CN106783555A - 一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板 - Google Patents

一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板 Download PDF

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Abstract

本申请提供一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板，以解决现有技术在通过一次成膜形成两层图案化的功能层膜层时，多层膜层图案的制作效率较低的问题。所述制作方法包括：在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜；在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层；利用所述第一光刻胶层的遮挡，形成第二功能层的图案；在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层；利用所述第二光刻胶层的遮挡，形成第一功能层的图案，其中，所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠；同时去除所述第二层光刻胶层和所述第一层光刻胶层。

Description

一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板。
背景技术
液晶显示器，由于功耗很低，并且具有高画质、体积小、重量轻的特点，因此倍受大家青睐，成为当前显示器的主流。目前液晶显示器以薄膜晶体管液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display，TFT-LCD)为主，其显示面板通常包括相对设置的彩膜基板、阵列基板以及设置于两基板之间的液晶层。
现有技术在制作阵列基板的栅极保护层图案和栅极保护层上的有源层图案时，通常是通过一次成膜，即，依次连续形成栅极保护层薄膜和有源层薄膜。而在形成有源层的图案后，则将形成有源层图案时所使用的第一光刻胶层通过剥离工艺去除，接着，再在图案化后的有源层上形成制作栅极保护层图案的第二光刻胶层薄膜，再通过曝光、显影、刻蚀形成栅极保护层的图案，最后，将制作该栅极保护层图案的第二光刻胶层通过剥离工艺去除。即，现有技术在通过一次成膜形成两层图案化的功能层膜层时，例如，形成栅极保护层和有源层，通常都需要进行两次光刻胶的剥离工艺，存在多层膜层图案的制作效率较低的问题。
发明内容
本申请提供一种多层膜层图案、多层膜层图案的制作方法及阵列基板，以解决现有技术中在通过一次成膜形成两层图案化的功能层膜层时，多层膜层图案的制作效率较低的问题。
本申请实施例提供一种多层膜层图案的制作方法，包括：
在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜；
在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层；
利用所述第一光刻胶层的遮挡，形成第二功能层的图案；
在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层；
利用所述第二光刻胶层的遮挡，形成第一功能层的图案，其中，所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠；
同时去除所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层。
优选的，所述第一功能层为栅极保护层，所述第二功能层为有源层，在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜之前，所述制作方法还包括：
在衬底上形成栅极层的图案，其中，所述栅极层的图案包括栅电极以及用作信号线的信号电极；
所述在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜，具体包括：
在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜和有源层薄膜；
所述利用所述第一光刻胶层的遮挡，形成第二功能层的图案，具体包括：
利用所述第一光刻胶层的遮挡，对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行刻蚀，形成有源层图案；
所述利用所述第二光刻胶层的遮挡，形成第一功能层的图案，具体包括：
利用所述第二光刻胶层的遮挡，对所述栅极保护层薄膜的与所述信号电极对应的区域进行刻蚀，形成具有第一过孔的栅极保护层的图案。
优选的，所述在衬底上形成栅极层的图案，具体包括：
在所述衬底上溅射形成栅极金属薄膜；
在所述栅极金属薄膜上形成第三光刻胶层薄膜，并形成具有第一遮挡部和第二遮挡部的第三光刻胶层的图案；
