KR20100083148A - 회전 필터 디바이스를 갖는 리소그래피 장치 - Google Patents

회전 필터 디바이스를 갖는 리소그래피 장치 Download PDF

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KR20100083148A
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axis
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에드빈 요한 부이스
타르코 아드리안 루돌프 반 엠펠
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

필터 디바이스(149)를 포함하는 리소그래피 장치(1)가 개시된다. 필터 디바이스(149)는 회전 축선(RA)을 중심으로 회전될 수 있는 홀더(201)에 부착되는 복수의 포일(200)을 갖는다. 포일들(200)은 회전 축선(RA)과 실질적으로 평행하게 배치된다. 포일들(200)은 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함한다. 작업 동안, 필터 디바이스(149)가 회전되어 방사선 소스(SO), 예컨대 Sn 플라즈마 소스로부터 데브리를 필터링해낸다. 기본적으로, 이러한 필터 디바이스(149)가 제공될 수 있다.

Description

회전 필터 디바이스를 갖는 리소그래피 장치{LITHOGRAPHIC APPARATUS WITH ROTATION FILTER DEVICE}
본 발명은 특수 필터 디바이스를 갖는 리소그래피 장치, 필터 디바이스 그 자체, 이러한 필터 디바이스의 제조방법, 및 디바이스 제조방법에 관한 것이다.
리소그래피 장치는 기판 상에, 통상적으로는 기판의 타겟부 상에 원하는 패턴을 적용시키는 기계이다. 리소그래피 장치는, 예를 들어 집적 회로(IC)의 제조시에 사용될 수 있다. 그 경우, 대안적으로 마스크 또는 레티클이라 칭하는 패터닝 디바이스가 IC의 개별층 상에 형성될 회로 패턴을 생성하는데 사용될 수 있다. 이 패턴은 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼) 상의 (예를 들어, 1 개 또는 수 개의 다이의 부분을 포함하는) 타겟부 상으로 전사(transfer)될 수 있다. 패턴의 전사는 통상적으로 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트) 층 상으로의 이미징(imaging)을 통해 수행된다. 일반적으로, 단일 기판은 연속하여 패터닝되는 인접한 타겟부들의 네트워크를 포함할 것이다. 알려진 리소그래피 장치는, 한번에 타겟부 상으로 전체 패턴을 노광함으로써 각각의 타겟부가 조사(irradiate)되는 소위 스테퍼들, 및 방사선 빔을 통해 주어진 방향("스캐닝" 방향)으로 패턴을 스캐닝하는 한편, 이 방향과 평행한 방향 또는 역-평행한 방향으로 기판을 동기적으로 스캐닝함으로써 각각의 타겟부가 조사되는 소위 스캐너들을 포함한다. 또한, 기판 상에 패턴을 임프린트(imprint)함으로써, 패터닝 디바이스에서 기판으로 패턴을 전사할 수도 있다.
리소그래피 투영장치에서, 기판 상에 이미징될 수 있는 피처들의 크기는 투영 방사선의 파장에 의하여 제한된다. 보다 높은 밀도의 디바이스들을 갖는 집적 회로를 생산하고, 그에 따른 보다 빠른 작업 속도를 얻기 위하여, 보다 작은 피처들을 이미징할 수 있으면 바람직하다. 대부분의 현재의 리소그래피 투영장치는 수은 램프 또는 엑시머 레이저에 의하여 생성되는 자외선 광을 채용하는 한편, 보다 짧은 파장의 방사선, 예를 들어 대략 13 nm의 방사선을 이용하는 것이 제안되어 왔다. 이러한 방사선은 극 자외선(EUV) 또는 연질 x-레이라 지칭되며, 가능한 소스들에는, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 소스들, 방전 플라즈마 소스들 또는 전자 저장 링들로부터의 싱크로트론 방사선이 포함된다.
EUV 방사선의 소스는 통상적으로 플라즈마 소스, 예를 들어 레이저-생성 플라즈마 또는 방전 소스이다. 플라즈마 소스의 통상적인 특징은 플라즈마로부터 모든 방향으로 방출되는 패스트(fast) 이온들 및 원자들의 생성이다. 이들 입자들은 취성 표면들을 갖는 일반적으로 다중층 거울들 또는 그레이징 입사 거울들(grazing incidence mirrors)인 콜렉터 및 콘덴서 거울들에 손상을 줄 수 있다. 이 표면은 플라즈마로부터 방출되는 입자들의 충격 또는 스퍼터링(sputtring)으로 인해 점진적으로 열화되며, 따라서 거울들의 수명이 단축된다. 스퍼터링 효과는 방사선 콜렉터 또는 콜렉터 거울에 있어 특히 문제가 된다. 콜렉터의 목적은 플라즈마 소스에 의해 모든 방향으로 방출되는 방사선을 수집하고 그를 조명시스템의 다른 거울들로 지향시키는 것이다. 방사선 콜렉터는 플라스마 소스의 EUV 소스와 매우 근접하고 함께 조준선(line-of-sight) 내에 있도록 위치되며, 따라서 플라즈마로부터 큰 플럭스의 패스트 입자들을 수용한다. 일반적으로, 시스템 내의 다른 거울들은 어느 정도 실드될 수 있을 때까지 플라즈마로부터 방출된 입자들의 스퍼터링에 의해 보다 적은 정도로 손상된다.
가까운 미래에, 극자외(EUV) 소스들은 EUV 방사선을 생성하기 위해 주석(Sn) 또는 다른 금속 증기를 이용할 가능성이 있다. 이 주석은 거울들, 예를 들어 방사선 콜렉터의 거울 상에 퇴적(deposit)되거나 및/또는 리소그래피 장치 내로 누출될 수 있다. 이러한 방사선 콜렉터의 거울은, 예를 들어 루테늄(Ru)의 EUV 반사 최상부 층을 가질 수 있다. 반사 Ru 층 상에 대략 10 nm 주석(Sn) 보다 많은 퇴적은 벌크 Sn과 동일한 방식으로 EUV 방사선을 반사시킬 수 있다. 콜렉터의 전체 투과율은 주석의 반사 계수가 루테늄의 반사 계수보다 훨씬 더 작기 때문에 현저히 감소될 수 있다.
PCT 특허 출원 공개공보 WO 99/42904는 사용시 소정 경로(이 경로를 따라 방사선이 소스로부터 먼 쪽으로 전파됨) 내에 위치되는 필터에 대해 개시하고 있다. 따라서, 상기 필터는 방사선 소스와, 예를 들어 조명시스템 사이에 배치될 수 있다. 필터는 복수의 포일들을 포함하며, 상기 포일들은 사용시 원자들 및 마이크로 입자들과 같은 데브리(debris) 입자들을 트래핑한다(trap). 또한, 이러한 마이크로 입자들의 클러스터들이 이러한 포일들에 의해 트래핑될 수 있다. 이들 포일은 방사선이 필터를 통해 계속 전파될 수 있도록 배향된다. 포일들은 편평하거나 원뿔형이며 경로 주위에서 반경방향으로 배치될 수 있다. 소스, 필터 및 투영시스템은 버퍼 가스, 예를 들어 대략 0.5 Torr 압력의 크립톤 내에 배치될 수 있다.
PCT 특허출원 공개공보 WO 03/034153은 소스를 떠나는 방사선이 제 1 세트의 포일을 지난 다음 제 2 세트의 포일을 지나도록 되어 있는, 제 1 세트의 포일 및 제 2 세트의 포일을 포함하는 오염 방벽에 대해 개시하고 있다. 제 1 세트 및 제 2 세트의 포일들은 각각 제 1 세트의 채널들 및 제 2 세트의 채널들을 형성한다. 상기 두 세트의 채널들은 이격되어 그들 사이에 공간을 두며, 그 공간 내로 가스 공급부에 의해 플러싱(flushing) 가스가 공급된다. 오염 방벽으로 부터 가스를 제거하기 위하여 배기 시스템(exhaust system)이 제공될 수 있다.
유럽 특허출원 공개공보 EP 1 434 098은 내부 링 및 외부 링(각각의 포일이 외측 단부들 중 적어도 하나에서 내부 링 및 외부 링 중 적어도 하나의 홈들 내에 슬라이딩가능하게 위치됨)을 포함하는 오염 방벽을 제공한다. 포일들의 외측 단부들 중 하나를 슬라이딩가능하게 위치시킴으로써, 포일들은 반경 방향으로 확장될 수 있다. 오염 방벽은 포일들이 열적으로 연결되는 링들 중 하나를 냉각시키도록 배치되는 냉각 시스템을 포함할 수 있다.
소스로부터의 데브리 또는 상기 데브리에 의해 생성되는 2차 입자들이 광학 요소 상에 퇴적되는 것을 방지하기 위하여, 필터 디바이스, 예컨대 미국 특허출원 공개공보 US 2006/0186353에 개시된 것과 같은 필터 디바이스가 이용될 수 있다.
EUV 리소그래피 장치에 적용하기 적합한 대안적인 필터 디바이스를 리소그래피 장치에 제공하는 것이 바람직하다. 또한 또는 대안적으로, 이러한 대안적인 필터 디바이스 그 자체와, 이러한 필터 디바이스의 제조방법 및/또는 디바이스 제조방법을 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 필터 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 필터 디바이스는 회전 축선을 중심으로 회전될 수 있는 홀더에 부착되는 복수의 포일을 포함하고, 상기 포일은 회전 축선과 실질적으로 평행하게 배치되고 카본-카본 조성물(carbon-carbon composite) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(carbon-silicon carbide composite)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료(uni-directional carbon-fiber composite material)를 포함한다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치는 EUV 방사선을 생성하도록 구성되는 방사선 소스(상기 방사선 소스는 Sn 플라스마 소스)를 포함한다. 여기서, "EUV 방사선을 생성하도록 구성되는"이라는 말은 EUV 방사선을 생성하도록 설계되며 EUV 리소그래피에서 사용되도록 설계된 소스들을 지칭한다. 변형례로서, 방사선 소스는 레이저 생성 플라즈마 소스(LPP) 또는 방전 생성 플라즈마 소스(Sn 플라즈마 소스)를 각각 포함한다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명시스템; 패터닝 디바이스(방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하도록 구성됨)를 지지하도록 구성된 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판테이블; 및 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부 상에 투영하도록 구성된 투영시스템을 포함한다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치는 EUV 리소그래피 장치이며, EUV 방사선 빔을 제공하기 위한 EUV 방사선 소스를 포함한다. 리소그래피 장치는 방사선 빔(일 실시예에서는 EUV 방사선 빔)을 생성하도록 구성되는 방사선 소스를 포함할 수 있으며, 방사선의 소스는 EUV 방사선을 생성하도록 구성된다.
일 실시예에서, 카본-화이버 조성 재료 내의 화이버들의 방향은 회전 축선에 대해 수직하다.
일 실시예에서, 포일들은 일-방향 카본-화이버 조성 재료의 하나의 층을 포함한다. 일 실시예에서, 각각의 포일은 조성 재료로 된 2 내지 5 개의 층을 포함한다. 후자의 실시예에서, 각 층 내의 카본 화이버들의 방향은 층마다 상이할 수 있다.
