TWI425082B - 拋光組成物及使用彼製造配線結構體之方法 - Google Patents

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Description

拋光組成物及使用彼製造配線結構體之方法
本發明係關於用以製造半導體裝置中之配線結構體的拋光組成物，及使用彼製造配線結構體之方法。
近年來，使用於電腦的ULSI等已朝向高度整合及高速度發展，半導體層中的配線結構體亦逐漸地精細化。半導體裝置中的配線結構體通常包含絕緣層(其表面有配線槽)、阻擋層(用以保護絕緣層)及導體層(構成配線部分)。隨著此配線結構體的精細化，配線的電阻亦增加。因此，有人研究使用含銅(其具有低電阻)之金屬材料作為形成導體層之配線材料。
配線結構體通常藉由以下方法製得。首先，在絕緣層的配線槽上形成由含鉭化合物(例如鉭或氮化鉭)製成的阻擋層，再於阻擋層上形成導體層。然後，以CMP(化學機械拋光)法拋光導體層與阻擋層以使配線結構體的表面平面化。在此拋光法的第一拋光步驟中，拋光導體層以使得除了對應於配線槽部位之外的其他部位處之阻擋層露出。在第二拋光步驟中，拋光阻擋層以使得除了對應於配線槽部位之外的其他部位處之絕緣層露出。
至於用以製造配線結構體的拋光組成物，一種包含磨蝕劑、氧化劑、螯合劑與膜形成劑的組成物已為人習知(JP－A－11－21546)。此外，包含以下組份的拋光組成物(WO 00/39844)亦為人習知：用於被氧化之金屬的腐蝕劑、可以形成保護膜的試劑、幫助可以形成保護膜之該試劑溶解的試劑。當使用該等專利文件中揭示的拋光組成物時，被氧化劑所氧化之金屬的表面會被螯合劑(用於被氧化之金屬的腐蝕劑)所螯合(溶解)，對配線金屬的拋光力因此增加。此外，導體層之表面的腐蝕作用會被膜形成劑(可以形成保護膜的試劑)所抑制。
當使用上述的拋光組成物時，導體層可能會被過度拋光，因而發生導體層表面自絕緣層表面內縮的現象(碟化)。此外，阻擋層及鄰近阻擋層之部位處的絕緣層亦可能被過度拋光，因而發生阻擋層及絕緣層自導體層表面內縮的現象(牙化)。因此，當使用此一習知的拋光組成物時，配線結構體的表面可能會因為此種碟化或牙化的現象而變得不規則。
在這些情況下，本發明係用以解決上述之習知技術的問題。本發明之目的係提供拋光組成物，其可以抑制配線結構體的表面發生不規則的現象，並且當使用時，亦可以得到有利的切削率(stock removal rate)。
本發明提供包含以下組份(a)至(e)的拋光組成物：(a)二氧化矽，(b)鹼性化合物，(c)抗腐蝕劑，(d)水溶性聚合物化合物，及(e)水。
此外，本發明提供製造配線結構體之方法，其包含將配線結構體施以拋光以使得導體層僅保留在配線槽內，此配線結構體包含表面上有配線槽的絕緣層、形成絕緣層之上的阻擋層及形成於阻擋層之上且完全埋在配線槽內的導體層，其特徵在於此方法包含第一拋光步驟：拋光導體層直到除了對應於配線槽部位之外的其他部位處之阻擋層露出，及第二拋光步驟：拋光露出的阻擋層直到露出絕緣層，並且在第二拋光步驟中，拋光係利用以上的拋光組成物實施。
依據本發明，在製造配線結構體的拋光步驟中，表面的不規則性可被抑制，並且亦可以獲得有利的切削率。
以下將參考較佳體系對本發明做詳細的說明。
拋光組成物(a)二氧化矽本發明之拋光組成物包含二氧化矽。此二氧化矽主要作為供機械拋光用之磨蝕顆粒。此二氧化矽可以是諸如膠體矽石(膠體SiO2 )、熔凝矽石(熔凝SiO2 )或沉澱矽石(沉澱SiO2 )。此二氧化矽可以單獨使用或者以其兩或多種併用。其中以膠體矽石或熔凝矽石為較佳，因其具有極佳的分散安定性並且當使用時拋光組成物剛製備完成後的切削率可被持續地維持，並以膠體矽石為更佳。
