JPH1050242A - Ｘ線管陽極及びその製造方法 - Google Patents
Ｘ線管陽極及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH1050242A JPH1050242A JP22322396A JP22322396A JPH1050242A JP H1050242 A JPH1050242 A JP H1050242A JP 22322396 A JP22322396 A JP 22322396A JP 22322396 A JP22322396 A JP 22322396A JP H1050242 A JPH1050242 A JP H1050242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tungsten
- alloy
- molybdenum
- ray tube
- rhenium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 加速電子からＸ線への変換を効率的に行うこ
とが可能で、電子線衝突時の熱放散特性にも優れた高線
量率のＸ線管陽極及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｘ線の透過しやすい低原子番号の金属材
料の基材２に、化学蒸着法により、高融点金属であるタ
ングステン、レニウム、モリブデン、トリウム、或いは
これらの合金の０．１〜１５μｍの範囲の蒸着膜３を形
成する。
とが可能で、電子線衝突時の熱放散特性にも優れた高線
量率のＸ線管陽極及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｘ線の透過しやすい低原子番号の金属材
料の基材２に、化学蒸着法により、高融点金属であるタ
ングステン、レニウム、モリブデン、トリウム、或いは
これらの合金の０．１〜１５μｍの範囲の蒸着膜３を形
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、Ｘ線管陽極及び
その製造方法に関し、特に透過型Ｘ線管の陽極構造であ
って高線量率が得られるＸ線管陽極の製造方法に関す
る。
その製造方法に関し、特に透過型Ｘ線管の陽極構造であ
って高線量率が得られるＸ線管陽極の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】透過型のＸ線を用いるＸ線管は主として
微小な焦点、例えばＬＳＩの内部構造を拡大してＸ線写
真を撮るような工業用Ｘ線装置に用いられる。図５
（Ａ）は従来の陽極を用いた透過型のＸ線管球構造を示
す図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＰ部拡大図であ
る。真空とした管本体５０の内部空間５０ａには高電圧
レセクタブル５１が配置され、その端部の陰極５２の近
傍にはフィラメント５３が配置され、この陰極５２で発
生した電子がフォ−カスカップ５４とフォ−カスコイル
５６で加速及び収束され陽極５５に衝突し、ここでＸ線
が発生する。Ｘ線はあらゆる方向に発生するが、そのう
ち陽極５５を透過して陰極５２とは反対方向に発生する
のが透過型Ｘ線ある。このようなＸ線管で用いられる陽
極５５には、基材（通常、アルミニウムやアルミニウム
とマグネシウムの合金）５８に２０〜３０μｍの厚さの
タングステン（Ｗ）の箔５７をスポット溶接したものが
用いられる。
微小な焦点、例えばＬＳＩの内部構造を拡大してＸ線写
真を撮るような工業用Ｘ線装置に用いられる。図５
（Ａ）は従来の陽極を用いた透過型のＸ線管球構造を示
す図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＰ部拡大図であ
る。真空とした管本体５０の内部空間５０ａには高電圧
レセクタブル５１が配置され、その端部の陰極５２の近
傍にはフィラメント５３が配置され、この陰極５２で発
生した電子がフォ−カスカップ５４とフォ−カスコイル
５６で加速及び収束され陽極５５に衝突し、ここでＸ線
が発生する。Ｘ線はあらゆる方向に発生するが、そのう
ち陽極５５を透過して陰極５２とは反対方向に発生する
のが透過型Ｘ線ある。このようなＸ線管で用いられる陽
極５５には、基材（通常、アルミニウムやアルミニウム
とマグネシウムの合金）５８に２０〜３０μｍの厚さの
タングステン（Ｗ）の箔５７をスポット溶接したものが
用いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】透過型Ｘ線管の陽極は
上記するようにアルミニウム等の基材にタングステン