일 실시예에서, 포일들은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층을 포함하며, 여기서 제 1 층 내의 화이버들의 방향은 제 2 층 내의 화이버들의 방향과 수직하다. 일 실시예에서, 포일들은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층을 포함하며, 여기서 제 1 층 내의 화이버들의 방향은 회전 축선에 수직한 법선(normal)에 대해 제 1 방향각(θ1)을 가지고, 제 2 층 내의 화이버들의 방향은 상기 법선에 대해 제 2 방향각(θ2)을 가지고, 상기 제 1 방향각 및 제 2 방향각(θ1, θ2)은 0 내지 10° 범위 내에 있으며, 제 1 층과 제 2 층 내의 화이버들의 방향 간의 상호각은 0°보다 크고 10°이하이다.
일 실시예에서, 홀더는 복수의 슬리브를 포함하고, 각각의 포일은 꼬리부(tail part)를 포함하고, 상기 슬리브는 상기 꼬리부를 수용하도록 구성되며, 상기 슬리브는 회전 축선에 수직한 방향으로 홀더로부터의 포일들의 해제(release)를 방지하도록 구성된다.
일 실시예에서, 홀더의 적어도 일부는 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 카본-화이버 조성물을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 홀더는 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함할 수 있다.
본 발명의 추가 실시형태에 따르면, 필터 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치가 제공되며, 상기 필터 디바이스는 회전 축선을 중심으로 회전될 수 있는 홀더에 부착되는 복수의 포일을 포함하고, 상기 포일은 상기 회전 축선과 평행하며 적어도 1000℃ 온도의 액체 Sn과 실질적으로 반응하지 않는 재료를 포함한다. 일 실시예에서, 상기 재료는 최대 2000℃ 온도의 액체 Sn과 실질적으로 반응하지 않는다.
본 발명의 추가 실시형태에 따르면, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 이용하는 디바이스 제조방법이 제공된다. 일 실시형태에서는, 방사선 빔을 패터닝하는 단계; 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하는 단계; 및 필터 디바이스(상기 필터 디바이스는 회전 축선을 중심으로 회전될 수 있는 홀더에 부착되는 복수의 포일을 포함하고, 상기 포일은 상기 회전 축선과 실질적으로 평행하게 배치되며 카본-카본 조성물 및 카본-실리콘 카바이드 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함함)를 이용하여 상기 방사선 빔을 필터링하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
본 발명의 추가 실시형태에 따르면, 기본적으로 필터 디바이스가 제공되며, 상기 필터 디바이스는 회전 축선을 중심으로 회전될 수 있는 홀더에 부착되는 복수의 포일을 포함하고, 상기 포일은 상기 회전 축선과 실질적으로 평행하게 배치되며 카본-카본 조성물 및 카본-실리콘 카바이드 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함한다.
일 실시예에서는, 상술된 바와 같이 홀더의 상류측과 같은 홀더의 적어도 일부가 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 카본-화이버 조성물을 포함할 수 있다.
추가 실시형태에서는, 필터 디바이스를 위한 포일의 제조방법이 제공되며, 상기 방법은:
a. 사전-함침된(pre-impregnated) 시트를 포함하는 수지를 제공하는 단계;
b. 상기 수지를 경화시키는 단계;
c. b) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계;
d. b) 단계 또는 c) 단계에서 얻어진 제품을 탄화시키는 단계;
e. 선택적으로 1 회 이상의 덴서파잉(densifying) 단계를 수행하는 단계 - 상기 덴서파잉 단계는 탄화된 제품에 카본-함유 합성물이 인필트레이팅되도록(infiltrate) 한 다음, 상기 인필트레이팅된 제품을 탄화시키는 단계를 포함함 - ;
f. d) 단계 또는 e) 단계에서 얻어진 제품을 흑연화시키는 단계;
g. f) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계를 포함하며,
상기 방법은 c) 단계 또는 g) 단계, 또는 c) 단계와 g) 단계 둘 모두에 의하여 상기 두께를 축소시키는 단계를 포함하며, 상기 포일은 카본-카본 조성물 및 카본-실리콘 카바이드 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함한다. 카본-함유 합성물은, 예를 들어 페놀 수지일 수 있다.
일 실시예에서, 사전-함침된 시트를 포함하는 수지는 사전-함침된 시트들을 포함하는 수지의 라미네이트(laminate)를 포함한다. 일 실시예에서, c) 단계 후와 d) 단계 전에, 상기 방법은 1 회 이상의 라미네이팅 단계를 수행하는 단계를 더 포함하며, 상기 라미네이팅 단계는:
a1. b) 또는 c)에서 얻어진 제품에 사전-함침된 시트를 포함하는 추가 수지를 배치시켜 b) 단계 또는 c) 단계에서 얻어진 제품과 상기 사전-함침된 시트를 포함하는 추가 수지의 라미네이트를 얻는 단계;
b1. 상기 수지를 경화시키는 단계; 및
c1. b1)에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계를 포함한다.
제조 방법에 의해 얻어진 포일은 본 발명의 필터 디바이스에 적용될 수 있다.
이하, 대응되는 참조부호들이 대응되는 부분들을 지칭하는 개략적인 첨부도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들이 (단지 예시의 방법으로) 기술될 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 개략적으로 나타낸 도;
도 2는 도 1의 일 실시예에 따른 리소그래피 투영장치의 투영 광학기들 및 EUV 조명시스템의 개략적인 측면도;
도 3은 도 1 및 2의 소스 챔버 리소그래피 장치 일 실시예의 세부의 개략도;
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 디바이스의 개략도;
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 디바이스로부터의 포일의 개략도;
도 6a 내지 6f는 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 디바이스로부터의 포일들의 카본-화이버 조성물들의 여러 배치들을 개략적으로 나타낸 도;
도 7a 내지 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 단계를 개략적으로 나타낸 도;
도 8은 홀더-포일 부착의 일 실시예를 개략적으로 나타낸 도이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(1)를 개략적으로 도시한다. 상기 장치(1)는 방사선을 발생시키도록 구성된 소스(SO), 소스(SO)로부터 수용된 방사선으로부터 방사선 빔(B)(예를 들어, UV 방사선 또는 EUV 방사선)을 컨디셔닝(condition)하도록 구성된 조명 시스템(일루미네이터)(IL)을 포함한다. 상기 소스(SO)는 개별 유닛으로서 제공될 수 있으며 리소그래피 장치의 일부가 아닐 수 있다. 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT)는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA)를 지지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키도록 구성된 제 1 위치설정 디바이스(PM)에 연결된다. 기판 테이블(예를 들어, 웨이퍼 테이블)(WT)은 기판(예를 들어, 레지스트-코팅된 웨이퍼)(W)을 유지하도록 구성되고, 소정 파라미터들에 따라 기판(W)을 정확히 위치시키도록 구성된 제 2 위치설정 디바이스(PW)에 연결된다. 투영 시스템(예를 들어, 굴절 투영 렌즈 시스템)(PS)[투영 광학기 박스(POB)로도 알려짐]은 패터닝 디바이스(MA)에 의해 기판(W)의 (예를 들어, 1 이상의 다이를 포함하는) 타겟부(C) 상으로 방사선 빔(B)에 부여된 패턴을 투영하도록 구성된다.
조명 시스템은 방사선을 지향, 성형 또는 제어하기 위하여, 굴절, 반사, 자기, 전자기, 정전기 또는 다른 형태의 광학 구성요소들, 또는 여하한의 그 조합과 같은 다양한 형태의 광학 구성요소들을 포함할 수 있다.
지지체(MT)는 패터닝 디바이스의 방위, 리소그래피 장치의 디자인, 및 예를 들어 패터닝 디바이스가 진공 환경에서 유지되는지의 여부와 같은 다른 조건들에 의존하는 방식으로 패터닝 디바이스를 유지한다. 지지체(MT)는 패터닝 디바이스를 유지하기 위해 기계적, 진공, 정전기, 또는 다른 클램핑 기술들을 이용할 수 있다. 지지체(MT)는, 예를 들어 필요에 따라 고정되거나 이동가능할 수 있는 프레임 또는 테이블일 수 있다. 지지체(MT)는, 패터닝 디바이스가 예를 들어 투영 시스템에 대해 원하는 위치에 있을 것을 보장할 수 있다. 본 명세서의 "레티클" 또는 "마스크"라는 용어의 어떠한 사용도 "패터닝 디바이스"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에서 사용되는 "패터닝 디바이스"라는 용어는, 기판의 타겟부에 패턴을 생성하기 위해서, 방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 디바이스를 언급하는 것으로 폭넓게 해석되어야 한다. 방사선 빔에 부여된 패턴은, 예를 들어 상기 패턴이 위상-시프팅 피처(phase-shifting feature)들 또는 소위 어시스트 피처(assist feature)들을 포함하는 경우, 기판의 타겟부 내의 원하는 패턴과 정확히 일치하지 않을 수도 있다는 것을 유의하여야 한다. 일반적으로, 방사선 빔에 부여된 패턴은 집적 회로와 같이 타겟부에 생성될 디바이스 내의 특정 기능 층에 해당할 것이다.
패터닝 디바이스는 투과형 또는 반사형일 수 있다. 패터닝 디바이스의 예로는 마스크, 프로그램가능한 거울 어레이, 및 프로그램가능한 LCD 패널들을 포함한다. 마스크는 리소그래피 분야에서 잘 알려져 있으며, 바이너리(binary)형, 교번 위상-시프트형 및 감쇠 위상-시프트형과 같은 마스크 타입뿐만 아니라, 다양한 하이브리드(hybrid) 마스크 타입들을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 일 예시는 작은 거울들의 매트릭스 구성을 채택하며, 그 각각은 입사하는 방사선 빔을 상이한 방향으로 반사시키도록 개별적으로 기울어질 수 있다. 기울어진 거울들은 거울 매트릭스에 의해 반사되는 방사선 빔에 패턴을 부여한다.
본 명세서에서 사용되는 "투영 시스템"이라는 용어는, 사용되는 노광 방사선에 대하여, 또는 침지 액체의 사용 또는 진공의 사용과 같은 다른 인자들에 대하여 적절하다면, 굴절, 반사, 카타디옵트릭(catadioptric), 자기, 전자기 및 정전기 광학 시스템, 또는 여하한의 그 조합을 포함하는 여하한 타입의 투영 시스템을 내포하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 본 명세서의 "투영 렌즈"라는 용어의 어떠한 사용도 "투영 시스템"이라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수 있다.
본 명세서에 도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 반사 마스크를 채택하는) 반사형으로 구성된다. 대안적으로, 상기 장치는 (예를 들어, 투과 마스크를 채택하는) 투과형으로 구성될 수 있다.
리소그래피 장치는 2 개(듀얼 스테이지) 이상의 기판 테이블(및/또는 2 이상의 패터닝 디바이스 지지체)을 갖는 형태로 구성될 수 있다. 이러한 "다수 스테이지" 기계에서는 추가 테이블들 및/또는 지지체들이 병행하여 사용될 수 있으며, 또는 1 이상의 테이블 및/또는 지지체가 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블 및/또는 지지체에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다.
또한, 리소그래피 장치는 투영 시스템과 기판 사이의 공간을 채우기 위해서, 기판의 전체 또는 일부분이 비교적 높은 굴절률을 갖는 액체, 예컨대 물로 덮일 수 있는 형태로 구성될 수 있다. 또한, 침지 액체는 리소그래피 장치 내의 다른 공간들, 예를 들어 마스크와 투영 시스템 사이에도 적용될 수 있다. 침지 기술은 투영 시스템의 개구수를 증가시키는 기술로 당업계에 잘 알려져 있다. 본 명세서에서 사용되는 "침지"라는 용어는 기판과 같은 구조체가 액체 내에 담그어져야 함을 의미하는 것이라기보다는, 노광 시 액체가 예를 들어 투영 시스템과 기판 사이에 놓이기만 하면 된다는 것을 의미한다.