為了得到足夠的切削率，二氧化矽的平均粒徑以至少0.01微米為較佳，並以至少0.03微米為更佳。另一方面，為了充分抑制表面的不規則性，其以至多0.5微米為較佳，並以至多0.3微米為更佳。平均粒徑係指以雷射光繞射法測得的平均粒徑(DN 4 )。
本發明之拋光組成物適用包含以下者之配線結構體的製造：表面上有配線槽的絕緣層、埋在配線槽內的導體層及位於絕緣層與導體層之間的阻擋層，說明如下。在此應用中，為了以良好平衡的方式得到絕緣層與阻擋層的切削率，平均粒徑大的二氧化矽(一級顆粒，平均粒徑D1)與粒徑小於一級顆粒者的二氧化矽(二級顆粒，平均粒徑D2)最好一起使用。為了改善絕緣層的切削率，平均粒徑D1以至少0.03微米為較佳，並以至少0.05微米為更佳。另一方面，為了充分抑制表面的不規則性，平均粒徑D1以至多0.3微米為較佳，並以至多0.1微米為更佳。為了使阻擋層有足夠的切削率，平均粒徑D2以至多0.1微米為較佳，並以至多0.05微米為更佳。另一方面，為了使阻擋層有足夠的切削率，平均粒徑D2以至少0.01微米為較佳，並以至少0.02微米為更佳。當需要改善絕緣層的切削率而非阻擋層的切削率時，二級顆粒的含量最好高於一級顆粒的含量。另一方面，當需要改善阻擋層的切削率而非絕緣層的切削率時，二級顆粒的含量最好高於一級顆粒的含量。
為了使絕緣層及阻擋層有足夠的切削率，二氧化矽在拋光組成物中的含量以至少0.01重量%為較佳，並以至少0.1重量%為更佳。另一方面，為了有效抑制表面的不規則性，其含量以至多20重量%為較佳，並以至多15重量%為更佳。
(b)鹼性化合物本發明之拋光組成物包含鹼性化合物。鹼性化合物係用以改善化學拋光的速率。此鹼性化合物可以是有機物質或無機物質，視情況而定，但以選自氨、胺化物及鹼金屬氫氧化物中的至少一者為較佳，並以氨或氫氧化鉀為更佳。
為了得到足夠的切削率及為了拋光化合物的安定性，鹼性化合物在拋光組成物中的含量以至少0.01重量%為較佳，並以至少0.1重量%為更佳。另一方面，為了安全處理組成物及為了抑制表面的腐蝕，其含量以至多10重量%為較佳，並以至多2重量%為更佳。
(c)抗腐蝕劑本發明之拋光組成物包含抗腐蝕劑。抗腐蝕劑係用以保護導體層的表面使免於腐蝕，由此抑制表面的不規則性。至於抗腐蝕劑，可以使用苯並三唑、苯並咪唑、三唑、咪唑、甲苯基三唑、及其衍生物中的至少一者。其中以苯並三唑或其衍生物為較佳，因其具有高的抗腐蝕效果。苯並三唑衍生物可以是諸如1－(1,2－二羧乙基)苯並三唑、1－[N,N－雙(羥乙基)胺甲基]苯並三唑、1－(2,3－二羥丙基)苯並三唑及1－(羥甲基)苯並三唑。
為了充分抑制表面的不規則性(例如碟化或牙化現象)，抗腐蝕劑在拋光組成物中的含量以至少0.001重量%為較佳，並以至少0.01重量%為更佳。另一方面，為了維持足夠的切削率，其含量以至多10重量%為較佳，並以至多2重量%為更佳。
(d)水溶性聚合物化合物本發明之拋光組成物包含水溶性聚合物化合物。水溶性聚合物化合物在拋光期間和鹼性化合物或抗腐蝕劑併用時，其具有抑制表面不規則性之效果。
至於此種水溶性聚合物化合物，具有親水基的多種聚合物均可使用，並且具體而言，其可以是諸如多醣或乙烯基類聚合物。
多醣可以是諸如澱粉、支鏈澱粉、糖原、水溶性纖維素、普蘭多醣(pullulan)或elsinan。此外，乙烯基類聚合物可以是具有親水基(例如羥基、羧基或磺酸基)的乙烯基類聚合物，例如聚乙烯醇。本發明之拋光組成物包含其中的至少 者，並且為了得到極佳的抑制表面不規則性之效果，其中以水溶性纖維素、普蘭多醣(pullulan)或聚乙烯醇為較佳。此水溶性聚合物化合物可以具有多種分子量，並且對本發明之拋光組成物而言，多醣的分子量(以聚苯乙烯計的數量平均分子量)以100,000至5,000,000為較佳，並以200,000至2,000,000為更佳，乙烯基類聚合物的分子量以10,000至500,000為較佳，並以50,000至200,000為更佳。
