TWI445620B - 空氣安定之鹼金屬或鹼土金屬分配器 - Google Patents

Description

空氣安定之鹼金屬或鹼土金屬分配器

本發明係關於一種環境氣體，特別是空氣，安定之鹼金屬或鹼土金屬分配器，特別經調適用在小型化裝置的製造中。

有許多工業應用需要有呈不同物理形式的鹼金屬或鹼土金屬，例如呈現經沉積在裝置表面上的細固體膜形式或呈蒸氣形式。於此等之中，可想到者為光陰極，其中活性元素為鹼金屬製的表面(或由含鹼金屬的金屬間化合物製的表面)；CRTs，其中在管的內表面上的鹼土金屬(典型地鋇)沉積物作為氣體的阱(trap)，且在相同管內保持所需的真空度；原子鐘，其中使電磁輻射通過鹼金屬(銣，或更常者，銫)的蒸氣；原子干擾儀，載於專利申請WO 2006/084113之中，及原子迴轉儀，載於專利申請EP 1865283中；以及建基於隧道效應(tunnel effect)的冷藏單元，其中係由陰極與陽極之間的電子傳送而導致冷卻，且在陰極的至少電子發射表面上的鹼金屬沉積物有助於減低陰極的功函數且使得減低操作該系統所需能量；有關此稱為“熱隧道”之機制的詳細資料可參考論文"Refrigeration by combined tunneling and thermionic emission in vacuum; use of nanometer scale design", Y. Hishinuma et al., Applied Physics Letters, Vol. 78, no.17 (2001), pages 2572-2574，而其在實際裝置中的使用例子揭示於美國專利第6,876,123 B2號。

鹼金屬或鹼土金屬因彼等對大氣層氣體及濕氣的高反應性而都不是容易處置或運送者。長期使用的此等金屬之分配器含有彼之穩定化合物形式。以彼等金屬的鹽(如，鉻酸鹽、釩酸鹽、鈦酸鹽和類似者)之形式存在之鹼金屬分配器經載於，例如，美國專利第3,579,459和6,753,648 B2號之中，及在專利申請案EP 1598844 A1之中；含穩定化合物BaAl₄ 的鋇分配器經載於許多專利之中，於其中可述及的一些為美國專利第2,824,640和4,642,516號；含有化合物CaAl₂ 的鈣分配器係載於美國專利第6,583,559 B1號之中。

不過，於上面引述的文件中所述的所有分配器都是龐大的，且不適合用來製造，例如，小型化的裝置，諸如在上面的Hishinuma文章中所述的熱隧道冷藏單元，或小型化原子鐘，諸如在文獻Li-Anne Liew et al., "Microfabricated alkali atom vapor cells", Applied Physics Letters, vol. 84, no. 14 (2004),pages 2694-2696之中所述者。

前述工業應用也需要彼等的正確操作，即裝置的內腔要保持在真空下或無論如何要不含反應性氣體。於熱隧道冷藏單元的情況中，在陰極與陽極之間的氣體之存在可能阻礙電子的移行，且可能因對流而造成熱的逆傳輸。此等單元通常要求比10^-1 百帕斯卡(hectoPascal)(hPa)更佳 ，且較佳者在10^-4 hPa範圍內的真空。於原子鐘的情況中，腔洞中所含氣體可能與鹼金屬蒸氣反應，因而造成游離金屬蒸氣量之減少及鐘的操作之惡化。儘管此等(及其他)裝置的製造程序常包括腔洞抽真空步驟之事實，如從外側穿透、漏洩、及從該腔洞的表面跑出氣體等現象，都會在裝置使用期間於其內再導入不宜的氣體。為了克服此問題，已知者為在腔洞內部添加吸氣劑材料。即，能夠行化學反應且因而強力地固定氣體物種之材料。吸氣劑材料通常為金屬如鈦、鋯、釩、鉿和鈮，或此等(且主要為鈦及/或鋯)與一或多種選自過渡元素、稀土元素和鋁之中的金屬之合金。

本發明的目的為鹼金屬或鹼土金屬分配器，其對環境氣體，特別是空氣為安定者，且特別經調適用於小型化裝置的內部，或用於製造彼等裝置的程序中，以及提供該等分配器的製造方法。