（Ｗ）の箔をスポット溶接したものが用いられるが、こ
のような従来のＸ線管の陽極はＸ線の利用効率が悪いも
のが多い。その理由としては、タングステンのような高
融点金属箔を均等の厚さに製作するには２０〜３０μｍ
が限度であること、通常、融点の高い金属箔は焼結法に
よって製作するため組織に空洞が多く高密度にできない
こと、焼結法ではバインダ−を混合するため重量が低下
すること、従来程度の箔の厚さでは熱放散特性が十分で
ないこと、等が考えられる。また、従来のＸ線陽極は、
特に長波長のＸ線が自己吸収され、プラスチック等の低
吸収試料の検査には不適切である。
上記するようにアルミニウム等の基材にタングステン
（Ｗ）の箔をスポット溶接したものが用いられるが、こ
のような従来のＸ線管の陽極はＸ線の利用効率が悪いも
のが多い。その理由としては、タングステンのような高
融点金属箔を均等の厚さに製作するには２０〜３０μｍ
が限度であること、通常、融点の高い金属箔は焼結法に
よって製作するため組織に空洞が多く高密度にできない
こと、焼結法ではバインダ−を混合するため重量が低下
すること、従来程度の箔の厚さでは熱放散特性が十分で
ないこと、等が考えられる。また、従来のＸ線陽極は、
特に長波長のＸ線が自己吸収され、プラスチック等の低
吸収試料の検査には不適切である。
【０００４】この発明は上記する課題に着目してなされ
たものであり、陽極の厚さを従来のものより大幅に薄く
且つ均一にすることができ、加速電子からＸ線への変換
を効率的に行うことが可能で、電子線衝突時の熱放散特
性にも優れた高線量率のＸ線管陽極及びその製造方法を
提供することを目的とする。
たものであり、陽極の厚さを従来のものより大幅に薄く
且つ均一にすることができ、加速電子からＸ線への変換
を効率的に行うことが可能で、電子線衝突時の熱放散特
性にも優れた高線量率のＸ線管陽極及びその製造方法を
提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、この発明は、上記
する課題を解決するために、Ｘ線管陽極が、低原子番
号の金属材料の基材に、タングステン、レニウム、モリ
ブデン、トリウム、タングステン・レニウム合金、モリ
ブデン・レニウム合金、タングステン・モリブデン合
金、タングステン・モリブデン・レニウム合金のいずれ
かの蒸着膜を形成してなることを特徴とする。
する課題を解決するために、Ｘ線管陽極が、低原子番
号の金属材料の基材に、タングステン、レニウム、モリ
ブデン、トリウム、タングステン・レニウム合金、モリ
ブデン・レニウム合金、タングステン・モリブデン合
金、タングステン・モリブデン・レニウム合金のいずれ
かの蒸着膜を形成してなることを特徴とする。
【０００６】また、前記のＸ線管陽極の製造方法
が、低原子番号の金属材料の基材に、タングステン、レ
ニウム、モリブデン、トリウム、タングステン・レニウ
ム合金、モリブデン・レニウム合金、タングステン・モ
リブデン合金、タングステン・モリブデン・レニウム合
金のいずれかを化学蒸着法により０．１〜１５μｍのう
ち適宜の厚さの蒸着膜を形成することを特徴とする。
が、低原子番号の金属材料の基材に、タングステン、レ
ニウム、モリブデン、トリウム、タングステン・レニウ
ム合金、モリブデン・レニウム合金、タングステン・モ
リブデン合金、タングステン・モリブデン・レニウム合
金のいずれかを化学蒸着法により０．１〜１５μｍのう
ち適宜の厚さの蒸着膜を形成することを特徴とする。
【０００７】或いは、Ｘ線管陽極が、低原子番号の金
属材料の基材に、タングステン、レニウム、モリブデ
ン、タングステン・レニウム合金、モリブデン・レニウ
ム合金、タングステン・モリブデン合金、タングステン
・モリブデン・レニウム合金のいずれかにトリウムを混
合して蒸着膜を形成してなることを特徴とする。
属材料の基材に、タングステン、レニウム、モリブデ
ン、タングステン・レニウム合金、モリブデン・レニウ
ム合金、タングステン・モリブデン合金、タングステン
・モリブデン・レニウム合金のいずれかにトリウムを混
合して蒸着膜を形成してなることを特徴とする。
【０００８】或いはまた、前記のＸ線管陽極の製造
方法が、低原子番号の金属材料の基材に、タングステ
ン、レニウム、モリブデン、トリウム、タングステン・
レニウム合金、モリブデン・レニウム合金、タングステ
ン・モリブデン合金、タングステン・モリブデン・レニ
ウム合金のいずれかにトリウムを混合して化学蒸着法に
より０．１〜１５μｍのうち適宜の厚さの蒸着膜を形成
することを特徴とする。
方法が、低原子番号の金属材料の基材に、タングステ
ン、レニウム、モリブデン、トリウム、タングステン・
レニウム合金、モリブデン・レニウム合金、タングステ