為了使導體層維持足夠的切削率並有效抑制表面的不規則性，水溶性聚合物化合物在拋光組成物中的含量以至少0.001重量%為較佳，並以至少0.01重量%為更佳。另一方面，為了使阻擋層維持足夠的切削率並抑制碟化現象的發生，其含量以至多10重量%為較佳，並以至多1重量%為更佳。
(e)水本發明之拋光組成物包含水作為分散介質或溶劑，其中個別組份被分散或溶解。為了壓制其他組份的抑制作用，水最好是雜質含量盡可能少的水，並且具體而言，其最好是純水或超純水(其中雜質離子以離子交換樹脂移除，然後外來物再經過濾器去除)或蒸餾水。
(f)氧化劑本發明之拋光組成物可以視情況含有氧化劑。氧化劑具有改善導體層之切削率的效果。此外，導體層的切削率可以藉由調整氧化劑的濃度而得到調整，由此可以更為有效地抑制表面的不規則性。此氧化劑可以是諸如過氧化氫、高硫酸鹽、過碘酸鹽、過氯酸鹽或硝酸鹽、或氧化性金屬鹽。其最好是容易取得且僅含有少量金屬雜質的過氧化氫溶液。
為了得到調整導體層之切削率的效果，氧化劑在拋光組成物中的含量以至少0重量%為較佳，並以至少0.1重量%為更佳。另一方面，為了降低導體層的過度拋光並有效抑制表面的不規則性，其含量以至多20重量%為較佳，並以至多5重量%為更佳。
(g)其他組份本發明之拋光組成物可依習知方法視情況含有其他組份，例如螯合劑、增稠劑、乳化劑、防銹劑、防腐劑、殺菌劑或消泡劑。
本發明之拋光組成物係藉由將以上個別組份溶解或分散在水中而製得。溶解或分散的方法可視需要選擇，並且個別組份的混合順序及混合方法未有特別的限制。
本發明之拋光組成物的pH未有特別的限制，並且可藉加入之酸或類似物的量而加以調整。為了使拋光組成物維持有利的處理效率，pH以7.5至12為較佳，並以8至10為更佳。
本發明之拋光組成物可以相當高濃度之儲備溶液的型態製備、儲存或運送，並在實際拋光作業時稀釋使用。上述的較佳濃度範圍係針對實際拋光作業而言。無庸贅言，當採用此方法時，儲存或運送期間的儲備溶液是具有較高濃度的溶液。
拋光方法本發明之拋光方法係利用上述之拋光組成物將包含以下者之配線結構體施以拋光：表面上有配線槽的絕緣層、埋在配線槽內的導體層及存在於絕緣層與導體層之間的阻擋層。
在說明本發明之拋光方法的一個體系之前，先對配線結構體詳細說明如下。
如圖1所示，在半導體裝置中的配線結構體11包含表面上有配線槽12的絕緣層13、保護絕緣層13的阻擋層14及構成配線部位的導體層15。配線槽12的內壁被阻擋層14所覆蓋，並且導體層15係埋在阻擋層14的內側中。阻擋層14係存在於絕緣層13與導體層15之間以防止導體層15之組份擴散進入絕緣層13中。配線結構體11的表面由導體層15、阻擋層14及絕緣層13平滑地形成。
至於供絕緣層13用的絕緣材料之特定實例，可提及者有SiO2 或SiOF、或低介電常數的絕緣材料(所謂的低k材料)，並且絕緣層13係利用諸如CVD(化學蒸鍍法)以SiH4 、SiH2 Cl2 、TEOS(四乙氧基甲矽烷)、有機矽化物或類似物作為起始物而形成。配線槽12係利用習知的平版印刷術、基於半導體裝置之電路設計的圖案蝕刻或類似方式形成。阻擋層14通常是利用噴濺或類似方式以含鉭化合物形成，例如鉭或氮化鉭。導體層15係由銅或銅合金形成。銅合金通常為銅－鋁合金或銅－鈦合金。
