JP3396912B2 - ゲッター及びゲッターを有する蛍光表示管 - Google Patents
ゲッター及びゲッターを有する蛍光表示管Info
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Description
設けられて該外囲器内の真空度を保持するゲッターと、
このようなゲッターを外囲器内に備えた蛍光表示管に関
する。
像表示装置の一例を示す断面図である。この画像表示装
置100の外囲器101は、対面するカソード基板10
2とアノード基板103をスペーサ104を介して封着
した構造となっている。カソード基板102の内面には
電界放出素子が設けられ、これと対面するようにアノー
ド基板103の内面には蛍光体を備えた表示部としての
アノード電極が設けられている。上記の構造において、
電界放出素子とアノード電極を可能な限り接近させるた
め、スペーサ104の厚さは一般に500μm以下に設
定されることが多い。ところが、従来のゲッター105
は、図中に示すように開口した環状の金属容器内にゲッ
ター材料を充填したもので、その厚さは数mm程度にな
っている。このため、従来はゲッター105を外囲器1
01内に配設することができず、図5に示すように外囲
器101のカソード基板102の裏面に箱形のゲッター
室106を設けて外囲器101内と排気孔107で導通
させ、このゲッター室106内にゲッター105を設け
ていた。そして、外部から高周波等の手段によってこの
ゲッター物質を加熱して蒸発させ、ゲッター室の内面に
ゲッター物質を蒸着させていた。
ーは厚さが大きく、狭い場所には設けることができなか
った。このため、かかるゲッターを用いた電子素子の一
つである従来の画像表示装置には次のような問題点があ
った。
は外囲器が極めて薄いという特長を有している。ところ
が、前述したように外囲器101にゲッター室106を
取り付けると、装置全体としての厚さが大きくなってし
まい、薄型であるという前記画像表示装置の特長のひと
つが失われてしまうという問題点があった。
5を設ける構造にすると、ゲッター室106を作る製造
工程が増えてコストの上昇をまねく。
室106内にゲッター105を設け、ゲッター室106
と外囲器101を小さい排気孔107で連通させる構造
にすると、外囲器101内に発生したガスはこの小さな
排気孔107からゲッター室106内に入ってゲッター
膜108に吸着されなければならず、外囲器内面にゲッ
ター膜を直接形成した場合に比べてゲッター効率が低下
する。
ッター容器にゲッター物質を充填したものを加熱してい
たので、加熱効率が良くないという問題があった。
ことができ、ゲッター膜形成時の加熱効率が良い薄型の
ゲッターを提供することを第1の目的とし、さらにこの
ようなゲッターを備えた蛍光表示管を提供することを第
2の目的としている。前記ゲッターによれば、例えば電
界放出素子を電子源とする蛍光表示管等の電子素子にお
いて、外囲器が薄型であるという特長を生かすことがで
きる。
ッターは、アノード基板と、カソード基板とが、スペー
サ部材を介して一体に封着された外囲器を有し、前記ア
ノード基板上に蛍光体を備えた表示部を設け、前記カソ
ード基板上に前記表示部の電子源としての電界放出素子
を設けてなる蛍光表示管の前記外囲器内に設けられて該
外囲器内の真空度を保持するゲッターにおいて、前記カ
ソード基板上に設けた開口部を有する支持体層と、該支
持体層上に設けた膜状のゲッター層と、該ゲッター層を
加熱蒸発させて前記アノード基板上に形成したゲッター
膜とを有することを特徴としている。
1に記載されたゲッターにおいて、前記支持体層に形成
された開口部に対応して前記ゲッター層にも開口部が形
成されるとともに、該ゲッター層はその下面の一部にお
いて前記支持体層に支持されており、前記ゲッター膜
は、前記ゲッター層と対面する前記アノード基板の内面
に形成されている。
ード基板と、カソード基板とが、スペーサ部材を介して
一体に封着された外囲器を有し、前記アノード基板上に
蛍光体を備えた表示部を設け、前記カソード基板上に前
記表示部の電子源としての電界放出素子を設け、前記外
囲器内に該外囲器内の真空度を保持するゲッターを設け
た蛍光表示管において、前記ゲッターが、前記カソード
基板上に設けた開口部を有する支持体層上に形成された
膜状のゲッター層を加熱蒸発させて前記アノード基板上
に形成したゲッター膜であることを特徴としている。
ギが与えられ、該ゲッター層は蒸発して外囲器内でゲッ
ター膜を形成する。このゲッター膜は外囲器内でガスを
吸収する。
として縦型の電界放出素子を備えた蛍光表示管としての
画像表示装置1(以下、表示装置1と呼ぶ。)を、図1
〜図3を参照して説明する。
縁性及び透光性を有するアノード基板2と、絶縁性を有
するカソード基板3とが、絶縁性のスペーサ部材4を介
して一体に封着された薄い箱形の外囲器5を有してい
る。両基板2,3の間隔は500μm以下とすることが
でき、本実施例では200μmに設定されている。前記
カソード基板3の隅部には排気孔6が形成されており、
前記外囲器5の内部はこの排気孔6から排気される。排
気後、この排気孔6は蓋部材7によって封止され、前記
外囲器5内は高真空状態に保持される。
カソード基板3上には、表示部の電子源として縦型の電
界放出素子8が形成されている。電界放出素子8は、カ
ソード基板3の内面に形成されたカソード電極9と、カ
ソード電極9上に形成された抵抗層10と、該抵抗層1
0上に形成された酸化シリコン等の絶縁層11と、該絶
縁層11上に形成されたゲート電極12と、さらに前記
絶縁層11及びゲート電極12に形成されたホール13
内において前記抵抗層10上に設けられたコーン形状の
エミッタ14を有している。
基板2上には、前記電界放出素子8と対面する位置に、
アノード電極15が形成されている。アノード電極15
は、アノード基板2上に設けられた透光性の陽極導体1
6と、該陽極導体16上に設けられた蛍光体層17から
なる。従って、前記電界放出素子8から放出された電子
がアノード電極15の蛍光体層17に射突してこれを発
光させれば、その発光は前記陽極導体16と透光性の前
記アノード基板2を介して観察される。
8が形成されていない前記カソード基板3の隅の一部分
には、ゲッター層20が形成されている。このゲッター
層20は、カソード基板3上に形成された前記絶縁層1
1を支持体層とし、その上に図3に示すような開口部2
1を有する任意のパターンで形成されている。
なり、例えば数μm〜数百μmの厚さとされている。ゲ
ッター層20の形成方法は任意であるが、例えばフォト
リソグラフィー法・印刷法・蒸着法・スパッタリング法
・PVD法・CVD法等が適用できる。なおゲッター層
20をフォトリソグラフィ法で形成する場合には、前記
電界放出素子8のゲート電極12と同一の工程で形成し
てもよい。
記ゲッター層20の開口部21に対応した開口部22が
形成されている。絶縁層11の開口部22はゲッター層
20の下方にある部分までえぐるように拡大されてお
り、その結果、ゲッター層20がその下面の一部におい
て絶縁層11に支持された構造となっている。絶縁層1
1におけるかかる構造の開口部22は、エッチング液で
該開口部22内を等方的にサイドエッチングすることに
よって得られる。
る。ゲッター材料としては、Ba,Ni,W,Ti,
V,Zr,Al,Ag,Au,Mg,Ca,Mn,C
e,Nb,Mo,Ta,Th等の金属や、これらを含む
金属化合物等を用いてもよい。また、Zr−Ni,Zr
−Al,Ag−Ti等の合金を用いることもできる。さ
らに、これらの各物質から2種以上を任意に選んで組み
合わせて用いることもできる。
おいて、前記ゲッター層20にエネルギを与える。例え
ば、図示しない外部リード端子を介してゲッター層20
に通電してこれを加熱し、または外囲器5外から高周波
誘導加熱によってゲッター層20を加熱する。
おいて絶縁層11に接触しているだけなので、加熱時に
熱を絶縁層11に奪われにくく、高い加熱効率でゲッタ
ー物質を蒸発させることができる。蒸発したゲッター物
質は、ゲッター層20と対面するアノード基板2の内面
にゲッター機能を有するゲッター膜23を形成する。
電界放出素子8を表示部の電子源としているためにアノ
ード基板2とカソード基板3の間隔が小さい薄型の外囲
器5を有する表示装置1において、該外囲器5内の狭い
空間内にゲッターを収納・配設することができた。
5内の気体分子を吸着し、外囲器5内の真空度を良好に
保持する。即ち、表示装置1の外囲器5内においてゲッ
タリングが行われる。また、ゲッター膜23の形成後、
ゲッター層20側には蒸発しなかったゲッター物質が残
っているが、この残ったゲッター物質も前記加熱によっ
て活性化されているので、ゲッター膜23と同様にゲッ
ター機能を有している。
れたゲッター層を加熱蒸発させて得たゲッター膜から成
るので、外囲器内の狭い空間にも容易に配設することが
できる。また外囲器内においてガスが発生し易い位置に
ゲッター膜を配設できるので、効率的なゲッタリングが
行える。さらにゲッター層を下面の一部において支持体
で支えるようにすれば、加熱時の熱効率が良くなり、ゲ
ート膜の形成が容易になる。
示管によれば、外囲器を可及的に薄くすることができ
る。特に表示部の電子源として電界放出素子を備えてい
る場合には、従来必要とされていたゲッター室が不要に
なるので、製造工程が簡略化されるとともに、電界放出
素子を表示部の電子源とする蛍光表示管において、外囲
器が薄型であるという特長を生かすことができるという
効果がある。
図である。
拡大断面図である。
拡大斜視図である。
である。
(画像表示装置) 5 外囲器 8 電界放出素子 11 支持体層としての絶縁層 20,40 ゲッター層 21,41 ゲッター層の開口部 22 支持体層としての絶縁層の開口部 23,43 ゲッター膜
Claims (3)
- 【請求項1】 アノード基板と、カソード基板とが、ス
ペーサ部材を介して一体に封着された外囲器を有し、前
記アノード基板上に蛍光体を備えた表示部を設け、前記
カソード基板上に前記表示部の電子源としての電界放出
素子を設けてなる蛍光表示管の前記外囲器内に設けられ
て該外囲器内の真空度を保持するゲッターにおいて、前記カソード基板上に設けた開口部を有する支持体層
と、該支持体層上に設けた膜状のゲッター層と、該ゲッ
ター層を加熱蒸発させて前記アノード基板上に形成した
ゲッター膜とを有する ことを特徴とするゲッター。 - 【請求項2】 前記支持体層に形成された開口部に対応
して前記ゲッター層にも開口部が形成されるとともに、
該ゲッター層はその下面の一部において前記支持体層に
支持されており、 前記ゲッター膜は、前記ゲッター層と対面する前記アノ
ード基板の内面に形成されている 請求項1記載のゲッタ
ー。 - 【請求項3】 アノード基板と、カソード基板とが、ス
ペーサ部材を介して一体に封着された外囲器を有し、前
記アノード基板上に蛍光体を備えた表示部を設け、前記
カソード基板上に前記表示部の電子源としての電界放出
素子を設け、前記外囲器内に該外囲器内の真空度を保持
するゲッターを設けた蛍光表示管において、 前記ゲッターは、前記カソード基板上に設けた開口部を
有する支持体層上に形成された膜状のゲッター層を加熱
蒸発させて前記アノード基板上に形成したゲッター膜で
あることを特徴とする蛍光表示管。
Priority Applications (5)
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US08/272,001 US5656889A (en) | 1993-07-08 | 1994-07-08 | Getter, getter device and fluorescent display device |
FR9408505A FR2709373B1 (fr) | 1993-07-08 | 1994-07-08 | Fixateur de gaz, dispositif fixateur de gaz et dispositif d'affichage fluorescent. |
US08/730,174 US5835991A (en) | 1993-07-08 | 1996-10-15 | Getter, getter device and fluorescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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-
1993
- 1993-07-08 JP JP16917793A patent/JP3396912B2/ja not_active Expired - Fee Related
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