TWI444510B - Single crystal breeding device - Google Patents

Description

單晶育成裝置

本發明係關於：被使用在半導體裝置製造的最基本基礎材料的矽單晶的製造之單晶育成裝置，特別是，關於藉由柴可勞斯基法(Czochralski method)而育成矽單晶之單晶育成裝置。

在製造矽單晶(以下，有單獨記載為「單晶」者)係有各種的手法，但在其中一般為柴可勞斯基法(Czochralski method)(以下，記為「CZ法」)。在藉由CZ法的單晶製造，係在已被作為減壓氛圍的爐體內，將種晶浸漬於蓄積在石英坩鍋內的矽融液，從此狀態一邊使坩鍋以及種晶旋轉、同時將種晶徐徐地向上方拉起。由此，在種晶的下方使矽的單晶成長，得到大略圓柱狀的單晶。

在藉由如此的CZ法之單晶的上拉，係已知：在結晶剖面的缺陷分布等，為相依於結晶成長速度，也就是上拉速度。越加快上拉速度，環狀的OSF產生區域越向外周部移動，最終係朝向結晶有效部分的外側而被排除。反之，因為變慢上拉速度，而環狀的OSF產生區域係向結晶中心部移動，最終在該中心部消滅。

OSF產生區域的內側和外側都是缺陷產生區域，但是其外側與內係缺陷的種類不同。另外，可知：若將上拉速 度加以高速度化，則想當然而生產性提高，再加上缺陷為細微化。因此，作為在結晶成長之一個方向性，是追求上拉的高速化。

作為用以實現高速上拉的技術，已知為：進行熱遮蔽體的配設。熱遮蔽體，係為以包圍單晶的周圍的方式設置之逆圓錐台形狀的筒狀的隔熱構件，主要是遮蔽來自坩鍋內的融液或配置於坩鍋的外側之加熱器的輻射熱。由此，因為可抑制從融液上拉的單晶的加熱，所以結果上促進了單晶的冷卻，可謀求上拉速度的高速化。

而且在最近，亦注目著：在熱遮蔽體的內側，配設：強制地水冷的筒狀的冷卻體之技術(例如：日本特開平11－92272號公報)。藉由將在內部流通冷卻水的筒狀冷卻體，以包圍單晶的周圍的方式設置在熱遮蔽體的內側，更促進單晶的特別高溫部分之冷卻，可謀求上拉速度的更高速化。

但是，在藉由如此的CZ法之單晶的育成，不可否認地：若產生單晶的非預定落下等，則以坩鍋為首的各種熱區構成構件(熱遮蔽體或冷卻體等)會破損。不過，在謀求上拉速度的高速化的零件之中，熱遮蔽體的破損並不產生那麼大的問題。

但是，在冷卻體已破損的情況，係有引起很大的事故之疑慮。因冷卻體的破損，流通於冷卻體的內部之冷卻水係漏出至爐體內，若此已漏出的冷卻水與處於溫度非常高的狀態之融液等接觸，則一口氣地產生氣化而爐體內的壓 力劇烈地上昇。也就是，有可能引起水蒸氣爆炸。另外，即使在冷卻體不破損的情況，也有因為經年累月的劣化等而自然產生漏出冷卻水之情事，在此情況亦擔心有同樣的水蒸氣爆炸。

對於如此的安全操作上的問題，在先前的單晶育成裝置，係個別以流量計測定：流入至冷卻體的冷卻水的流量、與從冷卻體流出的冷卻水的流量，僅以兩者的流量差而判定冷卻水的異常漏水(例如：日本特開2002－104895號公報)。此係著眼於：在冷卻體不產生漏水的情況，係向冷卻體的冷卻水的流入量與從冷卻體的冷卻水的流出量為一致；另一方面，若在冷卻體產生漏水，則比起向冷卻體的流入量而言，從冷卻體的流出量減少。藉由如此的單晶育成裝置，可在作業中檢測出從冷卻體的漏水，結果可在很大的事故產生之前，採取適當的處置。

然而，在上述的先前的單晶育成裝置，係當合於冷卻水的異常漏水的判定，而實際上儘管冷卻體為健全沒有漏水，但有對於冷卻體之冷卻水的流出入而產生流量差的結果，被誤判為有漏水之情事。此係起因於：向冷卻體的冷卻水之送水壓為因送水幫浦的能力或運轉狀況等而變為不安定、或從流量計的輸出受到突然雜訊的影響。若如此的誤判斷產生，則為了確認漏水的有無而決定中斷作業，對安定作業引起障礙。