配線結構體11的製法如下。首先，如圖2所示，將絕緣層13、阻擋層14及導體層15壓合成層積板16。衍生自配線槽12的起始凹槽17在導體層15的表面上形成。以CMP法去除起始凹槽17，再進一步去除配線槽12部位之外的其他部位處之導體層15及阻擋層14，由此形成如圖1中所示的配線結構體11。在此例中的拋光方法包含第一拋光步驟：拋光導體層15以使得除了配線槽12部位之外的其他部位處之阻擋層14露出(如圖3所示)，及第二拋光步驟：拋光露出的阻擋層14以使得除了配線槽12部位之外的其他部位處之絕緣層13露出。即，第一拋光步驟係考慮切削率(即產量)而以相當高的切削率實施，因為在阻擋層14露出之前拋光表面是否平滑並不那麼重要，然後在第二拋光步驟中實施加工拋光以得到平滑度極佳的最終拋光表面。另一拋光步驟可以視情況一併實施。本發明之拋光組成物特別適合用於第二拋光步驟。
使用本發明之拋光組成物的拋光方法及用以製造配線結構體的方法進一步詳細說明如下。
首先，在第一拋光步驟中，層積板16以拋光導體層用的淤漿實施拋光。在第一拋光步驟後的層積板16中，配線槽12上的導體層15可能被過度拋光並自阻擋層14的表面內縮，因此在某些情況中引起如圖4所示的碟化現象18。
在第二拋光步驟中，經歷第一拋光步驟後的層積板16被拋光組成物施以拋光，由此去除阻擋層14並露出配線槽部位之外的其他部位處之絕緣層13。如果以習知的拋光組成物作為拋光組成物，阻擋層14及鄰近阻擋層14之部位處的絕緣層13可能被過度拋光，因此阻擋層14及絕緣層13會自導體層15的表面內縮，因此在某些情況中會引起如圖5所示的牙化現象19。
本發明之拋光組成物因為有鹼性化合物、抗腐蝕劑與水溶性聚合物化合物的存在，所以能夠抑制表面的不規則性，雖然尚未清楚瞭解其機制，但是一般判斷這些組份係選擇性地吸收或溶解在阻擋層14或導體層15中，由此對阻擋層14及導體層15與其鄰近部位的適當拋光具有貢獻，因此拋光組成物在發生碟化現象18的部位及裸露之絕緣層13的表面上之流動性得到改善，並且拋光組成物的局部滯留或停駐受到抑制，因此碟化現象18或牙化現象19的發生亦受到抑制。
以下將參考特定實例對本發明做詳細說明。此處應該瞭解本發明絕不被該等特定實例所限制。
實例1至18及比較例1至8
二氧化矽、鹼性化合物、抗腐蝕劑、水溶性聚合物化合物及氧化劑與水摻合以製得拋光組成物。各拋光組成物的組份及加入量示於表1中。此外，表1中個別組份項中之縮寫的意義如下。
二氧化矽C1：平均粒徑0.07微米C2：平均粒徑0.03微米C3：平均粒徑0.21微米鹼性化合物NH3：氨KOH：氫氧化鉀Mal：蘋果酸抗腐蝕劑BTA：苯並三唑E1：1－[N,N－雙(羥乙基)胺乙基]苯並三唑E2：甲苯基三唑F1：羧乙基苯並三唑水溶性聚合物化合物A1：普蘭多醣(pullulan)(分子量約200,000)A2：聚乙烯醇(完全皂化型，分子量約200,000)A3：羥乙基纖維素(分子量約1,600,000)B1：D(＋)葡萄糖B2：十二烷基苯磺酸三乙醇胺氧化劑H2 O2 ：過氧化氫APS：高硫酸銨
使用各拋光組成物，在以下條件進行拋光及評估。
切削率的評估首先，將銅、鉭、TEOS及BD(黑鑽石，APPLIED MATERIALS製造)製成的包覆晶圓(直徑200毫米)在以下拋光條件1下拋光，並評估切削率。
拋光條件1拋光機：供CMP用的單面拋光機(Mirra，APPLIED MATERIALS製造)拋光墊：聚胺基甲酸乙酯製成的壓合拋光墊(IC－1400，Rodel Inc.製造)拋光壓力：2 psi(＝約28 kPa)桌旋轉速度：80 rpm拋光組成物的進料速率：200毫升/分鐘載體旋轉速度：80 rpm
切削率的計算式切削率(nm/分鐘)＝{(拋光前包覆晶圓的厚度(nm))－(拋光後包覆晶圓的厚度(nm))}÷(拋光時間(分鐘))拋光前後的Cu及Ta之包覆晶圓的厚度係以面電阻量測裝置(VR－120，Kokusai Electronics Semiconductor Service Inc.製造)量測。拋光前後的TEOS及BD之包覆晶圓的厚度係以薄層量測裝置(ASET－F5x，KLA－Tencor Corporation製造)量測。
