TWI441879B - 樹脂組成物及電路基板之製造方法 - Google Patents

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Tsuyoshi Takeda
Hiroaki Fujiwara
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Description

樹脂組成物及電路基板之製造方法
本發明係關於樹脂組成物及電路基板之製造方法。
近年來伴隨電性．電子領域的電性電路的高密度化，配線寬的細線化或配線間隔的窄化也在進展中。但是，配線間隔愈窄，則相鄰的配線間愈容易發生短路或遷移。
就能應付該問題的技術而言，專利文獻1記載如下的電路基板之製造方法。首先，在絕緣基板表面形成樹脂皮膜(樹脂皮膜形成步驟)。其次，以樹脂皮膜的外表面當做基準，形成樹脂皮膜的厚度分量以上之深度的凹部，而形成電路圖案(電路形成步驟)。其次，在電路圖案表面及樹脂皮膜表面被覆附著鍍敷觸媒或其前驅體(觸媒被覆附著步驟)。其次，從絕緣基材去除樹脂皮膜(皮膜去除步驟)。其次，僅在樹脂皮膜去除後殘留鍍敷觸媒或其前驅體的部分形成無電解鍍敷膜(鍍敷處理步驟)。依照該製造方法，能在絕緣基材上形成高精度的電性電路，可獲得短路或遷移的發生受到抑制的電路基板。
前述製造方法中，專利文獻1舉例雷射加工當做形成電路圖案之1種方法。並且，記載藉由使用對於雷射光具有之固有波長的吸收率高的樹脂皮膜而提高生產性。但是，並未記載提高樹脂皮膜之雷射光之吸收率的具體技術。
[先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1]
日本特開2010-135768號公報(段落0018、0100、0102)
本發明之目的在於：於包含對於形成於絕緣基材表面之樹脂皮膜照射雷射光而形成電路圖案之步驟的電路基板之製造方法中，提高樹脂皮膜之雷射光吸收率，且藉此達成電路基板之生產性之提高。
本發明之一態樣係一種樹脂組成物，其包含：由含有具至少1個以上羧基之單體單元的單體及可與該單體共聚合之單體構成之共聚物、及紫外線吸收劑，且當令塗佈該樹脂液而成的樹脂皮膜溶於溶劑獲得之溶液中，樹脂皮膜單位重量之吸光係數為ε1時，於對樹脂皮膜照射之光之波長的ε1為0.01(L/(g．cm))以上。
本發明之另一態樣為一種電路基板之製造方法，其包含以下步驟：使用前述樹脂組成物在絕緣基材表面形成樹脂皮膜；以樹脂皮膜之外表面當做基準，以雷射加工形成樹脂皮膜之厚度分量以上之深度的凹部，並形成電路圖案；在電路圖案表面及樹脂皮膜表面被覆附著鍍敷觸媒或其前驅體；從絕緣基材去除樹脂皮膜；僅在樹脂皮膜去除後殘留鍍敷觸媒或其前驅體之部分形成無電解鍍敷膜。
依照本發明，由於在包含對於絕緣基材表面所形成之樹脂皮膜照射雷射光而形成電路圖案之步驟的電路基板之製造方法中，能夠提高樹脂皮膜之雷射光之吸收率，故可達成電路基板之生產性提高。
 (實施發明之形態)
專利文獻1記載之電路基板之製造方法中，係於電路形成步驟，利用雷射加工形成與樹脂皮膜之厚度為相同或更大深度的凹部，亦即電路圖案。該雷射加工中，當樹脂皮膜在與雷射光之波長為相同之波長區不具吸收波長時，樹脂皮膜難吸收雷射光，故構成樹脂皮膜之聚合物之分子切斷難進行。所以，對於樹脂皮膜照射的大部分雷射光會變換為熱能，而使樹脂皮膜發生熱變形。其結果，於雷射加工後，會發生：電路圖案周邊的樹脂皮膜隆起、或聚合物成分掉落到電路圖案的凹部之中而成為殘渣殘留，或電路圖案受熔融的聚合物堵塞的現象。若發生如此的現象，則其次的觸媒被覆附著步驟中，鍍敷觸媒不會良好地被覆附著於電路圖案之凹部，最終無法良好地獲得目的之電性電路，電路基板之生產性會下降。如此的不良現象，於樹脂皮膜的厚度愈厚時(例如3μm以上)會愈顯著。
因此，希望能夠開發即使樹脂皮膜之厚度增大(例如約5μm)，但是雷射加工性仍優異，可達成電路基板生產性提高的樹脂皮膜。
本案發明人等發現藉由使用紫外線吸收劑當做提高樹脂皮膜之雷射光之吸收率者，可應付前述需求，乃完成本發明。
亦即，本實施形態之樹脂組成物，包含：由具至少1個以上羧基之單體單元之單體及可與該單體共聚合之單體構成之共聚物、及紫外線吸收劑，且於塗佈該樹脂液而成之樹脂皮膜溶於溶劑而成之溶液中，樹脂皮膜單位重量之吸光係數定為ε1時，於對樹脂皮膜照射之光之波長的ε1為0.01(L/(g．cm))以上。
又，本實施形態之電路基板之製造方法，包含以下步驟：使用前述樹脂組成物在絕緣基材表面形成樹脂皮膜；以樹脂皮膜之外表面當做基準，利用雷射加工形成樹脂皮膜之厚度分量以上之深度的凹部，並形成電路圖案；在電路圖案表面及樹脂皮膜表面被覆附著鍍敷觸媒或其前驅體；從絕緣基材去除樹脂皮膜；僅在樹脂皮膜去除後之殘留鍍敷觸媒或其前驅體之部分形成無電解鍍敷膜。
如圖1所示，本實施形態之電路基板10之製造方法，包含以下步驟：樹脂皮膜形成步驟(A)，於絕緣基材1之表面形成樹脂皮膜2；電路形成步驟(B)，以樹脂皮膜2之外表面當做基準，利用雷射加工形成樹脂皮膜2之厚度分量以上之深度之凹部3、4，並形成電路圖案；觸媒被覆附著步驟(C)，在電路圖案表面及樹脂皮膜2表面被覆附著鍍敷觸媒5或其前驅體；皮膜去除步驟(D)，從絕緣基材1去除樹脂皮膜2；鍍敷處理步驟(E)，僅在樹脂皮膜2去除後殘留鍍敷觸媒5或其前驅體之部分形成無電解鍍敷膜6。
首先，如圖1(A)所示，於樹脂皮膜形成步驟，在絕緣基材1之表面形成樹脂皮膜2。
其次，如圖1(B)所示，於電路形成步驟，以樹脂皮膜2之外表面當做基準，利用雷射加工形成樹脂皮膜2之厚度分量以上之深度之凹部3、4並形成電路圖案。電路圖案，也可為到達絕緣基材1表面之凹部，但是從最終獲得之電性電路6難脫離等觀點，較佳為如圖示，為挖入絕緣基材1之凹部。
圖中，符號3係構成電路圖案之電路溝，符號4為同樣構成電路圖案之貫通孔。利用該等電路溝3及貫通孔4，規定形成無電解鍍敷膜6，亦即形成電性電路之部分。以下，就電路圖案而言，以電路溝3為中心説明，但貫通孔4的狀況亦同。又，電路溝3，係用於形成例如電性電路6之配線者，貫通孔4係用於形成例如電性電路6之通孔者。
其次如圖1(C)所示，於觸媒被覆附著步驟，在電路溝3之表面及未形成電路溝3之樹脂皮膜2之表面被覆附著鍍敷觸媒5或其前驅體。
其次如圖1(D)所示，於皮膜去除步驟，從絕緣基材1去除樹脂皮膜2。其結果，在絕緣基材1的表面，僅在形成有電路溝3之部分之表面會殘留鍍敷觸媒5或其前驅體。另一方面，被覆附著於樹脂皮膜2表面之鍍敷觸媒5或其前驅體，會以載持於樹脂硬膜2之狀態與樹脂皮膜2同時去除。
其次，如圖1(E)所示，於鍍敷處理步驟，對於已去除樹脂皮膜2之絕緣基材1實施無電解鍍敷。其結果，僅會在鍍敷觸媒5或其前驅體殘留的部分形成無電解鍍敷膜6。亦即，會在形成有電路溝3之部分形成成為電性電路6之無電解鍍敷膜。電性電路6可以僅由無電解鍍敷膜構成，也可對於無電解鍍敷膜進一步實施無電解鍍敷(填滿鍍敷)，使鍍敷膜更為厚膜化。例如：可如圖示，以填埋電路溝3或貫通孔4全體的方式形成由無電解鍍敷膜構成的電性電路6，並且消除絕緣基材1與電性電路6之間的高低差。
利用前述各步驟(A)~(E)，可製造如圖1(E)所示之電路基板10。該電路基板10，係於絕緣基材1上形成有高精度的電性電路6，可抑制發生短路或遷移。
以下以各步驟使用之材料為主，進一步説明。
<絕緣基材>
絕緣基材1只要可用於電路基板之製造者即可，不特別限定。例如：含樹脂之樹脂基材等。
樹脂基材，可以不特別限定地採用電路基板，例如可用於多層電路基板製造之各種有機基板。有機基板之具體例，例如自以往使用在多層電路基板製造之例如由環氧樹脂、丙烯酸樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚苯醚樹脂、氰酸酯樹脂、苯并樹脂、雙馬來醯亞胺樹脂等構成的基板。
環氧樹脂，只要是可用在電路基板之製造的構成各種有機基板之環氧樹脂即可，不特別限定。例如：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、芳烷基環氧樹脂、酚/酚醛型環氧樹脂、烷酚/酚醛型環氧樹脂、雙酚型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、二環戊二烯型環氧樹脂、酚類與具酚性羥基之芳香族醇縮合物的環氧化物、異氰尿三環氧丙酯、脂環環氧樹脂等。再者，為了賦予難燃性，也可使用例如溴化或磷改性之環氧樹脂、含氮之樹脂、含矽酮之樹脂等。該等樹脂可以單獨使用，也可組合使用2種以上。
以各樹脂構成基材時，一般為了使硬化，會含有硬化劑。硬化劑，只要是可當做硬化劑使用者即可，不特別限定。例如：二氰二醯胺、酚系硬化劑、酸酐系硬化劑、胺基三/酚醛系硬化劑、氰酸酯樹脂等。酚系硬化劑，例如：酚醛型、芳烷基型、萜烯型等。再者，為了賦予難燃性，也可採用磷改性之酚樹脂或磷改性之氰酸酯樹脂等。該等硬化劑可以單獨使用，也可組合2種以上使用。