於是，本發明係鑑於上述的問題而為之物，其目的為提供：一邊使用冷卻體而謀求上拉速度的高速化、同時可以高精確度檢測出從該冷卻體的漏水之安定作業性優良的單晶育成裝置。

為了達成上述目的，由本發明的單晶育成裝置，係藉由CZ法而在爐體內從原料融液而育成單晶之單晶育成裝置，含有以下的構成。在爐體內包圍由原料融液被育成之單晶，藉由在內部流通的冷卻水而被冷卻，而將前述單晶加以冷卻之冷卻體。檢測出流入至此冷卻體的前述冷卻水的流量之流入側流量計。檢測出從前述冷卻體流出的前述冷卻水的流量之流出側流量計。檢測出前述爐體內的壓力之壓力計。在藉由前述流入側流量計及前述流出側流量計的檢測值，而算出兩者的流量差，並且藉由前述壓力計的檢測值而算出每單位時間的壓力變動，根據前述流量差以及前述壓力變動而判定前述冷卻水有無漏水之控制部。

如作為如此的構成，則根據流量差及壓力變動就能判斷來自冷卻體的冷卻水漏水，而因為流量差、壓力變動係個別起因於漏水的完全不同的現象，根據兩者之漏水判斷係精確度高。

在此，若根據實用性，則前述控制部係在特定期間內，前述流量差及前述壓力變動為超過了事先設定之閾值時，判定為有漏水為理想。

另外，從將莫大的事故防止於未然的觀點來看，含有：連接於朝向前述冷卻體的前述冷卻水的流入口，在路徑 中設置了前述流入側流量計之給水管、和連接於來自前述冷卻體的前述冷卻水的流出口，在路徑中設置了前述流出側流量計之排水管、和從前述排水管分歧而開放至外部之分歧管、和開閉前述給水管的路徑之給水管用閥、和將前述排水管的路徑，在比朝向前述分歧管的分歧點還下流側之處，加以開閉之排水管用閥、和開閉前述分歧管的路徑之分歧管用閥；前述控制部，係在判定為有漏水的情況時，則將前述給水管用閥以及前述排水管用閥從開狀態切換為閉狀態，並且，將前述分歧管用閥從閉狀態切換為開狀態為理想。

如藉由本發明的單晶育成裝置，則可以高精確度檢測出來自冷卻體的漏水，可進行安定的作業。

以下，關於本發明的單晶育成裝置的一實施形態，一邊參照圖面同時詳細敘述。

第1圖係表示為本發明的一實施形態的單晶育成裝置的構成之縱剖面圖、第2圖為該單晶育成裝置的橫剖面圖。如第1圖、第2圖所示地，單晶育成裝置係一般而言亦被稱為上拉爐，作為構成外圍的爐體，具備：圓筒狀的主室1及上拉室2。上拉室2係比主室1直徑小而較長，在主室1上被配置於同軸上。

在主室1的內部，係於該中心部配置坩鍋3。坩鍋3係成為雙重構造，由：被填充多結晶矽的內側之石英坩鍋 、和嵌合於其外側之石墨製的支持坩鍋而構成。此坩鍋3，係支持在被稱為托架(pedestal)之無圖示的支持軸上，依照該支持軸的旋轉驅動、昇降驅動，一邊在圓周方向上旋轉、一邊在軸方向上昇降。

在坩鍋3的外側，係以包圍坩鍋3的方式將阻抗加熱式的加熱器4以同心圓狀地配置，在其更外側，係沿著主室1的內面而配置著保溫筒5。加熱器4係使填充於坩鍋3內的多結晶矽熔融，藉由此而在坩鍋3內蓄積著矽的融液6。

一方面，在坩鍋3的上方，係作為上拉軸的線7，為通過上拉室2的中心部而懸吊著。線7，係藉由在設置於上拉室2的上部之上拉機構而旋轉驅動的同時、在軸方向被昇降驅動。在線7的下端部，係安裝著保持種晶之種晶夾具。將被保持於種晶夾具的種晶，浸漬於坩鍋3內的融液6，一邊使該種晶旋轉、同時應使之徐徐地上昇而藉由驅動線7，在種晶的下方，矽的單晶8漸漸成長。

