JPH05151916A - 電界放出素子を用いた画像表示装置 - Google Patents
電界放出素子を用いた画像表示装置Info
- Publication number
- JPH05151916A JPH05151916A JP33594491A JP33594491A JPH05151916A JP H05151916 A JPH05151916 A JP H05151916A JP 33594491 A JP33594491 A JP 33594491A JP 33594491 A JP33594491 A JP 33594491A JP H05151916 A JPH05151916 A JP H05151916A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- getter
- wire
- image display
- core wire
- field emission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
- H01J2209/38—Control of maintenance of pressure in the vessel
- H01J2209/385—Gettering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
Landscapes
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電界放出素子を用いた薄形の画像表示装置に
おいて、外囲器内にゲッターを設けられるようにする。 【構成】 ワイヤーゲッター２０は、Ｗ芯線２１と、Ｗ
芯線２１に巻装されたＷ細線２２に被着した絶縁層２３
と、絶縁層２３の間でＷ芯線２１に被着したゲッター材
料２４とを有している。Ｗ芯線２１の表面からみた絶縁
層２３の厚さはゲッター材料２４の厚さよりも大きく、
外方に突出している。電界放出素子を用いた画像表示装
置の外囲器内に、４辺に沿ってこのワイヤーゲッター２
０を張設する。Ｗ芯線２１への通電により、ゲッター材
料２４が蒸発して外囲器の内面にゲッター膜が形成され
る。ワイヤーゲッター２０は、絶縁層２３の部分でのみ
外囲器の内面と接触しうる。Ｗ芯線２１の熱は外囲器に
伝わりにくく、ワイヤーゲッター２０が外囲器内面の電
極と電気的に導通する恐れも小さい。
おいて、外囲器内にゲッターを設けられるようにする。 【構成】 ワイヤーゲッター２０は、Ｗ芯線２１と、Ｗ
芯線２１に巻装されたＷ細線２２に被着した絶縁層２３
と、絶縁層２３の間でＷ芯線２１に被着したゲッター材
料２４とを有している。Ｗ芯線２１の表面からみた絶縁
層２３の厚さはゲッター材料２４の厚さよりも大きく、
外方に突出している。電界放出素子を用いた画像表示装
置の外囲器内に、４辺に沿ってこのワイヤーゲッター２
０を張設する。Ｗ芯線２１への通電により、ゲッター材
料２４が蒸発して外囲器の内面にゲッター膜が形成され
る。ワイヤーゲッター２０は、絶縁層２３の部分でのみ
外囲器の内面と接触しうる。Ｗ芯線２１の熱は外囲器に
伝わりにくく、ワイヤーゲッター２０が外囲器内面の電
極と電気的に導通する恐れも小さい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外囲器のカソード基板
に電界放出素子 (Field Emission Cathode,FEC)を陰極
として備え、この電界放出素子から取出した電子を外囲
器のアノード基板にあるアノード電極の蛍光体層に射突
させて発光表示を得る画像表示装置（ＦＥＤ）に係わ
り、特に外囲器内の真空度を保持するためのゲッターに
関するものである。
に電界放出素子 (Field Emission Cathode,FEC)を陰極
として備え、この電界放出素子から取出した電子を外囲
器のアノード基板にあるアノード電極の蛍光体層に射突
させて発光表示を得る画像表示装置（ＦＥＤ）に係わ
り、特に外囲器内の真空度を保持するためのゲッターに
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、電界放出素子を用いた従来の画
像表示装置１００の一例を示す断面図である。この画像
表示装置１００の外囲器１０１は、対面するカソード基
板１０２とアノード基板１０３をスペーサ１０４を介し
て封着した構造となっている。カソード基板１０２の内
面には電界放出素子が設けられ、これに対面するように
アノード基板１０３の内面には蛍光体層を備えた表示部
としてのアノード電極が設けられている。上記の構造に
おいて、電界放出素子とアノード電極を可能な限り接近
させるため、スペーサ１０４の厚さは一般に５００μｍ
以下に設定されることが多い。ところが、従来のゲッタ
ー１０５は、図中に示すように環状の開口した金属容器
内にゲッター材料を充填したもので、その厚さは数ｍｍ
程度になっている。このため、従来はゲッター１０５を
