CN101164029A - 包括反对称最优控制型流量比率控制器的输气方法和系统 - Google Patents

包括反对称最优控制型流量比率控制器的输气方法和系统 Download PDF

Info

Publication number
CN101164029A
CN101164029A CNA2006800131069A CN200680013106A CN101164029A CN 101164029 A CN101164029 A CN 101164029A CN A2006800131069 A CNA2006800131069 A CN A2006800131069A CN 200680013106 A CN200680013106 A CN 200680013106A CN 101164029 A CN101164029 A CN 101164029A
Authority
CN
China
Prior art keywords
valve
flow
controller
control
control signal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2006800131069A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101164029B (zh
Inventor
丁军华
J·A·史密斯
K·H·扎卡尔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
MKS Instruments Inc
Original Assignee
MKS Instruments Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by MKS Instruments Inc filed Critical MKS Instruments Inc
Publication of CN101164029A publication Critical patent/CN101164029A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101164029B publication Critical patent/CN101164029B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00Control of flow ratio
    • G05D11/02Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D11/00Control of flow ratio
    • G05D11/02Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material
    • G05D11/13Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means
    • G05D11/131Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components
    • G05D11/132Controlling ratio of two or more flows of fluid or fluent material characterised by the use of electric means by measuring the values related to the quantity of the individual components by controlling the flow of the individual components
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00Control of flow
    • G05D7/06Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • G05D7/0641Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means
    • G05D7/0664Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means using a plurality of throttling means the plurality of throttling means being arranged for the control of a plurality of diverging flows from a single flow
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/0318Processes
    • Y10T137/0324With control of flow by a condition or characteristic of a fluid
    • Y10T137/0363For producing proportionate flow
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00Fluid handling
    • Y10T137/7722Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7761Electrically actuated valve

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Flow Control (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Control Of Non-Electrical Variables (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)

Abstract

公开了用于气体输送系统的一种反对称最优控制算法,该系统包括流量比率控制器(106),用于将单个质量流分入至少两个流体管线。每个流体管线包括流量计(124)和阀(126)。流量比率控制器的两个阀通过比率反馈环由反对称最优控制器来控制,所述控制器包括单输入单输出SISO控制器、反相器和两个线性饱和器。SISO控制器的输出在施加给两个阀之前被分流和调整。两个阀控制命令实际上相对于最大允许阀传导率位置是反对称的。由于这两个阀经过各自的线性饱和器,其中最大允许阀传导率位置是两个饱和极限之一,合成效果在于,一个阀在任意时间保持在最大允许阀传导率位置,而另一个阀被主动控制以维持流量比率。

