TWI430400B - 製備薄膜電晶體基材之方法及剝離組合物 - Google Patents

Description

製備薄膜電晶體基材之方法及剝離組合物

本發明係關於一種製備薄膜電晶體基材之方法及一種剝離組合物。更特定言之，本發明係關於一種可簡化該薄膜電晶體基材之製備製程之製備薄膜電晶體基材之方法，及該薄膜電晶體基材之製備製程所採用之剝離組合物。

一般而言，顯示裝置包括陰極射線管型(CRT)顯示(CRT)裝置、液晶顯示(LCD)裝置、電漿顯示板(PDP)裝置及有機發光顯示(OLED)裝置。

除CRT裝置以外，大多數顯示裝置包括具有薄膜電晶體之薄膜電晶體基材以顯示影像。

為簡化薄膜電晶體基材之製備製程以減少製備費用，已迅速發展新穎技術。

本發明提供一種製備薄膜電晶體基材之方法之示範性實施例，其可簡化該薄膜電晶體基材之製備製程。

本發明亦提供一種剝離組合物之示範性實施例，該剝離組合物用於該薄膜電晶體之製備製程且可再度利用。

在製備薄膜電晶體基材之方法之示範性實施例中，將電晶體薄層圖案安置於基材上。將保護層安置於該電晶體薄層圖案上。將光阻膜安置於該保護層上。該光阻膜藉由光微影製程於該基材上形成光阻圖案。藉由光微影製程於該光阻圖案之較低部位產生底切。藉由移除該光阻膜於該基材之一部分上形成像素區域。將導電材料沉積於該光阻圖案上。將導電材料沉積於光阻圖案上以形成導電層，並將該導電材料沉積於像素區域上以形成像素電極。將剝離組合物應用於像素電極及光阻圖案上以剝離該光阻圖案，以使得於光阻圖案上形成之導電層與基材分離。將所用之含有自基材分離之導電層之剝離組合物收集並儲存於儲槽中。將自基材分離之導電層完全溶解於所用之剝離組合物中。

在另一示範性實施例中，剝離組合物包括用於剝離光阻之剝離劑及用於溶解導電層之剝離添加劑。

在另一示範性實施例中，剝離組合物包括用於剝離光阻之剝離劑及用於剝離導電層之剝離添加劑。用於剝離光阻之剝離劑包括約20重量%至約40重量%之胺基化合物、約20重量%至約50重量%之質子化二醇基化合物及約20重量%至約40重量%之去質子化多極化合物。用於剝離導電層之剝離添加劑包括約0.5重量%至約3重量%之硫醇基化合物。

在另一示範性實施例中，該硫醇基化合物可包括硫代苯甲酸或硫醇酸。

在製備薄膜電晶體基材之方法之另一示範性實施例中，光罩之數量可減少，以使該薄膜電晶體之製備製程可簡化。另外，用於製備薄膜電晶體基材之剝離組合物可溶解光阻膜，而且此外，在光阻膜溶解之後，該剝離組合物可將導電層完全溶解。有利地，根據本發明之剝離組合物可再循環。

在製備薄膜電晶體基材之方法之另一示範性實施例中，於基材上形成大體上彼此垂直之閘極線及閘電極。於基材上形成閘極絕緣層覆蓋該閘極線及閘電極。於該閘極絕緣層上形成非晶矽圖案及n^＋ 非晶矽圖案。於基材上形成資料線、源電極及汲電極。將該源電極及汲電極電連接至n^＋ 非晶矽圖案。閘極線、閘電極、非晶矽圖案、n^＋ 非晶矽圖案、資料線、源電極及汲電極之形成使用多個光罩。

下文參考附圖更全面描述本發明，附圖中顯示本發明之示範性實施例。然而，本發明可於多種不同形式實施，且不應解釋為僅限於本文所述之示範性實施例。相反地，提供該等實施例以使該揭示詳盡且完善，且將本發明之範疇充分傳達給彼等熟習此項技術者。在該等圖中，為清晰起見，可放大層及區域之尺寸及相對尺寸。

應瞭解，當將一元件或層稱作"於......上"、"連接至"或"耦接至"另一元件或層時，該元件或層可直接於......上、連接至或耦接至另一元件或層，或插入元件或層中。相反，當將一元件稱作"直接於......上"、"直接連接至"或"直接耦接至"另一元件或層時，則不存在插入元件或層。全文中相同數字係指相同元件。如本文所用之術語"及/或"包括一或多個相關所列項目之任何或所有組合。

