TWI428480B - 可動接點用銀覆蓋複合材料及其製造方法 - Google Patents

可動接點用銀覆蓋複合材料及其製造方法 Download PDF

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Description

可動接點用銀覆蓋複合材料及其製造方法
本發明是關於可動接點所使用之銀覆蓋複合材料及其製造方法，尤其是關於獲得長壽命的可動接點之銀覆蓋複合材料及其製造方法。
連接器、開關、端子等的電接點部採用盤式彈簧接點、電刷接點、夾持接點等。這些接點大多採用首推既廉價又有優異的耐蝕性、機械特性等之銅合金、不銹鋼，在鐵‧鎳合金等的基材上鍍上基底的鎳，再在該上面覆蓋導電性及焊錫性優異的銀之銀覆蓋複合材料(參考日本專利文獻1)。
尤其，使用不銹鋼基材之銀覆蓋複合材料，由於機械特性、金屬疲勞壽命等優異，故比使用銅合金基材還要有助於接點的小型化，又由於能夠增加動作次數，故適用於長壽命的按鍵式開關或檢測開關等的可動接點。
然而，在不銹鋼基材上鍍上基底的鎳，再在該上面覆蓋銀之銀覆蓋複合材料，由於開關的接點壓力很大，故會有重複進行接點開關動作，容易剝離銀接點的銀覆蓋層的問題。理解該現象是因以下的理由而引起。
第11圖的例子中的銀覆蓋複合材料900係在由不銹鋼所組成之基材901的上面，形成有基底層902及最表層903。(該圖的(a)圖)。形成基底層902之鎳及形成最表層903之銀具有不相牢固熔接的性質，且會在最表層903引起氧滲入而擴散的現象。因而，滲入最表層903並擴散的氧來到基底層902與最表層903的界面，會在該處生成鎳的氧化物904，基底層902與最表層902的密著力因而降低(該圖的(b)圖)。
提案銀覆蓋複合材料係在不銹鋼基材上依序電鍍基底層(鎳層)、中間層(銅層)、最表層(銀層)之，作為解決上述問題點的手段(參考日本專利文獻2~5)。在第12圖中表示採用這些的技術所形成之銀覆蓋複合材料的一個例子。銀覆蓋複合材料910係在互不牢固熔接之鎳與銀所分別形成的基底層912與最表層903之間，設置與鎳及銀的雙方相互牢固熔接之銅所形成的層，作為中間層913(第12圖)。藉由此方式，令中間層913與各層912、914之間相互進行擴散，可以提高各層間的密著性。進而，具有的效果為讓從中間層113牢固熔接在最表層114之銅中，捕獲從大氣滲入而在最表層914中進行擴散之氧，以防止界面中儲存的氧所導致密著性的降低，因而可以防止密著性的降低。
專利文獻1：日本專利特開昭59-219945號公報
專利文獻2：日本專利特開2004-263274號公報
專利文獻3：日本專利特開2005-2400號公報
專利文獻4：日本專利特開2005-133169號公報
專利文獻5：日本專利特開2005-174788號公報
然而，上述的技術明顯有以下的缺點。即是與過去依序電鍍鎳層及銀層而形成之銀覆蓋複合材料作比較，形成由銅所組成之中間層的情況，會有提早上升長期使用時的接觸電阻的問題。另外，得知：基底層(鎳層)或中間層(銅層)的至少一方過厚則會降低這些層的彎曲性，結果會導致壓模加工時等對於基底層或中間層的至少一方造成龜裂之不良原因。
本發明的目的為提供對於壓模加工等具有很高的加工性，即使用於可動接點反覆進行開關動作仍不會剝離銀覆蓋層，又即使長期間使用，接觸電阻的上升仍會受到抑制，獲得長壽命的可動接點之可動接點用銀覆蓋複合材料及其製造方法。
本發明的另外目的為提供對於壓模加工等具有很高的加工性，即使用於可動接點反覆進行開關動作仍不會剝離銀覆蓋層，又即使長期間使用，接觸電阻的上升仍會受到抑制，獲得長壽命的可動接點，並可以迅速地提高層間的密著性之可動接點用銀覆蓋複合材料及其製造方法。
本發明團隊對於這樣的狀況經過不斷研究的結果，從中間層牢固熔接在最表層中之銅來到最表層的表面，該銅氧化而生成高電阻的氧化物導致發生接觸電阻上升的事態受到阻止(第13圖)。發現：減少中間層的厚度以使到達最表層的表面之銅的量減少，作為上述課題的解決手段，以此方式來防止接觸電阻的上升。另外，還發現：基底層和中間層變薄，壓模加工時的破裂受到抑制，甚止於可以抑制接點反覆進行開關動作之接觸電阻的上升。進而，發現：在基底層與中間層的界面例如形成波狀的凹凸，以此方式可以大幅提高基底層與中間層的界面之密著性。再則，發現：以中間層直接與基材相接觸的方式，形成讓基底層(基底區域)脫落的部分，藉由該基底脫落部使中間層與基材直接接觸，以此方式可以大幅提高基底層與中間層的界面之密著性。本發明則是根據上述過的經驗法則而形成。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的第1樣態，其特徵為，具備有：由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材、及形成在前述基材的表面的至少一部分之由鎳或鈷或鎳合金或鈷合金的其中一種所組成之基底層、及形成在前述基底層的上面之由銅或銅合金所組成之中間層、及形成在前述中間層的上面之由銀或銀合金所組成之最表層，前述基底層的厚度與前述中間層的厚度合計為0.025μm以上，0.20μm以下。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的第2樣態，其中，前述基底層的厚度為0.04μm以下。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的第3樣態，其中，前述基底層的厚度為0.009μm以下。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的第4樣態，其中，前述基材由不銹鋼所組成。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的第5樣態，其中，在前述基底層與前述中間層的界面形成有凹凸。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的第6樣態，其中，在前述中間層與前述最表層的界面形成有凹凸。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的第7樣態，其中，在前述基底層的複數個處所形成有脫落部，以使前述中間層直接與前述基材的表面相接觸。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，其特徵為：具備有：將由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之金屬條的基材進行電解予以脫脂，用鹽酸進行酸洗予以活性化之第1步驟；及接著用含有氯化鎳和游離鹽酸的電解液進行電解，於前述基板上鍍鎳，或者於含有氯化鎳和游離鹽酸的電解液中添加氯化鈷，於前述基板上鍍鎳合金，由此形成基底層之第2步驟；及接著用含有硫酸銅和游離硫酸的電解液進行電解，於前述基底層上鍍銅，或者於作為基本成分之氰化銅和氰化鉀中添加氰化鋅或錫酸鉀並進行電解，於前述基底層上鍍銅合金，由此形成中間層之第3步驟；及接著用含有氰化銀和氰化鉀的電解液進行電解，於前述中間層上鍍銀，或者於含有氰化銀和氰化鉀之電解液中添加酒石酸氧銻鉀，於前述中間層上鍍銀合金，由此形成最表層之第4步驟，製造前述基底層的厚度與前述中間層的厚度合計為0.025μm以上，0.20μm以下之可動接點用銀覆蓋複合材料。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法的第2樣態，是一種該可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，其特徵為：在施予前述鍍銅或前述鍍銅合金的其中一種電鍍處理後，施予前述鍍銀或前述鍍銀合金的其中一種電鍍處理之前，用含有氰化銀和氰化鉀的電解液進行電解以施予銀電弧鍍(silver strike)，製造銀覆蓋複合材料。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法的第3樣態，是一種製造具備有：由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材、及形成在該基材的表面的至少一部分之由鎳、鈷、鎳合金以及鈷合金的其中一種所組成之基底層、及形成在前述基底層的上面之由銅或銅合金所組成之中間層、及形成在前述中間層的上面之由銀或銀合金所組成之最表層，前述基底層的厚度與前述中間層的厚度合計為0.025μm以上，0.20μm以下之可動接點用銀覆蓋複合材料之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，其特徵為：經過將前述基材進行電解予以脫脂，之後用含有鎳離子與鈷離子的至少一方之酸性溶液進行酸洗予以活性化之活性化處理，形成前述基底層。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法的第4樣態，其特徵為，具備有：經過將由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材進行電解予以脫脂，之後用含有鎳離子與鈷離子的至少一方之酸性溶液進行酸洗予以活性化之活性化處理，將由鎳、鈷、鎳合金以及鈷合金的其中一種所組成之基底層形成在前述基材上之第1步驟；及接著用含有硫酸銅和游離硫酸的電解液進行電解，於前述基底層上鍍銅，或者於作為基本成分之氰化銅和氰化鉀中添加氰化鋅或錫酸鉀並進行電解，於前述基底層上鍍銅合金，由此形成中間層之第2步驟；及接著用含有氰化銀和氰化鉀的電解液進行電解，於前述中間層上鍍銀，或者於含有氰化銀和氰化鉀的電解液中添加酒石酸氧銻鉀，於前述中間層上鍍銀合金，由此形成最表層之第3步驟，製造前述基底層的厚度與前述中間層的厚度合計為0.025μm以上，0.20μm以下之可動接點用銀覆蓋複合材料。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法的第5樣態，其中，前述活性化處理時的陰極電流密度設定為2.0~5.0(A/dm2 )的範圍內。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法的第6樣態，其中，前述活性化處理時的陰極電流密度設定為3.0~5.0(A/dm2 )的範圍內，製造：前述基底層的厚度為0.04μm以下之可動接點用銀覆蓋複合材料。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法的第7樣態，其中，前述活性化處理時的陰極電流密度設定為2.5~4.0(A/dm2 )的範圍內，製造在前述基底層與前述中間層的界面形成有凹凸之可動接點用銀覆蓋複合材料。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法的第8形態，其中，前述活性化處理時的陰極電流密度設定為2.0~3.5(A/dm2 )的範圍內，製造：在前述基底層的複數個處所形成有脫落部，以使前述中間層直接與前述基材的表面相接觸之可動接點用銀覆蓋複合材料。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法的第9樣態，其中，前述基材為金屬條。