Description

包括反对称最优控制型流量比率控制器的输气方法和系统
技术领域
本发明大体涉及半导体处理设备,更具体的是涉及一种用于将无污染的精确计量的处理气体输送到至少两个处理工具和/或室的流量比率控制器。更具体地,本发明涉及用于将流从单个气柜分送到至少两个处理工具和/或真空室的系统和方法。
背景技术
半导体装置的制造经常需要将尽可能多的气体仔细地同步和精确计量地输送到处理工具和/或室。在制造过程中使用不同的配方,并且需要很多不连续的处理步骤,其中例如,半导体装置被清洁、抛光、氧化、掩膜、蚀刻、掺杂(dope)、金属化处理。所使用的步骤、它们特定的次序以及涉及的材料都对特定装置的制造作出贡献。
因此,晶片制造设施通常被组织成包括这样的区域,在这些区域内完成化学汽相淀积、等离子淀积、等离子蚀刻、溅涂以及其他类似的气体制造工艺。处理工具,例如化学汽相淀积反应器、真空溅涂机、等离子蚀刻器或者等离子增强化学汽相淀积室等必须供应有不同的处理气体。纯气体必须以无污染的、精确计量的状态提供。
在传统的晶片制造设施中,气体存储在罐中,罐通过管线或导管与气体输送系统相连。气体输送系统包括气柜,用于从制造设施的罐中将无污染的、精确计量的纯惰性气体或反应气体输送至处理工具和/或室。气柜大体上包括多个气流管线,每个都具有气体计量单元,所述气体计量单元反过来可包括阀、压力调整器和换能器、质量流量控制器和过滤器/净化器。每个气体管线具有其自己的入口,用于连接至单独的气源,但是所有气体路径汇聚至用于连接至处理工具的单个出口。
有时候希望在多个处理工具和/或室中分离或分流相结合的处理气体。在这种情况下,气柜的单个出口通过次级流体管线与多个处理工具和/或室相连。在一些应用中,为了安全或其他原因,上游压力需要保持较低(例如,15 PSIA),分流系统的例子在美国专利No.4369031;No.5453124;No.6333272;No.6418954和No.6766260中以及公开的美国专利申请No.2002/0038669中公开。美国专利No.6766260中的流量比率控制器是特别相关的,因为每个次级流体管线由单独的流量计和控制阀来控制。
美国专利No.6766260中所示类型的流量比率控制器在最初设定时将快速地稳定到期望的流量比率进行分流,但是流体需要时间来稳定,并且在一些应用中这不是令人满意的。而且,穿过流量比率控制器的压降较高,并且控制器处理次级流体通道之一的下游阻塞的控制能力较弱。此外,系统很难建立,因为很难最初确定次级流体管线中的阀的固定阀位置。并且对于使用两个次级流体管线的实施例来讲,必须采用高流量阀作为固定阀,并且采用低流量阀作为进行流量比率控制的控制阀。
附图说明
参考附图说明,其中具有相同附图标记的元件表示相同的元件,其中:
图1是总体框图,示出了根据本发明构造的包括流量比率控制器的气体输送系统的优选实施例;
图2是对于传统的常开阀的在不同上游压力的流速与阀控制信号的曲线示意图;
图3是图1的实施例的两个控制阀的流速的曲线示意图,随着施加至每个阀的控制信号而变化;示出了对于特定的流量比率α,两个阀控制命令具有多个解;
图4是图1的实施例的两个控制阀的流速的示意图,随着施加至每个阀的控制信号而变化;示出了对于图1的实施例的流量比率控制器的最大允许阀传导率的最优解;
图5是用于控制通过阀流量比率控制器的两个次级流体管线的流量比率的现有技术的控制算法的功能框图,其中高的流量阀是在固定阀位置,低的流量阀被主动控制以维持流量比率;
图6是用于控制通过图1实施例的两个次级流体管线的流量比率的优选的反对称优选控制算法的功能框图,其中两个阀都被控制并且两个阀控制命令实际上相对于最大允许阀传导率反对称;以及
图7是一个图表,示出了两个常开阀以相对于最优阀电流Io实际上反对称的方式的操作方式。
具体实施方式
参考图1,本发明提供了用于流量比率控制器的一种新颖的控制算法,用于在气体传输系统的两个次级流体路径之间分流。该系统和方法旨在使用气体计量系统来将无污染的精确计量的处理气体和净化气体传输给半导体处理工具和/或室。该系统和方法提供了这样的益处,按照预选的比例以精确的值将单个气流分成已知的两个次级气流,而不需要相对较高的上游压力。在图1中作为气体传输系统102的一部分大体以附图标记106表示的流量比率控制器选择性地接收单独的或者多种气体的混合物,包括例如来自气体源(例如气罐)104a、104b、104c、104d的多种处理气体和净化气体。气柜112将气体混合物提供至流量比率控制器106,流量比率控制器示出为与两个处理室108和110相连(作为选择,气体可以被计量到单独处理室和/或其他处理工具的不同注射器或者区域)。气柜112包括多个气杆(gas stick)114a、114b、114c、114d,每个气杆优选地与对应的气源104流体连接,并且单独控制来自对应气源104的气流。尽管图1示出了四个气源104和对应的气杆114,但是气源和气杆的数量可以是任何数量(包括一个)。每个气杆114例如包括质量流量控制器(MFC)、位于MFC之前的阀以及位于MFC之后的阀,例如在美国专利No.6418954中所示的那样。气杆114分别提供了可控制的气体通道,使得无污染的精确计量的气体或者气体混合物能够提供给流量比率控制器106,并且然后以预选的流量比率精确地分流/分离至处理室108、110。尽管未示出,但是每个气杆可设有用于监测或控制气体的其他部件,例如过滤器、净化器以及压力换能器和控制器。例如,各杆114一起连接至一出口歧管116,以如果期望的话,在离开气柜之前,允许来自各气杆的气流的混合。出口歧管与流量比率控制器106相连。