도 1을 참조하면, 일루미네이터(IL)는 방사선 소스(SO)로부터 방사선을 수용한다. 예를 들어, 상기 소스가 엑시머 레이저(excimer laser)인 경우, 상기 소스 및 리소그래피 장치는 별도의 개체일 수 있다. 이러한 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 일부분을 형성하는 것으로 간주되지 않으며, 상기 방사선은 예를 들어 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함하는 빔 전달 시스템의 도움으로, 소스(SO)로부터 일루미네이터(IL)로 통과된다. 다른 경우, 예를 들어 상기 소스가 수은 램프인 경우, 상기 소스는 리소그래피 장치의 통합부일 수 있다.
상기 일루미네이터(IL)는 방사선 빔의 각도 세기 분포를 조정하도록 구성된 조정 디바이스를 포함할 수 있다. 일반적으로, 일루미네이터의 퓨필 평면 내의 세기 분포의 적어도 외반경 및/또는 내반경 크기(통상적으로, 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)가 조정될 수 있다. 또한, 일루미네이터(IL)는 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은, 다양한 다른 구성요소들을 포함할 수도 있다. 일루미네이터는 방사선 빔의 단면에 원하는 균일성(uniformity) 및 세기 분포를 갖기 위해, 방사선 빔을 컨디셔닝하는데 사용될 수 있다.
상기 방사선 빔(B)은 지지체(예를 들어, 마스크 테이블)(MT) 상에 유지되어 있는 패터닝 디바이스(예를 들어, 마스크)(MA) 상에 입사되며, 패터닝 디바이스에 의해 패터닝된다. 패터닝 디바이스(MA)를 가로지른 후, 상기 방사선 빔(B)은 투영 시스템(PS)을 통과하며, 이는 기판(W)의 타겟부(C) 상에 상기 빔을 투영한다. 제 2 위치설정 디바이스(PW) 및 위치 센서(IF2)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)의 도움으로, 기판 테이블(WT)은 예를 들어 방사선 빔(B)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)들을 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제 1 위치설정 디바이스(PM) 및 또 다른 위치 센서(IF1)(예를 들어, 간섭계 디바이스, 리니어 인코더, 또는 용량성 센서)는, 예를 들어 마스크 라이브러리(mask library)로부터의 기계적인 회수 후에, 또는 스캔하는 동안, 방사선 빔(B)의 경로에 대해 패터닝 디바이스(MA)를 정확히 위치시키는데 사용될 수 있다. 일반적으로, 패터닝 디바이스 지지체(MT)의 이동은 장-행정 모듈(long-stroke module: 개략 위치설정) 및 단-행정 모듈(short-stroke module: 미세 위치설정)의 도움으로 실현될 수 있으며, 이는 제 1 위치설정 디바이스(PM)의 일부분을 형성한다. 이와 유사하게, 기판 테이블(WT)의 이동은 장-행정 모듈 및 단-행정 모듈을 이용하여 실현될 수 있으며, 이는 제 2 위치설정 디바이스(PW)의 일부분을 형성한다. 스캐너와는 대조적으로 스테퍼의 경우, 패터닝 디바이스 지지체(MT)는 단-행정 액추에이터에만 연결되거나 고정될 수 있다. 패터닝 디바이스(MA) 및 기판(W)은 패터닝 디바이스 정렬 마크들(M1 및 M2) 및 기판 정렬 마크들(P1 및 P2)을 이용하여 정렬될 수 있다. 비록, 예시된 기판 정렬 마크들은 지정된(dedicated) 타겟부들을 차지하고 있지만, 그들은 타겟부들 사이의 공간들 내에 위치될 수도 있다[이들은 스크라이브-레인 정렬 마크(scribe-lane alignment mark)들로 알려져 있다]. 이와 유사하게, 패터닝 디바이스(MA) 상에 1 이상의 다이가 제공되는 상황들에서, 패터닝 디바이스 정렬 마크들은 다이들 사이에 위치될 수 있다.
도시된 장치는 다음 모드들 중 적어도 1 이상에서 사용될 수 있다:
a. 스텝 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 기본적으로 정지 상태로 유지되는 한편, 방사선 빔에 부여되는 전체 패턴은 한번에 타겟부(C) 상에 투영된다[즉, 단일 정적 노광(single static exposure)]. 그 후, 기판 테이블(WT)은 상이한 타겟부(C)가 노광될 수 있도록 X 및/또는 Y 방향으로 시프트된다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광시에 이미징되는 타겟부(C)의 크기를 제한한다.
b. 스캔 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(MT) 및 기판 테이블(WT)은 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안에 동기적으로 스캐닝된다[즉, 단일 동적 노광(single dynamic exposure)]. 패터닝 디바이스 지지체(MT)에 대한 기판 테이블(WT)의 속도 및 방향은 투영 시스템(PS)의 확대(축소) 및 이미지 반전 특성에 의하여 결정될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광시 타겟부의 (스캐닝 되지 않는 방향으로의) 폭을 제한하는 반면, 스캐닝 동작의 길이는 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정한다.
c. 또 다른 모드에서, 패터닝 디바이스 지지체(MT)는 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 유지하여 기본적으로 정지된 상태로 유지되며, 방사선 빔에 부여된 패턴이 타겟부(C) 상에 투영되는 동안 기판 테이블(WT)이 이동되거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스화된 방사선 소스(pulsed radiation source)가 채택되며, 프로그램가능한 패터닝 디바이스는 기판 테이블(WT)이 각각 이동한 후, 또는 스캔 중에 계속되는 방사선 펄스 사이사이에 필요에 따라 업데이트된다. 이 작동 모드는 앞서 언급된 바와 같은 타입의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 디바이스를 이용하는 마스크없는 리소그래피(maskless lithography)에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 완전히 다른 사용 모드들이 채택될 수도 있다.
문맥 속에서의 "렌즈"라는 용어는 굴절, 반사, 자기, 전자기 및 정전기 광학 구성요소들을 포함하는, 다양한 타입의 광학 구성요소들 중 하나 또는 그들의 조합을 지칭할 수 있다.
본 명세서에서 사용된 "방사선" 및 "빔"이라는 용어는 [예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126 nm의 파장(λ)을 갖는] 자외(UV)방사선 및 (예를 들어, 5 내지 20 nm 범위 내의 파장, 예를 들어 13.5 nm 또는 6.6 nm의 파장을 갖는) 극자외(EUV 또는 연질 X-레이)방사선뿐만 아니라, 이온 빔 또는 전자 빔과 같은 입자 빔을 포함하는 모든 형태의 전자기 방사선을 포괄한다. 일반적으로, 대략 780 내지 3000 nm 사이의 파장(또는 그 보다 큰 파장)을 갖는 방사선이 적외선이라 간주된다. UV는 대략 100 내지 400 nm의 파장을 갖는 방사선을 지칭한다. 또한, 리소그래피 내에서는, 수은 방전 램프에 의해 생성될 수 있는 파장들: 즉 G-라인 436 nm; H-라인 405 nm; 및/또는 I-라인 365 nm에도 통상적으로 적용된다. VUV는 진공 UV(즉, 공기에 의해 흡수되는 UV)이며, 대략 100 내지 200 nm의 파장을 지칭한다. DUV는 딥(Deep) UV이며, 통상적으로는 리소그래피에서 126 내지 248 nm와 같이 엑시머 레이저에 의해 생성되는 파장들에 대해 이용된다. 당업자라면, 예를 들어 5 내지 20 nm 범위 내의 파장을 갖는 방사선은 적어도 일부가 5 내지 20 nm 범위 내에 있는 소정 파장 밴드를 갖는 방사선과 관련되어 있다는 것을 이해할 것이다.
도 2는 방사선 시스템(42), 조명시스템(44), 및 투영시스템(PS)을 포함하는 투영장치(1)를 보다 상세히 나타내고 있다. 방사선 시스템(42)은 방전 플라즈마 소스일 수 있는 방사선 소스(SO)를 포함한다. EUV 방사선은 소스 내의 가스나 증기, 예를 들어 전자기 스펙트럼의 EUV 범위 내의 방사선을 방출하기 위해 매우 고온의 플라즈마가 생성되는 Xe 가스, Li 증기 또는 Sn 증기에 의하여 생성될 수 있다. 매우 고온의 플라즈마는, 예를 들어 방전에 의하여 적어도 부분적으로 이온화된 플라즈마를 유도함으로써 생성된다. 방사선의 효율적인 생성을 위해서는 Xe, Li, Sn 증기 또는 여타 적합한 가스나 증기의 부분압들, 예를 들어 10 Pa의 부분압이 요구될 수 있다. 일 실시예에서, EUV 소스로서 Sn 소스가 적용된다. 방사선 소스(SO)에 의하여 방출되는 방사선은 소스 챔버(47)의 개구부 뒤나 안에 위치되는 선택적 오염 방벽(49)을 통해 소스 챔버(47)로부터 콜렉터 챔버(48) 내로 전달된다. 오염 방벽(49)은 채널 구조체를 포함할 수 있다. 오염 방벽(49)은 가스 방벽 또는 가스 방벽과 채널 구조체의 조합체를 포함할 수 있다. 본 명세서에 추가 기술되는 오염 방벽(49)은 적어도 채널 구조체를 포함한다.
콜렉터 챔버(48)는 그레이징 입사 콜렉터에 의하여 형성될 수 있는 방사선 콜렉터(50)(본 명세서에서는 콜렉터 거울로도 지칭됨)를 포함한다. 방사선 콜렉터(50)는 상류 방사선 콜렉터 측(50a) 및 하류 방사선 콜렉터 측(50b)을 갖는다. 콜렉터(50)를 지난 방사선은 그레이징 입사 거울(51)에서 반사되어 나가 콜렉터 챔버(48) 어퍼처(52)의 가상의(virtual) 소스 포인트(53)에 포커싱될 수 있다. 콜렉터 챔버(48)로부터, 방사선 빔(56)은 조명시스템(44)에서 직각의 입사 반사기들(53, 54)을 통해 디바이스 지지체(MT)(예를 들어, 레티클 또는 마스크 테이블) 상에 위치되는 패터닝 디바이스(예를 들어, 레티클 또는 마스크) 상으로 반사된다. 투영시스템(PS)에서 반사 요소들(58, 59)을 통해 기판테이블(WT) 상으로 이미징되는 패터닝된 빔(57)이 형성된다. 일반적으로, 조명시스템(44) 및 투영시스템(PS)에는 도시된 것보다 많은 요소들이 제공될 수 있다. 리소그래피 장치의 타입에 따라 그레이징 입사 거울(51)이 선택적으로 제공될 수 있다. 그레이징 입사 거울은 격자 스펙트럼 필터(grating spectral filter: 51)일 수 있다. 또한, 도면들에 도시된 것들보다 많은 거울들이 존재할 수도 있다[예를 들어, 요소들(58, 59)보다 1 내지 4 개 더 많은 반사 요소가 존재할 수도 있다].
콜렉터 거울(50)로서 그레이징 입사 거울을 대신하여 또는 그레이징 입사 거울과 더불어, 직각 입사 콜렉터가 적용될 수 있다. 리플렉터들(142, 143 및 146)을 갖는 네스트(nested) 콜렉터로서 본 명세서의 일 실시예에서 보다 상세히 기술되는 바와 같이, 그리고 예를 들어 도 2에 개략적으로 나타낸 바와 같이, 콜렉터 거울(50)은 본 명세서에서 콜렉터(또는 콜렉터 거울)의 일 예시로서 또한 사용된다. 따라서, 적용가능한 경우, 그레이징 입사 콜렉터로서 콜렉터 거울(50)은 일반적으로는 콜렉터로서, 그리고 특정 실시예에서는 직각 입사 콜렉터로서 해석될 수도 있다.