又，雖不特別限定，但由於電路形成步驟(B)係利用雷射加工形成電路圖案，故例如使用於100~400nm之波長區的雷射光吸收率高之樹脂等為佳。例如：聚醯亞胺樹脂等。
絕緣基材1也可含有填料。填料可為無機微粒也可為有機微粒，不特別限定。藉由含有填料，填料露出到雷射加工部，且由於露出之填料的凹凸可以提高鍍敷膜與樹脂之間的密合度。
構成無機微粒之材料，例如：氧化鋁(Al2 O3 )、氧化鎂(MgO)、氮化硼(BN)、氮化鋁(AlN)、二氧化矽(SiO2 )、鈦酸鋇(BaTiO3 )、氧化鈦(Ti02 )等高介電率充填材；硬質肥粒鐵等磁性充填材；氫氧化鎂(Mg(OH)2 )、氫氧化鋁(Al(OH)2 )、三氧化銻(Sb2 O3 )、五氧化銻(Sb2 O5 )、胍鹽、硼酸鋅、鉬化合物、錫酸鋅等無機系難燃劑；滑石(Mg3 (Si4 O10 )(OH)2 )、硫酸鋇(BaSO4 )、碳酸鈣(CaCO3 )、雲母等。該等無機微粒可以單獨使用，也可以組合2種以上使用。該等無機微粒，由於熱傳導性、比介電率、難燃性、粒度分布、色調自由度等高，於選擇性發揮理想機能時，藉由適當摻合及設計粒度，能夠輕易地高充填化。又，雖不特別限定，但使用絕緣基材1之厚度以下之平均粒徑的填料較佳，例如0.01~10μm，更佳為使用0.05μm~5μm之平均粒徑之填料。
為了提高無機微粒在絕緣基材1中的分散性，可以將無機微粒以矽烷偶聯劑進行表面處理，也可將矽烷偶聯劑摻合於絕緣基材1。矽烷偶聯劑不特別限定。例如：環氧矽烷系、巰基矽烷系、胺基矽烷系、乙烯基矽烷系、苯乙烯基矽烷系、甲基丙烯醯氧基矽烷系、丙烯醯氧基矽烷系、酞酸酯系等矽烷偶聯劑等。該等矽烷偶聯劑可單獨使用，也可組合使用2種以上。
又，為了提高無機微粒於絕緣基材1中之分散性，也可將分散劑摻合於絕緣基材1。分散劑不特別限定。例如：烷醚系、山梨 糖醇酐酯系、烷基聚醚胺系、高分子系等分散劑等。該等分散劑可單獨使用，也可組合使用2種以上。
<樹脂皮膜>
樹脂皮膜2係用於使鍍敷觸媒5或其前驅體僅被覆附著於經雷射加工之部分並殘留用之抗蝕劑。樹脂皮膜2，只要是在觸媒被覆附著步驟(C)不會去除，在皮膜去除步驟(D)可去除者即可，不特別限定。例如：可輕易溶於有機溶劑或鹼溶液之可溶型樹脂、或由能以後述膨潤液(例如皮膜去除步驟使用之鹼性溶液等)膨潤之樹脂構成的膨潤性樹脂皮膜等。該等之中，從容易精確去除之觀點，膨潤性樹脂皮膜尤佳。膨潤性樹脂皮膜，例如：對於膨潤液之膨潤度為50%以上較佳。又，膨潤性樹脂皮膜，不僅是實質上不溶膨潤液，而以膨潤而能輕易從絕緣基材1表面剝離之樹脂皮膜，也包含對於膨潤液膨潤且進一步至少一部分會溶解，且由於其膨潤或溶解而能輕易從絕緣基材1表面剝離之樹脂皮膜，或是對於膨潤液溶解且會由於其溶解而能輕易從絕緣基材1表面剝離之樹脂皮膜。
又，膨潤度係以下式計算。
膨潤度(%)={(Wa-Wb)/Wb)}×100
式中，Wa為樹脂皮膜之膨潤後重量、Wb為樹脂皮膜之膨潤前重量。
樹脂皮膜2之形成方法不特別限定。例如：在絕緣基材1之表面，塗佈能形成樹脂皮膜之液狀材料(樹脂液)後使乾燥之方法，或於支持基板塗佈能形成樹脂皮膜之液狀材料(樹脂液)後使乾燥，將藉此形成之樹脂皮膜轉印在絕緣基材1表面之方法等。又，塗佈液狀材料之方法不特別限定。例如：已知的旋塗法或桿塗法等。
樹脂皮膜2之厚度為10μm以下較佳，5μm以下更佳，3μm以下又更佳。又，樹脂皮膜2之厚度為0.1μm以上較佳，0.5μm以上更佳，1μm以上又更佳。樹脂皮膜2之厚度若過厚時，電路形成步驟(B)中以雷射加工形成之電路溝3或貫通孔4等電路圖案的精度會有降低之傾向。樹脂皮膜2之厚度過薄時，形成均勻膜厚的樹脂皮膜2會有變難的傾向。又，會發生可能剝離直到電路形成步驟(B)中以雷射加工形成之電路溝3或貫通孔4等電路圖案之周圍的樹脂皮膜2，而造成在不需要的部分形成鍍敷膜(與後述「露出」之問題相關)。
膨潤性樹脂皮膜，如前述，較佳為使用對於膨潤液之膨潤度為50%以上之樹脂皮膜。再者，使用對於膨潤液之膨潤度為100%以上之樹脂皮膜更佳。又，膨潤度若過低時，皮膜去除步驟(D)中，膨潤性樹脂皮膜會有變得難剝離的傾向。
膨潤性樹脂皮膜之形成方法不特別限定，與前述樹脂皮膜2之形成方法為同樣方法即可。亦即，在絕緣基材1表面以旋塗法或桿塗法等塗佈能形成膨潤性樹脂皮膜之液狀材料後使乾燥之方法，或於支持基板塗佈能形成樹脂皮膜之液狀材料後使乾燥，將藉此形成之膨潤性樹脂皮膜轉印在絕緣基材1表面之方法等。
能形成膨潤性樹脂皮膜之液狀材料，例如：彈性體之懸浮液或乳化液等。彈性體之具體例，例如：苯乙烯-丁二烯系共聚物等二烯系彈性體、丙烯酸酯系共聚物等丙烯酸系彈性體、及聚酯系彈性體等。依照如此的彈性體，藉由調整分散為懸浮液或乳化液之彈性體樹脂粒子之交聯度或凝膠化度等，可以輕易形成理想膨潤度之膨潤性樹脂皮膜。
膨潤性樹脂皮膜，尤以膨潤度依存於膨潤液之pH而變化之皮膜較佳。使用如此的皮膜時，藉由使觸媒被覆附著步驟(C)之液性 條件與皮膜去除步驟(D)之液性條件為不同，於觸媒被覆附著步驟(C)的pH，膨潤性樹脂皮膜實質上不會膨潤(在此，實質上不膨潤係指未膨潤到發生溶解或剝離的程度，且意指於觸媒被覆附著步驟(C)之pH為酸性時，具有耐酸性)，對於絕緣基材1維持高度密合力，於皮膜去除步驟(D)之pH，膨潤性樹脂皮膜會膨潤或溶解，而能輕易從絕緣基材1剝離。
具體而言，例如：當觸媒被覆附著步驟(C)具備於pH1~3之範圍的酸性鍍敷觸媒膠體溶液(酸性觸媒金屬膠體溶液)中進行處理之步驟，皮膜去除步驟(D)具備於pH12~14之範圍的鹼性溶液中使膨潤性樹脂皮膜膨潤之步驟時，膨潤性樹脂皮膜較佳為，對於酸性鍍敷觸媒膠體溶液之膨潤度為60%以下，更佳為50%以下，又更佳為40%以下(亦即顯示耐酸性)，對於鹼性溶液之膨潤度為50%以上，更佳為100%以上，又更佳為500%以上(亦即顯示鹼剝離性)之樹脂皮膜。惟，條件為：膨潤性樹脂皮膜對於酸性鍍敷觸媒膠體溶液之膨潤度，比起對於鹼性溶液之膨潤度為小。
如此的膨潤性樹脂皮膜，例如由具有既定量之羧基之彈性體形成之片材、或印刷電路板之圖案化用之乾燥膜抗蝕劑(以下也稱為DFR)等使用之光硬化性鹼顯影型抗蝕劑予以全面硬化而得之片材、或熱硬化性或鹼顯影型片材等。
具有羧基之彈性體之具體例，例如含有具羧基之單體單元當做共聚合成分，而在分子中具有羧基之苯乙烯-丁二烯系共聚物等二烯系彈性體；丙烯酸酯系共聚物等丙烯酸系彈性體；及聚酯系彈性體等。依照如此的彈性體，藉由調整分散為懸浮液或乳化液之彈性體之酸當量、交聯度或凝膠化度等，可以形成具有理想鹼膨潤度之膨潤性樹脂皮膜。彈性體中的羧基，具有以下作用：對於鹼水溶液使膨潤性樹脂皮膜膨潤，而使膨潤性樹脂皮膜從絕緣基材表面剝離。又，酸當量係指每1個羧基之聚合物分子量。
具有羧基之單體單元之具體例，例如：(甲基)丙烯酸、富馬酸、桂皮酸、巴豆酸、衣康酸、及馬來酸酐等。
如此的具羧基之彈性體中的羧基的含有比例，以酸當量計，為100~2000較佳，更佳為100~800。酸當量過小時(羧基之數目相對多時)，由於與溶劑或其他組成物之互溶性降低，對於鍍敷前處理液之耐受性會有降低的傾向。又，酸當量過大時(羧基之數目相對少時)，對於鹼水溶液之剝離性會有降低之傾向。
又，彈性體之重量平均分子量為5,000~100萬，較佳為1萬~100萬，更佳為2萬~6萬。彈性體之分子量過大時，剝離性會有降低之傾向，過小時，由於黏度降低，維持膨潤性樹脂皮膜之厚度為均勻會變得困難，且同時對於鍍敷前處理液之耐受性也會有惡化的傾向。
又，樹脂皮膜，例如：將(a)與(b)聚合而獲得之聚合物樹脂或由含該聚合物樹脂之樹脂組成物構成者：(a)分子中具有至少1個聚合性不飽和基之羧酸或酸酐至少1種以上之單體、(b)能與前述單體(a)聚合之至少1種以上之單體。
樹脂組成物，主要樹脂係以聚合物樹脂為必要成分，也可添加至少1種寡聚物、單體、填料或其他添加劑。主要樹脂可為具有熱塑性質之線型聚合物。為了控制流動性、結晶性等，也可嫁接而使分支。其重量平均分子量為約1000~500000，5000~50000為較佳。分子量若過小，膜之彎曲性或對帶有鍍敷核之藥液之耐受性(耐酸性)會有降低之傾向。又，分子量若過大，鹼剝離性或製成乾燥膜時的貼合性會有變差的傾向。再者，為了提高對帶有鍍 敷核的藥液的受耐性或抑制雷射加工時之熱變形、控制流動，也可導入交聯點。
當做主要樹脂之前述聚合物樹脂之組成，如上述，可藉由將(a)與(b)聚合而得：
(a)分子中具有至少1個聚合性不飽和基之羧酸或酸酐之單體
(b)能與前述(a)單體聚合之單體。公知技術，例如：日本特開平7-281437號公報或日本特開2000-231190號公報、日本特開2001-201851號公報記載者等。
(a)，例如：(甲基)丙烯酸、富馬酸、桂皮酸、巴豆酸、衣康酸、馬來酸酐、馬來酸半酯、丙烯酸丁酯等，可以單獨使用或組合2種以上。