流量比率控制器106包括至少两个流体通道或管线122a和122b。每个流体通道包括流量计,所述流量计包括用于产生用来控制阀126的流速信号的传感器124,并且因此控制通过每个流体通道的质量流。传感器和阀因此被一起用于控制输出质量流量Q1和Q2,并因此控制流量比率α=Q2/Q1。在这里描述的实施例中,控制阀126a和126b是常开阀,但是应该知道所公开的系统也可以设计具有常闭阀。每个流体通道的出口130a和130b与相应的处理工具和/或室相连,在图1的示图中,所示的处理工具和/或室分别是处理腔108和110。室反过来设有与控制阀相连的出口,所述控制阀的形式优选是闸阀132a和132b,所述控制阀反过来与真空泵134流体连通,用于将气体从罐中通过室抽出。控制器136等接收一个输入αsp,通过每个流体管线122a和122b的流速之比的预选值或设定点,如此后更加彻底清楚描述的那样,并且控制器等被构造成在设定点控制并维持通过流体管线122a和122b的质量流的分流比。
图1的系统因此被分析和建模,以为设在次级流体管线中的流量比率和流量提供更快的稳定时间(settling time),并且对于给定的流量比率设定点提供通过流量比率控制器的最小压降。大体上,在每个次级流体管线中的流量是上游压力、下游压力以及提供给用于控制管线中流量的阀的电流的函数。因此,
(1)Q1=Q1(I1,Pu,Pd1)
(2)Q2=Q2(I2,Pu,Pd2)
其中,Q1(I1,PU,Pd1)和Q2(I2,Pu,Pd2)是两个非线性函数,将输出流速(Q1和Q2)与阀电流(I1和I2)、上游压力(Pu)、以及下游压力(Pd1和Pd2)的输入相关联。注意到,两个管线共用同一上游压力Pu,但是分别具有不同的下游压力Pd1和Pd2。公式(1)和(2)可以通过忽略下游压力Pd1和Pd2的影响而相对于Pu线性化为
(3)Q1=C1(I1)·Pu
(4)Q2=C2(I2)·Pu
其中,C1(I1)是阀1的传导率(valve conductance),其是阀电流I1的函数,并且C2(I2)是阀2的传导率,其是阀电流I2的函数。
为了建模流速的稳定时间以及响应于设定的预定比率的上游压力的变化,可以从质量守恒公式开始:
(5)(Vu/Pstp)·(Tstp/T)·dPu/dt=Qt-Q1-Q2
其中,Vu是上游容积;
Pstp是标准压力,为110132.5Pa或14.7psia;
Tstp是标准温度,为273.2K或者0℃;
T是将在系统中输送的气体的温度;
Pu是将在系统中输送的气体的上游压力;
Qt是总的入口流量;并且
Q1和Q2是通过相应的次级气体通道的流量。
将公式(3)和(4)代入公式(5),得到:
(6)(Vu/Pstp)·(Tstp/T)·dPu/dt=Qt-C1(I1)·Pu-C2(I2)·Pu
=Qt-(C1(I1)+C2(I2))·Pu
=Qt-Ct·Pu
其中,Ct是控制阀126a和126b的总传导率,为:
(7)Ct=C1(I1)+C2(I2)
因此,公式(6)中的上游压力Pu是一阶系统,其具有时间常数τp,为:
(8)τp≈Vu/Ct
注意到,一阶系统的稳定时间与时间常数τp成比例。因此,通过将时间常数τp最小化,上游压力Pu的稳定时间可以最小化。因为流量的稳定时间与上游压力的稳定时间相同,如公式(3)和(4)所示,所以如果τp较小,则系统应该具有较快的流量稳定时间。
而且,稳定状态的上游压力Pu可以通过将公式(6)左侧设定为0并重新整理公式而被获得为:
(9)Pu≈Qt/Ct
期望将上游压力Pu最小化,以使最小化通过流量比率控制器106的压降。如通过公式(9)显而易见的,可以通过最大化总的阀传导率Ct而使上游压力最小化。
如公式(8)所示,因此可以期望通过将Vu最小化或者将Ct最大化或者两者都进行,从而将τp最小化,以将流量的稳定时间最小化。因此,作为设计标准,期望将上游容积尽可能减少。可以将流量比率控制器设置得尽可能靠近气柜112,以将它们之间的上游容积减少。然而,如果不是不可能的话,很难控制上游容积,而容易控制控制阀的传导率Ct。为了增加阀的传导率,优选的是构造具有较大阀孔的阀,使得当控制系统推动阀使其最大打开时,获得最大传导率的阀。阀打开得越大,则其传导率就越大,而时间常数τp就越短。
从上面的讨论可以看出,将总的传导率Ct最大化导致上游压力以及因而两个流量的最快稳定时间,并且导致通过流量比率控制器106的最小的压降。因此,对于任何时间给定的流量比率,如果一种算法能获得最大的阀传导率,则流量比率控制器将针对比率和流量的最快稳定时间实现最优的性能,并最小化通过流量比率控制器的压降。
图2示出了针对位于上游压力和下游压力恒定的两个次级流体管线中的传统常开阀的阀控制电流与流速的示意图。四组曲线示出了四个上游压力50、100、150、200托(Torr),而下游压力接近0托。如图所示,对于常开阀,阀传导率随着阀电流的增加而减小。
由流量比率的定义,也就是α=Q2/Q1,以及公式(1)和(2),对于给定的流量比率α,可以获得下面的公式:
(10)Q2(I2,Pu,Pd2)/α=Q1(I1,Pu,Pd1)