另外，在坩鍋3的上方，係以包圍單晶8的周圍之方式，大略圓筒狀的熱遮蔽體9為接近坩鍋3內的融液6而被設置為同心圓狀。此熱遮蔽體9係由石墨所構成，擔任阻擋來自坩鍋3內的融液6或加熱器4之輻射熱的任務。為了有效地發揮該熱遮蔽效果，所以熱遮蔽體9，係從下方朝向上方徐徐地擴大直徑，將該下部插入至坩鍋3內而使其位於坩鍋3內的融液6的上方的樣態之逆圓錐台形(錐形)為理想。

在熱遮蔽體9的內側，係大略圓筒狀的冷卻體10被同心圓狀地配置。冷卻體10係由熱傳導性良好的銅系金屬所構成，在該內部形成流通冷卻水之通水路。在冷卻體10，係於該通水路的入口連接給水管14，在通水路的出口連接排水管15。給水管14及排水管15亦由銅系金屬所構成。在冷卻體10係通過給水管14而流入冷卻水，該已流入之冷卻水係經過通水路而從冷卻體10流出，通過排水管15而被排出。如此，冷卻體10，係由在內部流通的冷卻水而被強制冷卻。

此冷卻體10，係配置於熱遮蔽體9的下部內，藉由特別包圍單晶8的凝固之後的高溫部分，擔任促進該高溫部分的冷卻之任務。而且，冷卻體10亦與熱遮蔽體9同樣地作為：從下方朝向上方徐徐地擴大直徑之錐狀。給水管14及排水管15，係在對冷卻體10不施加荷重的狀態熔接。

冷卻體10係，在爐體內的上拉軸周圍，藉由放射狀地配置之複數的支持臂13而被支持於爐體內。支持臂13係由：從主室1的上部內面，朝向爐體內中心而水平地延伸出，從中途向下方彎曲之略逆L字形的棒狀材所構成，冷卻體10，係該上緣部為在各支持臂13的各先端部，藉由螺栓等而被可裝卸地連結。各支持臂13，在此係藉由不銹鋼所構成，對冷卻體10係藉由另外系統的通水而強制地冷卻。

另外，在主室1，係連接：連繫於無圖示的真空幫浦 之真空排氣管11。藉由真空幫浦的驅動，爐體的內部空氣通過真空排氣管11而被排氣，爐體內被作為減壓氛圍。在真空排氣管11的路徑中，係設置著無圖示的蝶閥，藉由此蝶閥的開閉程度而調整爐體內的壓力。蝶閥，係藉由來自後述的第3圖所示之控制部22的指令而被驅動。

在上拉室2的上部，係連接：將Ar氣體等的惰性氣體導入爐體內之無圖示的沖洗氣體(purge gas)導入管。在爐體內，係通過沖洗氣體導入管而供給惰性氣體，爐體內被作為減壓下的惰性氣體氛圍。向爐體內的惰性氣體的導入量，係藉由設置在沖洗氣體導入管的路徑中的質量流量控制器而調整。質量流量控制器，係藉由來自後述的第3圖所示之控制部22的指令而被驅動。

於主室1，係設置：檢測出爐體的內部壓力之壓力計12。但是，爐內壓力的檢測係不限定於此，如為可實質上檢測出爐內壓力者亦佳，例如：檢測出被排出爐外的氣體壓力亦佳。

第3圖為在單晶育成裝置的漏水監視系統之系統圖。如第3圖所示地，在給水管14，係在路徑中設置第1流量計17以及自動式的第1開閉閥19。第1流量計17，係檢測出：通過給水管14而流入至冷卻體10的冷卻水之流量。作為第1流量計17係可適用超音波式之物。第1開閉閥19，係在開狀態下打開給水管14的路徑，在閉狀態下遮斷給水管14的路徑。在此的第1流量計17係被設置在：以配管長看來，從冷卻體10算起3m以內之處，第1 開閉閥19係設置在第1流量計17的上流側。在給水管14的上流區域，係配設：送出冷卻水之無圖示的送水幫浦。

同樣地，在排水管15，係在路徑中設置第2流量計18以及自動式的第2開閉閥20。第2流量計18，係檢測出：通過排水管15而從冷卻體10流出的冷卻水之流量。作為第2流量計18係可適用超音波式之物。第2開閉閥20，係在開狀態下打開排水管15的路徑，在閉狀態下遮斷排水管15的路徑。在此的第2流量計18係被設置在：以配管長看來，從冷卻體10算起3m以內之處，第2開閉閥20係設置在第2流量計18的下流側。