本發明中，可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法的第10樣態，其中，前述基材由不銹鋼所組成。
依據本發明，可以提供對於壓模加工等具有很高的加工性，即使用於可動接點反覆進行開關動作仍不會剝離銀覆蓋層，又即使長期間使用接觸電阻的上升仍會受到抑制，獲得長壽命的可動接點之可動接點用銀覆蓋複合材料及其製造方法。
依據本發明，將基底層設定為特定的厚度，可以將最表層的銅量抑制在特定的值以下，又可以抑制接觸電阻的上升。
依據本發明，可以提供對於壓模加工等具有很高的加工性，即使用於可動接點反覆進行開關動作仍不會剝離銀覆蓋層，又即使長期間使用接觸電阻的上升仍會仍會抑制，獲得長壽命的可動接點，並可以迅速地提高層間的密著性之可動接點用銀覆蓋複合材料及其製造方法。
依據本發明，由於在基底層與中間層的界面形成有凹凸，故兩者的接觸面積增大，因基底層與中間層之間的相互擴散而提高兩者的密著性。進而，在中間層與最表層的界面形成有凹凸的情況，獲得的效果為因中間層與最表層之間的相互擴散而提高兩者的密著性。
依據本發明，由於在前述基底層的複數個處所形成有脫落部，以使前述中間層直接與前述基材的表面相接觸，故基底區域與中間層的接觸面積增大，因基底區域與中間層之間的相互擴散而提高兩者的密著性。
以實施形態來詳細說明本發明的可動接點用銀覆蓋複合材料及其製造方法。
(可動接點用銀覆蓋複合材料的第1實施形態)
用第1圖所示的剖面圖來說明本發明中可動接點用銀覆蓋複合材料的第1實施形態。本實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料100具備有：由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材110、及形成在基材110之表面的至少一部分之基底層120、及形成在基底層120的上面之中間層130、及形成在中間層130的上面之最表層140。
本實施形態中，使用不銹鋼，作為由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材110。此處，以鐵或鎳為主成分的合金係指鐵或鎳的至少其中一方的質量比值為50質量%的合金。用於擔負可動接點機械強度的基材110之不銹鋼，使用應力緩和特性和耐疲勞破壞特性優異之SUS 301、SUS 304、SUS 305、SUS 316等的軋延調質材或張力退火材。
形成在不銹鋼的基材110上之基底層120，由鎳、鈷、鎳合金、鈷合金中的任何一種所形成。基底層120係為了要提高用於基材110之不銹鋼與中間層130的密著性而設置。中間層130則是由銅或銅合金所形成，為了要提高基底層120與最表層140的密著性而設置。此外，也可以依照特定的目的進一步將另外的層設置在基底層120與基材110之間。
使用以鎳、鈷或這些為主成分(全體的質量比值為50質量%以上)的合金，作為形成基底層120的金屬，這當中最好是使用鎳。該基底層120可以經由將由不銹鋼所組成之基材110形成為陰極，用例如含有氯化鎳和游離鹽酸的電解液進行電解而形成。此外，以下，針對基底層120的金屬使用鎳的例子進行說明，但並不侷限於使用鎳，即使使用鈷、鎳合金以及鈷合金中的任何一種的情況，仍會獲得與以下的說明同樣的效果。
習知的銀覆蓋複合材料之加工性惡化的原因為基底層或中間層的至少其中一方過厚，導致這些層的彎曲率降低之故。本實施形態的該對策則是在基材110的表面與基底層120、基底層120與中間層130、中間層130與最表層140之各層間的密著性受到維持的範圍，經由讓基底層120和中間層130變薄，形成具有高加工性的可動接點用銀覆蓋複合材料100。
一方面，習知導致接觸電阻上升的原因為擴散在最表層的銀覆蓋層中之中間層的銅來到最表層的表面受到氧化之故。即是如第12圖中的例子所示，從中間層913牢固熔接在最表層914中的銅來到最表層914的表面受到氧化而生成高電阻的氧化物915(參考第13圖)，造成接觸電阻的上升。
為了要解決這樣的課題，本實施形態則是在基材110的表面與基底層120、基底層120與中間層130、中間層130與最表層140之各層間的密著性受到維持的範圍，決定中間層130的銅不會來到最表層140的表面之中間層130的適切厚度。本實施形態係以基底層120的厚度D1加上中間層130的厚度D2的合計厚度DT為0.025~0.20μm的範圍的方式，決定中間層130的厚度D2。
另外，本實施形態中，將第1圖所示之基底層120的厚度D1設定為0.04μm以下。對於基底層120的厚度D1設定這樣的上限，以防止基底層120過厚所造成之加工性的惡化。更好的是將基底層120的厚度D1設定為0.009μm以下，這情況，獲得高加工性的效果則會更加顯著。
藉由此方式，可以維持各層間很高的密著性並讓銅擴散到最表層140的表面及抑制伴隨銅擴散的氧化。最表層最期望的形態為在中間層附近只含有銅，在表面附近形成有不含銅的銀或銀合金層之構成。考慮到導電性、成本、彎曲加工性，最表層的厚度D3期望是0.5~1.5μm。
基於改善加工性的觀點，最好是薄化基底層120和中間層130，不過對於基底層120與中間層130的合計厚度DT設定下限值0.025μm係因低於該值的話，提高基材110的表面與基底層120、基底層120與中間層130、中間層130與最表層140之各層間的密著性的效果則會降低之故。另外，對於基底層120與中間層130的合計厚度DT設定上限值0.20μm係因超過該值的話，容易因使用環境而引起接觸電阻的上升之故。基底層120的厚度D1和中間層130的厚度D2設定在上述過範圍內，可以防止壓模加工時各層的破裂。
本實施形態中，可動接點用銀覆蓋複合材料100之基底層120、中間層130、以及最表層140的各層，用電氣電鍍法、無電解電鍍法、物理化學蒸鍍法等任意的方法即可以形成，不過基於生產性和成本的層面，這些當中的電氣電鍍法最有助益。上述過的各層也可以形成在不銹鋼之基材110的全面，但只侷限於形成在接點部則更經濟。另外，為了要讓各層間的密著強度提升，也可以應用加熱處理等眾知的方法。
此外，還可以也對於用銅或銅合金所形成之中間層130以外的層讓銅合金化。該情況，中間層130之銅的量僅減少相當於被合金化之銅的量即可。另外，也可以因其他的目的而再在鎳層的下面設置基底層。此情況，即使在已形成在鎳層的下面之基底層當中含有銅，形成在鎳層的下面之基底層的銅，仍對於往最表層的銀層進行擴散幾乎不受影響。
(可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法的第1實施形態)
以下，利用第2圖所示的流程圖，針對製造上述第1實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料100之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法(實施形態的製造方法)進行說明。第2圖則是以例子來說明第1實施形態的製造方法及可動接點用銀覆蓋複合材料100。
本實施形態中，製造方法的第1步驟係在正矽酸鈉或苛性鈉等的鹼性溶液中，將成為基材110之不銹鋼條予以陰極電解脫脂，之後再用鹽酸進行酸洗予以活性化(第2圖中的S1)。
其次的第2步驟係用含有氯化鎳和游離鹽酸的電解液，以陰極電流密度(2~5A/dm2 )進行電解，施予鍍鎳，即形成基底層120(第2圖中的S2)。此外，也可以用添加了磺胺酸鎳(100~150g/l)及硼(20~50g/l)，將pH值調整成2.5~4.5的範圍之電解液，作為上述鍍鎳的電解液。
其次的第3步驟係用含有硫酸銅和游離硫酸的電解液，以陰極電流密度(2~6A/dm2 )進行電解，施予鍍鎳，以此方式來形成中間層130(第2圖中的S3)。
其次的第4步驟係用含有氰化銀和氰化鉀的電解液，以陰極電流密度(2~15A/dm2 )進行電解，施予鍍銀，以此方式來形成最表層140(第2圖的S4)。經過這樣的第1步驟S1至第4步驟S4的處理，可以製造出可動接點用銀覆蓋複合材料100。
此外，形成基底層120的第2步驟S2中，也可以在含有氯化鎳和游離鹽酸的電解液中添加氯化鈷，以陰極電流密度(2~5A/dm2 )進行電解，施予鍍鎳合金(鎳-鈷合金)，取代上述的鍍鎳。另外，形成中間層130的第3步驟S3中，也可以以氰化銅、氰化鉀為基本，加入氰化鋅或錫酸鉀，以陰極電流密度(2~5A/dm2 )進行電解，施予鍍銅合金(銅一鋅合金或銅-錫合金)，取代上述的鍍銅。
另外，也可以在第3步驟S3之前，或是作為第3步驟S3的替代步驟，用含有硫酸銅和游離硫酸的電解液，以陰極電流密度(1~3A/dm2 )進行電解，施予銅底鍍。針對中間層130當中的至少與基底層120相接觸的部分施予銅底鍍，會提高基底層120與中間層130的密著性，還會緊密地形成中間層130，故也可以緻密地形成之後形成的最表層140，防止各層的界面的表面粗度在壓模加工時越引起破裂越變大。即是施予銅底鍍，更加發揮防止壓膜加工時各層的破裂。
進而，形成最表層140的第4步驟S4中，也可以在含有氰化銀和氰化鉀的電解液中添加酒石酸氧銻鉀，以陰極電流密度(2~5A/dm2 )進行電解，施予鍍銀合金(銀-銻合金)，取代上述的鍍銀。或者也可以在第3步驟S3的鍍銅或鍍銅合金之後，用含有氰化銀和氰化鉀的電解液，以陰極電流密度(1~5A/dm2 )進行電解，施予銀底鍍，之後再施予鍍銀或鍍銀合金。
(第1實施形態之製造方法的實施例1)
利用實施例1來更詳細說明製造上述一個實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料100之上述第1實施形態的製造方法。
以下的實施例1中，使用條狀的不銹鋼SUS 301(以下，稱為SUS 301條)來作為基材110，SUS 301條的尺寸為厚度0.06mm，條寬100mm。在呈帶狀連續生產SUS 301條予以捲取之電鍍線上，分別實施：SUS 301條進行電解脫脂，進行水洗，予以電解活性化且水洗之第1步驟、進行鍍鎳(或鍍鎳-鈷)和水洗的處理之第2步驟、進行鍍銅和水洗的處理之第3步驟、以及進行銀底鍍和鍍銀和水洗和乾燥的各個處理之第4步驟。
各個步驟的處理條件，如以下所述：
1.第1步驟(電解脫脂、電解活性化)
用正矽酸鈉70~150g/l(本實施例為100g/l)或苛性鈉50~100g/l(本實施例為70g/l)的水溶液，將不銹鋼條予以陰極脫脂，再用10%鹽酸進行酸洗予以活性化。
2.第2步驟 (1)鍍鎳的情況
用含有氯化鎳六水合物10~50g/l(本實施例為25g/l)和游離鹽酸30~100g/l(本實施例為50g/l)的電解液，以陰極電流密度2~5A/dm2 (本實施例為3A/dm2 )進行電解予以電鍍。
(2)鍍鎳合金的情況
在上述過的電鍍液中，添加氯化鈷六水合物或氯化銅(CuCl2 )二水合物，使電鍍液中的鈷離子濃度或銅離子濃度成為相當於加入鎳離子及鈷離子或銅離子之濃度的5~20%之濃度(本實施例為10%)，進行電鍍。
3.第3步驟 (1)銅底鍍的情況
用含有硫酸銅五水合物10~30g/l(本實施例為15g/l)和游離硫酸50~150g/l(本實施例為100g/l)的電解液，以陰極電流密度1~3A/dm2 (本實施例為2A/dm2 )進行電解予以電鍍。
(2)鍍銅的情況
用含有硫酸銅五水合物20~60g/l(本實施例為40g/l)和游離硫酸50~150g/l(本實施例為100g/l)的電解液，以陰極電流密度2~6A/dm2 (本實施例為5A/dm2 )進行電解予以電鍍。
(3)鍍銅合金的情況
以氰化銅30~70g/l(本實施例為50g/l)、氰化鉀50~100g/l(本實施例為75g/l)、氫氧化鉀30~50g/l(本實施例為40g/l)為基本，加上氰化鋅0.2~0.4g/l(本實施例為0.3g/l)或錫酸鉀0.5~2g/l(本實施例為1g/l)，以陰極電流密度2~5A/dm2 (本實施例為3A/dm2 )進行電解予以電鍍。
4.第4步驟 (1)銅底鍍的情況
用含有氰化銀3~7g/l(本實施例為5g/l)和氫化鉀30~70g/l(本實施例為50g/l)的電解液，以陰極電流密度1~3A/dm2 (本實施例為2A/dm2 )進行電解予以電鍍。
(2)鍍銅的情況
用含有氰化銀30~100g/l(本實施例為50g/l)和氫化鉀30~100g/l(本實施例為50g/l)的電解液，以陰極電流密度2~15A/dm2 (本實施例為5A/dm2 )進行電解。此外，也可以因應於所須來加上碳酸鉀20~40g/l(本實施例為30g/l)。
(3)鍍銀合金的情況
在上述電解液中添加酒石酸氧銻鉀0.3~1g/l(本實施例為0.6g/l)進行電解予以電鍍。
將基底區域120的厚度、中間層130的厚度、最表層140的厚度分別進行各種變化，作為實施例的樣本，這些樣本顯示在表1中。此外，針對表1所示之實施例的樣本No.49~52的試樣，在氬氣(Ar)氛圍中以250℃進行2小時的熱處理。
使用以上述的處理條件所製造之表1中的可動接點用銀覆蓋複合材料，製造第3圖和第4圖所示構造的開關200。第3圖為表示開關200之平面圖。第4圖為表示第3圖所示的開關的A-A線之剖面圖。
同圖所示的圓頂型可動接點210係使用表1所示的可動接點用銀覆蓋複合材料加工成直徑4mmΦ而形成。固定接點220a、220b係將銀1μm厚度電鍍在黃銅條而形成。圓頂型可動接點210由樹脂的充填材230所覆蓋，與固定接點220一起收納在樹脂殼體240。開關200係第4(a)圖所示的圓頂型可動接點210呈上凸的狀態時為切斷的狀態，如第4(b)圖所示，按下圓頂型可動接點210，固定接點220a與220b電連接時為導通的狀態。
使用如同上述的開關200，反覆第4(a)、4(b)圖所示的切斷/導通的狀態，進行按壓試驗。按壓試驗是以接點壓力：9.8N/mm2 、按壓速度：5Hz，進行最大200萬次按壓。針對圓頂型可動接點210測定按壓試驗中的接觸電阻之隨時間變化的結果，把初始值、100萬次按壓後(按壓後1)、200萬次按壓後(按壓後2)分別顯示在表2中。另外，200萬次按壓試驗結束後，觀察圓頂型可動接點210有無裂痕等的狀況，該結果也顯示在表2中。此外，接觸電阻的值若為100mΩ以下的話，實用上並無妨礙。
加熱試驗係以85℃的氣浴(air bath)，針對全部的樣本進行1000小時的加熱，測定接觸電阻的變化，將該結果顯示在表2中。
表1所示之實施例的樣本No.1~52，如表2所示，即使均進行200萬次按壓試驗，接觸電阻仍增加很少，200萬次按壓後的接觸點並未發現基底層120及中間層130露出。進而，1000小時加熱後，接觸電阻的上升也很小，全部的樣本1~52，接觸電阻的值成為100mΩ以下，實用上沒有問題的值。
相對於此點，基底層120的厚度與中間層130的厚度合計低於0.025μm之比較例的樣本No.101(參考表1)中，發現因各層的密著性降低而造成之加工性的劣化，基底層120的厚度大於本發明的上限範圍(0.05μm以上)之比較例的樣本No.102~108(參考表1)中，則發現會有加工性劣化的傾向。另外，比較例的樣本No.101~108中，經200萬次按壓後，測知被認為是因加工性劣化而造成之接觸電阻的上升(具體上，接觸電阻的值超過100mΩ的狀態)。
進而，比較例的樣本No.101~108中，發現被認為是因加工性劣化而造成之接觸點的裂痕，基底層120的厚度為0.3μm之比較例的樣本No.106~108則是接觸點的最表層剝離，基底層露出。
一方面，中間層120的厚度為0.3μm之樣本103、105、108(參考表1)中，發現加熱試驗後接觸電阻大幅上升(具體上，接觸電阻的值超過100mΩ的狀態)，按壓試驗後確認會有裂痕。
(第1實施形態的製造方法之實施例2)
此處，針對製造上述可動接點用銀覆蓋複合材料100的第1實施形態之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法之實施例2進行說明。
關於基底層120：針對鎳當中的10質量%更換成銅或鈷之鍍鎳合金的情況，實施與表1的樣本No.1~52和No.101~108相同的試驗，該試驗結果與表2所示的結果並無實質上的差異。將鎳完全更換成鈷的例子也昱同樣。
關於最中間130：針對將銅當中的0.5質量%更換成錫或鋅之鍍銅合金，實施與表1的樣本No.1~52和No.101~108相同的試驗，該試驗結果與表2所示的結果並無實質上的差異。
關於最表層140：針對將鋃當中的1質量%更換成銻之鍍銀合金的情況，實施與表1的樣本No.1~52和No.101~108相同的試驗，該試驗結果與表2所示的結果並無實質上的差異。
另外，適當地配合表1所示的實施例，該試驗結果與表2所示的結果並無實質上的差異。
(可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法之第2實施形態)
其次，根據第5(a)~5(c)圖來說明製造第1圖所示的可動接點用鋃覆蓋複合材料100之第2實施形態(第2實施形態的製造方法)。
本實施形態之可動接點用鋃覆蓋複合材料的製造方法，包括以下的步驟。
(第1步驟)將由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之不銹鋼條也就是基材(金屬條的基材)110予以電解脫脂，之後經過用含有鎳離子的酸性溶液進行酸洗予以活性化之活性化處理，將由鎳所組成且是厚度0.04μm以下的基底層120形成在基材110上。
該第1步驟則是例如依照以下的條件，進行將基材110予以活性化之活性化處理。
(1)使用添加了120g/l的游離鹽酸、12g/l的氯化鎳六水合物之酸性溶液，作為含有鎳離子的酸性溶液。此外，最好是在游離鹽酸80~200g/l(更好的是100~150g/l)、氯化鎳六水合物5~20g/l(更好的是10~15g/l)的範圍添加。游離鹽酸和氯化鎳六水合物的添加量為上述範圍之外的情況，均會有基材與基底層的密著性降低的傾向。
(2)活性化處理時的陰極電流密度設定為3.5(A/dm2 )。此外，活性化處理時的陰極電流密度最好是2.0~5.0(A/dm2 )的範圍內，基於讓基底層變平坦的觀點，更好的是設定為3.0~5.0(A/dm2 )的範圍內。再更好的是3.0~4.0(A/dm2 )的範圍內。活性化處理時的陰極電流密度低於2.0(A/dm2 )，則會有基材與基底層的密著性降低的傾向，故並不理想。另外，活性化處理時的陰極電流密度高於5.0(A/dm2 )，則基材為不銹鋼的情況，會有受到基材發熱的影響的情況，稱不上很理想。