도 2에 개략적으로 나타낸 바와 같이, 격자 스펙트럼 필터(51) 대신에 또는 격자 스펙트럼 필터(51)와 더불어, EUV에 대해 투과적이고 UV 방사선에 대해 덜 투과적이거나 심지어 UV 방사선을 실질적으로 흡수하는 투과 광학 필터가 적용될 수 있다. 따라서, 본 명세서에서 "격자 스펙트럼 필터"는 또한 격자 또는 투과 필터들을 포함하는 "스펙트럼 순도 필터(spectral purity filter)"로서 나타난다. 도 2에 개략적으로 나타내지는 않았지만, 선택적 광학 요소로서, 예를 들어 콜렉터 거울(50)의 상류에 배치되는 EUV 투과 광학 필터 또는 조명시스템(44) 및/또는 투영시스템(PS) 내의 광학 EUV 투과 필터가 포함될 수도 있다.
일 실시예(상술된 내용 참조)에서, 방사선 콜렉터(50)는 그레이징 입사 콜렉터일 수 있다. 콜렉터(50)는 광학 축선(O)을 따라 정렬된다. 소스(SO) 또는 그것의 이미지는 광학 축선(O) 상에 배치된다. 방사선 콜렉터(50)는 리플렉터들(142, 143, 146)[수 개의 볼터-타입(Wolter-type) 리플렉터들을 포함하는 볼터-타입 리플렉터로도 알려짐]을 포함할 수 있다. 이들 리플렉터들(142, 143, 146)은 네스팅되고(nested) 광학 축선(O)에 대해 회전대칭으로 이루어질 수 있다. 도 2(또한 다른 도면들)에서, 내측 리플렉터는 참조부호 142로 표시되어 있고, 중간 리플렉터는 참조부호 143으로 표시되어 있으며, 외측 리플렉터는 참조부호 146으로 표시되어 있다. 방사선 콜렉터(50)는 특정 볼륨, 즉 외측 리플렉터(들)(146) 내의 볼륨을 둘러싼다. 통상적으로, 외측 리플렉터(들)(146) 내의 이 볼륨은 작은 개구부들이 존재할 수도 있으나 주변방향으로 폐쇄되어 있다. 모든 리플렉터들(142, 143 및 146)은 적어도 일부가 하나의 반사층 또는 다수의 반사층을 포함하는 표면들을 포함한다. 따라서, 리플렉터들(142, 143 및 146)[보다 많은 리플렉터들이 존재할 수 있으며, 방사선 콜렉터(50)의 실시예들은 3 개보다 많은 리플렉터들을 가질 수 있음]은 적어도 부분적으로 소스(SO)로부터 EUV 방사선을 반사하고 수집하도록 설계되며, 리플렉터의 적어도 일부는 EUV 방사선을 반사하고 수집하도록 설계되지 않는다. 예를 들어, 리플렉터들의 후방 측 중 적어도 일부는 EUV 방사선을 반사 및 수집하도록 설계되지 않을 수 있다. 이러한 반사층들의 표면 상에는, 또한 반사층들 표면의 적어도 일부 상에 제공되는 광학 필터 또는 보호용 캡 층이 존재할 수 있다.
통상적으로, 방사선 콜렉터(50) 소스(SO) 또는 소스(SO)의 이미지 부근에 배치된다. 각각의 리플렉터(142, 143, 146)는 적어도 2 개의 인접한 반사면을 포함할 수 있으며, 소스(SO)로부터 더 먼 반사면들은 소스(SO)에 더 가까운 반사면보다 광학 축선(O)에 대해 더 작은 각으로 배치된다. 이러한 방식으로, 그레이징 입사 콜렉터(50)는 광학 축선(O)을 따라 전파되는 (E)UV 방사선 빔을 생성하도록 구성된다. 적어도 2 개의 리플렉터들은 실질적으로 동축으로 배치되며, 광학 축선(O)에 대해 실질적으로 회전 대칭으로 연장된다. 방사선 콜렉터(50)는 보호 홀더, 히터 등을 위해 외측 리플렉터(146)의 외부 표면 상에 추가 피처들을 가지거나 또는 외측 리플렉터(146) 주위에 추가 피처들을 가질 수 있다는 것을 이해해야 한다. 참조부호 180은 2 개의 리플렉터, 예를 들어 리플렉터 142와 143 사이의 공간을 나타내고 있다.
도 2에 나타낸 모든 광학 요소들(그리고 이 실시예의 개략적인 도면에 나타내지 않은 광학 요소들)은 [예를 들어 소스(SO)에 의해 생성되는] 오염물들, 예를 들어 Sn이 퇴적되기 쉽다. 이는 방사선 콜렉터(50) 및 (만약 존재할 경우) 스펙트럼 순도 필터(51)에 대한 경우이다.
또한, 광학 요소들뿐만 아니라, 벽들, 홀더들, 지지 시스템들, 가스 록들, 오염 방벽(49) 등과 같은 구조 요소들까지 Sn과 같은 퇴적물에 의해 오염될 수 있다. 이러한 퇴적물은 광학 요소들의 광학 특성들에 직접적으로 영향을 미치지 않지만, 재-퇴적으로 인해 이러한 퇴적물이 광학 요소들 상에 퇴적(즉, 재-퇴적)되어 광학 특성들에 영향을 미칠 수 있다. 따라서, 광학 요소들 상에 퇴적되지 않는 퇴적물도 이후의 스테이지에서 재-퇴적으로 인해 광학 요소들의 표면 오염을 야기할 수 있다. 이는, 반사율, 투과율, 균일성 등 같은 광학 성능의 저하를 가져온다.
사용 중에, 외측 리플렉터(146) 및 내측 리플렉터(142/143) 중 1 이상의 리플렉터 상에서 퇴적물이 발견될 수 있다. 방사선 콜렉터(50)는 이러한 퇴적물에 의해 열화[데브리, 예를 들어 소스(SO)로부터의 이온들, 전자들, 클러스터들, 액적들, 전극 부식물에 의하여 열화]될 수 있다. 예를 들어, Sn 소스로 인한 Sn의 퇴적은 수 개의 단-층들 다음에 방사선 콜렉터(50) 또는 다른 광학 요소들의 반사에 이롭지 않으며, 이는 이러한 광학 요소들의 세정을 필요로 한다.
이러한 퇴적을 저감시키기 위하여, 오염 방벽(49)이 제공될 수 있다. 후술되는 바와 같이, 오염 방벽(49)을 대신하거나 그와 더불어, 필터 디바이스가 제공될 수 있다. 오염 방벽(49)은 정적 디바이스인 반면, 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 디바이스는 동적 디바이스이다(즉, 필터 디바이스는 회전하는 오염 방벽으로, 리소그래피 장치의 이용 동안 회전될 수 있다).
그러므로, 필터 디바이스, 특히 EUV 리소그래피 장치에 적용하기 적합하며, 특히 플라즈마 기반 Sn 소스를 이용하는 EUV를 위한 필터 디바이스가 제공된다.
도 3을 참조하면, 필터 디바이스(149)의 배치가 개략적으로 나타나 있다. 소스(SO)를 갖는 소스 챔버(47)가 도시되어 있다. 소스로부터 하류에는, 콜렉터(50)가 존재한다(도시 안됨). 소스(SO)로부터는 하류, 그러나 콜렉터(50)로부터는 상류, 즉 제 1 (반사) 광학기 앞에는, 상술된 바와 같이 선택적 오염 방벽(49)이 배치된다. 또한, 소스(SO)로부터 하류, 콜렉터(50)(도시 안됨)로부터 상류 그리고 선택적 오염 방벽(49)으로부터 상류에는, 필터 디바이스(149)가 배치된다. 도 4에 보다 상세히 도시되겠지만, 필터 디바이스(149)의 복수의 포일들이 개략적으로 도시되어 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 필터 디바이스(149)를 개략적으로 도시하고 있다. 단지 관련된 세부요소들만 도시되어 있으며, 필터 디바이스 하우징 및 필터 디바이스(149)를 회전시키기 위한 필터 디바이스 모터는 간명히 하기 위해 나타내지 않았다.
필터 디바이스(149)는 홀더 상류측(220)(여기서는 원뿔 최상부), 및 포일들(200)(간명성을 위해 그 중 일부만 도시됨)과 함께, 예를 들어 콘 형태의 홀더(201)를 포함한다. 이용시, 필터 디바이스(149)는 회전 축선(RA)을 따라 회전될 수 있다. 일 실시예에서, (도 4에 도시된 바와 같이) 회전 축선(RA)은 광학 축선(O)의 적어도 일부와 실질적으로 평행하며 실질적으로 일치한다. 일 실시예에서, 필터 디바이스(149)는 회전 축선(RA)[그리고 일 실시예에서는 광학 축선(O)]에 대해 회전 대칭이다. 홀더 상류측(200)은 소스(SO)(도시 안됨)로 지향된다. 포일들(200)은 상류 전방 영역(202), 최상부 영역(203), 하류 후방 영역(204) 및 바닥부(205)를 가질 수 있다.
필터 디바이스(149)는, 예를 들어 광학 축선(O)과 평행하거나 및/또는 그와 일치하는 회전 축선(RA)과 평행한 포일들(200)을 갖는 "프로펠러"의 형태이다. 도 4에서 알 수 있듯이, 포일들(200)은 회전 축선(RA)과 평행하며, 회전 축선(RA)에 수직한 법선들(N)과 평행하다. 포일들의 평면들은 회전 축선(RA)에서 교차한다.
포일들(200)은 0.05 내지 1.2 mm 또는 0.1 내지 0.4 mm 범위 내의 최대 포일 두께(d)(도 5 참조)를 갖는다. 보다 두꺼운 두께에서, 훨씬 더 많은 방사선이 차단되며, 보다 얇은 두께는 후술되는 카본-화이버 조성 재료로는 구현될 수 없다. 필터 디바이스(149)는 대략 50 내지 200 개의 포일 또는 150 내지 200 개의 포일을 포함한다. 이용 동안(즉, 리소그래피 처리 동안), 필터 디바이스(149)는 대략 1,000 내지 20,000 rpm 범위 또는 3,000 내지 8,000 rpm 범위 내의 속도로 회전 축선(RA)을 중심으로 회전할 수 있다. 포일들(200)은 소스(SO)로부터의 방사선의 적어도 일부가 필터(149)를 통해 계속 전파될 수 있도록 배향된다.
또한, 본 명세서에서 인용참조되는 PCT 특허출원 공개공보 WO 99/42904 및 WO 03/034153 및 미국 특허출원 공개공보 US 2006/0186353에는 구체적인 실시예들이 개시되어 있다.
필터 디바이스(149)는 이온들 및 입자들 그리고 특히 Sn(주석) 입자들과 접한다. Sn 입자들은 필터 디바이스에 도달될 경우 최대 2000 내지 2500 ℃의 온도를 가질 수 있다. W(텅스텐) 또는 Mo(몰리브덴) 같은 매우 강건한(robust) 재료들은 이러한 조건들에 맞지 않는다. 하지만, 놀랍게도 카본-카본 조성물들(C-C 조성물들) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물들(C-SiC 조성물들)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 카본-화이버 조성 재료가 강건한 포일들에 원하는 강도 및 열전도성을 제공하기에 적합할 뿐만 아니라 리소그래피 장치 조건들 하에 Sn 액체를 견딜 수 있다. 특히, 이러한 재료들은 입자들, Sn 기반 방사선 소스로부터의 Sn 입자들 및 이온들에 적합하게 순응한다.