在图3中,对于给定的流量比率α,上面公式(10)的左侧和右侧被画成两个曲线。正如所示,这两条曲线与任一水平线的相交给出了满足公式(10)的阀电流I1和I2的一组解。换句话说,对于给定的流量比率α,存在对于I1和I2的多个解。
图3示出了对于给定的流量比率α的I1和I2的两组解。对于常开阀而言,阀电流越高,则阀传导率越低(或者阀打开较少)。因此,与其它组解相比,这组较小值的I1和I2给出了较高的阀传导率,这具有比率、流量和上游压力的更快的稳定时间,以及通过控制器的较小的压降,如上所述。
图4示出了当I2=0(或者I1=0,取决于流量比率α和阀曲线)或者当一个阀完全打开时,存在一组且仅有一组最优解。在这一点上,总的阀传导率Ct处于其最大值。因此,通过阀流量比率控制器的压降最小,并且装置适于提供对于比率、流量以及上游压力的最快的反应和稳定时间。而且,对于常开阀而言,当阀电流如图2所示较小时,阀电流相对于流速的斜率较小。斜率越小,则对于给定的固定的阀电流变化来讲,流速变化就越小。如果阀电流具有任何干扰噪音,则图4的小斜度区域对流量具有较小的影响,因此流量比率更加稳定。换句话说,系统对阀电流干扰噪音不敏感,因此在操作区域更加稳定。
使用固定电流控制其中一个阀,例如图5所示的控制算法,正如所述,产生了与具有最大的阀传导率的最优解差得非常远的解。在该控制系统中,采用的控制器被构造成在控制系统142的叠加点140的输入处接收比率设定点αsp。叠加点具有与PI控制器144的输入相连的输出,PI控制器反过来将控制电流I1提供至低流量控制阀146。通过阀146的流量通过流量传感器148被检测,该流量传感器148反过来提供了表示通过该流体管线的流量Q1的信号。固定电流I2应用至高流量控制阀150。通过阀150的流量通过流量传感器152被检测,该流量传感器152反过来提供了表示通过该流体管线的流量Q2的信号。两个信号之比Q2/Q1是测量的流量比率αm。该测量的流量比率在反馈环路中提供至叠加点140,并且从输入设定点αsp减去。这种设计的问题在于,对于给定的流量比率α,总的阀传导率不是最大的。固定阀通常选择在高流体管线上,并且所述阀大体设定在非常保守的位置,例如半开位置,用以抵消两个阀的错配、阀的滞后以及其他流体管线的下游阻塞。因此,与图4所示的最优解相比,总的阀传导率非常低。如上面讨论的,总的阀传导率越低,则流的稳定时间就越慢,并且贯穿流量比率控制器的压降就越高。即使对于固定阀流体管线中的非常保守的固定阀位置,流量比率控制器仍然不能处理在其他流体管线中发生的非常严重的下游阻塞。例如,由于严重的下游阻塞,其他流体管线上的受控制的阀可被驱动到完全打开位置。然而,固定阀不能提供调整来维持流量比率。因此,实际流量比率远离设定点。
根据本发明的一个方面,系统被构造使得两个阀都通过任何类型的单输入单输出(SISO)控制器、例如PID控制器通过比率反馈环路被控制。SISO控制器的输出被分流和调整,以控制两个阀中的每个阀。这两个阀控制命令实际上相对于最大的允许阀传导率位置是反对称的,也就是控制命令的关系借助这样的事实发生,即SISO控制器的输出被用于控制一个阀,而同样的输出首先被反相并且加上偏置电流,然后用来控制其它阀。两个阀命令每个都经过线性饱和器,最大允许阀传导率位置作为两个饱和极限之一。合成效应在于,一个阀在任意时刻都保持在最大允许阀传导率位置,而另一个阀被主动控制以保持流量比率。图6示出了反对称的最优控制系统的一个优选实施例。
参考图6,优选的反对称最优反馈控制系统160用来控制两个阀126a和126b,使得除了其他的,还消除了由于控制具有固定电流的一个阀而产生的限制。反馈控制系统优选地以运行在图1的控制器136上的软件完成,尽管系统可以以其他方式实现。反馈控制系统160包括叠加点162的一个输入,用于接收表示流量比率αsp的设定点的信号,以及另一个输入,用于接收表示测量的流量比率αm的信号。叠加点162计算αsp和αm之间的误差信号,然后将这个误差信号反馈给SISO控制器164,所述SISO控制器例如可以是PID控制器。控制器164的输出,Ic,与线性饱和器(LSAT)166的输入相连,所述饱和器反过来与阀126a相连以提供控制电流I1。通过阀126a的流量将直接影响流量以及因而流量传感器124a的输出。传感器的输出表示流速Q1。SISO控制器的输出,Ic,也施加于反相器168,所述反相器反过来应用至叠加点170的输入。叠加点170也接收一个固定偏置电流输入,2Io,其增加至反相器168的输出。相加的信号然后施加给线性饱和器(LSAT)172的输入,该线性饱和器反过来提供输出电流I2。控制电流I2控制阀126b,该阀反过来影响通过传感器124b的流量。传感器124b提供了代表通过次级流体管线的流量的输出Q2。Q2/Q1之比表示测量之比αm。测量之比αm在叠加点162作为控制反馈安排从设定点被减去。
线性饱和器每个都定义为:
Figure S2006800131069D00111
其中,a是低饱和极限,b是高饱和极限。
定义Io为最优阀电流,其提供了最大的允许阀传导率。总体上讲,对于常开阀,
(12)Io=Imin
并且对于常闭阀,
(13)Io=Imax
其中Imin是最小允许阀电流,而Imax是最大允许阀电流。
反对称的最优控制算法决定了两个阀控制命令,也就是I1和I2,如下:
对于常开阀,
( 14 ) , I 1 = LSAT [ I 0 , I m ] ( I o + ( I c - I o ) ) = LSAT [ I 0 , I m ] ( I c )
