器、加熱器，等等。參考數字180指示兩個反射器之間(例如，反射器142與143之間)的空間。
圖2所示之所有光學元件(及此實施例之示意性圖式中未展示的光學元件)易受污染物(例如，由源SO產生)之沈積物(例如，Sn)的損壞。對於輻射集光器50及(若存在)光譜純度過濾器51為此情況。
另外，不僅光學元件可能被沈積物(諸如，Sn)污染，而且構造元件(諸如，壁、固持器、支撐系統、氣鎖、污染物障壁49，等等)亦如此。此沈積物可能不直接影響光學元件之光學性質，但歸因於再沈積，此沈積物可能沈積(亦即，再沈積)於光學元件上，藉此影響光學性質。因此，甚至未沈積於光學元件上之沈積物亦可能在稍後階段中歸因於再沈積而導致光學元件之表面的污染。此可導致光學效能(如反射、透射、均一性，等等)之降低。
在使用期間，可在外部反射器146及內部反射器142/143中之一或多者上發現沈積物。輻射集光器50可因該沈積物而劣化(因碎片(例如，來自源SO之離子、電子、叢集、小液滴、電極腐蝕)而劣化)。舉例而言，歸因於Sn源之Sn沈積物可在少數單層之後有害於輻射集光器50或其他光學元件之反射，此可能必需清潔該等光學元件。
為了減少此沈積物，可提供污染物障壁49。除了污染物障壁49以外或代替污染物障壁49，可如以下進一步所論述而提供過濾器件。污染物障壁49為靜態器件，而根據本發明之一實施例的過濾器件為動態器件，亦即，其為旋轉污染物障壁，其可在使用微影裝置期間旋轉。
因此，提供特別適合應用於EUV微影裝置中(特別對於具有基於電漿之Sn源的EUV)之過濾器件。
參看圖3，示意性地描繪過濾器件149之配置。描繪具有源SO之源腔室47。在自源之下游，存在集光器50(未描繪)。如以上所描述，在自源SO之下游，但在自集光器50之上游(亦即，在第一(反射)光學器件之前)，配置選用之污染物障壁49。另外，在自源SO之下游且在自集光器50(未描繪)之上游，且在自選用之污染物障壁49之上游，配置過濾器件149。示意性地，如圖4進一步所示，描繪過濾器件149之複數個箔片。
圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例的過濾器件149。僅展示相關細節；出於簡單性起見而未指示過濾器件外殼及用以旋轉過濾器件149之過濾器件馬達。
過濾器件149包含具有固持器上游側220(此處為圓錐體頂部)之(例如)以圓錐體之形式的固持器201，及箔片200(出於清晰起見而僅描繪少數箔片)。在使用期間，過濾器件149可沿著旋轉軸線RA旋轉。在一實施例中，旋轉軸線RA大體上平行於且大體上重合於光學軸O之至少一部分(如圖4所示)。在一實施例中，過濾器件149圍繞旋轉軸線 RA(且在一實施例中，因此亦圍繞光學軸O)而旋轉地對稱。固持器上游側220引導至源SO(未描繪)。箔片200可具有上游前部區域202、頂部區域203、下游背部區域204及底部205。
過濾器件149為一種具有平行於旋轉軸線RA(例如，平行於及/或重合於光學軸O)之箔片200的"推進器"。如圖4中所見，箔片200平行於旋轉軸線RA且平行於垂直於旋轉軸線RA之法線N。箔片之平面在旋轉軸線RA處相交。
箔片200可具有在0.05 mm至1.2 mm或0.1 mm至0.4 mm之範圍內的最大箔片厚度d(見圖5)。在更大厚度下，可能阻擋過多輻射，且在下文中所描述之碳－纖維複合材料的情況下，更低厚度可能不可行。過濾器件149可包含約50至200個箔片或150至200個箔片。在使用期間(亦即，在微影處理期間)，過濾器件149可以在約1,000 rpm至20,000 rpm之範圍內或在3,000 rpm至8,000 rpm之範圍內的速度圍繞旋轉軸線RA而旋轉。箔片200經定向成使得來自源SO之輻射的至少一部分可仍傳播穿過過濾器149。
特定實施例亦描述於全文以引用之方式併入本文中的PCT專利申請公開案第WO 99/42904號及第WO 03/034153號以及美國專利申請公開案第US 2006/0186353號中。