不規則性的評估不規則性評估如下。
規則性的量測1(圖案A)銅圖案晶圓的表面係以供第一拋光步驟用的拋光組成物(PLANERLITE－7105，FUJIMI INCORPORATED製造)在以下拋光條件2下拋光直到露出阻擋層。以上拋光結束後，銅圖案晶圓的表面再以個別實例之各拋光組成物在以上拋光條件1下拋光，拋光時間係由以下計算式算得。再以表面測定儀(HRP340，KLA－Tencor Corporation製造，其為接觸式表面量測裝置)量測第二拋光步驟完成後之銅圖案晶圓表面上之具有100微米寬度的獨立配線部位的碟化量。拋光前的碟化量為60 nm。
碟化現象係基於以下四個標準而評估：◎：低於20nm，○：20至40nm，△：40至60nm及×：60nm或以上。當阻擋層無法以拋光完全去除時，另評定為(－)。
不規則性的量測1(圖案B)銅圖案晶圓的表面係以供第一拋光步驟用的拋光組成物(DCM－CX1C，FUJIMI INCORPORATED製造)在以下拋光條件3下拋光直到露出阻擋層。以上拋光結束後，銅圖案晶圓的表面再以個別實例之各拋光組成物在以上拋光條件1下拋光，拋光時間係由以下計算式算得。再以表面測定儀(HRP340，KLA－Tencor Corporation製造，其為接觸式表面量測裝置)量測第二拋光步驟完成後之銅圖案晶圓表面上之具有100微米寬度的獨立配線部位的碟化量。拋光前的碟化量為10 nm。
基於以下五個標準評估碟化現象，▲：低於－5 nm，△：－5至0 nm，◎：0至15 nm，○：15至30 nm及×：30 nm或以上。當阻擋層無法以拋光完全去除時，另評定為(－)。
拋光時間的計算式拋光時間(分鐘)＝{(圖案晶圓之Ta層的厚度250(nm))÷(Ta包覆晶圓的切削率(nm/分鐘))}＋{(圖案晶圓之TEOS的拋光量400(nm))÷(TEOS包覆晶圓的切削率(nm/分鐘))}
拋光條件2拋光機：供CMP用的單面拋光機(Mirra，APPLIED MATERIALS製造)欲拋光之物件：銅圖案晶圓(SEMATECH Inc.製造，854光罩圖案，層厚度10,000埃，起始凹槽8,000埃)拋光墊：聚胺基甲酸乙酯製成的壓合拋光墊(IC－1000/Suba IV，Rodel Inc.製造)拋光壓力：2 psi(＝約28 kPa)桌旋轉速度：100 rpm拋光組成物的進料速率：200毫升/分鐘載體旋轉速度：100 rpm
拋光條件3拋光機：供CMP用的單面拋光機(Mirra，APPLIED MATERIALS製造)欲拋光之物件：銅圖案晶圓(SEMATECH Inc.製造，854光罩圖案，層厚度10,000埃，起始凹槽8,000埃)拋光墊：聚胺基甲酸乙酯製成的壓合拋光墊(IC－1400，Rodel Inc.製造)拋光壓力：2 psi(＝約28 kPa)桌旋轉速度：60 rpm拋光組成物的進料速率：200毫升/分鐘載體旋轉速度：60 rpm
安定性的評估量測拋光組成物剛製備完成後的切削率。再將拋光組成物儲存在室溫下的密閉容器中，以等同於上述者的方式定期量測開始儲存後的切削率，當切削率較剛製備完成後的切削率下降20%時，以其經過的時間作為壽命。基於以下四個標準評估壽命，◎：一年或以上，○：半年或以上且小於一年，△：一個月或以上且小於半年及×：小於一個月。
個別評估所得的結果示於表1中。
由這些結果可以看出以下。
(1)由實例1至18之結果可以得知本發明之拋光組成物可以充分抑制圖案晶圓上的碟化現象，並具有足夠的安定性。