일-방향 카본-화이버 조성물들이 필터 디바이스(149)에 적용하기에 적합한 포일들(200)을 제공하는 것으로 여겨진다. 카본-화이버 조성 재료들은, 예를 들어 PCT 특허출원 공개공보 WO 00/034629, 미국특허 US 4833030 및 미국 특허출원 공개공보 US 2005/0151305와 같은 종래 기술로부터 알려져 있다. 본 명세서에서, "일-방향"이라는 용어는 C-C 또는 C-SiC 타입의 카본 화이버 조성 재료들을 지칭하며, 카본 화이버들의 방위는 실질적으로 하나의 방향으로 되어 있다(하나의 방위). 이는, 예를 들어 3D 또는 직조된 타입의 카본-화이버 조성물들과는 대조적이다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치(1)는 필터 디바이스(149)를 포함하며, 상기 필터 디바이스(149)는 회전 축선(RA)을 중심으로 회전될 수 있는 홀더(201)에 부착되는 복수의 포일(200)을 포함하고, 상기 포일(200)은 회전 축선(RA)과 실질적으로 평행하게 배치되고 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함한다.
따라서, 일 실시예에서 리소그래피 장치(1)는 필터 디바이스(149)를 포함하고, 필터 디바이스(149)는 회전 축선(RA)을 중심으로 회전될 수 있는 홀더(201)에 부착되는 복수의 포일(200)을 포함하며, 상기 포일(200)은 회전 축선(RA)과 평행하게 배치되며 액체 Sn과 실질적으로 반응하지 않는 재료를 포함한다. 본 명세서에 기술된 카본-화이버 조성물들과 같은 재료는 대략 50 내지 400 W/mK의 범위, 대략 60 내지 400 W/mK의 범위, 대략 60 내지 400 W/mK의 범위 및/또는 대략 100 내지 400 W/mK의 범위 내에서 적어도 대략 50 W/mK, 적어도 대략 60 W/mK, 적어도 대략 100 W/mK의 열전도성을 가질 수 있다. 이러한 열적 거동은 비등방성일 수 있다는데 유의해야 한다. 적어도 하나의 방향, 즉 카본 화이버들의 방위의 방향으로, 열전도성은 본명세서에서 특정한 값들을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 카본-화이버 조성 재료의 방향은 회전 축선(RA)에 대해 수직하다. 따라서, 재료의 인장 강도는 선택적으로 적용될 수 있으며 원심력들이 가장 잘 억제될 수 있다. 화이버 방향으로의 인장 강도는 200 내지 900 MPa의 범위 내, 또는 대략 400 내지 800 MPa로 이루어질 수 있다.
도 5를 참조하면, 포일(200)의 일 실시예가 나타나 있으며, 간명히 하기 위해 홀더(201)로부터 분리된 모습이 도시되어 있다. 포일(200)은 상류 전방 영역(202), 최상부 영역(203), 하류 후방 영역(204) 및 바닥부(205)를 가질 수 있다. 바닥부(205)를 향해서는, 꼬리부(206)가 도시되어 있으며, 이는 포일(200) 주요 부분보다 상대적으로 더 두꺼울 수 있다. 이 꼬리부(206)는 포일(200)을 홀더(201)에 보다 잘 부착될 수 있게 한다. 포일(201)은 대략 0.05 내지 1.2 mm 또는 대략 0.1 내지 0.4 mm 범위 내의 최대 두께(d)를 갖는다. 꼬리부(206)는 대략 0.2 내지 2.5 mm 또는 대략 0.6 내지 1.5 mm 범위 내의 최대 두께를 갖는다. 꼬리부(206)는 포일(200) 전체 표면의 대략 0.2 내지 5 % 정도를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 꼬리부의 최대 두께(d1)는 포일의 최대 두께(d)보다 두껍다.
도 5는 또한 카본 화이버들(210)을 개략적으로 도시하고 있다. 카본 화이버들(210)은 회전 축선(RA)에 수직한 법선(N)과 소정의 각도(θ)를 이룰 수 있다. 법선과의 가장 작은 각이 선택된다. 간명히 하기 위해, 카본 화이버들(210) 중 일부는 0°가 아닌 각(θ)을 갖는 것으로 도시되어 있다. 카본 화이버들(210)의 방향은 포일(200)(또는 후술되는 바와 같이 포일 내에 포함되는 층) 내 카본 화이버들(210) 각(θ)의 평균값이다. 일-방향 카본-화이버 조성물에서, 화이버들(210)은 서로 실질적으로 평행하게 배치되며, 실질적으로 하나의 방향으로 배치된다. 상술된 바와 같이, 카본-화이버 조성 재료 내에서의 화이버들(210)의 방향은 일 실시예에 있어 회전 방향(RA)에 대해 수직하다[즉, 각(θ)는 실질적으로 0° 또는 0 내지 1°의 범위 내에 있다].
도 6a는 카본-화이버 조성 재료 내의 화이버들(210)의 방향이 회전 축선(RA)에 대해 수직한[즉, 각(θ)이 실질적으로 0°인] 실시예를 (정면도로) 도시하고 있다. 간명히 하기 위하여, 꼬리부(206)는 도시되지 않았고 포일(200)의 단지 일부만 도시되어 있다. 개략적으로, 본 명세서의 포일(200)은 일정한 두께를 갖는 것으로 도시하였으나, 꼬리부(206)와는 무관하게 포일(200)의 높이 또는 길이에 걸친 포일 두께의 변화가 있을 수 있다는 데 유의해야 한다. 도 6a에서는, 광학 축선(O) 및 회전 축선(RA)이 정면도로 개략적으로 도시되어 있다[즉, 도 5의 포일(200)은 (상류측에서) 전방 영역(202)으로부터 본 것이다]. 이 실시예에서의 포일은 기본적으로 카본-화이버 조성 재료로 된 하나의 층(300)으로 이루어진다. 이 실시예에서의 화이버들(210)은 법선(N)[회전 축선(RA)에 대해 수직한 법선]과 평행하게 정렬되며, (따라서) 회전 축선(RA)에 대해 수직하다[즉, 법선(N)과의 각(θ)이 실질적으로 0°이다].
일 실시예에서, 포일들(200)은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 하나의 층(300)을 포함한다. 하지만, 도 6b/6c/6d 및 6e/6f(또한 도 7a)에 개략적으로 도시된 바와 같은 또 다른 실시예도 가능하다. 포일들(200)은 필터 디바이스(149)의 일 실시예에서 조성 재료로 된 2 내지 5 개의 층을 포함할 수 있다. 이러한 실시예에서, 각 층 내의 카본 화이버들(210)의 방향은 층마다 상이할 수 있다.
도 6b는 카본-화이버 조성 재료로 된 2 개의 층을 포함하는 포일(200)의 일 실시예를 개략적으로 도시하고 있다. 확연히 나타내기 위해, 층들은 서로로부터 소정 간격만큼 떨어져 있다. 포일(200)은 이 실시예에서 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층[300(1)] 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층[300(2)]을 포함한다. 법선에 대한[따라서 회전 축선(RA)(도시 안됨)에 대한] 카본 화이버들(210)의 방향은 층마다 상이할 수 있다. 도 6b에서, 회전 축선(RA)에 대한 법선(N)과의 각들은 각각 θ1 및 θ2로서 나타나 있다.
일 실시예(도시 안됨)에서, 포일들(200)은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층[300(1)] 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층[300(2)]을 포함하며, 제 1 층[300(1)] 내의 화이버들(210)의 방향은 제 2 층[300(2)] 내의 화이버들(210)의 방향에 대해 수직하다. 일 실시예에서, 필터 디바이스에 이러한 포일(200)을 적용하는 경우, 층들 중 적어도 하나의 화이버들(210)의 방향은 회전 축선(RA)에 대해 수직하며, 따라서 다른 층 내의 화이버들(210)의 방향은 회전 축선(RA)에 대해 평행하다. 그러므로, 일 실시예에서 층들 중 적어도 한 층 내의 화이버들(210)의 방향은 법선(N)과 평행하며[즉, 이 층 내의 각(θ)은 실질적으로 0°이고 회전 축선(RA)에 대해 수직함], 층들 중 적어도 한 층 내의 화이버들(210)의 방향은 법선(N)에 대해 수직하다[즉, 이 층 내의 각(θ)은 실질적으로 90°이다].
도 6b/6c에 개략적으로 나타낸 실시예에서, 포일(200)은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층[300(1)] 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층[300(2)]을 포함하며, 여기서 제 1 층[300(1)] 내의 화이버들(210)의 방향은 회전 축선(RA)에 수직한 법선(N)에 대해 제 1 방향각(θ1)을 가지고, 제 2 층[300(2)] 내의 화이버들(210)의 방향은 상기 법선(N)에 대해 제 2 방향각(θ2)을 가지고, 상기 제 1 방향각 및 제 2 방향각(θ1, θ2)은 0 내지 10° 범위 내에 있으며, 제 1 층과 제 2 층 내의 화이버들의 방향 간의 상호각은 0°보다 크고 10°이하이다. 예를 들어, 제 1 층[300(1)] 내의 카본-화이버들(210)의 방향은 법선(N)과의 0°의 θ1을 가지며, 제 2 층[300(2)] 내의 카본-화이버들(210)의 방향은 법선(N)과의 2.5°의 θ2를 가져, 2.5°의 상호 각을 제공한다. 또 다른 실시예에서는, θ1은 2.5°이고 θ2는 2.5°일 수 있지만, 상호 각은 5°일 수 있다(각 층들 내의 방향들의 대향되는 편차들).
일 실시예에서, 포일(200)에 2 개 이상의 층들이 적용되는 경우, 적어도 2 개의 층은 상이한 방향들의 카본 화이버들을 갖는다(즉, 적어도 2 개의 층 내의 카본 화이버들이 평행하지 않다). 일 실시예에서 필터 디바이스 내에 적어도 2 개의 층을 갖는 이러한 포일(200)을 적용하는 경우, 층들 중 적어도 하나의 화이버들(210)의 방향은 회전 축선(RA)에 대해 수직하다[즉, 법선(N)과의 각(θ)이 실질적으로 0°이다].
도 6c는 포일(200)이 2 개의 층들[300(1) 및 300(2)]을 포함하는 이 실시예의 측면도를 개략적으로 나타내고 있다. 이 개략적인 측면도에서, 화이버들(210)은 평행한 것으로 보이지만, 일 실시예에서 상술된 바와 같이 평행하지 않다. 하지만, 평행상태로부터의 편차는 시선에 대해 수직한 평면에서 알 수 있다. 각각의 층은 각각 d(1) 및 d(2)로 나타낸 두께를 갖는다. 도 6d는 정면도 또는 측면도이지만, 홀더(201)를 개략적으로 포함하고 있다. 도면에 대해 수직한 회전 축선(RA) 또한 개략적으로 나타나 있다. 확연히 나타내기 위해, 단 하나의 포일(200)만을 갖는 필터 디바이스(149)가 개략적으로 도시되어 있다.