另外，在排水管15，係安裝：從第2流量計18與第2開閉閥20之間分歧之分歧管16。在分歧管16，在路徑中裝備著專用的自動式的第3開閉閥21。第3開閉閥21，係在開狀態下打開分歧管16的路徑，在閉狀態下遮斷分歧管16的路徑。分歧管16的下流端，係開放於爐體的外部。

第1流量計17及第2流量計18係連接於控制部22，控制部22係接受：關於在第1流量計17、第2流量計18個別檢測出的流量L1、L2之訊號。另外，在控制部22係連接壓力計12，控制部22係接受：關於在壓力計12檢測出之爐體內的壓力P之訊號。然後，第1開閉閥19、第2開閉閥20及第3開閉閥21，係藉由來自控制部22的指令而操作。

接著，說明關於如此的單晶育成裝置的結晶成長之作 業例。

在坩鍋3內裝填多結晶矽原料100kg，之後，將爐體內作為200Pa的Ar氛圍。藉由設置在坩鍋3的外側的加熱器4，熔融坩鍋3內的多結晶矽原料，使用100方位的種晶，而在該下方使直徑200mm的單晶成長。

此時，以坩鍋3內的融液6的液面水平維持於一定的方式，隨著結晶成長而使坩鍋3徐徐地上昇。另外，在與單晶8的旋轉方向相同方向或相反方向，使坩鍋3旋轉。

在通常的作業，係第1開閉閥19及第2開閉閥20都作為開狀態，另一方面，第3開閉閥21被作為閉狀態。如這麼作，則冷卻水通過已打開路徑的給水管14及排水管15而流通到冷卻體10，強制地冷卻冷卻體10。由此，特別是強制地冷卻：單晶8之凝固之後的高溫部分。其結果，作為單晶8的上拉速度，可達成2mm/分以上。附帶的，在不使用冷卻體10的情況之達成上拉速度為1mm/分左右。而且，分歧管16係因為路徑被遮斷，所以冷卻水不流通。

在此，在以下說明關於在該作業中所進行之漏水監視系統的動作。

第4圖，係表示在單晶育成裝置的漏水監視系統的動作之流程圖。如第4圖所示，首先在步驟#5，控制部22，係逐次接受：來自第1流量計17之關於朝向冷卻體10的冷卻水的流入流量L1之訊號、來自第2流量計18之關於從冷卻體10的冷卻水的流出流量L2之訊號、以及來自壓 力計12之關於爐體內的壓力P之訊號。

接著在步驟#10，控制部22係在已接受的訊號之中，藉由關於流入流量L1及流出流量L2的訊號，而逐次算出：流入流量L1與流出流量L2的流量差△L(＝L1－L2)。配合這個，藉由關於爐內壓力P的訊號，逐次算出每單位時間的壓力變動△P。

接著在步驟#15，控制部22係逐次比較：已算出的流量差△L與事先設定的閾值△LB。關於對該流量差之閾值△LB的資訊，係被收納在控制部22所搭載的記憶體。閾值△LB，係如考慮第1流量計17及第2流量計18的檢測精確度而設定則為理想，從現在的流量計的檢測精確度以及冷卻水量來看，係設定為30cc/秒以上為最佳。

配合這個，逐次比較：已算出的壓力變動△P與事先設定的閾值△PB。關於對該壓力變動之閾值△PB的資訊，亦被收納在控制部22所搭載的記憶體。閾值△PB，係在對於：從冷卻體不漏水之通常的作業時的爐內壓力變動的最大值，有2倍以上的壓力變動的情況下，判斷為異常的方式，設定閾值△PB為最佳。

在步驟#20，逐次判定：流量差△L是否超過了閾值△LB。若在冷卻體10產生漏水，則因為該漏水量係以流量差△L而顯現，所以在此係以流量差△L是否超過了閾值△LB，而可暫時地判斷有無漏水。在流量差△L還沒有超過閾值△LB的情況，係暫時地判斷為沒有漏水而進入步驟#25，另一方面，在超過的情況，係暫時地判斷為有 漏水而進入步驟#30。