在所述第一遮挡部和所述第二遮挡部的遮挡下，对所述栅极金属薄膜刻蚀，形成具有与所述第一遮挡部对应的栅电极以及与所述第二遮挡部对应的信号电极的栅极层的图案；
去除所述第三光刻胶层。
优选的，所述在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜以及有源层薄膜，具体包括：
通过化学气相沉积，在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜以及有源层薄膜。
优选的，所述在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层，具体包括：
在所述有源层薄膜上涂覆第一光刻胶层薄膜；
对所述第一光刻胶层薄膜进行层曝光、显影，形成具有与所述栅电极对应的第三遮挡部的第一光刻胶层的图案。
优选的，所述对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行刻蚀，形成有源层图案，具体包括：
对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行干刻刻蚀，形成有源层图案。
优选的，所述在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层，具体包括：
在所述第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层薄膜；
对所述第二光刻胶层薄膜进行曝光、显影，形成具有与所述信号电极对应的第二过孔的第二层光刻胶的图案。
优选的，在同时去除所述第一光刻胶层和所述第二光刻胶层之后，所述制作方法还包括：
形成具有源极和漏极的源漏极层的图案，其中，所述源极与所述信号电极连接。
本申请实施例还提供一种多层膜层图案，包括：设置于衬底上的图案化的第一功能层，以及设置于所述第一功能层上的图案化的第二功能层，其中，所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠。
本申请实施例还提供一种阵列基板，包括：设置在衬底上的栅极层，其中，所述栅极层包括栅电极以及用作信号线的信号电极，设置在所述栅极层上具有暴露所述信号电极的第一过孔的栅极保护层，以及，设置在所述栅极保护层上的在与所述栅电极对应的区域设置有有源层薄膜的有源层。
优选的，所述有源层上还设置有源漏极层，所述源漏极中的源极与所述信号电极连接。
本申请实施例有益效果如下：本申请实施例提供多层膜层图案的制作方法，在利用第一光刻胶层形成第二功能层的图案后，并不是直接将第一光刻胶层去除，而是在所述第一光刻胶层上继续形成用于制作第一功能层图案的第二光刻胶层，在形成第一功能层的图案后，一并去除第一光刻胶层和第二光刻胶层，进而减少一次去除光刻胶的工艺，避免分别通过两次剥离工艺去除用于制作第二功能层图案的第一光刻胶层和用于制作第一功能层图案的第二层光刻胶，提高了多层膜层图案的制作效率。
附图说明
图1为本申请实施例提供的多层膜层图案的制作方法的流程图；
图2为本申请实施例中，在栅极金属薄膜上形成第三光刻胶层后的示意图；
图3为本申请实施例中，在衬底上形成栅极层后的示意图；
图4为本申请实施例中，在栅极层上形成栅极保护层薄膜和有源层薄膜后的示意图；
图5为本申请实施例中，在有源层薄膜上形成第一光刻胶层后的示意图；
图6为本申请实施例中，利用第一光刻胶层的遮挡形成有源层后的示意图；
图7为本申请实施例中，在第一光刻胶层上形成第二光刻胶层后的示意图；
图8为本申请实施例中，利用第二光刻胶层形成栅极保护层后的示意图；
图9为本申请实施例中，去除第二层光刻胶层和第一层光刻胶层后的示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图对本发明实施例的实现过程进行详细说明。需要注意的是，自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
参见图1，本申请实施例提供一种多层膜层图案的制作方法，包括：
步骤101，在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜。
在具体实施时，多层膜层图案可以为阵列基板上的多层膜层图案，具体的第一功能层薄膜可以为制作阵列基板的栅极保护层时的栅极保护层薄膜，第二功能层薄膜可以为制作阵列基板的有源层时的有源层薄膜。衬底具体可以为玻璃基板。
步骤102，在第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层。
在具体实施时，第一光刻胶层的图案需要根据要制作的第二功能层的图案进行决定，例如，若第二功能层的图案为阵列基板上的有源层的图案时，由于有源层下方一般还形成有具有栅电极的栅极层，即，有源层需要在与栅电极对应的区域形成有源层薄膜，则，在第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层，具体可以包括：