應瞭解，雖然術語第一、第二、第三等於本文中係用於描述各種元件、組件、區域、層及/或部分，但是該等元件、組件、區域、層及/或部分不應受限於該等術語。該等術語僅用於區分一元件、組件、區域、層或部分與另一區域、層或部分。因此，在不偏離本發明之教示下，下文所討論之第一元件、組件、區域、層或部分可稱作第二元件、組件、區域、層或部分。

本文中使用空間相對術語，諸如"於......之下"、"於......下面"、"低於"、"於......之上"、"上部"及其類似術語，以便於描述如諸圖中所說明之一元件或部件與另一(多個)元件或部件(或另外元件或特徵)之關係。應瞭解，除於諸圖中所描述之方位之外，該等空間相對術語欲包含於使用或操作中該裝置之不同方位。例如，若將諸圖中之裝置翻轉，所述為"於......下面"、"於......之下"其他元件或部件之元件隨後則轉變方向為"於......上面"該等其他元件或部件。因此，該示範性術語"於......下面"可同時包含上面及下面之兩種方位。該裝置可另外轉向(旋轉90度或位於其他方位)，並相應解釋本文所用之空間相對描述符。

本文所用之術語係僅為描述特定實施例之目的，且不欲限制本發明。除非本文另外明確指示，如本文所用之單數形式"一"及"該"亦欲包括複數形式。進一步應瞭解，該說明書中所用之術語"包含"指定所述部件、整體、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但不排除存在或添加一或多個其他部件、整體、步驟、操作、元件、組件及/或其群。

本文參考橫截面說明描述本發明之實施例，該橫截面說明係本發明之理想化實施例(及中間結構)之圖解說明。由此，可預期由於(例如)製備技術及/或容許度而產生之說明形狀之變化。因此，本發明之實施例不應解釋為僅限於本文所說明之區域之特定形狀，而應包括(例如)由製備所產生之形狀偏差。

例如，說明為矩形之植入區域一般於其邊緣具有圓形或曲形部件及/或植入濃度之梯度，而非自植入至非植入區域之雙重變化。同樣地，由植入形成之內埋區域可導致內埋區域與發生植入之表面之間之區域中之某些植入。因此，於諸圖中所說明之該等區域實際上為圖解，且其形狀不欲說明裝置之區域之實際形狀，且不欲限制本發明之範疇。

除非另有定義，本文使用之所有術語(包括技術及科學術語)與一般技術者通常瞭解之本發明所屬領域之術語具有相同涵義。進一步應瞭解，諸如彼等於通常使用之字典中所定義之術語，可解釋為具有與其在相關技術內容中之涵義一致之涵義，且除非本文中明確定義，否則不可解釋為理想化或過度正式之意義。

製備薄膜電晶體基材之方法之示範性實施例

圖1為閘極線之示範性實施例之平面圖，該閘極線根據本發明之一實施例，藉由製備薄膜電晶體基材之方法之一示範性實施例於基材上形成。圖2為沿圖1中之線I－I'之閘極線之示範性實施例的橫截面圖。

參照圖1及2，閘極線110沿第一方向形成於基材100上，且閘電極112沿與第一方向大體上垂直之第二方向延伸形成於閘極線110上。在示範性實施例中，使用光罩將完全於基材100上形成之導電閘極薄層圖案化以形成閘極線110及閘電極112。在替代性實施例中，該導電閘極薄層可包括(但不限於)鋁、鋁合金及其類似物，以及包括前述之至少一者之組合。

如於圖2之示範性實施例中所示，閘極絕緣層114可於基材100上形成以覆蓋閘極線110及閘電極112。

圖3為圖1中之閘極線上形成之通道層之示範性實施例之平面圖。圖4為沿圖3中之線II－II'之橫截面圖。

參照圖3及4，非晶矽薄層及n^＋ 非晶矽薄層120可於閘極絕緣層114之上表面上相繼形成。該非晶矽薄層及該n^＋ 非晶矽薄層120可藉由使用光罩之光微影製程圖案化以於閘電極112上形成非晶矽圖案122及n^＋ 非晶矽圖案124。非晶矽圖案122可對應於閘電極112於閘極絕緣層114上形成。可於非晶矽圖案122之上表面上形成一對n^＋ 非晶矽圖案124。在圖4之示範性實施例中，該等n^＋ 非晶矽圖案124可彼此隔開分佈。

