TWI430065B - 包括流量比控制器之使用反對稱最佳控制的氣體傳送方法及系統 - Google Patents

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Description

包括流量比控制器之使用反對稱最佳控制的氣體傳送方法及系統
本發明大體上關於半導體處理設備，特定言之係關於一種用於將無污染、經精確計量的處理氣體量傳送到至少二處理工具及/或隔室的流量比控制器。更特定言之，本發明關於一種用於使來自單一氣箱之氣流分送到至少二處理工具及/或真空室的系統及方法。
半導體裝置的製程經常要求將多達十幾種氣體小心同步且經精確量測地傳送到一處理工具及/或隔室。有多種處方被用在製程中，且有許多獨立處理步驟，舉例來說一半導體器件可能需要被清洗、拋光、氧化、遮罩、蝕刻、摻雜、金屬化。所用步驟、其特定順序及有關材料全都跟特定器件的製造息息相關。
因此，晶圓生產設施通常被規劃成包括讓化學汽相沈積、電漿沈積、電漿蝕刻、濺鍍及其他相似氣體製程進行的區域。處理工具譬如化學汽相沈積反應器、真空濺鍍機、電漿蝕刻器或電漿增強化學汽相沈積室等必須有多種處理氣體供應。純淨氣體必須以無污染、經精確計量的量供應到這些工具。
在一典型晶圓生產設施內，這些氣體被儲存在儲氣槽(tanks)內，這些儲氣槽經由管路或導管連接到一氣體傳送系統。該氣體供應系統包括一氣箱，用以將無污染、經精確計量的純淨鈍氣或反應物氣體的量從生產設施之儲氣槽傳送到一處理工具及/或室。該氣箱通常包括複數個氣體流線，每一管線具有一氣體計量單元，此種單元可包括閥、壓力調節器和變換器、質量流控制器及過濾器/淨化器。每一氣體管線具有其自有入口以供連接到獨立氣體源，但這些氣體路徑全部匯聚到單一出口內以供連接到處理工具。
有些時候，將已合併的處理氣體分送或分離於多個處理工具及/或隔室當中是期望的。在此等情況中，氣箱之單一出口透過次級流線連接到多個處理工具及/或室。在一些應用中，譬如為了安全或其他因素使得上游壓力必須被保持為較低(例如15 PSIA)的情況，會利用一流量比控制器確保氣箱之出口的初級流被依據一預定比例分送到次級流徑當中。分流系統的實例揭示於美國專利第4369031號、5453124號、6333272號、6418954號及6766260號；及已公告美國專利申請案第2002/0038669號。美國專利第6766260號之流量比控制器特別有利，因為每一次級流線用一獨立流量計和控制閥控制。
美國專利第6766260號揭示之流量比控制器類型會在初始設定時很快就穩定於期望分流比，但流量需要時間達到穩定，且在某些應用中這是無法令人滿意的。此外，橫跨該流量比控制器的壓力降相當高，且該控制器對於應付次級流徑之一者之下游堵塞現象呈現不良表現。再者，該系統可能會因為初始判斷次級流線內之閥之固定閥位置的難度而難以設定。且對於使用二個次級流線的實施例來說，有必要將高流量閥指派為固定閥且將低流量閥指派為用於流量比控制的受控閥。
根據本發明之一觀點，其係為一種系統，用於將單一質量流分成二或更多次級流(secondary flow)，其包含：一入口，其適於接收該單一質量流；至少二次級流線，其被連接到該入口且被連接以載送該等次級流之對應者，每一流線包括：一流量計，其被連接以測量通過該對應流線之流量且提供一代表通過該流線之實測流量的訊號；以及一閥，其被連接以一控制訊號為基礎，來控制通過該對應流線之流量；一控制器，其被連接到該等流量計及該等閥，以控制該等次級流的比例；其中該控制器被建構以提供該等次級流線中之質量流的反對稱最佳控制，以便將該等次級流的比例維持在一預定值。
根據本發明之另一觀點，其係為一種方法，控制一流量比控制器之次級流線中之二閥以便控制通過該等次級流線之流量比，其包含：利用該等次級流線中之質量流之反對稱最佳控制以便將次級流量比維持在一預定值。
根據本發明之另一觀點，其係為一種系統，用於將單一質量流分成二或更多次級流，其包含：一入口，其適於接收該單一質量流；至少二次級流線，其被連接到該入口且被連接以載送該等次級流之對應者，每一流線包括：一流量計，其被連接以測量通過該對應流線之流量且提供一代表通過該流線之實測流量的訊號；以及一閥，其被連接為以一控制訊號為基礎來控制通過該對應流線之流量；一控制器，其被連接到該等流量計及該等閥，以將該等次級流的比例控制在一預定值；其中該控制器被建構為使該等閥之至少一者於任一作業瞬間皆被保持在提供一最大容許閥流導(valve conductance)位置的最佳閥電流，同時另一閥被主動地控制以維持該流量比預定值。
根據本發明之另一觀點，其係為一種方法，控制一流量比控制器之次級流線中之二閥以便控制通過該等次級流線之流量比，其包含：使該等閥之至少一者於任一作業瞬間維持在一給出最大容許閥流導位置的最佳位置，同時主動地控制另一閥以便維持該流量比預定值。
根據本發明之另一觀點，其係為一種系統，用於將單一質量流分成二或更多次級流，其包含：一入口，其適於接收該單一質量流；至少二次級流線，其被連接到該入口且被連接以載送該等次級流之對應者，每一流線包括：一流量計，其被連接以測量通過該對應流線之流量且提供一代表通過該流線之實測流量的訊號；以及一閥，其被連接為以一控制訊號為基礎來控制通過該對應流線之流量；一控制器，其被耦合到該等流量計及該等閥以控制該等次級流的比例以便使該比例維持在一預定設定點；其中該控制器被建構為提供該等次級流線中之質量流的控制以便將該等次級流的比例維持在該預定設定點，藉此萬一當一流線內的流量減小使得該等次級流的比例偏離該預定設定點，該控制器會調整通過該等次級流線的相對次級流量以便將該比例帶回該預定設定點。