在步驟#25，係逐次判定：壓力變動△P是否超過了閾值△PB。若在冷卻體10產生漏水，則因為該漏水在爐內氣化而爐體內的壓力上昇，此係以壓力變動△P而顯現，所以在此，係以壓力變動△P是否超過了閾值△PB，而可暫時地判斷有無漏水。在壓力變動△P還沒有超過閾值△PB的情況，係暫時地判斷為沒有漏水而進入步驟#5，另一方面，在超過的情況，係暫時地判斷為有漏水而進入步驟#35。

在步驟#20暫時判斷為有漏水的情況，在步驟#30，在將流量差△L超過閾值△LB的時點作為起點之特定期間內，逐次判定：壓力變動△P是否超過了閾值△PB。也就是，在流量差△L超過閾值△LB之大略同時，判定：壓力變動△P是否亦超過了閾值△PB。作為特定期間，從將向流量計輸出的突然雜訊的影響變小之觀點來看，1秒以上為最佳、從將來自冷卻體的漏水之被害加以變小的觀點來看，設定在5秒以內為最佳。

在流量差△L與壓力變動△P係大略同時地超過了閾值△LB、△PB的情況，因為成為：在時間上同時的時間點上，呈現出起因於漏水之不同的2個現象，所以在此情況係可以高精確度判斷有漏水。在步驟#30被判斷為有漏水的情況，係進入步驟#40而採取合適的安全處置。

一方面，在流量差△L與壓力變動△P係大略同時地不超過閾值△LB、△PB的情況，因為成為：在時間上保 有間隔的時序下，呈現出起因於漏水之不同的2個現象，所以在此情況係實際上沒有產生漏水，可想定為：流量差△L和壓力變動△P係被誤檢測，而可以高精確度判斷沒有漏水。在步驟#30被判斷為沒有漏水的情況，係回到步驟#5而繼續監視。

另外，在步驟#25暫時判斷為有漏水的情況，在步驟#35，在將壓力變動△P超過閾值△PB的時點作為起點之特定期間內，理想上在1秒鐘內，逐次判定：流量差△L是否超過了閾值△LB。也就是，在壓力變動△P超過了閾值△PB之大略同時，判定：流量差△L是否亦超過了閾值△LB。

在壓力變動△P和流量差△L係大略同時超過了閾值△PB、△LB的情況，與步驟#30時相同，可以高精確度判斷有漏水。在步驟#35被判斷為有漏水的情況，係進入步驟#40而採取合適的安全處置。

一方面，在壓力變動△P和流量差△L係大略同時不超過閾值△PB、△LB的情況，與步驟#30時相同，可以高精確度判斷沒有漏水。在步驟#35被判斷為沒有漏水的情況，係回到步驟#5而繼續監視。

在步驟#40，係可為如以下的安全處置。

第1，控制部22係對第1開閉閥19、第2開閉閥20以及第3開閉閥21送出指令，在將第1開閉閥19以及第2開閉閥20從開狀態切換為閉狀態的同時，將第3開閉閥21從閉狀態切換為開狀態(參照第3圖)。若如此作，則 因為給水管14以及排水管15的路徑被遮斷，所以向冷卻體10的給水係被強制地停止。配合這個，停留在冷卻體10內的冷卻水，係通過已被打開路徑的分歧管16而向外部排出。在此，在冷卻體10的內部已停止流動的冷卻水，因為：因爐體內的高溫的影響而被加熱，劇烈地昇溫而氣化，由此而產生體積膨脹而成為高壓，所以通過開放至外部的分歧管16而成為噴出至外部。因而，可將因漏水之水蒸氣爆炸防止於未然，提高安全性。

第2，將從冷卻體10有漏水的意旨，藉由警告音的發出或警示燈的開燈等而報知。由此，可認知：在冷卻體10產生了漏水。

第3，停止向加熱器4之通電。配合這個，在將貯留積融液6的坩鍋3之旋轉及昇降加以停止的同時，將懸吊著單晶8的線7之旋轉以及昇降加以停止。

在如此的單晶育成裝置，將根據來自第1流量計17、第2流量計18、以及壓力計12之檢測值的處理之一例，表示於以下的表1。

在此，將案例1~3作為1例而表示。在任一案例，都是將對流量差△L的閾值△LB作為50cc/秒、將對壓力變動△P的閾值△PB作為0.00013MPa。

在案例1，流量差△L為60cc/秒，超過閾值△LB。壓力變動△P為0.00005MPa，為閾值△PB以內。在此情況，不問流量差△L與壓力變動△P的產生時期，被判斷為沒有漏水。