도 6e/6f는 포일(200)의 일 실시예를 개략적으로 나타내고 있으며, 상기 포일은 참조부호 300(1), 300(20) 및 300(3)으로 표시되고 각각 d(1), d(2) 및 d(3)의 최대 두께를 갖는, 기본적으로 3 개의 층으로 이루어진다. 제 3 층[300(3)]은 카본 화이버들(210)의 방향이 제 1 층[300(1)]의 카본-화이버 조성 재료 내의 카본 화이버들(210)의 방향과 기본적으로 평행한, 카본-화이버 조성 재료를 포함할 수 있다.
도 6e/6f에 개략적으로 나타낸 일 실시예에서, 포일(200)은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층[300(1)], 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층[300(2)], 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 3 층[300(3)]을 포함하며, 여기서 제 1 층[300(1)] 내의 화이버들(210)의 방향은 회전 축선(RA)에 수직한 법선(N)에 대해 제 1 방향각(θ1)(도시 안됨)을 가지고, 제 2 층[300(2)] 내의 화이버들(210)의 방향은 상기 법선(N)에 대해 제 2 방향각(θ2)을 가지고, 상기 제 3 층[300(3)] 내의 화이버들(210)의 방향은 상기 법선(N)에 대해 제 3 방향각(θ3)을 가지며, 상기 제 1 방향각, 제 2 방향각 및 제 3 방향각(θ1, θ2, θ3)은 대략 0 내지 90° 범위 내에 있으며, 제 1 층[300(1)]과 제 2 층[300(2)] 내의 화이버들(210)의 방향 간의 상호각은 일 실시예에서 실질적으로 90°이고, 제 1 층[300(1)]과 제 3 층[300(3)] 내의 화이버들(210)의 방향 간의 상호각은 일 실시예에서 실질적으로 0°이다. 다시 말해, 일 실시예에서 포일(200)은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층[300(1)], 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층[300(2)] 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 3 층[300(3)]을 포함하며, 인접한 층들 내의 카본 화이버들(210)의 방향은 서로에 대해 수직하다.
도 6f에서는, 확연히 나타내기 위해 각각의 층들[300(1), 300(2) 및 300(3)]이 소정 간격을 갖는 것으로 개략적으로 도시되어 있지만, 도 6e에 개략적으로 도시된 바와 같이 3 개의 층[300(1), 300(2) 및 300(3)]은 라미네이트를 형성하고, 인접한 3 개의 층들[300(1), 300(2) 및 300(3)]을 형성한다. 도 6e에 나타낸 실시예에 도시된 바와 같이, 중간 층[300(2)]은 도면에 대해 수직한(상류 측), 즉 회전 축선(RA) 및 광학 축선(O)과 실질적으로 평행한 방향을 갖는 카본 화이버들(210)을 가지고, 상기 층은 실질적으로 평행한 방향들의 카본 화이버들(210)을 갖는 2 개의 층들 300(1)과 300(3) 사이에 샌드위치되며, 상기 방향들은 중간 층[300(2)]의 카본 화이버들의 방향에 대해 수직하다.
이와 마찬가지로, 예를 들어 2 내지 5 개의 층들로 이루어진 스택들이 생성될 수 있으며, 인접한 층들은 서로에 대해 수직한 카본-화이버 방향들을 갖는다.
일 실시예에서, 도 8에 개략적으로 도시된 바와 같이 홀더(201)는 복수의 슬리브(230)를 포함하며, 각각의 포일(200)은 꼬리부(206)를 포함하고, 슬리브(230)는 꼬리부들(206)을 수용하도록 구성되며, 슬리브들(230)은 회전 축선(RA)에 대해 수직한 방향으로 홀더(201)로부터의 포일들(200)의 해제를 방지하도록 구성된다. 도 8은 슬리브의 두 실시예들(A 및 B)을 개략적으로 도시하고 있다. 당업자라면 알 수 있듯이, 보다 많은 타입의 슬리브(230)가 활용될 수 있다. 또한, 도 4 및 5로부터 이해할 수 있듯이, 복수의 포일(200)에 대응되는 복수의 슬리브(230)가 존재할 수 있으며, 상기 슬리브는 상기 포일의 꼬리부들(206)을 수용하도록 구성된다.
홀더(201)는 리소그래피 공정 동안 소스(SO)의 방사선에 적어도 부분적으로 노출될 수 있는 외부 표면(212)을 가질 수 있다. 홀더(201)의 적어도 일부분, 즉 표면(212)의 적어도 일부분에는, 슬리브들(230)이 꼬리부(206)가 슬라이딩되어 들어갈 수 있도록 구성된다. 이들은, 표면(212)에 대해 수직한 방향뿐만 아니라 표면(212)과 평행한 방향으로는 해제될 수 없는 방식으로 구성된다.
일 실시예에서, 포일들(200)은 최대 포일 두께(d)를 가지고 꼬리부들(206)은 최대 꼬리부 두께(d1)를 가지며, 최대 꼬리부 두께(d1)는 최대 포일 두께(d)보다 두껍다. 슬리브들(230)은 상이한 폭들을 갖도록 구성된다; 도 8에 개략적으로 도시되어 있듯이, 표면(212)에 더 가까운 폭은 최대 두께(d)를 가져 포일(200)의 일부를 수용하도록 선택되고, 표면(212)으로부터 더 먼 곳에 있는, 즉 홀더(201) 내의 보다 깊은 곳에 있는 부분은 보다 큰 폭[상기 폭은 최대 두께(d1)을 가져 꼬리부를 수용하도록 선택됨]을 갖는다.
이러한 방식으로, 포일들(200)이 노출될 수 있는 큰 원심력들이 포일(200)의 원하지 않는 해제를 일으키지 않도록 한다. 또한, 상대적으로 더 두꺼운(d1＞d) 꼬리부들(206)을 갖는 포일들(200) 및 슬리브들(230)은, 예를 들어 공정 후에 포일(200)이 손상되거나 또는 포일(200) 상의 Sn 퇴적물이 너무 두꺼워지는 경우 단일 포일이 필터 디바이스(149)로부터 비교적 쉽게 제거될 수 있게 한다. 포일(200)은 홀더(201)로부터 쉽게 슬라이딩되어 벗겨지고 새로운 포일(200)로 교체될 수 있다.
일 실시예에서, 홀더(201)의 적어도 일부분, 특히 소스(SO)를 향해 지향되는 최상부(220)는 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 카본-화이버 조성 재료를 포함할 수 있다. 이 조성물은 일-방향 카본-화이버 조성 재료이지만, 또한 직조되거나 짜여진 카본-화이버 조성 재료이거나 또는 3-차원 카본-화이버 조성 재료일 수 있다. 이러한 방식으로, 상대적으로 강건한 필터 디바이스(149)가 제공될 수 있으며, 이는 놀랍게도 액체 Sn, 이온들 등과 같은 데브리를 완전하게 처리하여 소스(SO)로부터 해제시킬 수 있다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치(1)는 EUV 방사선을 생성하도록 구성되는 방사선 소스(SO)를 포함하며, 상기 방사선 소스(SO)는 Sn 플라즈마 소스이다.
일 실시예에서, 리소그래피 장치(1)는 방사선 빔을 컨디셔닝하도록 구성된 조명시스템; 패터닝 디바이스(방사선 빔의 단면에 패턴을 부여하여 패터닝된 방사선 빔을 형성하도록 구성됨)를 지지하도록 구성된 지지체; 기판을 유지하도록 구성된 기판테이블; 및 패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부 상에 투영하도록 구성된 투영시스템을 포함한다. 일 실시예에서, 리소그래피 장치(1)는 EUV 리소그래피 장치이다. 상기 리소그래피 장치는 방사선 빔(일 실시예에서는 EUV 방사선 빔)을 생성하도록 구성되는 방사선 소스(SO)를 포함하며, 상기 방사선 소스는 EUV 방사선을 생성하도록 구성된다. 일 실시예에서, 필터 디바이스(149)는, 작업(예를 들어, 리소그래피 공정) 동안 광학 축선(O)을 중심으로 회전되어 액체 Sn 입자들과 같은 데브리를 적어도 부분적으로 필터링해냄으로써 콜렉터 거울(50)과 같은 광학 요소의 열화 및/또는 퇴적의 저감을 도울 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치(1)를 이용하는 디바이스 제조방법이 제공된다[즉, 리소그래피 공정 동안 필터 디바이스(149)가 적용되어 그것의 회전에 의하여 소스(SO)에 의해 방사선 빔으로부터 배출되는 데브리의 적어도 일부를 제거한다]. 리소그래피 공정 동안, 필터 디바이스(149)가 회전 축선(RA)을 중심으로 회전되어 소스(SO)에 의하여 방출되는 데브리의 일부를 필터링해내는 디바이스 제조방법이 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 따르면, 기본적으로 필터 디바이스(149)가 제공되며, 상기 필터 디바이스(149)는 회전 축선(RA)을 중심으로 회전될 수 있는 홀더(201)에 부착되는 복수의 포일(200)을 포함하고, 상기 포일(200)은 상기 회전 축선(RA)과 평행하게 배치되며 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함한다. 일 실시예에서는, 상술된 바와 같이 홀더(201)의 적어도 일부분, 특히 홀더의 상류측(220)은 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 카본-화이버 조성물을 포함할 수 있다. 당업자라면 알 수 있듯이, 필터 디바이스(149)는 모터와 같이 필터 디바이스(149)를 추진시키기(propel) 위한 기구를 더 포함하고, 필터 디바이스(149)가 회전될 수 있는 하우징, 및 필터 디바이스(149)를 통한, 즉 포일들(200) 사이의 개방된 공간을 통한 가스의 흐름을 제공하도록 구성되는 가스 소스를 더 포함할 수 있다. 필터 디바이스(149)는 추가적으로 또는 대안적으로, 가령 홀더(201)를 냉각시키기 위한 펠티에 요소(Peltier element)와 같은 냉각 기구, 포일들(201) 외부의 1 이상의 액체 냉각 매체 채널[예컨대, 포일들(200) 내의 홈들], 포일들(200) 내측 또는 포일들(200) 외측의 액체 주석 안내 구조체[예컨대, 포일들(200) 내의 홈들], IR 방출 강화 구조체들(IR emission enhancement structures)(예컨대 5 내지 100 ㎛ 정도의 크기를 갖는 구조체들), 포일 스페이싱 구조체들, 및 [예를 들어, 회전 동안 공진(resonance)을 방지 또는 저감시키기 위한] 인접한 포일들(200) 사이의 스페이서 등을 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에서, 필터 디바이스(149)에 사용하기 위한 포일들(200)의 제조방법이 제공된다.
카본-화이버 조성 재료들의 제조방법은, 예를 들어 PCT 특허출원 공개공보 WO 00/034629, 미국특허 US 4833030 및 미국 특허출원 공개공보 US 2005/0151305와 US 2006/0019816과 같은 종래 기술로부터 알려져 있다. 여기서, 본 발명의 일 실시예는 필터 디바이스를 위한 포일의 제조방법을 제공하며, 상기 방법은:
a. 사전-함침된 시트를 포함하는 수지를 제공하는 단계;
b. 상기 수지를 경화시키는 단계;
c. b) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계;
d. b) 단계 또는 c) 단계에서 얻어진 제품을 탄화시키는 단계;
e. 선택적으로 1 회 이상의 덴서파잉 단계를 수행하는 단계 - 상기 덴서파잉 단계는 d) 단계에서 얻어진 탄화된 제품에 카본-함유 합성물이 인필트레이팅되도록(infiltrate) 한 다음, 상기 인필트레이팅된 제품을 탄화시키는 단계를 포함함 - ;
f. d) 단계 또는 e) 단계에서 얻어진 제품을 흑연화시키는 단계;
g. f) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계를 포함하며,
상기 방법은 c) 단계 및 g) 단계에 따른 단계들로부터 선택된 두께를 축소시키기 위한 적어도 하나의 단계를 포함한다.
