JPH1064457A - 超高真空電界放出表示装置 - Google Patents
超高真空電界放出表示装置Info
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- JPH1064457A JPH1064457A JP18176797A JP18176797A JPH1064457A JP H1064457 A JPH1064457 A JP H1064457A JP 18176797 A JP18176797 A JP 18176797A JP 18176797 A JP18176797 A JP 18176797A JP H1064457 A JPH1064457 A JP H1064457A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界放出表示装置の構成要素の完全性を維持
しながら内部の高い真空を維持できるようにする。 【解決手段】 超高真空電界放出表示装置１００，２０
０はアノード１２０，２０２、カソード１０６，２０
６、側部部材１１２，２１２、パッケージの密封および
排気の間に活性化される第１の非蒸発性ゲッター材料１
２０，２２０、および超高真空電界放出表示装置１０
０，２００の通常動作の間に活性化される第２のゲッタ
ー材料１２２，２２２を含んでいる。第２のゲッター材
料１２２，２２２は無線周波放射、抵抗性加熱、または
レーザによって提供されるその後の加熱により活性化さ
れる。
しながら内部の高い真空を維持できるようにする。 【解決手段】 超高真空電界放出表示装置１００，２０
０はアノード１２０，２０２、カソード１０６，２０
６、側部部材１１２，２１２、パッケージの密封および
排気の間に活性化される第１の非蒸発性ゲッター材料１
２０，２２０、および超高真空電界放出表示装置１０
０，２００の通常動作の間に活性化される第２のゲッタ
ー材料１２２，２２２を含んでいる。第２のゲッター材
料１２２，２２２は無線周波放射、抵抗性加熱、または
レーザによって提供されるその後の加熱により活性化さ
れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電界放出表示装置
（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ）に
おいて超高真空（ｕｌｔｒａ−ｈｉｇｈ ｖａｃｕｕ
ｍ）を提供するための方法に関し、かつより特定的には
表示装置のパッケージング工程の間に活性化される低温
ゲッター材料の使用を含む電界放出表示装置における超
高真空を提供する方法に関する。
（ｆｉｅｌｄ ｅｍｉｓｓｉｏｎ ｄｉｓｐｌａｙ）に
おいて超高真空（ｕｌｔｒａ−ｈｉｇｈ ｖａｃｕｕ
ｍ）を提供するための方法に関し、かつより特定的には
表示装置のパッケージング工程の間に活性化される低温
ゲッター材料の使用を含む電界放出表示装置における超
高真空を提供する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】適切な真空条件を提供するために電界放
出表示装置においてゲッター材料（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ
ｍａｔｅｒｉａｌｓ）を使用することは技術的に知ら
れている。電界放出表示装置は２つの表示プレートの間
の排気された中間空間またはインタスペース（ｉｎｔｅ
ｒｓｐａｃｅ）領域を有する外囲体またはエンべロープ
（ｅｎｖｅｌｏｐｅ）構造を含む。電子は該インタスペ
ース領域にわたり、電子放出構造がその上に製造される
カソードプレート（カソードまたはバックプレートとし
ても知られている）から、発光材料または「螢燐光体
（ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ）」の被着を含むアノードプレー
ト（アノードまたはフェイスプレートとしても知られて
いる）へと進行する。
出表示装置においてゲッター材料（ｇｅｔｔｅｒｉｎｇ
ｍａｔｅｒｉａｌｓ）を使用することは技術的に知ら
れている。電界放出表示装置は２つの表示プレートの間
の排気された中間空間またはインタスペース（ｉｎｔｅ
ｒｓｐａｃｅ）領域を有する外囲体またはエンべロープ
（ｅｎｖｅｌｏｐｅ）構造を含む。電子は該インタスペ
ース領域にわたり、電子放出構造がその上に製造される
カソードプレート（カソードまたはバックプレートとし
ても知られている）から、発光材料または「螢燐光体
（ｐｈｏｓｐｈｏｒｓ）」の被着を含むアノードプレー
ト（アノードまたはフェイスプレートとしても知られて
いる）へと進行する。
【０００３】電界放出表示装置は構成部品を一緒に密封
し、かつ、典型的にはセ氏４００度より上の、高い温度
で、インタスペース領域を排気することにより作製され
る。構成要素の表示装置部品は典型的にはこれらの高い
温度のパッケージング工程の間に気体を排出する。しか
しながら、長い表示装置の寿命、電子放出の良好な均一
性、および最小の電流／輝度劣化を保証するために表示
装置の内側では高レベルの真空が達成されかつ維持され
なければならない。カソードの電子放出構造は典型的に
はモリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ）、タングステン
（ｔｕｎｇｓｔｅｎ）またはランタン（ｌａｎｔｈａｎ
ｕｍ）６ホウ化物（ｈｅｘａｂｏｒｉｄｅ）のような、
材料から形成され、かつガス誘起汚染（ｇａｓ−ｉｎｄ
ｕｃｅｄｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ）によって有害な
影響を受ける傾向がある。
し、かつ、典型的にはセ氏４００度より上の、高い温度
で、インタスペース領域を排気することにより作製され
る。構成要素の表示装置部品は典型的にはこれらの高い
温度のパッケージング工程の間に気体を排出する。しか
しながら、長い表示装置の寿命、電子放出の良好な均一
性、および最小の電流／輝度劣化を保証するために表示
装置の内側では高レベルの真空が達成されかつ維持され
なければならない。カソードの電子放出構造は典型的に
はモリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ）、タングステン
（ｔｕｎｇｓｔｅｎ）またはランタン（ｌａｎｔｈａｎ
ｕｍ）６ホウ化物（ｈｅｘａｂｏｒｉｄｅ）のような、
材料から形成され、かつガス誘起汚染（ｇａｓ−ｉｎｄ
ｕｃｅｄｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ）によって有害な
影響を受ける傾向がある。
【０００４】典型的には、カソードおよびアノードプレ
ートの間の排気されたインタスペース領域内の真空レベ
ルは１０−５トール（Ｔｏｒｒ）より低くなければなら
ない。適切な真空条件を達成するため、ゲッター材料が
表示装置の外囲体内に、あるいは表示装置の外囲体とつ
ながる構造内に含まれている。ゲッター材料は残留す
る、望ましくない気体分子の吸着により真空レベルを増
大する。いくつかのタイプのゲッター材料が利用可能で
ある。各々のタイプは典型的には気体汚染物を吸着する
ためにその活性化のため独自の温度範囲を必要とする。
ートの間の排気されたインタスペース領域内の真空レベ
ルは１０−５トール（Ｔｏｒｒ）より低くなければなら
ない。適切な真空条件を達成するため、ゲッター材料が
表示装置の外囲体内に、あるいは表示装置の外囲体とつ
ながる構造内に含まれている。ゲッター材料は残留す
る、望ましくない気体分子の吸着により真空レベルを増
大する。いくつかのタイプのゲッター材料が利用可能で
ある。各々のタイプは典型的には気体汚染物を吸着する
ためにその活性化のため独自の温度範囲を必要とする。
【０００５】電界放出の通常の動作の間に、気体汚染物
が、例えば、アノードの上の燐螢光体被着または堆積物
の上に電子ビームが衝突する間に生成される。通常の動
作状態の間の表示装置の外囲体内の温度は周囲温度に近
く、密封工程の間の温度よりずっと低い。
が、例えば、アノードの上の燐螢光体被着または堆積物
の上に電子ビームが衝突する間に生成される。通常の動
作状態の間の表示装置の外囲体内の温度は周囲温度に近
く、密封工程の間の温度よりずっと低い。
【０００６】電界放出表示装置において必要とされる高
い真空状態を維持するためにいくつかの機構が提案され
てきている。１つのそのような従来技術の機構において
は、Ｔａ，Ｚｒ，ＴｉおよびＨｆの合金から選択され
た、適切な量の非蒸発性（ｎｏｎｅｖａｐｏｒａｂｌ
ｅ）ゲッター材料がカソードパネルとバックパネルの間
に生成される外囲体内に配置される。典型的には、１つ
のタイプのゲッターのみが使用され、該ゲッターは密封
および排気工程の後に活性化される。この後の活性化プ
ロセスはしばしばゲッター材料のみの局部的加熱を含
み、表示装置全体は加熱されず、したがって被着された
汚染物は再び気体排出されない。したがって、これらの
従来技術のゲッターは表示装置の製造の密封および排気
工程の間に生成された気体汚染物を除去しない。これら
の気体汚染物はその後の表示装置の冷却の間に表示装置
の、電子放出構造のような、能動（ａｃｔｉｖｅ）部品
の上に被着することがあり、かつそれによってそれらの
機能に有害な影響を与える。
い真空状態を維持するためにいくつかの機構が提案され
てきている。１つのそのような従来技術の機構において
