TWI430346B - 切割用之感壓黏著片 - Google Patents

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Description

切割用之感壓黏著片
本發明係關於一種切割用之感壓黏著片，使用其處理經加工材料之方法，及可藉由使用此方法獲得之經加工材料的小塊。根據本發明之切割用之感壓黏著片可相當適合使用作為用於切割例如矽半導體、化合物半導體、半導體封裝、或玻璃的感壓黏著片。
習知將由矽、鎵、砷、或其類似物製成之半導體晶圓製成為具有大直徑，切割及分離(方粒切製)成小塊元件，然後再進行裝置程序。在進行該程序時，使半導體晶圓在切割用之感壓黏著片(以下稱為「感壓黏著片」)黏附至半導體晶圓的狀態下接受諸如切割步驟、清潔步驟、擴展步驟、拾取步驟、及裝置步驟的各種步驟。通常將其中將丙烯酸系黏著劑或其類似物於由塑膠薄膜所形成之基材上塗布形成厚度1至200微米之感壓黏著層的感壓黏著片使用作為感壓黏著片。
在切割步驟中，利用邊旋轉邊移動的圓形切割刀刃切割半導體晶圓而形成半導體晶片。在此步驟中，主要使用利用所謂之完全切割(其中將切割刀刃插入至固定半導體晶圓之感壓黏著片之基材的內側中)的切割方法。
在使用完全切割的切割方法中，於感壓黏著片上將經加工材料完全切割並分離。因此，在習知之感壓黏著片中，當黏著劑之黏著強度太小時，經切割的小塊會散落。相對地，當黏著強度太大時，很難拾取經切割的小塊。因此，感壓黏著片需具有適當的黏著強度大小。由此觀點來看，通常使用含有聚(甲基)丙烯酸酯作為主成分的黏著劑，其具有具寬廣控制範圍的黏著劑特性且可容易地製造。
在後續的擴展步驟中，感壓黏著片需具有優良的可擴展性。因此，廣泛地使用其中使用聚氯乙烯薄膜作為基材之具有優良可擴展性的感壓黏著片。然而，在使用聚氯乙烯作為基材及使用聚(甲基)丙烯酸酯作為感壓黏著層的感壓黏著片中，會發生諸如基材中所含之添加劑的成分轉移至感壓黏著層，且因此黏著強度於其儲存過程中劣化的現象。結果，會有於切割過程中晶片散落，且加工性及良率顯著減低的問題。
為解決前述問題，已揭示一種將由各種聚合物材料製成之障壁層設置於基材與感壓黏著層之間的切割用之感壓黏著片(例如，參見專利文件1至5)。使用於此感壓黏著片中之障壁層係設置於由聚氯乙烯薄膜所形成之基材與感壓黏著層之間，且具有防止聚氯乙烯薄膜中之各種添加劑轉移至感壓黏著層中的功能。
然而，視障壁層之種類而定，雖然其可能可防止作為一種添加劑的增塑劑轉移，但其在一些情況中卻可能無法充分地影響其他添加劑。再者，在一些情況中，雖然障壁層具有作為障壁層的充分功能，但感壓黏著片的可撓性會因障壁層受損，因而抵消由使用聚氯乙烯薄膜作為基材所得的優點。此外，亦會有需在形成感壓黏著層之前預先於基材上形成障壁層，而增加形成步驟，因此增加製造成本的問題。
專利文件1：JP－B－1－56111專利文件2：JP－A－4－192542專利文件3：JP－A－6－134941專利文件4：JP－A－8－112304專利文件5：JP－A－2002－235055
本發明已解決前述問題。本發明之一目的為提供一種切割用之感壓黏著片，其可增進黏著強度的長期儲存穩定性，且可藉由防止包含聚氯乙烯作為主成分之基材中所含之各種添加劑轉移至感壓黏著層而於擴展程序中展現優異的可撓性；一種使用其處理經加工材料之方法；及一種可藉由此方法獲得之經加工材料的小塊。