( 15 ) , I 1 = LSAT [ I o , I m ] ( I o - ( I c - I o ) ) = LSAT [ I o , I m ] ( 2 I o - I c )
其中,Im是对于常开阀的最大允许阀电流;对于常闭阀,
( 16 ) , I 1 = LSAT [ I m , I 0 ] ( I o + ( I c - I o ) ) = LSAT [ I m , I 0 ] ( I c )
( 17 ) , I 2 = LSAT [ I m , I 0 ] ( I o - ( I c - I o ) ) = LSAT [ I m , I 0 ] ( 2 I o - I c )
其中,Im是对于常闭阀的最小允许阀电流。
因此,两个线性饱和器的输入,也就是(Io+(Ic-Io))和(Io-(Ic-Io))相对于最优阀电流I0而言是反对称的。因此,线性饱和器之后的输出阀控制命令实际上是相对于最优阀电流I0而言是反对称的。
两个线性饱和器在反对称控制算法中起到重要的作用。总的来讲,阀电流之一(I1或I2)对于常开阀来讲是在允许电流极限[Io,Im]或者对于常闭阀的允许电流极限[Im,Io]内的可行的阀电流。由于相对于最优阀电流Io的反对称特性,另一阀电流(I2或I1)将在由[Io,Im]或[Im,Io]形成的允许电流极限外,并且在Io外。因为线性饱和器,所以在这种情况中在饱和极限也就是Io之外的任何阀电流都将被迫具有饱和极限值。因此,阀电流之一总是保持在最优阀电流Io,这给出了最大允许阀电流。换句话说,反对称的最优控制算法保证了在任何时间I1=Io、或者I2=Io。下面提供了对于常开阀的证明,但应该理解同样的原理也适用于常闭阀。
对于常开阀,两个阀控制电流也就是I1和I2通过公式(14)和(15)描述。对于这两个阀控制电流有两种情况,也就是
情况1:如果I1≥Io,那么
(18)I1=Ic≥Io或者(Ic-Io)≥0
根据公式(18)施加给线性饱和器172的电流是
(19)I2’=Io-(Ic-Io)≤Io
因此,通过线性饱和器172的阀控制电流是
(20)I2=LSAT[Io,Im](I2’)=Io
情况2:如果I2≥Io,那么
(21)I2=Io-(Ic-Io)≥Io
重新整理上面的公式,得到
(22)Ic≤Io
根据公式(14),根据公式(22)和(11),
(23)I1=LSAT[Io,Im](Ic)=Io
如所示,在任一种情况下,存在一个阀电流,具有最优阀电流值Io,其提供了最大的允许阀传导率。
因此,两个阀都通过一个比率反馈环路由任一单输入、单输出SISO控制器、也就是PID控制器被控制。SISO控制器的输出在施加给两个阀之前被分流和调整。两个阀控制命令实际上相对于最大允许阀传导率位置是反对称的。由于这两个阀命令通过各自的线性饱和器,其中最大允许阀传导率位置作为两个饱和极限之一,合成效果在于,一个阀在任意时间保持在最大允许阀传导率位置,而另一个阀被主动地控制以维持流量比率。因此,反对称最优控制算法给出了在任意时间的最大允许总阀传导率。如上面讨论的,最大总阀传导率将给出对于比率、流量和上游压力的较快的稳定时间以及贯穿流量比率控制器的低压降。因此,反对称最优控制算法极大地改善了流量比率控制器的控制性能。
图7示出了两个常开阀的反对称最优控制。如图所示,一个阀总是在最优阀电流Io操作,其给出了最大允许阀传导率。对于常开阀,随着阀电流减少,阀传导率增加或者阀打开更多。总的来讲,最优阀电流Io是低电流极限或者对于常开阀是最小允许阀电流。随着被电流Io控制的阀由于在这个流体管线中的下流阻塞而开始打开,其将继续如此直到其完全打开或者在时间to达到低电流极限Io。如果可以的话,阀电流将继续减少。实际上,被电流I2控制的阀将开始从在to的值Io增加,这是由于针对最优电流Io的反对称,用以维持流量比率。
因此,控制器被构造成提供以下:
(a)在次级流体管线中的质量流量的反对称最优控制,以维持次级流量比率;
(b)至少一个阀在最优阀电流Io,提供了在任一操作时间的最大允许阀传导率位置(由于线性饱和器的使用),同时另一个阀被主动控制以维持流量比率的预选定值;以及
(c)在次级流体管线中的质量流量的控制,以将次级流量比率维持在预选的设定点,使得如果流量在一个流体管线中减少,使得次级流量比率从预选的设定点偏离,则控制器将调整通过次级流体管线的相对次级流量,以将流量比率返回到预选的设定点。如果一个阀增加开放度并达到最优阀电流,则其将保持在最优阀电流,这提供了最大允许阀传导率。最初在最优阀电流的另一个阀将开始关闭,以维持预选的流量比率设定点。这样,两个阀能够彼此自动切换主动控制,以处理在任一流量管线中的非常严重的下游阻塞问题。
因此,描述了根据本发明的一种新的和改善的气体输送系统和方法。本说明书所描述的示意性实施例已经通过说明而不是限制来提出,并且在不脱离本发明更宽方面以及权利要求书所确定的精神或范围的情况下,本领域技术人员可以作出不同的改型、结合和替代。例如,尽管所描述的阀大部分是常开阀,但对于常闭阀也是有效的。而且,尽管流量比率控制器描述成包括两个次级流体管线,有可能设计具有更多个次级流体管线的控制器。
本发明公开的气体输送系统和方法及其所有元件包含在权利要求书中的至少一项的范围之内。目前所公开的元件并非不要求保护,它们也并不限制对于权利要求书的解释。