在有源层薄膜上涂覆第一光刻胶层薄膜；
对第一光刻胶层薄膜进行层曝光、显影，形成具有与栅电极对应的第三遮挡部的第一光刻胶层的图案。
103，利用第一光刻胶层的遮挡，形成第二功能层的图案。
在具体实施时，若第二功能层为有源层，即需要将形成的有源层薄膜在与栅电极对应区域的以外区域的有源层薄膜进行去除，则，利用第一光刻胶层的遮挡，形成第二功能层的图案，具体包括：利用第一光刻胶层的遮挡，对有源层薄膜的与栅电极对应区域的以外区域进行刻蚀，形成有源层图案。
104，在第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层。
需要说明的是，本申请在形成第二功能层的图案后，不将形成第二功能层图案的第一光刻胶层去除，而是在该第一光刻胶层上直接形成制作第一功能层图案的第二光刻胶层，以在形成第一功能层的图案后，将第二光刻胶层和第一光刻胶层同时去除，以减少一次光刻胶的剥离工艺，提高多层膜层图案的制作效率。
对于第二光刻胶层的图案，在具体实施时，需要根据要制作的第一功能层的图案进行决定，例如，若第一功能层的图案为制作薄膜晶体管的栅极保护层的图案，由于对于阵列基板而言，其一般不仅包括薄膜晶体管，还可能包括多种信号线，即，在阵列基板的栅极层，其包括薄膜晶体管的栅电极，还可能包括作为信号线的信号电极，而对于栅极保护层，则在阵列基板的GOA区域需要形成相应的过孔，以使栅极保护层下方的信号线能够与栅极保护层上方的其它电极进行连通以传递信号，即，对于第一功能层为具有过孔的栅极保护层，为了能在第二光刻胶层的遮挡下刻蚀形成栅极保护层的过孔，相应的，第二光刻胶层的图案也相应为具有过孔的图案，此时，在第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层，具体包括：
在第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层薄膜；
对第二光刻胶层薄膜进行曝光、显影，形成具有与信号电极对应的第二过孔的第二层光刻胶的图案。
105，利用第二光刻胶层的遮挡，形成第一功能层的图案，其中，第一功能层的图案与第二功能层的图案在衬底上的正投影互不交叠。
需要说明的是，对于本申请实施例的第一功能层的图案和第二功能层的图案，二者在衬底上的正投影互不交叠，即，位于上方的第二功能层的图案，其为不影响下方第一功能层的图案制作的图案，例如，上方的第二功能层在第一区域形成有图案，在第一区域以外的第二区域的薄膜被全部刻蚀掉，而下方的第一功能层在与第二功能层的第二区域对应的第三区域形成有图案，即，第一功能层的形成图案的第三区域上方不存在第二功能层薄膜，不会影响在第一功能层薄膜上刻蚀形成图案，其中，第一功能层的第三区域为在衬底上的投影与第二功能层的第二区域在衬底上的正投影重合的区域。当然，以上是以第一功能层为栅极保护层，第二功能层为有源层进行举例说明，对于本申请实施例提供的多层膜层图案也可以为制作其它器件的多膜层图案，或阵列基板的有源层与栅极保护层以外的其它膜层，只要第二功能层和第一功能层是通过一次连续成膜形成的，且第一功能层的图案和第二功能层的图案在衬底上的正投影互不重叠，即制作第一功能层的图案和制作第二功能层的图案相互不影响，均可以通过本申请实施例提供的多膜层图案的制作方法来减少一次光刻胶的剥离工艺。
在具体实施时，若第一功能层的图案为具有暴露栅极层的信号电极的过孔的栅极保护层图案，则，利用第二光刻胶层的遮挡，形成第一功能层的图案，具体包括：
利用第二光刻胶层的遮挡，对栅极保护层薄膜的与栅极层的信号电极对应的区域进行刻蚀，形成具有第一过孔的栅极保护层的图案。
106，同时去除第二光刻胶层和第一光刻胶层。
本申请实施例提供多层膜层图案的制作方法，在利用第一光刻胶层形成第二功能层的图案后，并不是直接将第一光刻胶层去除，而是在所述第一光刻胶层上继续形成用于制作第一功能层图案的第二光刻胶层，在形成第一功能层的图案后，一并去除第一光刻胶层和第二光刻胶层，进而减少一次去除光刻胶的工艺，避免分别通过两次剥离工艺去除用于制作第二功能层图案的第一光刻胶层和用于制作第一功能层图案的第二层光刻胶，提高了多层膜层图案的制作效率。
为了更详细的对本申请提供的多层膜层图案的制作方法进行说明，以下以第一功能层为阵列基板的栅极保护层，第二功能层为阵列基板的有源层为例，结合附图2至附图9对本申请实施例提供的多层膜层图案的制作方法进行如下举例说明：
步骤一，在真空条件下，在衬底基板1上溅射形成栅极金属薄膜2，并在栅极金属薄膜2上形成第三光刻胶层薄膜，并形成具有第一遮挡部31和第二遮挡部32的第三光刻胶层3的图案。在栅极金属薄膜2上形成第三光刻胶层3后的示意图如图2所示。
步骤二，在第一遮挡部31和第二遮挡部32的遮挡下，对栅极金属薄膜2刻蚀，形成具有与第一遮挡部31对应的栅电极41以及与第二遮挡部32对应的信号电极42的栅极层4的图案，去除第三光刻胶层3。在衬底基板1上形成栅极层4后的示意图如图3所示。
步骤三，通过化学气相沉积，在栅极层4上依次连续形成栅极保护层薄膜50和有源层薄膜60。形成栅极保护层薄膜50和有源层薄膜60后的示意图如图4所示。