本發明之發明人對切割用之感壓黏著片、使用其處理經加工材料之方法、及可藉由此方法獲得之經加工材料之小塊進行密集的研究。結果，本發明人發現聚氯乙烯中所含之特定添加劑會影響切割用之感壓黏著片之黏著強度的長期儲存穩定性，因而完成本發明。
換言之，本發明係關於以下的(1)至(5)項。
(1)一種切割用之感壓黏著片，其包含一基材及設置於基材之至少一表面上之至少一感壓黏著層，該基材包含聚氯乙烯作為主成分及亞磷酸三烷酯作為聚氯乙烯之熱安定劑，及該感壓黏著層包含聚(甲基)丙烯酸酯作為主成分，其中自基材轉移至感壓黏著層中之亞磷酸三烷酯不會不均勻地分佈於感壓黏著層之表面上。
(2)根據以上(1)項之感壓黏著片，其中相對於100份重量之聚氯乙烯，該亞磷酸三烷酯之含量為0.2至1份重量。
(3)根據以上(1)項之感壓黏著片，其中該亞磷酸三烷酯係由以下化學結構式所表示之化合物： 其中R1、R2、及R3係相同或不同，且各代表具8至13個碳原子之烷基。
(4)根據以上(1)項之感壓黏著片，其中該基材具有50至200微米之厚度且該感壓黏著層具有5至20微米之厚度。
(5)根據以上(1)項之感壓黏著片，其進一步包含相對於100份重量之聚氯乙烯，含量小於0.2份重量之亞磷酸烷芳酯作為聚氯乙烯之熱安定劑。
聚氯乙烯薄膜係利用壓延輥成形法藉由施加可充分軟化氯乙烯樹脂之熱而形成。另一方面，氯乙烯樹脂經熱分解，因而在一些情況中產生諸如氯氣的毒性氣體。因此，藉由在成形聚氯乙烯薄膜的過程中添加熱安定劑而防止毒性氣體的產生。使用亞磷酸酯(亞磷酸酯化合物)安定劑作為熱安定劑的指定添加劑。亞磷酸酯安定劑的實例包括亞磷酸烷芳酯諸如亞磷酸單烷基－二芳酯及亞磷酸二烷基－單芳酯。由於亞磷酸烷芳酯具有作為熱安定劑的優異活性及高耐熱性，因而亞磷酸烷芳酯較亞磷酸三烷酯被更廣泛地使用。此係由於亞磷酸烷芳酯公平地具有烷基及芳基兩者所致。換言之，當包含許多烷基時，作為熱安定劑的活性會增進，但耐熱性會劣化。當包含許多芳基時，作為亞磷酸酯的耐熱性會增進，但作為熱安定劑的活性會劣化。
經添加至本發明之基材中的亞磷酸三烷酯經顯示具有作為熱安定劑的效果，但其係在習知技術中未被經常使用的化合物。此係由於，如前所述，亞磷酸三烷酯具有不良的耐熱性，且因此需要考慮其在聚氯乙烯之製造過程中的熱分解量添加熱安定劑，且由於其之設計複雜所致。
然而，本發明人研究黏著強度因亞磷酸烷芳酯所致之劣化，因此發現當亞磷酸烷芳酯轉移至感壓黏著層中時，亞磷酸烷芳酯係不均勻地分佈於感壓黏著層的表面附近，因此使在切割用之感壓黏著片(以下稱為感壓黏著片)之儲存期間的黏著劑特性顯著地降低。此係由於當在像是亞磷酸烷芳酯之分子結構中存在芳基時，其與聚(甲基)丙烯酸酯之相容性降低，因此即使係少量經轉移之亞磷酸烷芳酯亦會大大地影響黏著劑特性。
另一方面，由於使用於本發明之亞磷酸三烷酯不含芳基，因而其可與聚(甲基)丙烯酸酯相容。結果，即使當有少量熱安定劑轉移至感壓黏著層中時，亞磷酸三烷酯會擴散至感壓黏著層中，但不會不均勻地分佈於其之表面附近。因此，即使當將感壓黏著劑長期間儲存時，亦可抑制黏著強度的顯著劣化。
相對於100份重量之聚氯乙烯，亞磷酸三烷酯的含量較佳係在0.2至1份重量之範圍內。當亞磷酸三烷酯之含量太大時，雖然可防止在感壓黏著層之表面附近轉移至感壓黏著層中之亞磷酸三烷酯的不均勻分佈，但在全體感壓黏著層中包含大量的亞磷酸三烷酯，因而使感壓黏著層的長期儲存穩定性劣化。然而，當含量係在前述範圍內時，不僅可防止亞磷酸三烷酯過度轉移至感壓黏著層中，並且亦可進一步防止感壓黏著層的長期儲存穩定性劣化。此外，可大大地降低在成形基材期間聚氯乙烯的熱分解量。