ン・モリブデン合金、タングステン・モリブデン・レニ
ウム合金のいずれかにトリウムを混合して化学蒸着法に
より０．１〜１５μｍのうち適宜の厚さの蒸着膜を形成
することを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の具体的な実施の
形態について図面を参照しながら説明する。図１（Ａ）
はこの発明のＸ線管陽極の製造方法によって製作される
Ｘ線管陽極の平面図であり、図１（Ｂ）は断面図であ
る。即ち、この製造方法によって製作されるＸ線管陽極
１は低原子番号の金属基材２に、０．１μｍ〜１５μｍ
程度の厚さの高融点金属膜３が形成される。
形態について図面を参照しながら説明する。図１（Ａ）
はこの発明のＸ線管陽極の製造方法によって製作される
Ｘ線管陽極の平面図であり、図１（Ｂ）は断面図であ
る。即ち、この製造方法によって製作されるＸ線管陽極
１は低原子番号の金属基材２に、０．１μｍ〜１５μｍ
程度の厚さの高融点金属膜３が形成される。
【００１０】このＸ線管陽極１はＣＶＤ（Chemical Vap
or Deposition)法（即ち、化学蒸着法）により製作され
るが、図２はこのＣＶＤ法によりＸ線管陽極１を製造す
る装置の構成図である。即ち、Ｘ線管陽極１の製造に際
しては、低原子番号の金属基材２、例えばアルミニウム
（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）或いはアルミニウムと
マグネシウム合金或いはチタン（Ｔｉ）の板材に、高融
点金属膜３、たとえばタングステン（Ｗ）、レニウム
（Ｒｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、トリウム（Ｔｈ）、或
いはこれらの合金等の膜を化学蒸着するものである。
or Deposition)法（即ち、化学蒸着法）により製作され
るが、図２はこのＣＶＤ法によりＸ線管陽極１を製造す
る装置の構成図である。即ち、Ｘ線管陽極１の製造に際
しては、低原子番号の金属基材２、例えばアルミニウム
（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）或いはアルミニウムと
マグネシウム合金或いはチタン（Ｔｉ）の板材に、高融
点金属膜３、たとえばタングステン（Ｗ）、レニウム
（Ｒｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、トリウム（Ｔｈ）、或
いはこれらの合金等の膜を化学蒸着するものである。
【００１１】このＣＶＤ装置は、基材２を設置する台５
と該台５内に配置したヒ−タ６とを備えた反応管４と、
六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）ガスを入れたボンベ７
と、六フッ化レニウム（ＲｅＦ6 ）ガスを入れたボンベ
８と、六フッ化モリブデン（ＭｏＦ6 ）ガスを入れたボ
ンベ９と、Ｔｈ〔（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）4 〕等のＴｈ源１０
と、水素（Ｈ2 ）ガスボンベ１１と、窒素（Ｎ2 ）また
はアルゴン（Ａｒ）ガスボンベ１２と、管路１３、１
４、１５、１６に配置されたマスフロ−コントロ−ラ１
７、１８、１９、２０及び電磁弁２１、２２、２３、２
４と、管路２５、２６、２７に配置される流量計２８、
２９、３０及び電磁弁３１、３２、３３と、前記反応管
４内のガスを排気するための排気用ロ−タリ−ポンプ３
４と、排ガス処理装置３５と、管路３６、３７、３８に
配置される電磁弁３９、４０、４１等で構成される。
と該台５内に配置したヒ−タ６とを備えた反応管４と、
六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）ガスを入れたボンベ７
と、六フッ化レニウム（ＲｅＦ6 ）ガスを入れたボンベ
８と、六フッ化モリブデン（ＭｏＦ6 ）ガスを入れたボ
ンベ９と、Ｔｈ〔（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）4 〕等のＴｈ源１０
と、水素（Ｈ2 ）ガスボンベ１１と、窒素（Ｎ2 ）また
はアルゴン（Ａｒ）ガスボンベ１２と、管路１３、１
４、１５、１６に配置されたマスフロ−コントロ−ラ１
７、１８、１９、２０及び電磁弁２１、２２、２３、２
４と、管路２５、２６、２７に配置される流量計２８、
２９、３０及び電磁弁３１、３２、３３と、前記反応管
４内のガスを排気するための排気用ロ−タリ−ポンプ３
４と、排ガス処理装置３５と、管路３６、３７、３８に
配置される電磁弁３９、４０、４１等で構成される。
【００１２】前記低原子番号の金属基材２はその厚みと
して０．１〜１．０μｍ程度の板材を用いる。なお、図
では便宜上金属基材２の厚みを高融点金属膜３より厚く
図示してある。該基材２は、陽極として作用する高融点
金属膜３を保持するために機能するのであって、過大な
厚みを必要としない。即ち、該基材２は厚すぎると、軽
い低原子番号の金属といえども発生するＸ線が吸収され
減弱するため好ましくない。前記高融点金属膜３の生成
は上記構成からなる装置を用いるＣＶＤ法（化学蒸着
法）によるが、その手法は、例えば前記高融点金属膜３
としてタングステン（Ｗ）膜を生成する場合にはＷＦ6
の水素還元により行う。即ち、タングステン（Ｗ）膜を
生成する場合、六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）と水素
（Ｈ2 ）とを反応させると、基材２の表面にタングステ
ン膜３が蒸着生成され、反応管４内の空間にフッ化水素
（ＨＦ）ガスが生成される。同様に、レニウム（Ｒｅ）
膜を生成する場合はＲｅＦ6 の水素還元により行い、モ
リブデン膜を生成する場合はＭｏＦ6 の水素還元により
行う。
して０．１〜１．０μｍ程度の板材を用いる。なお、図
では便宜上金属基材２の厚みを高融点金属膜３より厚く
図示してある。該基材２は、陽極として作用する高融点
金属膜３を保持するために機能するのであって、過大な
厚みを必要としない。即ち、該基材２は厚すぎると、軽
い低原子番号の金属といえども発生するＸ線が吸収され
減弱するため好ましくない。前記高融点金属膜３の生成
は上記構成からなる装置を用いるＣＶＤ法（化学蒸着
法）によるが、その手法は、例えば前記高融点金属膜３
としてタングステン（Ｗ）膜を生成する場合にはＷＦ6
の水素還元により行う。即ち、タングステン（Ｗ）膜を
生成する場合、六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）と水素
（Ｈ2 ）とを反応させると、基材２の表面にタングステ
ン膜３が蒸着生成され、反応管４内の空間にフッ化水素
（ＨＦ）ガスが生成される。同様に、レニウム（Ｒｅ）
膜を生成する場合はＲｅＦ6 の水素還元により行い、モ
リブデン膜を生成する場合はＭｏＦ6 の水素還元により
行う。
【００１３】次に、図２の装置と図３に示すフロ−チャ
−トにより、基材２表面にタングステン等の高融点金属
膜３を生成する具体的工程について説明する。
−トにより、基材２表面にタングステン等の高融点金属
膜３を生成する具体的工程について説明する。
【００１４】ステップ：反応管４内のヒ−タ６を設置
した台５の上にアルミニウム等低原子番号の金属の基材
２をセットする。
した台５の上にアルミニウム等低原子番号の金属の基材
２をセットする。
【００１５】ステップ：反応管４内の不純物ガス（主
として空気）を取り除くため排気用ロ−タリ−ポンプ３
４を駆動して真空排気する。
として空気）を取り除くため排気用ロ−タリ−ポンプ３
４を駆動して真空排気する。
【００１６】ステップ：反応管４内を真空排気した
後、反応管４内に水素（Ｈ2 ）ガス、又はアルゴン（Ａ
ｒ）ガスのような不活性ガスまたは窒素（Ｎ2 ）ガス等
のいずれかを導入する。尚、真空排気のままでガスを導
入しなくてもよいが、次の昇温工程に時間がかかる。
後、反応管４内に水素（Ｈ2 ）ガス、又はアルゴン（Ａ
ｒ）ガスのような不活性ガスまたは窒素（Ｎ2 ）ガス等
のいずれかを導入する。尚、真空排気のままでガスを導
入しなくてもよいが、次の昇温工程に時間がかかる。
【００１７】ステップ：次に、ヒ−タ６により反応管
４内にセットした基材２の温度を上げる。この場合の温
度は、２７０°Ｃ〜４５０°Ｃであるが、３１０°Ｃ〜
３６０°Ｃが最も望ましい。
４内にセットした基材２の温度を上げる。この場合の温
度は、２７０°Ｃ〜４５０°Ｃであるが、３１０°Ｃ〜
３６０°Ｃが最も望ましい。
【００１８】ステップ：所定の温度に達したら、排気
用ロ−タリ−ポンプ３４を駆動して反応管４内を再び真
空排気する。真空排気状態のまま昇温した場合にはこの
工程は必要ない。なお、水素ガスを導入している場合に
はこの水素ガスが反応管４内に残らないように注意しな
ければならない。
用ロ−タリ−ポンプ３４を駆動して反応管４内を再び真
空排気する。真空排気状態のまま昇温した場合にはこの
工程は必要ない。なお、水素ガスを導入している場合に
はこの水素ガスが反応管４内に残らないように注意しな
ければならない。
【００１９】ステップ：次に排気口を一端閉止し、反
応管４内にＷＦ6 ガス又はＲｅＦ6ガス、またはＭｏＦ
6 ガスを一定量封入する。そしてこの状態をおよそ３０
分程度保持する。このステップでのガス量は、反応管４