依照這樣的條件，進行第5(a)圖所示之基材110的活性化處理，會在基材110的表面全面，無間隙且緊密地形成鎳(Ni)的核120a(參考第5(b)圖)，進而，在基板110的表面全面，形成厚度0.04μm以下的基底層120(參考第5(c)圖)。此外，本實施形態則是利用活性化處理，形成由鎳所組成之基底層120，不過利用同樣的活性化處理，形成由鈷所組成之基底層的情況，在上述第1步驟，用含有鈷離子的酸性溶液，進行基材110的活性化處理。
(第2步驟)用含有硫酸銅及游離硫酸的電解液，以陰極電流密度(5A/dm2 )進行電解來施予鍍銅，藉由此方式，在基底層120上形成中間層130。
(第3步驟)用含有硫酸銅及游離硫酸的電解液進行電解來施予鍍銅，以在中間層130上形成最表層140。
如此，本實施形態之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法係將基材110予以電解脫脂，之後用含有鎳離子的酸性溶液進行酸洗予以活性化之活性化處理時，對於基材110的表面全面，將厚度0.04μm以下的基底層120形成在基材110上。因而，用第2圖說明過之上述一個實施形態之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法中，用來形成基底層120之鍍鎳或者鍍鎳合金的步驟(第2圖中的S2)則不必要。因此，製程簡略且作業時間縮短，所以能以低成本來製造可動接點用銀覆蓋複合材料。
另外，可以在由不銹鋼所組成之基材110活性化處理時，將厚度0.04μm以下的基底層120形成在基材110上。如此，形成基底層120的話，不僅會提高基材110與基底層120的密著性，還會提高基底層120與中間層130的密著性，因而可以獲得壽命很長的可動接點用銀覆蓋複合材料。
作成：將基底層120的厚度、中間層130的厚度、最表層140的厚度，分別與表1所示之實施例的試樣同樣，作各種變化之試樣，作為上述第2實施形態的製造方法所製造的樣本，這些樣本設定為樣本No.201~252(參考表3)。此外，針對表3所示之實施例的樣本No.249~252之試料，在氬氣(Ar)氛圍中，以250℃進行2小時的熱處理。另外，作成樣本No.301~308(參考表3)，作為比較例。此外，表3中的樣本No.201~252為層構造分別與表1中的樣本No.1~52相同的樣本，表3所示之比較例的樣本No.301~308為層構造分別與表1中的樣本No.101~108相同的樣本。對應關係則是在表1中之實施例的樣本碼加上200之樣本碼則成為表3所示之實施例的樣本碼。
用依照上述的處理條件所製造之樣本No.201~252和樣本No.301~308的可動接點用銀覆蓋複合材料，製造與第3圖和第4圖所示的構造之開關200相同的開關。其他的條件則是與用前述的樣本No.1~52和樣本No.101~108之可動接點用銀覆蓋複合材料的情況相同。
用如同上述的開關，反覆第4圖所示的導通/切斷狀態，進行按壓試驗。按壓試驗係以接點壓力：9.8N/mm2 、按壓速度：5Hz，進行最大200萬次按壓。針對圓頂型可動接點210測定按壓試驗中之接觸電阻的隨時間變化，把初始值、100萬次按壓後(按壓後1)、200萬次按壓後(按壓後2)分別顯示在表3中。另外，200萬次按壓試驗結束後，觀察圓頂型可動接點210有無裂痕等的狀況，該結果也顯示在表3中。
加熱試驗係以85℃的氣浴(air bath)，針對全部的樣本進行1000小時的加熱，測定接觸電阻的變化，將該結果顯示在表3中。
表3所示之實施例的樣本No.201~252則是如表3所示，即使均進行200萬次按壓試驗，接觸電阻仍增加很少，200萬次按壓後的接觸點並未發現基底層120及中間層130露出。進而，1000小時的加熱後，接觸電阻的上升也很小。尤其，表3所示之實施例的樣本No.201~252，與表1所示之實施例的樣本No. 1~52作比較，得知：200萬次按壓試驗之接觸電阻的增加和1000小時加熱後之接觸電阻的增加皆很少，全部的樣本，接觸電阻的值成為30mΩ以下，作為接點材料的性能極優異。此外，上述第1實施形態的製造方法之實施例1、2進行說明過之變形例，即使是上述第2實施形態的製造方法仍可以適用。
(可動接點用銀覆蓋複合材料的第2實施形態)
用第6圖所示的剖面圖來說明本發明之可動接點用銀覆蓋複合材料的第2實施形態。本實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料100A具備有：由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材110、及被形在基材110的表面的至少其中一面之基底層120、及被形成在基底層120上之中間層130、及被形成在中間層130上之最表層140。本實施形態由於與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料之第1實施形態具有共同點，故以相異點為中心進行說明。
用以鎳、鈷、或該兩種為主成分(全體的質量比值為50質量%)之合金，這當中最好是用鎳。該基底層120可以經由將由不銹鋼所組成的基材110設定成陰極，用例如含有氯化鎳和游離鹽酸的電解液進行電解而形成。
本實施形態中，為了要提高基底層120與中間層130的密著性，以形成凹凸150的方式構成。由於形成凹凸150，可以使基底層120與中間層130的接觸面積增大，藉由此方式，可以達到提高兩者之間相互擴散所形成的密著性。第6圖所示的可動接點用銀覆蓋複合材料100A係將基底層120與中間層130的界面形成為波狀的凹凸150，作為一個例子。
另外，本實施形態中，為了要抑制接觸電阻的上升，在維持基材110的表面與基底層120、基底層120與中間層130、中間層130與最表層140之各層間的密著性的範圍，決定中間層130的銅不會到達最表層140的表面之中間層130的適當厚度。本實施形態則是基底層120的平均厚度D1加上中間層130的平均厚度D2之合計的平均厚度DT為0.025~0.20μm。進而，有關基底層120的厚度，最好是平均值0.001~0.04μm。更好的是0.001~0.009μm。此外，以下，針對用鎳來作為基底層120的金屬的例子進行說明，但並不侷限於鎳，即使是用鈷、鎳合金、鈷合金的任何一種的情況，仍會獲得與以下的說明同樣的效果。
藉由此方式，可以維持各層間較高的密著性，並抑制銅往最表層140的表面擴散和隨著擴散所造成的氧化。作為最表層最期望的形態，與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料的第1實施形態同樣。
基於改善加工性的觀點，最好是薄化基底層120和中間層130，不過對於基底層120之平均厚度與中間層130之平均厚度的合計設定下限值0.025μm係因低於該值的話，提高中間層130與最表層140之各中間層的密著性會之效果會減低之故。另外，對於基底層120之平均厚度與中間層130之平均厚度的合計DT設定上限值0.20μm係因高於該值的話，容易引起使用環境之接觸電阻的上升之故，基底層120的平均厚度D1和中間層130的平均厚度D2設定在上述的範圍，可以藉由此方式來防止壓模加工時各層的破裂。
本實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料100A之基底層120、中間層130以及最表層140的各層，用電鍍法、無電解電鍍法、物理化學的蒸鍍法等任意的方法即可以形成。具體上，實施方法能夠與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料的第1實施形態同樣。此外，對於銅或銅合金所形成的中間層以外的層，也可以以讓銅合金化的方式形成。具體上，實施方法能夠與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料的第1實施形態同樣。
(可動接點用銀覆蓋複合材料的第3實施形態)
用第7圖所示的剖面圖來說明本發明之可動接點用銀覆蓋複合材料的第3實施形態。第3實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料200，與第6圖所示的第2實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料100A相同，具備有：由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材210、及被形在基材210的表面的至少其中一面之基底層220、及被形成在基底層220上之中間層230、及被形成在中間層230上之最表層240。
本實施形態也是為了提高基底層220與中間層230的密著性而在兩者的界面形成凹凸250，不過加上這點還在中間層230與最表層240的界面形成凹凸260。藉由此方式，可以使中間層230與最表層240的接觸面積增大，又可以達到提高兩者間相互擴散所形成的密著性。
如同上述，第7圖所示之第3實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料200則是在基底層220與中間層230的界面形成凹凸250，並且還在中間層230與最表層240的界面形成凹凸260，藉由此方式可以使各個界面的密著性提高。
(可動接點用銀覆蓋複合材料製造方法之第3實施形態)
以下，用第2圖所示的流程圖來說明製造第6圖所示之上述第2實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料100A之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法之第3實施形態(第3實施形態的製造方法)。該具體例子與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法之第1實施形態大致相同，不過形成基底層120的階段有相異處。
第3實施形態中，製造方法的第1步驟係在正矽酸鈉或苛性鈉等的鹼性溶液中，將成為基材110之不銹鋼條予以陰極電解脫脂，之後再用鹽酸進行酸洗予以活性化(第2圖的S1)。
其次的第2步驟係用含有氯化鎳及游離鹽酸的電解液，以陰極電流密度(2~5A/dm2 )進行電解以施予鍍鎳，經由此方式來形成基底層(第2圖得S2)。此處，例如能夠控制基材110所流動的電流之電流密度，對於基材110的表面施予表面有凹凸150的鍍鎳來作為基底層120。除此以外的方法，例如控制電鍍液流等的方法以能夠對於基材110的表面施予表面有凹凸150的鍍鎳來作為基底層120，藉由任何一種方法，均會在基底層120的最大厚度為0.04μm以下的情況提高再現性。該情況，基底層120的表面粗度(最大粗度：Rmax)為小於基底區域120的最大厚度值之值。此外，也可以用添加磺胺酸鎳(100~150g/l)及硼(20~50g/l)，將pH值調整成2.5~4.5的範圍之電解液，作為上述鍍鎳的電解液。
其次的第3步驟係用含有硫酸銅和游離硫酸的電解液，以陰極電流密度(5A/dm2 )進行電解，施予鍍鎳，藉由此方式來形成中間層130(第2圖的S3)。
最後的第4步驟係用含有氰化銀和氰化鉀的電解液，以陰極電流密度(2~15A/dm2 )進行電解，施予鍍銀，藉由此方式來形成最表層140(第2圖的S4)。經過這樣的第1步驟S1至第4步驟S4的處理，可以製造出可動接點用銀覆蓋複合材料100A。
此外，形成基底層120、中間層130、最表層140的步驟，能夠應用與製造方法的第1實施形態相同的變形例。
(第3實施形態的製造方法之實施例1)
用實施例來更詳細說明上述實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料100A及其製造方法。
以下的實施例中，用條狀的不銹鋼SUS 301(以下，稱為SUS 301條)，作為基材110，SUS 301條的尺寸設定為厚度0.06mm，條寬100mm。針對SUS 301連續生產進行捲取之電鍍線，與製造方法之第1實施形態同樣，分別實施：將SUS 301條予以電解脫脂、水洗、電解活性化且水洗之第1步驟、進行鍍鎳(或鍍鎳-鈷)和水洗的處理之第2步驟、進行鍍銅和水洗的處理之第3步驟、以及進行銅底鍍、鍍銀、水洗和乾燥的各種處理之第4步驟。
各步驟的處理條件如以下所述：
1.第1步驟(電解脫脂、電解活性化)
與製造方法之第1實施形態相同。
2.第2步驟 (1)鍍鎳的情況
用含有氯化鎳六水合物10~50g/l(本實施例為25g/l)和游離鹽酸30~100g/l(本實施例為50g/l)的電解液，以陰極電流密度2~5A/dm2 (本實施例為3A/dm2 )進行電解予以電鍍。適當地令陰極電流密度或電鍍液流等改變，以使在基底層120形成凹凸150。
(2)鍍鎳金的情況
在上述過的電鍍液中，添加氯化鈷六水合物或氯化銅(CuCl2 )二水合物，使電鍍液中的鈷離子濃度或銅離子濃度成為相當於加入鎳離子及鈷離子或銅離子之濃度的5~20%之濃度(本實施例為10%)，進行電鍍。
3.第3步驟
與製造方法之第1實施形態相同。
4.第4步驟
與製造方法之第1實施形態相同。
將基底層120的厚度、中間層130的厚度、最表層140的厚度分別進行各種變化，作為實施例的樣本，這些樣本顯示在表4中。此處，把基底層120之厚度的最大值與最小值的差除以基底層120之厚度的平均值(任意10個點進行測定之算術平均值)之值作為凹凸差(%)，控制第2步驟中基材110所流動的電流之電流密度，以使該凹凸差成為30%。將凹凸差的值顯示在表4中。此外，針對表4所示之實施例的樣本No.49A~52A之試樣，在氬氣(Ar)氛圍中，以250℃進行2小時的熱處理。
用依照上述的處理條件所製造之表4中的可動接點用銀覆蓋複合材料，製造第3圖和第4圖所示的構造之開關200。開關的構造、可動接點用銀覆蓋複合材料的評估方法，與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料之第1實施形態相同。
用如同上述的開關200，依照與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料之第1實施形態所述的條件相同之條件，反覆第4圖所示之切斷/導通狀態，以進行按壓試驗。針對圓頂型可動接點210測定按壓試驗中的接觸電阻之隨時間變化的結果，把初始值、100萬次按壓後(按壓後1)、200萬次按壓後(按壓後2)分別顯示在表5中。另外，200萬次按壓試驗結束後，觀察圓頂型可動接點210有無裂痕等的狀況，該結果也顯示在表5中。此外，接觸電阻的值若為100mΩ以下的話，實用上並無妨礙。
加熱試驗係以85℃的氣浴(air bath)，針對全部的樣本進行1000小時的加熱，測定接觸電阻的變化，將該結果顯示在表5中。
表4所示之實施例的樣本No.1A~52A，如表5所示，即使均進行200萬次按壓試驗，接觸電阻仍增加很少，200萬次按壓後的接觸點並未發現中間層和基底層露出。進而，1000小時加熱後，接觸電阻的上升也很小，全部的樣本，接觸電阻的值成為100mΩ以下，實用上沒有問題的值。
相對於此，基底層120的厚度與中間層130的厚度合計低於0.025μm之比較例的樣本No.101A中，發現因各層的密著性降低而造成之加工性的劣化，基底層120的厚度大於本發明的上限範圍(0.05μm以上)之比較例的樣本No.102A~108A中，發現會有加工性劣化的傾向。另外，比較例的樣本No.101A~108A中，經200萬次按壓後，測知被認為是因加工性劣化而造成之接觸電阻的上升(具體上，接觸電阻的值超過100mΩ的狀態)。
進而，比較例的樣本No.101A~108A中，發現被認為是因加工性劣化而造成之接觸點的裂痕，基底層120的厚度為0.3μm之比較例的樣本No.106A~108A則是接觸點的最表層剝離，基底層露出。
一方面，中間層120的厚度為0.3μm之樣本103A、105A、108A中，發現加熱試驗後接觸電阻大幅上升(具體上，接觸電阻的值超過100mΩ的狀態)，按壓試驗後確認會有裂痕。
(第3實施形態的製造方法之實施例2)
此處，針對製造上述可動接點用銀覆蓋複合材料100A之第3實施形態的製造方法之實施例2進行說明。
關於基底層120：針對鎳當中的10質量%更換成銅或鈷之鍍鎳合金的情況，實施與表4的樣本No.1A~52A和No.101A~108A相同的試驗，該試驗結果與表5所示的結果並無實質上的差異。將鎳完全更換成鈷的例子也是同樣。
關於中間層130：針對將銅當中的0.5質量%更換成錫或鋅之鍍銅合金，實施與表4的樣本No.1A~52A和No.101A~108A相同的試驗，該試驗結果與表5所示的結果並無實質上的差異。
關於最表層140：針對將銀當中的1質量%更換成銻之鍍銀合金的情況，實施與表4的樣本No.1A~52A和No.101A~108A相同的試驗，該試驗結果與表5所示的結果並無實質上的差異。
另外，適當地配合表4所示的實施例，該試驗結果與表5所示的結果並無實質上的差異。
(可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法之第4實施形態)
其次，根據第8(a)~8(c)圖來說明製造第6圖所示的可動接點用銀覆蓋複合材料100A之第4實施形態。此外，該製造方法當然也適用於製造第7圖所示之可動接點用銀覆蓋複合材料200的方法。
本實施形態之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，包括以下的步驟。
(第1步驟)將由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之不銹鋼條也就是基材(金屬條的基材)110予以電解脫脂，之後經過用含有鎳離子的酸性溶液進行酸洗予以活性化之活性化處理，將由鎳所組成且是表面有凹凸150的基底層120形成在基材110上。
該第1步驟則是例如依照以下的條件，進行將基材110予以活性化之活性化處理。
(1)使用添加了120g/l的游離鹽酸、12g/l的氯化鎳六水合物之酸性溶液，作為含有鎳離子的酸性溶液。此外，最好是在游離鹽酸80~200g/l(更好的是100~150g/l)、氯化鎳六水合物5~20g/l(更好的是10~15g/l)的範圍添加。游離鹽酸和氯化鎳六水合物的添加量為上述範圍之外的情況，均會有基材與基底層的密著性降低的傾向。
(2)活性化處理時的陰極電流密度設定為3.0(A/dm2 )。此外，活性化處理時的陰極電流密度最好是2.0~5.0(A/dm2 )的範圍內，基於將凹凸有效地形成在基底層的觀點，更好的是設定為2.5~4.0(A/dm2 )的範圍內。活性化處理時的陰極電流密度低於2.0(A/dm2 )，則會有基材與基底層的密著性降低的傾向，故並不理想。另外，活性化處理時的陰極電流密度高於5.0(A/dm2 )，則基材為不銹鋼的情況，會有受到基材發熱的影響的情況，稱不上很理想。
依照這樣的條件進行第8(a)圖所示之基材110的活性化處理，會在基材的表面全面，隔著間隔形成鎳(Ni)的核120b(參考第8(b)圖)，進而，在基板110的表面全面，形成表面有凹凸150的基底層120(參考第8(c)圖)。此外，本實施形態則是利用活性化處理，形成由鎳所組成之基底層120，不過利用同樣的活性化處理，形成由鈷所組成之基底層的情況，在上述第1步驟，用含有鈷離子的酸性溶液，進行基材110的活性化處理。
(第2步驟)用含有硫酸銅及游離硫酸的電解液，以陰極電流密度(5A/dm2 )進行電解來施予鍍銅，藉由此方式在基底層120上形成中間層130。
(第3步驟)用含有硫酸銅及游離硫酸的電解液進行電解來施予鍍銅，在中間層130上形成最表層140。
如此，本實施形態之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法係將基材110予以電解脫脂，之後用含有鎳離子的酸性溶液進行酸洗予以活性化之活性化處理時，將表面有凹凸150的基底層120形成在基材110上。因而，用第2圖說明過之上述第3實施形態的製造方法中，用來形成基底層120之鍍鎳或者鍍鎳合金的步驟(第2圖中的S2)則不必要。因此，製程簡略且作業時間縮短，所以能以低成本來製造可動接點用銀覆蓋複合材料。
另外，由不銹鋼所組成之基材110活性處理時，將表面有凹凸150的基底層120形成在基材110上。如此，形成基底層120的話，不僅會提高基材110與基底層120的密著性，還會提高基底層120與中間層130的密著性，因而可以獲得壽命很長的可動接點用銀覆蓋複合材料。
作成：將基底層120的厚度、中間層130的厚度、最表層140的厚度，分別與表4所示之實施例的試樣同樣，作各種變化之試樣，作為上述第4實施形態的製造方法所製造的樣本，這些樣本設定為樣本No.201A~252A(參考表6)。此外，針對表6所示之實施例的樣本No.249A~252A之試料，在氬氣(Ar)氛圍中，以250℃進行2小時的熱處理。另外，作成樣本No.301A~308A(參考表6)，作為比較例。此外，表6中的樣本No.201A~252A為層構造分別與表4中的樣本No.1A~52A相同的樣本，表6所示之比較例的樣本No.301A~308A為層構造分別與表4所示之比較例的樣本No.101A~108A相同的樣本。對應關係則是在表4所示之實施例的樣本碼加上200之樣本碼則成為表6所示之實施例的樣本碼。
用依照上述的處理條件所製造之樣本No.201A~252A和樣本No.301A~308A的可動接點用銀覆蓋複合材料，製造與第3圖和第4圖所示的構造之開關200相同的開關。其他的條件則是與用前述的樣本No.1A~52A和樣本No.101A~108A之可動接點用銀覆蓋複合材料的情況相同。
用如同上述的開關，反覆第4圖所示的導通/切斷狀態，進行按壓試驗。按壓試驗係以接點壓力：9.8N/mm2 、按壓速度：5Hz，進行最大200萬次按壓。針對圓頂型可動接點210測定按壓試驗中之接觸電阻的隨時間變化，把初始值、100萬次按壓後(按壓後1)、200萬次按壓後(按壓後2)分別顯示在表6中。另外，200萬次按壓試驗結束後，觀察圓頂型可動接點210有無裂痕等的狀況，該結果也顯示在表6中。
加熱試驗係以85℃的氣浴(air bath)，針對全部的樣本進行1000小時的加熱，測定接觸電阻的變化，將該結果顯示在表6中。
表6所示之實施例的樣本No.201A~252A則是如表6所示，即使均進行200萬次按壓試驗，接觸電阻仍增加很少，200萬次按壓後的接觸點並未發現基底層120及中間層130露出。進而，1000小時的加熱後，接觸電阻的上升也很小。尤其，表6所示之實施例的樣本No.201A~252A，與表4所示之實施例的樣本No.1A~52A作比較，得知：200萬次按壓試驗之接觸電阻的增加和1000小時加熱後之接觸電阻的增加皆很少，全部的樣本，接觸電阻的值成為30mΩ以下，作為接點材料的性能極優異。此外，上述第3實施形態的製造方法經由實施例1、2進行說明過之各種變形例，即使是以上述第4實施形態的製造方法仍可以適用。
(可動接點用銀覆蓋複合材料的第4實施形態)
用第9圖所示的剖面圖來說明本發明之可動接點用銀覆蓋複合材料的第4實施形態。本實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料100A具備有：由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材110、及被形在基材110的表面之作為基底層120之基底區域、及被形成在基底區域120上之中間層130、及被形成在中間層130上之最表層140。本實施形態由於與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料之第1實施形態具有共同點，故以相異點為中心進行說明。
形成基底區域120的金屬，使用以鎳、鈷或這些為主成分(全體的質量比值為50質量%以上)的合金，這當中最好是使用鎳。該基底區域120可以經由將由不銹鋼所組成之基材110形成為陰極，用例如含有氯化鎳和游離鹽酸的電解液進行電解而形成。有關基底區域120的厚度，最好是平均值0.001~0.04μm。更好的是0.001~0.009μm。此外，以下，針對用鎳來作為基底區域120的金屬的例子進行說明，但並不侷限於鎳，即使是用鈷、鎳合金、鈷合金的任何一種的情況，仍會獲得與以下的說明同樣的效果。
本實施形態中，為了要提高基底區域120與中間層130的密著性，在基底區域12的一部分形成基底脫落部(脫落部)121，以利用基底脫落部121使中間層130與基材110直接接觸的方式構成。然後，藉由設置該基底脫落部121，使基底區域120與中間層130的接觸面積增大。藉由此方式，可以達到提高基底區域120與中間層130之間的相互擴散所形成的密著性。第9圖所示的可動接點用銀覆蓋複合材料100B係以基底區域120與中間層130的界面形成為波狀的凹凸，以利用基底脫落部121使中間層130與基材110的表面直接接觸的方式構成。
為了要抑制接觸電阻的上升，本實施形態中，在維持基材110的表面與基底區域120、基底區域120與中間層130、中間層130與最表層140之各層間的密著性的範圍，決定中間層130的銅不會到達最表層140的表面之中間層130的適當厚度。另外，本實施形態則是以基底區域120的平均厚度D1加上中間層130的平均厚度D2之合計的平均厚度DT成為0.025~0.20μm的範圍的方式構成。
藉由此方式，可以維持各層間很高的密著性並讓銅擴散到最表層140的表面及抑制伴隨銅擴散的氧化。最表層最期望的形態為在中間層附近只含有銅，在表面附近形成有不含銅的銀或銀合金層之構成。最表層的厚度D3期望是0.5~1.5μm。
基於改善加工性的觀點，最好是薄化基底區域120和中間層130，不過對於基底區域120之平均厚度與中間層130之平均厚度的合計DT設定下限值0.025μm係因低於該值，提高基材110的表面與基底區域120、基底區域120與中間層130、中間層130與最表層140之各層間的密著性的效果則會降低之故。另外，對於基底區域120之平均厚度與中間層130之平均厚度的合計DT設定上限值0.20μm係因超過該值，容易因使用環境而引起接觸電阻的上升之故。基底區域120的平均厚度D1和中間層130的平均厚度D2設定在上述過範圍內，可以防止壓模加工時各層的破裂。
本實施形態中，可動接點用銀覆蓋複合材料100B之基底區域120、中間層130、以及最表層140的各層，用電氣電鍍法、無電解電鍍法、物理化學蒸鍍法等任意的方法即可以形成，不過具體的例子則是與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料之第1實施形態相同。此外，由銅或銅合金所形成的中間層130以外的區域，具體上也可以以在基底區域120或最表層140令銅合金化的方式構成。具體的例子則是與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料之第1實施形態相同。
(可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法之第5實施形態)
用第2圖所示的流程圖來說明本發明的可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法之第5實施形態。該具體的例子則是與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料之第1實施形態相同和第3實施形態大致相同，不過在形成基底區域120(相當於製造方法之第1實施形態和製造方法之第3實施形態中的基底層120)的階段有相異處。
第5實施形態之製造方法的第1步驟係在正矽酸鈉或苛性鈉等的鹼性溶液中，將成為基材110之不銹鋼條予以陰極電解脫脂，之後再用鹽酸進行酸洗予以活性化(第2圖中的S1)。
其次的第2步驟係用含有氯化鎳和游離鹽酸的電解液，以陰極電流密度(2~5A/dm2 )進行電解，對於成為基材110之不銹鋼條的表面一部分施予鍍鎳，即形成基底層120(第2圖中的S2)。此處，能夠例如控制基材110所流動的電流之電流密度，只對於基材110的表面一部分施予鍍鎳。除此以外的方法，例如控制電鍍液流等的方法，也能夠只對於基材110的表面一部分施予鍍鎳。藉由任何一種方法，均會在基底層120的最大厚度為0.04μm以下的情況提高再現性。該情況，基底層120的表面粗度(最大粗度：Rmax)為基底區域120的最大厚度值以下之值。此外，也可以用添加磺胺酸鎳(100~150g/l)及硼(20~50g/l)，將pH值調整成2.5~4.5的範圍之電解液，作為上述鍍鎳的電解液。
第3步驟係用含有硫酸銅和游離硫酸的電解液，以陰極電流密度(2~6A/dm2 )進行電解，施予鍍鎳，即形成中間層120(第2圖中的S3)。
最後的第4步驟係用含有氰化銀和氰化鉀的電解液，以陰極電流密度(2~15A/dm2 )進行電解，施予鍍銀，藉由此方式來形成最表層140(第2圖的S4)。經過這樣的第1步驟S1至第4步驟S4的處理，可以製造出可動接點用銀覆蓋複合材料100B。
此外，形成基底區域120、中間層130、最表層140的步驟中，能夠應用與製造方法之第1實施形態相同的變形例。此情況，基底層120改稱為基底區域120。
(第5實施形態的製造方法之實施例1)