亞磷酸三烷酯較佳係由以下化學結構式所表示之化合物： 其中R1、R2、及R3係相同或不同，且各代表具8至13個碳原子之烷基。
當亞磷酸三烷酯之含量係在前述範圍內時，基材之厚度較佳係在50至200微米之範圍內且感壓黏著層之厚度係在5至20微米之範圍內。亞磷酸三烷酯擴散至感壓黏著層中，以致其不會不均勻地分佈於感壓黏著層的表面附近，而係均勻地位於感壓黏著層中。另外，亞磷酸三烷酯經擴散，而於基材及感壓黏著層中具有均勻濃度。因此，舉例來說，在基材及感壓黏著層具有實質上相同厚度的情況中，殘留於基材中之亞磷酸三烷酯的濃度由於亞磷酸三烷酯擴散至感壓黏著層中而降至一半。然而，即使係在此一情況，當殘留亞磷酸三烷酯一開始濃度高且亞磷酸三烷酯擴散至感壓黏著層中時，亦無法預期濃度的大大降低。然而，由於可藉由將基材及感壓黏著層之厚度設定至前述範圍而最大程度地抑制亞磷酸三烷酯之擴散至感壓黏著層中，因而可進一步防止感壓黏著層的長期儲存穩定性劣化。
較佳進一步以相對於100份重量之聚氯乙烯，含量低於0.2份重量之亞磷酸烷芳酯作為聚氯乙烯之熱安定劑。經由添加亞磷酸烷芳酯，可增進在成形基材之過程中作為熱安定劑之亞磷酸三烷酯的穩定性。基於以下理由，將亞磷酸烷芳酯之含量設至相對於100份重量之聚氯乙烯低於0.2份重量。換言之，其理由係要大大地抑制亞磷酸烷芳酯轉移至感壓黏著層中，及不均勻地分佈於其之表面附近，因而防止黏著強度劣化。
再者，本發明係關於以下的(6)及(7)項。
(6)一種處理經加工材料之方法，其包括：將根據以上(1)項之感壓黏著片黏附至經加工材料；切割經加工材料，藉以形成經加工材料之小塊；擴展感壓黏著片，藉以擴大黏附至感壓黏著片且由感壓黏著片固定之經加工材料之小塊間的間隙；及使經加工材料之小塊與其所黏附之感壓黏著層一起自基材分離。
(7)根據以上(6)項之方法，其中該經加工材料係為半導體裝置。
在此方面，較佳將半導體裝置使用作為經加工材料。
再者，本發明係關於以下的(8)項。
(8)一種可藉由根據以上(6)項之方法獲得之經加工材料之小塊。
本發明根據前述方式而具有以下優點。
換言之，根據本發明，經由將作為熱安定劑之亞磷酸三烷酯添加至包含聚氯乙烯作為主成分之基材，即使當亞磷酸三烷酯轉移至感壓黏著層中時亦可長期間維持黏著強度，且因此切割用之感壓黏著片的長期儲存穩定性優異。因此，由於不需形成用於防止熱安定劑在基材與感壓黏著層之間轉移的障壁層，因而可防止切割用之感壓黏著片的可撓性受損。結果，由於不需要形成障壁層之步驟，因而可簡化製程及降低製造成本。
以下將參照圖1說明本發明之一具體例。圖1係示意說明根據本發明之一具體例之切割用之感壓黏著片(以下稱為感壓黏著片)的剖面圖。
如圖1所示，感壓黏著片10具有其中將感壓黏著層12及隔離物13連續層合於基礎薄膜(基材)11上之結構。
基礎薄膜11提供作為感壓黏著層12及其類似物之支承基質，且其包含聚氯乙烯作為主成分。基礎薄膜11中之聚氯乙烯之含量較佳為60重量%或以上，更佳為70重量%或以上，及再更佳為75重量%或以上。
基礎薄膜11可在可撓性不會受損的範圍內包含低密度聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、聚丙烯、聚酯、聚氯乙烯、乙烯－乙酸乙烯酯共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸酯共聚物、乙烯－(甲基)丙烯酸酯共聚物、離子交聯聚合物樹脂、乙烯－α烯烴共聚物、或其類似物。
將亞磷酸三烷酯添加至基礎薄膜11作為熱安定劑。由於亞磷酸三烷酯不含芳基，因而其可與聚(甲基)丙烯酸酯相容。因此，即使當有少量亞磷酸三烷酯轉移至感壓黏著層中時，其會擴散至感壓黏著層中，而不會不均勻地分佈於其之表面附近。結果，即使當將感壓黏著片儲存長期間時，亦可抑制黏著強度的顯著劣化。
關於亞磷酸三烷酯，較佳使用由以下化學結構式所表示之化合物： 其中R1、R2、及R3係相同或不同，且各代表具8至13個碳原子之烷基。
在化學結構式中，經由將烷基之碳數設為8至13，可進一步增進與聚(甲基)丙烯酸酯的相容性。
亞磷酸三烷酯之含量較佳係在相對於100份重量之聚氯乙烯自0.2至1份重量之範圍內，更佳在自0.3至0.7份重量之範圍內，及又更佳在自0.3至0.5份重量之範圍內。當亞磷酸三烷酯之含量大於1份重量時，雖然可防止在感壓黏著層12之表面附近轉移至感壓黏著層12中之亞磷酸三烷酯的不均勻分佈，但大量的亞磷酸三烷酯包含於全體感壓黏著層12中，因而在一些情況中使感壓黏著層12的長期儲存穩定性劣化。另一方面，當含量低於0.2份重量時，氯乙烯在成形基礎薄膜11之期間熱分解，因而在一些情況中產生諸如氯氣的毒性氣體。
再者，基礎薄膜11可包含相對於100份重量之聚氯乙烯低於0.2份重量之量的亞磷酸烷芳酯作為聚氯乙烯之熱安定劑。經由添加亞磷酸烷芳酯，可進一步增進在成形基材之期間作為熱安定劑之亞磷酸三烷酯的穩定性。當相對於100份重量之聚氯乙烯之亞磷酸烷芳酯的含量為0.2份重量或以上時，亞磷酸烷芳酯會轉移至感壓黏著層12中且不均勻地分佈於其之表面附近，因而在一些情況中使感壓黏著層12的長期儲存穩定性劣化。
可將各種添加劑，諸如酞酸酯增塑劑諸如酞酸二辛酯(DOP)及酞酸二丁酯(DBP)、酯(聚合物)增塑劑、諸如環氧大豆油的增塑劑、UV抑制劑、脂族或芳族金屬鹽、雙酚A、苯甲酸酯、及著色劑，混入至基礎薄膜11中。
基礎薄膜11可利用習知之方法諸如壓延輥成形法製造。關於基礎薄膜11，可使用未拉伸薄膜，或者可視需要使用單軸或雙軸拉伸薄膜。可對其表面進行典型的物理或化學處理，諸如消光處理、電暈放電處理、底塗料處理、及交聯處理(化學交聯(矽烷鍵結))。
基礎薄膜11之厚度較佳係在50至200微米之範圍內，及更佳係在50至150微米之範圍內。
感壓黏著層12包含聚(甲基)丙烯酸酯作為主成分。典型上，使用(甲基)丙烯酸烷酯之聚合物或其與可共聚合單體之共聚物作為聚(甲基)丙烯酸酯。較佳使用均聚物之玻璃轉移溫度為20℃或以下的(甲基)丙烯酸烷酯作為聚合物的主要單體。
(甲基)丙烯酸烷酯之烷基的實例包括甲基、乙基、丁基、2－乙基己基、辛基、及異壬基。可共聚合單體的實例包括(甲基)丙烯酸之羥烷基酯(諸如羥乙基酯、羥丁基酯、及羥己基酯)、(甲基)丙烯酸縮水甘油基酯、(甲基)丙烯酸、伊康酸酯、順丁烯二酸酐、(甲基)丙烯酸醯胺、(甲基)丙烯酸N－羥甲基醯胺、(甲基)丙烯酸胺烷基酯(諸如甲基丙烯酸二甲基胺乙酯及甲基丙烯酸第三丁基胺乙酯)、乙酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈、及丙烯醯基啉。
可視需要將典型的添加劑諸如交聯劑、增黏劑、填料、抗老化劑、及著色劑添加至黏著劑。交聯劑的實例包括聚異氰酸酯化合物、三聚氰胺樹脂、脲樹脂、吖環丙烷化合物、環氧樹脂、酐、及含聚胺羧基之聚合物。
感壓黏著層12之厚度較佳係在5至20微米之範圍內。當厚度小於5微米時，黏著強度減小且半導體晶圓(經加工材料)無法於切割期間可靠地固定。另一方面，當厚度大於20微米時，於切割半導體晶圓期間所發生之振動太大，因而導致半導體晶片(經加工材料之小塊)破損。
在本發明，基礎薄膜11之厚度特佳係在50至200微米之範圍內及感壓黏著層12之厚度特佳係在5至20微米之範圍內。舉例來說，當基礎薄膜11與感壓黏著層12具有實質上相同之厚度且亞磷酸三烷酯擴散至感壓黏著層12中時，基礎薄膜11中之亞磷酸三烷酯均勻地擴散於基礎薄膜11及感壓黏著層12中。然而，即使係在此一情況，當亞磷酸三烷酯之濃度一開始高且亞磷酸三烷酯擴散至感壓黏著層12中時，在一些情況中亦無法預期濃度的大大降低。然而，由於可藉由將基礎薄膜11及感壓黏著層12之厚度設定至前述範圍而最大程度地抑制亞磷酸三烷酯之擴散至感壓黏著層12中，因而可進一步防止感壓黏著層12的長期儲存穩定性劣化。
在根據本發明之感壓黏著片10中，可將隔離物13設置於感壓黏著層12上，以執行標示程序或使感壓黏著層12變平滑。隔離物13可由紙張、聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二酯之合成樹脂薄膜或其類似物製成。隔離物13之表面可視需要經受諸如矽處理、長鏈丙烯酸基處理、或氟處理的分離處理，以增進自感壓黏著層12的分離性質。視用於增進剛性及其類似性質的目的而定，隔離物可經受單軸或雙軸拉伸處理，或可將另一塑膠薄膜層合於其上。隔離物13之厚度並無特殊之限制，但較佳係在10至200微米之範圍內，及更佳係在25至100微米之範圍內。
雖然在圖1中感壓黏著層12係設置於基礎薄膜11之一表面上，但亦可將感壓黏著層12形成於基礎薄膜11之兩表面上。感壓黏著片10可具有纏繞片材而得的帶材形狀。
根據本發明之感壓黏著片10可，例如，經由將黏著劑塗布於基礎薄膜11之表面上並乾燥(根據需求加熱及交聯)以形成感壓黏著層12，及視需要將隔離物13黏附至感壓黏著層12之表面而製得。此外，可採用將感壓黏著層12形成於隔離物13上，隨後再將其黏附至基礎薄膜11的方法，或其類似方法。
在將感壓黏著片10黏附至半導體晶圓的步驟中，將透過雙面感壓黏著片固定至支承晶圓(支承板)之半導體晶圓黏附至感壓黏著片10，且將所得結構固定至切割環。此步驟係經由使半導體晶圓與感壓黏著片10彼此重疊，以致將感壓黏著層12設置於其間，然後再利用諸如壓縮輥之加壓裝置對其施壓而進行。此外，黏附亦可經由如前所述於可加壓容器(例如，熱壓釜)中層合半導體晶圓及感壓黏著片10，及加壓容器之內部而進行。在此情況，可將感壓黏著片10黏附於半導體晶圓上，同時並利用加壓裝置施壓。此外，黏附亦可於真空室中以如前所述之相同方式進行。雖然黏附步驟中之黏附溫度完全沒有限制，但其較佳係自20至80℃。
切割(方粒切製)半導體晶圓以形成半導體晶片之步驟係利用習知之方法自半導體晶圓之電路表面側進行。可使用諸如刀片切割方法、雷射切割方法、電漿切割方法、及破裂方法之習知方法作為切割方法。使用於製程中之切割裝置並無特殊之限制，而可使用任何習知之裝置。
在將經黏附感壓黏著層12之半導體晶片自基礎薄膜11分離的步驟中，例如，進行利用針自感壓黏著片10側將個別的半導體晶片向上推，然後再利用拾取裝置或其類似裝置拾取經上推之半導體晶片的方法。
在以下的說明中，舉使用半導體晶圓作為經加工材料的情況作為實例。然而，本發明並不限於此情況，而係可應用至諸如半導體封裝、玻璃、及陶瓷的經加工材料。
(實施例)
現將詳細說明本發明之實施例。然而，只要沒有特別的限制性說明，則於實施例中所述之材料或其混合量並非要將本發明之範疇限制於實施例，其僅係為說明實例。
(實施例1)
<基礎薄膜之製造>經由利用壓延成形裝置由100份重量之聚氯乙烯、30份重量之酞酸二辛酯(DOP)、0.55份重量之硬脂酸鋇、0.5份重量之硬脂酸鋅、及0.6份重量之亞磷酸三辛酯形成薄膜(在180℃之定形溫度下)，而獲得由厚度100微米之聚氯乙烯所形成的基礎薄膜。
<切割用之感壓黏著片的製造>經由利用已知之方法使90份重量之丙烯酸丁酯及10份重量之丙烯酸於甲苯溶液中共聚合，而獲得具有500,000之重量平均分子量的丙烯酸系共聚物。經由將5份重量之聚異氰酸酯化合物(Nippon Polyurethane Industry Co.,Ltd.製造之註冊商標「Coronate L」)添加至含有丙烯酸系共聚物之溶液中，而製備得UV可固化之丙烯酸系黏著劑溶液。
將製備得之黏著劑溶液塗布於經製得之基礎薄膜之經電暈處理的表面上，且於80℃下加熱及交聯10分鐘，而形成厚度10微米之感壓黏著層。接著將隔離物黏附至感壓黏著層之表面，而製得切割用之感壓黏著片。
(實施例2)
<基礎薄膜之製造>在此具體例中，經由使用與實施例1相同之方式，僅除了使用亞磷酸三－(十三基)酯替代亞磷酸三辛酯，而製得根據此實施例之基礎薄膜。
<切割用之感壓黏著片的製造>將於實施例1中製備得之黏著劑溶液塗布於製得之基礎薄膜上，且於80℃下加熱及交聯10分鐘，而形成厚度10微米之UV可固化之感壓黏著層。接著將隔離物黏附至感壓黏著層之表面，而製得切割用之感壓黏著片。
(比較實施例1)
<基礎薄膜之製造>在此比較實施例中，經由使用與實施例1相同之方式，僅除了使用亞磷酸單癸基－二芳酯替代亞磷酸三辛酯，而製得根據此比較實施例之基礎薄膜。
<切割用之感壓黏著片的製造>將於實施例1中製備得之黏著劑溶液塗布於製得之基礎薄膜上，且於80℃下加熱及交聯10分鐘，而形成厚度10微米之UV可固化之感壓黏著層。接著將隔離物黏附至感壓黏著層之表面，而製得切割用之感壓黏著片。
(比較實施例2)
<基礎薄膜之製造>在此比較實施例中，經由使用與實施例1相同之方式，僅除了使用亞磷酸二癸基－單芳酯替代亞磷酸三辛酯，而製得根據此比較實施例之基礎薄膜。
<切割用之感壓黏著片的製造>將於實施例1中製備得之黏著劑溶液塗布於製得之基礎薄膜上，且於80℃下加熱及交聯10分鐘，而形成厚度10微米之UV可固化之感壓黏著層。接著將隔離物黏附至感壓黏著層之表面，而製得切割用之感壓黏著片。
(比較實施例3)
<基礎薄膜之製造>在此比較實施例中，經由使用與實施例1相同之方式，僅除了使用亞磷酸三芳酯替代亞磷酸三辛酯，而製得根據此比較實施例之基礎薄膜。
<切割用之感壓黏著片的製造>將於實施例1中製備得之黏著劑溶液塗布於製得之基礎薄膜上，且於80℃下加熱及交聯10分鐘，而形成厚度10微米之UV可固化之感壓黏著層。接著將隔離物黏附至感壓黏著層之表面，而製得切割用之感壓黏著片。
(參考實施例1)
<基礎薄膜之製造>在此參考實施例中，經由使用與實施例1相同之方式，僅除了將亞磷酸三辛酯之含量改為1.5份重量，而製得根據此參考實施例之基礎薄膜。
<切割用之感壓黏著片的製造>將於實施例1中製備得之黏著劑溶液塗布於製得之基礎薄膜上，且於80℃下加熱及交聯10分鐘，而形成厚度10微米之UV可固化之感壓黏著層。接著將隔離物黏附至感壓黏著層之表面，而製得切割用之感壓黏著片。
(試驗)