過濾器件149面臨離子及粒子且特別面臨Sn(錫)粒子。Sn粒子可在其到達過濾器件時具有高達約2000℃至2500℃之溫度。極穩固材料(如W(鎢)或Mo(鉬))不能夠應付此等條件。然而，令人驚訝地，選自由碳－碳複合物(C－C複合 物)及碳－碳化矽複合物(C－SiC複合物)組成之群組的碳－纖維複合材料不僅適合於提供具有所要強度及熱導率之穩固箔片，而且能夠在微影裝置條件下耐受Sn液體。該等材料特別適合於應付來自基於Sn之輻射源的離子、粒子及液體Sn粒子。
單向碳－纖維複合物看似提供適合應用於過濾器件149中之箔片200。自先前技術(諸如，自PCT專利申請公開案第WO 00/034629號、美國專利第US 4833030號及美國專利申請公開案第US 2005/0151305號及第US 2006/0019816號)已知碳－纖維複合材料。術語"單向"在本文中指代C－C或C－SiC類型之碳纖維複合材料，其中碳纖維之定向大體上在一方向(一定向)上。此與(例如)3D或編織類型之碳－纖維複合物形成對比。
在一實施例中，微影裝置1包含過濾器件149，其中過濾器件149包含附著至能夠圍繞旋轉軸線RA而旋轉之固持器201的複數個箔片200，箔片200經配置成平行於旋轉軸線RA，其中箔片200包含選自由碳－碳複合物(C－C複合物)及碳－碳化矽複合物(C－SiC複合物)組成之群組的單向碳－纖維複合材料。
因此，在一實施例中，微影裝置1包含過濾器件149，其中過濾器件149包含附著至能夠圍繞旋轉軸線RA而旋轉之固持器201的複數個箔片200，箔片200經配置成平行於旋轉軸線RA，其中箔片包含大體上不與液體Sn反應之材料。諸如本文所描述之碳－纖維複合物之材料可具有至少 約50 W/mK、至少約60 W/mK、至少約100 W/mK、在約50 W/mK至400 W/mK之範圍內、在約60 W/mK至400 W/mK之範圍內及/或在約100 W/mK至400 W/mK之範圍的熱導率。注意，此熱行為可為各向異性的。至少在一方向上(在碳纖維之定向的方向上)，熱導率可具有本文所指定之值。
在一實施例中，碳－纖維複合材料中之纖維的方向垂直於旋轉軸線RA。因此，可最佳地應用材料之拉伸強度且可最佳地抵抗離心力。纖維之方向上的拉伸強度可在200 MPa至900 MPa或約400 MPa至800 MPa之範圍內。
參看圖5，展示出於清晰起見而經繪製成與固持器201分離之箔片200的實施例。箔片200可具有上游前部區域202、頂部區域203、下游背部區域204及底部205。朝向底部205，展示可比箔片200之主要部分相對厚的尾部部分206。此尾部部分206可更好地允許箔片200至固持器201之附著。箔片201具有可在約0.05 mm至1.2 mm或約0.1 mm至0.4 mm之範圍內的最大厚度d。尾部部分206可具有在約0.2 mm至2.5 mm或約0.6 mm至1.5 mm之範圍內的最大厚度。尾部部分206可包含箔片200之約0.2%至5%的總表面。在一實施例中，尾部部分之最大厚度d1大於箔片之最大厚度d。
圖5示意性地亦描繪碳纖維210。碳纖維210可具有與垂直於旋轉軸線RA之法線N的角度θ。選擇與法線之最小角度。出於清晰原因，已將碳纖維210中之一些繪製為具有為非零之角度θ。碳纖維210之方向為箔片200(或如以下所 論述之箔片中所包含的層)中之碳纖維210之角度θ的平均值。在單向碳－纖維複合物中，纖維210經配置成大體上彼此平行且配置於大體上一方向上。如以上所提及，在一實施例中，碳－纖維複合材料中之纖維210的方向垂直於旋轉軸線RA，亦即，角度θ大體上為0°或在0°至1°之範圍內。
圖6a展示(以前視圖)一實施例，其中碳－纖維複合材料中之纖維210的方向垂直於旋轉軸線RA，亦即，角度θ大體上為零。出於清晰原因，未展示尾部部分206，且僅展示箔片200之一部分。注意，示意性地，箔片200在本文中經展示成具有恆定厚度，然而，可在箔片200之高度或長度上存在箔片厚度之變化，而不管尾部部分206。在圖6a中，示意性地，以前視圖展示光學軸O及旋轉軸線RA，亦即，圖5之箔片200現係自前部區域202所見(上游視圖)。在此實施例中，箔片基本上由一種碳－纖維複合材料層300組成。在此實施例中，纖維210經對準成平行於法線N(垂直於旋轉軸線RA之法線)且(因此)垂直於旋轉軸線RA(亦即，與法線N之大體上為零之角度θ)。
在一實施例中，箔片200包含一單向碳－纖維複合材料層300。然而，如圖6b/6c/6d及6e/6f中(亦在圖7a中)示意性地所描繪，另一實施例為可能的。在過濾器件149之一實施例中，箔片200可包含2至5個複合材料層。在該實施例中，各別層內之碳纖維210的方向可在每層不同。
圖6b示意性地描繪箔片200之實施例，其包含兩個碳－纖維複合材料層。出於清晰起見，以彼此相離一段距離而繪 製層。在此實施例中，箔片200包含第一單向碳－纖維複合材料層300(1)及第二單向碳－纖維複合材料層300(2)。碳纖維210相對於法線(且因此相對於旋轉軸線RA(未圖示))之方向可在每層不同。在圖6b中，將與垂直於旋轉軸線RA之法線N的角度分別指示為θ1及θ2。
在一實施例(未描繪)中，箔片200包含第一單向碳－纖維複合材料層300(1)及第二單向碳－纖維複合材料層300(2)，其中第一層300(1)中之纖維210的方向垂直於第二層300(2)中之纖維210的方向。當將該箔片200應用於過濾器件中時，在一實施例中，層中之至少一者之纖維210的方向垂直於旋轉軸線RA，且另一層中之纖維210的方向因此平行於旋轉軸線RA。因此，在一實施例中，層中之至少一者中之纖維210的方向平行於法線N，亦即，此層中之角度θ大體上為零且垂直於旋轉軸線RA，且層中之至少一者中之纖維210的方向垂直於法線N，亦即，此層中之角度θ大體上為90°。
在圖6b/6c示意性地所描繪之實施例中，箔片200包含第一單向碳－纖維複合材料層300(1)及第二單向碳－纖維複合材料層300(2)，其中第一層300(1)中之纖維210的方向相對於垂直於旋轉軸線RA之法線N而具有第一方向角θ1，且其中第二層300(2)中之纖維210的方向相對於法線N而具有第二方向角θ2，且其中第一方向角及第二方向角(θ1、θ2)在0°至10°之範圍內，且其中第一層與第二層中之纖維的方向之間的相互角度大於0°且等於或小於10°。舉例而言，第一 層300(1)中之碳－纖維210的方向可具有與法線N之為0°的θ1，且第二層300(2)中之碳－纖維210的方向可具有與法線N之為2.5°的θ1，藉此提供2.5°之相互角度。在另一實施例中，θ1可為2.5°且θ2可為2.5°，但相互角度可為5°(各別層中之方向的相反偏差)。
當將兩個或兩個以上層應用於箔片200中時，在一實施例中，至少2個層具有不同方向之碳纖維，亦即，至少兩個層中之碳纖維不平行。當將具有至少2個層之該箔片200應用於過濾器件中時，在一實施例中，層中之至少一者之纖維210的方向垂直於旋轉軸線RA(亦即，與法線N之角度θ大體上為零)。
圖6c示意性地描繪此實施例之側視圖，其中箔片200包含兩個層300(1)及300(2)。在此示意性側視圖中，纖維210看似平行，但如以上在一實施例中所描述不平行。然而，自平行性之偏差係在垂直於視圖之平面中。每一層具有分別指示為d(1)及d(2)之厚度。圖6d為前視圖或側視圖，但現示意性地包括固持器201。亦示意性地指示垂直於圖式平面之旋轉軸線RA。出於清晰起見，將過濾器件149示意性地描繪成僅具有一箔片200。
圖6e/6f示意性地描繪箔片200之實施例，其中箔片基本上由分別具有最大厚度d(1)、d(2)及d(3)之分別以參考數字300(1)、300(2)及300(3)所指示之三個層組成。第三層300(3)可包含碳－纖維複合材料，其中碳纖維210之方向基本上平行於第一層300(1)之碳－纖維複合材料中之碳纖維 210的方向。
在一實施例中，如圖6e/6f示意性地所描繪，箔片200包含第一單向碳－纖維複合材料層300(1)、第二單向碳－纖維複合材料層300(2)，及第三單向碳－纖維複合材料層300(3)，其中第一層300(1)中之纖維210的方向相對於垂直於旋轉軸線(RA)之法線(N)而具有第一方向角(θ1)(未描繪)，其中第二層300(2)中之纖維210的方向相對於法線(N)而具有第二方向角(θ2)，且其中第三層300(3)中之纖維210的方向相對於法線(N)而具有第三方向角(θ3)(未描繪)，且其中第一方向角、第二方向角及第三方向角(θ1、θ2、θ3)在約0°至90°之範圍內，且其中第一層300(1)與第二層300(2)中之纖維210的方向之間的相互角度在一實施例中大體上為90°，且其中第一層300(1)與第三層300(3)中之纖維210的方向之間的相互角度在一實施例中大體上為0°。換言之，在一實施例中，箔片200包含第一單向碳－纖維複合材料層300(1)、第二單向碳－纖維複合材料層300(2)，及第三單向碳－纖維複合材料層300(3)，其中鄰近層中之碳纖維210的方向彼此垂直。
在圖6f中，出於清晰原因，以一距離示意性地繪製各別層300(1)、300(2)及300(3)，但如圖6e示意性地所繪製，三個層300(1)、300(2)及300(3)形成層壓物且形成鄰近層300(1)、300(2)及300(3)。如圖6e所描繪之實施例所示，中間層300(2)具有具有垂直於圖式平面(上游視圖)(亦即，大體上平行於旋轉軸線RA及光學軸O)之方向的碳纖維210， 該層夾於具有碳纖維210之大體上平行方向的兩個層300(1)與300(3)之間，且該等方向垂直於中間層300(2)之碳纖維的方向。
同樣地，可形成層堆疊(例如，2個層至5個層)，其中鄰近層具有彼此垂直之碳－纖維方向。
在一實施例中，如圖8示意性地所描繪，固持器201包含複數個套筒230，其中每一箔片200包含尾部部分206，其中套筒230經建構以收納尾部部分206，且其中套筒230經建構以防止箔片200在垂直於旋轉軸線RA之方向上自固持器201釋放。圖8示意性地描繪套筒之兩個實施例A及B。熟習此項技術者將清楚，更多類型之套筒230可為可能的。另外，自圖4及圖5可理解，可存在對應於複數個箔片200之複數個套筒230，套筒230經配置以代管箔片200之尾部部分206。
固持器201可具有外部表面212，其在微影處理期間可至少部分地曝光至輻射源SO。在固持器201之至少一部分中(亦即，因此在表面212之至少一部分中)，配置套筒230，尾部部分206可滑動至其中。以不允許在垂直於表面212之方向上但僅在平行於表面212之方向上釋放的方式來建構套筒。
在一實施例中，箔片200具有最大箔片厚度d且尾部部分206具有最大尾部部分厚度d1，其中最大尾部部分厚度d1大於最大箔片厚度d。如圖8示意性地所描繪，套筒230可經配置成具有不同寬度；一者較接近於表面212，其經選 擇以代管具有最大厚度d之箔片200的一部分，且一部分較遠離於表面212，較深入固持器201中，具有較大寬度，該寬度經選擇以代管具有最大厚度d1之尾部部分。
以此方式，箔片200可曝光至之大離心力可能不導致箔片200之不當釋放。另外，套筒230及具有相對較厚(d1>d)尾部部分206之箔片200可允許單一箔片自過濾器件149之相對容易移除，例如，當在處理之後損害箔片200時或當箔片200上之Sn沈積物變得過厚時。箔片200可容易地滑出固持器201且由新箔片200替換。
在一實施例中，固持器201之至少一部分(特別為引導至源SO之頂部220)可包含選自由碳－碳複合物(C－C複合物)及碳－碳化矽複合物(C－SiC複合物)組成之群組的碳－纖維複合材料。此複合物可為單向碳－纖維複合材料，但然而亦可為編織或針織或3維碳－纖維複合材料。以此方式，可提供相對穩固過濾器件149，其令人驚訝地整體能夠應付可自源SO所釋放之碎片(諸如，液體Sn、離子，等等)。
在一實施例中，微影裝置1包含經建構以產生EUV輻射之輻射源SO，其中輻射源SO為Sn電漿源。
在一實施例中，微影裝置1包含：照明系統，照明系統經組態以調節輻射光束；支撐件，支撐件經建構以支撐圖案化器件，圖案化器件經組態以在輻射光束之橫截面中向輻射光束賦予圖案以形成經圖案化輻射光束；基板台，基板台經建構以固持基板；及投影系統，投影系統經組態以將經圖案化輻射光束投影至基板之目標部分上。在一實施 例中，微影裝置1為EUV微影裝置。微影裝置包含輻射源SO，輻射源SO經建構以產生輻射光束，在一實施例中，輻射光束為EUV輻射光束，且輻射源經建構以產生EUV輻射。在一實施例中，過濾器件149在操作(例如，微影處理)期間可圍繞光學軸O(以高速)而旋轉以濾出碎片之至少一部分(諸如，液體Sn粒子)，以有助於減少光學元件(諸如，集光器鏡面50)之沈積及/或劣化。
根據本發明之一態樣，提供一種根據本發明之一實施例之使用微影裝置1的器件製造方法，亦即，在微影處理期間，應用過濾器件149，從而藉由其旋轉而自輻射光束移除由源SO所排出之碎片的至少一部分。可提供一種器件製造方法，其中，在微影處理期間，過濾器件149圍繞旋轉軸線RA而旋轉以濾出由源SO所發射之碎片的一部分。
根據本發明之一態樣，提供一種過濾器件149本身，過濾器件149包含附著至能夠圍繞旋轉軸線RA而旋轉之固持器201的複數個箔片200，箔片200經配置成平行於旋轉軸線RA，其中箔片200包含選自由碳－碳複合物(C－C複合物)及碳－碳化矽複合物(C－SiC複合物)組成之群組的單向碳－纖維複合材料。如以上所提及，在一實施例中，固持器201之至少一部分(特別為固持器上游側220)可包含選自由碳－碳複合物(C－C複合物)及碳－碳化矽複合物(C－SiC複合物)組成之群組的碳－纖維複合材料。熟習此項技術者將清楚，過濾器件149可進一步包含用以推進過濾器件149之機構(諸如，馬達)，且可進一步包含內部可旋轉過濾器件149之 外殼、經組態以經由過濾器件149(亦即，經由箔片200之間的開放空間)而提供氣體流之氣體源。過濾器件149可進一步或或者包含用以冷卻(例如)固持器201之冷卻機構(諸如，帕耳帖(Peltier)元件)、箔片200內部之一或多個液體冷卻介質通道、箔片200外部之一或多個液體冷卻介質通道(諸如，箔片200中之凹槽)、箔片200中或箔片200外部之液體錫導引結構(諸如，箔片200中之凹槽)、IR發射增強結構(諸如，具有大約5 μm至100 μm之尺寸的結構)、箔片間隔結構，及鄰近箔片200之間的間隔件(例如，以在旋轉期間防止或減少共振)，等等。
在本發明之一態樣中，提供一種用於生產用於過濾器件149中之箔片200之方法。
自先前技術(諸如，自PCT專利申請公開案第WO 00/034629號、美國專利第US 4833030號及美國專利申請公開案第US 2005/0151305號及第US 2006/0019816號)已知碳－纖維複合材料之生產。此處，本發明之一實施例提供一種用於生產用於過濾器件之箔片之方法，方法包含：a.提供含樹脂預浸漬薄片；b.固化樹脂；c.選用地縮減在b)處所獲得之產物之至少一部分的厚度；d.碳化在b)或c)處所獲得之產物；e.選用地將密化過程執行一或多次，其中密化過程包含以含碳化合物來浸潤在d)處所獲得之經碳化產物且隨後碳 化經浸潤產物；f.石墨化在d)或e)處所獲得之產物；g.選用地縮減在f)處所獲得之產物之至少一部分的厚度其中方法包含選自根據過程c)及過程g)之過程之用於縮減厚度的至少一過程。
子過程a)、b)、d)及f)為標準過程。然而，在一實施例中，本發明之一實施例進一步提供至少一厚度縮減過程，其為過程c)或過程g)或過程c)及g)兩者。可在碳化過程d)之前或在石墨化過程f)之後或在過程d)及f)兩者之後縮減厚度。藉由縮減厚度，可獲得箔片200及其尾部部分之最佳厚度(d及d1)。可藉由拋光或此項技術中已知之其他方法(諸如，研磨過程)而縮減厚度。
短語"提供含樹脂預浸漬薄片"指代提供為熟習此項技術者已知之所謂的"預浸物"或預浸漬纖維加固材料，其在固化、碳化、選用之密化及石墨化之後形成選自由碳一碳複合物(C－C複合物)及碳－碳化矽複合物(C－SiC複合物)組成之群組的(單向)碳－纖維複合材料。可(例如)自Toray或Nelcote購得該等薄片。
在一實施例中，含樹脂預浸漬薄片包含含樹脂預浸漬薄片層壓物。在該實施例中，已經藉由薄片層壓物而開始且執行以上過程。該薄片層壓物可(例如)經配置以在處理之後提供如以上所描述且如圖6b至圖7a示意性地所描繪之箔片200的實施例。
在一實施例中，在選用之過程c)之後且在碳化過程d)之 前，方法進一步包含將層壓過程執行一或多次，其中層壓過程包含：a1.將另一含樹脂預浸漬薄片配置至在b)或c)處所獲得之產物，以獲得在b)或c)處所獲得之產物與另一含樹脂預浸漬薄片之層壓物；b1.固化樹脂；及c1.選用地縮減在b1)處所獲得之產物之至少部分的厚度。
在此實施例中，在處理時執行層壓。可藉由圖7a及圖7b來示意性地說明上述實施例。圖7a展示具有具有深度d3之凹陷401的模具400。在一實施例中，深度d3大體上等於之d。在彼此之頂部上配置含樹脂預浸漬薄片。在圖7a中，此等薄片指示為薄片300(1)至300(5)。如以上所描述，在執行用於生產箔片200之方法之後，此等薄片將形成層300(1)至300(5)。在圖7a示意性地所描繪之實施例中，以大薄片及小薄片之序列來層壓薄片(在圖7a中為大－小－大－小－大)。以此方式，如圖7b示意性地所示，在執行生產方法之後，可提供零件2000。較厚部分可具有對應於d1之厚度，且較薄部分可對應於箔片厚度d。可將此零件2000劃分成2個(大體上對稱)部分，藉此提供第一箔片200(1)及第二箔片200(2)。熟習此項技術者將清楚，零件2000可具有該等尺寸，以便提供n*2個(大體上對稱)部分，藉此提供n個第一箔片200(1)及n個第二箔片200(2)，其中n為(例如)在1至20之範圍內。
在選用之厚度縮減步驟之後及/或在選用之切割步驟之後(藉此提供箔片200之所要形狀)，箔片200可準備好附著於固持器201中且接著應用作微影裝置1中之過濾器件149。
圖7a示意性地展示5個層之堆疊/層壓物，然而，如以上所指示，可使用1至5個層。如以上所提及，可(例如)以將第一薄片300(1)至300(3)配置於模具上且接著固化之方式來執行過程。接著，如以上所描述且如以虛線在圖7a中示意性地所指示，可能至少部分地縮減所獲得之產物的厚度，且接著可將薄片300(4)至300(5)施加至經固化薄片300(l)至300(3)且亦隨後固化。其後，必要時，如在以虛線在圖7b中示意性地所描繪之實施例中，亦可縮減所獲得產物之厚度(亦即，過程c1)。接著，在獲得5層層壓物之後，可藉由碳化及石墨化來進一步處理此產物。其後，必要時，亦可縮減所獲得產物之厚度。
模具400僅為可能模具之示意性實施例。
術語"大體上"在本文中於一實施例中指代"徹底地"或"完全地"。在一實施例中，其可(例如)指代約95%至100%。熟習此項技術者理解術語"大體上"。同樣地，術語"至少部分地"在本文中於一實施例中指代"徹底地"或"完全地"。在一實施例中，其可(例如)指代約95%至100%。
儘管在此本文中可特定地參考微影裝置在IC製造中之使用，但應瞭解，本文所描述之微影裝置可具有其他應用，諸如，製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測 圖案、平板顯示器、包括液晶顯示器(LCD)之平板顯示器、薄膜磁頭，等等。應瞭解，在該等替代應用之情境中，可認為本文對術語"晶圓"或"晶粒"之任何使用分別與更通用之術語"基板"或"目標部分"同義。可在曝光之前或之後在(例如)軌道(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文所提及之基板。適用時，可將本文之揭示應用於該等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便形成多層IC，使得本文所使用之術語基板亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
儘管以上可特定地參考在光學微影術之情境中對本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如，壓印微影術)中，且在情境允許時不限於光學微影術。在壓印微影術中，圖案化器件中之構形界定形成於基板上之圖案。可將圖案化器件之構形壓入被供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化器件移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
儘管以上已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，其含有描述如以上所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，其具有儲存於其中之該電腦程式。可使用此電腦程式來控制沈積物 之移除、控制壓力，等等。