步骤四，在有源层薄膜60上涂覆第一光刻胶层薄膜，对第一光刻胶层薄膜进行层曝光、显影，形成具有与栅电极41对应的第三遮挡部的第一光刻胶层7的图案。形成第一光刻胶层7后的示意图如图5所示。
步骤五，利用第一光刻胶层7的遮挡，对有源层薄膜60的与栅电极41对应区域的以外区域进行干刻刻蚀，形成有源层6图案。形成有源层6图案后的示意图如图6所示。
步骤六，在第一光刻胶层7上涂覆第二光刻胶层薄膜，对第二光刻胶层薄膜进行曝光、显影，形成具有与信号电极42对应的第二过孔81的第二光刻胶层8的图案。形成第二光刻胶层8后的示意图如图7所示。
步骤七，利用第二光刻胶层8的遮挡，对栅极保护层薄膜50的与信号电极42对应的区域进行刻蚀，形成具有第一过孔91的栅极保护层9的图案。形成栅极保护层9后的示意图如图8所示。
步骤八，同时去除第二层光刻胶层8和第一层光刻胶层7。去除第二层光刻胶层8和第一层光刻胶层7后的示意图如图9所示。
本申请实施例还提供一种多层膜层图案，包括：设置于衬底上的图案化的第一功能层，以及设置于第一功能层上的图案化的第二功能层，其中，第一功能层的图案与第二功能层的图案在衬底上的正投影互不交叠。
参见图9，本申请实施例还提供一种阵列基板，包括：设置在衬底基板1上的栅极层4，其中，栅极层4包括栅电极41以及用作信号线的信号电极42，设置在栅极层4上具有暴露信号电极42的第一过孔91的栅极保护层9，以及，设置在栅极保护层9上的在与栅电极41对应的区域设置有有源层薄膜的有源层6。
优选的，有源层6上还设置有源漏极层(图中未示出)，源漏极中的源极与信号电极连接。
综上所述，本申请实施例有益效果如下：本申请实施例提供多层膜层图案的制作方法，在利用第一光刻胶层形成第二功能层的图案后，并不是直接将第一光刻胶层去除，而是在所述第一光刻胶层上继续形成用于制作第一功能层图案的第二光刻胶层，在形成第一功能层的图案后，一并去除第一光刻胶层和第二光刻胶层，进而减少一次去除光刻胶的工艺，避免分别通过两次剥离工艺去除用于制作第二功能层图案的第一光刻胶层和用于制作第一功能层图案的第二层光刻胶，提高了多层膜层的制作效率。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (11)

1.一种多层膜层图案的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜；
在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层；
利用所述第一光刻胶层的遮挡，形成第二功能层的图案；
在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层；
利用所述第二光刻胶层的遮挡，形成第一功能层的图案，其中，所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠；
同时去除所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第一功能层为栅极保护层，所述第二功能层为有源层，在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜之前，所述制作方法还包括：
在衬底上形成栅极层的图案，其中，所述栅极层的图案包括栅电极以及用作信号线的信号电极；
所述在衬底上依次形成第一功能层薄膜和第二功能层薄膜，具体包括：
在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜和有源层薄膜；
所述利用所述第一光刻胶层的遮挡，形成第二功能层的图案，具体包括：
利用所述第一光刻胶层的遮挡，对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行刻蚀，形成有源层图案；
所述利用所述第二光刻胶层的遮挡，形成第一功能层的图案，具体包括：
利用所述第二光刻胶层的遮挡，对所述栅极保护层薄膜的与所述信号电极对应的区域进行刻蚀，形成具有第一过孔的栅极保护层的图案。
3.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在衬底上形成栅极层的图案，具体包括：
在所述衬底上溅射形成栅极金属薄膜；
在所述栅极金属薄膜上形成第三光刻胶层薄膜，并形成具有第一遮挡部和第二遮挡部的第三光刻胶层的图案；
在所述第一遮挡部和所述第二遮挡部的遮挡下，对所述栅极金属薄膜刻蚀，形成具有与所述第一遮挡部对应的栅电极以及与所述第二遮挡部对应的信号电极的栅极层的图案；
去除所述第三光刻胶层。
4.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜以及有源层薄膜，具体包括：
通过化学气相沉积，在所述栅极层上依次形成栅极保护层薄膜以及有源层薄膜。
5.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第二功能层薄膜上形成图案化的第一光刻胶层，具体包括：