圖5為電連接至圖3中之n^＋ 非晶矽圖案之源及汲電極之示範性實施例的平面圖。圖6為沿圖5中之線III－III'之橫截面圖。

參照圖5及6，在非晶矽圖案122及n^＋ 非晶矽圖案124於基材100上形成之後，源/汲薄層可於基材100上全部形成。在替代性實施例中，該源/汲薄層可藉由使用光罩之光微影製程圖案化。因此，可於基材100上形成資料線130，源電極132及汲電極134。

如圖5中所示，資料線130可沿第二方向延伸，且源電極132可自資料線130沿第一方向延伸。資料線130與源電極132可彼此大體上垂直。

在示範性實施例中，自資料線130延伸之源電極132可電連接至n^＋ 非晶矽圖案124之一側。在替代性實施例中，汲電極134可電連接至n^＋ 非晶矽圖案124之另一側。

參照圖6，保護層140可於基材100上形成以覆蓋資料線130、源電極132及汲電極134。

如上文所述，閘極線110、閘電極112、n^＋ 非晶矽圖案124、非晶矽圖案122、資料線130、源電極132及汲電極134可使用多個光罩於基材100上形成。在替代性實施例中，閘極線110及閘電極112可使用一光罩形成。在其它替代性實施例中，n^＋ 非晶矽圖案124、非晶矽圖案122、資料線130、源電極132及汲電極134可使用一光罩形成。

圖7為於保護層上形成之光阻圖案之示範性實施例的平面圖。圖8為沿圖7中之線IV－IV'之橫截面圖。圖9為說明圖8中"A"部分之示範性實施例的放大圖。

參照圖7至9，光阻薄層於基材100上全部形成。光阻薄層可使用光罩圖案化以於基材100之上表面形成光阻圖案150。圖7及8中之參考數150a指示一像素區域，其可曝露於光阻圖案150移除之區域。

保護層140可使用光阻圖案150作為光罩進行圖案化，以於基材100上形成保護圖案142。在示範性實施例中，如圖8中所示，當保護圖案142部分展開或全部移除時，可曝露由保護層140覆蓋之汲電極134。

當保護層140使用光阻圖案150作為光罩進行圖案化時，保護層140可藉由濕式蝕刻進行各向同性蝕刻。例如，由於保護層140係藉由濕式蝕刻進行各向同性蝕刻，保護圖案142比光阻圖案150之邊緣部分進行更多蝕刻，以在保護圖案142上產生底切。如圖9中最佳所示，參考數142a表示該底切。

在替代性實施例中，當保護層140使用光阻圖案150作為光罩進行圖案化時，保護層140可藉由乾式蝕刻進行各向異性蝕刻。例如，在保護層140藉由乾式蝕刻進行各向異性蝕刻之後，保護層140可藉由濕式蝕刻進行各向同性蝕刻，以於保護圖案142上產生底切142a。

圖10為圖9中於基材上形成之透明導電薄層之示範性實施例的橫截面圖。

參照圖10，透明導電材料沉積於基材100上。該透明導電材料可包括(但不限於)氧化銦鋅(IZO)。在替代性實施例中，透明導電材料可包括非晶氧化銦錫(a－ITO)、氧化銦錫(ITO)及其類似物，及包括前述之至少一者之組合。

在示範性實施例中，如透明導電材料於基材100上形成，導電層160可於光阻圖案150上形成。如圖10之示範性實施例中所示，像素電極170於閘極絕緣層114上形成，且由於底切142a於導電層160與像素電極170之間形成，因此像素電極170與導電層160電分離。

圖11為圖10中之移除光阻圖案及導電層之一部分之基材之示範性實施例的橫截面圖。

參照圖11，在導電層160與像素電極170於基材100上形成之後，剝離組合物184可經由例如分配器182噴塗於基材100上。

在示範性實施例中，剝離組合物184可包括用於光阻層之剝離劑及用於導電層之剝離添加劑。例如，用於光阻層之剝離劑可與光阻圖案150反應以移除光阻圖案150。在替代性實施例中，用於導電層之剝離添加劑可蝕刻導電層160。