以上描述意欲為說明性而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者而言將顯而易見的為，可在不脫離以下所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
本發明不限於微影裝置之應用或如實施例中所描述之微影裝置中的使用。另外，圖式通常僅包括為理解本發明所必要之元件及特徵。除此之外，微影裝置之圖式為示意性的且未按比例的。本發明不限於示意性圖式所示之彼等元件(例如，示意性圖式中所繪製之鏡面的數目)。另外，本發明不限於關於圖1及圖2所描述之微影裝置。應瞭解，可組合以上所描述之實施例。
1‧‧‧微影裝置
42‧‧‧輻射系統
44‧‧‧照明系統
47‧‧‧源腔室
48‧‧‧集光器腔室
49‧‧‧污染物障壁
50‧‧‧輻射集光器
50a‧‧‧上游輻射集光器側
50b‧‧‧下游輻射集光器側
51‧‧‧掠入射鏡面
52‧‧‧虛擬源點
53‧‧‧正入射反射器
54‧‧‧正入射反射器
56‧‧‧輻射光束
57‧‧‧經圖案化光束
58‧‧‧反射元件
59‧‧‧反射元件
142‧‧‧反射器
143‧‧‧反射器
146‧‧‧反射器
149‧‧‧過濾器件
180‧‧‧兩個反射器之間的空間
200‧‧‧箔片
200(1)‧‧‧第一箔片
200(2)‧‧‧第二箔片
201‧‧‧固持器
202‧‧‧上游前部區域
203‧‧‧頂部區域
204‧‧‧下游背部區域
205‧‧‧底部
206‧‧‧尾部部分
210‧‧‧碳纖維
212‧‧‧外部表面
220‧‧‧固持器上游側/頂部
230‧‧‧套筒
300‧‧‧碳－纖維複合材料層
300(1)‧‧‧薄片
300(2)‧‧‧薄片
300(3)‧‧‧薄片
300(4)‧‧‧薄片
300(5)‧‧‧薄片
400‧‧‧模具
401‧‧‧凹陷
2000‧‧‧零件
B‧‧‧輻射光束
C‧‧‧目標部分
d‧‧‧最大箔片厚度
d1‧‧‧最大尾部部分厚度
d(1)‧‧‧最大厚度
d(2)‧‧‧最大厚度
d3‧‧‧深度
d(3)‧‧‧最大厚度
IF1‧‧‧位置感測器
IF2‧‧‧位置感測器
IL‧‧‧照明系統
M1‧‧‧圖案化器件對準標記
M2‧‧‧圖案化器件對準標記
MA‧‧‧圖案化器件
MT‧‧‧支撐件
N‧‧‧法線
O‧‧‧光學軸
P1‧‧‧基板對準標記
P2‧‧‧基板對準標記
PM‧‧‧第一定位器件
PS‧‧‧投影系統
PW‧‧‧第二定位器件
RA‧‧‧旋轉軸線
SO‧‧‧輻射源
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基板台
θ‧‧‧角度
θ1‧‧‧第一方向角
θ2‧‧‧第二方向角
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影裝置；圖2示意性地描繪根據圖1之一實施例之微影投影裝置之EUV照明系統及投影光學器件的側視圖；圖3示意性地描繪圖1及圖2之源腔室微影裝置之一實施例的細節；圖4示意性地描繪根據本發明之一實施例的過濾器件；圖5示意性地描繪來自根據本發明之一實施例之過濾器件的箔片；圖6a至圖6f示意性地描繪來自根據本發明之一實施例之過濾器件的箔片之碳－纖維複合物之許多配置；圖7a至圖7b示意性地描繪根據本發明之一實施例的過 程；且圖8示意性地描繪固持器－箔片附著之一實施例。
42‧‧‧輻射系統
44‧‧‧照明系統
47‧‧‧源腔室
48‧‧‧集光器腔室
49‧‧‧污染物障壁
50‧‧‧輻射集光器
50a‧‧‧上游輻射集光器側
50b‧‧‧下游輻射集光器側
51‧‧‧掠入射鏡面
52‧‧‧虛擬源點
53‧‧‧正入射反射器
54‧‧‧正入射反射器
56‧‧‧輻射光束
57‧‧‧經圖案化光束
58‧‧‧反射元件
59‧‧‧反射元件
142‧‧‧反射器
143‧‧‧反射器
146‧‧‧反射器
180‧‧‧兩個反射器之間的空間
IL‧‧‧照明系統
MT‧‧‧支撐件
O‧‧‧光學軸
PS‧‧‧投影系統
SO‧‧‧輻射源
WT‧‧‧基板台

Claims (19)

  1. 一種包含一過濾器件之微影裝置，該過濾器件包含附著至一能夠圍繞一旋轉軸線而旋轉之固持器的複數個箔片，該等箔片經配置成實質上平行於該旋轉軸線且包含一選自由碳-碳複合物及碳-碳化矽複合物組成之群組的單向碳-纖維複合材料。
  2. 如請求項1之微影裝置，其中該碳-纖維複合材料中之纖維的方向橫向於該旋轉軸線。
  3. 如請求項1之微影裝置，其中該等箔片包含一單向碳-纖維複合材料層。
  4. 如請求項1之微影裝置，其中該等箔片包含一第一單向碳-纖維複合材料層及一第二單向碳-纖維複合材料層，其中該第一層中之纖維的方向橫向於該第二層中之纖維的方向。
  5. 如請求項1之微影裝置，其中該等箔片包含一第一單向碳-纖維複合材料層及一第二單向碳-纖維複合材料層，其中該第一層中之纖維的方向相對於一垂直於該旋轉軸線之法線而具有一第一方向角，且其中該第二層中之纖維的方向相對於該法線而具有一第二方向角，且其中該第一方向角及該第二方向角在0°至10°之範圍內，且其中該第一層與該第二層中之該等纖維的該方向之間的相互角度大於0°且等於或小於10°。
  6. 如請求項1之微影裝置，其中該等箔片包含2至5個複合材料層。
  7. 如請求項1之微影裝置，其中該等箔片具有一在0.05mm至1.2mm之範圍內的最大箔片厚度。
  8. 如請求項1之微影裝置，其中該等箔片具有一在0.1mm至0.4mm之範圍內的最大箔片厚度。
  9. 如請求項1之微影裝置，其中該固持器包含複數個套筒，其中每一箔片包含一尾部部分，其中該等套筒經建構以收納該等尾部部分且以防止該等箔片在一垂直於該旋轉軸線之方向上自該固持器釋放。
  10. 如請求項1之微影裝置，其中該過濾器件包含50至200個箔片。
  11. 如請求項1之微影裝置，其中該固持器之至少部分包含一選自由碳-碳複合物及碳-碳化矽複合物組成之群組的碳-纖維複合材料。
  12. 如請求項1之微影裝置，其進一步包含一經建構以產生EUV輻射之Sn電漿輻射源。
  13. 一種過濾器件，其包含附著至一能夠圍繞一旋轉軸線而旋轉之固持器的複數個箔片，該等箔片經配置成大體上平行於該旋轉軸線且包含一選自由碳-碳複合物及碳-碳化矽複合物組成之群組的單向碳-纖維複合材料。
  14. 如請求項13之過濾器件，其中該固持器之至少部分包含一選自由碳-碳複合物及碳-碳化矽複合物組成之群組的碳-纖維複合材料。
  15. 一種用於生產一用於一過濾器件之箔片之方法，該方法包含： a.提供一含樹脂預浸漬薄片；b.固化該樹脂；c.選用地縮減在b)處所獲得之該產物之至少部分的厚度；d.碳化在b)或c)處所獲得之該產物；e.選用地將一密化過程執行一或多次，其中該密化過程包含以一含碳化合物來浸潤該經碳化產物且隨後碳化該經浸潤產物；f.石墨化在d)或e)處所獲得之該產物；g.選用地縮減在f)處所獲得之該產物之至少部分的厚度其中該方法包含藉由過程c)或藉由過程g)或藉由過程c)及g)兩者而縮減該厚度，且其中該箔片包含一選自由碳-碳複合物及碳-碳化矽複合物組成之群組的單向碳-纖維複合材料。
  16. 如請求項15之方法，其中該含樹脂預浸漬薄片包含一含樹脂預浸漬薄片層壓物。
  17. 如請求項15之方法，其進一步包含在該選用之過程c)之後且在過程d)之前將一層壓過程執行一或多次，其中該層壓過程包含：a1.將一另一含樹脂預浸漬薄片配置至在b)或c)處所獲得之該產物，以獲得在b)或c)處所獲得之該產物與該另一含樹脂預浸漬薄片之一層壓物；b1.固化該樹脂；c1.選用地縮減在b1)處所獲得之該產物之至少部分的 厚度。
  18. 一種微影方法，其包含：圖案化一輻射光束；將該經圖案化輻射光束投影至一基板之一目標部分上；及使用一過濾器件來過濾該輻射光束，該過濾器件包含附著至一能夠圍繞一旋轉軸線而旋轉之固持器的複數個箔片，該等箔片經配置成實質上平行於該旋轉軸線且包含一選自由碳-碳複合物及碳-碳化矽複合物組成之群組的單向碳-纖維複合材料。
  19. 如請求項18之微影方法，其中在微影處理期間，圍繞該旋轉軸線而旋轉該過濾器件。
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