Claims (18)

1.一种用于将单个质量流分成两个或更多次级流的系统,包括:
(A)入口,所述入口适于接收所述单个质量流;
(B)至少两个次级流体管线,它们连接至所述入口,并连接成承载对应的所述次级流,每个流体管线包括:
(1)流量计,所述流量计被连接成测量通过对应的流体管线的流量,并且提供表示通过所述流体管线的测量的流量的信号;
(2)阀,所述阀被连接成基于控制信号而控制通过所述对应的流体管线的流量;
(C)控制器,所述控制器连接至所述流量计和所述阀,用于控制所述次级流量比率;
其中,所述控制器被构造成提供在所述次级流体管线中的质量流的反对称最优控制,以将所述次级流量比率维持在预选值。
2.根据权利要求1所述的系统,其特征在于,还包括SISO控制器,所述控制器被连接成产生第一控制信号,所述第一控制信号为所预选的流量比率与所测量的流量比率之差的函数;和一对线性饱和器,每个饱和器分别用于对应的次级流体管线,所述饱和器被构造成响应于所述第一控制信号而提供阀控制信号,用以控制每个阀。
3.根据权利要求2所述的系统,其特征在于,还包括反相器,所述反相器被构造成将所述第一控制信号反相以提供反相控制信号,以及叠加点,所述叠加点用于结合所述反相控制信号和固定的偏置信号,从而提供第二控制信号,由一个所述线性饱和器所提供的一个所述阀控制信号为所述第二控制信号的函数。
4.一种控制流量比率控制器的次级流体管线中的两个阀从而控制通过所述次级流体管线的流量比率的方法,所述方法包括:
在所述次级流体管线中采用质量流的反对称最优控制,用以将所述次级流量比率维持在预选值。
5.一种用于将单个质量流分成两个或多个次级流的系统,包括:
(A)入口,所述入口适于接收所述单个质量流;
(B)至少两个次级流体管线,它们连接至所述入口,并连接成承载对应的所述次级流,每个流体管线包括:
(1)流量计,所述流量计连接成测量通过所述对应的流体管线的流量,并且提供表示通过所述流体管线的测量的流量的信号;
(2)阀,所述阀连接成基于控制信号而控制通过所述对应流体管线的流量;
(C)控制器,所述控制器连接至所述流量计和所述阀,用于将所述次级流量比率控制在预选值;
其中,所述控制器被构造使得所述阀中的至少一个阀保持处于最优阀电流,其提供了在任一操作时间的最大允许阀传导率位置,而另一个阀被主动控制以将所述流量比率维持在预选值。
6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,还包括SISO控制器,所述控制器被连接成产生第一控制信号,所述第一控制信号为所预选的流量比率与所测量的流量比率之差的函数;和一对线性饱和器,每个饱和器分别用于对应的次级流体管线,所述饱和器被构造成响应于所述第一控制信号而提供阀控制信号,用以控制每个阀。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,还包括反相器,所述反相器被构造成将所述第一控制信号反相以提供反相控制信号,以及叠加点,所述叠加点用于结合所述反相控制信号和固定的偏置信号,从而提供第二控制信号,由一个所述线性饱和器所提供的一个所述阀控制信号为所述第二控制信号的函数。
8.一种控制流量比率控制器的次级流体管线中的两个阀从而控制通过所述次级流体管线的流量比率的方法,所述方法包括:
将所述阀中的至少一个阀维持在最优位置,其在任一操作时刻给出了最大允许阀传导率位置,同时主动控制另一个阀以将所述流量比率维持在预选值。
9.一种用于将单个质量流分成两个或多个次级流的系统,包括:
(A)入口,所述入口适于接收所述单个质量流;
(B)至少两个次级流体管线,它们连接于所述入口,并连接成承载对应的所述次级流,每个流体管线包括:
(1)流量计,所述流量计连接成测量通过对应的流体管线的流量,并且提供表示通过所述流体管线的测量的流量的信号;
(2)阀,所述阀被连接成基于控制信号控制通过所述对应的流体管线的流;
(C)控制器,所述控制器连接至所述流量计和所述阀,用于控制所述次级流量比率,以将所述流量比率维持在预选的设定值;
其中,所述控制器被构造成提供在所述次级流体管线中的质量流的控制,以将所述次级流量比率维持在所述预选的设定点,以使得如果在一个流体管线中的流量减少,使得所述次级流量比率从所述预选的设定点偏离,则所述控制器将调整通过所述次级流体管线的相对次级流量,以将所述流量比率返回至所述预选的设定点。
10.根据权利要求9所述的系统,其特征在于,如果一个阀增加开放度并且达到最优阀电流,则所述阀将保持在最优阀电流,其提供了最大允许阀传导率,并且最初处于最优阀电流的另一个阀将开始闭合,用以维持所述预选的流量比率设定点,使得所述两个阀适于自动地彼此切换主动控制。
11.根据权利要求9所述的系统,其特征在于,还包括SISO控制器,所述控制器被连接成产生第一控制信号,所述第一控制信号为所预选的流量比率与所测量的流量比率之差的函数;和一对线性饱和器,每个饱和器分别用于对应的次级流体管线,所述饱和器被构造成响应于所述第一控制信号而提供阀控制信号,用以控制每个阀。
12.根据权利要求11所述的系统,其特征在于,还包括反相器,所述反相器被构造成将所述第一控制信号反相以提供反相控制信号,以及叠加点,所述叠加点用于结合所述反相控制信号和固定的偏置信号,从而提供第二控制信号,由一个所述线性饱和器所提供的一个所述阀控制信号为所述第二控制信号的函数。
13.一种控制两个阀从而控制流量比率控制器的对应次级流体管线中的次级流量以控制次级流量比率的方法,所述方法包括:
将所述次级流量比率维持在预选的设定值,从而如果在一个流体管线中流量减少,使得所述次级流体量比从所述预选的设定点偏离,则所述控制器将调整通过所述次级流体管线的相对次级流量,以将所述流量比率返回至所述预选的设定点。
14.根据权利要求13所述的方法,其特征在于,如果一个阀增加开放度并且达到最优阀电流,则所述阀将保持在最优阀电流,其提供了最大允许阀传导率,并且最初处于最优阀电流的另一个阀将开始闭合,用以维持所述预选的流量比率设定点,使得所述两个阀适于自动地彼此切换主动控制。
15.一种气体输送系统,包括流量比率控制器,所述流量比率控制器包括:
一对次级流体管线;
一对阀,所述阀被构造成响应于控制命令信号分别控制通过次级流体管线的流量;以及
流量控制器,所述流量控制器被构造成根据预选的流量比率而控制通过每个阀的流量,所述控制器包括反馈环路、单输出SISO控制器以及一对线性饱和器,每个饱和器分别用于对应的阀,所述SISO控制器具有一输出;其中,用于所述阀的所述控制命令信号为所述SISO控制器的输出以及对应的线性饱和器的函数,并且两个阀命令实际上相对于所述阀的最大允许阀传导率位置是反对称的。
16.根据权利要求15所述的气体输送系统,其特征在于,所述两个阀控制命令实际上相对于所述阀的最大允许阀传导率位置是反对称的。
17.根据权利要求16所述的气体输送系统,其特征在于,使用线性饱和器的合成效果在于,一个阀控制的阀命令保持在最优阀电流,其给出了最大允许阀传导率,同时另一个阀被主动控制以维持所述预选的流量比率设定点。
18.根据权利要求16所述的气体输送系统,其中,所述线性饱和器中的一个线性饱和器接收偏置电流和反相的信号,以将所述两个线性饱和器的输出维持为反对称,因此所述阀控制命令实际上相对于所述最大允许阀传导率是反对称的。
CN2006800131069A 2005-04-21 2006-04-20 包括反对称最优控制型流量比率控制器的输气方法和系统 Active CN101164029B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/111,646 US7621290B2 (en) 2005-04-21 2005-04-21 Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control
US11/111,646 2005-04-21
PCT/US2006/014682 WO2006115926A2 (en) 2005-04-21 2006-04-20 Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101164029A true CN101164029A (zh) 2008-04-16
CN101164029B CN101164029B (zh) 2011-06-22