根據本發明之另一觀點，其係為一種方法，控制二閥以便控制一流量比控制器之對應次級流線中之次級流以便控制該等次級流之流量比，其包含：使次級流之流量比維持在一預定設定點，藉此萬一當一流線內的流量減小使得該等次級流之比例偏離該預定設定點，該控制器會調整通過該等次級流線的相對次級流量以便將該比例帶回該預定設定點。
根據本發明之另一觀點，其係為一種氣體傳送系統，包含一流量比控制器，包括：一次級流線對；一閥對，其被建構以分別控制對控制命令訊號反應的通過次級流線之流量，以及一流量控制器，其被建構為依據一預定流量比控制通過每一閥之流量，該控制器包括一反饋迴路、一單進輸出SISO控制器及一線性飽和器對，該線性飽和器對之一者使用與該等閥之每一者，該SISO控制器具有一輸出；其中用於該等閥的該等控制命令訊號是該SISO控制器及個別該等線性飽和器之輸出的一函數，且該等二閥控制命令實質上反對稱於該等閥之最大容許閥流導位置。
以下參照隨附圖式，圖中具有相同參考符號的元件全都代表相同元件。
參照圖1，本發明提出一種用於在一氣體傳送系統之二個次級流徑間分流的流量比控制器的新穎控制演算法。該系統及方法預期中是搭配氣體計量系統使用以供將無污染、經精確計量的處理氣體和清洗氣體的量傳送到半導體處理工具及/或室。該系統及方法提供將單一氣流以一預定比例分離成兩股已知精確值次級流而不需要一相對較高上游壓力的好處。在圖1中以106整體標示當作氣體傳送系統102之一部分的流量比控制器從氣體供應源(譬如儲氣槽)104a、104b、104c、104d選擇性地接收多種氣體(舉例來說包括數種處理氣體和一清洗氣體)之個別氣體或其混合物。氣箱112向流量比控制器106供應氣體混合物，該流量比控制器被示為連接到二個處理室108和110(另一選擇，該等氣體可被計量供給到單一處理室之不同注射器或區域及/或其他處理工具)。氣箱112包括複數個氣棒114a、114b、114c和114d，每一氣棒較佳被流體連通地連接到一對應氣體供應源104且用於個別控制來自對應氣體供應源104的氣體流量。儘管圖1示出四個氣體供應源104及對應氣棒114，供應源和氣棒的數量得為任何數量(包括一個)。每一氣棒114舉例來說包括一質量流控制器(MFC)、一被定位在該MFC之前的閥及一被定位在該MFC之後的閥，譬如像美國專利第6418954號揭示者。氣棒114每一者提供一可控制氣體通道，使得一無污染、經精確計量的氣體或多種氣體之組合的量可被供應到流量比控制器106，然後被以預定流量比精確分流送到處理室108、110。儘管圖中未示，該等氣棒得分別具備用來監測或控制氣體的其他組件，譬如過濾器、淨化器、及壓力變換器和控制器。氣棒114一起連接到例如一出口歧管116，藉此允許來自每一氣棒之氣流視需要在離開該氣箱前被混合。該出口歧管被連接到流量比控制器106。
流量比控制器106包括至少二流徑或管線122a和122b。每一流徑包括一流量計，其包含一用於產生一流率訊號以供用來控制一閥126且因此控制通過每一流徑之質量流的感測器124。該感測器和閥因而被一起用於控制輸出質量流Q1 和Q2 且因此控制質量流比α＝Q2 /Q1 。在此處所述實施例中，控制閥126a和126b是常開閥，但應理解到本發明揭示的系統亦可被設計成使用常閉閥。每一流徑的出口130a和130b被連接到一對應處理工具及/或室，該等出口在圖1中係分別連接到處理室108和110。而該等隔室具備被連接到控制閥(較佳呈閘閥132a和132b的形式)的出口，該等閥與一真空泵134處於流體連通狀態，用以透過該等隔室從儲氣槽抽取氣體。控制器136尤其接收一輸入αs p ，該輸入是通過流線122a和122b每一者之流率之比例的預定值或設定點，且該控制器尤其被建構為將通過流線122a和122b之質量流的分流比控制並維持在該設定點。
圖1系統據此被分析和建立模型以提供流量比及被送入次級流線內之流量的較快穩定時間(settling time)，且提供在一給定流量比設定點下橫跨該流量比控制器之最小壓力降。整體而言，每一次級流線內的流量是上游壓力、下游壓力及被提供給閥控制管線內流量之電流的一種函數。因此，(1)Q1 ＝Q1 (I1 ,Pu ,Pd 1 ) (2)Q2 ＝Q2 (I2 ,Pu ,Pd 2 )其中Q1 (I1 ,Pu ,Pd 1 )和Q2 (I2 ,Pu ,Pd 2 )是使輸出流率(Q1 和Q2 )關聯於閥電流(I1 和I2 )、上游壓力(Pu )、及下游壓力(Pd 1 和Pd 2 )之輸入的二個非線性函數。要注意到兩條管線共用相同上游壓力Pu ，但分別具有不同下游壓力Pd 1 和Pd 2 。方程式(1)和(2)可藉由忽略下游壓力Pd 1 和Pd 2 之效應而相關於Pu 線性化為(3)Q1 ＝C1 (I1 )．Pu (4)Q2 ＝C2 (I2 )．Pu其中C1 (I1 )是閥1的流導(conductance)且其為閥電流I1 之一函數，且C2 (I2 )是閥2的流導且其為閥電流I2 之一函數。
為了建立回應於設定一預定比例之流率穩定時間及上游壓力變化的模型，吾人可從質量守恆方程式開始：(5)(Vu /Ps t p )．(Ts t p /T)．dPu /dt＝Qt －Q1 －Q2 其中Vu 是上游容積；Ps t p 是標準壓力，其為110132.5 Pa或14.7 psia；Ts t p 是標準溫度，其為273.2K或0℃；T是要在系統中傳送之氣體的溫度；Pu 是要在系統中傳送之氣體的上游壓力；Qt 是總入口流量；以及Q1 和Q2 是通過相應次級流徑的流量。
將方程式(3)和(4)代入方程式(5)中得到：(6)(Vu /Ps t p )．(Ts t p /T)．dPu /dt＝Qt －C1 (I1 )．Pu －C2 (I2 )．Pu ＝Qt －C1 (I1 )＋C2 (I2 )．Pu ＝Qt －Ct ．Pu 其中Ct 是控制閥126a和126b的總流導，其為：(7)Ct ＝C1 (I1 )＋C2 (I2 )
因此，方程式(6)中之上游壓力Pu 是一階系統，其具有時間常數τp 為：(8)τp ≒Vu /Ct
要注意到一階系統的穩定時間與該時間常數τp 成比例。因此藉由最小化該時間常數τp ，上游壓力Pu 的穩定時間可被最小化。因為流量的穩定時間與方程式(3)和(4)所示上游壓力的穩定時間相同，若τp 小，則系統應當有一較快的流量穩定時間。
此外，處於穩態的上游壓力Pu 可藉由將方程式(6)之左側設定為零並重整得到為：(9)Pu ≒Qt /Ct 。
今期望使上游壓力Pu 最小化以便具有一橫跨流量比控制器106之最小壓力降。如方程式(9)所示，上游壓力可藉由最大化總閥流導Ct 而被最小化。
如方程式(8)所示，因此可期望使τp 最小化以便藉由最小化Vu 或最大化Ct 或二者而最小化流量穩定時間。因此，作為一設計準則，最好是盡可能地減小上游容積。吾人可將流量比控制器安裝成盡可能接近氣箱112藉以減小其間上游容積。但是，要控制上游容積縱非不可能也是相當困難的，而控制控制閥之流導Ct 則相對較容易。為了加大閥的流導，最好將閥設計成具備較大噴口，如此當控制系統將該閥推到其最大開放度時，會達到該閥之一最大流導。閥越是開放，其流導會越大，且時間常數τp 越短。
從以上說明可知，最大化總閥流導Ct 會造成上游壓力暨二流量的最快速穩定時間，且造成通過流量比控制器106之最小壓力降。因此，若一控制演算法可在任何時間對於一給定流量比達成最大閥流導，則流量比控制器會在比例和流量之最快速穩定時間以及橫跨流量比控制器之最小壓力降方面達成最佳控制表現。
圖2是一被定位在上游和下游壓力恆定之二個次級流線內的一典型常開閥之閥控制電流對流率的曲線圖。圖中四組曲線顯示50、100、150和200Torr的四種上游壓力且同時下游壓力接近0Torr。如圖所示，就常開閥來說，閥流導隨閥電流加大而減小。
從流量比之定義(亦即α=Q2 /Q1 )及方程式(1)和(2)，可得到一給定流量比α之方程式：(10)Q2 (I2 ,Pu ,Pd2 )/α=Q1 (I1 ,Pu ,Pd1 )。以上方程式(10)之左側和右側就一給定流量比α標繪成圖 3中的二條曲線。如吾人可見，此二曲線與任何水平線的交點給出滿足方程式(10)之一閥電流I1 和I2 解集合。換句話說，對於一給定流量比α會有I1 和I2 多重解。
圖3示出一給定流量比α之二組解I1 和I2 。就常開閥來說，閥電流越大則閥流導越低(或說閥打開越小)。因此較小值之I1 和I2 解集合給出比另一解集合高的閥流導，此會如前所述對於比例、流量及上游壓力有一較快穩定時間，且有一橫跨控制器較小壓力降。
圖4示出當I2 =0(或I1 =0，取決於流量比α和閥曲線)或是一閥完全開放時僅有唯一的一組最佳解。總閥流導Ct 在此點係處於其最大值。因此，橫跨流量比控制器的壓力降係處於其最小值，且裝置能夠對於比例、流量及上游壓力提供最快速的回應及穩定時間。此外，就常開閥來說，閥電流對流率的斜率在閥電流如圖2所示為小時是小的。該斜率越小則對於一給定固定閥電流變化的流率變異也越小。如果閥電流有任何雜訊，則圖4中之小斜率區域會對流量有較小影響，因此流量比較為安定。換句話說，系統對於閥電流雜訊較不敏感且因此在作業區域中較為穩固。
利用一固定電流來控制閥之一者、譬如圖5所示控制演算法會產生一與如前所述具有最大閥流導之最佳解相去甚遠的解。在此控制系統方案中，控制器被建構為在控制系統142之求和點140的輸入處接收比例設定點αsp 。該求和點有一連接到一PI控制器144之輸入的輸出，該PI控制器提供控制電流I1 給低流量控制閥146。流過閥146的流量被流量感測器148感測，該流量感測器提供一代表通過該流線之流量的訊號Q1 。一固定電流I2 施加於高流量控制閥150。流過閥150的流量被流量感測器152感測，該流量感測器提供一代表通過該流線之流量的訊號Q2 。此二訊號Q2 /Q1 的比例即為實測流量比αm 。此實測流量比在一反饋迴路內被提供到求和點140且從輸入設定點αs p 減去。此設計的問題是總閥流導並非在一給定流量比α條件下的最大值。固定值通常被選為在高流量管線中，且其通常被設定在一很保守的位置(例如半開)以便抵消二閥之失配、閥之滯後、及其他流線之下游堵塞。因此，相較於圖4所示最佳解，總閥流導非常小。如前所述，總閥流導越小，流量穩定時間越慢而且橫跨流量比控制器之壓力降越大。即便是在固定閥流線中之一極保守固定閥位置，流量比控制器依然無法應付另一流線上的極嚴苛下游堵塞問題。舉例來說，另一流線中的受控閥可能因為一嚴重下游堵塞現象而被帶到完全開放位置。但固定閥並不提供一調整以便維持該流量比。因此，實際流量比偏離設定點。
