JP2002184734A

JP2002184734A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JP2002184734A
Application number: JP2000385822A
Authority: JP
Inventors: Naoto Mochizuki; 直人望月; Hiroshi Kato; 寛加藤
Original assignee: Tokuyama Corp
Current assignee: Tokuyama Corp
Priority date: 2000-12-19
Filing date: 2000-12-19
Publication date: 2002-06-28

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体装置を製造する際の配線等の回路を研
磨によって形成する工程において、ディッシングを効果
的に防止しつつ平坦性の高い回路面を効率良く短時間で
作製する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板上に配線形成用の凹部を設け
た絶縁膜が積層され、該凹部を含む絶縁膜表面にバリア
膜を介して金属膜が積層された積層体を構成し、該積層
体の金属膜を、高速で、バリア膜上に金属膜の一部が層
状に残存するように研磨を行う一次研磨工程を実施後、
金属膜の研磨速度がやや遅く、オーバーポリッシュ時に
凹部金属膜が腐食しないように、残存する金属膜の研磨
を行う二次研磨工程を実施し、最後にバリア膜が消失す
るようにバリア膜及び金属膜を研磨除去する三次研磨工
程を実施する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は新規な半導体装置の
製造方法に関する。詳しくは、研磨により絶縁膜に配線
パターンや電極等（以下、配線という）が形成された回
路面を有する半導体装置を製造する場合において、該配
線部分におけるディッシングを効果的に防止し、平坦性
に優れた回路面を生産性良く形成可能な半導体装置の製
造方法を提供する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣやＬＳＩといった半導体装置の高集
積化に伴って、配線技術は益々微細化且つ多層化の方向
に進んでいる。そして、上記配線技術の多層化により半
導体基板表面の段差は大きくなり、その結果、その上に
形成される配線の加工精度や信頼性を低下させ、微細化
を妨げるという問題を有する。

【０００３】上記の多層化による問題点を解決するため
に、配線が形成された層を平坦化し、その上にさらに配
線等を形成する技術が開発されている。

【０００４】即ち、半導体基板の表面に金属配線用の凹
部を有する絶縁膜を形成し、その上にバリア膜を介して
該凹部を埋めるように全面に金属膜を形成した後、凹部
以外に存在する金属膜及びバリア膜を研磨によって除去
して絶縁膜と凹部に存在する金属膜とよりなる面を形成
する方法である。

【０００５】上記方法において、バリア膜は、金属膜と
して用いるアルミニウムや銅が絶縁膜中に拡散するのを
防止し、且つそれら金属膜の半導体基板表面への密着性
を良くする機能を有するものであり、一般に、窒化チタ
ンや窒化タンタルなどが使用される。

【０００６】また、上記方法は、高い研磨性能を実現す
るため、機械的な研磨とそれを促進するような化学反応
とを併用する研磨方法が採られる。この研磨方法は、化
学機械研磨（以下、ＣＭＰと略記する）法と呼ばれ、金
属膜、絶縁膜、バリア膜等の研磨対象に応じて使用する
研磨剤の組成が種々提案されている。上記研磨剤の一般
的な組成は、研磨砥粒と薬剤とよりなる。

【０００７】上記のように、配線等を研磨によって形成
する際には、一般的に、第一段研磨として凹部以外に存
在する金属膜がバリア膜上から消失するまで金属膜を研
磨し、被研磨面がバリア膜に達したところで一旦研磨を
停止し、さらに第二段研磨として、第一段研磨とは組成
の異なる研磨剤を用いて、絶縁膜上からバリア膜が消失
するまでその下部のバリア膜を凹部に存在する金属膜と
共に研磨する二段研磨法が採用されている。

【０００８】上記第二段研磨時における金属膜の研磨速
度は、薄いバリア膜を精度良く研磨するため、一般的
に、第一段研磨時に比べて極めて低く設定される。その
ため、第一段研磨は、凹部以外の部分に金属膜が残存し
ないように行われる必要がある。

【０００９】ところが、バリア膜上に形成された金属膜
の膜厚はウェハ全面で均一とは限らないため、第一段研
磨において被研磨面がバリア膜に達する時間はウェハ全
面において同時ではなく、金属膜の厚みに応じて順次バ
リア膜に到達すると考えられる。

【００１０】従って、ウェハ全面で被研磨面が確実にバ
リア膜に達するまで第一段研磨を行うためには、被研磨
面がバリア膜に達すると予想される平均時間から、さら
にオーバーポリッシュ（過剰研磨）を行う必要がある。

【００１１】そのため、上記第一段研磨においては、金
属膜の研磨速度が高いことと共に、オーバーポリッシュ
時に絶縁膜凹部に残存した金属配線がディッシング（金
属膜の腐食が起こり、凹部に残存させるべき金属膜が皿
状に窪む現象）を起こさないことが要求される。

【００１２】従来、上記第一段研磨時に使用する研磨
剤、特に銅系の金属を使用した基板に有用な研磨剤とし
ては、シリカやアルミナ等の砥粒を使用し、これに薬剤
として酸化剤及び、酒石酸やシュウ酸等の塩、及び金属
の溶解によるディッシングを防止するためのベンゾトリ
アゾール等の防食剤を含む水系スラリーよりなるものが
知られている。