將於實施例、比較實施例、及參考實施例中製得之切割用之感壓黏著片於室溫下儲存0天(起始)、7天、14天、30天、60天、及90天，然後在以下條件下測量其之黏著強度。
測量環境：20℃，50%RH黏附體：矽鏡面晶圓(Shinetsu Handotai Co.,Ltd.製造)測量裝置：通用張力及壓縮試驗儀(Universal Tension and Compression Tester)(Orientec Co.,Ltd.製造)樣品塊寬度：20毫米樣品塊施壓裝置：2公斤輥子於試驗黏附後的停留時間：30分鐘分離角度：90°拉伸速度：300毫米/分鐘
如由表1可見，根據實施例1及2之切割用之感壓黏著片顯現小的因黏著片儲存所致之黏著強度的劣化，且於自其製得經過14天或30天後，顯現穩定的黏著強度。另一方面，在根據比較實施例1至3之切割用之感壓黏著片中，黏著強度的劣化大，且黏著強度即使係於自其製得經過60天後仍持續劣化。因此，根據實施例1及2之切割用之感壓黏著片即使係於其製得14天後仍可穩定地使用。相對地，根據比較實施例1至3之切割用之感壓黏著片於其製得後之一個月或一個月以上不穩定。因此，當使用根據比較實施例之切割用之感壓黏著片時，據認為在切割期間會發生晶片的散落。在根據參考實施例1之切割用之感壓黏著片中，可觀察到黏著強度之劣化直至其製得後的30天，但黏著強度於其製得60天後穩定。
雖然本發明已經詳細說明並參照其之特定具體例，但熟悉技藝人士當明瞭可不脫離其範疇而於其中進行各種變化及修改。
本申請案係以2006年6月2日提出申請之日本專利申請案第2006－154736號為基礎，將其全體內容併入本文為參考資料。
此外，將文中引述之所有參考文獻的全體內容併入本文。
10．．．感壓黏著片
11．．．基礎薄膜(基材)
12．．．感壓黏著層
13．．．隔離物
圖1係示意說明根據本發明之一具體例之切割用之感壓黏著片(以下稱為感壓黏著片)的剖面圖。
10．．．感壓黏著片
11．．．基礎薄膜(基材)
12．．．感壓黏著層
13．．．隔離物

Claims (6)

  1. 一種切割用之感壓黏著片，其包含一基材及設置於基材之至少一表面上之至少一感壓黏著層，該基材包含聚氯乙烯作為主成分及亞磷酸三烷酯作為聚氯乙烯之熱安定劑，相對於100份重量之該聚氯乙烯，該亞磷酸三烷酯之含量為0.2至1份重量，該感壓黏著層包含聚(甲基)丙烯酸酯作為主成分。
  2. 如申請專利範圍第1項之感壓黏著片，其中該亞磷酸三烷酯係由以下化學結構式所表示之化合物： 其中R1、R2、及R3係相同或不同，且各代表具8至13個碳原子之烷基。
  3. 如申請專利範圍第2項之感壓黏著片，其中該基材具有50至200微米之厚度且該感壓黏著層具有5至20微米之厚度。
  4. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之感壓黏著片，其進一步包含相對於100份重量之聚氯乙烯，含量小於0.2份重量之亞磷酸烷芳酯作為聚氯乙烯之熱安定劑。
  5. 一種處理經加工材料之方法，其包括：將申請專利範圍第1至4項中任一項之感壓黏著片黏附至經加工材料； 切割經加工材料，藉以形成經加工材料之小塊；擴展感壓黏著片，藉以擴大黏附至感壓黏著片且由感壓黏著片固定之經加工材料之小塊間的間隙；及使經加工材料之小塊與其所黏附之感壓黏著層一起自基材分離。
  6. 如申請專利範圍第5項之方法，其中該經加工材料係為半導體裝置。
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