하위 단계들 a), b), d) 및 f)은 표준 단계들이다. 하지만, 본 발명의 일 실시예는 c) 단계 또는 g) 단계 중 어느 하나 또는 c) 및 g) 단계 둘 모두인 적어도 하나의 두께 축소 단계를 더 제공한다. 두께는 탄화 단계 d) 이전이나 흑연화 단계 f) 이후 또는 b) 및 f) 단계 둘 모두 이후에 축소될 수 있다. 두께를 축소시킴으로써, 포일들(200) 및 그것의 꼬리부의 최적의 두께(d 및 d1)가 얻어질 수 있다. 두께는 폴리싱 또는 연마(grinding) 공정과 같은, 종래 기술에서 알려진 다른 방법에 의하여 축소될 수도 있다.
"사전-함침된 시트를 포함하는 수지를 제공하는"이라는 말은, 경화, 탄화, 선택적 덴서파잉 및 흑연화 후에 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 (일-방향) 카본-화이버 조성 재료를 형성하는, 당업자들에게 알려진 소위 "프리프레그들(prepregs)" 또는 사전-함침된 화이버 보강 재료들을 제공하는 것을 지칭한다. 이러한 시트들은 예를 들어 Toray 또는 Nelcote로부터 상업적으로 이용할 수 있다.
일 실시예에서, 사전-함침된 시트를 포함하는 수지는 사전-함침된 시트들을 포함하는 수지의 라미네이트를 포함한다. 이러한 실시예에서는, 이미 시트들의 라미네이트를 이용하여 개시하여 위의 단계를 수행한다. 이러한 시트들의 라미네이트는, 예를 들어 상술되고 도 6b 내지 7a에 개략적으로 나타낸 바와 같이 단계 후에 포일(200)의 일 실시예를 제공하도록 구성될 수 있다.
일 실시예에서, 선택적 단계 c) 후와 탄화 단계 d) 전에, 상기 방법은 1 회 이상의 라미네이팅 단계를 수행하는 단계를 더 포함하며,
상기 라미네이팅 단계는:
a1. b) 단계 또는 c) 단계에서 얻어진 제품에 사전-함침된 시트를 포함하는 추가 수지를 배치시켜 b) 단계 또는 c) 단계에서 얻어진 제품과 상기 사전-함침된 시트를 포함하는 추가 수지의 라미네이트를 얻는 단계;
b1. 상기 수지를 경화시키는 단계; 및
c1. b1) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계를 포함한다.
이 실시예에서, 라미네이팅은 공정 동안 수행된다. 상술된 실시예들은 도 7a 및 7b에 개략적으로 예시되어 있다. 도 7a는 깊이(d3)를 갖는 디프레션(401)을 지닌 몰드(400)를 나타내고 있다. 일 실시예에서, 깊이(d3)는 실질적으로 d의 1/2와 같다. 사전-함침된 시트들을 포함하는 수지는 서로의 최상부 상에 배치된다. 도 7a에서, 이러한 시트들은 시트들[300(1) 내지 300(3)]로서 표시되어 있다. 이러한 시트들은 상술된 바와 같이 포일들(200)의 제조방법을 수행한 후에 층들[300(1) 내지 300(3)]을 형성한다. 도 7a에 개략적으로 도시된 실시예에서, 시트들은 크고 작은 시트들의 시퀀스로, 도 7a에서는 크고-작고-크고-작고-큰 시퀀스로 라미네이팅된다. 이러한 방식으로, 제조방법의 수행 후에, 도 7b에 개략적으로 도시된 바와 같이 피스(2000)가 제공될 수 있다. 보다 두꺼운 부분은 d1에 대응되는 두께를 가지며, 보다 얇은 부분은 포일 두께(d)에 대응될 수 있다. 이 피스(2000)는 2 개의 (실질적으로 대칭인) 부분으로 나누어져, 제 1 포일[200(1)] 및 제 2 포일[200(2)]을 제공할 수 있다. 당업자라면 알 수 있듯이, 피스(2000)는 n*2 개의 (실질적으로 대칭인) 부분들을 제공하여 n 개의 제 1 포일[200(1)]과 n 개의 제 2 포일[200(2)]을 제공하는 크기를 가질 수 있다.
선택적 두께 축소 단계 후와 및/또는 선택적 커팅 단계[이에 의해 원하는 형상의 포일(들)(200)을 제공함] 후에, 포일(200)은 홀더(201)에서의 부착과 그 후에 이루어지는 리소그래피 장치(1)에서 필터 디바이스(149)로서의 적용을 준비할 수 있다.
도 7a는 5 개의 층들로 이루어진 스택/라미네이트를 개략적으로 도시하고 있지만, 상술된 바와 같이 1 내지 5 개의 층이 이용될 수 있다. 상술된 바와 같이, 공정은, 예를 들어 제 1 시트들[300(1) 내지 300(3)]이 몰드 상에 배치된 다음 경화되는 방식으로 수행될 수 있다. 그 다음, 상술되고 도 7a에 점선으로 개략적으로 나타낸 바와 같이, 얻어진 제품은 적어도 부분적으로 두께가 축소된 다음, 시트들[300(4) 내지 300(5)]이 경화된 시트들[300(1) 내지 300(3)]에 적용되고 또한 순차적으로 경화될 수 있다. 그 후, 원한다면 도 7b에 점선으로 개략적으로 도시된 실시예에서와 같이, 얻어진 제품도 두께가 축소될 수 있다(즉, 단계 c1). 그 다음, 5-층의 라미네이트를 얻은 후에, 이 제품은 탄화 및 흑연화에 의해 추가 처리될 수 있다. 그 후, 원한다면 얻어진 제품의 두께가 또한 축소될 수 있다.
몰드(400)는 가능한 몰드의 단지 개략적인 실시예이다.
본 명세서에서 "실질적으로"라는 용어는 소정 실시예에서 "완전하게(completely)" 또는 "전적으로(entirely)"를 지칭한다. 이는, 일 실시예에서 가령 대략 95 내지 100 %를 지칭할 수 있다. 당업자라면 "실질적으로"라는 용어를 이해할 수 있을 것이다. 이와 마찬가지로, 본 명세서에서 "적어도 부분적으로"라는 용어는 소정 실시예에서 "완전하게" 또는 "전적으로"를 지칭한다. 이는, 일 실시예에서 가령 대략 95 내지 100 %를 지칭한다.
본 명세서에서는, IC 제조에 있어서 리소그래피 장치의 특정 사용예에 대하여 언급되지만, 본 명세서에 서술된 리소그래피 장치는 집적 광학 시스템, 자기 도메인 메모리용 안내 및 검출 패턴, 평판 디스플레이(flat-panel display), 액정 디스플레이(LCD)를 포함하는 평판 디스플레이, 박막 자기 헤드 등의 제조와 같이 다른 적용예들을 가질 수도 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용예와 관련하여, 본 명세서의 "웨이퍼" 또는 "다이"라는 용어의 어떠한 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟부"라는 좀 더 일반적인 용어와 동의어로 간주될 수도 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은 노광 전후에, 예를 들어 트랙(전형적으로, 기판에 레지스트 층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴), 메트롤로지 툴 및/또는 검사 툴에서 처리될 수 있다. 적용가능하다면, 이러한 기판 처리 툴과 다른 기판 처리 툴에 본 명세서의 기재 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예를 들어 다층 IC를 생성하기 위하여 기판이 한번 이상 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 여러번 처리된 층들을 포함한 기판을 칭할 수도 있다.
이상, 광학 리소그래피와 관련하여 본 발명의 실시예들의 특정 사용예를 언급하였지만, 본 발명은 다른 적용예들, 예를 들어 임프린트 리소그래피에 사용될 수 있으며, 본 명세서가 허용한다면 광학 리소그래피로 제한되지 않는다는 것을 이해할 것이다. 임프린트 리소그래피에서, 패터닝 디바이스 내의 토포그래피(topography)는 기판 상에 생성된 패턴을 정의한다. 패터닝 디바이스의 토포그래피는 전자기 방사선, 열, 압력 또는 그 조합을 인가함으로써 레지스트가 경화되는 기판에 공급된 레지스트 층으로 가압될 수 있다. 패터닝 디바이스는 레지스트가 경화된 후에 그 안에 패턴을 남기는 레지스트로부터 이동된다.
이상, 본 발명의 특정 실시예가 설명되었지만 본 발명은 설명된 것과 다르게 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명은 앞서 개시된 바와 같은 방법을 구현하는 기계-판독가능한 명령어의 1 이상의 시퀀스를 포함하는 컴퓨터 프로그램, 또는 이러한 컴퓨터 프로그램이 저장되어 있는 데이터 저장 매체(예를 들어, 반도체 메모리, 자기 또는 광학 디스크)의 형태를 취할 수 있다. 이 컴퓨터 프로그램은 퇴적물 제거를 제어하거나 압력을 제어하는 등에 이용될 수 있다.
상기 서술내용은 예시를 위한 것이지, 제한하려는 것이 아니다. 따라서, 당업자라면 아래에 설명되는 청구항들의 범위를 벗어나지 않고 서술된 본 발명에 대한 변형예가 행해질 수 있음을 이해할 것이다.
따라서, 본 발명은 일 실시예에서, 필터 디바이스(149)를 포함하는 리소그래피 장치(1)를 제공하며, 상기 필터 디바이스(149)는 회전 축선(RA)을 중심으로 회전될 수 있는 홀더(201)에 부착되는 복수의 포일(200)을 포함하고, 상기 포일(200)은 회전 축선(RA)과 평행하게 배치되고 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함한다. 추가 실시예에서, 본 발명은 이러한 리소그래피 장치(1)를 제공하며, 카본-화이버 조성 재료 내 화이버들의 방향은 회전 축선(RA)에 대해 수직하다. 추가 실시예에서, 본 발명은 포일들(200)이 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 하나의 층(300)을 포함하는 리소그래피 장치(1)를 제공한다. 추가 실시예에서, 본 발명은 포일들(200)이 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층[300(1)] 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층[300(2)]을 포함하며, 제 1 층[300(1)] 내의 화이버들(210)의 방향이 제 2 층[300(2)] 내의 화이버들(210)의 방향에 대해 수직한, 리소그래피 장치(1)를 제공한다. 또 다른 추가 실시예에서, 본 발명은 리소그래피 장치(1)를 제공하며, 포일들(200)은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층[300(1)] 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층[300(2)]을 포함하며, 여기서 제 1 층[300(1)] 내의 화이버들의 방향은 회전 축선(RA)에 수직한 법선(N)에 대해 제 1 방향각(θ1)을 가지고, 제 2 층[300(2)] 내의 화이버들의 방향은 상기 법선(N)에 대해 제 2 방향각(θ2)을 가지고, 상기 제 1 방향각 및 제 2 방향각(θ1, θ2)은 0 내지 10° 범위 내에 있으며, 제 1 층과 제 2 층 내의 화이버들의 방향 간의 상호각은 0°보다 크고 10°이하이다. 추가 실시예에서, 본 발명은 리소그래피 장치(1)를 제공하며, 포일들(200)은 조성 재료로 된 2 내지 5 개의 층을 포함한다. 또 다른 추가 실시예에서, 본 발명은 리소그래피 장치(1)를 제공하며, 포일들(200)은 0.05 내지 1.2 mm 또는 0.1 내지 0.4 mm 범위 내의 최대 포일 두께(d)를 갖는다. 추가 실시예에서, 본 발명은 리소그래피 장치(1)를 제공하며, 홀더(201)는 복수의 슬리브(230)를 포함하고, 각각의 포일(200)은 꼬리부(206)를 포함하고, 상기 슬리브(230)는 꼬리부들(206)을 수용하도록 구성되며, 상기 슬리브(230)는 회전 축선(RA)에 수직한 방향으로 홀더(201)로부터의 포일들(200)의 해제를 방지하도록 구성된다. 일 실시예에서, 필터 디바이스(149)는 50 내지 200 개의 포일(200)을 포함한다. 일 실시예에서, 홀더(201)의 적어도 일부는 카본-카본 조성물들(C-C 조성물들) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물들(C-SiC 조성물들)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 카본-화이버 조성 재료를 포함한다. 리소그래피 장치는 EUV 방사선을 생성하도록 구성된 방사선 소스(SO)를 포함하며, 상기 방사선 소스(SO)는 Sn 플라즈마 소스이다. 일 실시예에서는, 필터 디바이스(149)를 포함하는 리소그래피 장치(1)가 제공되며, 상기 필터 디바이스(149)는 회전 축선(RA)을 중심으로 회전될 수 있는 홀더(201)에 부착되는 복수의 포일(200)을 포함하고, 상기 포일(200)은 상기 회전 축선(RA)과 평행하게 배치되며 적어도 1000℃ 온도의 액체 Sn과 실질적으로 반응하지 않는 재료를 포함한다.