依據本發明之一觀點，系統被建構為使得二閥透過一比例反饋迴路藉由一任何類型的單進單出(SISO)控制器譬如一PID控制器予以控制。該SISO控制器的輸出被分離並修改以控制二個閥每一者。二閥控制命令相關於最大容許閥流導位置大致成反對稱，亦即該等控制命令的關係是基於SISO控制器之輸出被用於控制一閥且同時同一輸出先被反相並加上一偏壓電流然後被用於控制另一閥的事實而發生。此二閥命令每一者被送過一以最大容許閥流導位置當作二個飽和極限之一者的線性飽和器。淨效應是一閥於任何時刻均被保持在最大容許閥流導位置，而另一閥被主動控制以維持流量比。反對稱最佳控制系統之一較佳實施例示於圖6。
參照圖6，較佳的反對稱最佳反饋控制系統160被用於控制閥126a和126b二者，以便尤其消弭因使用一固定電流控制一閥而有的限制。該反饋控制系統較佳是以在圖1控制器136上運作的軟體完成，然該系統亦可被以其他形式實行。反饋控制系統160包括一接到一求和點162的輸入以供接收一代表設定點流量比αs p 的訊號，且包括另一用於接收代表實測流量比αm 之一訊號的輸入。求和點162計算αs p 與αm 間的誤差訊號然後將此誤差訊號饋送到一SISO控制器164，此控制器舉例來說得為一PID控制器。控制器164的輸出Ic 被連接到線性飽和器(LSAT)166的輸入，而該線性飽和器被連接為提供控制電流I1 給閥126a。通過閥126a的流量會直接影響對應流量感測器124a的流量及輸出。該感測器的輸出代表流率Q1 。SISO控制器的輸出Ic 也被施加到一反相器168，該反相器將一輸入施加到求和點170。後者亦接收一固定偏壓電流輸入2I0 ，其被加到反相器168之輸出。然後加總訊號被施加到線性飽和器(LSAT)172之輸入，而該線性飽和器提供一輸出電流I2 。該控制電流I2 控制著閥126b，而該閥影響通過感測器124b的流量。後者提供一代表通過第二流線之流量的輸出Q2 。Q2 /Q1 的比例代表實測比例αm 。在求和點162處以設定點減實測比例αm 當作一控制反饋排列。
該等線性飽和器每一者被定義為： 其中α是飽和下限且b是飽和上限。
將I0 定義為提供最大容許閥流導的最佳閥電流。整體而言，就常開閥來說，(12)I0 ＝Im i n ，且就常閉閥來說，(13)I0 ＝Im a x ，其中Im i n 是最小容許閥電流且Im a x 是最大容許閥電流。
該反對稱最佳控制演算法決定二個閥控制命令(亦即I1 和I2 )如下：且就常開閥來說， 其中Im 是常開閥的最大容許閥電流；且就常閉閥來說， 其中Im 是常閉閥的最小容許閥電流。
因此，二個線性飽和器的輸入(亦即I0 ＋(Ic －I0 )和I0 －(Ic －I0 ))相關於最佳閥電流I0 成反對稱。因此，在該等線性飽和器之後的輸出閥控制命令相關於最佳閥電流I0 大致成反對稱。
這兩個線性飽和器在反對稱最佳控制演算法當中扮演著重要角色。整體而言，閥電流之一者(I1 或I2 )會是容許電流極限(常開閥為[I0 ,Im ]，常閉閥為[Im ,I0 ])內之一可行閥電流。藉由相關於最佳閥電流I0 的反對稱性，另一閥電流(I2 或I1 )會在[I0 ,Im ]或[Im ,I0 ]呈現的容許電流極限以外，且其相關於I0 在範圍外。因為線性飽和器，任何在飽和極限(亦即此例中之I0 )以外的閥電流會被迫具有飽和極限的值。因此，閥電流之一者會一直被保持在給出一最大容許閥電流的最佳閥電流I0 。換句話說，該反對稱最佳控制演算法確保在任何時間會是I1 ＝I0 或I2 ＝I0 。以下針對常開閥提出證明，但應理解到相同原理亦適用於常閉閥。
就常開閥來說，二個閥控制電流(亦即I1 和I2 )由方程式(14)和(15)描述。這兩種閥控制電流有兩種情況，亦即：情況1.若I1 ≧I0 ，則(18)I1 ＝Ic ≧I0 或(Ic －I0 )≧0。
施加於線性飽和器172的電流是(19)I2 ’＝I0 －(Ic －I0 )≦I0 依據方程式(18)。
故通過線性飽和器172的閥控制電流是 情況2.若I2 ≧I0 ，則(21)I2 ＝I0 －(Ic －I0 )≧I0 。重整上式得到(22)Ic ≦I0 。
依據方程式(14)，(23)I1 ＝LSAT[I0 ,Im ](Ic )＝I0 依據方程式(22)和方程式(11)。
如上所示，在任一情況中，會有一閥電流具備提供一最大容許閥流導之最佳閥電流I0 的值。
因此，二個閥被任何單進單出SISO控制器(例如一PID控制器)透過一比例反饋迴路控制。該SISO控制器的輸出在施加於二閥之前被分離並修改。二閥控制命令相關於最大容許閥流導位置大致成反對稱。因為這兩個閥命令被送過以最大容許閥流導位置當作二個飽和極限之一者的相應線性飽和器的事實，淨效應是一閥於任何時刻均被保持在最大容許閥流導位置，而另一閥被主動控制以維持流量比。因此，該反對稱最佳控制演算法在任何時刻給出一最大容許總閥流導。如前所述，最大總閥流導會給出一快速的比例、流量及上游壓力穩定時間，且給出橫跨流量比控制器之低壓力降。所以，該反對稱最佳控制演算法大幅改善流量比控制器的控制表現。
圖7例示二個常開閥的反對稱最佳控制。如圖所示，該等閥之一者永遠以給出一最大容許閥流導的最佳閥電流I0 運作。就一常開閥來說，隨著閥電流減小，閥流導會加大或是閥打開更多。整體而言，就常開閥來說，最佳閥電流I0 是電流下限或最小容許閥電流。隨著被電流I1 控制的閥因為此流線中之下游堵塞而開始打開，其會持續如此直到完全打開或在時間t0 達到電流下限I0 。只要閥電流可以再減小就會繼續減小。反之，被電流I2 控制的閥會從t0 處之一I0 值因為反對稱於最佳電流I0 而開始加大以便維持流量比。