(b)，一般而言，例如為非酸性且分子中具有(1個)聚合性不飽和基者，但不限於此。可以選擇以保持鍍敷步驟之耐受性、硬化膜之可撓性等各種特性。具體而言，例：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯類。又，乙酸乙烯酯等乙烯醇之酯類或(甲基)丙烯腈、苯乙烯或可聚合之苯乙烯衍生物等。又，也可僅由分子中具有1個前述聚合性不飽和基之羧酸或酸酐聚合而得。再者，可以能夠3維交聯的方式，選擇具有多數不飽和基之單體當做聚合物使用之單體，而於分子骨架導入環氧基、羥基、胺基、醯胺基、乙烯基等反應性官能基。樹脂中含有的羧基之量，以酸當量計，為100~2000為佳，100~800為較佳。酸當量過低時，與溶劑或其他組成物之互溶性會有降低或鍍敷前處理液耐受性會有降低之傾向。又，酸當量過高時，剝離性會有降低之傾向。又，(a)單體之組成比率為5~70質量%。
單體或寡聚物，只要是對於帶有鍍敷核之藥液具耐受性或能以鹼輕易去除者即可。又，為了提高乾燥膜(DFR)的貼合性，可考慮使用塑化劑當做黏著性賦予材。再者，為了提高各種耐受性，會添加交聯劑。具體而言，例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯類。又，乙酸乙烯酯之乙烯醇之酯類或(甲基)丙烯腈、苯乙烯或可聚合之苯乙烯衍生物等。又，也可僅將分子中具有1個前述聚合性不飽和基之羧酸或酸酐聚合而獲得。再者，也可含有多官能性不飽和化合物。也可為前述單體或使單體反應獲得之寡聚物任一者。前述單體以外，也可含有2種以上其他光聚合性單體。單體，例如：1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-環己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、及聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚氧乙烯聚氧丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚氧化烯烴二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-二(對羥基苯基)丙烷二(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三環氧丙醚三(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二環氧丙醚三(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙(4-甲基丙烯醯氧基五乙氧基苯基)丙烷、含胺甲酸酯基之多官能(甲基)丙烯酸酯等。前述單體或使單體反應而得之寡聚物任一者均可。
再者，也可含有填料。填料不特別限定，例如：二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、黏土、高嶺土、氧化鈦、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鋅、滑石、雲母、玻璃、鈦酸鉀、矽灰石、硫酸鎂、硼酸鋁、有機填料等。又，樹脂皮膜之厚度一般薄至1~10μm，故填料尺寸亦小較佳。可使用平均粒徑小、而切成粗粒者，也可於分散時破碎或以過濾去除粗粒。
其他添加劑，例如：光聚合性樹脂(光聚合起始劑)、聚合抑制劑、著色劑(染料、顏料、發色系顏料)、熱聚合起始劑、環氧化合物或胺甲酸酯等交聯劑等。
又，DFR，可使用：具有既定量羧基之丙烯酸系樹脂；環氧系樹脂；苯乙烯系樹脂；酚系樹脂；胺甲酸酯系樹脂等當做樹脂成分，並且含有光聚合起始劑之光硬化性樹脂組成物之片材。如此的DFR的具體例，例如將日本特開2000-231190號公報、日本特開2001-201851號公報、日本特開平11-212262號公報揭示之光聚合性樹脂組成物之乾燥膜全面硬化而獲得之片材，或以鹼顯影型DFR的形式市售之例如旭化成(股)公司製UFG系列等。
再者，其他膨潤性樹脂皮膜，例如具有羧基之以松香為主成分之樹脂(例如，吉川化工(股)公司製「NAZDAR229」)，或以酚為主成分之樹脂，例如：LEKTRACHEM公司製「104F」)等。
膨潤性樹脂皮膜，可藉由在絕緣基材表面利用自以往為人所知的旋塗法或桿塗法等塗佈方法塗佈樹脂之懸浮液或乳化劑後進行乾燥之方法，或者將形成於支持基板之DFR利用真空層合機等貼合於絕緣基材表面後將其全面硬化而輕易形成。
又，構成前述樹脂皮膜之抗蝕劑材料，除了前述以外，尚例如以下者。
對於構成前述樹脂皮膜之抗蝕劑材料為必要之特性，例如：(1)於後述觸媒被覆附著步驟，對於浸漬形成有樹脂皮膜之絕緣基材的液體(帶有鍍敷核之藥液)的耐受性高、(2)於後述皮膜去除步驟，可藉由將例如形成有樹脂皮膜之絕緣基材浸漬於鹼的步驟而輕易去除樹脂皮膜(抗蝕劑)、(3)成膜性高、 (4)容易形成乾燥膜(DFR)、(5)保存性高等。
帶有鍍敷核之藥液，將於後述，例如：為酸性Pd-Sn膠體觸媒系時，均為酸性(pH1~2)水溶液。又，為鹼性Pd離子觸媒系時，觸媒賦予活化劑為弱鹼(pH8~12)，除此以外為酸性。由以上，對於帶有鍍敷核之藥液之耐受性，需要耐受pH1~11，較佳為pH1~12。又，能夠耐受，係指將抗蝕劑成膜後的樣本浸漬於藥液時，能夠充分抑制抗蝕劑膨潤或溶解，可達成當做抗蝕劑的作用。又，一般而言，浸漬溫度為室溫~60℃，浸漬時間為1~10分鐘，抗蝕劑膜厚為1~10μm左右，但不限於該等。
皮膜去除步驟使用之鹼剝離之藥液，將於後述，例如一般為NaOH水溶液或碳酸鈉水溶液。其pH為11~14，較佳為pH12至14，且理想為能簡單去除抗蝕劑膜者。NaOH水溶液濃度，為約1~10%，處理溫度為室溫~50℃，處理時間為1~10分鐘，一般係進行浸漬或噴塗處理，但不限於該等。
為了在絕緣材料上形成抗蝕劑，成膜性亦為重要。必需形成沒有眼孔等的均勻的膜。又，為了簡化製造步驟或減少材料損耗等，將其乾燥膜化，但為了確保操作性，膜需要有彎曲性。又，將在絕緣材料上乾燥膜化之抗蝕劑以層合機(輥、真空)貼合。貼合溫度為室溫~160℃，壓力或時間為任意。以此方式，於貼合時要求黏著性。為此，一般係將乾燥膜化之抗蝕劑製成以載膜、蓋膜夾持的3層構造，也兼具防止污染的功能，但不限於此。
保存性最佳是能於室溫保存，但是也需要能於冷藏、冷凍保存。如此，需要不會發生於低溫時乾燥膜之組成分離、或彎曲性降低而破裂。
抗蝕劑材料之樹脂組成，係以主要樹脂(黏結劑樹脂)為必要成分，並可添加至少1種寡聚物、單體、填料或其他添加劑。
主要樹脂可為具熱塑性質之線型聚合物。為了控制流動性、結晶性等，有時會接枝使分支。其分子量，就數量平均分子量計，為約1000~500000，5000~50000為較佳。分子量若太小，膜之彎曲性或附鍍敷核之藥液耐受性(耐酸性)會有降低之傾向。又，分子量若過大，鹼剝離性或製成乾燥膜時之貼合性會有變差的傾向。再者，為了提高帶有鍍敷核之藥液耐受性或抑制雷射加工時之熱變形、控制流動性，也可導入交聯點。
主要樹脂之組成，可藉由將(a)與(b)聚合而得：
(a)分子中具有至少1個聚合性不飽和基之羧酸或酸酐之單體
(b)能與(a)單體聚合之單體。
公知技術，例如：日本特開平7-281437號公報、日本特開2000-231190號公報、及日本特開2001-201851號公報記載者等。
(a)，例如：(甲基)丙烯酸、富馬酸、桂皮酸、巴豆酸、衣康酸、馬來酸酐、馬來酸半酯、丙烯酸丁酯，可以單獨使用或組合2種以上。
(b)，一般為例如為非酸性且分子中具有(1個)聚合性不飽和基者，但不限於此。可以選擇以保持鍍敷步驟之耐受性、硬化膜之可撓性等各種特性。具體而言，例：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯類。又，乙酸乙烯酯等乙烯醇之酯類或(甲基)丙烯腈、苯乙烯或可聚合之苯乙烯衍生物等。又，也可僅由分子中具有1個前述聚合性不飽和基之羧酸或酸酐聚合而得。再者，可以能夠3維交聯的方式，選擇具有多數不飽和基之單體當做聚合物使用之單體，而於分子骨架導入環氧基、羥基、胺基、醯胺基、乙烯基等反應性官能基。樹脂中含有的羧基之量，以酸當量 計，為100~2000為佳，100~800為較佳。酸當量過低時，與溶劑或其他組成物之互溶性會有降低或鍍敷前處理液耐受性會有降低之傾向。又，酸當量過高時，剝離性會有降低之傾向。又，(a)單體之組成比率為5~70質量%。
單體或寡聚物，只要是對於帶有鍍敷核之藥液具耐受性或能以鹼輕易去除者即可。又，為了提高乾燥膜(DFR)的貼合性，可考慮使用塑化劑當做黏著性賦予材。再者，為了提高各種耐受性，會添加交聯劑。具體而言，例如：(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸第二丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯類。又，乙酸乙烯酯之乙烯醇之酯類或(甲基)丙烯腈、苯乙烯或可聚合之苯乙烯衍生物等。又，也可僅將分子中具有1個前述聚合性不飽和基之羧酸或酸酐聚合而獲得。再者，也可含有多官能性不飽和化合物。也可為前述單體或使單體反應獲得之寡聚物任一者。前述單體以外，也可含有2種以上其他光聚合性單體。單體，例如：1,6-己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-環己烷二醇二(甲基)丙烯酸酯、及聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚氧乙烯聚氧丙二醇二(甲基)丙烯酸酯等聚氧化烯烴二醇二(甲基)丙烯酸酯、2-二(對羥基苯基)丙烷二(甲基)丙烯酸酯、甘油三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三環氧丙醚三(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二環氧丙醚三(甲基)丙烯酸酯、2,2-雙(4-甲基丙烯醯氧基五乙氧基苯基)丙烷、含胺甲酸酯基之多官能(甲基)丙烯酸酯等。前述單體或使單體反應而得之寡聚物任一者均可。
再者，也可含有填料。填料不特別限定，例如：二氧化矽、氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、黏土、高嶺土、氧化鈦、硫酸鋇、氧化鋁、氧化鋅、滑石、雲母、玻璃、鈦酸鉀、矽灰石、硫酸鎂、硼酸鋁、有機填料等。又，樹脂皮膜之厚度一般薄至1~10μm，故 填料尺寸亦小較佳。可使用平均粒徑小、而切成粗粒者，也可於分散時破碎或以過濾去除粗粒。
其他添加劑，例如：光聚合性樹脂(光聚合起始劑)、聚合抑制劑、著色劑(染料、顏料、發色系顏料)、熱聚合起始劑、環氧化合物或胺甲酸酯等交聯劑等。
本發明之印刷板加工處理中，例如，有時可使用雷射加工，但使用雷射加工時，必需對於抗蝕劑材料以雷射賦予研磨性，雷射加工機，例如可選擇二氧化碳雷射或準分子雷射、UV-YAG雷射等。該等雷射加工機具有各種固有的波長，藉由使成為對於該波長的吸收率高的材料，能提高生產性。其中，UV-YAG雷射適合微細加工，雷射光之基本波長為1064nm，3倍高次諧波為355nm，4倍高次諧波為266nm，故抗蝕劑材料以對於該等波長的吸收率高者為理想。另一方面，有時使用吸收率低某個程度的材料較佳。具體而言，若使用UV吸收率低的抗蝕劑，由於UV光會穿透抗蝕劑，所以，能量會集中於基底的絕緣層加工。亦即，由於雷射光的吸收率不同，優點有所不同，因此宜視狀況使用已調整抗蝕劑之雷射光的吸收率的抗蝕劑。
《本實施形態之特徵及作用效果》
本實施形態係使用以下樹脂組成物，其含有：由(i)至少具有1個以上羧基之單體單元的單體及(ii)可與該單體共聚合之單體構成的共聚物、及紫外線吸收劑。於此情形，使用以下的樹脂組成物：當塗佈樹脂組成物的樹脂液而生成的樹脂皮膜2以溶劑(例如甲醇等)溶解成的溶液中，樹脂皮膜2的單位重量(1g/L)的吸光係數定為ε1時，於對樹脂皮膜2照射的光(雷射光)的波長(例如，266nm或355nm等)的ε1為0.01(L/(g．cm))以上。藉此，可獲得對於雷射光具有的固有波長的吸收率高的樹脂皮膜2。並且，藉此，可達成雷射加工性提高，並且提高電路基板10之生產性。
又，前述吸光係數ε1例如從「殘渣」的問題的觀點，0.1(L/(g．cm))以上，更佳為1.0(L/(g．cm))以上時可獲得較佳結果。又，前述吸光係數ε1，例如從「露出」的問題的觀點，10(L/(g．cm))以下時可獲得較佳結果。
本實施形態中，吸光係數ε1，例如可依如下方式獲得。舉對於樹脂皮膜2照射之光的波長為355nm為例説明。將藉由塗佈樹脂組成物之樹脂液而形成之樹脂皮膜溶於例如甲醇，並且製備樹脂皮膜之甲醇溶液(濃度：0.40g/L)。將製備的甲醇溶液之吸收光譜使用紫外可見分光光度計，於例如200~600nm之範圍進行測定。依據獲得之光譜數據(吸光度A)，以下列[式]，計算於355nm之吸光係數ε1。吸光係數ε1相當於在樣本槽(cell)長d為1公分的樣本槽中裝入溶液濃度c為1g/L的溶液並測定時的吸光度。
[式]於355nm的吸光度A=ε1(L/(g．cm))×c(g/L：溶液之濃度)×d(cm：樣本槽長度)
本實施形態中，於電路形成步驟對於樹脂皮膜2照射之雷射光之波長為266nm或355nm，紫外線吸收劑例如：至少於250~400nm，再者至少於300~400nm具有吸收波長。藉此，使用4倍高次諧波之UV-YAG雷射或3倍高次諧波之UV-YAG雷射，可獲得雷射吸收率高的樹脂皮膜2。
本實施形態中，紫外線吸收劑例如選自於由苯并三唑衍生物、二苯基酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、三衍生物、苯并噻唑衍生物及苯甲醯基甲烷構成的群組當中至少1種。該等為：共軛系具有與苯為同程度或比苯更廣的構造，且具有芳香環與雜原子之化合物。藉由使如此的紫外線吸收劑含有於樹脂皮膜2中，無論樹脂皮膜2之厚度(例如樹脂皮膜2之厚度厚到5μm)，仍能提高雷射加工時在雷射加工波長區之樹脂皮膜2之雷射光吸收率，雷射 加工性提高。藉此，能減少樹脂皮膜在雷射加工後之加工部的殘渣，抑制樹脂皮膜之隆起或電路圖案堵塞的不良現象。所以，最終的選擇性鍍敷能形成良好的電路，能在絕緣基材上形成高精度的電性電路，可獲得短路或遷移之發生受到抑制的電路基板10。
關於樹脂皮膜2之隆起，本實施形態中，當於雷射加工使用之雷射光之波長(355nm或266nm等)將樹脂皮膜2進行雷射加工，並且形成電路溝3或貫通孔4時，雷射加工後的加工部的周邊的樹脂皮膜之厚度宜具有在雷射加工後為雷射加工前之2倍以下的加工特性。藉此，能抑制隆起，使鍍敷觸媒5於電路圖案的凹部被覆附著良好，最終的目的電性電路之形成成為良好，且能抑制電路基板10之生產性降低。更具體的狀況，例如：於如圖1(B)所示之電路形成步驟，當以樹脂皮膜2之外表面當做基準，以雷射加工形成超過樹脂皮膜2之厚度分量之深度之凹部3、4時，亦即也挖入絕緣基材1時，樹脂皮膜2具有雷射加工部周邊之樹脂皮膜2之厚度為：雷射加工後為雷射加工前之2倍以下之加工特性較佳。
本實施形態中，紫外線吸收劑之含量，相對於共聚物為0.1~60質量%較佳。藉由使紫外線吸收劑之含量為0.1質量%以上，可充分達成樹脂皮膜2之雷射光吸收率之提高。藉由使紫外線吸收劑之含量為60質量%以下，可抑制由於樹脂皮膜2之雷射光吸收率過大所引起的「露出」的問題(後述)。
紫外線吸收劑相對於共聚物之含量，例如從「殘渣」的問題的觀點，更佳為1質量%以上，又更佳為5質量%以上。
本實施形態中，紫外線吸收劑可使用例如苯并三唑系之商品「TINUVIN」系列。該等紫外線吸收劑之吸收區，視取代基及共軛系的廣大程度，至少包含250~400nm，再者至少包含 300~400nm，係以包含YAG雷射加工機之雷射波長266nm或355nm之波長區為吸收波長者。例如「TINUVIN P」(λmax(吸收極大)340nm)、「TINUVIN 234」(λmax(吸收極大)346nm)、「TINUVIN 326」(λmax(吸收極大)353nm)、「TINUVIN329」(λmax(吸收極大)340nm)、「TINUVIN 213」(λmax(吸收極大)343nm)、「TINUVIN 571」(λmax(吸收極大)344nm)等。又，「TINUVIN 571」(2-(5-甲基-2-羥基-3-十二基苯基[分支或直鏈)苯并三唑)為液狀，於本實施形態中，從操作之觀點為較佳。
又，本實施形態中，紫外線吸收劑例如可使用二苯基酮系之商品「CHIMASSORB 81」等。該等紫外線吸收劑之吸收領域也可因應取代基及共軛系之廣大程度，至少包含250~400nm，進一步至少包含300~400nm，以包含YAG雷射加工機之雷射波長266nm或355nm之波長區當做吸收波長。
又，本實施形態中，紫外線吸收劑例如可使用苯甲酸酯系之商品「TINUVIN 120」等。該等紫外線吸收劑之吸收領域也因應取代基及共軛系之廣大程度，至少包含250~400nm，再者包含300~400nm，為以包含YAG雷射加工機之雷射波長266nm或355nm之波長區為吸收波長者。
又，本實施形態中，紫外線吸收劑例如可使用三系之商品「TINUVIN 1577」等。該等紫外線吸收劑之吸收領域也因應取代基及共軛系之廣大程度，至少包含250~400nm，進一步至少包含300~400nm，係以包含YAG雷射加工機之雷射波長266nm或355nm之波長區當做吸收波長者。
本實施形態中，藉由單獨使用1種該等紫外線吸收劑或組合使用2種以上，可獲得例如至少對於250~400nm，進一步為至少對300~400nm之波長的吸收率高的樹脂組成物，甚至抗蝕劑材 料。其結果，能以使用頻度為高且泛用性高之4倍高次諧波之UV-YAG雷射或3倍高次諧波之UV-YAG雷射等，將樹脂皮膜2以良好精度進行微細加工，能良好地形成電路，並以良好生產性在絕緣基板上形成高精度的電性電路。
如前述，本實施形態中，於樹脂皮膜形成步驟中，係將液狀材料(樹脂組成物之樹脂液)塗佈在絕緣基材1表面後將其乾燥，藉此於絕緣基材1表面形成樹脂皮膜2。或，於樹脂皮膜形成步驟中，將液狀材料(樹脂組成物之樹脂液)塗佈於支持基板上後將其乾燥，將形成為支持基板上之樹脂皮膜(乾燥膜)轉印到絕緣基材1之表面，藉此將樹脂皮膜2形成於絕緣基材1之表面。於此情形，樹脂皮膜之厚度於在絕緣基材1塗佈液狀材料之前者的情形，容易達1μm，於轉印乾燥膜之後者之情形，容易達3~5μm。本實施形態中，樹脂皮膜之厚度較大時形成樹脂皮膜(抗蝕劑)較容易。因此，本實施形態中，樹脂皮膜2之厚度目標為3~5μm的厚度。又，樹脂皮膜2若過薄，由於伴隨樹脂皮膜之雷射吸收率提高，雷射加工性也會變得良好，故不僅是電路圖案之凹部，連應是電路圖案的凹部的周圍的樹脂皮膜也會去除，可能會造成樹脂皮膜2之下之絕緣基材1之表面露出(「露出」之問題)。如此，鍍敷觸媒也會被覆附著於電路圖案以外之電路圖案的周圍，並造成電路圖案的周邊也形成鍍敷膜，會妨礙電性電路(配線寬)的細線化。該絕緣基材1之「露出」之間題，不僅是樹脂皮膜2過薄時會發生，於樹脂皮膜2含有過多紫外線吸收劑時也會發生。
本實施形態中，樹脂皮膜2希望具有雷射加工性、耐酸性、鹼剝離性均優良的特性。本實施形態中，藉由使用紫外線吸收劑，能提高樹脂皮膜2之雷射光吸收率、雷射加工性。此時，希望維持著其他必要的特性(耐酸性及鹼剝離性)，且雷射加工性優異。從如此的觀點，以由(i)與(ii)構成之共聚物當做構成樹脂皮膜2之聚 合物之成分：(i)含有具有至少1個以上之羧基的單體單元的單體；(ii)能與該單體共聚合之單體。
本實施形態中，樹脂皮膜2之雷射加工性，可考慮藉由例如：樹脂皮膜2對於絕緣基材1之密合性高、或聚合物容易進行分子切斷等而提高。
本實施形態中，樹脂皮膜2之耐酸性，可考慮藉由例如：樹脂皮膜2對於絕緣基材1之密合性高、或聚合物帶有酸性官能基等而提高。
本實施形態中，樹脂皮膜2之鹼剝離性，可考慮藉由例如：聚合物帶有酸性官能基、或聚合物具有鹼溶解性、聚合物具有大體積的官能基等而提高。
從如前述觀點，本實施形態中，共聚物宜使用含有α,β-不飽和羰基之單體當做前述單體(i)為佳。且該共聚物中之含量定為10~90質量%。另一方面，宜使用在可與單體(i)共聚合之分子末端具有聚合性不飽和基之單體當做前述單體(ii)。並且，該共聚物中之含量定為10~90質量%。再者，共聚物宜為至少2元系以上之共聚物較佳。如此構成之共聚物，可獲得雷射加工性、耐酸性、鹼剝離性均優異的樹脂皮膜2。
本實施形態中，含有α,β-不飽和羰基之單體，例如宜選自於由丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、富馬酸、馬來酸及該等的酯化合物構成的群組中至少1種較佳。樹脂皮膜2之雷射加工性、耐酸性、鹼剝離性會更為良好。
本實施形態中，分子末端具有聚合性不飽和基之單體，例如宜選自於由苯乙烯及具二烯骨架之化合物構成的群組中至少1種較佳。樹脂皮膜2之雷射加工性、耐酸性、鹼剝離性會更為良好。
本實施形態中，共聚物之重量平均分子量，例如：5,000~1,000,000較佳。藉由使共聚物之重量平均分子量為1,000,000以下，能確保樹脂皮膜2之良好剝離性。藉由使共聚物之重量平均分子量為5,000以上，能確保樹脂皮膜2之良好耐酸性。
本實施形態中，樹脂皮膜2宜對於酸性觸媒金屬膠體溶液(酸性鍍敷觸媒膠體溶液)實質上不膨潤，對於鹼性溶液會膨潤或溶解較佳。在此，實質上不膨潤，係如前述，不會發生溶解或剝離程度的膨潤，且意指於觸媒貼合步驟(C)中，pH為酸性時，具有耐酸性，因此，本實施形態中，樹脂皮膜2具有耐酸性。藉此，能良好地實現樹脂皮膜2之耐酸性及鹼剝離性。所以，於觸媒被覆附著步驟，樹脂皮膜2能對於絕緣基材1維持高密合力，且於皮膜去除步驟，樹脂皮膜2能輕易地從絕緣基材1去除。
本實施形態中，樹脂皮膜2對於酸性觸媒金屬膠體溶液(酸性鍍敷觸媒膠體溶液)的膨潤度為60%以下，對於鹼性溶液之膨潤度為50%以上較佳。惟，條件為：樹脂皮膜2對於酸性觸媒金屬膠體溶液之膨潤度小於對於鹼性溶液之膨潤度。藉此，可達成樹脂皮膜2對於酸性觸媒金屬膠體溶液實質上不膨潤，對於鹼性溶液會膨潤或溶解。
由單體(i)與單體(ii)構成之之共聚物之具體例之一，例如：丙烯酸-苯乙烯-丙烯酸烷酯之3元系共聚物。該共聚物為無規共聚物。3元之摻合比，例如：丙烯酸15~35質量%、苯乙烯45~65質量%、丙烯酸烷酯10~30質量%為其一例，又，丙烯酸25質量%、苯乙烯55質量%、丙烯酸烷酯20質量%為一例。丙烯酸烷酯，例如： 丙烯酸2-乙基己酯。該共聚物，例如可製成固體成分20%之有機溶劑(IPA等)的溶液保存並使用。
本實施形態中，如前述，係使用將含有紫外線吸收劑之樹脂組成物之樹脂液塗佈而獲得之樹脂皮膜2，例如於甲醇溶液之單位重量(1g/L)的吸光係數ε1為於例如355nm或266nm等波長為0.01(L/(g．cm))以上之樹脂組成物。如此的性狀為抗蝕劑機能之指標之一，顯示如此性狀之樹脂組成物，可提供具備雷射加工性、耐酸性、鹼剝離性均優異的特性的樹脂皮膜2。
本實施形態中，共聚物至少於200~300nm具有吸收波長較佳。亦即，共聚物本身原本至少在200~300nm具有吸收波長。藉此，可使用4倍高次諧波之UV-YAG雷射(雷射光波長：266nm)，獲得雷射吸收率高之樹脂皮膜2。
共聚物本身原本至少在200~300nm具有吸收波長之構造，可藉由例如共聚物具有未縮合之單獨的苯環而達成。其原因為：單獨的苯環本身至少在200~300nm具有吸收波長(苯之λmax(吸收極大)255nm)。具有單獨的苯環的共聚物，例如苯乙烯系之共聚物等。
當共聚物本身至少在200~300nm具有吸收波長時，例如含有至少於250~400nm具吸收波長之紫外線吸收劑之樹脂組成物，即使使用3倍高次諧波之UV-YAG雷射、又即使使用4倍高次諧波之UV-YAG雷射，仍能確實提高樹脂皮膜2之雷射加工性，並更為提高電路基板10之生產性。如此的樹脂組成物，泛用性擴大，故更為有利。
<電路形成步驟>
電路形成步驟係於絕緣基材1形成電路溝3等電路圖案之步驟。電路圖案，如上述，不僅含有電路溝3，也可含有貫通孔4或墊用孔等。
形成前述電路圖案之方法不特別限定。具體而言，例如於形成有前述樹脂皮膜2之絕緣基材1，從前述樹脂皮膜2之外表面側，施以雷射加工、及切割加工等切削加工或模具擠壓加工等機械加工等，而形成理想之形狀及深度之電路溝3之方法等。形成高精度之微細電路時，使用雷射加工較佳。依照雷射加工，可藉由改變雷射輸出等，而自由調整切削深度等。又，模具擠壓加工，例如：宜使用在奈米壓印領域可使用的利用微細樹脂模具進行的模具擠壓加工。
雷射加工時，UV-YAG雷射適合於微細加工，使用雷射光之基本波長為1064nm、3倍高次諧波為355nm、4倍高次諧波為266nm者較佳。
依照該步驟，規定電路溝3之形狀及深度或貫通孔4直徑及位置等電路圖案之形狀。電路形成步驟只要將樹脂皮膜2挖入厚度分量以上即可，可恰好挖入樹脂皮膜2之厚度分量，也可挖入超過樹脂皮膜2之厚度分量。
電路形成步驟形成之電路溝3等電路圖案之寬度不特別限定。又，使用雷射加工時，就連線寬20μm以下的微細電路也能輕易形成。又，電路溝之深度，於利用填滿鍍敷消除電性電路與絕緣基材間的高低差時，成為本實施形態形成之電性電路之深度。
<觸媒被覆附著步驟>
觸媒被覆附著步驟係於前述電路溝3等電路圖案之表面及前述樹脂皮膜2之表面被覆附著鍍敷觸媒5或其前驅體之步驟。此 時，於已形成貫通孔4時，貫通孔4內壁表面也被覆附著鍍敷觸媒或其前驅體。
鍍敷觸媒5或其前驅體，係為了於鍍敷處理步驟僅於欲利用無電解鍍敷形成無電解鍍敷膜之部分形成無電解鍍敷膜而賦予的觸媒。鍍敷觸媒，只要是已知為無電解鍍敷用之觸媒者即可使用，不特別限定。又，也可預先被覆附著鍍敷觸媒之前驅體，於樹脂皮膜之去除後使鍍敷觸媒生成。鍍敷觸媒之具體例，例如：金屬鈀(Pd)、鉑(Pt)、銀(Ag)等，或會生成該等的前驅體等。
使鍍敷觸媒5或其前驅體被覆附著之方法，例如：以於pH1~3之酸性條件下進行處理之酸性Pd-Sn膠體溶液處理後，以酸溶液進行處理之方法等。具體而言，例如如下方法。
首先，將附著於形成有電路溝3及貫通孔4之絕緣基材1表面的油成分等，於界面活性劑之溶液(cleaner、conditioner))中熱洗既定時間。其次，視需要，以過硫酸鈉-硫酸系之軟性蝕刻劑進行軟性蝕刻處理。並且於pH1~2之硫酸水溶液或鹽酸水溶液等酸性溶液中進一步酸洗。其次，浸泡於濃度約0.1%之氯化錫(II)水溶液等為主成分之預浸液，進行使氯化物離子吸附於絕緣基材1表面之預浸處理。之後，進一步浸泡於含有氯化錫(II)與氯化鈀之pH1~3之酸性Pd-Sn膠體等酸性鍍敷觸媒膠體溶液，藉此使Pd及Sn凝集並吸附。並且，在吸附的氯化錫(II)與氯化鈀之間，發生氧化還原反應(SnCl2 +PdCl2 →SnCl4 +Pd↓)。藉此，為鍍敷觸媒之金屬鈀會析出。
又，酸性鍍敷觸媒膠體溶液，可使用公知的酸性Pd-Sn膠體觸媒溶液等，也可使用用了酸性鍍敷觸媒膠體溶液之市售鍍敷處理。如此的處理，例如：Rohm and Hass電子材料(股)公司以系統化販售。
利用如此的觸媒被覆附著處理，可以於前述電路溝3表面、前述貫通孔4之內壁表面、及前述樹脂皮膜2之表面被覆附著鍍敷觸媒5或其前驅體。
<皮膜去除步驟>
皮膜去除步驟，係從已施行前述觸媒被覆附著步驟之絕緣基材1去除前述樹脂皮膜2之步驟。
將前述樹脂皮膜2去除之方法，不特別限定。具體而言，例如以既定溶液(膨潤液)使前述樹脂皮膜2膨潤後，從前述絕緣基材1將前述樹脂皮膜2剝離之方法、以既定溶液(膨潤液)使前述樹脂皮膜2膨潤，並使其一部分溶解後，從前述絕緣基材1將前述樹脂皮膜2剝離之方法、及以既定溶液(膨潤液)使前述樹脂皮膜2溶解並去除之方法等。前述膨潤液，只要能使前述樹脂皮膜2膨潤即可，不特別限定。又，前述膨潤或溶解，係藉由將以前述樹脂皮膜2被覆之前述絕緣基材1浸漬於前述膨潤液既定時間等而進行。並且，也可藉由在浸漬中照射超音波，提高去除效率。又，當膨潤後剝離時，可以輕微施力將其剝除。
又，對於前述樹脂皮膜2使用前述膨潤性樹脂皮膜之情形説明。
使前述膨潤性樹脂皮膜2膨潤之液體(膨潤液)，只要實質上不使前述絕緣基材1、及前述鍍敷觸媒或其前驅體5分解或溶解，而可使前述膨潤性樹脂皮膜2膨潤或溶解之液體即可，無特別限定。又，較佳為使前述膨潤性樹脂皮膜2能膨潤到輕易剝離之程度的液體為較佳。如此的膨潤液，可視膨潤性樹脂皮膜2之種類或厚度適當選擇。具體而言，例如：當膨潤性樹脂皮膜為二烯系彈性體、丙烯酸系彈性體及聚酯系彈性體之類的彈性體，或由將(a)分子中 具有至少1個聚合性不飽和基之羧酸或酸酐至少1種以上之單體與(b)能與前述(a)單體聚合之至少1種以上之單體聚合而得之聚合物樹脂或含前述聚合物樹脂之樹脂組成物、含羧基之丙烯酸系樹脂形成時，例如，宜使用約1~10%之濃度之氫氧化鈉水溶液等鹼水溶液。
又，觸媒被覆附著步驟使用以如上述酸性條件進行處理之鍍敷處理時，膨潤性樹脂皮膜2於酸性條件下之膨潤度低於50%，較佳為40%以下，於鹼性條件下之膨潤度為50%以上之例如：二烯系彈性體、丙烯酸系彈性體、及聚酯系彈性體之類的彈性體、將(a)分子中具有至少1個聚合性不飽和基之羧酸或酸酐至少1種以上之單體與(b)能與前述(a)單體聚合之至少1種以上單體聚合而得之聚合物樹脂或含前述聚合物樹脂之樹脂組成物、含羧基之丙烯酸系樹脂形成者較佳。如此的膨潤性樹脂皮膜，可利用如pH12~14之鹼水溶液，例如濃度約1~10%之氫氧化鈉水溶液等輕易膨潤並剝離。
使膨潤性樹脂皮膜2膨潤之方法，例如將以膨潤性樹脂皮膜2被覆之絕緣基材1於膨潤液浸漬既定時間之方法。又，為了提高剝離性，浸漬中照射超音波尤佳。又，僅利用膨潤不會剝離時，也可視需要以輕微施力將其剝開以剝離。
<鍍敷處理步驟>
鍍敷處理步驟係將前述樹脂皮膜2去除後，對於前述絕緣基材1實施無電解鍍敷處理之步驟。
前述無電解鍍敷處理之方法，可使用將部分被覆附著有鍍敷觸媒或其前驅體5之絕緣基材1浸漬於無電解鍍敷液，並僅於被覆附著有鍍敷觸媒或其前驅體5之部分使無電解鍍敷膜(鍍敷層)析出之方法等。
無電解鍍敷使用之金屬，例如：銅(Cu)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鋁(Al)等。該等中，以Cu為主成分之鍍敷，從導電性優異之觀點為較佳。又，含Ni時，從耐蝕性或與焊料的密合性優異之觀點為佳。
無電解鍍敷膜6之膜厚不特別限定。具體而言，例如：0.1~10μm，更佳為約1~5μm。尤其，藉由加深前述電路溝3的深度，能輕易形成膜厚為厚之鍍敷且剖面積大的金屬配線。於此情形，從能提高金屬配線強度之觀點為較佳。
由於鍍敷處理步驟，僅會在絕緣基材1表面之鍍敷觸媒或其前驅體5殘留之部分析出無電解鍍敷膜。所以，能僅在欲形成電路圖案部的部分精確形成導電層。另一方面，可以抑制未形成電路圖案部之部分析出無電解鍍敷膜。因此，即使以窄節距間隔形成多條線寬窄的微細電路時，也不會在相鄰的電路之間殘留不需要的鍍敷膜。所以，能抑制發生短路或遷移。
如以上説明，本發明之一態樣為一種樹脂組成物，其包含：由含有具至少1個以上羧基之單體單元的單體及可與該單體共聚合之單體構成之共聚物、及紫外線吸收劑，且當令塗佈該樹脂液而成的樹脂皮膜溶於溶劑獲得之溶液中，樹脂皮膜單位重量之吸光係數為ε1時，對於樹脂皮膜照射之光之波長的ε1為0.01(L/(g．cm))以上。
該前述構成中，樹脂皮膜當以具對於樹脂皮膜照射之光之波長的雷射光進行雷射加工時，雷射加工部周邊之樹脂皮膜之厚度具有雷射加工後為雷射加工前之2倍以下之加工特性較佳。
前述構成中，紫外線吸收劑係具有共軛系比起苯為廣之構造，且具芳香環與雜原子之化合物，對於共聚物含有0.1~60質量%較佳。
前述構成中，紫外線吸收劑較佳為選自於由苯并三唑衍生物、二苯基酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、三衍生物、苯并噻唑衍生物及苯甲醯基甲烷構成的群組當中至少1種。
前述構成中，共聚物含有α,β-不飽和羰基之單體10~90質量%及可與其共聚合之分子末端具聚合性不飽和基之單體10~90質量%，且至少為2元系以上之共聚物較佳。
前述構成中，含有α,β-不飽和羰基之單體，較佳為選自於由丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、富馬酸、馬來酸及該等之酯化合物構成的群組當中至少1種以上。
前述構成中，分子末端具有聚合性不飽和基之單體，宜選自於由苯乙烯及具有二烯骨架之化合物構成的群組當中至少1種較佳。
前述構成中，共聚物之重量平均分子量為5,000~1,000,000較佳。
前述構成，樹脂皮膜，較佳為對於酸性觸媒金屬膠體溶液實質上不膨潤，對於鹼性溶液會膨潤或溶解。
前述構成中，樹脂皮膜對於酸性觸媒金屬膠體溶液之膨潤度比起對於鹼性溶液之膨潤度為小的條件，較佳為：樹脂皮膜對於酸性觸媒金屬膠體溶液之膨潤度為60%以下，且對於鹼性溶液之膨潤度為50%以上。
前述構成中，樹脂皮膜較佳為藉由將樹脂組成物之樹脂液塗佈於基材表面後使乾燥以形成。
前述構成中，樹脂皮膜較佳為藉由將樹脂組成物之樹脂液塗佈於支持基板後使乾燥而形成之樹脂皮膜轉印於基材表面而形成。
前述構成中，對於樹脂皮膜照射之光之波長為266nm或355nm，且紫外線吸收劑至少於250~400nm具吸收波長較佳。
前述構成中，共聚物至少於200~300nm具吸收波長較佳。
本發明之另一態樣係一種電路基板之製造方法，包含以下步驟：使用前述樹脂組成物在絕緣基材表面形成樹脂皮膜；以樹脂皮膜之外表面當做基準，以雷射加工形成樹脂皮膜之厚度分量以上之深度的凹部，並形成電路圖案；在電路圖案表面及樹脂皮膜表面被覆附著鍍敷觸媒或其前驅體；從絕緣基材去除樹脂皮膜；僅在樹脂皮膜去除後殘留鍍敷觸媒或其前驅體之部分形成無電解鍍敷膜。
前述構成中，於形成電路圖案之步驟，係以樹脂皮膜之外表面當做基準而以雷射加工形成超過樹脂皮膜之厚度分量之深度的凹部，且於此情形，樹脂皮膜較佳為雷射加工部周邊之樹脂皮膜之厚度具有雷射加工後為雷射加工前之2倍以下的加工特性。
[實施例]
以下將本發明利用實施例更具體説明。又，本發明之範圍不限於以下列實施例解釋。
首先如以下方式製作絕緣基材。亦即，將含有雙酚A型環氧樹脂(DIC(股)公司製「850S」)、與當做硬化劑之二氰二醯胺(Nippon carbide工業(股)公司製「DICY」)、與當做硬化促進劑之2-乙基-4-甲基咪唑(四國化成工業製「2E4MZ」)、與當做無機填料的二氧化矽(電氣化學工業(股)公司製「FB1SDX」)、與當做溶劑的甲乙酮(MEK)及N,N-二甲基甲醯胺(DMF)之樹脂組成物構成的樹脂基材的表面，疊層脫模膜(東洋紡(股)公司製「TN100」)。並且，將該疊層體進行加壓加熱成形，再進行加熱乾燥，使前述樹脂基材硬化。之後，將前述脫模膜剝離，製作厚度200μm之絕緣基材。
將製作之絕緣基材切成50mm×50mm，如表1所示，在絕緣基材表面形成1μm厚、3μm厚、5μm厚之樹脂皮膜(試驗編號1~8)。樹脂皮膜使用含有丙烯酸-苯乙烯-丙烯酸2-乙基己酯之3元系共聚物(摻合比：丙烯酸25質量%、苯乙烯55質量%、丙烯酸2-乙基己酯20質量%)、紫外線吸收劑「TINUVIN 571」λmax(吸收極大)：344nm)之樹脂組成物(試驗編號1不含紫外線吸收劑)。又，樹脂皮膜之形成，係於絕緣基材之單面以旋塗法塗佈樹脂組成物之IPA溶液(固體成分20%)，於120℃進行30分鐘乾燥(樹脂皮膜形成步驟)。又，表1中，「紫外線吸收劑添加量(%)」，係紫外線吸收劑對於共聚物之添加量(質量%)。
又，對於形成有樹脂皮膜之絕緣基材，利用雷射加工形成凹溝及凹孔(有底者)。在此，凹溝係相當於電路圖案之電路溝(用於形成電性電路之配線者)，凹孔相當於電路圖案之墊用孔(用於形成電性電路之墊部者)。具體而言，凹溝形成10條彼此平行的溝寬20μm、長度20mm之直線狀者。相鄰的凹溝與凹溝之間的間隔為15μm。凹溝的深度，為從絕緣基材之表面起算10μm的深度(亦即， 形成挖入絕緣基材而超過樹脂皮膜之厚度分量的深度的凹部)。凹孔，係形成6處3mm×3mm之矩形狀者。凹孔深度係定為從絕緣基材之表面起算10μm之深度(亦即，形成挖入絕緣基材而超過樹脂皮膜之厚度分量之深度之凹部)。凹孔係藉由將彼此平行之多數直線狀凹溝少量逐漸疊合的方式沿寬度方向偏離而形成以形成。雷射加工係使用具備UV-YAG雷射之ESI公司製「MODEL5330」(雷射光波長：355nm)(電路形成步驟)。
其次，將形成有凹溝及凹孔之絕緣基材浸漬於cleaner-conditioner(界面活性劑溶液，pH<1：Romn & Hass電子材料(股)製C/N3320)中，之後水洗。並且，以過硫酸鈉-硫酸系之pH<1之軟性蝕刻劑進行軟性蝕刻處理。並且，使用PD404(Shipley Far East(股)製、pH<1)進行預浸步驟。並且，藉由浸漬於含氯化錫(II)與氯化鈀的pH1的酸性Pd-Sn膠體溶液(CAT44、Shipley Far East(股)製)，將成為無電解銅鍍敷之核的鈀於錫-鈀膠體之狀態被覆附著於絕緣基材(觸媒被覆附著步驟)。
其次，將絕緣基材浸漬於pH<1之加速劑藥液(ACC19E、Shipley Far East(股)製)，藉此產生鈀核。並且，將絕緣基材於pH14之5%氫氧化鈉水溶液中，於進行超音波處理的狀態，浸漬10分鐘(皮膜去除步驟)。
其次，將絕緣基材浸漬於無電解鍍敷液(CM328A、CM328L、CM328C、Shipley Far East(股)製)，藉此，實施無電解銅鍍敷處理(鍍敷處理步驟)。
於以上的過程，絕緣基材表面所形成之樹脂皮膜於355nm之吸光係數、電路形成步驟中之雷射加工性(露出、殘渣、隆起)、觸媒被覆附著步驟中之耐酸性、皮膜去除步驟中之鹼剝離性，以下列方式進行評價。結果如表1。又，鹼剝離性，不僅是評價觸媒被 覆附著步驟後(表1中以「鍍敷核被覆附著後」表示)，也評價觸媒被覆附著步驟前(表1中以「鍍敷核被覆附著前」表示)(亦即，電路形成步驟之後立即進行皮膜去除步驟)。
[吸光係數]
使絕緣基材表面形成之樹脂皮膜溶於甲醇，獲得樹脂皮膜之甲醇溶液(濃度：0.40g/L)。使用紫外可見分光光度計(島津製作所公司製「UV-2100」)測定得到之溶液之吸收光譜(測定範圍：200-600nm)。依據獲得之光譜數據(吸光度A)，依照下[式]，計算355nm之吸光係數(單位重量之吸光係數ε1)。
[式]355nm之吸光度A=ε1(L/(g．cm))×c(g/L：溶液之濃度)×d(cm：樣本槽長度)
[雷射加工性]
關於「露出」及「殘渣」，係以SEM(掃描型顯微鏡)觀察雷射加工後之樹脂皮膜表面，並以下列基準評價。關於「隆起」，係指雷射加工部之周邊，於相鄰之凹溝與凹溝之間的15μm的間隔測定5點的樹脂皮膜之厚度，並使用其平均值，計算雷射加工後之樹脂皮膜之厚度為雷射加工前之樹脂皮膜之厚度的幾倍(2倍以下為合格)。
(露出評價基準)
該露出評價基準記載的「凹溝或凹孔之周邊」，係指雷射加工部之周邊，除了凹溝之周邊或凹孔之周邊以外，也包含相鄰的凹溝與凹溝之間的間隔。
×：每片絕緣基材有2個以上凹溝或凹孔之周邊之樹脂皮膜去除而露出絕緣基材之處。
△：每片絕緣基材僅有1個凹溝或凹孔周邊之樹脂皮膜去除而露出絕緣基材之處。
○：沒有凹溝或凹孔周邊之樹脂皮膜去除而露出絕緣基材之處。
(殘渣評價基準)
×：每片絕緣基材有2個以上聚合物成分落入凹溝或凹孔之中而成為殘渣殘留之處。
△：每片絕緣基材僅有1個聚合物成分落入凹溝或凹孔之中而成為殘渣殘留之處。
○：無聚合物成分落入凹溝或凹孔之中而成為殘渣殘留之處。
[耐酸性]
以SEM(掃描型顯微鏡)觀察觸媒被覆附著後之樹脂皮膜表面及鍍敷處理後之絕緣基材表面，並依下列基準進行評價。
(評價基準)
×：每片絕緣基材有2個以上觸媒被覆附著後樹脂皮膜剝離或變性且鍍敷處理後該部分析出鍍敷膜之處。
△：每片絕緣基材僅有1個觸媒被覆附著後樹脂皮膜剝離或變性且鍍敷處理後該部分析出鍍敷膜之處。
○：沒有觸媒被覆附著後樹脂皮膜剝離或變性且鍍敷處理後該部分析出鍍敷膜之處。
[鹼剝離性]
以SEM(掃描型顯微鏡)觀察浸漬於氫氧化鈉水溶液後之絕緣基材表面，並依照下列基準進行評價。
(評價基準)
×：每片絕緣基材有2個以上樹脂皮膜殘存之處。
△：每片絕緣基材僅有1個樹脂皮膜殘存之處。
○：沒有樹脂皮膜殘存之處。
從表1之結果可明白：不含紫外線吸收劑且吸光係數ε1為0(零)之試驗編號1，比起含有紫外線吸收劑且吸光係數ε1為0.01(L/(g．cm))以上之試驗編號2~8，於雷射加工性之「殘渣」及「隆起」之觀點，評價差。
含有紫外線吸收劑且吸光係數ε1為0.01(L/(g．cm))以上，且共聚物為由含有至少具有1個以上羧基之單體單元之單體及能與該單體共聚合之單體構成之共聚物的試驗編號2~8，於雷射加工性、耐酸性、鹼剝離性均為評價良好。其中，吸光係數ε1為10(L/(g． cm))以下之試驗編號2~7，比起吸光係數ε1超過10(L/(g．cm))之試驗編號8，於雷射加工性之「露出」之觀點，評價更優異(參考樹脂皮膜厚1μm)。
又，紫外線吸收劑對於共聚物之添加量為0.1~60質量%之試驗編號2~7，比起為70質量%之試驗編號8，於雷射加工性之「露出」之觀點，評價更優異(參考樹脂皮膜厚1μm)。
又，吸光係數ε1為0.1(L/(g．cm))以上之試驗編號3~8(紫外線吸收劑之添加量為1質量%以上)，比起為低於0.1(L/(g．cm))之試驗編號2(紫外線吸收劑之添加量為0.1質量%以下)，於雷射加工性之「殘渣」之觀點，評價更優異(參考樹脂皮膜厚3μm)。
又，吸光係數ε1為1.0(L/(g．cm))以上之試驗編號4~8(紫外線吸收劑之添加量為5質量%以上)，比起低於1.0(L/(g．cm))之試驗編號2及3(紫外線吸收劑之添加量為1質量%以下)者，於雷射加工性之「殘渣」之觀點，評價更優異(參考樹脂皮膜厚5μm)。
關於樹脂皮膜之隆起，當樹脂皮膜厚為1μm時，試驗編號5~8為2.0倍以下(合格)、樹脂皮膜厚為3μm及5μm時，試驗編號2~8為2.0倍以下(合格)。
本申請案係以2011年5月23日提申之日本專利申請案特願2011-114652為基礎，其內容納入於本申請案中。
為了表達本發明，係於前述參考圖式，以實施形態適當充分說明本發明，但只要是該技術領域中具有通常知識者，可了解能輕易將前述實施形態變更及/或改良。因此，該技術領域中具有通常知識者實施之變更形態或改良形態，只要是未脫離申請專利範圍記載之權利範圍，則解釋為該變更形態或該改良形態包含於該 申請專利範圍之範圍。
(產業上利用可能性)
本發明係在電性．電子領域電性電路之形成相關的發明所屬之技術領域，具有廣泛的產業上利用性。
1‧‧‧絕緣基材
2‧‧‧樹脂皮膜(抗蝕劑)
3‧‧‧電路溝(凹部(電路圖案))
4‧‧‧貫通孔(凹部(電路圖案))
5‧‧‧鍍敷觸媒
6‧‧‧電性電路(無電解鍍敷膜)
10‧‧‧電路基板
圖1(A)~(E)顯示本發明之實施形態之電路基板之製造方法之步驟。
1‧‧‧絕緣基材
2‧‧‧樹脂皮膜(抗蝕劑)
3‧‧‧電路溝(凹部(電路圖案))
4‧‧‧貫通孔(凹部(電路圖案))
5‧‧‧鍍敷觸媒
6‧‧‧電性電路(無電解鍍敷膜)
10‧‧‧電路基板

Claims (16)

  1. 一種樹脂組成物，其包含：由含有具至少1個以上的羧基的單體單元之單體及可與該單體共聚合之單體構成的共聚物、及紫外線吸收劑，將該樹脂組成物之樹脂液塗佈而生成之樹脂皮膜以溶劑溶解成之溶液中，該樹脂皮膜之每單位重量的吸光係數為ε1時，對於該樹脂皮膜以266nm或355nm之光波長照射時的ε1為0.01(L/(g．cm))以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，該樹脂皮膜，當以具有對於該樹脂皮膜照射之光之波長的雷射光進行雷射加工時，具有：雷射加工部周邊之該樹脂皮膜之厚度在雷射加工後為雷射加工前之2倍以下的加工特性。
  3. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，該紫外線吸收劑，係具有共軛系比苯為廣的構造且具芳香環與雜原子之化合物，且相對於該共聚物含有0.1~60質量%。
  4. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，該紫外線吸收劑，係選自於由苯并三唑衍生物、二苯基酮衍生物、苯甲酸酯衍生物、三衍生物、苯并噻唑衍生物及苯甲醯基甲烷構成的群組中至少1種。
  5. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，該共聚物，係含有含α,β-不飽和羰基之單體10~90質量%及可與其共聚合之分子末端具有聚合性不飽和基之單體10~90質量%，且至少為2元系以上之共聚物。
  6. 如申請專利範圍第5項之樹脂組成物，其中，該含α,β-不飽和羰基之單體，係選自於由丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、富馬酸、馬來酸及該等之酯化合物構成的群組中至少1種。
  7. 如申請專利範圍第5項之樹脂組成物，其中，該分子末端具聚合性不飽和基之單體，係選自由苯乙烯及具二烯骨架之化合物構成的群組中至少1種。
  8. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，該共聚物之重 量平均分子量為5,000~1,000,000。
  9. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，該樹脂皮膜，對於酸性觸媒金屬膠體溶液不膨潤，對於鹼性溶液膨潤或溶解。
  10. 如申請專利範圍第9項之樹脂組成物，其中，就該樹脂皮膜對於該酸性觸媒金屬膠體溶液之膨潤度比起對於該鹼性溶液之膨潤度小為條件而言，該樹脂皮膜對於該酸性觸媒金屬膠體溶液之膨潤度為60%以下，且對於該鹼性溶液之膨潤度為50%以上。
  11. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，該樹脂皮膜，係藉由將樹脂組成物之樹脂液塗佈於基材表面後並乾燥而形成。
  12. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，該樹脂皮膜，係藉由將樹脂組成物之樹脂液塗佈於支持基板後並乾燥而形成之樹脂皮膜轉印於基材表面而形成。
  13. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，對於該樹脂皮膜照射之光之波長為266nm或355nm，且紫外線吸收劑至少於250~400nm具有吸收波長。
  14. 如申請專利範圍第1項之樹脂組成物，其中，該共聚物至少於200~300nm具有吸收波長。
  15. 一種電路基板之製造方法，其包含以下步驟：使用如申請專利範圍第1項之樹脂組成物在絕緣基材表面形成樹脂皮膜；以該樹脂皮膜之外表面當做基準，利用雷射加工形成該樹脂皮膜之厚度分量以上之深度之凹部，以形成電路圖案；於該電路圖案之表面及該樹脂皮膜之表面被覆附著鍍敷觸媒或其前驅體；從絕緣基材去除該樹脂皮膜；僅於去除該樹脂皮膜後之鍍敷觸媒或其前驅體殘留之部分形成無電解鍍敷膜。
  16. 如申請專利範圍第15項之電路基板之製造方法，其中，於該形成電路圖案之步驟，係以該樹脂皮膜之外表面當做基準，利用雷射加工形成超過該樹脂皮膜之厚度分量之深度之凹 部，且於此情形，該樹脂皮膜具有雷射加工部周邊之該樹脂皮膜之厚度於雷射加工後為雷射加工前之2倍以下的加工特性。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100922810B1 (ko) 2007-12-11 2009-10-21 주식회사 잉크테크 흑화 전도성 패턴의 제조방법
JP5921920B2 (ja) * 2012-03-15 2016-05-24 第一工業製薬株式会社 レーザー加工用レジスト樹脂組成物
JP6068123B2 (ja) * 2012-12-14 2017-01-25 上村工業株式会社 プリント配線基板の製造方法およびその方法により製造されたプリント配線基板
JP6787125B2 (ja) * 2014-07-23 2020-11-18 日産化学株式会社 硬化膜形成用樹脂組成物、硬化膜、導電性部材、及びマイグレーションの抑制方法
KR102173895B1 (ko) * 2018-01-18 2020-11-04 한양대학교 산학협력단 마이크로-패턴화된 곡면 표면 상에 형성된 조절 가능한 콜로이드의 결정성 패턴 및 이의 제조방법
JP6848944B2 (ja) 2018-08-30 2021-03-24 日亜化学工業株式会社 配線基板の製造方法および配線基板
KR102357563B1 (ko) * 2020-12-14 2022-02-07 인탑스 주식회사 전자회로 도금 공법을 이용한 ime 구조 및 그 제조방법
CN114290698B (zh) * 2021-12-24 2023-01-31 华中科技大学 高分子薄膜大深宽比激光加工方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04305995A (ja) 1991-04-02 1992-10-28 Hitachi Chem Co Ltd ソルダーマスクの形成法及び感光性積層体
JPH07256832A (ja) * 1994-03-17 1995-10-09 Mitsubishi Rayon Co Ltd 架橋硬化型樹脂組成物積層体
JPH07281437A (ja) 1994-04-14 1995-10-27 Asahi Chem Ind Co Ltd 光硬化性樹脂積層体
JP3508819B2 (ja) 1998-01-23 2004-03-22 旭化成エレクトロニクス株式会社 光重合性組成物
JP3549015B2 (ja) 1999-02-12 2004-08-04 旭化成エレクトロニクス株式会社 光重合性組成物
JP4305995B2 (ja) 1999-03-05 2009-07-29 ソニー株式会社 バッテリーパック及びそのバッテリー残容量算出方法
JP2001201851A (ja) 2000-01-18 2001-07-27 Asahi Kasei Corp 光重合性樹脂組成物
JP2002121360A (ja) 2000-10-18 2002-04-23 Sumitomo Bakelite Co Ltd 多層プリント配線板用層間絶縁樹脂組成物
JP3399434B2 (ja) 2001-03-02 2003-04-21 オムロン株式会社 高分子成形材のメッキ形成方法と回路形成部品とこの回路形成部品の製造方法
JP4504068B2 (ja) * 2004-04-01 2010-07-14 セメダイン株式会社 耐候性に優れた硬化性組成物
JP4571850B2 (ja) 2004-11-12 2010-10-27 東京応化工業株式会社 レーザーダイシング用保護膜剤及び該保護膜剤を用いたウエーハの加工方法
JP2007045974A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Nitto Denko Corp 熱硬化型粘接着剤組成物、熱硬化型粘接着テープ又はシートおよび配線回路基板
JP2008242412A (ja) 2006-09-28 2008-10-09 Fujifilm Corp 積層体、導電性パターン形成方法及びそれにより得られた導電性パターン、プリント配線基板及び薄層トランジスタ、並びにそれらを用いた装置
JP2009155625A (ja) 2007-12-07 2009-07-16 Denki Kagaku Kogyo Kk 保護膜、積層フィルム及びそれを用いた加工方法
JP2009191089A (ja) * 2008-02-12 2009-08-27 Toray Ind Inc 熱可塑性樹脂組成物、その製造方法および成形品
JP5075157B2 (ja) 2008-04-30 2012-11-14 パナソニック株式会社 配線基材の製造方法及び該製造方法により得られた配線基材
US8240036B2 (en) 2008-04-30 2012-08-14 Panasonic Corporation Method of producing a circuit board
JP5300385B2 (ja) * 2008-09-10 2013-09-25 株式会社日本触媒 熱可塑性樹脂組成物とそれを用いたフィルム
JP5230363B2 (ja) * 2008-11-05 2013-07-10 株式会社日本触媒 熱可塑性樹脂組成物の製造方法
JP5583384B2 (ja) 2008-12-02 2014-09-03 パナソニック株式会社 回路基板の製造方法、及び前記製造方法により得られた回路基板

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