추가 실시예에서, 본 발명은 필터 디바이스(149)를 제공하고, 상기 필터 디바이스는 회전 축선(RA)을 중심으로 회전될 수 있는 홀더(201)에 부착되는 복수의 포일(200)을 포함하고, 상기 포일(200)은 회전 축선(RA)과 평행하게 배치되고 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함한다. 추가 실시예에서는 필터 디바이스(149)가 제공되며, 홀더(201)의 적어도 일부분은 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함한다.
본 발명은 필터 디바이스(149)를 위한 포일(200)의 제조방법을 제공하며, 상기 방법은:
a. 사전-함침된 시트를 포함하는 수지를 제공하는 단계;
b. 상기 수지를 경화시키는 단계;
c. b) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계;
d. b) 단계 또는 c) 단계에서 얻어진 제품을 탄화시키는 단계;
e. 선택적으로 1 회 이상의 덴서파잉 단계를 수행하는 단계(상기 덴서파잉 단계는 탄화된 제품에 카본-함유 합성물이 인필트레이팅되도록 한 다음, 상기 인필트레이팅된 제품을 탄화시키는 단계를 포함함);
f. d) 단계 또는 e) 단계에서 얻어진 제품을 흑연화시키는 단계;
g. f) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계를 포함하며,
상기 방법은 c) 단계 또는 g) 단계에 따른 단계들로부터 선택된, 두께를 축소시키는 적어도 하나의 단계를 포함하며, 상기 포일(200)은 카본-카본 조성물(C-C 조성물) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(C-SiC 조성물)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함한다.
일 실시예에서, 사전-함침된 시트를 포함하는 수지는 사전-함침된 시트들을 포함하는 수지의 라미네이트를 포함한다. 또 다른 실시예에서, 선택적 단계 c)와 탄화 단계 d) 전에, 상기 방법은 1 회 이상의 라미네이팅 단계를 수행하는 단계를 더 포함하며, 상기 라미네이팅 단계는:
a1. b) 또는 c)에서 얻어진 제품에 사전-함침된 시트를 포함하는 추가 수지를 배치시켜 b) 단계 또는 c) 단계에서 얻어진 제품과 상기 사전-함침된 시트를 포함하는 추가 수지의 라미네이트를 얻는 단계;
b1. 상기 수지를 경화시키는 단계; 및
c1. b1) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계를 포함한다.
본 발명은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 이용하는 디바이스 제조방법을 더 제공한다.
또한, 본 발명에 따른 디바이스 제조방법의 일 실시예에서, 리소그래피 공정 동안, 필터 디바이스(149)는 회전 축선(RA)을 중심으로 회전된다.
본 발명은 실시예들에서 기술된 바와 같이 리소그래피 장치의 적용 또는 리소그래피 장치에서의 이용에만 국한되는 것은 아니다. 또한, 도면들은 통상적으로 본 발명의 이해를 돕는데 필요한 요소들 및 피처들만을 포함하고 있다. 또한, 리소그래피 장치의 도면들은 개략적이며 제 스케일대로 도시된 것이 아니라는 것은 분명하다. 본 발명의 개략적인 도면들에 도시된 요소들로 제한되지 않는다(예를 들어, 개략적인 도면들에 도시된 거울들의 수). 또한, 본 발명은 도 1 및 2와 관련하여 기술된 리소그래피 장치로 한정되지 않는다. 상술된 실시예들은 조합될 수도 있다는 것도 이해해야 한다.

Claims (20)

  1. 필터 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,
    상기 필터 디바이스는 회전 축선을 중심으로 회전될 수 있는 홀더에 부착되는 복수의 포일을 포함하고, 상기 포일은 상기 회전 축선과 실질적으로 평행하게 배치되고 카본-카본 조성물(carbon-carbon composite) 및 카본-실리콘 카바이드 조성물(carbon-silicon carbide composite)로 이루어지는 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료(uni-directional carbon-fiber composite material)를 포함하는 리소그래피 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 카본-화이버 조성 재료 내의 화이버들의 방향은 상기 회전 축선에 대해 횡방향인 리소그래피 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 하나의 층을 포함하는 리소그래피 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층을 포함하며,
    상기 제 1 층 내의 화이버들의 방향은 상기 제 2 층 내의 화이버들의 방향에 대해 횡방향인 리소그래피 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일은 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 1 층 및 일-방향 카본-화이버 조성 재료로 된 제 2 층을 포함하며,
    상기 제 1 층 내의 화이버들의 방향은 상기 회전 축선에 수직한 법선(normal)에 대해 제 1 방향각을 가지고,
    상기 제 2 층 내의 화이버들의 방향은 상기 법선에 대해 제 2 방향각을 가지고,
    상기 제 1 방향각 및 상기 제 2 방향각은 0 내지 10° 범위 내에 있으며,
    상기 제 1 층과 상기 제 2 층 내의 화이버들의 방향 간의 상호각은 0°보다 크고 10°이하인 리소그래피 장치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일은 조성 재료로 된 2 내지 5 개의 층을 포함하는 리소그래피 장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일은 0.05 내지 1.2 mm 범위 내의 최대 포일 두께를 갖는 리소그래피 장치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 포일은 0.1 내지 0.4 mm 범위 내의 최대 포일 두께를 갖는 리소그래피 장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 홀더는 복수의 슬리브를 포함하고,
    각각의 포일은 꼬리부(tail part)를 포함하고,
    상기 슬리브는 상기 꼬리부를 수용하고 상기 회전 축선에 수직한 방향으로 상기 홀더로부터의 상기 포일의 해제(release)를 방지하도록 구성되는 리소그래피 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 필터 디바이스는 50 내지 200 개의 포일을 포함하는 리소그래피 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 홀더의 적어도 일부분은 카본-카본 조성물 및 카본-실리콘 카바이드 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 카본-화이버 조성 재료를 포함하는 리소그래피 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    EUV 방사선을 생성하도록 구성되는 방사선의 Sn 플라즈마 소스를 더 포함하는 리소그래피 장치.
  13. 필터 디바이스를 포함하는 리소그래피 장치에 있어서,
    상기 필터 디바이스는 회전 축선을 중심으로 회전될 수 있는 홀더에 부착되는 복수의 포일을 포함하고,
    상기 포일은 상기 회전 축선과 평행하게 배치되며 적어도 1000℃ 온도에서 액체 Sn과 실질적으로 반응하지 않는 재료를 포함하는 리소그래피 장치.
  14. 회전 축선을 중심으로 회전될 수 있는 홀더에 부착되는 복수의 포일을 포함하는 필터 디바이스에 있어서,
    상기 포일은 상기 회전 축선에 대해 실질적으로 평행하게 배치되며 카본-카본 조성물 및 카본-실리콘 카바이드 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함하는 필터 디바이스.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 홀더의 적어도 일부분은 카본-카본 조성물 및 카본-실리콘 카바이드 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 카본-화이버 조성 재료를 포함하는 필터 디바이스.
  16. 필터 디바이스를 위한 포일의 제조방법에 있어서,
    상기 방법은:
    a. 사전-함침된(pre-impregnated) 시트를 포함하는 수지를 제공하는 단계;
    b. 상기 수지를 경화시키는 단계;
    c. 상기 b) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계;
    d. 상기 b) 단계 또는 상기 c) 단계에서 얻어진 제품을 탄화시키는 단계;
    e. 선택적으로 1 회 이상의 덴서파잉(densifying) 단계를 수행하는 단계 - 상기 덴서파잉 단계는 탄화된 제품에 카본-함유 합성물이 인필트레이팅되도록(infiltrate) 한 다음, 인필트레이팅된 제품을 탄화시키는 단계를 포함함 - ;
    f. 상기 d) 단계 또는 상기 e) 단계에서 얻어진 제품을 흑연화시키는 단계;
    g. 상기 f) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계를 포함하며,
    상기 방법은 '상기 c) 단계' 또는 '상기 g) 단계', 또는 '상기 c) 단계와 상기 g) 단계 둘 모두'에 의하여 상기 두께를 축소시키는 단계를 포함하며,
    상기 포일은 카본-카본 조성물 및 카본-실리콘 카바이드 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함하는 포일 제조방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 사전-함침된 시트를 포함하는 수지는 사전-함침된 시트들을 포함하는 수지의 라미네이트를 포함하는 포일 제조방법.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 선택적 단계 c) 후와 상기 d) 단계 전에, 1 회 이상의 라미네이팅 단계를 수행하는 단계를 더 포함하며, 상기 라미네이팅 단계는:
    a1. 상기 b) 단계 또는 상기 c) 단계에서 얻어진 제품에 사전-함침된 시트를 포함하는 추가 수지를 배치시켜 상기 b) 단계 또는 상기 c) 단계에서 얻어진 제품과 상기 사전-함침된 시트를 포함하는 추가 수지의 라미네이트를 얻는 단계;
    b1. 상기 수지를 경화시키는 단계; 및
    c1. 상기 b1) 단계에서 얻어진 제품의 적어도 일부의 두께를 선택적으로 축소시키는 단계를 포함하는 포일 제조방법.
  19. 디바이스 제조방법에 있어서,
    방사선 빔을 패터닝하는 단계;
    패터닝된 방사선 빔을 기판의 타겟부 상으로 투영하는 단계; 및
    필터 디바이스를 이용하여 상기 방사선 빔을 필터링하는 단계 - 상기 필터 디바이스는 회전 축선을 중심으로 회전될 수 있는 홀더에 부착되는 복수의 포일을 포함하고, 상기 포일은 상기 회전 축선과 실질적으로 평행하게 배치되며 카본-카본 조성물 및 카본-실리콘 카바이드 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일-방향 카본-화이버 조성 재료를 포함함 - 를 포함하는 디바이스 제조방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    리소그래피 공정 동안, 상기 회전 축선을 중심으로 상기 필터 디바이스를 회전시키는 디바이스 제조방법.
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