剝離組合物可包括用於光阻層之剝離劑、胺基化合物、質子化二醇基化合物、去質子化多極化合物及其類似物，以及包括前述之至少一者之任何組合。用於導電層之剝離添加劑可包括(但不限於)硫醇基化合物、草酸衍生物。

下文將對該剝離組合物加以詳述。

在示範性實施例中，由於該剝離組合物可包括用於光阻層之剝離劑及用於導電層之剝離添加劑，因此該剝離組合物可剝離光阻圖案150、移除導電層160及蝕刻像素電極170。參照圖11，當將剝離組合物184噴塗於光阻圖案150上時，導電層160及像素電極170於光阻圖案上形成，儘管導電層160及像素電極170在剝離光阻圖案150時可藉由該剝離組合物蝕刻。

可首先剝離光阻圖案150，且隨後可蝕刻導電層160及像素電極170。有利地，可適當控制用於剝離光阻圖案150之剝離時間。

可將藉由使用剝離組合物184剝離光阻圖案150將於光阻圖案150上形成之導電層160自基材100移除所需之時間定義為第一時間。將使用剝離組合物184完全蝕刻導電層160及像素電極170所需之時間定義為第二時間。第一與第二時間可由式1所示之關係進行定義。

[式1]第一時間<第二時間

在第一時間內，將剝離組合物184噴塗於基材100上以自基材100分離導電層160，以基本上防止像素電極170不受剝離組合物184損壞。在示範性實施例中，當使用上述剝離組合物時，第一時間可在約2分鐘至約4分鐘之間。在替代性實施例中，第一時間較佳可在約2.5分鐘至約3分鐘之間。

應用剝離組合物184之後自基材100分離之導電層160部分與殘餘之剝離組合物184一起流至儲槽186中。在第二時間內，與殘餘剝離組合物184一起流至儲槽186中之經分離導電層160可完全溶解。在示範性實施例中，當使用上文所述之剝離組合物184時，第二時間可在約10分鐘至約30分鐘之間。

在替代性實施例中，當經分離之導電層160於儲槽186中完全溶解時，剝離組合物184可再循環以重新提供於分配器182。例如，剝離組合物184可後續製程中重複使用。

在示範性實施例中，可在約60℃至約80℃之溫度範圍內剝離光阻圖案150，且可在約60℃至約80℃之溫度範圍內溶解導電層160。

圖12為圖11中無光阻圖案及導電層之薄膜基材之示範性實施例的橫截面圖。

參照圖12，光阻圖案150可藉由剝離組合物184進行剝離，且導電層160之部分可自基材100分離以流至儲槽186中。有利地，薄膜電晶體及像素電極170殘留於基材100上。在示範性實施例中，可較佳清潔基材100以有效防止殘留於基材100上之像素電極170受到剝離組合物184之破壞。

剝離組合物之示範性實施例

下文將詳細描述剝離組合物之示範性實施例。

如先前所討論之，剝離組合物可包括用於光阻層之剝離劑及用於導電層之剝離添加劑。在示範性實施例中，用於光阻層之剝離劑可剝離光阻圖案，且用於導電層之剝離添加劑可蝕刻導電層。該用於光阻層之剝離劑可包括胺基化合物、質子化二醇基化合物、去質子化多極化合物及其類似物，以及包括前述之至少一者之任何組合。該用於導電層之剝離添加劑可包括硫醇基化合物。

該胺基化合物之實例可包括(但不限於)單乙醇胺、單異丙醇胺、甲基甲醇胺、乙基乙醇胺、二甲醇胺、胺基乙氧基乙醇胺及其類似物，該等化合物可單獨或以其混合物使用。

在示範性實施例中，當胺基化合物之含量少於約20重量%時，光阻圖案於一段時間內不可充分剝離。在另一示範性實施例中，當胺基化合物之含量超過約40重量%時，在剝離光阻圖案時可過度蝕刻及/或損壞像素電極。另外，當胺基化合物之含量超過約40重量%時，可增加經蒸發之剝離組合物184之量以改變該等組份於剝離組合物184中之含量。

在光阻圖案可充分剝離及/或像素電極不可過度蝕刻或損壞之替代性實施例中，剝離組合物之含量可在約20重量%至約40重量%之間。在其它替代性實施例中，剝離組合物之含量較佳可在約25重量%至約35重量%之間。