外囲器１０１内に配設することができず、図４に示すよ
うに外囲器１０１のカソード基板１０２の裏面に箱形の
ゲッター室１０６を設けて外囲器１０１内と排気孔１０
７で導通させ、このゲッター室１０６内にゲッター１０
５を設けていた。
像表示装置１００の一例を示す断面図である。この画像
表示装置１００の外囲器１０１は、対面するカソード基
板１０２とアノード基板１０３をスペーサ１０４を介し
て封着した構造となっている。カソード基板１０２の内
面には電界放出素子が設けられ、これに対面するように
アノード基板１０３の内面には蛍光体層を備えた表示部
としてのアノード電極が設けられている。上記の構造に
おいて、電界放出素子とアノード電極を可能な限り接近
させるため、スペーサ１０４の厚さは一般に５００μｍ
以下に設定されることが多い。ところが、従来のゲッタ
ー１０５は、図中に示すように環状の開口した金属容器
内にゲッター材料を充填したもので、その厚さは数ｍｍ
程度になっている。このため、従来はゲッター１０５を
外囲器１０１内に配設することができず、図４に示すよ
うに外囲器１０１のカソード基板１０２の裏面に箱形の
ゲッター室１０６を設けて外囲器１０１内と排気孔１０
７で導通させ、このゲッター室１０６内にゲッター１０
５を設けていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】電界放出素子を用いた
従来の画像表示装置には次のような問題があった。 （１）電界放出素子を用いた画像表示装置は外囲器がき
わめて薄いという特長を有している。ところが、前述し
たように外囲器１０１にゲッター室１０６を取付ける
と、装置全体としての厚さが大きくなってしまい、薄形
であるという前記画像表示装置の特長のひとつが損われ
てしまうという問題があった。
従来の画像表示装置には次のような問題があった。 （１）電界放出素子を用いた画像表示装置は外囲器がき
わめて薄いという特長を有している。ところが、前述し
たように外囲器１０１にゲッター室１０６を取付ける
と、装置全体としての厚さが大きくなってしまい、薄形
であるという前記画像表示装置の特長のひとつが損われ
てしまうという問題があった。
【０００４】（２）ゲッター室１０６内にゲッター１０
５を設ける構造にすると、ゲッター室１０６を作る製造
工程が増えてコスト上昇を招く。
５を設ける構造にすると、ゲッター室１０６を作る製造
工程が増えてコスト上昇を招く。
【０００５】（３）外囲器１０１に取付けたゲッター室
１０６内にゲッター１０５を設け、ゲッター室１０６と
外囲器１０１を小さい排気孔１０７で連通させる構造に
すると、外囲器１０１内に発生したガスはこの小さな排
気孔１０７からゲッター室１０６内に入ってゲッター膜
１０８に吸着されなければならず、外囲器内面にゲッタ
ー膜を直接形成した場合に比べてゲッター効率が低下す
る。
１０６内にゲッター１０５を設け、ゲッター室１０６と
外囲器１０１を小さい排気孔１０７で連通させる構造に
すると、外囲器１０１内に発生したガスはこの小さな排
気孔１０７からゲッター室１０６内に入ってゲッター膜
１０８に吸着されなければならず、外囲器内面にゲッタ
ー膜を直接形成した場合に比べてゲッター効率が低下す
る。
【０００６】本発明は、外囲器内にゲッターを設けるこ
とによってゲッター室を不要とし、これによって電界放
出素子を用いた画像表示装置の薄形であるという特長を
生かすことを目的としている。
とによってゲッター室を不要とし、これによって電界放
出素子を用いた画像表示装置の薄形であるという特長を
生かすことを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る電界放出素
子を用いた画像表示装置は、カソード基板とアノード基
板がスペーサ部材を介して封着された外囲器と、前記カ
ソード基板の内面に形成された電界放出素子と、前記ア
ノード基板の内面に形成された蛍光体層を有するアノー
ド電極とを備えた画像表示装置において、金属芯線と、
前記金属芯線の表面の一部に形成された絶縁層と、前記
絶縁層間において前記金属芯線を被覆するゲッター材料
からなるワイヤーゲッターを、前記外囲器内の周縁部に
張設したことを特徴としている。
子を用いた画像表示装置は、カソード基板とアノード基
板がスペーサ部材を介して封着された外囲器と、前記カ
ソード基板の内面に形成された電界放出素子と、前記ア
ノード基板の内面に形成された蛍光体層を有するアノー
ド電極とを備えた画像表示装置において、金属芯線と、
前記金属芯線の表面の一部に形成された絶縁層と、前記
絶縁層間において前記金属芯線を被覆するゲッター材料
からなるワイヤーゲッターを、前記外囲器内の周縁部に
張設したことを特徴としている。
【０００８】本発明によれば、前記画像表示装置におい
て、前記スペース部材の厚さを５００μｍ以下にするこ
とができる。
て、前記スペース部材の厚さを５００μｍ以下にするこ
とができる。
【０００９】また本発明によれば、前記画像表示装置の