Family

ID=37055957

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2006800131069A Active CN101164029B (zh) 2005-04-21 2006-04-20 包括反对称最优控制型流量比率控制器的输气方法和系统

Country Status (8)

Country Link
US (1) US7621290B2 (zh)
JP (2) JP2008538656A (zh)
KR (1) KR101111401B1 (zh)
CN (1) CN101164029B (zh)
DE (1) DE112006000836B4 (zh)
GB (1) GB2438997B8 (zh)
TW (1) TWI430065B (zh)
WO (1) WO2006115926A2 (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104583658A (zh) * 2012-08-21 2015-04-29 应用材料公司 增强的气体流率控制的方法及设备
CN109154406A (zh) * 2016-05-10 2019-01-04 Mks 仪器公司 使用真空压力控制阀的预测诊断系统和方法
CN109716257A (zh) * 2016-09-12 2019-05-03 株式会社堀场Stec 流量比率控制装置、流量比率控制装置用程序及流量比率控制方法
CN112204493A (zh) * 2018-05-07 2021-01-08 万机仪器公司 用于多通道质量流量和比率控制系统的方法和装置

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7820981B2 (en) * 2003-12-12 2010-10-26 Semequip, Inc. Method and apparatus for extending equipment uptime in ion implantation
US7621290B2 (en) 2005-04-21 2009-11-24 Mks Instruments, Inc. Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control
US7673645B2 (en) * 2005-04-21 2010-03-09 Mks Instruments, Inc. Gas delivery method and system including a flow ratio controller using a multiple antisymmetric optimal control arrangement
US9383758B2 (en) 2005-06-27 2016-07-05 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
JP4856905B2 (ja) * 2005-06-27 2012-01-18 国立大学法人東北大学 流量レンジ可変型流量制御装置
US9921089B2 (en) 2005-06-27 2018-03-20 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
WO2008072614A1 (ja) * 2006-12-12 2008-06-19 Horiba Stec, Co., Ltd. 流量比率制御装置
WO2009085866A2 (en) * 2007-12-27 2009-07-09 Lam Research Corporation Gas transport delay resolution for short etch recipes
CN102473634B (zh) * 2009-08-20 2015-02-18 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理方法
US9127361B2 (en) 2009-12-07 2015-09-08 Mks Instruments, Inc. Methods of and apparatus for controlling pressure in multiple zones of a process tool
CN103003924B (zh) * 2010-06-28 2015-07-08 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置及方法
CN102435388A (zh) * 2011-09-19 2012-05-02 大连基准机电设备有限公司 压力测量自动切换控制系统
US8849466B2 (en) * 2011-10-04 2014-09-30 Mks Instruments, Inc. Method of and apparatus for multiple channel flow ratio controller system
JP5960614B2 (ja) * 2012-03-29 2016-08-02 Ckd株式会社 流体制御システム、流体制御方法
US10114389B2 (en) * 2013-06-28 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feedback
US10108205B2 (en) 2013-06-28 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feed-forward adjustment
US9897084B2 (en) 2013-07-25 2018-02-20 Fluid Handling Llc Sensorless adaptive pump control with self-calibration apparatus for hydronic pumping system
JP6193679B2 (ja) * 2013-08-30 2017-09-06 株式会社フジキン ガス分流供給装置及びガス分流供給方法
JP2016134569A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 株式会社東芝 半導体製造装置
US9934956B2 (en) * 2015-07-27 2018-04-03 Lam Research Corporation Time multiplexed chemical delivery system
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
JP7164938B2 (ja) * 2017-07-31 2022-11-02 株式会社堀場エステック 流量制御装置、流量制御方法、及び、流量制御装置用プログラム
US10866135B2 (en) * 2018-03-26 2020-12-15 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on rate of pressure decay
JP2021164492A (ja) * 2018-04-24 2021-10-14 オリンパス株式会社 気腹装置
JP2022069394A (ja) * 2020-10-23 2022-05-11 株式会社堀場エステック 流量比率制御装置、流量比率制御装置用制御プログラム、及び、流量比率制御装置の制御方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2895502A (en) 1955-10-20 1959-07-21 Manning Maxwell & Moore Inc Automatic process control system
US3556126A (en) * 1968-11-19 1971-01-19 Ashland Oil Inc Pipeline valve control system
US4107246A (en) 1976-12-20 1978-08-15 Phillips Petroleum Company Extrusion control
US4369031A (en) 1981-09-15 1983-01-18 Thermco Products Corporation Gas control system for chemical vapor deposition system
JP2509022B2 (ja) * 1991-08-22 1996-06-19 株式会社東芝 ガスタ―ビン制御装置
US5453124A (en) 1992-12-30 1995-09-26 Texas Instruments Incorporated Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment
US5329965A (en) 1993-07-30 1994-07-19 The Perkin-Elmer Corporation Hybrid valving system for varying fluid flow rate
JP2002110570A (ja) 2000-10-04 2002-04-12 Asm Japan Kk 半導体製造装置用ガスラインシステム
US6333272B1 (en) * 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
JP3540738B2 (ja) 2000-10-30 2004-07-07 株式会社東芝 流量分配装置
US6418954B1 (en) 2001-04-17 2002-07-16 Mks Instruments, Inc. System and method for dividing flow
CN100403198C (zh) 2001-05-24 2008-07-16 迅捷公司 流体流量控制器和定比率控制流体流量的方法和装置
US6766260B2 (en) 2002-01-04 2004-07-20 Mks Instruments, Inc. Mass flow ratio system and method
CN100454200C (zh) 2003-06-09 2009-01-21 喜开理株式会社 相对压力控制系统和相对流量控制系统
US7072743B2 (en) * 2004-03-09 2006-07-04 Mks Instruments, Inc. Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method
US7621290B2 (en) 2005-04-21 2009-11-24 Mks Instruments, Inc. Gas delivery method and system including a flow ratio controller using antisymmetric optimal control