は、Ｔａ，Ｚｒ，ＴｉおよびＨｆの合金から選択され
た、適切な量の非蒸発性（ｎｏｎｅｖａｐｏｒａｂｌ
ｅ）ゲッター材料がカソードパネルとバックパネルの間
に生成される外囲体内に配置される。典型的には、１つ
のタイプのゲッターのみが使用され、該ゲッターは密封
および排気工程の後に活性化される。この後の活性化プ
ロセスはしばしばゲッター材料のみの局部的加熱を含
み、表示装置全体は加熱されず、したがって被着された
汚染物は再び気体排出されない。したがって、これらの
従来技術のゲッターは表示装置の製造の密封および排気
工程の間に生成された気体汚染物を除去しない。これら
の気体汚染物はその後の表示装置の冷却の間に表示装置
の、電子放出構造のような、能動（ａｃｔｉｖｅ）部品
の上に被着することがあり、かつそれによってそれらの
機能に有害な影響を与える。
【０００７】したがって、表示装置の能動部品の完全性
を維持する一方で、電界放出表示装置における超高真空
を提供する方法の必要性が存在する。
を維持する一方で、電界放出表示装置における超高真空
を提供する方法の必要性が存在する。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の一態様では、あ
る密封／排気温度を有する超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）であって、主面を有するカソード
（１０６，２０６）、前記カソード（１０６，２０６）
の主面上に配置された複数の電界放出器（１０８，２０
８）、前記カソード（１０６，２０６）の主面から間隔
を空けた主面を有するアノード（１０２，２０２）、前
記カソード（１０６，２０６）の主面と前記アノード
（１０２，２０２）の主面との間に配置されかつこれら
に気密封止された複数の側部部材（１１２，２１２）、
前記アノード（１０２，２０２）の主面上に配置されか
つ前記複数の電界放出器（１０８，２０８）よって放出
される電子を受けるよう構成された複数の陰極発光被着
（１０４，２０４）、を具備し、前記カソード（１０
６，２０６）および前記アノード（１０２，２０２）の
主面および前記側部部材（１１２，２１２）はインタス
ペース領域（１１０，２１０）を規定し、前記複数の電
界放出器（１０８，２０８）および前記複数の陰極発光
被着（１０４，２０４）は前記インタスペース領域（１
１０，２１０）内に配置されており、そして前記電界放
出表示装置（１００，２００）はさらに、前記インタス
ペース領域（１１０，２１０）と連通して配置された第
１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２０）であっ
て、該第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２０）
は超高真空電界放出表示装置（１００，２００）の前記
密封／排気温度に等しい活性温度を有するもの、を具備
し、前記超高真空電界放出表示装置（１００，２００）
の密封／排気温度に等しい前記活性化温度は前記密封／
排気プロセスの間にゲッター作用を提供することを特徴
とする超高真空電界放出表示装置（１００，２００）が
提供される。
る密封／排気温度を有する超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）であって、主面を有するカソード
（１０６，２０６）、前記カソード（１０６，２０６）
の主面上に配置された複数の電界放出器（１０８，２０
８）、前記カソード（１０６，２０６）の主面から間隔
を空けた主面を有するアノード（１０２，２０２）、前
記カソード（１０６，２０６）の主面と前記アノード
（１０２，２０２）の主面との間に配置されかつこれら
に気密封止された複数の側部部材（１１２，２１２）、
前記アノード（１０２，２０２）の主面上に配置されか
つ前記複数の電界放出器（１０８，２０８）よって放出
される電子を受けるよう構成された複数の陰極発光被着
（１０４，２０４）、を具備し、前記カソード（１０
６，２０６）および前記アノード（１０２，２０２）の
主面および前記側部部材（１１２，２１２）はインタス
ペース領域（１１０，２１０）を規定し、前記複数の電
界放出器（１０８，２０８）および前記複数の陰極発光
被着（１０４，２０４）は前記インタスペース領域（１
１０，２１０）内に配置されており、そして前記電界放
出表示装置（１００，２００）はさらに、前記インタス
ペース領域（１１０，２１０）と連通して配置された第
１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２０）であっ
て、該第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２０）
は超高真空電界放出表示装置（１００，２００）の前記
密封／排気温度に等しい活性温度を有するもの、を具備
し、前記超高真空電界放出表示装置（１００，２００）
の密封／排気温度に等しい前記活性化温度は前記密封／
排気プロセスの間にゲッター作用を提供することを特徴
とする超高真空電界放出表示装置（１００，２００）が
提供される。
【０００９】本発明の別の態様では、ある密封／排気温
度を有する超高真空電界放出表示装置（１００，２０
０）であって、主面を有するカソード（１０６，２０
６）、前記カソード（１０６，２０６）の主面上に配置
された複数の電界放出器（１０８，２０８）、前記カソ
ード（１０６，２０６）の主面から間隔を空けた主面を
有するアノード（１０２，２０２）、前記カソード（１
０６，２０６）の主面と前記アノード（１０２，２０
２）の主面との間に配置されかつこれらに気密封止され
た複数の側部部材（１１２，２１２）、前記アノード
（１０２，２０２）の主面上に配置されかつ前記複数の
電界放出器（１０８，２０８）よって放出される電子を
受けるよう構成された複数の陰極発光被着（１０４，２
０４）、を具備し、前記カソード（１０６，２０６）お
よび前記アノード（１０２，２０２）の主面および前記
側部部材（１１２，２１２）はインタスペース領域（１
１０，２１０）を規定し、前記複数の電界放出器（１０
８，２０８）および前記複数の陰極発光被着（１０４，
２０４）は前記インタスペース領域（１１０，２１０）
内に配置されており、そして前記電界放出表示装置（１
００，２００）はさらに、前記インタスペース領域（１
１０，２１０）と連通して配置された第１の非蒸発性ゲ
ッター材料（１２０，２２０）であって、該第１の非蒸
発性ゲッター材料（１２０，２２０）は前記超高真空電
界放出表示装置（１００，２００）の前記密封／排気温
度に等しい活性化温度を有することにより、前記超高真
空電界放出表示装置（１００，２００）の密封／排気温
度に等しい活性化温度が密封／排気プロセスの間にゲッ
ター作用を提供するもの、そして第２のゲッター材料
（１２２，２２２）であって、該第２のゲッター材料
（１２２，２２２）はある活性化温度を有しかつ前記イ
ンタスペース領域（１１０，２１０）と連通して配置さ
れかつエネルギ源に動作可能に結合することができ、そ
れによって超高真空電界放出表示装置（１００，２０
０）の密封／排気の後に前記エネルギ源が前記第２のゲ
ッター材料（１２２，２２２）に動作可能に結合されて
前記第２のゲッター材料（１２２，２２２）を前記第２
のゲッター材料（１２２，２２２）の活性化温度まで加
熱し、前記第２のゲッター材料（１２２，２２２）が前
記超高真空電界放出表示装置（１００，２００）の密封
／排気の後に制御可能なゲッター作用を提供するもの、
を具備することを特徴とする超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）が提供される。
度を有する超高真空電界放出表示装置（１００，２０
０）であって、主面を有するカソード（１０６，２０
６）、前記カソード（１０６，２０６）の主面上に配置
された複数の電界放出器（１０８，２０８）、前記カソ
ード（１０６，２０６）の主面から間隔を空けた主面を
有するアノード（１０２，２０２）、前記カソード（１
０６，２０６）の主面と前記アノード（１０２，２０
２）の主面との間に配置されかつこれらに気密封止され
た複数の側部部材（１１２，２１２）、前記アノード
（１０２，２０２）の主面上に配置されかつ前記複数の
電界放出器（１０８，２０８）よって放出される電子を
受けるよう構成された複数の陰極発光被着（１０４，２
０４）、を具備し、前記カソード（１０６，２０６）お
よび前記アノード（１０２，２０２）の主面および前記
側部部材（１１２，２１２）はインタスペース領域（１
１０，２１０）を規定し、前記複数の電界放出器（１０
８，２０８）および前記複数の陰極発光被着（１０４，
２０４）は前記インタスペース領域（１１０，２１０）
内に配置されており、そして前記電界放出表示装置（１
００，２００）はさらに、前記インタスペース領域（１
１０，２１０）と連通して配置された第１の非蒸発性ゲ
ッター材料（１２０，２２０）であって、該第１の非蒸
発性ゲッター材料（１２０，２２０）は前記超高真空電
界放出表示装置（１００，２００）の前記密封／排気温
度に等しい活性化温度を有することにより、前記超高真
空電界放出表示装置（１００，２００）の密封／排気温
度に等しい活性化温度が密封／排気プロセスの間にゲッ
ター作用を提供するもの、そして第２のゲッター材料
（１２２，２２２）であって、該第２のゲッター材料