在所述有源层薄膜上涂覆第一光刻胶层薄膜；
对所述第一光刻胶层薄膜进行层曝光、显影，形成具有与所述栅电极对应的第三遮挡部的第一光刻胶层的图案。
6.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行刻蚀，形成有源层图案，具体包括：
对所述有源层薄膜的与所述栅电极对应区域的以外区域进行干刻刻蚀，形成有源层图案。
7.如权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一光刻胶层上形成图案化的第二光刻胶层，具体包括：
在所述第一光刻胶层上涂覆第二光刻胶层薄膜；
对所述第二光刻胶层薄膜进行曝光、显影，形成具有与所述信号电极对应的第二过孔的第二层光刻胶的图案。
8.如权利要求2-7任一项所述的制作方法，其特征在于，在同时去除所述第二光刻胶层和所述第一光刻胶层之后，所述制作方法还包括：
形成具有源极和漏极的源漏极层的图案，其中，所述源极与所述信号电极连接。
9.一种多层膜层图案，其特征在于，包括：设置于衬底上的图案化的第一功能层，以及设置于所述第一功能层上的图案化的第二功能层，其中，所述第一功能层的图案与所述第二功能层的图案在所述衬底上的正投影互不交叠。
10.一种阵列基板，其特征在于，包括：设置在衬底上的栅极层，其中，所述栅极层包括栅电极以及用作信号线的信号电极，设置在所述栅极层上具有暴露所述信号电极的第一过孔的栅极保护层，以及，设置在所述栅极保护层上的在与所述栅电极对应的区域设置有有源层薄膜的有源层。
11.如权利要求10所述的阵列基板，其特征在于，所述有源层上还设置有源漏极层，所述源漏极中的源极与所述信号电极连接。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270420A (ja) * 1997-03-24 1998-10-09 Sharp Corp 薄膜素子の製造方法及びドライエッチング装置
US6818923B2 (en) * 2002-04-17 2004-11-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
KR20100133170A (ko) * 2009-06-11 2010-12-21 한양대학교 산학협력단 2개의 포토 마스크를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법
CN102142393A (zh) * 2010-01-28 2011-08-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 互连结构的形成方法
CN104157565A (zh) * 2013-05-14 2014-11-19 台湾积体电路制造股份有限公司 通过电子束光刻利用单次曝光限定多层图案的方法
CN104299942A (zh) * 2014-09-12 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 过孔制作方法、阵列基板制作方法及阵列基板、显示装置
CN104752170A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双重图形化的形成方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10270420A (ja) * 1997-03-24 1998-10-09 Sharp Corp 薄膜素子の製造方法及びドライエッチング装置
US6818923B2 (en) * 2002-04-17 2004-11-16 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
KR20100133170A (ko) * 2009-06-11 2010-12-21 한양대학교 산학협력단 2개의 포토 마스크를 이용한 박막 트랜지스터의 제조 방법
CN102142393A (zh) * 2010-01-28 2011-08-03 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 互连结构的形成方法
CN104157565A (zh) * 2013-05-14 2014-11-19 台湾积体电路制造股份有限公司 通过电子束光刻利用单次曝光限定多层图案的方法
CN104752170A (zh) * 2013-12-30 2015-07-01 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 双重图形化的形成方法
CN104299942A (zh) * 2014-09-12 2015-01-21 京东方科技集团股份有限公司 过孔制作方法、阵列基板制作方法及阵列基板、显示装置

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