因此，該控制器被建構為提供如下：(a)次級流線中之質量流的反對稱最佳控制，以便維持次級流量的比例；(b)該等閥之至少一者處於最佳閥電流I0 ，在任一作業瞬間提供最大容許閥流導位置(因為線性飽和器的使用)，同時另一閥被主動控制以維持預定流量比值；以及(c)次級流線中之質量流的控制，以便將次級流量之比例維持在預定設定點，藉此萬一當一流線內的流量減小使得次級流量的比例偏離預定設定點，該控制器會調整通過次級流線的相對次級流量以便將比例帶回該預定設定點。若一閥加大開放度且達到最佳閥電流，其會保持在提供最大容許閥流導的該最佳閥電流。原本處於最佳閥電流的另一閥會開始關閉以便維持預定流量比設定點。依此方式，此二閥可相互自動切換主動控制以應付任一流線中的極嚴重下游堵塞問題。
因此，以上已說明依據本發明提出之一種新穎經改良的氣體傳送系統及方法。本說明書所述範例實施例已用舉例說明方式而非設限方式呈現，且熟習此技藝者可不脫離本發明之較廣泛觀點及隨附申請專利範圍項提出的精神或範圍作出多種修改、組合及替代。舉例來說，儘管已在絕大部分用常開閥說明這些閥，這對於常閉閥也有效。此外，儘管流量比控制器被敘述為包括二個次級流線，但亦有可能將該控制器設計成具備更多次級流線。
本發明揭示之氣體傳送系統及方法還有其所有元件被包含在以下申請專利範圍項之至少一者的範圍內。本說明書揭示之任何內容都不是要宣告放棄權利，且不希望以其必然地約束申請專利範圍之解釋。
104a－d．．．氣體供應源(儲氣槽)
106．．．流量比控制器
108．．．處理室
110．．．處理室
112．．．氣箱
114a－d．．．氣棒
116．．．出口歧管
122a－b．．．流線
124a－b．．．感應器
126a－b．．．閥
130a－b．．．出口
132a－b．．．閘閥
134．．．真空泵
136．．．控制器
140．．．求和點
142．．．控制系統
144．．．PI控制器
146．．．低流量控制閥
148．．．流量感測器
150．．．高流量控制閥
152．．．流量感測器
160．．．反對稱最佳反饋控制系統
162．．．求和點
164．．．SISO控制器
166．．．線性飽和器
168．．．反相器
170．．．求和點
172．．．線性飽和器
圖1是一依據本發明建構之包含一流量比控制器之一氣體傳送系統的一較佳實施例的總體方塊簡圖；圖2是一典型常開閥在不同上游壓力下之流率對閥控制訊號的曲線圖；圖3是一圖1實施例之二個控制閥之流率的曲線圖；作為施加於每一閥之控制訊號之一函數，顯示出對於給定流率α有二閥控制命令的多重解；圖4是一圖1實施例之二個控制閥之流率的曲線圖；作為施加於每一閥之控制訊號之一函數，顯示出圖1實施例之流量比控制器具有最大容許閥流導的最佳解；圖5是一用於控制通過一流量比控制器之二個次級流線之流量比的習知控制演算法的機能方塊圖，其中高流量閥處於一固定閥位置且低流量閥被主動控制以維持流量比；圖6是一用於控制通過圖1實施例之二個次級流線之流量比的較佳反對稱最佳控制演算法的機能方塊圖，其中二個閥皆被控制且二閥控制命令相關於最大容許閥流導實質上成反對稱；以及圖7是一示意表達二個常開閥如何以一相關於最佳閥電流I0 實質上以反對稱方式運作的曲線圖。
104a－d．．．氣體供應源(儲氣槽)
106．．．流量比控制器
108．．．處理室
110．．．處理室
112．．．氣箱
114a－d．．．氣棒
116．．．出口歧管
122a－b．．．流線
124a－b．．．感應器
126a－b．．．閥
130a－b．．．出口
132a－b．．．閘閥
134．．．真空泵
136．．．控制器

Claims (16)

  1. 一種系統，用於將單一質量流分成二或更多次級流(secondary flow)，其包含：(A)一入口，其適於接收該單一質量流；(B)至少二次級流線，其被連接到該入口且被連接以載送該等次級流之對應者，每一流線包括：(1)一流量計，其被連接以測量通過該對應流線之流量且提供一代表通過該流線之實測流量的訊號；(2)一閥，其基於一控制訊號被連接以控制通過該對應流線之流量；(C)一控制器，其被連接到該等流量計及該等閥，以控制該等次級流的比例；其中該控制器被建構以提供該等次級流線中之質量流的反對稱最佳控制，以便將該等次級流的比例維持在一預定值；以及其更包括一SISO控制器及一線性飽和器對，其中該SISO控制器被連接以產生一是預定比例與實測比例間之差之一函數的第一控制訊號，該等次級流線之每一者分別使用該等線性飽和器之一者，該等線性飽和器被建構以對該第一控制訊號回應，來提供閥控制訊號以便控制該等閥之每一者。
  2. 如申請專利範圍第1項之系統，其更包括一反相器和一求和點(summing junction)，該反相器被建構為使該第 一控制訊號反相以便提供一反相控制訊號，該求和點用於結合該反相控制訊號及一固定偏壓訊號以便提供一第二控制訊號，其中該等線性飽和器之一者提供的該等閥控制訊號之一者是該第二控制訊號之一函數。
  3. 一種方法，控制一流量比控制器之二或更多次級流線中之二閥以便控制通過該等次級流線之一流量比，其包含：利用該等次級流線中之質量流之反對稱最佳控制以便將次級流量比維持在一預定值，藉由產生預定比例與實測比例間之差之一函數的一控制訊號，及對每一閥產生閥控制訊號以對該控制訊號回應，以便控制該二閥之每一者。
  4. 一種系統，用於將單一質量流分成二或更多次級流，其包含：(A)一入口，其適於接收該單一質量流；(B)至少二次級流線，其被連接到該入口且被連接以載送該等次級流之對應者，每一流線包括：(1)一流量計，其被連接以測量通過該對應流線之流量且提供一代表通過該流線之實測流量的訊號；(2)一閥，其基於一控制訊號被連接以控制通過該對應流線之流量；(C)一控制器，其被連接到該等流量計及該等閥，以將該等次級流的比例控制在一預定值； 其中該控制器被建構為使該等閥之至少一者於任一作業瞬間皆被保持在提供一最大容許閥流導(valve conductance)位置的最佳閥電流，同時另一閥被主動地控制以維持該流量比預定值；以及其更包括一SISO控制器及一線性飽和器對，其中該SISO控制器被連接為產生一是預定比例與實測比例間之差之一函數的第一控制訊號，該等線性飽和器對之一者分別用於該等次級流線之每一者，被建構以提供對該第一控制信號反應的閥控制訊號，以便控制該等閥之每一者。
  5. 如申請專利範圍第4項之系統，其更包括一反相器和一求和點，該反相器被建構為使該第一控制訊號反相以便提供一反相控制訊號，該求和點用於結合該反相控制訊號及一固定偏壓訊號以便提供一第二控制訊號，其中該等線性飽和器之一者提供的該等閥控制訊號之一者是該第二控制訊號之一函數。
  6. 一種方法，控制一流量比控制器之二或更多次級流線中之二閥以便控制通過該等次級流線之流量比，其包含：使該等閥之至少一者於任一作業瞬間維持在一給出最大容許閥流導位置的最佳位置，同時主動地控制另一閥以便維持該流量比在一預定值，藉由產生預定比例與實測比例間之差之一函數的一控制訊號，及對每一閥產生閥控制訊號以對該控制訊號回應，以便控制該二閥之每一者。
  7. 一種系統，用於將單一質量流分成二或更多次級流，其包含：(A)一入口，其適於接收該單一質量流；(B)至少二次級流線，其被連接到該入口且被連接以載送該等次級流之對應者，每一流線包括：(1)一流量計，其被連接以測量通過該對應流線之流量且提供一代表通過該流線之實測流量的訊號；(2)一閥，其基於一控制訊號被連接以控制通過該對應流線之流量；(C)一控制器，其被耦合到該等流量計及該等閥以控制該等次級流的比例以便使該比例維持在一預定設定點；以及其更包括一SISO控制器及一線性飽和器對，其中該SISO控制器被連接以產生一是預定比例與實測比例間之差之一函數的第一控制訊號，該等線性飽和器對之一者分別用於該等次級流線之每一者，被建構以提供對該第一控制訊號反應的閥控制信號，以便控制該等閥之每一者。
  8. 如申請專利範圍第7項之系統，萬一當一閥加大其開放度且達到最佳閥電流，該閥會被保持在提供最大容許閥流導的該最佳閥電流，且原本處於該最佳閥電流的另一閥會開始關閉以便維持該預定流量比設定點致使該二閥可相互自動切換主動控制。
  9. 如申請專利範圍第7項之系統，其更包括一反相器和一求和點，該反相器被建構為使該第一控制訊號反相以便提供一反相控制訊號，該求和點用於結合該反相控制訊號及一固定偏壓訊號以便提供一第二控制訊號，其中該等線性飽和器之一者提供的該等閥控制訊號之一者是該第二控制訊號之一函數。
  10. 如申請專利範圍第7項之系統，其中該控制器被建構以提供該等次級流線中之質量流的控制，使該次級流之比維持在該預定設定點，藉此萬一當其中之一流線內的流量減小使得該等次級流之比例偏離該預定設定點，該控制器會調整通過該等次級流線的相對次級流量，以便將該比例帶回該預定設定點。
  11. 一種方法，控制二閥以便控制一流量比控制器之對應次級流線中之二或更多次級流以便控制該等次級流之一流量比，其包含：使該次級流之流量比維持在一預定設定點，藉此萬一當其中之一流線內的流量減小使得該等次級流之比例偏離該預定設定點，該控制器會調整通過該等次級流線的相對次級流量，藉由產生閥控制訊號以對一第一控制訊號回應，該控制訊號係該預定設定點與實測該流量比間之差之一函數，以便將該比例帶回該預定設定點。
  12. 如申請專利範圍第11項之方法，其中若一閥加大開放度且達到最佳閥電流，該閥會被保持在提供最大容許閥 流導的該最佳閥電流，且原本處於該最佳閥電流的另一閥會開始關閉以便維持該預定流量比設定點致使該二閥可相互自動切換主動控制。
  13. 一種氣體傳送系統，包含一流量比控制器，包括：一次級流線對；一閥對，其被建構以分別控制對控制命令訊號反應的通過次級流線之流量，以及一流量控制器，其被建構為依據一預定流量比控制通過每一閥之流量，該控制器包括一反饋迴路、一單輸出SISO控制器及一線性飽和器對，該線性飽和器對之一者使用與該等閥之每一者，該SISO控制器具有一輸出；其中用於該等閥的該等控制命令訊號是該SISO控制器及個別該等線性飽和器之輸出的一函數，且該二閥控制命令實質上反對稱於該等閥之最大容許閥流導位置。
  14. 如申請專利範圍第13項之氣體傳送系統，其中該二閥控制命令實質上反對稱於該等閥之最大容許閥流導位置。
  15. 如申請專利範圍第14項之氣體傳送系統，其中線性飽和器之使用的淨效應是一閥控制之閥命令被保持在給出一最大容許閥流導的最佳閥電流，同時另一閥被主動地控制以便維持預定流量比設定點。
  16. 如申請專利範圍第14項之氣體傳送系統，其中線性飽和器之一者接收一偏壓電流及一反相訊號以便維持送 交該二線性飽和器之輸入是反對稱的，且因而該等閥控制命令實質上反對稱於該最大容許閥流導。
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Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100883148B1 (ko) * 2003-12-12 2009-02-10 세미이큅, 인코포레이티드 이온 주입시 설비의 가동 시간을 늘리기 위한 방법과 장치