質子化二醇基化合物之實例可包括(但不限於)二甘醇丁醚、二甘醇甲醚、二甘醇乙醚、二甘醇丙醚、二甘醇丁醚、乙二醇及其類似物。該等化合物可單獨或以其混合物使用。

在示範性實施例中，當質子化二醇基化合物之含量少於約20重量%時，光阻層之溶解可過度減少。在其它示範性實施例中，當質子化二醇基化合物之含量超過約50重量%時，可產生沉降。在光阻層之溶解基本上無過度減少及/或無沉降有效產生之替代性實施例中，質子化二醇基化合物之含量可在約20重量%至約50重量%之間。

去質子化多極化合物之實例可包括(但不限於)N－甲基－2－吡咯啶酮、N,N－二甲基乙醯胺、N,N－二甲基甲醯胺、N,N－二甲基咪唑及其類似物。該等化合物可單獨或以其混合物使用。

在示範性實施例中，當去質子化多極化合物之含量少於約20重量%時，光阻圖案之剝離時間可增加，從而誘發導電層之損壞。此處，該損壞可由硫醇基化合物導致。在其它示範性實施例中，當去質子化多極化合物之含量超過約40重量%時，可在蝕刻光阻圖案時蝕刻導電層。在替代性實施例中，當光阻圖案之剝離時間無有效增加及/或導電層基本上未經損壞及/或未經蝕刻時，去質子化多極化合物之含量可在約20重量%至約40重量%之間。在替代性實施例中，去質子化多極化合物之含量較佳在約25重量%至約35重量%之間。

在替代性實施例中，剝離添加劑可包括硫醇基化合物或草酸衍生物。在其它替代性實施例中，硫醇基化合物可優於草酸衍生物。硫醇基化合物之實例可包括(但不限於)硫代苯甲酸、硫醇酸及其類似物。該等化合物可單獨或以其混合物使用。

在示範性實施例中，當硫醇基化合物之含量少於約0.5重量%時，導電層可能不會完全溶解於剝離組合物中，以致剝離組合物之再循環可能變得困難。在其它示範性實施例中，當硫醇基化合物之含量超過約3重量%時，可能會於剝離組合物中產生沈降物。在替代性實施例中，硫醇基化合物之含量可在約0.5重量%至約3重量%之間。在其它替代性實施例中，當導電層基本上溶解及/或未有效產生沈降物時，硫醇基化合物之含量較佳可在約1.5重量%至約2重量%之間。

下文參考以下實例對本發明之示範性實施例進行詳述。提供該等實例僅為說明之目的且不可解釋為本發明之限制，因其許多變化可能並不與本發明之精神與範疇相分離。

實例1至3

根據表1之組合物，獲得約100 ml剝離組合物。

實驗1：對IZO導電層溶解能力之估計

將實例1、2及3之剝離組合物各自加熱至約70℃之溫度，且隨後將該等經加熱之剝離組合物添加至氧化銦鋅(IZO)層(550)並保持約30分鐘。隨後，觀察到導電層之溶解。

圖13A為藉由實例1剝離組合物之示範性實施例溶解之導電層表面之圖。圖13B為藉由實例2剝離組合物之示範性實施例溶解之導電層表面之圖。圖13C為藉由實例3剝離組合物之示範性實施例溶解之導電層表面之圖。

參照圖13A至13C，在添加經加熱之剝離組合物之約30分鐘內，IZO層顯示完全溶解。有利地，剝離組合物在約30分鐘之製程時間內可完全溶解導電層。

實驗2：對銦與鋅溶離量之量測

在光阻圖案完全剝離之後，將實例1與3之剝離組合物各自噴塗於薄膜電晶體基材上。分別量測銦與鋅之溶離量。結果顯示於表2中。在光阻圖案剝離之前，將實例3之剝離組合物噴塗於薄膜電晶體基材上，隨後分別量測銦與鋅之溶離量。結果顯示於表3中。

參照表3及4，PR剝離之後金屬之溶離量相對於PR剝離之前金屬之溶離量顯示約100 ppb之差異。有利地，在PR剝離期間移除光阻圖案上之導電層。

實驗3：胺含量之變化

將作為比較性實例之約1000 ml PR剝離物(市售商標名為PRS－2000，由Dong－woo finechem Co.,Korea製造)及約1000 ml實例2之剝離組合物藉由強制排氣(FE)式耗盡。在排氣過程期間量測胺含量之變化。結果顯示於表4中。

參照表4，實例4剝離組合物中胺含量之變化較比較性實例中之剝離物中胺含量之變化低。有利地，根據本發明之示範性實施例之剝離組合物具有優良穩定性。

如上文所討論之，製備薄膜電晶體基材之方法之示範性實施例可放良製備該薄膜電晶體基材製程之效率。

另外，上文討論之用於薄膜電晶體基材製備製程之剝離組合物之示範性實施例可溶解光阻及/或導電層。有利地，固體組份不可殘留於所使用之剝離組合物中，以使得經使用之剝離組合物可再循環並於後續之薄膜電晶體基材之製備製程中再度利用。件為進一步之優勢，剝離組合物可具有優良穩定性。

100．．．基材

110．．．閘極線

112．．．閘電極

114．．．閘極絕緣層

120．．．非晶矽薄層及n＋非晶矽薄層

122．．．非晶矽圖案

124．．．n＋非晶矽圖案

130．．．資料線

132．．．源電極

134．．．汲電極

140．．．保護層

142．．．保護圖案

142a．．．底切

150．．．光阻圖案

150a．．．像素區域

160．．．導電層

170．．．像素電極

182．．．分配器

184．．．剝離組合物

186．．．儲槽

藉由參考以下詳細說明，同時結合該等附圖考慮，將易於瞭解本發明之上述及其他優勢，其中：圖1為說明藉由根據本發明之製備薄膜電晶體基材之方法之示範性實施例，於基材上形成之閘極線之示範性實施例的平面圖；圖2為沿圖1中之線I－I'之橫截面圖；圖3為圖1中之閘極線之示範性實施例上形成之通道層之示範性實施例的平面圖；圖4為沿圖3中之線II－II'之橫截面圖；圖5為電連接至圖3中之n^＋ 非晶矽圖案之示範性實施例上之源及汲電極之示範性實施例的平面圖；圖6為沿圖5中之線III－III'之橫截面圖；圖7為於保護層之示範性實施例上形成之光阻圖案之示範性實施例的平面圖；圖8為沿圖7中之線IV－IV'之橫截面圖；圖9為圖8中"A"部分之示範性實施例的放大圖；圖10為圖9中於基材之示範性實施例上形成之透明導電薄層之示範性實施例的橫截面圖；圖11為圖10中根據本發明之實施例之示範性方法移除光阻圖案及導電層之一部分之基材之示範性實施例的橫截面圖；圖12為圖11中無光阻圖案及導電層之薄膜基材之示範性實施例的橫截面圖；圖13A為藉由實例1剝離組合物之示範性實施例溶解之導電層表面之圖；圖13B為藉由實例2剝離組合物之示範性實施例溶解之導電層表面之圖；且圖13C為藉由實例3剝離組合物之示範性實施例溶解之導電層表面之圖。

120．．．非晶矽薄層及n^＋ 非晶矽薄層

122．．．非晶矽圖案

124．．．n^＋ 非晶矽圖案

134．．．汲電極

140．．．保護層

142．．．保護圖案

142a．．．底切

150．．．光阻圖案

150a．．．像素區域

160．．．導電層

170．．．像素電極

182．．．分配器

184．．．剝離組合物

186．．．儲槽

Claims (26)

1. 一種製備一薄膜電晶體基材之方法，其包含：於一基材上形成一電晶體薄層圖案；於該電晶體薄層圖案上形成一保護層；於該保護層上安置一光阻膜；藉由一光微影製程於該基材上形成一光阻圖案及一像素區域，以於該光阻圖案之一較低部位產生一底切；於該光阻圖案及該像素區域上沉積一導電材料，以於該基材上形成一導電層及一像素電極，且該導電層與該像素電極分離；將一剝離組合物應用於該基材上，以自該基材剝離該光阻圖案及/或移除於該光阻圖案上形成之該導電層；及收集經使用之剝離組合物，該經使用之剝離組合物包括自該基材上移除且完全溶解於該經使用之剝離組合物中之該導電層。
2. 如請求項1之方法，其進一步包含清潔殘留於該基材上之該剝離組合物。
3. 如請求項1之方法，其中該經使用之剝離組合物係儲存於一儲槽中。
4. 如請求項1之方法，其中該剝離組合物包含一用於光阻層之剝離劑及一用於導電層之剝離添加劑，用於該光阻之該剝離劑包含：約20重量%至約40重量%之胺基化合物；約20重量%至約50重量%之質子化二醇基化合物；及 約20重量%至約40重量%之去質子化多極化合物；且用於該導電層之該剝離添加劑包含約0.5重量%至約3重量%之硫醇基化合物。
5. 如請求項4之方法，其中該胺基化合物為約25重量%至約35重量%。
6. 如請求項4之方法，其中該去質子化多極化合物為約25重量%至約35重量%。
7. 如請求項4之方法，其中該硫醇基化合物為約1.5重量%至約2重量%。
8. 如請求項4之方法，其中該胺基化合物包含單乙醇胺、單異丙醇胺、甲基甲醇胺、乙基乙醇胺、二甲醇胺、胺基乙氧基乙醇胺或包括前述之至少一者之任何組合。
9. 如請求項4之方法，其中該質子化二醇基化合物包含二甘醇甲醚、二甘醇乙醚、二甘醇丙醚、二甘醇丁醚、乙二醇或包括前述之至少一者之任何組合。
10. 如請求項4之方法，其中該去質子化多極化合物包含N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基咪唑或包括前述之至少一者之任何組合。
11. 如請求項4之方法，其中該硫醇基化合物包含硫代苯甲酸、硫醇酸或包括前述之至少一者之任何組合。
12. 如請求項4之方法，其中在約60℃至約80℃之溫度下剝離該光阻圖案及/或該導電層。
13. 如請求項4之方法，其中該光阻圖案歷時約2分鐘至約4分鐘剝離。
14. 如請求項4之方法，其中該光阻圖案歷時約2.5分鐘至約3分鐘剝離。
15. 如請求項4之方法，其中該導電層歷時約10分鐘至約30分鐘溶解。
16. 如請求項1之方法，其中該剝離組合物係經噴塗於該基材上。
17. 如請求項1之方法，其中該像素電極及該導電層包含氧化銦鋅(IZO)、氧化銦錫、非晶形氧化銦錫(a-ITO)或包括前述之至少一者之任何組合。
18. 如請求項1之方法，其中該經使用之剝離組合物係經再循環且繼續使用於隨後之薄膜電晶體基材之製備中。
19. 如請求項1之方法，其中該電晶體薄層係藉由下列步驟形成：於該基材上形成一閘極線及一閘電極，該閘極線與該閘電極大體上彼此垂直；於該基材上形成一閘極絕緣層，該閘極絕緣層覆蓋該閘極線及該閘電極；於該閘極絕緣層上形成一非晶矽圖案及一n⁺ 非晶矽圖案；及於該基材上形成一資料線、源電極及一汲電極，該源電極及該汲電極係電連接至該n⁺ 非晶矽圖案；其中該閘極線、該閘電極、該非晶矽圖案、該n⁺ 非晶矽圖案、該資料線、該源電極及該汲電極之形成係使用多個光罩。
20. 如請求項19之方法，其中該閘極線與閘電極之形成係使用一個光罩。
21. 如請求項19之方法，其中該n⁺ 非晶矽圖案、該資料線、該源電極及該汲電極之形成係使用一個光罩。
22. 一種剝離組合物，其包含：一用於剝離光阻層之剝離劑；及一用於剝離導電層之剝離添加劑；其中該用於剝離該光阻之剝離劑包含：約20重量%至約40重量%之胺基化合物；約20重量%至約50重量%之質子化二醇基化合物；及約20重量%至約40重量%之去質子化多極化合物；且該用於剝離該導電層之剝離添加劑包含約0.5重量%至約3重量%之硫醇基化合物。
23. 如請求項22之剝離組合物，其中該胺基化合物包含單乙醇胺、單異丙醇胺、甲基甲醇胺、乙基乙醇胺、二甲醇胺、胺基乙氧基乙醇胺或包括前述之至少一者之任何組合。
24. 如請求項22之剝離組合物，其中該質子化二醇基化合物包含二甘醇甲醚、二甘醇乙醚、二甘醇丙醚、二甘醇丁醚、乙二醇或包括前述之至少一者之任何組合。
25. 如請求項22之剝離組合物，其中該去質子化多極化合物包含N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二甲基咪唑或包括前述之至少一者之任何組合。
26. 如請求項22之剝離組合物，其中該硫醇基化合物包含硫代苯甲酸、硫醇酸或包括前述之至少一者之任何組合。