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104583658A (zh) * 2012-08-21 2015-04-29 应用材料公司 增强的气体流率控制的方法及设备
CN109154406A (zh) * 2016-05-10 2019-01-04 Mks 仪器公司 使用真空压力控制阀的预测诊断系统和方法
CN109154406B (zh) * 2016-05-10 2020-01-07 Mks 仪器公司 使用真空压力控制阀的预测诊断系统和方法
CN109716257A (zh) * 2016-09-12 2019-05-03 株式会社堀场Stec 流量比率控制装置、流量比率控制装置用程序及流量比率控制方法
CN109716257B (zh) * 2016-09-12 2022-04-05 株式会社堀场Stec 流量比率控制装置、存储有流量比率控制装置用程序的程序存储介质及流量比率控制方法
CN112204493A (zh) * 2018-05-07 2021-01-08 万机仪器公司 用于多通道质量流量和比率控制系统的方法和装置
CN112204493B (zh) * 2018-05-07 2024-01-09 万机仪器公司 用于多通道质量流量和比率控制系统的方法和装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW200707148A (en) 2007-02-16
JP5937139B2 (ja) 2016-06-22
KR101111401B1 (ko) 2012-02-27
DE112006000836T5 (de) 2008-03-06
GB2438997B (en) 2011-04-13
WO2006115926A2 (en) 2006-11-02
GB2438997A (en) 2007-12-12
CN101164029B (zh) 2011-06-22
US20060237063A1 (en) 2006-10-26
KR20080002999A (ko) 2008-01-04
GB2438997B8 (en) 2011-04-27
US7621290B2 (en) 2009-11-24
GB0717778D0 (en) 2007-10-24
DE112006000836B4 (de) 2022-03-31
JP2014206985A (ja) 2014-10-30
TWI430065B (zh) 2014-03-11
JP2008538656A (ja) 2008-10-30
WO2006115926A3 (en) 2007-01-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101164029B (zh) 包括反对称最优控制型流量比率控制器的输气方法和系统
CN101702940B (zh) 包括利用多反对称最优控制装置的流量比率控制器的气体输送方法和系统
CN101479681B (zh) 流量比可变型流体供给装置
CN101243369B (zh) 用于多腔室工具的臭氧系统
KR100944962B1 (ko) 질량유량분할 시스템과 방법
JP4585035B2 (ja) 流量比率制御装置
JP3926747B2 (ja) フローを分割するためのシステム及び方法
JP5755958B2 (ja) 半導体製造装置の原料ガス供給装置
CN102037423B (zh) 使用压力流量控制装置的流体非连续式流量切换控制方法
US8019481B2 (en) Flow rate ratio control device
KR101677971B1 (ko) 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치
EP1026566A1 (en) Versatile flow rate controller
JPS62273714A (ja) 有機金属ガス供給方法および装置
US11094563B2 (en) Fluid control system
JP2015501465A (ja) 多チャンネル流量比コントローラシステムの方法および装置
EP1258541A2 (en) Process gas supply for cvd systems
CN108445922A (zh) 半导体制造装置的气体分流供给装置
US20070292612A1 (en) Metal-organic vaporizing and feeding apparatus, metal-organic chemical vapor deposition apparatus, metal-organic chemical vapor deposition method, gas flow rate regulator, semiconductor manufacturing apparatus, and semiconductor manufacturing method
Betsch Parametric analysis of control parameters in MOCVD
US8925481B2 (en) Systems and methods for measuring, monitoring and controlling ozone concentration
JPH0472717A (ja) 半導体製造装置
JP3070728B2 (ja) 薄膜気相成長装置
JPH01255214A (ja) 液体原料供給装置
JPH0354820A (ja) 有機金属ガスの供給装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant