JPH103850A - 真空気密容器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲッターの吸着能力を損なわずに外囲器内を
十分な高真空状態に保持しつつも薄型平面パネルを実現
する。 【解決手段】 外囲器５内において陽極電極１３が形成
されていない陽極基板２の内面には、異なる金属膜の接
合からなる冷却素子１６Ａが設けられる。金属膜の接合
部の表面にはゲッター層２２が蒸着されている。冷却素
子１６Ａの電極間に電流が供給されると、冷却素子１６
Ａの吸熱効果により接合部上のゲッター層２２が所望の
温度に直接冷却され、ゲッター層２２とその周囲との間
に温度差を持たせることができる。これにより、別体の
ゲッター室を必要とせずに薄型平面パネルを構成でき、
ゲッター層２２による吸着能力を損なうことなく、外囲
器５内のガスを効率的に吸着して外囲器５内が高真空状
態に保持される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電界放射形
陰極を有する電界放射形表示装置のように、薄型に形成
された外囲器の内部が高真空状態に気密保持される真空
気密容器に関する。

【０００２】

【従来の技術】内部が高真空状態に気密保持される真空
気密容器として、例えば電界放射形陰極を電子源とした
電界放射形表示装置（以下、ＦＥＤという）が知られて
いる。このＦＥＤは、蛍光体層を有する表示部を備えた
陽極基板と、陽極基板の表示部と対面する内面側に電界
放射形陰極を備えた陰極基板とを、所定間隔をおいて外
周部で封止することにより外囲器が構成されている。

【０００３】さらに説明すると、この種のＦＥＤは、細
かいドットピッチで表示部が形成される陽極基板と、電
界放射形陰極の形成される陰極基板がいずれも薄いガラ
ス板で構成され、両基板の間隔も極めて狭く薄型に構成
されている。

【０００４】ところで、この種のＦＥＤを表示装置とし
て機能させるためには、電界放射形陰極より効率的に電
子が放出されるように、陽極基板と陰極基板とで構成さ
れる外囲器内を高真空状態に保持する必要がある。そこ
で、外囲器内の排気を行って外囲器内を例えば１０^-6Ｔ
ｏｒｒの真空状態に保持し、さらに外囲器内に発生する
ガスをゲッター部材により吸着させて例えば１０^-7Ｔｏ
ｒｒの高真空状態に保持している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＦＥＤは、
上述したように、外囲器自体が極めて薄型に構成されて
いるので、外囲器内に発生するガスを吸着するためのゲ
ッター部材を外囲器内に設けることができなかった。

【０００６】そこで、従来は、外囲器の外側に別途ゲッ
ター室を設け、このゲッター室内に蒸着によりゲッター
膜を形成させていた。図８（ａ），（ｂ）は、外囲器の
外側にゲッター室を備えたＦＥＤの一構成例を示してい
る。図におけるＦＥＤの外囲器５１は、内面に陽極導体
と蛍光体層からなる表示部が形成された陽極基板５２
と、内面に電界放射形陰極が形成された陰極基板５３と
が、面方向に位置をずらして対面してその外周部分にス
ペーサ部材５４を介して固着されている。外囲器５１の
側面部は一部が除去されており、外囲器５１の側面には
内部に連通する排気孔５５が形成されている。この排気
孔５５に近接した陽極基板５２の非対面部分及び外囲器
５１の側面には、箱形の蓋部材５６が固着され、排気孔
５５に連通する排気室を兼ねたゲッター室５７が形成さ
れている。ゲッター室５７内にはゲッター部材５８が設
けられており、このゲッター部材５８の加熱によりゲッ
ター室５７の壁面にゲッター膜５９が形成されている。

【０００７】そして、上記のように外囲器５１が構成さ
れるＦＥＤは、以下に示す方法により製造していた。ま
ず、陽極導体と蛍光体層からなる表示部を陽極基板５２
の内面に形成し、電界放射形陰極を陰極基板５３の内面
に形成する。次に、陽極基板５２と陰極基板５３とを封
着して外囲器５１を組み立てる。又、外囲器５１内に連
通するようにゲッター室５７を外囲器５１の外側に設け
て固着する。次に、外囲器５１内の排気を行い、外囲器
５１内を例えば１０^-6Ｔｏｒｒの真空状態に保持して排
気管を封止する。その後、ゲッター室５７の壁面にゲッ
ターを蒸着させてゲッター膜５９を形成する。次に、オ
ーブン工程においてＦＥＤをオーブンに入れて２００℃
程度に加熱する。

【０００８】これにより、外囲器５１内に発生するガス
をゲッター膜５９に吸着させて外囲器５１内を例えば１
０^-7Ｔｏｒｒの高真空状態に保持する。その後、ＦＥＤ
を発光駆動するエージング工程を経てＦＥＤが完成す
る。

【０００９】しかしながら、上述した従来の外囲器の構
成では、以下に示すような問題点があった。

【００１０】１）オーブン工程において、ゲッター室５
７を含めて外囲器５１全体をオーブンで加熱するので、
外囲器５１と一緒にゲッター室５７内のゲッター膜５９
も加熱され、特にゲッター膜５９が形成されたゲッター
膜５９下部の壁面に付着したガス及びその近傍の周囲の
壁面に付着したガスと良く反応し、外囲器５１内のガス
を効率的に吸着することができない。

【００１１】２）オーブン工程において、オーブン温度
が例えば２５０℃〜３００℃程度になると、ゲッター膜
５９下部の壁面に付着したガス及びその近傍の周囲の壁
面に付着した例えばＨ₂ Ｏ，ＣＯ，ＣＯ₂ 等のガスとの
反応によりＢａＯＨ，ＢａＣＯ₃ 等を生成し、ゲッター
膜５９の表面が変色して吸着能力が著しく低下する。こ
の結果、表示部上を浮遊するガスがゲッター膜５９に到
達したとしても、完全に吸いきることができない。

【００１２】３）ゲッター膜５９でのガスの吸着によ
り、数値上では外囲器５１内が１０^-7Ｔｏｒｒの高真空
状態に保持されるが、その後のエージング工程での発光
駆動によって蛍光体層に付着したガスが放出され、外囲
器５１内の真空度が例えば１０ ^-5Ｔｏｒｒ程度に低下し
て十分な真空度を得ることができない。しかも、上記の
ように表示部上を浮遊するガスを十分に吸着することが
できないため、微細加工された電界放射形陰極のエミッ
タが浮遊するガスによって汚染され、その結果、発光輝
度の低下を招いて表示装置としての寿命が短くなる。

【００１３】４）極めて薄型に構成された外囲器５１に
対して厚いゲッター室５７が外囲器５１の外側に突出し
て設けられるので、表示装置として全体を見た場合の平
面性が失われ、真の薄型平面パネルの実現が困難であ
る。

【００１４】５）外囲器５１とゲッター室５７とは排気
孔５５を介して連通してはいるものの、実質的には別室
構成なので、外囲器５１内のガスを効率的にゲッター室
５７に導くことができず、ゲッター室５７を局部的に冷
却する必要があるが、外囲器５１の形状の不利から温度
制御の困難さが生じる。

【００１５】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、ゲッターの吸着能力を損なわずに外囲器内を
十分な高真空状態に保持しつつも薄型平面パネルを構成
することができる真空気密容器を提供することを目的と
している。

【００１６】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明による真空気密容器は、表面にゲッ
ター層２２が設けられたペルチェ効果を有する冷却素子
１６を外囲器５内に備えたことを特徴とする。

【００１７】請求項２の発明は、請求項１の真空気密容
器において、前記冷却素子１６が、異なる２つの金属膜
１７，１８の接合からなり、該接合部分１９に前記ゲッ
ター層２２が形成された構成とされる。

【００１８】請求項３の発明は、請求項１又は２の真空
気密容器において、前記冷却素子１６は、電極２０，２
１が前記外囲器５の外に導出され、該電極２０，２１間
に電流が供給されることによる吸熱効果で前記ゲッター
層２２を冷却する構成とされる。

【００１９】請求項４の発明は、請求項１又は２の真空
気密容器において、前記外囲器５内には、前記冷却素子
１６に対向して電子を放出する電子供給部２６（２７又
は３０）が設けられており、前記冷却素子１６は、前記
電子供給部２６（２７又は３０）からの電子の流入によ
り電極２０，２１間に電流が供給されることによる吸熱
効果で前記ゲッター層２２を冷却する構成とされる。

【００２０】本発明の真空気密容器では、外囲器５とは
別体のゲッター室を不要とし、外囲器５内に設けられる
冷却素子（ペルチェ素子）１６によりゲッター層２２が
直接冷却されるので、ゲッター層２２による吸着能力を
損なうことなく、外囲器５内のガスを効率的に吸着して
外囲器５内を所望の高真空度に保持することができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】図１は本発明による真空気密容器
が適用されるＦＥＤの一般的構成を示す部分断面図であ
る。

【００２２】図１に示すように、ＦＥＤ１は、絶縁性及
び透光性を有する陽極基板２と、絶縁性を有する陰極基
板３とが、絶縁性のスペーサ部材４を介して一体に封着
された薄い箱形の外囲器５を有している。両基板２，３
の間隔は例えば５００μｍ以下に設定されている。

【００２３】尚、図示はしないが、陰極基板３の隅部に
は排気孔が形成されており、外囲器５内の気体は排気孔
から排気される。排気後、この排気孔が封止されて外囲
器５内が高真空状態に保持される。

【００２４】外囲器５内の陽極基板２と対面する陰極基
板３上には、表示部の電子源として縦型の電界放射素子
６が形成されている。電界放射素子６は、陰極基板３の
内面に形成された陰極電極７と、陰極電極７上に形成さ
れた抵抗層８と、抵抗層８上に形成された酸化シリコン
等の絶縁層９と、絶縁層９上に形成されたゲート電極１
０と、絶縁層９及びゲート電極１０に形成されたホール
１１内において抵抗層８上に設けられたコーン形状のエ
ミッタ１２を有している。尚、ＦＥＤ１として抵抗層８
の無いものもある。

【００２５】外囲器５内の陽極基板２の内面には、電界
放射素子６と対面する位置に、陽極電極１３が形成され
ている。陽極電極１３は、陽極基板２上に設けられた透
光性の陽極導体１４と、陽極導体１４上に設けられた蛍
光体層１５からなる。

【００２６】そして、このＦＥＤ１では、電界放射素子
６から電子が放出されると、この電子が陽極電極１３の
蛍光体層１５に射突して励起発光する。このときの発光
は陽極導体１４と透光性の陽極基板２を介して観察され
る。

【００２７】外囲器５内において、表示部の妨げとなら
ない位置、図１の一点鎖線で示す位置には、薄膜状の冷
却素子１６が設けられている。冷却素子１６の具体的配
設構成については後で詳述する。冷却素子１６は、異種
の金属の接触点を通して電流を流したときの接触面で熱
の吸収が起こるペルチェ効果を利用したペルチェ素子で
構成されている。冷却素子１６は、例えばＡｇ−Ｃｕ，
Ｂｉ−Ｃｕ，Ｓｂ−Ｃｕ，Ｓｂ−Ｂｉ，Ｃｕ−コンスタ
ンタン等の２種の金属膜で構成されている。

【００２８】図２及び図３はペルチェ素子による冷却素
子１６の概略構成を示す図である。図２に示す冷却素子
１６Ａは、各々がくし歯状に形成された２つの金属膜１
７，１８を有している。各金属膜１７，１８のくし歯部
１７ａ，１８ａは、互いに重ね合わされて接合面１９を
形成しており、各金属膜１７，１８のくし歯部１７ａ，
１８ａを連結する直線部が電極２０，２１を構成してい
る。電極２０，２１は、その延出部２０ａ，２１ａが外
囲器５の外に引き出されている。この冷却素子１６Ａで
は、外部からの電源により電極２０，２１間に電流を供
給することによって接合面１９で熱の吸収を行ってい
る。

【００２９】図３に示す冷却素子１６Ｂは、一方の金属
膜１８の電極２１に冷却素子１６Ａと同様の延出部２１
ａを有し、他方の金属膜１７がくし歯部１７ａのみを有
しており、くし歯部１７ａ，１８ａが互いに重ね合わさ
れて接合面１９を形成した構造である。この場合、後述
する図４、図５、図７のいずれかの構成を採用すること
により電極２０，２１間に電流が供給され、接合面１９
での熱の吸収が行われる。尚、図２及び図３に示す冷却
素子１６Ａ，１６Ｂでは、各金属膜１７，１８に４つの
くし歯部１７ａ，１８を設けて重ね合わせ、その接合面
１９にゲッター層２２が設けられる構成としたが、くし
歯部１７ａ，１８の数、接合面１９の形状は任意に設定
することができる。又、くし歯部１７ａ，１８ａは、冷
却効果を上げるために、接合部分（接合面１９）をより
多くした構造でもよい。

【００３０】冷却素子１６の接合面１９には、外囲器５
内の壁面や表示部に付着したガス（例えばＨ₂ Ｏ，Ｃ
Ｏ，ＣＯ₂ 等）を吸着して外囲器５内を高真空状態に保
持するためのゲッター層２２が設けられている。ゲッタ
ー層２２は、例えば数μｍ〜数百μｍの厚さに設定され
ている。ゲッター層２２の具体的配設構成については後
で詳述する。このゲッター層２２は、冷却素子１６の冷
却効果により、外囲器５内の他の部分に対し、例えば５
０〜１５０℃程度の温度差を持たせて冷却される。これ
により、ゲッター層２２の吸着能力の活性化を図り、ゲ
ッター効果を向上させている。

【００３１】尚、ゲッター層２２の材料としては、例え
ばＴｉ−Ｚｒ−Ａｌ，Ｔｉ−Ｚｒ−Ｖ−Ｆｅ合金等によ
る非蒸発型の材料、又は例えばＢａ−Ａｉ等による蒸発
型の材料が選択的に使用される。

【００３２】次に、図４〜図７は本発明による真空気密
容器の各実施の形態を示す図であって、冷却素子１６及
びゲッター層２２が設けれた外囲器５の具体的構成を示
す図である。尚、各実施の形態において、図１と同一の
構成部分には同一番号を付し、その説明を省略する。こ
こで、冷却素子１６の接合面１９に設けられるゲッター
層２２は、外囲器５を組み立てる前に設ける場合と、外
囲器５の組み立て後に外囲器５内に設ける場合とがあ
る。

【００３３】まず、外囲器５を組み立てる前に設ける場
合には、図４の第１実施の形態、又は図５に示す第２実
施の形態の構成が採用される。

【００３４】（第１実施の形態）この第１実施の形態の
構成では、冷却素子１６として、図３に示す冷却素子１
６Ｂの構成が採用される。冷却素子１６Ｂは、表示の妨
げにならない位置、すなわち電界放射素子６が形成され
ていない陰極基板３の絶縁層９上に設けられている。冷
却素子１６Ｂの接合面１９上には、ゲッター層２２が予
め薄膜状に形成されている。絶縁層９上には、所定間隔
離れて短冊状のゲート２５が形成されている。又、絶縁
層９上のゲート２５を間に挟んでゲッター層２２の反対
側には、鋸歯状の複数の突起部を有する電子供給部とし
てのエミッタ２６が形成されている。

【００３５】この第１実施の形態の構成では、陽極とし
て電子を捕集するゲッター層２２に数十〜数ｋＶの電圧
を印加してエミッタ２６に電界を印加し、エミッタ２６
の各突起部から電子を放出させる。これにより放出した
電子は、ゲッター層２２に射突してこれを活性化する。
活性化されて他の原子との反応性が高まったゲッター層
２２は外囲器５内のガスを吸着する。すなわち、ＦＥＤ
１の外囲器５内においてゲッタリングが行われる。

【００３６】その際、ゲッター層２２は導電性に優れた
薄膜で形成されているので、エミッタ２６からの電子に
よる加熱で発熱することはほとんどない。又、エミッタ
２６の各突起部から放出される電子は、接合面１９に陽
極として電子を捕集するゲッター層２２下の冷却素子１
６Ｂに流入される。これにより、電極２０，２１間に電
流が供給され、接合面１９での熱の吸収が行われる。そ
して、冷却素子１６Ｂの接合面１９上のゲッター層２２
が所望の温度に冷却される。

【００３７】（第２実施の形態）この第２実施の形態の
構成では、表示の妨げにならない陰極基板３の隅部に、
電界放射素子６と同一の構造による電子供給部２７が形
成されている。尚、電界放射素子６と同一の構成部分に
は同一符号を付す。この電子供給部２７に対向して、陽
極基板２の内面には陽極導体３１を介して冷却素子１６
が設けられ、さらに冷却素子１６の接合面１９にゲッタ
ー層２２が薄膜状に形成されている。この場合、ゲッタ
ー層２２を冷却する冷却素子１６としては、図３に示す
冷却素子１６Ｂの構成が採用される。

【００３８】この第２実施の形態の構成では、電子供給
部２７から電子を電界放出させて対面する陽極基板２の
ゲッター層２２に射突させれば、ゲッター層２２を活性
化させてゲッタリングを行うことができる。その際、ゲ
ッター層２２は導電性に優れた薄膜で形成されているの
で、電子供給部２７からの電子による加熱で発熱するこ
とはほとんどない。又、電子供給部２７から電子が陽極
導体３１に射突すると、陽極導体３１上に設けられた冷
却素子１６Ｂに電子が流入し、電極２０，２１間に電流
が供給され、接合面１９での熱の吸収が行われる。これ
による、冷却素子１６Ｂの接合面１９上のゲッター層２
２が所望の温度に冷却される。

【００３９】次に、外囲器５の組み立て後に設ける場合
には、図６に示す第３実施の形態の構成が採用される。

【００４０】（第３実施の形態）第３実施の形態の構成
では、表示の妨げにならず、電界放射素子６が形成され
ていない陽極基板２の隅の内面に冷却素子１６が設けら
れている。この場合の冷却素子１６としては、図２の示
す２つの電極２０，２１の延出部２０ａ，２１ａが外囲
器５の外に導出された冷却素子１６Ａの構成が採用され
る。

【００４１】冷却素子１６Ａと対面する陰極基板３上に
は、絶縁層９を支持体層として冷却素子１６の接合面１
９に対応した形状の開口部２８ａを有するゲッター層２
８が形成されている。このゲッター層２８の形成方法は
任意であるが、例えばフォトリソグラフィー法、印刷
法、蒸着法、スパッタリング法、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法等
が適用される。

【００４２】支持体層としての絶縁層９には、ゲッター
層２８の開口部２８ａに対応した開口部２９が形成され
ている。絶縁層９の開口部２９は、ゲッター層２８の下
方にある部分までえぐるように拡大されている。これに
より、ゲッター層２８がその下面の一部において絶縁層
９に支持された構造となっている。この絶縁層９におけ
る開口部２８は、エッチング液で開口部２８内を等方向
にサイドエッチングすることによって得られる。

【００４３】この構成では、図示しない外部リード端子
を介してゲッター層２８に通電してゲッター層２８を加
熱する。又は、外囲器５外から高周波誘導加熱によって
ゲッター層２８を加熱する。ゲッター層２８は、その下
面のごく一部において絶縁層９に接触しており、高い加
熱効率でゲッター物質が蒸発する。これにより、ゲッタ
ー層２８と対面する冷却素子１６Ａの接合面１９に薄膜
状のゲッター膜２２が蒸着形成される。又、外部電源に
より冷却素子１６Ａの電極２０，２１間に電流を供給す
ると、冷却素子１６Ａの接合面１９上のゲッター層２２
が所望の温度に冷却される。

【００４４】（第４実施の形態）この第４実施の形態の
構成では、表示の妨げにならない陽極基板２の隅部の内
面で、陽極基板２の幅方向に帯状の陽極導体３１が形成
されている。陽極導体３１上には、一定間隔をおいて冷
却素子１６が設けられている。図示の例では、３箇所に
設けられている。冷却素子１６の接合面１９には、前述
したように薄膜状のゲッター層２２が形成されている。
この場合、ゲッター層２２を冷却する冷却素子１６とし
ては、図３に示す冷却素子１６Ｂの構成が採用される。

【００４５】各冷却素子１６Ｂの位置に対応する陰極基
板３上には、電界放射素子６と同一の構造による電子供
給部３０が形成されている。尚、各電子供給部３０にお
いて電界放射素子６と同一の構成部分には同一符号を付
す。

【００４６】この第４実施の形態の構成では、電子供給
部３０から電子を電界放出させ、対面する冷却素子１６
Ｂの接合面１９に形成されたゲッター層２２に電子が射
突すると、ゲッター層２２が活性化されてゲッタリング
を行うことができる。その際、電子供給部３０から電子
が陽極導体３１に射突することにより、陽極導体３１上
の冷却素子１６Ｂに電子が流入し、電極２０，２１間に
電流が供給され、接合面１９での熱の吸収が行われる。
これにより、冷却素子１６Ｂの接合面１９上のゲッター
層２２が所望の温度に冷却される。

【００４７】そして、上記各実施の形態による真空気密
容器を使用したＦＥＤ１では、冷却素子１６の駆動によ
り外囲器５内の他の部分との間に温度差を持たせてゲッ
ター層２２が冷却された状況下において、オーブン工程
で外囲器５内の温度が上昇すると、外囲器５内のガスが
激しく運動し、外囲器５の壁面や表示部をなす蛍光体層
１５に付着していたガスも放出される。これらのガス
は、外囲器５内において他の部分よりも低い温度に冷却
されたゲッター層２２に到達し易くなる。その際、外囲
器５内に浮遊するガスも平衡を保つべく温度の低いゲッ
ター層２２に導かれる。そして、これらのガスは、ゲッ
ター層２２により効率的に吸着される。

【００４８】又、冷却素子１６の駆動により外囲器５内
の他の部分との間に温度差を持たせてゲッター層２２が
冷却された状況下において、エージング工程でＦＥＤ１
を駆動させると、陽極基板２の表示部を構成する蛍光体
層１５に電子が射突して表面がクリーニングされて脱ガ
スする。このガスは、外囲器５内において他の部分より
も低い温度に冷却されたゲッター層２２に到達し易くな
り、ゲッター層２２によって効率的に吸着される。

【００４９】したがって、上述した各実施の形態によれ
ば、外囲器５内の一部がゲッター室を兼ねており、従来
のように外囲器５の外側に不要な突出部であるゲッター
室を設ける必要がなく、薄型平面状の真空気密容器を構
成することができる。しかも、外囲器５内の冷却素子１
６によりゲッター層２２を直接冷却することができ、外
囲器５内におけるゲッター層２２とその周囲との間に温
度差を持たせて効果的にガスを吸着することができる。

【００５０】その際、温度差をつけすぎて熱歪みにより
クラックが生じたり、局部的に冷却しすぎて外囲器内の
局部的なガス出しが不足することなく、冷却素子１６に
供給される電流を制御することにより、外囲器５内を所
望の高真空状態に保持することができる。

【００５１】そして、上述した如く、不要な突出部を持
たないＦＥＤ１のベーキングによるガス出しとゲッター
層２２へのガス吸収効果の確実化により、外囲器５内の
真空度を長時間にわたって高く維持することができる。

【００５２】又、接合面１９にゲッター層２２が形成さ
れた冷却素子１６を、表示の妨げにならないように外囲
器５内の複数箇所に設ければ、外囲器５の形状に関係な
く、特定のゲッター層２２のみの温度を外部から制御で
き、さらにパネルの品質向上を図ることができる。

【００５３】さらに、ゲッター層２２を活性化させる際
に放出される電子供給部２６，２７，３０から電子を利
用することにより、冷却素子１６の電極２０，２１間に
電流が供給されるので、冷却素子１６を別電源によって
駆動することなく、ゲッター層２２を活性化させるため
の電源を共用して接合面１９上のゲッター層２２を冷却
することができ、さらに構成の簡素化が図れる。

【００５４】ところで、上述した実施の形態では、真空
気密容器としてＦＥＤ１を例にとって説明したが、高真
空状態で薄型の気密構造が要求される容器であれば、こ
れに限ることはなく、例えば真空マイクロ磁気センサ、
高速スイッチング素子、撮像素子、読取装置等の真空気
密容器として使用することもできる。

【００５５】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、従来のように外囲器と別体にゲッター室を設け
る必要がなく、外囲器内の一部をゲッター室として兼用
できる。又、外囲器内に設けられる冷却素子によりゲッ
ター層が直接冷却されるので、外囲器内においてゲッタ
ー層とその周囲との間に温度差を持たせることができ、
ゲッター層による吸着能力を損なうことなく、その吸着
能力を最大限に生かして外囲器内のガスを効率的に吸着
し、外囲器内を高真空状態に保持することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の真空気密容器が適用されるＦＥＤの一
般的構成を示す部分断面図

【図２】同真空気密容器内に設けられる冷却素子の拡大
平面図

【図３】同真空気密容器内に設けられる他の構成による
冷却素子の拡大平面図

【図４】（ａ）本発明による真空気密容器の第１実施の
形態を示す断面図 （ｂ）（ａ）における陰極基板側の部分拡大斜視図

【図５】本発明による真空気密容器の第２実施の形態を
示す断面図

【図６】（ａ）本発明による真空気密容器の第３実施の
形態を示す断面図 （ｂ）（ａ）における陰極基板側の部分拡大斜視図

【図７】本発明による真空気密容器の第４実施の形態を
示す陽極基板側の拡大平面図

【図８】（ａ）ＦＥＤの外囲器として使用される従来の
真空気密容器の一構成例を示す図 （ｂ）（ａ）の断面図

【符号の説明】

１…ＦＥＤ、２…陽極基板、３…陰極基板、５…外囲
器、６…電界放射素子、１６（１６Ａ，１６Ｂ）…冷却
素子、１７，１８…金属膜、１９…接合面、２０，２１
…電極、２２…ゲッター層、２６，２７，３０…電子供
給部。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 表面にゲッター層が設けられたペルチェ
   効果を有する冷却素子を外囲器内に備えたことを特徴と
   する真空気密容器。
2. 【請求項２】 前記冷却素子は、異なる２つの金属膜の
   接合からなり、該接合部分に前記ゲッター層が形成され
   た請求項１記載の真空気密容器。
3. 【請求項３】 前記冷却素子は、電極が前記外囲器の外
   に導出され、該電極間に電流が供給されることにより、
   前記ゲッター層を冷却する請求項１又は２記載の真空気
   密容器。
4. 【請求項４】 前記外囲器内には、前記冷却素子に対向
   して電子を放出する電子供給部が設けられており、 前記冷却素子は、前記電子供給部からの電子の流入によ
   り電極間に電流が供給されて前記ゲッター層を冷却する
   請求項１又は２記載の真空気密容器。