(2)當二氧化矽的平均粒徑變大時，TEOS及BD晶圓的切削率有變高的傾向。此外，當平均粒徑變小時，抑制碟化現象的效果有變高的傾向，且安定性亦有變高的傾向。
(3)本發明之拋光組成物(其含有氧化劑)對銅及鉭具有改善的切削率。當以高硫酸銨作為氧化劑時，其有較高的抑制碟化現象的效果，並且當以過氧化氫作為氧化劑時，較不會發生逆向碟化現象(配線部位殘存在背面的現象)，因此可以得到有利的安定性。
(4)相較於含有酸的拋光組成物(比較例5)，本發明之拋光組成物具有極佳的安定性。此外，相較於不含二氧化矽的拋光組成物(比較例1)，本發明之拋光組成物具有極高的切削率。此外，相較於不含鹼性化合物、抗腐蝕劑及水溶性聚合物化合物(其為本發明之拋光組成物的必要組份)之一的拋光組成物(比較例2至4及6至8)，本發明之拋光組成物具有高度抑制碟化現象之效果。
2004年9月17日提出申請的日本專利申請案2004－272059，其整個揭示內容(包括專利說明書、申請專利範圍、圖式及總論)完全併入本文中作為參考。
11．．．配線結構體
12．．．配線槽
13．．．絕緣層
14．．．阻擋層
15．．．導體層
16．．．層積板
17．．．起始凹槽
18．．．碟化現象
19．．．牙化現象
在附圖中：圖1是顯示配線結構體的放大截面圖。
圖2是顯示層積板的放大截面圖。
圖3是顯示第一拋光步驟完成後之層積板的放大截面圖。
圖4(a)是顯示第一拋光步驟完成後層積板之基本部位的放大截面圖，圖4(b)是顯示配線結構體之基本部位的放大截面圖。
圖5是顯示配線結構體之基本部位的放大截面圖。

Claims (8)

  1. 一種拋光組成物，其包含以下組份(a)至(e)：(a)二氧化矽，而其平均粒徑為0.01至0.5μm，(b)鹼性化合物，而其含量為0.01至10質量%，(c)抗腐蝕劑，(d)水溶性聚合物化合物，而其係選自數量平均分子量為100,000至5,000,000的多醣(分子量係根據聚苯乙烯計算)，及(e)水，其中該拋光組成物之pH值為7.5至12。
  2. 如申請專利範圍第1項之拋光組成物，其中該鹼性化合物是選自包含氨、胺化物及鹼金屬氫氧化物中的至少一者。
  3. 如申請專利範圍第1項之拋光組成物，其中該抗腐蝕劑係選自包含苯並三唑及其衍生物。
  4. 如申請專利範圍第1項之拋光組成物，其另外含有氧化劑(f)。
  5. 如申請專利範圍第1項之拋光組成物，其中該拋光組成物係用於製造配線結構體之方法中的第二拋光步驟，該製造配線結構體之方法包含將配線結構體施以拋光，而此配線結構體包含表面上有配線槽的絕緣層、形成於絕緣層之上的阻擋層及形成於阻擋層之上且完全埋入配線槽的導體層，以製得其中導體層僅保持在配線槽中的配 線結構體，該方法包含第一拋光步驟：拋光導體層直到除了對應於配線槽部位以外的其他部位處之阻擋層露出，及第二拋光步驟：拋光露出的阻擋層直到露出絕緣層。
  6. 一種製造配線結構體之方法，其包含將配線結構體施以拋光，而此配線結構體包含表面上有配線槽的絕緣層、形成於絕緣層之上的阻擋層及形成於阻擋層之上且完全埋入配線槽的導體層，以製得其中導體層僅保持在配線槽中的配線結構體，其特徵在於此方法包含第一拋光步驟：拋光導體層直到除了對應於配線槽部位之外的其他部位處之阻擋層露出，及第二拋光步驟：拋光露出的阻擋層直到露出絕緣層，並且在第二拋光步驟中，拋光係以如申請專利範圍第1項之拋光組成物實施。
  7. 如申請專利範圍第6項之製造配線結構體的方法，其中該阻擋層係由含鉭化合物製成。
  8. 如申請專利範圍第6項之製造配線結構體的方法，其中該導體層係由銅或銅合金製成。
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