ワイヤーゲッターを、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｔｈ，Ｃｅ，Ｐ，Ｚｒ−Ａｌ，Ａｇ−Ｔｉ，Ｚｒ−
Ｎｉ等の物質群から選択した１以上の物質で構成した蒸
発形のゲッターとしてもよい。
ワイヤーゲッターを、Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔ
ａ，Ｔｈ，Ｃｅ，Ｐ，Ｚｒ−Ａｌ，Ａｇ−Ｔｉ，Ｚｒ−
Ｎｉ等の物質群から選択した１以上の物質で構成した蒸
発形のゲッターとしてもよい。
【００１０】さらに本発明によれば、前記画像表示装置
におけるワイヤーゲッターの絶縁層の外径を、ゲッター
材料の外径より大きくすることができる。
におけるワイヤーゲッターの絶縁層の外径を、ゲッター
材料の外径より大きくすることができる。
【００１１】
【作用】ゲッターがワイヤー状なのでゲッター室が不要
になり、外囲器内の５００μｍ以下の狭い空間にゲッタ
ーを設けることができる。
になり、外囲器内の５００μｍ以下の狭い空間にゲッタ
ーを設けることができる。
【００１２】
【実施例】第１実施例の画像表示装置１（以下、ＦＥＤ
１とも呼ぶ。）を図１〜図３によって説明する。図１に
示すように、このＦＥＤ１は、絶縁性及び透光性のある
アノード基板２と、絶縁性のカソード基板３とが、絶縁
性のスペーサ部材４を介して一体に封着された外囲器５
を有している。アノード基板２とカソード基板３の厚さ
は各々１〜５ｍｍ程度の厚さである。両基板２，３の間
隔は５００μｍ以下とすることができ、本実施例では２
００μｍに設定されている。前記カソード基板３の隅部
には排気孔６が形成されており、前記外囲器５内はこの
排気孔６から排気される。排気後、排気孔６は蓋部材７
によって封止され、前記外囲器５内は高真空状態に保た
れる。
１とも呼ぶ。）を図１〜図３によって説明する。図１に
示すように、このＦＥＤ１は、絶縁性及び透光性のある
アノード基板２と、絶縁性のカソード基板３とが、絶縁
性のスペーサ部材４を介して一体に封着された外囲器５
を有している。アノード基板２とカソード基板３の厚さ
は各々１〜５ｍｍ程度の厚さである。両基板２，３の間
隔は５００μｍ以下とすることができ、本実施例では２
００μｍに設定されている。前記カソード基板３の隅部
には排気孔６が形成されており、前記外囲器５内はこの
排気孔６から排気される。排気後、排気孔６は蓋部材７
によって封止され、前記外囲器５内は高真空状態に保た
れる。
【００１３】図２に示すように、外囲器５内のカソード
基板３上には電界放出素子８が形成されている。電界放
出素子８は、カソード基板３の内面に形成されたカソー
ド電極９と、カソード電極９上に形成された絶縁層１０
と、絶縁層１０上に形成されたゲート電極１１と、ゲー
ト電極１１及び絶縁層１０に形成されたホール内でカソ
ード電極９上に設けられたコーン形状のエミッタ１２と
を有している。
基板３上には電界放出素子８が形成されている。電界放
出素子８は、カソード基板３の内面に形成されたカソー
ド電極９と、カソード電極９上に形成された絶縁層１０
と、絶縁層１０上に形成されたゲート電極１１と、ゲー
ト電極１１及び絶縁層１０に形成されたホール内でカソ
ード電極９上に設けられたコーン形状のエミッタ１２と
を有している。
【００１４】図２に示すように、外囲器５内のアノード
基板２上にはアノード電極１３が形成されている。アノ
ード電極１３は、アノード基板２上に設けられた透光性
の陽極導体１４と該陽極導体１４上に設けられた蛍光体
層１５から成る。従って、前記電界放出素子８から放出
された電子がアノード電極１３の蛍光体層１５に射突し
てこれを発光させると、その発光は陽極導体１４と透光
性のアノード基板２を介して観察される。
基板２上にはアノード電極１３が形成されている。アノ
ード電極１３は、アノード基板２上に設けられた透光性
の陽極導体１４と該陽極導体１４上に設けられた蛍光体
層１５から成る。従って、前記電界放出素子８から放出
された電子がアノード電極１３の蛍光体層１５に射突し
てこれを発光させると、その発光は陽極導体１４と透光
性のアノード基板２を介して観察される。
【００１５】図１及び図２に示すように、前記外囲器５
内の四辺には、外囲器５の内面に沿って合計４本のワイ
ヤーゲッター２０がそれぞれ設けられている。各ワイヤ
ーゲッター２０は、両端にリード電極が溶接されてお
り、所定の張力が加えられた状態で各リード電極を外囲
器５の封着部に固定されて張設されている。
内の四辺には、外囲器５の内面に沿って合計４本のワイ
ヤーゲッター２０がそれぞれ設けられている。各ワイヤ
ーゲッター２０は、両端にリード電極が溶接されてお
り、所定の張力が加えられた状態で各リード電極を外囲
器５の封着部に固定されて張設されている。
【００１６】図３に示すように、このワイヤーゲッター
２０は、金属芯線としてのＷ芯線２１と、Ｗ芯線２１に
巻装されたＷ細線２２に被着している絶縁層２３と、絶
縁層２３の間でＷ芯線２１に被着しているゲッター材料
２４を有している。
２０は、金属芯線としてのＷ芯線２１と、Ｗ芯線２１に
巻装されたＷ細線２２に被着している絶縁層２３と、絶
縁層２３の間でＷ芯線２１に被着しているゲッター材料
２４を有している。
【００１７】次に、このワイヤーゲッター２０の製法と
各部の材質・寸法等について説明する。Ｗ芯線２１は外
径２５μｍのワイヤーであり、その表面にアクリルコー
トを施しておく。その上に外径１０μｍのワイヤーであ
るＷ細線２２を１ｍｍのピッチで巻装する。
各部の材質・寸法等について説明する。Ｗ芯線２１は外
径２５μｍのワイヤーであり、その表面にアクリルコー
トを施しておく。その上に外径１０μｍのワイヤーであ
るＷ細線２２を１ｍｍのピッチで巻装する。
【００１８】次に、Ａｌ2 Ｏ3 粉末を分散させた電解液
中に前記Ｗ芯線２１を浸漬し、電解液と該Ｗ細線２２の
間に電圧を印加する。Ａｌ2 Ｏ3 粉末は電気泳動の原理
に従ってＷ細線２２の表面に電着する。Ｗ芯線２１の表
面にはアクリルコートがあるのでＡｌ2 Ｏ3 粉末は電着
しない。
中に前記Ｗ芯線２１を浸漬し、電解液と該Ｗ細線２２の
間に電圧を印加する。Ａｌ2 Ｏ3 粉末は電気泳動の原理
に従ってＷ細線２２の表面に電着する。Ｗ芯線２１の表
面にはアクリルコートがあるのでＡｌ2 Ｏ3 粉末は電着
しない。
【００１９】次に、Ａｌ2 Ｏ3 粉末がＷ細線２２に電着
した後、このＷ芯線２１をＨ2 炉中において１７００°
の温度で加熱する。Ａｌ2 Ｏ3 粉末は焼結して約４０μ
ｍ厚の絶縁層２３となる。前記アクリルコートは分解蒸
発する。
した後、このＷ芯線２１をＨ2 炉中において１７００°
の温度で加熱する。Ａｌ2 Ｏ3 粉末は焼結して約４０μ
ｍ厚の絶縁層２３となる。前記アクリルコートは分解蒸
発する。
【００２０】次に、ゲッター材料２４の粉末を分散させ
た電解液中に前記Ｗ芯線２１を浸漬し、電解液とＷ芯線
２１の間に電圧を加える。ゲッター材料２４は露出して
いるＷ芯線２１の表面に電着する。Ｗ細線２２の表面に
は絶縁層２３があるのでゲッター材料２４は電着しな
い。本実施例のゲッター材料２４はＢａ−Ａｌであり、
９００〜１０００℃で焼成した後の厚さは３０μｍであ
る。
た電解液中に前記Ｗ芯線２１を浸漬し、電解液とＷ芯線
２１の間に電圧を加える。ゲッター材料２４は露出して
いるＷ芯線２１の表面に電着する。Ｗ細線２２の表面に
は絶縁層２３があるのでゲッター材料２４は電着しな
い。本実施例のゲッター材料２４はＢａ−Ａｌであり、
９００〜１０００℃で焼成した後の厚さは３０μｍであ
る。
【００２１】本実施例によれば、ワイヤーゲッター２０
全体の外径は１２５μｍとなり、絶縁層２３がゲッター
材料２４よりも２０μｍ外方に突出した形状となる。そ
して、このワイヤーゲッター２０を前述したように前記
外囲器５の内部に設置し、真空中で通電して９００〜１
０００℃の温度に加熱する。これによって前記ゲッター
材料２４が蒸発し、外囲器５の内面にゲッター膜２５が
形成される。
全体の外径は１２５μｍとなり、絶縁層２３がゲッター
材料２４よりも２０μｍ外方に突出した形状となる。そ
して、このワイヤーゲッター２０を前述したように前記
外囲器５の内部に設置し、真空中で通電して９００〜１
０００℃の温度に加熱する。これによって前記ゲッター
材料２４が蒸発し、外囲器５の内面にゲッター膜２５が
形成される。
【００２２】本実施例によれば、絶縁層２３がゲッター
材料２４よりも突出しているので、ワイヤーゲッター２
０の絶縁層２３が外囲器５の内面に接触しても、Ｗ芯線
２１からの熱が外囲器５に容易に伝わることはない。従
って、前記Ｗ芯線２１の温度が下がることはなく、また
外囲器５のカソード基板３やアノード基板２が熱で割れ
てしまうこともない。さらに、ワイヤーゲッター２０が
ゲッター膜２５を介して外囲器５内面の電極類に導通し
てしまうこともなく、また電気的短絡によって外囲器５
及び外囲器５内面の電極類に機械的破損を与えることも
ない。
材料２４よりも突出しているので、ワイヤーゲッター２
０の絶縁層２３が外囲器５の内面に接触しても、Ｗ芯線
２１からの熱が外囲器５に容易に伝わることはない。従
って、前記Ｗ芯線２１の温度が下がることはなく、また
外囲器５のカソード基板３やアノード基板２が熱で割れ
てしまうこともない。さらに、ワイヤーゲッター２０が
ゲッター膜２５を介して外囲器５内面の電極類に導通し
てしまうこともなく、また電気的短絡によって外囲器５
及び外囲器５内面の電極類に機械的破損を与えることも
ない。
【００２３】以上説明した一実施例では、ゲッター材料
としてＢａ−Ａｌを用いたが、Ｎｉ，Ｗ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚ
ｒ，Ｂａ，Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｍｎ，Ｃｅ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｈ等の金属や、これら金属を含む金