の容量によって異なるが、発明者らは、分圧で２Ｔｏｒ
ｒ封入したが、ガス量は多いほどよい。この工程により
次のステップで生成する高融点金属膜３の基材２との密
着性が向上する。
応管４内にＷＦ6 ガス又はＲｅＦ6ガス、またはＭｏＦ
6 ガスを一定量封入する。そしてこの状態をおよそ３０
分程度保持する。このステップでのガス量は、反応管４
の容量によって異なるが、発明者らは、分圧で２Ｔｏｒ
ｒ封入したが、ガス量は多いほどよい。この工程により
次のステップで生成する高融点金属膜３の基材２との密
着性が向上する。
【００２０】ステップ：次に反応に必要なガス
（Ｈ2 ）を導入して成膜工程に入るが、好ましい条件と
して反応管４内の圧力を０．１〜１０Ｔｏｒｒとして、
水素（Ｈ2）ガスを流量３０〜１０００（ＣＣＭ）、Ｗ
Ｆ6 ガス又はＲｅＦ6 ガス又はＭｏＦ6 ガスの流量を１
０〜４００（ＣＣＭ）のうち任意の値とする。更に、好
ましい条件として、Ｈ2 ガスとＷＦ6 又はＲｅＦ6 又は
ＭｏＦ6 の全ガス、又はＨ2とＷＦ6 又はＲｅＦ6 又は
ＭｏＦ6 を断続的に流すと生成される高融点金属膜３の
均一性が向上する。ガスを流す時間と膜厚はほぼ比例す
るため、ガスを流す時間はどれだけの膜厚を得るかによ
って決めればよい。
（Ｈ2 ）を導入して成膜工程に入るが、好ましい条件と
して反応管４内の圧力を０．１〜１０Ｔｏｒｒとして、
水素（Ｈ2）ガスを流量３０〜１０００（ＣＣＭ）、Ｗ
Ｆ6 ガス又はＲｅＦ6 ガス又はＭｏＦ6 ガスの流量を１
０〜４００（ＣＣＭ）のうち任意の値とする。更に、好
ましい条件として、Ｈ2 ガスとＷＦ6 又はＲｅＦ6 又は
ＭｏＦ6 の全ガス、又はＨ2とＷＦ6 又はＲｅＦ6 又は
ＭｏＦ6 を断続的に流すと生成される高融点金属膜３の
均一性が向上する。ガスを流す時間と膜厚はほぼ比例す
るため、ガスを流す時間はどれだけの膜厚を得るかによ
って決めればよい。
【００２１】ステップ：基材２の表面に高融点金属膜
３が生成された後、反応管４内に生成されるフッ化水素
（ＨＦ）ガスを窒素ガスやアルゴンガス等で置換し、ヒ
−タ６の電源をＯＦＦとして内部が室温まで冷却した
ら、基材２を取り出す。
３が生成された後、反応管４内に生成されるフッ化水素
（ＨＦ）ガスを窒素ガスやアルゴンガス等で置換し、ヒ
−タ６の電源をＯＦＦとして内部が室温まで冷却した
ら、基材２を取り出す。
【００２２】ステップ：上記工程で基材２に高融点金
属膜膜３を生成した後、台５との接触面を除いた該基材
２の全表面に高融点金属膜３が生成する。そこで必要な
部分の高融点金属膜以外は除去する。その手法としては
ウェットエッチング法を用いる。エッチング液として
は、例えば過酸化水素水が適当である。また、マスキン
グ法としてはバイトンゴムなどを用いる。
属膜膜３を生成した後、台５との接触面を除いた該基材
２の全表面に高融点金属膜３が生成する。そこで必要な
部分の高融点金属膜以外は除去する。その手法としては
ウェットエッチング法を用いる。エッチング液として
は、例えば過酸化水素水が適当である。また、マスキン
グ法としてはバイトンゴムなどを用いる。
【００２３】この発明のＸ線管陽極の製造方法ににいて
は、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）の他、トリウム（Ｔｈ）、タングステン・レ
ニウム合金、モリブデン・レニウム合金、タングステン
・モリブデン合金、タングステン・モリブデン・レニウ
ム合金等のいずれかを高融点金属膜３として生成するこ
とができる。
は、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、モリブデ
ン（Ｍｏ）の他、トリウム（Ｔｈ）、タングステン・レ
ニウム合金、モリブデン・レニウム合金、タングステン
・モリブデン合金、タングステン・モリブデン・レニウ
ム合金等のいずれかを高融点金属膜３として生成するこ
とができる。
【００２４】前記基材２にタングステン（Ｗ）やレニウ
ム（Ｒｅ）やモリブデン（Ｍｏ）より重いトリウムを混
合した高融点金属膜３を生成することもできる。この場
合、上記したステップの工程で、Ｔｈ源１０のＴｈ
〔（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）4 〕をボンベ１２に収容した窒素
（Ｎ2 ）ガス又はアルゴン（Ａｒ）ガス及び管路２６に
配置した流量計２９、弁３２等を用いてキャリヤガスと
して流してバブリングさせて、反応管４に導き、化学蒸
着する過程でトリウムをタングステン（Ｗ）又はレニウ
ム（Ｒｅ）又はモリブデン（Ｍｏ）と混合させて一種の
合金とするものである。
ム（Ｒｅ）やモリブデン（Ｍｏ）より重いトリウムを混
合した高融点金属膜３を生成することもできる。この場
合、上記したステップの工程で、Ｔｈ源１０のＴｈ
〔（Ｃ5 Ｈ7 Ｏ2 ）4 〕をボンベ１２に収容した窒素
（Ｎ2 ）ガス又はアルゴン（Ａｒ）ガス及び管路２６に
配置した流量計２９、弁３２等を用いてキャリヤガスと
して流してバブリングさせて、反応管４に導き、化学蒸
着する過程でトリウムをタングステン（Ｗ）又はレニウ
ム（Ｒｅ）又はモリブデン（Ｍｏ）と混合させて一種の
合金とするものである。
【００２５】前記高融点金属膜３として、タングステン
（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、モリブデン（Ｍｏ）等にト
リウム（Ｔｈ）を混合した合金の膜を生成するが、その
他、タングステン・レニウム合金、モリブデン・レニウ
ム合金、タングステン・モリブデン合金、タングステン
・モリブデン・レニウム合金、等のいずれかにトリウム
を混合した高融点金属膜３としてもよい。
（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、モリブデン（Ｍｏ）等にト
リウム（Ｔｈ）を混合した合金の膜を生成するが、その
他、タングステン・レニウム合金、モリブデン・レニウ
ム合金、タングステン・モリブデン合金、タングステン
・モリブデン・レニウム合金、等のいずれかにトリウム
を混合した高融点金属膜３としてもよい。
【００２６】この発明のＸ線管陽極の製造方法によって
製作されたＸ線管陽極１は図５に示すのと同様のＸ線管
の陽極として使用する。この場合、Ｘ線が当たるとＸ線
が発生し、Ｘ線は陽極で反射して陰極方向と透過する方
向等を含めてあらゆる方向に発生するが、陽極を透過す
るＸ線管の線量率は、Ｘ線の透過する物質の厚さと材料
の原子量により大きく減衰する。低原子番号の基材２は
陽極であるタングステン等を蒸着膜として保持してお
り、しかも従来のものに比べて薄い膜で密着度も高い。
Ｘ線はこの低原子番号の基材２を殆ど減弱せずに透過す
るため高融点金属の保持具として熱のヒ−トシング（熱
放散）という有効な作用のみを行う。そして化学蒸着法
により生成された高融点金属膜は高密度で極めて純度も
高く、ほぼ理想の密度に近い膜となる。
製作されたＸ線管陽極１は図５に示すのと同様のＸ線管
の陽極として使用する。この場合、Ｘ線が当たるとＸ線
が発生し、Ｘ線は陽極で反射して陰極方向と透過する方
向等を含めてあらゆる方向に発生するが、陽極を透過す
るＸ線管の線量率は、Ｘ線の透過する物質の厚さと材料
の原子量により大きく減衰する。低原子番号の基材２は
陽極であるタングステン等を蒸着膜として保持してお
り、しかも従来のものに比べて薄い膜で密着度も高い。
Ｘ線はこの低原子番号の基材２を殆ど減弱せずに透過す
るため高融点金属の保持具として熱のヒ−トシング（熱
放散）という有効な作用のみを行う。そして化学蒸着法
により生成された高融点金属膜は高密度で極めて純度も
高く、ほぼ理想の密度に近い膜となる。
【００２７】図４は、この発明のＸ線管陽極の製造方法
によって製作された約３μｍの高融点金属膜を備えたＸ
線管陽極と、従来の製造法によって製作された約３０μ
ｍの高融点金属膜（箔）を備えたＸ線管陽極とのＸ線量
率の測定結果を示す。この図からも明らかなように、こ
の発明のＸ線管陽極の製造方法によって製作されたＸ線
管陽極の法が線量率が高いことがわかる。
によって製作された約３μｍの高融点金属膜を備えたＸ
線管陽極と、従来の製造法によって製作された約３０μ
ｍの高融点金属膜（箔）を備えたＸ線管陽極とのＸ線量
率の測定結果を示す。この図からも明らかなように、こ
の発明のＸ線管陽極の製造方法によって製作されたＸ線
管陽極の法が線量率が高いことがわかる。
【００２８】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明のＸ線管
陽極の製造方法によれば、従来の陽極に比べて基材に大
幅に薄い高融点金属膜を形成することができる。この発
明の製造方法によって形成された高融点金属膜は高密度
であり、かつ基材との密着度においてはるかに優れてい
るため熱放散特性が良く、したがって従来法によって製
作されたＸ線管陽極に比べて同一の管電圧及び管電流条
件下ではるかに高い高線量率が得られる。
陽極の製造方法によれば、従来の陽極に比べて基材に大
幅に薄い高融点金属膜を形成することができる。この発
明の製造方法によって形成された高融点金属膜は高密度
であり、かつ基材との密着度においてはるかに優れてい
るため熱放散特性が良く、したがって従来法によって製
作されたＸ線管陽極に比べて同一の管電圧及び管電流条
件下ではるかに高い高線量率が得られる。