在案例2，流量差△L為60cc/秒，超過閾值△LB。壓力變動△P為0.00020MPa，此亦超過閾值△PB。但是，流量差△L與壓力變動△P的產生時期並非同時，空開特定期間以上。在此情況，被判斷為沒有漏水。

在案例3，係與案例2相同，流量差△L為60cc/秒，超過閾值△LB，壓力變動△P為0.00020MPa，超過閾值△PB。但是，流量差△L與壓力變動△P的產生時期為同時。在此情況，被判斷為有漏水。

如此，在本實施形態的單晶育成裝置，係根據流量差△L及壓力變動△P就能判斷來自冷卻體的冷卻水漏水，而因為流量差△L、壓力變動△P係個別起因於漏水之完全不同的現象，根據兩者之漏水判斷係精確度高。因此，可以高精確度檢測來自冷卻體的漏水，可進行安定的作業。

在本發明的單晶育成裝置，係可在高精確度檢測來自冷卻體的漏水，安定作業性優良。因此，本發明，係在使用冷卻體而謀求上拉速度的高速化之單晶育成裝置，為非常有用。

L1‧‧‧流入流量

L2‧‧‧流出流量

P‧‧‧壓力

1‧‧‧主室

2‧‧‧上拉室

3‧‧‧坩鍋

4‧‧‧加熱器

5‧‧‧保溫筒

6‧‧‧融液

7‧‧‧線

8‧‧‧單晶

9‧‧‧熱遮蔽體

10‧‧‧冷卻體

11‧‧‧真空排氣管

12‧‧‧壓力計

13‧‧‧支持臂

14‧‧‧給水管

15‧‧‧排水管

16‧‧‧分歧管

17‧‧‧第1流量計

18‧‧‧第2流量計

19‧‧‧第1開閉閥

20‧‧‧第2開閉閥

21‧‧‧第3開閉閥

22‧‧‧控制部

第1圖係表示為本發明的一實施形態的單晶育成裝置的構成之縱剖面圖。

第2圖為第1圖的單晶育成裝置之橫剖面圖。

第3圖為漏水監視系統之系統圖。

第4圖為表示漏水監視系統的動作之流程圖。

10‧‧‧冷卻體

12‧‧‧壓力計

14‧‧‧給水管

15‧‧‧排水管

16‧‧‧分歧管

17‧‧‧第1流量計

18‧‧‧第2流量計

19‧‧‧第1開閉閥

20‧‧‧第2開閉閥

21‧‧‧第3開閉閥

22‧‧‧控制部

L1‧‧‧流入流量

L2‧‧‧流出流量

P‧‧‧壓力

Claims (2)

1. 一種單晶育成裝置，係藉由柴可勞斯基法(Czochralski method)而在爐體內，由原料融液育成單晶之單晶育成裝置，其特徵為，含有：在前述爐體內包圍由原料融液所育成之單晶，藉由在內部流通的冷卻水而被冷卻，以將前述單晶加以冷卻之冷卻體、和檢測出流入至此冷卻體的前述冷卻水的流量之流入側流量計、和檢測出從前述冷卻體流出的前述冷卻水的流量之流出側流量計、和檢測出前述爐體內的壓力之壓力計、和藉由前述流入側流量計及前述流出側流量計的檢測值，而算出兩者的流量差，並且，藉由前述壓力計的檢測值而算出每單位時間的壓力變動，根據前述流量差以及前述壓力變動而判定前述冷卻水有無漏水之控制部；前述控制部，係在1秒以上5秒以內的期間內，前述流量差以及前述壓力變動超過了事先設定的閾值時，判定為有漏水。
2. 如申請專利範圍第1項所記載的單晶育成裝置，其中，含有：連接於朝向前述冷卻體的前述冷卻水的流入口，在路徑中設置了前述流入側流量計之給水管、和連接於來自前述冷卻體的前述冷卻水的流出口，在路 徑中設置了前述流出側流量計之排水管、和從前述排水管分歧而開放至外部之分歧管、和開閉前述給水管的路徑之給水管用閥、和將前述排水管的路徑，在比朝向前述分歧管的分歧點更下流側之處，加以開閉之排水管用閥、和開閉前述分歧管的路徑之分歧管用閥；前述控制部，係在判定為有漏水的情況時，則將前述給水管用閥以及前述排水管用閥從開狀態切換為閉狀態，並且，將前述分歧管用閥從閉狀態切換為開狀態。