（１２２，２２２）はある活性化温度を有しかつ前記イ
ンタスペース領域（１１０，２１０）と連通して配置さ
れかつエネルギ源に動作可能に結合することができ、そ
れによって超高真空電界放出表示装置（１００，２０
０）の密封／排気の後に前記エネルギ源が前記第２のゲ
ッター材料（１２２，２２２）に動作可能に結合されて
前記第２のゲッター材料（１２２，２２２）を前記第２
のゲッター材料（１２２，２２２）の活性化温度まで加
熱し、前記第２のゲッター材料（１２２，２２２）が前
記超高真空電界放出表示装置（１００，２００）の密封
／排気の後に制御可能なゲッター作用を提供するもの、
を具備することを特徴とする超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）が提供される。
【００１０】本発明のさらに別の態様では、超高真空電
界放出表示装置（１００，２００）を製造する方法であ
って、カソード（１０６，２０６）を提供する段階、ア
ノード（１０２，２０２）を提供する段階、複数の側部
部材（１１２，２１２）を提供する段階、前記側部部材
（１１２，２１２）を前記カソード（１０６，２０６）
および前記アノード（１０２，２０２）に固定すること
により、前記カソード（１０６，２０６）、前記アノー
ド（１０２，２０２）および前記側部部材（１１２，２
１２）によってインタスペース領域（１１２，２１０）
を規定しかつパッケージを提供する段階、前記インタス
ペース領域（１１０，２１０）と連通して第１の非蒸発
性ゲッター材料（１２０，２２０）を提供する段階であ
って、前記第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）はある活性化温度を有するもの、前記インタスペー
ス領域（１１０，２１０）内に１０−５トールより低い
値を有する真空を与える段階、そして前記側部部材（１
１２，２１２）を固定しかつ真空を与える段階と同時
に、前記第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）を活性化するとにより前記側部部材（１１２，２１
２）を固定しかつ真空を与える段階の間に気体排出され
る気体種を除去する段階、を具備することを特徴とする
超高真空電界放出表示装置（１００，２００）を製造す
る方法が提供される。
界放出表示装置（１００，２００）を製造する方法であ
って、カソード（１０６，２０６）を提供する段階、ア
ノード（１０２，２０２）を提供する段階、複数の側部
部材（１１２，２１２）を提供する段階、前記側部部材
（１１２，２１２）を前記カソード（１０６，２０６）
および前記アノード（１０２，２０２）に固定すること
により、前記カソード（１０６，２０６）、前記アノー
ド（１０２，２０２）および前記側部部材（１１２，２
１２）によってインタスペース領域（１１２，２１０）
を規定しかつパッケージを提供する段階、前記インタス
ペース領域（１１０，２１０）と連通して第１の非蒸発
性ゲッター材料（１２０，２２０）を提供する段階であ
って、前記第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）はある活性化温度を有するもの、前記インタスペー
ス領域（１１０，２１０）内に１０−５トールより低い
値を有する真空を与える段階、そして前記側部部材（１
１２，２１２）を固定しかつ真空を与える段階と同時
に、前記第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）を活性化するとにより前記側部部材（１１２，２１
２）を固定しかつ真空を与える段階の間に気体排出され
る気体種を除去する段階、を具備することを特徴とする
超高真空電界放出表示装置（１００，２００）を製造す
る方法が提供される。
【００１１】本発明のさらに別の態様では超高真空電界
放出表示装置（１００，２００）を製造する方法であっ
て、カソード（１０６，２０６）を提供する段階、アノ
ード（１０２，２０２）を提供する段階、複数の側部部
材（１１２，２１２）を提供する段階、前記側部部材
（１１２，２１２）を前記カソード（１０６，２０６）
および前記アノード（１０２，２０２）に固定すること
により、前記カソード（１０６，２０６）、前記アノー
ド（１０２，２０２）および前記側部部材（１１２，２
１２）によってインタスペース領域（１１２，２１０）
を規定しかつパッケージを提供する段階、前記インタス
ペース領域（１１０，２１０）と連通して第１の非蒸発
性ゲッター材料（１２０，２２０）を提供する段階であ
って、前記第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）はある活性化温度を有するもの、前記インタスペー
ス領域（１１０，２１０）内に１０−５トールより低い
値を有する真空を与える段階、前記側部部材（１１２，
２１２）を固定しかつ真空を与える段階と同時に、前記
第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２０）を活性
化するとにより前記側部部材（１１２，２１２）を固定
しかつ真空を与える段階の間に気体排出される気体種を
除去する段階、そしてその後、前記第１の非蒸発性ゲッ
ター材料（１２０，２２０）を前記第１の非蒸発性ゲッ
ター材料（１２０，２２０）の活性化温度まで選択的に
加熱することによりゲッター作用を提供する段階、を具
備することを特徴とする超高真空電界放出表示装置（１
００，２００）を製造する方法が提供される。
放出表示装置（１００，２００）を製造する方法であっ
て、カソード（１０６，２０６）を提供する段階、アノ
ード（１０２，２０２）を提供する段階、複数の側部部
材（１１２，２１２）を提供する段階、前記側部部材
（１１２，２１２）を前記カソード（１０６，２０６）
および前記アノード（１０２，２０２）に固定すること
により、前記カソード（１０６，２０６）、前記アノー
ド（１０２，２０２）および前記側部部材（１１２，２
１２）によってインタスペース領域（１１２，２１０）
を規定しかつパッケージを提供する段階、前記インタス
ペース領域（１１０，２１０）と連通して第１の非蒸発
性ゲッター材料（１２０，２２０）を提供する段階であ
って、前記第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）はある活性化温度を有するもの、前記インタスペー
ス領域（１１０，２１０）内に１０−５トールより低い
値を有する真空を与える段階、前記側部部材（１１２，
２１２）を固定しかつ真空を与える段階と同時に、前記
第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２０）を活性
化するとにより前記側部部材（１１２，２１２）を固定
しかつ真空を与える段階の間に気体排出される気体種を
除去する段階、そしてその後、前記第１の非蒸発性ゲッ
ター材料（１２０，２２０）を前記第１の非蒸発性ゲッ
ター材料（１２０，２２０）の活性化温度まで選択的に
加熱することによりゲッター作用を提供する段階、を具
備することを特徴とする超高真空電界放出表示装置（１
００，２００）を製造する方法が提供される。
【００１２】本発明のさらに別の態様では、超高真空電
界放出表示装置（１００，２００）を製造する方法であ
って、カソード（１０６，２０６）を提供する段階、ア
ノード（１０２，２０２）を提供する段階、複数の側部
部材（１１２，２１２）を提供する段階、前記側部部材
（１１２，２１２）を前記カソード（１０６，２０６）
および前記アノード（１０２，２０２）に固定すること
により、前記カソード（１０６，２０６）、前記アノー
ド（１０２，２０２）および前記側部部材（１１２，２
１２）によってインタスペース領域（１１２，２１０）
を規定しかつパッケージを提供する段階、前記インタス
ペース領域（１１０，２１０）と連通して第１の非蒸発
性ゲッター材料（１２０，２２０）を提供する段階であ
って、前記第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）はある活性化温度を有するもの、前記インタスペー
ス領域（１１０，２１０）と連通して第２のゲッター材
料（１２２，２２２）を提供する段階であって、前記第
２のゲッター材料（１２２，２２２）はある活性化温度
を有するもの、前記インタスペース領域（１１０，２１
０）内に１０−５トールより低い値を有する真空を与え
る段階、前記側部部材（１１２，２１２）を固定しかつ
真空を与える段階と同時に、前記第１の非蒸発性ゲッタ
ー材料（１２０，２２０）を活性化するとにより前記側
部部材（１１２，２１２）を固定しかつ真空を与える段
階の間に気体排出される気体種を除去する段階、そして
その後、前記第２のゲッター材料（１２２，２２２）を
活性化することにより、前記超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）の動作の間に気体排出される気体種
を除去し、それによって１０−５トールより低い真空を
前記インタスペース領域（１１０，２１０）内に維持す
る段階、を具備することを特徴とする超高真空電界放出
表示装置（１００，２００）を製造する方法が提供され
る。
界放出表示装置（１００，２００）を製造する方法であ
って、カソード（１０６，２０６）を提供する段階、ア
ノード（１０２，２０２）を提供する段階、複数の側部
部材（１１２，２１２）を提供する段階、前記側部部材
（１１２，２１２）を前記カソード（１０６，２０６）
および前記アノード（１０２，２０２）に固定すること
により、前記カソード（１０６，２０６）、前記アノー
ド（１０２，２０２）および前記側部部材（１１２，２
１２）によってインタスペース領域（１１２，２１０）
を規定しかつパッケージを提供する段階、前記インタス
ペース領域（１１０，２１０）と連通して第１の非蒸発
性ゲッター材料（１２０，２２０）を提供する段階であ
って、前記第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）はある活性化温度を有するもの、前記インタスペー
ス領域（１１０，２１０）と連通して第２のゲッター材
料（１２２，２２２）を提供する段階であって、前記第
２のゲッター材料（１２２，２２２）はある活性化温度
を有するもの、前記インタスペース領域（１１０，２１
０）内に１０−５トールより低い値を有する真空を与え
る段階、前記側部部材（１１２，２１２）を固定しかつ
真空を与える段階と同時に、前記第１の非蒸発性ゲッタ
ー材料（１２０，２２０）を活性化するとにより前記側
部部材（１１２，２１２）を固定しかつ真空を与える段
階の間に気体排出される気体種を除去する段階、そして
その後、前記第２のゲッター材料（１２２，２２２）を
活性化することにより、前記超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）の動作の間に気体排出される気体種
を除去し、それによって１０−５トールより低い真空を
前記インタスペース領域（１１０，２１０）内に維持す
る段階、を具備することを特徴とする超高真空電界放出
表示装置（１００，２００）を製造する方法が提供され
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】次に図１を参照すると、本発明に
係わる超高真空電界放出表示装置（ＵＨＶＦＥＤ）１０
０の断面図が示されている。ＵＨＶ ＦＥＤ１００は複
数のカソードルミネセント被着または陰極発光被着（ｃ
ａｔｈｏｄｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｅｐｏｓｉｔ
ｓ）１０４を主面上に有するアノード１０２、複数の電
界放出器またはフィールドエミッタ（ｆｉｅｌｄ ｅｍ
ｉｔｔｅｒｓ）１０８を含むカソード１０６、およびア
ノード１０２とカソード１０６の間に配置されそれらの
間に所定の空間を維持するための複数の側部部材１１２
を含む。アノード１０２およびカソード１０６および側
部部材１１２の内側面はインタスペース領域１１０を規
定する。
係わる超高真空電界放出表示装置（ＵＨＶＦＥＤ）１０
０の断面図が示されている。ＵＨＶ ＦＥＤ１００は複
数のカソードルミネセント被着または陰極発光被着（ｃ
ａｔｈｏｄｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ ｄｅｐｏｓｉｔ
ｓ）１０４を主面上に有するアノード１０２、複数の電
界放出器またはフィールドエミッタ（ｆｉｅｌｄ ｅｍ
ｉｔｔｅｒｓ）１０８を含むカソード１０６、およびア
ノード１０２とカソード１０６の間に配置されそれらの
間に所定の空間を維持するための複数の側部部材１１２
を含む。アノード１０２およびカソード１０６および側
部部材１１２の内側面はインタスペース領域１１０を規
定する。
【００１４】ＵＨＶ ＦＥＤ１００の動作の間に、電子
はカソード１０６の主面に配置された電界放出器１０８
から排出され、該電子はインタスペース領域１１０を横
切り、かつその後陰極発光被着１０４によって受けら
れ、該陰極発光被着１０４はそれによって光を放出する
ようにされる。ＵＨＶ ＦＥＤ１００はさらにインタス
ペース領域１１０と連通する複数のリセプタクル１１８
を含む。リセプタクル１１８の一部は第１の非蒸発性ゲ
ッター材料１２０を含み、リセプタクル１１８の残りは
第２のゲッター材料１２２を含む。第１の非蒸発性のゲ
ッター材料１２０はＵＨＶ ＦＥＤ１００の製造の間の
密封および排気工程の間に気体汚染物を吸着するのに適
した材料を含み、第２のゲッター材料１２２はＵＨＶ
ＦＥＤ１００の製造の後に気体汚染物を吸着するのに適
した材料を含む。
はカソード１０６の主面に配置された電界放出器１０８
から排出され、該電子はインタスペース領域１１０を横
切り、かつその後陰極発光被着１０４によって受けら
れ、該陰極発光被着１０４はそれによって光を放出する
ようにされる。ＵＨＶ ＦＥＤ１００はさらにインタス
ペース領域１１０と連通する複数のリセプタクル１１８
を含む。リセプタクル１１８の一部は第１の非蒸発性ゲ
ッター材料１２０を含み、リセプタクル１１８の残りは
第２のゲッター材料１２２を含む。第１の非蒸発性のゲ
ッター材料１２０はＵＨＶ ＦＥＤ１００の製造の間の
密封および排気工程の間に気体汚染物を吸着するのに適
した材料を含み、第２のゲッター材料１２２はＵＨＶ
ＦＥＤ１００の製造の後に気体汚染物を吸着するのに適
した材料を含む。
【００１５】第１の非蒸発性ゲッター材料１２０のため
の適切な材料はジルコニウム、、バナジウムおよび鉄の
混合物を含むジルコニウム合金を含む。Ｓｔ１７２合金
と名付けられた、そのような合金はＳＡＥＳ Ｇｅｔｔ
ｅｒｓ Ｓ．ｐ．Ａ．によって供給されている。Ｓｔ１
７２合金はＺｒ金属および低温ゲッター合金Ｓｔ７０７
（Ｚｒ７０−Ｖ２４．６−Ｆｅ５．４）の混合物を含有
する粉末を含む。これらの構成要素は混合されかつ焼結
されて、ペレット（ｐｅｌｌｅｔｓ）の形式とすること
ができる、非常に多孔性の（ｐｏｒｏｕｓ）構造を生成
する。該混合物の目的は低温で焼結できるようにしかつ
非蒸発性ゲッターのために必要とされる高度の多孔性／
表面積を提供することである。
の適切な材料はジルコニウム、、バナジウムおよび鉄の
混合物を含むジルコニウム合金を含む。Ｓｔ１７２合金
と名付けられた、そのような合金はＳＡＥＳ Ｇｅｔｔ
ｅｒｓ Ｓ．ｐ．Ａ．によって供給されている。Ｓｔ１
７２合金はＺｒ金属および低温ゲッター合金Ｓｔ７０７
（Ｚｒ７０−Ｖ２４．６−Ｆｅ５．４）の混合物を含有
する粉末を含む。これらの構成要素は混合されかつ焼結
されて、ペレット（ｐｅｌｌｅｔｓ）の形式とすること
ができる、非常に多孔性の（ｐｏｒｏｕｓ）構造を生成
する。該混合物の目的は低温で焼結できるようにしかつ
非蒸発性ゲッターのために必要とされる高度の多孔性／
表面積を提供することである。
【００１６】第１の非蒸発性ゲッター材料１２０のため
の他の適切な材料は同様の混合物を含むことができ、こ
の場合、Ｚｒ，Ｔｉ，Ａｌ，ＮｉまたはＣｏのような、
金属が適切な低温ゲッター合金と共に混合されかつ焼結
される。金属の構成要素も気体をゲッターで除くことが
できるが、その主な目的は低温ゲッター合金の粒子を一
緒に結び付けて多孔性構造を提供することであり、ある
いは低温ゲッター合金を、ニッケルまたはニッケル合金
のような、何らかの他の金属基体に結び付けることであ
る。この焼結構造の多孔性は長い寿命を提供するために
大きな表面積を保証する。
の他の適切な材料は同様の混合物を含むことができ、こ
の場合、Ｚｒ，Ｔｉ，Ａｌ，ＮｉまたはＣｏのような、
金属が適切な低温ゲッター合金と共に混合されかつ焼結
される。金属の構成要素も気体をゲッターで除くことが
できるが、その主な目的は低温ゲッター合金の粒子を一
緒に結び付けて多孔性構造を提供することであり、ある
いは低温ゲッター合金を、ニッケルまたはニッケル合金
のような、何らかの他の金属基体に結び付けることであ
る。この焼結構造の多孔性は長い寿命を提供するために
大きな表面積を保証する。
【００１７】第１の非蒸発性ゲッター材料１２０のため
の他の適切な材料は、ＳＡＥＳ Ｇｅｔｔｅｒｓ Ｓ．
ｐ．Ａ．によって供給される低温ゲッター合金である、
Ｓｔ１０１（Ｚｒ８４−Ａｌ１６）およびＴｉ金属の混
合物を含む。前記Ｔｉ金属はＳｔ１０１低温ゲッター合
金を構成する粒子のためのバインダとして作用する。こ
の種のゲッターは通常非蒸発性ゲッターと称される。前
記混合物の低温ゲッター合金成分は表面の汚染物を、フ
リット密封プロセス（ｆｒｉｔ ｓｅａｌｉｎｇ ｐｒ
ｏｃｅｓｓ）に典型的な温度のような、低温でバルク合
金粉末内へと化学的に拡散することができる。ＵＨＶ
ＦＥＤ１００の製造の密封工程の間に、表示装置の構成
要素の気体排出は第１の非蒸発性ゲッター材料１２０の
低温ゲッター合金成分の表面によって受けられる気体種
（ｇａｓｅｏｕｓ ｓｐｅｃｉｅｓ）または気体を生成
し、これによって前記表面を汚染する。次に、吸着され
た汚染物は前記表面から粒子のバルク内へと拡散し、そ
れによって前記表面を活性化／回復（ａｃｔｉｖａｔｉ
ｎｇ／ｒｅｊｕｖｅｎａｔｉｎｇ）しかつそのゲッター
能力を回復する。前記表面は粒子のバルクが汚染物で飽
和しない限りゲッター作用を続ける。この活性化／回復
プロセスは、密封温度のような、低温へと加熱すること
によって達成される。この活性化プロセスは実際に２０
０℃ほどの低さで開始するが、拡散のレートは約３００
℃より上の温度でのみ著しくなる。
の他の適切な材料は、ＳＡＥＳ Ｇｅｔｔｅｒｓ Ｓ．
ｐ．Ａ．によって供給される低温ゲッター合金である、
Ｓｔ１０１（Ｚｒ８４−Ａｌ１６）およびＴｉ金属の混
合物を含む。前記Ｔｉ金属はＳｔ１０１低温ゲッター合
金を構成する粒子のためのバインダとして作用する。こ
の種のゲッターは通常非蒸発性ゲッターと称される。前
記混合物の低温ゲッター合金成分は表面の汚染物を、フ
リット密封プロセス（ｆｒｉｔ ｓｅａｌｉｎｇ ｐｒ
ｏｃｅｓｓ）に典型的な温度のような、低温でバルク合
金粉末内へと化学的に拡散することができる。ＵＨＶ
ＦＥＤ１００の製造の密封工程の間に、表示装置の構成
要素の気体排出は第１の非蒸発性ゲッター材料１２０の
低温ゲッター合金成分の表面によって受けられる気体種
（ｇａｓｅｏｕｓ ｓｐｅｃｉｅｓ）または気体を生成
し、これによって前記表面を汚染する。次に、吸着され
た汚染物は前記表面から粒子のバルク内へと拡散し、そ
れによって前記表面を活性化／回復（ａｃｔｉｖａｔｉ
ｎｇ／ｒｅｊｕｖｅｎａｔｉｎｇ）しかつそのゲッター
能力を回復する。前記表面は粒子のバルクが汚染物で飽
和しない限りゲッター作用を続ける。この活性化／回復
プロセスは、密封温度のような、低温へと加熱すること
によって達成される。この活性化プロセスは実際に２０
０℃ほどの低さで開始するが、拡散のレートは約３００
℃より上の温度でのみ著しくなる。
【００１８】第２のゲッター材料１２２のための適切な
材料は、典型的にはペレット、粉末またはコーティング
として提供される、タンタル、ジルコニウム、チタニウ
ムまたはハフニウムのような遷移金属（ｔｒａｎｓｉｔ
ｉｏｎ ｍｅｔａｌ）を含む。１つの例はこれもまたＳ
ＡＥＳ Ｇｅｔｔｅｒｓ Ｓ．ｐ．Ａ．によって供給さ
れるＳｔ１７１ジルコニウムゲッター材料を含む。第２
のゲッター材料１２２を活性化し／回復するために、該
材料１２２は表面汚染物のバルク内への拡散を行なうの
に充分高い温度まで加熱され、それによって汚染ガスと
反応することができる清浄な表面を回復しなければなら
ない。上に示した遷移金属に対しては、この温度は典型
的には９００℃に近く、これは第２のゲッター材料１２
２を選択的に加熱することによって達成され、これにつ
いては後により詳細に説明する。
材料は、典型的にはペレット、粉末またはコーティング
として提供される、タンタル、ジルコニウム、チタニウ
ムまたはハフニウムのような遷移金属（ｔｒａｎｓｉｔ
ｉｏｎ ｍｅｔａｌ）を含む。１つの例はこれもまたＳ
ＡＥＳ Ｇｅｔｔｅｒｓ Ｓ．ｐ．Ａ．によって供給さ
れるＳｔ１７１ジルコニウムゲッター材料を含む。第２
のゲッター材料１２２を活性化し／回復するために、該
材料１２２は表面汚染物のバルク内への拡散を行なうの
に充分高い温度まで加熱され、それによって汚染ガスと
反応することができる清浄な表面を回復しなければなら
ない。上に示した遷移金属に対しては、この温度は典型
的には９００℃に近く、これは第２のゲッター材料１２
２を選択的に加熱することによって達成され、これにつ
いては後により詳細に説明する。
【００１９】第２のゲッター材料１２２のための他の適
切な材料はフラッシュ可能な（ｆｌａｓｈａｂｌｅ）チ
タニウムまたはフラッシュ可能なバリウムを含む。非蒸
発性ゲッターに対して、フラッシュ可能なゲッターはＵ
ＨＶ ＦＥＤ１００の内面をゲッター材料の薄い膜でコ
ーティングするために使用される。チタニウムおよびバ
リウムは容易に気体を吸収するゲッター材料である。適
切なフラッシュ可能なゲッターはＢａＡｌ４を含み、こ
れはコーティングとしてリセプタクル１１８の内面に付
与することができる。密封および排気工程が完了した
後、ＢａＡｌ４を含む第２のゲッター材料は電気的／抵
抗性加熱または誘導加熱のような方法を使用して、選択
的に加熱され、それによってＢａが気化しかつ表示装置
内へ解放されるようにする。この自由な、気体バリウム
はＵＨＶ ＦＥＤ１００内に薄いゲッター層を形成する
よう被着する。外部電圧源が印加できる抵抗性ワイヤの
ような、抵抗性加熱要素に第２のゲッター材料１２２の
コーティングを付与することによって抵抗性加熱が達成
できる。
切な材料はフラッシュ可能な（ｆｌａｓｈａｂｌｅ）チ
タニウムまたはフラッシュ可能なバリウムを含む。非蒸
発性ゲッターに対して、フラッシュ可能なゲッターはＵ
ＨＶ ＦＥＤ１００の内面をゲッター材料の薄い膜でコ
ーティングするために使用される。チタニウムおよびバ
リウムは容易に気体を吸収するゲッター材料である。適
切なフラッシュ可能なゲッターはＢａＡｌ４を含み、こ
れはコーティングとしてリセプタクル１１８の内面に付
与することができる。密封および排気工程が完了した
後、ＢａＡｌ４を含む第２のゲッター材料は電気的／抵
抗性加熱または誘導加熱のような方法を使用して、選択
的に加熱され、それによってＢａが気化しかつ表示装置
内へ解放されるようにする。この自由な、気体バリウム
はＵＨＶ ＦＥＤ１００内に薄いゲッター層を形成する
よう被着する。外部電圧源が印加できる抵抗性ワイヤの
ような、抵抗性加熱要素に第２のゲッター材料１２２の
コーティングを付与することによって抵抗性加熱が達成
できる。
【００２０】第２のゲッター材料１２２を活性化するこ
とが望まれる場合は、電圧が前記抵抗性加熱要素にわた
り印加されて電流を生成し、それによって前記ワイヤか
ら熱を発生させコーティングの温度を上昇させる。焼結
された非蒸発性ゲッターのように、バリウムゲッターの
作用は表面積に依存する。電界放出表示装置において
は、フラッシュ可能なゲッターは非蒸発性ゲッターの同
じゲッター作用を提供するためにより大きな空間を必要
とする。第２のゲッター材料１２２は密封工程に引き続
き加熱することによって再活性化できなければならず、
密封工程の間にアクティブである必要はない。第２のゲ
ッター材料１２２のために活性化温度を提供するための
適切な加熱はまた無線周波放射を第２のゲッター材料１
２２に加えるような方法によって、あるいはそれをレー
ザによって加熱することによって行なうことができる。
ゲッター材料が汚染物を吸着／除去するために活性化さ
れる特定の温度、すなわち活性化温度、はゲッター材料
の種類またはアイデンティティ（ｉｄｅｎｔｉｔｙ）に
依存する。第１の非蒸発性ゲッター材料１２０の活性化
温度はＵＨＶ ＦＥＤ１００の製造の間の密封および排
気工程の間に与えられる。
とが望まれる場合は、電圧が前記抵抗性加熱要素にわた
り印加されて電流を生成し、それによって前記ワイヤか
ら熱を発生させコーティングの温度を上昇させる。焼結
された非蒸発性ゲッターのように、バリウムゲッターの
作用は表面積に依存する。電界放出表示装置において
は、フラッシュ可能なゲッターは非蒸発性ゲッターの同
じゲッター作用を提供するためにより大きな空間を必要
とする。第２のゲッター材料１２２は密封工程に引き続
き加熱することによって再活性化できなければならず、
密封工程の間にアクティブである必要はない。第２のゲ
ッター材料１２２のために活性化温度を提供するための
適切な加熱はまた無線周波放射を第２のゲッター材料１
２２に加えるような方法によって、あるいはそれをレー
ザによって加熱することによって行なうことができる。
ゲッター材料が汚染物を吸着／除去するために活性化さ
れる特定の温度、すなわち活性化温度、はゲッター材料
の種類またはアイデンティティ（ｉｄｅｎｔｉｔｙ）に
依存する。第１の非蒸発性ゲッター材料１２０の活性化
温度はＵＨＶ ＦＥＤ１００の製造の間の密封および排
気工程の間に与えられる。
【００２１】ＵＨＶ ＦＥＤ１００は側部部材１１２お
よびアノード１０２およびカソード１０６の間にハーメ
チックシールまたは気密封止部１１４を含まなければな
らない。この特定の実施形態では、これはガラスフリッ
ト密閉剤（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ ｓｅａｌａｎｔ）を
使用して行なわれる。側部部材１１２、アノード１０
２、カソード１０６、第１の非蒸発性ゲッター材料１２
０、および第２の蒸発性ゲッター材料１２２からなる、
パッケージは次に炉に入れられハーメチックシールを提
供するためにフリット密閉剤を硬化する。前記フリット
が硬化される密封または密閉温度（ｓｅａｌｉｎｇ ｔ
ｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）はフリットの種類またはアイデ
ンティティに依存し、かつ典型的にはおよそセ氏４００
〜５５０度の範囲内にある。パッケージのこの加熱の間
に、気体汚染物はフリット密閉剤およびパッケージの構
成要素から気体排出される。もしこれらの気体汚染物が
ＵＨＶ ＦＥＤ１００の製造の間における密封および排
気工程の間に除去されなければ、それらはＵＨＶ ＦＥ
Ｄ１００のその後の冷却の間にＵＨＶ ＦＥＤ１００の
内面に被着する。パッケージングの間に生成される気体
汚染物はこれによって、電界放出器１０８のような、Ｕ
ＨＶ ＦＥＤ１００の能動部品（ａｃｔｉｖｅｃｏｍｐ
ｏｎｅｎｔｓ）の上に被着する可能性があり、それによ
ってそれらの最適の機能を妨害する可能性がある。
よびアノード１０２およびカソード１０６の間にハーメ
チックシールまたは気密封止部１１４を含まなければな
らない。この特定の実施形態では、これはガラスフリッ
ト密閉剤（ｇｌａｓｓ ｆｒｉｔ ｓｅａｌａｎｔ）を
使用して行なわれる。側部部材１１２、アノード１０
２、カソード１０６、第１の非蒸発性ゲッター材料１２
０、および第２の蒸発性ゲッター材料１２２からなる、
パッケージは次に炉に入れられハーメチックシールを提
供するためにフリット密閉剤を硬化する。前記フリット
が硬化される密封または密閉温度（ｓｅａｌｉｎｇ ｔ
ｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）はフリットの種類またはアイデ
ンティティに依存し、かつ典型的にはおよそセ氏４００
〜５５０度の範囲内にある。パッケージのこの加熱の間
に、気体汚染物はフリット密閉剤およびパッケージの構
成要素から気体排出される。もしこれらの気体汚染物が
ＵＨＶ ＦＥＤ１００の製造の間における密封および排
気工程の間に除去されなければ、それらはＵＨＶ ＦＥ
Ｄ１００のその後の冷却の間にＵＨＶ ＦＥＤ１００の
内面に被着する。パッケージングの間に生成される気体
汚染物はこれによって、電界放出器１０８のような、Ｕ
ＨＶ ＦＥＤ１００の能動部品（ａｃｔｉｖｅｃｏｍｐ
ｏｎｅｎｔｓ）の上に被着する可能性があり、それによ
ってそれらの最適の機能を妨害する可能性がある。
【００２２】パッケージング工程の後に、ＵＨＶ ＦＥ
Ｄ１００はパッケージング工程の間に生成されるこれら
の気体汚染物を脱着する（ｄｅｓｏｒｂ）のに充分高い
温度にさらされることはない。第２のゲッター材料１２
２の加熱は、該第２のゲッター材料１２２において外部
エネルギ源を局部的に配置することにより選択的に行な
われ、したがってＵＨＶ ＦＥＤ１００全体が加熱され
ることはない。第２のゲッター材料１２２のために使用
するのに適した材料の典型的な高い活性化温度は、陰極
発光被着１０４のような、ＵＨＶ ＦＥＤ１００の他の
構成要素に対し、これらの構成要素がそのような高い温
度にさらされれば、有害な影響を与えるであろう。ＵＨ
Ｖ ＦＥＤ１００の能動部品の適切な機能を保証するた
め、密封および排気工程の間に生成される気体汚染物
を、それらがＵＨＶ ＦＥＤ１００の内面に吸着される
前に、除去することが必要である。第１の非蒸発性ゲッ
ター材料１２０はその活性化温度がＵＨＶ ＦＥＤ１０
０の密閉または密封温度に等しくなるように選択され
る。この温度はまたインタスペース領域１１０の排気の
間維持されて第１の非蒸発性ゲッター材料１２０のゲッ
ター作用を維持する。
Ｄ１００はパッケージング工程の間に生成されるこれら
の気体汚染物を脱着する（ｄｅｓｏｒｂ）のに充分高い
温度にさらされることはない。第２のゲッター材料１２
２の加熱は、該第２のゲッター材料１２２において外部
エネルギ源を局部的に配置することにより選択的に行な
われ、したがってＵＨＶ ＦＥＤ１００全体が加熱され
ることはない。第２のゲッター材料１２２のために使用
するのに適した材料の典型的な高い活性化温度は、陰極
発光被着１０４のような、ＵＨＶ ＦＥＤ１００の他の
構成要素に対し、これらの構成要素がそのような高い温
度にさらされれば、有害な影響を与えるであろう。ＵＨ
Ｖ ＦＥＤ１００の能動部品の適切な機能を保証するた
め、密封および排気工程の間に生成される気体汚染物
を、それらがＵＨＶ ＦＥＤ１００の内面に吸着される
前に、除去することが必要である。第１の非蒸発性ゲッ
ター材料１２０はその活性化温度がＵＨＶ ＦＥＤ１０
０の密閉または密封温度に等しくなるように選択され
る。この温度はまたインタスペース領域１１０の排気の
間維持されて第１の非蒸発性ゲッター材料１２０のゲッ
ター作用を維持する。
【００２３】この特定の実施形態では、インタスペース
領域１１０の排気は真空炉において密封工程を行なうこ
とにより該密封工程と同時に行なわれる。本発明の他の
実施形態では、密封または密閉は始めに、例えば、アル
ゴン雰囲気中で行なわれ、かつパッケージ内に開口が残
される。該パッケージはその後真空ポンプを使用して前
記開口を通してインタスペース領域をポンプで排気する
ことにより排気される。次に、所定の真空に到達した
後、前記開口は密閉される。適切な真空は１０−５トー
ルより低く、好ましくは１０−６トールより低くされ
る。
領域１１０の排気は真空炉において密封工程を行なうこ
とにより該密封工程と同時に行なわれる。本発明の他の
実施形態では、密封または密閉は始めに、例えば、アル
ゴン雰囲気中で行なわれ、かつパッケージ内に開口が残
される。該パッケージはその後真空ポンプを使用して前
記開口を通してインタスペース領域をポンプで排気する
ことにより排気される。次に、所定の真空に到達した
後、前記開口は密閉される。適切な真空は１０−５トー
ルより低く、好ましくは１０−６トールより低くされ
る。
【００２４】ＵＨＶ ＦＥＤ１００が密封されかつ排気
された後、インタスペース領域１１０内の真空はさらに
第２のゲッター材料１２２を活性化することにより改善
できる。これはパッケージを完全に密閉したすぐ後にお
よび／またはＵＨＶ ＦＥＤ１００の通常動作が開始さ
れた後のある時間に行なうことができる。気体排出はＵ
ＨＶ ＦＥＤ１００の通常動作の間に放出された電子が
陰極発光被着１０４によって受けられたときに発生す
る。真空を適切なレベルに戻すため、第２のゲッター材
料１２２が、第２のゲッター材料１２２の活性化温度を
達成するために、無線周波放射、抵抗性加熱、またはレ
ーザのような、適切な活性化装置を使用して第２のゲッ
ター材料１２２を選択的に加熱することにより活性化さ
れる。陰極発光被着１０４の電子脱着の間に生成される
汚染気体種はこれによって第２のゲッター材料１２２に
より吸着され、それによってＵＨＶ ＦＥＤ１００内の
所定の真空レベルを維持しかつ電界放出器１０８の劣化
を緩和する。
された後、インタスペース領域１１０内の真空はさらに
第２のゲッター材料１２２を活性化することにより改善
できる。これはパッケージを完全に密閉したすぐ後にお
よび／またはＵＨＶ ＦＥＤ１００の通常動作が開始さ
れた後のある時間に行なうことができる。気体排出はＵ
ＨＶ ＦＥＤ１００の通常動作の間に放出された電子が
陰極発光被着１０４によって受けられたときに発生す
る。真空を適切なレベルに戻すため、第２のゲッター材
料１２２が、第２のゲッター材料１２２の活性化温度を
達成するために、無線周波放射、抵抗性加熱、またはレ
ーザのような、適切な活性化装置を使用して第２のゲッ
ター材料１２２を選択的に加熱することにより活性化さ
れる。陰極発光被着１０４の電子脱着の間に生成される
汚染気体種はこれによって第２のゲッター材料１２２に
より吸着され、それによってＵＨＶ ＦＥＤ１００内の
所定の真空レベルを維持しかつ電界放出器１０８の劣化
を緩和する。
【００２５】本発明の他の実施形態では、単一の低温ゲ
ッター材料が使用され、これは密封および排気温度で活
性化されかつまた表示装置の密封および排気の後に外部
エネルギ源により選択的に活性化することができる。こ
の単一の低温ゲッター材料は密封および排気温度に等し
い活性化温度を有し、したがって密封および排気工程の
間にゲッター作用を提供する。パッケージング処理の後
に、それは表示装置内の真空条件を改善することが望ま
れる場合にはいつでも外部エネルギ源によってその活性
化温度まで選択的に加熱することができる。
ッター材料が使用され、これは密封および排気温度で活
性化されかつまた表示装置の密封および排気の後に外部
エネルギ源により選択的に活性化することができる。こ
の単一の低温ゲッター材料は密封および排気温度に等し
い活性化温度を有し、したがって密封および排気工程の
間にゲッター作用を提供する。パッケージング処理の後
に、それは表示装置内の真空条件を改善することが望ま
れる場合にはいつでも外部エネルギ源によってその活性
化温度まで選択的に加熱することができる。
【００２６】次に図２を参照すると、本発明に係わる超
高真空電界放出表示装置（ＵＨＶＦＥＤ）２００の断面
図が示されている。ＵＨＶ ＦＥＤ２００は複数のカソ
ードルミネセント被着または陰極発光被着２０４を有す
るアノード２０２、複数の電界放出器２０８を含むカソ
ード２０８、およびカソードから間隔を空けたバックプ
レート２１１を含んでいる。ＵＨＶ ＦＥＤ２００はさ
らにアノード２０２とカソード２０６との間に配置され
それらの間に所定の空間を維持するための第１の複数の
側部部材２１２、およびカソード２０２およびバックプ
レート２１１の間に配置された第２の複数の側部部材２
１３を含んでいる。アノード２０２、カソード２０６お
よび側部部材２１２はインタスペース領域２１０を規定
し、カソード２０６、バックプレート２１１および側部
部材２１３はプレナム（ｐｌｅｎｕｍ）２１５を規定す
る。カソード２０６はインタスペース領域２１０および
プレナム２１５の双方と連通し、したがって気体汚染物
がインタスペース領域２１０からプレナム２１５へと進
むことができるようにする複数の孔２０９を含む。プレ
ナム２１５内には第１のゲッター材料２２０および第２
のゲッター材料２２２を含み、これらは、図１に関して
説明した、それぞれ第１の非蒸発性ゲッター材料１２０
および第２のゲッター材料１２２と同じ特性を有する。
高真空電界放出表示装置（ＵＨＶＦＥＤ）２００の断面
図が示されている。ＵＨＶ ＦＥＤ２００は複数のカソ
ードルミネセント被着または陰極発光被着２０４を有す
るアノード２０２、複数の電界放出器２０８を含むカソ
ード２０８、およびカソードから間隔を空けたバックプ
レート２１１を含んでいる。ＵＨＶ ＦＥＤ２００はさ
らにアノード２０２とカソード２０６との間に配置され
それらの間に所定の空間を維持するための第１の複数の
側部部材２１２、およびカソード２０２およびバックプ
レート２１１の間に配置された第２の複数の側部部材２
１３を含んでいる。アノード２０２、カソード２０６お
よび側部部材２１２はインタスペース領域２１０を規定
し、カソード２０６、バックプレート２１１および側部
部材２１３はプレナム（ｐｌｅｎｕｍ）２１５を規定す
る。カソード２０６はインタスペース領域２１０および
プレナム２１５の双方と連通し、したがって気体汚染物
がインタスペース領域２１０からプレナム２１５へと進
むことができるようにする複数の孔２０９を含む。プレ
ナム２１５内には第１のゲッター材料２２０および第２
のゲッター材料２２２を含み、これらは、図１に関して
説明した、それぞれ第１の非蒸発性ゲッター材料１２０
および第２のゲッター材料１２２と同じ特性を有する。
【００２７】ＵＨＶ ＦＥＤ２００の動作の間に、電子
は電界放出器２０８から排出され、電子はインタスペー
ス領域２１０を横切り、かつその後陰極発光被着２０４
によって受けられて、該陰極発光被着２０４がこれによ
って光を放出するようにされる。ＵＨＶ ＦＥＤ２００
の製造の密封および排気工程の間に、インタスペース領
域２１０内に気体排出された、気体汚染物は孔２０９を
通って進行しかつ第１のゲッター材料２２０によって吸
着され、それによってパッケージのその後の冷却の間に
おけるこれらの気体汚染物のＵＨＶ ＦＥＤ２００の他
の構成要素への被着／凝縮（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ／ｃ
ｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ）を排除する。
は電界放出器２０８から排出され、電子はインタスペー
ス領域２１０を横切り、かつその後陰極発光被着２０４
によって受けられて、該陰極発光被着２０４がこれによ
って光を放出するようにされる。ＵＨＶ ＦＥＤ２００
の製造の密封および排気工程の間に、インタスペース領
域２１０内に気体排出された、気体汚染物は孔２０９を
通って進行しかつ第１のゲッター材料２２０によって吸
着され、それによってパッケージのその後の冷却の間に
おけるこれらの気体汚染物のＵＨＶ ＦＥＤ２００の他
の構成要素への被着／凝縮（ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ／ｃ
ｏｎｄｅｎｓａｔｉｏｎ）を排除する。
【００２８】密封および排気工程の後に、電子が陰極発
光被着２０４によって受けられたときに余分の気体汚染
物が気体排出される。これらの余分の気体汚染物はカソ
ード２０６における孔２０９を通って進行しかつ第２の
ゲッター材料２２２によって受けられ、該第２のゲッタ
ー材料２２２は図１に関して説明した第２のゲッター材
料１２２の加熱と同様の方法でその活性化温度まで加熱
される。第２のゲッター材料２２２はこれらの余分のま
たは付加的な気体汚染物を吸着し、それによってインタ
スペース領域２１０内に所定の真空レベルを維持する。
光被着２０４によって受けられたときに余分の気体汚染
物が気体排出される。これらの余分の気体汚染物はカソ
ード２０６における孔２０９を通って進行しかつ第２の
ゲッター材料２２２によって受けられ、該第２のゲッタ
ー材料２２２は図１に関して説明した第２のゲッター材
料１２２の加熱と同様の方法でその活性化温度まで加熱
される。第２のゲッター材料２２２はこれらの余分のま
たは付加的な気体汚染物を吸着し、それによってインタ
スペース領域２１０内に所定の真空レベルを維持する。
【００２９】本発明の特定の実施形態が示されかつ説明
されたが、当業者にはさらに他の修正および改善を成す
ことができる。したがって、この発明は示された特定の
形式に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲
によりこの発明の精神および範囲から離れることのない
全ての変更をカバーすることを意図している。
されたが、当業者にはさらに他の修正および改善を成す
ことができる。したがって、この発明は示された特定の
形式に限定されるものではなく、添付の特許請求の範囲
によりこの発明の精神および範囲から離れることのない
全ての変更をカバーすることを意図している。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電界放
出表示装置の構成要素の完全性を維持しながら、該表示
装置内の超高真空を安定して提供することが可能にな
る。
出表示装置の構成要素の完全性を維持しながら、該表示
装置内の超高真空を安定して提供することが可能にな
る。
【図１】本発明に係わる超高真空電界放出表示装置の一
実施形態を示す断面図である。
実施形態を示す断面図である。
【図２】本発明に係わる超高真空電界放出表示装置の他
の実施形態を示す断面図である。
の実施形態を示す断面図である。
１００，２００ 超高真空電界放出表示装置（ＵＨＶ
ＦＥＤ） １０２，２０２ アノード １０４，２０４ 陰極発光被着 １０６，２０６ カソード １０８，２０８ 電界放出器 １１０，２１０ インタスペース領域 １１２，２１２，２１３ 側部部材 １１８ リセプタクル １２０ 第１の非蒸発性ゲッター材料 １２２ 第２のゲッター材料 ２１１ バックプレート ２１５ プレナム ２２０ 第１のゲッター材料 ２２２ 第２のゲッター材料
ＦＥＤ） １０２，２０２ アノード １０４，２０４ 陰極発光被着 １０６，２０６ カソード １０８，２０８ 電界放出器 １１０，２１０ インタスペース領域 １１２，２１２，２１３ 側部部材 １１８ リセプタクル １２０ 第１の非蒸発性ゲッター材料 １２２ 第２のゲッター材料 ２１１ バックプレート ２１５ プレナム ２２０ 第１のゲッター材料 ２２２ 第２のゲッター材料
Claims (5)
- 【請求項１】 ある密封／排気温度を有する超高真空電
界放出表示装置（１００，２００）であって、 主面を有するカソード（１０６，２０６）、 前記カソード（１０６，２０６）の主面上に配置された
複数の電界放出器（１０８，２０８）、 前記カソード（１０６，２０６）の主面から間隔を空け
た主面を有するアノード（１０２，２０２）、 前記カソード（１０６，２０６）の主面と前記アノード
（１０２，２０２）の主面との間に配置されかつこれら
に気密封止された複数の側部部材（１１２，２１２）、 前記アノード（１０２，２０２）の主面上に配置されか
つ前記複数の電界放出器（１０８，２０８）よって放出
される電子を受けるよう構成された複数の陰極発光被着
（１０４，２０４）、 を具備し、前記カソード（１０６，２０６）および前記
アノード（１０２，２０２）の主面および前記側部部材
（１１２，２１２）はインタスペース領域（１１０，２
１０）を規定し、前記複数の電界放出器（１０８，２０
８）および前記複数の陰極発光被着（１０４，２０４）
は前記インタスペース領域（１１０，２１０）内に配置
されており、そして前記電界放出表示装置（１００，２
００）はさらに、 前記インタスペース領域（１１０，２１０）と連通して
配置された第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）であって、該第１の非蒸発性ゲッター材料（１２
０，２２０）は超高真空電界放出表示装置（１００，２
００）の前記密封／排気温度に等しい活性温度を有する
もの、 を具備し、前記超高真空電界放出表示装置（１００，２
００）の密封／排気温度に等しい前記活性化温度は前記
密封／排気プロセスの間にゲッター作用を提供すること
を特徴とする超高真空電界放出表示装置（１００，２０
０）。 - 【請求項２】 ある密封／排気温度を有する超高真空電
界放出表示装置（１００，２００）であって、 主面を有するカソード（１０６，２０６）、 前記カソード（１０６，２０６）の主面上に配置された
複数の電界放出器（１０８，２０８）、 前記カソード（１０６，２０６）の主面から間隔を空け
た主面を有するアノード（１０２，２０２）、 前記カソード（１０６，２０６）の主面と前記アノード
（１０２，２０２）の主面との間に配置されかつこれら
に気密封止された複数の側部部材（１１２，２１２）、 前記アノード（１０２，２０２）の主面上に配置されか
つ前記複数の電界放出器（１０８，２０８）よって放出
される電子を受けるよう構成された複数の陰極発光被着
（１０４，２０４）、 を具備し、前記カソード（１０６，２０６）および前記
アノード（１０２，２０２）の主面および前記側部部材
（１１２，２１２）はインタスペース領域（１１０，２
１０）を規定し、前記複数の電界放出器（１０８，２０
８）および前記複数の陰極発光被着（１０４，２０４）
は前記インタスペース領域（１１０，２１０）内に配置
されており、そして前記電界放出表示装置（１００，２
００）はさらに、 前記インタスペース領域（１１０，２１０）と連通して
配置された第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）であって、該第１の非蒸発性ゲッター材料（１２
０，２２０）は前記超高真空電界放出表示装置（１０
０，２００）の前記密封／排気温度に等しい活性化温度
を有することにより、前記超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）の密封／排気温度に等しい活性化温
度が密封／排気プロセスの間にゲッター作用を提供する
もの、そして第２のゲッター材料（１２２，２２２）で
あって、該第２のゲッター材料（１２２，２２２）はあ
る活性化温度を有しかつ前記インタスペース領域（１１
０，２１０）と連通して配置されかつエネルギ源に動作
可能に結合することができ、それによって超高真空電界
放出表示装置（１００，２００）の密封／排気の後に前
記エネルギ源が前記第２のゲッター材料（１２２，２２
２）に動作可能に結合されて前記第２のゲッター材料
（１２２，２２２）を前記第２のゲッター材料（１２
２，２２２）の活性化温度まで加熱し、前記第２のゲッ
ター材料（１２２，２２２）が前記超高真空電界放出表
示装置（１００，２００）の密封／排気の後に制御可能
なゲッター作用を提供するもの、 を具備することを特徴とする超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）。 - 【請求項３】 超高真空電界放出表示装置（１００，２
００）を製造する方法であって、 カソード（１０６，２０６）を提供する段階、 アノード（１０２，２０２）を提供する段階、 複数の側部部材（１１２，２１２）を提供する段階、 前記側部部材（１１２，２１２）を前記カソード（１０
６，２０６）および前記アノード（１０２，２０２）に
固定することにより、前記カソード（１０６，２０
６）、前記アノード（１０２，２０２）および前記側部
部材（１１２，２１２）によってインタスペース領域
（１１２，２１０）を規定しかつパッケージを提供する
段階、 前記インタスペース領域（１１０，２１０）と連通して
第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２０）を提供
する段階であって、前記第１の非蒸発性ゲッター材料
（１２０，２２０）はある活性化温度を有するもの、 前記インタスペース領域（１１０，２１０）内に１０
−５トールより低い値を有する真空を与える段階、そし
て前記側部部材（１１２，２１２）を固定しかつ真空を
与える段階と同時に、前記第１の非蒸発性ゲッター材料
（１２０，２２０）を活性化するとにより前記側部部材
（１１２，２１２）を固定しかつ真空を与える段階の間
に気体排出される気体種を除去する段階、 を具備することを特徴とする超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）を製造する方法。 - 【請求項４】 超高真空電界放出表示装置（１００，２
００）を製造する方法であって、 カソード（１０６，２０６）を提供する段階、 アノード（１０２，２０２）を提供する段階、 複数の側部部材（１１２，２１２）を提供する段階、 前記側部部材（１１２，２１２）を前記カソード（１０
６，２０６）および前記アノード（１０２，２０２）に
固定することにより、前記カソード（１０６，２０
６）、前記アノード（１０２，２０２）および前記側部
部材（１１２，２１２）によってインタスペース領域
（１１２，２１０）を規定しかつパッケージを提供する
段階、 前記インタスペース領域（１１０，２１０）と連通して
第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２０）を提供
する段階であって、前記第１の非蒸発性ゲッター材料
（１２０，２２０）はある活性化温度を有するもの、 前記インタスペース領域（１１０，２１０）内に１０
−５トールより低い値を有する真空を与える段階、 前記側部部材（１１２，２１２）を固定しかつ真空を与
える段階と同時に、前記第１の非蒸発性ゲッター材料
（１２０，２２０）を活性化するとにより前記側部部材
（１１２，２１２）を固定しかつ真空を与える段階の間
に気体排出される気体種を除去する段階、そしてその
後、前記第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）を前記第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２
０）の活性化温度まで選択的に加熱することによりゲッ
ター作用を提供する段階、 を具備することを特徴とする超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）を製造する方法。 - 【請求項５】 超高真空電界放出表示装置（１００，２
００）を製造する方法であって、 カソード（１０６，２０６）を提供する段階、 アノード（１０２，２０２）を提供する段階、 複数の側部部材（１１２，２１２）を提供する段階、 前記側部部材（１１２，２１２）を前記カソード（１０
６，２０６）および前記アノード（１０２，２０２）に
固定することにより、前記カソード（１０６，２０
６）、前記アノード（１０２，２０２）および前記側部
部材（１１２，２１２）によってインタスペース領域
（１１２，２１０）を規定しかつパッケージを提供する
段階、 前記インタスペース領域（１１０，２１０）と連通して
第１の非蒸発性ゲッター材料（１２０，２２０）を提供
する段階であって、前記第１の非蒸発性ゲッター材料
（１２０，２２０）はある活性化温度を有するもの、 前記インタスペース領域（１１０，２１０）と連通して
第２のゲッター材料（１２２，２２２）を提供する段階
であって、前記第２のゲッター材料（１２２，２２２）
はある活性化温度を有するもの、 前記インタスペース領域（１１０，２１０）内に１０
−５トールより低い値を有する真空を与える段階、 前記側部部材（１１２，２１２）を固定しかつ真空を与
える段階と同時に、前記第１の非蒸発性ゲッター材料
（１２０，２２０）を活性化するとにより前記側部部材
（１１２，２１２）を固定しかつ真空を与える段階の間
に気体排出される気体種を除去する段階、そしてその
後、前記第２のゲッター材料（１２２，２２２）を活性
化することにより、前記超高真空電界放出表示装置（１
００，２００）の動作の間に気体排出される気体種を除
去し、それによって１０−５トールより低い真空を前記
インタスペース領域（１１０，２１０）内に維持する段
階、 を具備することを特徴とする超高真空電界放出表示装置
（１００，２００）を製造する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/669,204 US5688708A (en) | 1996-06-24 | 1996-06-24 | Method of making an ultra-high vacuum field emission display |
| US08/669,204 | 1996-06-24 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064457A true JPH1064457A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=24685491
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18176797A Ceased JPH1064457A (ja) | 1996-06-24 | 1997-06-23 | 超高真空電界放出表示装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5688708A (ja) |
| EP (1) | EP0817234A1 (ja) |
| JP (1) | JPH1064457A (ja) |
| KR (1) | KR980005193A (ja) |
| TW (1) | TW373221B (ja) |
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| KR100438590B1 (ko) * | 2002-08-16 | 2004-07-02 | 엘지전자 주식회사 | 평면형 전계방출소자의 오염물질 제거방법 및 장치 |
| KR100444502B1 (ko) * | 2001-12-19 | 2004-08-16 | 엘지전자 주식회사 | 전계 방출 표시소자의 실링방법 및 장치 |
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| JP2011049666A (ja) * | 2009-08-25 | 2011-03-10 | Seiko Instruments Inc | パッケージ及びパッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器、並びに電波時計 |
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Families Citing this family (43)
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|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040601 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041101 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041116 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A045 | Written measure of dismissal of application [lapsed due to lack of payment] |
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