此等和其他目的皆根據本發明而達到，於其第一方面中，係有關一種鹼金屬或鹼土金屬分配器，其特徵在於包括一載體，其上載有吸氣劑材料沉積物，及在於該鹼金屬或鹼土金屬係以被該吸氣劑材料沉積物隔開環境的元素型金屬形式存在於該分配器之內。

本發明分配器可根據兩種形態實現。於第一種形態中，該鹼金屬或鹼土金屬係以該金屬的沉積物，完全被吸氣 劑材料沉積物所覆蓋的形式存在於該分配器之內。於第二種形態中，該鹼金屬或鹼土金屬係經分散在至少部份該吸氣劑材料沉積物之內。

本發明分配器的載體可用廣多種材料來實現，只要此等可與本發明分配器製造方法，及使用該分配器於其中的裝置之製造方法兩者都相容即可。實現該載體的最適當材料為金屬、金屬合金、半導體、玻璃或陶瓷等材料，且特別者為科伐合金(kovar)(以鐵、鎳、鈷和小比例的其他元素為基之合金)、矽、鍺、碳化矽、藍寶石、石英、玻璃、硼矽酸玻璃(pyrex)、磷化銦和砷化鎵。不過，也可能為其中可用其他材料實現該載體，諸如用聚合物之應用(如呈線圈形式者)。

本發明分配器可經製造用來釋放基本上任何鹼金屬或鹼土金屬。鈹因其高蒸發溫度及毒性，而鍅和鐳因彼等的放射性，都為較不適用者，但不排除根據本發明製造此等金屬的分配器。要用於一般工業應用中時，最佳金屬為鋰、鈉、鉀、銣、銫、鎂、鈣、鍶和鋇。

於其餘說明部份中，為簡明起見，也將鹼金屬或鹼土金屬簡稱為可蒸發性金屬；再者，於部份之下面說明中，將以使用銫作為例子，但其所有的教導均可應用於其他可蒸發性金屬。

適合用來實現本發明的吸氣劑材料可由單一種金屬構 成，或彼等可具有多金屬組成。於單一金屬的情況中，此可為鉿、鈮、釩，且較佳者為鈦或鋯。於多金屬材料的情況中，通常係使用以鈦及/或鋯為底質且含有至少一種選自過渡元素、稀土元素和鋁之中的另一元素之合金，諸如在美國專利第3,203,901號中所述Zr-Al合金(特別是具有重量百分比組成Zr 84%-Al 16%的合金)；美國專利第4,071,335號的Zr-Ni合金(特別是重量組成Zr 75.7%-Ni 24.3%的合金)；美國專利第4,306,887號的Zr-Fe合金(特別是重量組成Zr 76.6%-Fe 23.4%的合金)；美國專利第4,312,669號的Zr-V-Fe合金(特別是重量組成Zr 70%-V 24.6%-Fe 5.4%的合金)；美國專利第4,668,424號的Zr-Ni-Z-M合金(其中A表一或多種稀土元素，且M表一或多種選自鈷、銅、鐵、鋁、錫、鈦和矽之中的元素；美國專利第5,961,750號的Zr-Co-A合金，其中A為選自釔、鑭、稀土元素或彼等的混合物之中的元素(特別是重量組成Zr 80.8%-Co 14.2%-A 5%的合金)；及最後，美國專利第6,468,043 B1號的Zr-V-Ti合金。如此領域中所知者，為使吸氣劑材料能正確操作，吸氣材料需要經熱處理(稱為活化)，其溫度為在約300與600℃之間(依材料的特定組成而定)；此處理會使產生後立即被吸氣劑表面吸著的氧、氮或碳等原子朝材料晶粒的內部擴散，因而曝露出對氣體吸著具活性的新鮮金屬原子表面。

圖1表出根據其第一形態實現的本發明載體，於其更一般性具體實例中的截面圖。

分配器10包含一載體11，於其上形成有被吸氣劑材料沉積物13所完全覆蓋之銫沉積物12。銫沉積物的厚度在1與100奈米(nm)之間，且較佳者10與50奈米之間，而吸氣劑材料沉積物的厚度在100奈米與10微米(μm)之間，且較佳者在200奈米與5微米之間。

在此構型之下，吸氣劑材料沉積物13，與載體11聯合地，在機械上與化學上保護銫沉積物12。機械上，吸氣劑沉積物可避免，例如，銫沉積物於熔化後在載體11上移動，此現象可能在最後裝置的製程中，致使裝置中的銫脫離掉；在化學上，吸氣劑吸著在該程序中可能存在的微量有害氣體，而避免銫可能與此等反應。

使吸氣劑材料沉積物破裂的相同加熱處理也會造成其活化，使得在銫蒸發之時，在腔洞內的環境基本上不含潛在有害的氣體雜質。不過，於熱隧道冷藏單元的特殊情況中，在銫蒸發時，即使不完全的吸氣劑活化也是可接受者，因為沉積在陰極上的薄金屬膜之氧化會進一步改良彼從金屬銫到其氧化物的功函數值，從2.14eV降低到1.2eV。

吸氣劑材料沉積物的尺寸不一定要在銫沉積物上呈一致性，且特別者，在銫沉積物側面上的吸氣劑材料厚度可大於在銫沉積物上方的層厚度。

圖2至4顯示出圖1中概述的分配劑之較佳替代具體實例。

圖2以截面剖視圖顯示出本發明分配器20，其係根據第一較佳具體實例。於此情況中，銫沉積物22，不直接地 接觸載體11，反而在此後述者與銫沉積物之間插置一障壁層24，其功能在避免銫擴散到載體材料之內，此可能造成減低的蒸發產率，於沉積物22之上方存在有吸氣劑材料沉積物23。沉積物23和層24在載體11上的側面尺寸都相同，且此等完全包圍該銫沉積物。

對於銫沉積物和吸氣劑材料沉積物的厚度，可用前面給出的相同值，而障壁層24的厚度可在約100奈米與10微米之間；適合實現其之材料為鉭、鉑、金(或此等之組合)，先前提及的吸氣劑材料之任何者、氮化鈦和氮化矽。

圖3顯示出根據第二較佳具體實例的本發明分配器30之截面剖視圖。於此例中，障壁層34與銫沉積物32具有相同的側面尺寸，且兩者都被與載體11接觸的吸氣劑材料沉積物33所包圍。障壁層因而只在側面與吸氣劑材料接觸，而銫沉積物的上方與側面被吸氣劑材料所侷限住，而其下方被障壁層所侷限住。此第二具體實例轉而為甚至更佳者，因為其製程比圖2分配器更方便，如後面要詳細解釋者。

圖4顯示出圖3分配器的變異。於此分配器40之中，上沉積物43和障壁層44一起完全地包圍住銫沉積物42且係由吸氣劑材料所製成(較佳者，但不必要具有相同的組成)。此具體實例具有增加吸氣劑材料的量因而其具有可以吸著雜質之能力的優點。障壁層44的厚度較佳地高於覆蓋銫沉積物的沉積物43之厚度。此條件可保證層44作為障壁之效率，因為在系統加熱期間，銫應該比穿過沉積層43 更高厚度的吸氣劑材料厚度到達載體11；此也由沉積物43比層44更容易破裂(因為層44的側面移動因其黏著於載體而被限制住之故)之事實受到幫助。沉積物43和層44兩者可具有介於100奈米與10微米之間的厚度，而銫沉積物具有上文所繪的厚度值。雖然圖4係表圖3的一變異形式，此種作法(沉積物43和層44同時使用吸氣劑材料)也可以用來製造參照圖2所述的沉積物(即，障壁層和吸氣劑沉積物都具有相同的側面尺寸者)。

圖5表出以本發明更一般性具體實例根據第二種所述形態實現的載體之截面剖視圖。

於此情況中，在載體11上存在著其中有分散可蒸發性金屬之吸氣劑材料沉積物53。可蒸發性金屬被吸氣劑結構所截留且遮蔽，並在吸氣劑的適當熱處理中釋放出，類似於根據第一形態實現的載體所發生者。根據此具體實例，其內部分散著可蒸發性金屬之吸氣劑材料沉積物可具有介於100奈米與10微米之間的厚度，其金屬重量百分比介於該沉積物總重量的1與20%之間，較佳者3與10%之間。

在此形態之中，也可以採用障壁層以使含有可蒸發性金屬的空間不與載體接觸。此類別的結構示於圖6之中：分配器60係由載體11所形成，而載體11上面有障壁層64，且於該層64之上為其中分散著可蒸發性金屬的吸氣劑材料沉積物63。層64的厚度可介於100奈米與10微米之間。障壁層64可用與沉積物63所用相同的吸氣劑材料或用不同材料(選自用以實施此功能的前文所述材料)製成。

顯然地，於至此所述的所有具體實例中，所述各層和沉積物的厚度和必須與要裝有該分配器的最後裝置之實現，或與製造彼所用程序都相容。例如，在熱隧道冷藏單元中，陰極與陽極彼此非常靠近，相隔的距離係在數十奈米的級次；於此情況中，若有一電極(如，陰極)係建造在分配器的相同載體11之上，則構成本發明分配器的不同沉積物和層之厚度總和必須為不使兩電極短路，且較佳者不高於載體11上面的電極厚度。

本發明分配器可包括一經整合的加熱器(圖式中未顯示出此例子)。於此結構下，可以對吸氣劑活化程序和可蒸發性金屬的蒸發給予更佳的控制；再者，於分配器載體形成最後裝置的腔壁之一部份的情況中，該整合式加熱器的存在也可促成該吸氣劑的後續再活化，以在該裝置的使用期間，恢復其吸著能力。該加熱器可為電阻(如，經由將電阻材料糊以網版印刷一或多條軌跡所形成者)，其係位於與得到吸氣劑材料沉積物和可蒸發性金屬沉積物之處相對的載體11側之上。或者，也可以將加熱器置於載體上與含有該等沉積物之處的相同側上，而提供其電力供給的饋入及在加熱器部位上形成本發明的沉積物特性；對於小型化裝置腔洞內的吸氣劑層之加熱的此類型對策在本案申請人的專利申請案WO 2004/065289之中有說明。

於其第二方面中，本發明包括一種製造上述分配器之方法。

本發明分配器可用半導體工業典型技術，隨後沉積各 種材料，經由遮罩劃定其上面要進行沉積的載體部位而製造出。

有關可蒸發性金屬源，可以使用以受控熱蒸發為基的來源，諸如在例如專利申請WO 2006/057021中所示者(此在本案申請人名下)。沉積程序持續期可控制所產生的層之厚度，而其上面要進行沉積的區域係透過載體的適當遮罩而選定。如所熟知者，遮罩可為機械性者，即，用自站立性罩予以實現，通常為具有開口的薄金屬箔，該等開口具有在罩上對應於所欲沉積物所具者之形狀、尺寸和位置；或者可以採用現場(in situ)製成的罩，例如使用可以選擇性移除的聚合物材料直接在載體上製造，接著用UV輻射敏化且隨後經化學蝕刻移除經敏化(或未敏化)的部位。在要得到小側面尺寸，通常小於100微米之時，第二種遮罩更為適當，而第一種遮罩是用於較高的尺寸。

於可蒸發性金屬的沉積之後，進行吸氣劑材料層的沉積，典型地係經由濺鍍；濺鍍技術係薄層沉積領域中廣為所知者，且不需在此詳細說明。其對吸氣劑材料的應用經載於，例如，美國專利第6,468,043號及專利申請WO 2006/109343之中。為了得到多孔型吸氣劑層，使氣體吸著速度良好值的取得最優化，較佳者為根據後述文件中所教導的特殊條件進行操作，亦即，使用相當高的腔洞內氣體(通常為氫氣)壓力，及在靶與載體之間施加的低功率操作，且較佳者將欲在其上實施沉積的載體保持冷卻，且在靶與載體之間採用高距離；反之，對於具有障壁功能的 吸氣劑層(諸如前述層44)之製造，較佳者為採用下述條件操作以得密實沉積物：其為濺鍍程序典型條件，即，在腔洞中的低氣體壓力、高施加電功率、未冷卻的載體及低靶-載體間之距離。

為了實現第一形態的本發明，需要使可蒸發性金屬沉積物的側面尺寸低於覆蓋用吸氣劑材料之側面尺寸；其後果為需要使用至少兩種遮罩，第一種罩具有較低尺寸開口用以沉積該可蒸發性金屬，而第二種罩具有較大尺寸開口用以沉積吸氣劑材料。

於圖2載體的情況中，在開始實施障壁層(24)的沉積時係採用第二種罩(較寬開口者)，然後於可蒸發性金屬(22)的沉積中使用第一種罩，且於最後，再度使用第二種罩來沉積吸氣劑材料(23)。在不用吸氣劑材料來實現障壁層之時，可用諸如蒸鍍、濺鍍和“化學氣相沉積”等技術來沉積，此可用來得到高密度因而良好障壁性質之層。

從製程觀點來看，圖3載體轉而為較佳者，因其可容許用第一種罩(具有較低尺寸開口者)來製造障壁層(34)，且隨後沉積可蒸發性金屬沉積物(32)，然後採用第二種罩來沉積吸氣劑材料(33)；於此方式，可節省一道罩替換操作，此替換意味著在後續沉積中因精確對準罩所需之附加的停滯時間(dead-time)及臨界性(criticalities)。

於上述諸程序中，形成可蒸發性金屬沉積物和吸氣劑 材料沉積物所用的沉積室可相同，或者，可將載體在兩相連的室之間轉移，一室用於濺鍍程序且另一室用於蒸鍍程序。

於要製造圖5所示載體之情況中，其內部有分散著可蒸發性金屬的吸氣劑材料上層可以單獨使用濺鍍技術，用其內部已分散著所欲金屬的吸氣劑材料所製靶起始而產生；或經由共沉積，同時進行透過蒸鍍的吸氣劑材料之沉積及透過蒸鍍之可蒸發性金屬的沉積；此第二種操作方式係已知者且適合用來進行其之沉積系統也是存在者，例如由美國紐澤西州Hoboken的Plasmion Corp.所製的IonCell系統。

於製造參照圖6所述的分配器(分配器60)之情況中，最好是在單一室內及不中斷程序中完成，包括先沉積純吸氣劑材料層64，且在達到所欲層64厚度之時，立即起始相同吸氣劑材料與所欲可蒸發性金屬之共沉積。

雖然本發明分配器可逐一地製造，不過較佳地此等係在典型半導體工業程序中製造，其中在一共同載體(如，矽晶圓)上，用適當的罩操作(如該領域中熟知者)，可以製成複數個分配器，其在製程結束時再經適當地切割以製成最後的分配器；具有複數個分配器的晶圓也可與另一個載著相應數目的最後裝置(如熱隧道冷藏單元)所用活性元件之晶圓聯合，且在完成時將兩晶圓的組合件分成單一裝置(在領域中稱為“切粒”(dicing)之技術)。

10, 20, 30, 40, 50, 60‧‧‧分配器

11‧‧‧載體

12, 22, 32, 42, 53, 63‧‧‧鹼金屬或鹼土金屬源

13, 23, 33, 43, 53, 63‧‧‧吸氣劑材料沉積物

24, 34, 44, 64‧‧‧障壁層

43‧‧‧上沉積物

12, 22, 32, 42‧‧‧銫沉積物

下面要參照圖式說明本發明，其中：-圖1呈現出根據上述第一形態實現的本發明分配器之截面剖視圖；-圖2至4呈現出構成本發明第一形態之替代具體實例的分配器之截面剖視圖；-圖5表出根據上述第二形態實現的本發明分配器之截面剖視圖；-圖6表出圖5承載體的一變異形式之截面剖視圖。

於諸圖式中，所表出的各元件之尺寸和尺寸比例都不是正確者，而是為了圖式的可讀取緣故而變更過者；特別者，吸氣劑材料沉積物的高度及鹼金屬或鹼土金屬沉積物的高度都經大幅增加以使此等元件的表出可理解。

10‧‧‧分配器

11‧‧‧載體

12‧‧‧鹼金屬或鹼土金屬源

13‧‧‧吸氣劑材料沉積物

Claims (27)

1. 一種環境氣體安定的鹼金屬或鹼土金屬分配器(10；20；30；40；50；60)，其包括一載體(11)，而該載體載有吸氣劑材料沉積物(13；23；33；43；53；63)以及呈元素型金屬形式之鹼金屬或鹼土金屬，而該鹼金屬或鹼土金屬係被該吸氣劑材料沉積物機械和化學地隔開環境，其特徵在於該吸氣劑材料係選自鉿、鈮、釩、鈦、鋯、和以鈦及/或鋯為底質且含有一或多種選自過渡元素、稀土元素和鋁所組成的群組的元素之合金所組成的群組。
2. 根據申請專利範圍第1項之分配器，其中該載體(11)係用選自金屬、金屬合金、半導體、玻璃或陶瓷材料所組成的群組之中的材料所實現。
3. 根據申請專利範圍第2項之分配器，其中該金屬係選自科伐合金(kovar)、矽、鍺、碳化矽、藍寶石、石英、玻璃、硼矽酸玻璃(pyrex)、磷化銦和砷化鎵所組成的群組。
4. 根據申請專利範圍第1項之分配器，其中該鹼金屬或鹼土金屬係選自鋰、鈉、鉀、銣、銫、鎂、鈣、鍶和鋇所組成的群組。
5. 根據申請專利範圍第1項之分配器，其中該鹼金屬或鹼土金屬係以被該吸氣劑材料沉積物(13；23；33；43)完全地覆蓋之沉積物(12；22；32；42)形式存在於該分配器之內。
6. 根據申請專利範圍第5項之分配器，其進一步在該鹼金屬或鹼土金屬沉積物與該載體之間包括一障壁層(24；34；44)。
7. 根據申請專利範圍第6項之分配器，其中該障壁層係用選自鉭、鉑、金、此等金屬的組合、氮化鈦、氮化矽或吸氣劑材料予以實現。
8. 根據申請專利範圍第5項之分配器，其中該鹼金屬或鹼土金屬沉積物的厚度係在1與100奈米之間。
9. 根據申請專利範圍第8項之分配器，其中該厚度係在10與50奈米之間。
10. 根據申請專利範圍第5項之分配器，其中該吸氣劑材料沉積物的厚度係在100奈米與1微米之間。
11. 根據申請專利範圍第6項之分配器，其中該障壁層的厚度在100奈米與1微米之間。
12. 根據申請專利範圍第6項之分配器(20；40)，其中該吸氣劑材料沉積物(23；43)與該障壁層(24；44)具有相同的側面尺寸。
13. 根據申請專利範圍第6項之分配器(30)，其中該鹼金屬或鹼土金屬沉積物(32)與該障壁層(34)具有相同的側面尺寸。
14. 根據申請專利範圍第1項之分配器，其中該鹼金屬或鹼土金屬係經分散在至少部份該吸氣劑材料沉積物(53；63)之內。
15. 根據申請專利範圍第14項之分配器，其中該鹼 金屬或鹼土金屬的重量百分比係在該沉積物總重量的1與20%之間。
16. 根據申請專利範圍第15項之分配器，其中該重量百分比係在3與10%之間。
17. 根據申請專利範圍第14項之分配器(60)，其進一步在該吸氣劑材料沉積物(63)與該載體之間包括一障壁層(64)。
18. 根據申請專利範圍第17項之分配器，其中該障壁層係用選自鉭、鉑、金、此等金屬的組合、氮化鈦、氮化矽或吸氣劑材料予以實現。
19. 根據申請專利範圍第14項之分配器，其中該吸氣劑材料沉積物的厚度在100奈米與1微米之間。
20. 根據申請專利範圍第17項之分配器，其中該障壁層的厚度在100奈米與1微米之間。
21. 一種製造如申請專利範圍第1項的分配器之方法，其包括連續依序使得待沉積的材料進行沉積，用遮罩在載體上限定要進行沉積的部位。
22. 根據申請專利範圍第21項之方法，其中，當該分配器係以其中該鹼金屬或鹼土金屬為該金屬的沉積物(12；22；32；42)之形式製造時，該沉積物係透過該金屬的蒸發及其在該載體上的凝結而得。
23. 根據申請專利範圍第22項之方法，其中該覆蓋在該鹼金屬或鹼土金屬沉積物上的吸氣劑材料沉積物(13；23；33；43)係透過濺鍍，在濺鍍室內使用相當高 的氣體壓力及在靶與該載體之間施加低電功率的情況下操作而予以實現。
24. 根據申請專利範圍第23項之方法，其中該濺鍍操作係在將要在其上進行沉積的載體保持在低溫且在該靶與載體之間保持高距離的情況下進行。
25. 根據申請專利範圍第21項之方法，其中該障壁層係用選自蒸鍍、濺鍍與“化學氣相沉積”之中的技術製造成。
26. 根據申請專利範圍第21項之方法，其中，當該分配器係以其中該鹼金屬或鹼土金屬係經分散在該吸氣劑材料沉積物(53；63)之內製造成時，該沉積物係透過包含該吸氣劑材料和該鹼金屬或鹼土金屬的靶之濺鍍而得。
27. 根據申請專利範圍第21項之方法，其中，當該載體係以其中該鹼金屬或鹼土金屬係經分散在該吸氣劑材料沉積物(53；63)之內製造成時，該沉積物係透過該吸氣劑材料的濺鍍及同時蒸鍍該鹼金屬或鹼土金屬而得。