US7673645B2 (en) * 2005-04-21 2010-03-09 Mks Instruments, Inc. Gas delivery method and system including a flow ratio controller using a multiple antisymmetric optimal control arrangement
US7621290B2 (en) 2005-04-21 2009-11-24 Mks Instruments, Inc. Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control
US9921089B2 (en) 2005-06-27 2018-03-20 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
US9383758B2 (en) 2005-06-27 2016-07-05 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
JP4856905B2 (ja) * 2005-06-27 2012-01-18 国立大学法人東北大学 流量レンジ可変型流量制御装置
JP4642115B2 (ja) * 2006-12-12 2011-03-02 株式会社堀場エステック 流量比率制御装置
WO2009085866A2 (en) * 2007-12-27 2009-07-09 Lam Research Corporation Gas transport delay resolution for short etch recipes
CN102473634B (zh) * 2009-08-20 2015-02-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US9127361B2 (en) 2009-12-07 2015-09-08 Mks Instruments, Inc. Methods of and apparatus for controlling pressure in multiple zones of a process tool
JP5514310B2 (ja) * 2010-06-28 2014-06-04 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理方法
CN102435388A (zh) * 2011-09-19 2012-05-02 大连基准机电设备有限公司 压力测量自动切换控制系统
US8849466B2 (en) 2011-10-04 2014-09-30 Mks Instruments, Inc. Method of and apparatus for multiple channel flow ratio controller system
JP5960614B2 (ja) * 2012-03-29 2016-08-02 Ckd株式会社 流体制御システム、流体制御方法
US9004107B2 (en) * 2012-08-21 2015-04-14 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced gas flow rate control
US10108205B2 (en) 2013-06-28 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feed-forward adjustment
US10114389B2 (en) * 2013-06-28 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feedback
EP3025064B1 (en) * 2013-07-25 2021-09-08 Fluid Handling LLC. Sensorless adaptive pump control with self-calibration apparatus for hydronic pumping system
JP6193679B2 (ja) * 2013-08-30 2017-09-06 株式会社フジキン ガス分流供給装置及びガス分流供給方法
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US9934956B2 (en) * 2015-07-27 2018-04-03 Lam Research Corporation Time multiplexed chemical delivery system
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10557736B2 (en) * 2016-05-10 2020-02-11 Mks Instruments, Inc. Predictive diagnostics systems and methods using vacuum pressure control valves
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
WO2018047644A1 (ja) * 2016-09-12 2018-03-15 株式会社堀場エステック 流量比率制御装置、流量比率制御装置用プログラム、及び、流量比率制御方法
JP7164938B2 (ja) * 2017-07-31 2022-11-02 株式会社堀場エステック 流量制御装置、流量制御方法、及び、流量制御装置用プログラム
US10866135B2 (en) * 2018-03-26 2020-12-15 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on rate of pressure decay
JP2021164492A (ja) * 2018-04-24 2021-10-14 オリンパス株式会社 気腹装置
US10698426B2 (en) * 2018-05-07 2020-06-30 Mks Instruments, Inc. Methods and apparatus for multiple channel mass flow and ratio control systems
JP2022069394A (ja) * 2020-10-23 2022-05-11 株式会社堀場エステック 流量比率制御装置、流量比率制御装置用制御プログラム、及び、流量比率制御装置の制御方法
CN113311881B (zh) * 2021-05-28 2022-12-13 北京七星华创流量计有限公司 一种质量流量控制器和流量控制方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2895502A (en) 1955-10-20 1959-07-21 Manning Maxwell & Moore Inc Automatic process control system
US3556126A (en) * 1968-11-19 1971-01-19 Ashland Oil Inc Pipeline valve control system
US4107246A (en) 1976-12-20 1978-08-15 Phillips Petroleum Company Extrusion control
US4369031A (en) 1981-09-15 1983-01-18 Thermco Products Corporation Gas control system for chemical vapor deposition system
JP2509022B2 (ja) * 1991-08-22 1996-06-19 株式会社東芝 ガスタ―ビン制御装置
US5453124A (en) 1992-12-30 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment
US5329965A (en) 1993-07-30 1994-07-19 The Perkin-Elmer Corporation Hybrid valving system for varying fluid flow rate
JP2002110570A (ja) 2000-10-04 2002-04-12 Asm Japan Kk 半導体製造装置用ガスラインシステム
US6333272B1 (en) * 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
JP3540738B2 (ja) 2000-10-30 2004-07-07 株式会社東芝 流量分配装置
US6418954B1 (en) 2001-04-17 2002-07-16 Mks Instruments, Inc. System and method for dividing flow
US6752166B2 (en) 2001-05-24 2004-06-22 Celerity Group, Inc. Method and apparatus for providing a determined ratio of process fluids
US6766260B2 (en) * 2002-01-04 2004-07-20 Mks Instruments, Inc. Mass flow ratio system and method
JP4224492B2 (ja) 2003-06-09 2009-02-12 シーケーディ株式会社 圧力制御システム及び流量制御システム
US7072743B2 (en) * 2004-03-09 2006-07-04 Mks Instruments, Inc. Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method
US7621290B2 (en) 2005-04-21 2009-11-24 Mks Instruments, Inc. Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control

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