利用實施例來更詳細說明製造上述第9圖所示的第4實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料100B之上述第5實施形態的製造方法。
以下的實施例中，使用條狀的不銹鋼SUS 301(以下，稱為SUS 301條)來作為基材110，SUS 301條的尺寸為厚度0.06mm，條寬100mm。在呈帶狀連續生產SUS 301條予以捲取之電鍍線上，分別實施：SUS 301條進行電解脫脂，進行水洗，予以電解活性化且水洗之第1步驟、進行鍍鎳(或鍍鎳-鈷)和水洗的處理之第2步驟、進行鍍銅和水洗的處理之第3步驟、進行銀底鍍和鍍銀和水洗和乾燥的各個處理之第4步驟。
各個步驟的處理條件，如以下所述：
1.第1步驟(電解脫脂、電解活性化)
與製造方法之第1實施形態相同。
2.第2步驟 (1)鍍鎳的情況
用含有氯化鎳六水合物10~50g/l(本實施例為25g/l)和游離鹽酸30~100g/l(本實施例為50g/l)的電解液，以陰極電流密度2~5A/dm2 (本實施例為3A/dm2 )進行電解予以電鍍。以下基底區域120形成脫落部121的方式適切地改變陰極電流密度或電解液之流動。
(2)鍍鎳合金的情況
在上述過的電鍍液中，添加氯化鈷六水合物或氯化銅(CuCl2 )二水合物，使電鍍液中的鈷離子濃度或銅離子濃度成為相當於加入鎳離子及鈷離子或銅離子之濃度的5~20%之濃度(本實施例為10%)，進行電鍍。
3.第3步驟
與製造方法之第1實施形態相同。
4.第4步驟
與製造方法之第1實施形態相同。
將基底區域120的厚度、中間層130的厚度、最表層140的厚度分別作各種的變化之樣本，作實施例的樣本，顯示在表7中。此處，將覆蓋在基材110的表面之基底區域120的比例(面積比)作為覆蓋率，控制基材110所流動的電流之電流密度，以使覆蓋率成為80%。覆蓋率的值一併顯示在表7中。此外，針對表7所示之實施例的樣本No.49B~52B之試樣，在氬氣(Ar)氛圍中，以250℃進行2小時的熱處理。
用依照上述的處理條件所製造之表7的可動接點用銀覆蓋複合材料，製造第3圖和第4圖所示的構造之開關200。開關的構造、可動接點用銀覆蓋複合材料的評估方法，與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料之第1實施形態相同。
用如同上述的開關200，依照與前述的可動接點用銀覆蓋複合材料之第1實施形態所述的條件相同之條件，反覆第4圖所示之切斷/導通狀態，進行按壓試驗。針對圓頂型可動接點210測定按壓試驗中的接觸電阻之隨時間變化的結果，把初始值、100萬次按壓後(按壓後1)、200萬次按壓後(按壓後2)分別顯示在表8中。另外，200萬次按壓試驗結束後，觀察圓頂型可動接點210有無裂痕等的狀況，該結果也顯示在表8中。此外，接觸電阻的值若為100mΩ以下的話，實用上並無妨礙。
加熱試驗係以85℃的氣浴(air bath)，針對全部的樣本進行1000小時的加熱，測定接觸電阻的變化，將該結果顯示在表8中。
表7所示之實施例的樣本No.1B~52B，如表8所示，即使均進行200萬次按壓試驗，接觸電阻仍增加很少，200萬次按壓後的接觸點並未發現基底層120及中間層130露出。進而，1000小時加熱後，接觸電阻的上升也很小，全部的樣本，接觸電阻的值成為100mΩ以下，實用上沒有問題的值。
相對於此，基底區域120的厚度與中間層130的厚度合計低於0.025μm之比較例的樣本No.101B中，發現因各層的密著性降低而造成之加工性的劣化，基底區域120的厚度大於本發明的上限範圍(0.05μm以上)之比較例的樣本No.102B~108B中，發現會有加工性劣化的傾向。另外，比較例的樣本No.101B~108B中，經200萬次按壓後，測知被認為是因加工性劣化而造成之接觸電阻的上升(具體上，接觸電阻的值超過100mΩ的狀態)。
進而，比較例的樣本No.101B~108B中，發現接觸點的裂痕，基底區域120的厚度為0.3μm之比較例的樣本No.105B~108B則是接觸點的最表層剝離，基底層露出。
一方面，中間層120的厚度為0.3μm之樣本103B、105B、108B中，發現加熱試驗後接觸電阻大幅上升(具體上，接觸電阻的值超過100mΩ的狀態)，按壓試驗後確認會有裂痕或基底層露出。
(第5實施形態的製造方法之實施例2)
此處，針對製造上述可動接點用銀覆蓋複合材料100B之第5實施形態的製造方法之實施例2進行說明。
關於基底區域120：針對鎳當中的10質量%更換成銅或鈷之鍍鎳合金的情況，實施與表7的樣本No.1B~52B和No.101B~108B相同的試驗，該試驗結果與表8所示的結果並無實質上的差異。將鎳完全更換成鈷的例子也是同樣。
關於中間層130：針對將銅當中的0.5質量%更換成錫或鋅之鍍銅合金，實施與表7的樣本No.1B~52B和No.101B~108B相同的試驗，該試驗結果與表8所示的結果並無實質上的差異。
關於最表層140：針對將銀當中的1質量%更換成銻之鍍銀合金的情況，實施與表7的樣本No.1B~52B和No.101B~108B相同的試驗，該試驗結果與表8所示的結果並無實質上的差異。
另外，適當地配合上述的變形例，該試驗結果與表8所示的結果並無實質上的差異。
(可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法之第6實施形態)
其次，針對製造第9圖所示的可動接點用銀覆蓋複合材料100B之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法之第6實施形態進行說明。
第6實施形態之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，包括以下的步驟。
(第1步驟)將由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之不銹鋼條也就是基材(金屬條的基材)110予以電解脫脂，之後經過用含有鎳離子的酸性溶液進行酸洗予以活性化之活性化處理，將在複數個處所有基底脫落部121的基底區域120形成在基材110上。
該第1步驟則是例如依照以下的條件，進行將基材110予以活性化之活性化處理。
(1)使用添加了120g/l的游離鹽酸、12g/l的氯化鎳六水合物之酸性溶液，作為含有鎳離子的酸性溶液。此外，最好是在游離鹽酸80~200g/l(更好的是100~150g/l)、氯化鎳六水合物5~20g/l(更好的是10~15g/l)的範圍添加。游離鹽酸和氯化鎳六水合物的添加量為上述範圍之外的情況，均會有基材與基底層的密著性降低的傾向。
(2)活性化處理時的陰極電流密度設定為2.5(A/dm2 )。此外，活性化處理時的陰極電流密度最好是2.0~5.0(A/dm2 )的範圍內，基於有效地將脫落部形成在基底區域的觀點，更好的是設定為2.0~3.5(A/dm2 )的範圍內。活性化處理時的陰極電流密度低於2.0(A/dm2 )，則會有基材與基底層的密著性降低的傾向，故並不理想。另外，活性化處理時的陰極電流密度高於5.0(A/dm2 )，則基材為不銹鋼的情況，會有受到基材發熱的影響的情況，稱不上很理想。
依照這樣的條件，進行第10(a)圖所示之基材110的活性化處理，會在基材110的表面全面，隔著大於第8(b)圖中鎳(Ni)的核120c的間隔之間隔，形成成為基底區域120之鎳(Ni)的核120c(參考第10(b)圖)，進而，在基板110的表面全面，形成存有基底脫落部121的基底區域120(參考第10(c)圖)。
(第2步驟)用含有硫酸銅及游離硫酸的電解液，以陰極電流密度(5A/dm2 )進行電解來施予鍍銅，藉由此方式在基底區域120上形成中間層130。
(第3步驟)用含有氰化銀和氰化鉀的電解液進行電解來施予鍍銅，在中間層130上形成最表層140。
如此，本實施形態之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法係基材110活性化處理時，將有基底脫落部121的基底區域120形成在基材110的表面全面。因而，用第2圖說明過之上述一個實施形態之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法中，用來形成基底區域120之鍍鎳或者鍍鎳合金的步驟(第2圖中的S2)則不必要。因此，製程簡略且作業時間縮短，所以能以低成本來製造可動接點用銀覆蓋複合材料。
另外，在基底脫落部121的處所，露出由以鐵或鎳為主成分的合金，例如不銹鋼所組成之基材110的表面一部分，不過基材110因在上述第1步驟進行電解脫脂，用含有鎳離子的酸性溶液進行酸洗予以活性化，所以與銅或銅合金所形成的中間層130之密著性不會降低。
另外，可以在由不銹鋼所組成之基材110活性化處理時，將在複數個處所有基底脫落部121之基底區域120形成在基材110上。如此，形成基底區域120，則會提高基材110與基底區域120的密著性。
另外，因形成為在基底區域120的複數個區域形成基底脫落部(脫落部)121，利用基底脫落部121使中間層130與基材110直接接觸，所以可以提高基底區域120與中間層130的密著性，因而可以獲得長壽命的可動接點之銀覆蓋複合材料。
作成：將基底區域120的厚度、中間層130的厚度、最表層140的厚度，分別與表1所示之實施例的試樣同樣，作各種變化之試樣，作為上述第6實施形態的製造方法所製造的樣本，這些樣本設定為樣本No.201B~252B(參考表9)。此外，針對表9所示之實施例的樣本No.249B~252B之試料，在氬氣(Ar)氛圍中，以250℃進行2小時的熱處理。另外，作成樣本No.301B~308B(參考表9)，作為比較例。此外，表9中的樣本No.201B~252B為層構造分別與表7中的樣本No.1B~52B相同的樣本，表9所示之比較例的樣本No.301B~308B為層構造分別與表7中比較例的樣本No.101B~108B相同的樣本。對應關係則是在表7中之實施例的樣本碼加上200之樣本碼則成為表9所示之實施例的樣本碼。
用依照上述的處理條件所製造之樣本No.201B~252B和樣本No.301B~308B的可動接點用銀覆蓋複合材料，製造與第3圖和第4圖所示的構造之開關200相同的開關。其他的條件則是與用前述的樣本No.1B~52B和樣本No.101B~108B之可動接點用銀覆蓋複合材料的情況相同。
用如同上述的開關，反覆第4圖所示的導通/切斷狀態，進行按壓試驗。按壓試驗係以接點壓力：9.8N/mm2 、按壓速度：5Hz，進行最大200萬次按壓。針對圓頂型可動接點210測定按壓試驗中之接觸電阻的隨時間變化，把初始值、100萬次按壓後(按壓後1)、200萬次按壓後(按壓後2)分別顯示在表9中。另外，200萬次按壓試驗結束後，觀察圓頂型可動接點210有無裂痕等的狀況，該結果也顯示在表9中。
加熱試驗係以85℃的氣浴(air bath)，針對全部的樣本進行1000小時的加熱，測定接觸電阻的變化，將該結果顯示在表9中。
表9所示之實施例的樣本No.201B~252B則是如表9所示，即使均進行200萬次按壓試驗，接觸電阻仍增加很少，200萬次按壓後的接觸點並未發現基底區域120及中間層130露出。進而，1000小時的加熱後，接觸電阻的上升也很小。尤其，表9所示之實施例的樣本No.201B~252B，與表7所示之實施例的樣本No. 1B~52B作比較，得知：200萬次按壓試驗之接觸電阻的增加和1000小時加熱後之接觸電阻的增加皆很少，全部的樣本，接觸電阻的值成為30mΩ以下，作為接點材料的性能極優異。此外，上述第5實施形態的製造方法之實施例1、2進行說明過之各實施例，即使是上述第6實施形態的製造方法仍可以適用。
如同上述，依據本發明，可以提供即使接點反覆開關動作，最表層(銀覆蓋層)也不會剝離，且長期間使用，接觸電阻的上升仍會受到抑制之可動接點用銀覆蓋複合材料及其製造方法。可以用本發明的可動接點用銀覆蓋複合材料來製造壽命長的可動接點，產業上的可利用性變大。
100、100A、200、100B．．．可動接點用銀覆蓋複合材料
110、210．．．基材
120、220．．．基底層
120a．．．鎳(Ni)的核
130、230．．．中間層
140、240．．．最表層
200．．．開關
210．．．圓頂型可動接點
220．．．固定接點
230．．．充填材
240．．．樹脂殼體
第1圖為表示本發明中第1實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料之剖面圖。
第2圖為表示本發明中第1實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法(第1實施形態的製造方法)之流程圖。
第3圖為表示表1所示的實施例中用可動接點用銀覆蓋複合材料所形成的開關之平面圖。
第4(a)圖為第3圖所示的開關之A-A剖面圖且是表示切斷狀態之圖，第4(b)圖為表示該開關的接通狀態之剖面圖。
第5(a)~5(c)圖為用來說明本發明的第2實施形態中可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法(第2實施形態的製造方法)之模式圖。
第6圖為表示本發明中第2實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料之剖面圖。
第7圖為表示本發明中第3實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料之剖面圖。
第8(a)~8(c)圖為用來說明本發明的第4實施形態中可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法(第4實施形態的製造方法)之模式圖。
第9圖為表示本發明中第4實施形態的可動接點用銀覆蓋複合材料之剖面圖。
第10(a)~10(c)圖為用來說明本發明的第6實施形態中可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法(第4實施形態的製造方法)之模式圖。
第11(a)、11(b)圖為表示習知的銀覆蓋複合材料之剖面圖。
第12圖為表示習知的另外銀覆蓋複合材料之剖面圖。
第13圖為表示習知的另外銀覆蓋複合材料所形成的氧化物之剖面圖。
100．．．可動接點用銀覆蓋複合材料
110．．．基材
120．．．基底層
130．．．中間層
140．．．最表層
D1．．．厚度
D2．．．厚度
D3．．．厚度
DT．．．厚度

Claims (13)

  1. 一種可動接點用銀覆蓋複合材料，其特徵為：具備有：由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材；及形成在前述基材的表面的至少一部分之由鎳或鈷或鎳合金或鈷合金的其中一種所組成之基底層；及形成在前述基底層的上面之由銅或銅合金所組成之中間層；及形成在前述中間層的上面之由銀或銀合金所組成之最表層；前述基底層的厚度與前述中間層的厚度合計為0.025μm以上，0.20μm以下；在前述基底層的複數個處所形成有脫落部，以使前述中間層直接與前述基材的表面相接觸。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之可動接點用銀覆蓋複合材料，其中，前述基底層的厚度為0.04μm以下。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之可動接點用銀覆蓋複合材料，其中，前述基底層的厚度為0.009μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之可動接點用銀覆蓋複合材料，其中，前述基材由不銹鋼所組成。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之可動接點用銀覆蓋複合材料，其中，在前述基底層與前述中間層的界面形成有凹凸。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之可動接點用銀覆蓋 複合材料，其中，在前述中間層與前述最表層的界面形成有凹凸。
  7. 一種可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，是製造具備有：由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材、及形成在該基材的表面的至少一部分之由鎳、鈷、鎳合金以及鈷合金的其中一種所組成之基底層、及形成在前述基底層的上面之由銅或銅合金所組成之中間層、及形成在前述中間層的上面之由銀或銀合金所組成之最表層，前述基底層的厚度與前述中間層的厚度合計為0.025μm以上，0.20μm以下之可動接點用銀覆蓋複合材料之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，其特徵為：經過將前述基材進行電解予以脫脂，之後用含有鎳離子與鈷離子的至少一方之酸性溶液進行酸洗予以活性化之活性化處理，形成前述基底層；前述活性化處理時的陰極電流密度設定為2.0~3.5(A/dm2 )的範圍內，製造：在前述基底層的複數個處所形成有脫落部，以使前述中間層與前述基材的表面直接接觸之可動接點用銀覆蓋複合材料。
  8. 一種可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，其特徵為：具備有：經過將由以鐵或鎳為主成分的合金所組成之基材進行電解予以脫脂，之後用含有鎳離子與鈷離子的至少一方之酸性溶液進行酸洗予以活性化之活性化處理，將由鎳 、鈷、鎳合金以及鈷合金的其中一種所組成之基底層形成在前述基材上之第1步驟；及接著用含有硫酸銅和游離硫酸的電解液進行電解，於前述基底層上鍍銅，或者於作為基本成分之氰化銅和氰化鉀中添加氰化鋅或錫酸鉀並進行電解，於前述基底層上鍍銅合金，由此形成中間層之第2步驟；及接著用含有氰化銀和氰化鉀的電解液進行電解，於前述中間層上鍍銀，或者於含有氰化銀和氰化鉀的電解液中添加酒石酸氧銻鉀，於前述中間層上鍍銀合金，由此形成最表層之第3步驟；製造前述基底層的厚度與前述中間層的厚度合計為0.025μm以上，0.20μm以下，在前述基底層的複數個處所形成有脫落部，以使前述中間層與前述基材的表面直接接觸之可動接點用銀覆蓋複合材料。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所述之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，其中，前述活性化處理時的陰極電流密度設定為2.0~3.5(A/dm2 )的範圍內。
  10. 如申請專利範圍第7或8項所述之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，其中，製造：前述基底層的厚度為0.04μm以下之可動接點用銀覆蓋複合材料。
  11. 如申請專利範圍第7或8項所述之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，其中，製造：在前述基底層與前述中間層的界面形成有凹凸之可動接點用銀覆蓋複合材料。
  12. 如申請專利範圍第7或8項所述之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，其中，前述基材為金屬條。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之可動接點用銀覆蓋複合材料的製造方法，其中，前述基材由不銹鋼所組成。
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