属間化合物等を用いてもよい。また、Ｚｒ−Ａｌ，Ａｇ
−Ｔｉ，Ｚｒ−Ｎｉ等の合金を用いることもできる。さ
らに、これら各物質から２種以上を任意に選んで組合せ
て用いることもできる。また、その厚さは、前記絶縁層
よりも小さければ具体的にはどのような寸法でもよい。
としてＢａ−Ａｌを用いたが、Ｎｉ，Ｗ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚ
ｒ，Ｂａ，Ａｌ，Ａｇ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｍｎ，Ｃｅ，Ｎ
ｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｈ等の金属や、これら金属を含む金
属間化合物等を用いてもよい。また、Ｚｒ−Ａｌ，Ａｇ
−Ｔｉ，Ｚｒ−Ｎｉ等の合金を用いることもできる。さ
らに、これら各物質から２種以上を任意に選んで組合せ
て用いることもできる。また、その厚さは、前記絶縁層
よりも小さければ具体的にはどのような寸法でもよい。
【００２４】また、金属芯線及び金属細線としては、前
述のようなＷのほか、Ｒｅ３％含有Ｗ，Ｎｉ，Ｔａ等を
用いることができる。そして、ワイヤーゲッター全体と
しての線径は、外囲器５を構成する両基板２，３の間隔
よりも小さくなるのであれば、実施例のものに限定され
ずどの程度の大きさでもよい。
述のようなＷのほか、Ｒｅ３％含有Ｗ，Ｎｉ，Ｔａ等を
用いることができる。そして、ワイヤーゲッター全体と
しての線径は、外囲器５を構成する両基板２，３の間隔
よりも小さくなるのであれば、実施例のものに限定され
ずどの程度の大きさでもよい。
【００２５】また、絶縁層は絶縁性のある突起物として
機能すればよく、その材質は前述したＡｌ2 Ｏ3 のほか
例えばＣａＯ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ等のセラミックも使用
できる。また、その厚さは、前記ゲッター材料よりも大
きければ具体的にはどのような寸法でもよい。
機能すればよく、その材質は前述したＡｌ2 Ｏ3 のほか
例えばＣａＯ，ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ等のセラミックも使用
できる。また、その厚さは、前記ゲッター材料よりも大
きければ具体的にはどのような寸法でもよい。
【００２６】さらに、一実施例では電着法によって絶縁
層２３の突起を形成したが、他の方法を用いてもよい。
例えば、環状の絶縁層を金属芯線に所定間隔で取付けて
もよいし、溶融させたセラミックを金属芯線に溶射して
突状の絶縁層を形成してもよい。又は、ペースト状の絶
縁物質を金属芯線に印刷等の手法で付着させ、これを焼
成して絶縁層を形成することもできる。さらに、溶剤に
絶縁物質を溶かしたものをスプレー等で金属芯線に吹き
つけ、絶縁層を形成することもできる。
層２３の突起を形成したが、他の方法を用いてもよい。
例えば、環状の絶縁層を金属芯線に所定間隔で取付けて
もよいし、溶融させたセラミックを金属芯線に溶射して
突状の絶縁層を形成してもよい。又は、ペースト状の絶
縁物質を金属芯線に印刷等の手法で付着させ、これを焼
成して絶縁層を形成することもできる。さらに、溶剤に
絶縁物質を溶かしたものをスプレー等で金属芯線に吹き
つけ、絶縁層を形成することもできる。
【００２７】前述した一実施例ではゲッター材料２４が
蒸発形であったが、これを非蒸発形としてもよい。一例
として、ジルコニウムとアルミニウムの金属間化合物
（Ｚｒ−Ａｌ）を非蒸発形のゲッター材料としてＷ芯線
２１に被着させてもよい。絶縁層２３等の構成は第１実
施例と同じでよい。このような非蒸発形のワイヤーゲッ
ッターを用いたＦＥＤでは、初めにワイヤーゲッターを
９００℃に加熱して活性化させ、点灯時には４００℃以
下に加熱することによってガス吸着を行なわせる。な
お、条件によっては電圧を加えずに常温で使用すること
もできる。
蒸発形であったが、これを非蒸発形としてもよい。一例
として、ジルコニウムとアルミニウムの金属間化合物
（Ｚｒ−Ａｌ）を非蒸発形のゲッター材料としてＷ芯線
２１に被着させてもよい。絶縁層２３等の構成は第１実
施例と同じでよい。このような非蒸発形のワイヤーゲッ
ッターを用いたＦＥＤでは、初めにワイヤーゲッターを
９００℃に加熱して活性化させ、点灯時には４００℃以
下に加熱することによってガス吸着を行なわせる。な
お、条件によっては電圧を加えずに常温で使用すること
もできる。
【００２８】
（１）ゲッターをワイヤー状に形成したので５００μｍ
以下の狭い空間に配設でき、従来必要とされていたゲッ
ター室が不要になり、従来よりも薄いＦＥＤが実現でき
る。
以下の狭い空間に配設でき、従来必要とされていたゲッ
ター室が不要になり、従来よりも薄いＦＥＤが実現でき
る。
【００２９】（２）ゲッター室が省略できるので、製造
工程が簡略化されてコストが低減する。
工程が簡略化されてコストが低減する。
【００３０】（３）ゲッター材料は金属芯線の周囲に被
着されているので、アノード基板、カソード基板及びス
ペーサ部材の各内面にそれぞれゲッター膜を形成でき
る。従って従来よりもゲッター膜の面積が広がり、ゲッ
ター効率を向上させることができる。
着されているので、アノード基板、カソード基板及びス
ペーサ部材の各内面にそれぞれゲッター膜を形成でき
る。従って従来よりもゲッター膜の面積が広がり、ゲッ
ター効率を向上させることができる。
【図１】一実施例の断面図である。
【図２】一実施例の部分拡大断面図である。
【図３】一実施例におけるワイヤーゲッターの断面図で
ある。
ある。
【図４】従来の画像表示装置の断面図である。
１ 画像表示装置 ２ アノード基板 ３ カソード基板 ４ スペーサ部材 ５ 外囲器 ８ 電界放出素子 １３ アノード電極 １５ 蛍光体層 ２０ ワイヤーゲッター ２１ 金属芯線としてのＷ芯線 ２３ 絶縁層 ２４ ゲッター材料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 新山 剛宏 千葉県茂原市大芝629 双葉電子工業株式 会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 カソード基板とアノード基板がスペーサ
部材を介して封着された外囲器と、前記カソード基板の
内面に形成された電界放出素子と、前記アノード基板の
内面に形成された蛍光体層を有するアノード電極とを備
えた画像表示装置において、金属芯線と、前記金属芯線
の表面の一部に形成された絶縁層と、前記絶縁層間にお
いて前記金属芯線を被覆するゲッター材料からなるワイ
ヤーゲッターを、前記外囲器内の周縁部に張設したこと
を特徴とする電界放出素子を用いた画像表示装置。 - 【請求項２】 前記スペーサ部材の厚さが５００μｍ以
下である請求項１記載の電界放出素子を用いた画像表示
装置。 - 【請求項３】 前記ワイヤーゲッターが、Ｔｉ，Ｖ，Ｚ
ｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｈ，Ｃｅ，Ｐ等からなる金属
群又は／およびＺｒ−Ａｌ，Ａｇ−Ｔｉ，Ｚｒ−Ｎｉ等
からなる合金群から選択された少なくとも一種以上の金
属又は／および合金からなるゲッター材料で構成された
蒸発形のワイヤーゲッターである請求項１記載の電界放
出素子を用いた画像表示装置。 - 【請求項４】 前記絶縁層の外径が、前記ゲッター材料
の外径よりも大きい請求項１記載の電界放出素子を用い
た画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03335944A JP3106630B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 電界放出素子を用いた画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03335944A JP3106630B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 電界放出素子を用いた画像表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05151916A true JPH05151916A (ja) | 1993-06-18 |
| JP3106630B2 JP3106630B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=18294087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03335944A Expired - Fee Related JP3106630B2 (ja) | 1991-11-27 | 1991-11-27 | 電界放出素子を用いた画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3106630B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5729086A (en) * | 1995-02-28 | 1998-03-17 | Institute For Advanced Engineering | Field emission display panel having a main space and an auxiliary space |
| US5925979A (en) * | 1995-12-19 | 1999-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus with getter scattering prevention |
| US5936342A (en) * | 1994-12-14 | 1999-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus and method of activating getter |
| US6160347A (en) * | 1994-10-17 | 2000-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source and image forming apparatus as well as method of providing the same with means for maintaining activated state thereof |
| US6383050B1 (en) | 1999-01-13 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming non-evaporative getter and method of producing image forming apparatus |
| US6489720B1 (en) | 1998-09-07 | 2002-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-forming apparatus and fabrication method therefor |
| US6559596B1 (en) | 1999-02-26 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Getter, air tight chamber and image forming apparatus having getter, and manufacturing method of getter |
| US6926575B1 (en) | 1999-03-31 | 2005-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing flat image display and flat image display |
| EP2009669A1 (en) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Samsung SDI Co., Ltd. | Light emission device and display device using the light emission device as a light source |
-
1991
- 1991-11-27 JP JP03335944A patent/JP3106630B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6160347A (en) * | 1994-10-17 | 2000-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron source and image forming apparatus as well as method of providing the same with means for maintaining activated state thereof |
| US5936342A (en) * | 1994-12-14 | 1999-08-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus and method of activating getter |
| US5729086A (en) * | 1995-02-28 | 1998-03-17 | Institute For Advanced Engineering | Field emission display panel having a main space and an auxiliary space |
| US5925979A (en) * | 1995-12-19 | 1999-07-20 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus with getter scattering prevention |
| US6486600B1 (en) | 1995-12-19 | 2002-11-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Image display apparatus |
| US6489720B1 (en) | 1998-09-07 | 2002-12-03 | Canon Kabushiki Kaisha | Image-forming apparatus and fabrication method therefor |
| US6383050B1 (en) | 1999-01-13 | 2002-05-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for forming non-evaporative getter and method of producing image forming apparatus |
| US6559596B1 (en) | 1999-02-26 | 2003-05-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Getter, air tight chamber and image forming apparatus having getter, and manufacturing method of getter |
| US6926575B1 (en) | 1999-03-31 | 2005-08-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for manufacturing flat image display and flat image display |
| EP2009669A1 (en) * | 2007-06-28 | 2008-12-31 | Samsung SDI Co., Ltd. | Light emission device and display device using the light emission device as a light source |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3106630B2 (ja) | 2000-11-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7635943B2 (en) | Image display device having an ion pump with reduced leakage | |
| KR100767904B1 (ko) | 화상표시장치 | |
| US7446467B2 (en) | Image display apparatus with particular ion pump location | |
| JP3106630B2 (ja) | 電界放出素子を用いた画像表示装置 | |
| JP3790044B2 (ja) | 蛍光表示装置 | |
| JPS60202637A (ja) | 螢光表示管の製造方法 | |
| JP2008124015A (ja) | 電子放出物質及びそれを備えた電子放出表示素子 | |
| JPH10177851A (ja) | 真空容器 | |
| JPH10233587A (ja) | 気密容器 | |
| JP3430560B2 (ja) | ゲッター装置及びゲッター装置を有する蛍光表示管 | |
| JPS63181248A (ja) | 電子管の製造法 | |
| JP2006066273A (ja) | 画像表示装置 | |
| JP2000323078A (ja) | 蛍光表示装置 | |
| JPS61218055A (ja) | 画像表示装置 | |
| JPH103850A (ja) | 真空気密容器 | |
| JP2003288834A (ja) | 電界放出型冷陰極 | |
| JPH01279537A (ja) | 傍熱形線状陰極 | |
| JP3396912B2 (ja) | ゲッター及びゲッターを有する蛍光表示管 | |
| JP2528456Y2 (ja) | 蛍光表示装置 | |
| JPH0729567Y2 (ja) | 蛍光発光管 | |
| JP3360266B2 (ja) | 冷陰極発光素子 | |
| KR100312691B1 (ko) | 비증발성 게터를 구비한 형광표시관 및 이 게터를 이용한 진공화 방법 | |
| JPH09306394A (ja) | 電界放出形表示装置 | |
| JPS62177840A (ja) | チツプレス蛍光表示管 | |
| JPS62213060A (ja) | 高出力低圧水銀放電ランプ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070908 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080908 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090908 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090908 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Year of fee payment: 10 Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |