JP5921920B2 - レーザー加工用レジスト樹脂組成物 - Google Patents
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Description
(熱可塑性樹脂A−1)
攪拌機、温度計、還流冷却器、滴下装置、窒素導入管を備えた反応装置に、窒素ガスを封入後、メチルイソブチルケトン120部、イソプロピルアルコール30部、アクリル酸27部、スチレン55部、2−エチルヘキシルアクリレート18部およびアゾ系重合開始剤である2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(和光純薬工業(株)製 商品名:V−60)を仕込んだ。窒素ガス気流中、攪拌しながら、80℃で12時間重合して、熱可塑性樹脂A−1を得た。得られた熱可塑性樹脂A−1の重量平均分子量(GPCにより測定、以下同様)は30,000、軟化温度(フローテスターにより測定、以下同様)は108℃であった。
攪拌機、温度計、還流冷却器、滴下装置、窒素導入管を備えた反応装置に、窒素ガスを封入後、メチルイソブチルケトン58部、イソプロピルアルコール14部、アクリル酸27部、スチレン55部、2−エチルヘキシルアクリレート18部およびアゾ系重合開始剤である2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(和光純薬工業(株)製 商品名:V−60)を仕込んだ。窒素ガス気流中、攪拌しながら、75℃で12時間重合して、熱可塑性樹脂A−2を得た。得られた熱可塑性樹脂A−2の重量平均分子量は50,000、軟化温度は104℃であった。
攪拌機、温度計、還流冷却器、滴下装置、窒素導入管を備えた反応装置に、窒素ガスを封入後、メチルイソブチルケトン120部、イソプロピルアルコール30部、アクリル酸27部、スチレン39部、2−エチルヘキシルアクリレート34部およびアゾ系重合開始剤である2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(和光純薬工業(株)製 商品名:V−60)を仕込んだ。窒素ガス気流中、攪拌しながら、80℃で12時間重合して、熱可塑性樹脂A−3を得た。得られた熱可塑性樹脂A−3の重量平均分子量は30,000、軟化温度は86℃であった。
攪拌機、温度計、還流冷却器、滴下装置、窒素導入管を備えた反応装置に、窒素ガスを封入後、メチルイソブチルケトン120部、イソプロピルアルコール30部、アクリル酸33部、スチレン67部およびアゾ系重合開始剤である2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(和光純薬工業(株)製 商品名:V−60)を仕込んだ。窒素ガス気流中、攪拌しながら、75℃で12時間重合して、熱可塑性樹脂A−4を得た。得られた熱可塑性樹脂A−4の重量平均分子量は40,000、軟化温度は101℃であった。
攪拌機、温度計、還流冷却器、滴下装置、窒素導入管を備えた反応装置に、窒素ガスを封入後、メチルイソブチルケトン120部、イソプロピルアルコール30部、アクリル酸27部、スチレン39部、ブチルアクリレート34部およびアゾ系重合開始剤である2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(和光純薬工業(株)製 商品名:V−60)を仕込んだ。窒素ガス気流中、攪拌しながら、80℃で12時間重合して、熱可塑性樹脂A−5を得た。得られた熱可塑性樹脂A−5の重量平均分子量は30,000、軟化温度は86℃であった。
攪拌機、温度計、還流冷却器、滴下装置、窒素導入管を備えた反応装置に、窒素ガスを封入後、メチルイソブチルケトン120部、イソプロピルアルコール30部、メタクリル酸32部、スチレン39部、ブチルメタクリレート29部およびアゾ系重合開始剤である2,2’−アゾビスイソブチロニトリル(和光純薬工業(株)製 商品名:V−60)を仕込んだ。窒素ガス気流中、攪拌しながら、80℃で12時間重合して、熱可塑性樹脂A−5を得た。得られた熱可塑性樹脂A−6の重量平均分子量は30,000、軟化温度は118℃であった。
上記熱可塑性樹脂A−1、A−2、A−3、A−4、A−5又はA−6、紫外線吸収剤Bとして2−(2H−ベンゾトリアゾル−2−イル)−6−ドデシル−4−メチルフェノール(BASF社製 商品名:TINUVIN571、最大吸収波長:344nm)、可塑剤C−1としてトリキシレニルホスフェート(大八化学工業(株)製 商品名:TXP)、C−2としてビス(2−エチルヘキシル)フタレート(大八化学工業(株)製 商品名:DOP)、C−3としてビス(2−エチルヘキシル)アジペート(大八化学工業(株)製 商品名:DOA)、C−4としてトリス(2−エチルヘキシル)トリメリテート(大八化学工業(株)製 商品名:TOTM)を、表1に示す組成にてそれぞれ配合し、実施例及び比較例のレーザー加工用樹脂組成物を調整した。得られたレーザー加工用樹脂組成物について、以下の測定・評価を行った。評価結果を表1に示す。
島津製作所製 フローテスターにより測定した。
厚み100μmのエポキシ系絶縁樹脂基材の表面に、上記で得られたレーザー加工用樹脂組成物(レジスト樹脂)を塗布して、乾燥後膜厚5μmの被膜を形成した。そして、被膜が形成された絶縁樹脂基材に対して、レーザー加工により、幅20μm、深さ30μmの略長方形断面の溝形成加工を行い、SEM(走査型顕微鏡)により絶縁樹脂基材表面の露出状態、及び回路溝の状態を観察し、次の基準で評価した。なお、レーザー加工にはUV−YAGレーザーを用いた。
○:絶縁樹脂基材の露出がなく、回路溝にレジスト樹脂の残渣がない。
×:絶縁樹脂基材の露出がある、または回路溝にレジスト樹脂の残渣がある。
レーザー加工前後でのレジスト樹脂被膜の膜厚(μm)をそれぞれ測定し、次式により隆起率を求めた。
上記溝形成された絶縁樹脂基材をクリーナーコンディショナー(界面活性剤溶液、ローム&ハース電子材料(株)製 商品名:C/N3320、pH<1)中に浸漬し、その後、水洗した。次に、過硫酸ナトリウム−硫酸系のソフトエッチング剤(pH<1)でソフトエッチング処理した。次に、PD404(シプレイ・ファーイースト(株)製、pH<1)を用いてプリディップ工程を行った。次に、塩化第一錫と塩化パラジウムを含む酸性Pd−Snコロイド溶液(シプレイ・ファーイースト(株)製 商品名:CAT44、pH1)に浸漬することにより、無電解銅めっきの核となるパラジウムをスズ−パラジウムコロイドの状態で絶縁樹脂基材に吸着させた。次に、アクセラレータ薬液(シプレイ・ファーイースト(株)製 商品名:ACC19E、pH<1)に浸漬することにより、パラジウム核を発生させた。その後、絶縁樹脂基材表面を目視で観察し、レジスト樹脂の状態を次の基準で評価した。
○:レジスト樹脂の剥離、ひび割れが発生していない。
×:レジスト樹脂の剥離、ひび割れが発生している。
パラジウム核を発生させた絶縁樹脂基材に30℃で3%水酸化ナトリウム水溶液をスプレーすることで、レジスト剥離を行い、剥離状態を次の基準で評価した。
○:絶縁樹脂基材上にレジスト樹脂の残渣がない。
×:絶縁樹脂基材上にレジスト樹脂の残渣がある。
レジスト剥離した絶縁樹脂基材を無電解めっき液(シプレイ・ファーイースト(株)製 商品名:CM328A,CM328L,CM328C)に浸漬させて無電解銅めっき処理を行い、膜厚3〜5μmの無電解銅めっき膜を析出させた。その後、絶縁樹脂基材表面を観察し、めっき膜の形成状態を次の基準で評価した。
○:切削加工された部分のみにめっき膜が形成されている。
×:切削加工された部分以外にもめっき膜が形成されている、または切削加工された部分にめっき膜が形成されていない。
Claims (4)
- 樹脂と紫外線吸収剤とを含有してなるレーザー加工用レジスト樹脂組成物であって、
前記樹脂が、(メタ)アクリル酸と、スチレン及び/又は(メタ)アクリル酸アルキルとの共重合物であり、カルボキシル基を有し、軟化温度が70〜140℃である熱可塑性樹脂であり、
前記紫外線吸収剤の含有量が前記熱可塑性樹脂100質量部に対して1〜30質量部であり、
ビス(2−エチルヘキシル)フタレート、トリス(2−エチルヘキシル)トリメリテート、ビス(2−エチルヘキシル)アジペート、及びトリキシレニルホスフェートから選択された1種又は2種以上の可塑剤をさらに含有し、その可塑剤の含有量が前記熱可塑性樹脂100質量部に対して1〜30質量部である
ことを特徴とするレーザー加工用レジスト樹脂組成物。 - 前記紫外線吸収剤が、吸収波長が200〜380nmである
ことを特徴とする、請求項1に記載のレーザー加工用レジスト樹脂組成物。 - プリント配線板の回路を形成する際に用いられることを特徴とする、請求項1又は2に記載のレーザー加工用レジスト樹脂組成物。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載のレーザー加工用レジスト樹脂組成物を支持体上に塗布し、乾燥して得られることを特徴とするレーザー加工用レジスト樹脂フィルム。
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