【図１】図１（Ａ）はこの発明のＸ線管陽極の製造方法
によって製作されるＸ線管陽極の平面図であり、図１
（Ｂ）は断面図である。
によって製作されるＸ線管陽極の平面図であり、図１
（Ｂ）は断面図である。
【図２】この発明のＸ線管陽極の製造方法であるＣＶＤ
法によりＸ線管陽極を製造する装置の構成を示す図であ
る。
法によりＸ線管陽極を製造する装置の構成を示す図であ
る。
【図３】この発明のＸ線管陽極の製造方法を実施する場
合のフロ−チャ−ト図である。
合のフロ−チャ−ト図である。
【図４】この発明のＸ線管陽極の製造方法によって製作
された高融点金属膜を備えたＸ線管陽極と、従来の製造
法によって製作された高融点金属膜を備えたＸ線管陽極
とのＸ線量率の測定結果を示す図である。
された高融点金属膜を備えたＸ線管陽極と、従来の製造
法によって製作された高融点金属膜を備えたＸ線管陽極
とのＸ線量率の測定結果を示す図である。
【図５】図５（Ａ）は透過型のＸ線管球構造を示す図で
あり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＰ部拡大図である。
あり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＰ部拡大図である。
１ Ｘ線管陽極 ２ 基材 ３ 高融点金属膜 ４ 反応管 ５ 台 ６ ヒ−タ ７ ＷＦ6 ガスボンベ ８ ＲｅＦ6 ガスボンベ ９ ＭｏＦ6 ガスボンベ １０ Ｔｈ源 １１ Ｈ2 ガスボンベ １２ Ｎ2 ガス又はＡｒガスボンベ ３４ ロ−タリ−ポンプ ３５ 排ガス処理装置
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 國 嘉夫 滋賀県大津市月輪一丁目８番１号 島津メ クテム株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 低原子番号の金属材料の基材に、タング
ステン、レニウム、モリブデン、トリウム、タングステ
ン・レニウム合金、モリブデン・レニウム合金、タング
ステン・モリブデン合金、タングステン・モリブデン・
レニウム合金のいずれかの蒸着膜を形成してなるＸ線管
陽極。 - 【請求項２】 低原子番号の金属材料の基材に、タング
ステン、レニウム、モリブデン、トリウム、タングステ
ン・レニウム合金、モリブデン・レニウム合金、タング
ステン・モリブデン合金、タングステン・モリブデン・
レニウム合金のいずれかを化学蒸着法により０．１〜１
５μｍのうち適宜の厚さの蒸着膜を形成するＸ線管陽極
の製造方法。 - 【請求項３】 低原子番号の金属材料の基材に、タング
ステン、レニウム、モリブデン、タングステン・レニウ
ム合金、モリブデン・レニウム合金、タングステン・モ
リブデン合金、タングステン・モリブデン・レニウム合
金のいずれかにトリウムを混合して蒸着膜を形成してな
るＸ線管陽極。 - 【請求項４】 低原子番号の金属材料の基材に、タング
ステン、レニウム、モリブデン、タングステン・レニウ
ム合金、モリブデン・レニウム合金、タングステン・モ
リブデン合金、タングステン・モリブデン・レニウム合
金のいずれかにトリウムを混合して化学蒸着法により
０．１〜１５μｍのうち適宜の厚さの蒸着膜を形成する
Ｘ線管陽極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22322396A JPH1050242A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | Ｘ線管陽極及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22322396A JPH1050242A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | Ｘ線管陽極及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1050242A true JPH1050242A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16794729
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22322396A Pending JPH1050242A (ja) | 1996-08-05 | 1996-08-05 | Ｘ線管陽極及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1050242A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068053A (ja) * | 1999-07-17 | 2001-03-16 | Bruker Saxonia Analytik Gmbh | 電子源による電離箱 |
| EP1599883A2 (en) * | 2003-02-21 | 2005-11-30 | Xoft Microtube, Inc. | Anode assembly for an x-ray tube |
-
1996
- 1996-08-05 JP JP22322396A patent/JPH1050242A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001068053A (ja) * | 1999-07-17 | 2001-03-16 | Bruker Saxonia Analytik Gmbh | 電子源による電離箱 |
| EP1599883A2 (en) * | 2003-02-21 | 2005-11-30 | Xoft Microtube, Inc. | Anode assembly for an x-ray tube |
| EP1599883A4 (en) * | 2003-02-21 | 2010-03-24 | Xoft Microtube Inc | ANODE ASSEMBLY FOR X-RAY TUBE |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5345953B2 (ja) | 空気中で安定なアルカリまたはアルカリ土類金属供給装置 | |
| EP0447832B1 (en) | X-ray tube target | |
| US3579022A (en) | Rotary anode for x-ray tube | |
| JP2002352754A (ja) | 透過型ｘ線ターゲット | |
| JP3848677B2 (ja) | ディスペンサ陰極およびディスペンサ陰極の製造方法 | |
| JPH1050242A (ja) | Ｘ線管陽極及びその製造方法 | |
| JP3957344B2 (ja) | 放電管または放電ランプ及びスカンデート−ディスペンサ陰極 | |
| JPS63137159A (ja) | 結晶性金属薄膜の形成方法 | |
| US3284657A (en) | Grain-oriented thermionic emitter for electron discharge devices | |
| US4530669A (en) | Method of making a borided dispenser cathode | |
| US6039847A (en) | Method of forming a highly pure thin film and apparatus therefor | |
| US7846766B2 (en) | Diamond film formation method and film formation jig thereof | |
| JP3261049B2 (ja) | スパッタリング成膜方法 | |
| CN110444463B (zh) | 一种微电流铯离子源 | |
| US2097157A (en) | Electron emitting cathode and method of developing same | |
| US5977699A (en) | Cathode for electron tube | |
| JP2716715B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
| JP2001143894A (ja) | プラズマ発生装置及び薄膜形成装置 | |
| JPH07105829A (ja) | 含浸形陰極 | |
| JPH0794072A (ja) | 電子ビーム照射用の熱陰極およびその熱陰極の製造方法およびその熱陰極を用いた電子ビーム加工装置 | |
| Thomas et al. | 122. A new mechanism for stacking fault generation in epitaxial growth | |
| JPH03250524A (ja) | 含浸形陰極 | |
| JPH06260079A (ja) | 含浸形陰極 | |
| JPH0673277B2 (ja) | 高周波窓 | |
| JPH07249367A (ja) | 含浸形陰極を備える電子管 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031021 |