【００１３】この研磨剤は、金属膜に対して、一般に、
２０００〜４０００オングストローム／分程度の研磨速
度を有するものであり、第一段研磨時に使用する研磨剤
として広く使用されているものである。

【００１４】しかしながら、上記金属膜用研磨剤を使用
して金属膜のオーバーポリッシュを行う前記研磨方法を
実施する場合、防食剤の添加量を抑えたり、塩の濃度を
高めたりすることによって金属膜の研磨速度を高くする
と、オーバーポリッシュ時にディッシングが発生し易い
という問題があった。また、研磨後の金属膜表面に腐食
跡が残るという問題もあった。

【００１５】一方、上記のディッシングの問題を軽減す
るために薬剤の添加量を抑え気味にしたり、防食剤を多
量に添加したりすると、金属膜の研磨速度が著しく低下
し、生産性が低下する。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、研磨面のディッシングを効果的に防止しながら、且
つ短い時間で、平坦な回路面を形成することができる新
規な半導体装置の製造方法を提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成すべく鋭意検討を重ねた。その結果、金属膜を極
めて高速で研磨し、バリア膜上に金属膜の一部が層状に
残存するように研磨を行う一次研磨工程と、金属配線部
の腐食を極力抑えながら、特定の速度で上記残存する金
属膜を研磨する二次研磨工程と、バリア膜が消失するよ
うに、バリア膜及び金属膜を研磨する三次研磨工程とを
組み合わせることにより、従来課題となっていた金属膜
のディッシングの問題を回避しつつ、二次研磨工程で大
きなオーバーポリッシュマージンが得られ、平滑な回路
面が形成でき、しかも、研磨速度においては、従来方法
と同等、或いは、それより高速化を達成できることを見
い出し、本発明を完成するに至った。

【００１８】即ち、本発明は、半導体基板上に配線形成
用の凹部を設けた絶縁膜が積層され、該凹部を含む絶縁
膜表面にバリア膜を介して金属膜が積層された積層体を
構成し、該積層体を金属膜、バリア膜の順に研磨して上
記凹部に残存する金属膜により配線が形成された半導体
装置を製造する方法において、（１）研磨剤（第一研磨
剤）を用いて上記凹部以外に存在するバリア膜上に金属
膜の一部が層状に残存するように、金属膜の研磨速度が
６０００オングストローム／分以上となる条件で金属膜
の研磨を行う一次研磨工程、（２）研磨剤（第二研磨
剤）を用いて前記凹部以外に存在するバリア膜上に残存
する金属膜が消失するように、金属膜の研磨速度が１０
００オングストローム／分以上、６０００オングストロ
ーム／分未満、バリア膜の研磨速度が１００オングスト
ローム／分以下で、且つディッシング速度が５００オン
グストローム／分以下となる条件で金属膜の研磨を行う
二次研磨工程、及び（３）研磨剤（第三研磨剤）を用い
て前記凹部以外に存在するバリア膜が消失するように、
バリア膜及び金属膜を同時に研磨する三次研磨工程より
なることを特徴とする半導体装置の製造方法である。

【００１９】

【発明の実施の形態】半導体装置を製造する際の配線等
の回路を形成する工程は、半導体基板表面に絶縁膜、バ
リア膜及び金属膜を所定のパターンで積層し、これを研
磨することによって行われる。

【００２０】上記半導体基板は、ＩＣやＬＳＩなどの半
導体デバイスに使用されるシリコン基板が代表的である
が、ゲルマニウムや化合物半導体などの半導体基板も使
用される。

【００２１】また、絶縁膜とは配線層間の電気的分離に
用いられるものであって、絶縁性のものであれば特に制
限はない。一般には、酸化シリコン膜（プラズマ−ＴＥ
ＯＳ膜やＳＯＧ膜と呼ばれているものなど）や有機ＳＯ
Ｇ膜等が使用される。

【００２２】更に、バリア膜は配線用金属の絶縁膜中へ
の拡散を防止すると共に、金属膜の絶縁膜への密着性を
良くするために絶縁膜と金属膜の間に形成される薄膜で
あって、タンタル膜、窒化タンタル膜、チタン膜、窒化
チタン膜、窒化タングステン膜などが挙げられる。中で
も、窒化チタン膜や窒化タンタル膜が好適である。

【００２３】更にまた、金属膜は、配線パターンや電極
を形成するための配線材料であり、アルミニウム膜、銅
膜、タングステン膜などが挙げられる。

【００２４】上記各膜層の膜厚は特に制限されず、公知
の厚みが適宜採用される。一般に、絶縁膜表面に形成さ
れるバリア膜の厚みは、０．０２〜０．１０μｍであ
り、凹部以外のバリア膜表面に形成される金属膜の厚み
は、０．８〜２．０μｍである。また、凹部の深さは、
０．５〜１．０μｍ程度である。

【００２５】以下、本発明の半導体装置の製造方法につ
いて、図１を用いて詳細に説明する。

【００２６】まず、（ａ）は研磨を開始する前の状態を
示している。前記半導体基板表面に形成される絶縁膜に
設けられる凹部Ａは、配線等を形成するために絶縁膜上
に形成される溝や接続孔である。

【００２７】本発明における一次研磨工程では、金属膜
を６０００オングストローム／分以上の速度で、金属膜
の研磨指標として、凹部以外のバリア膜上に金属膜の一
部が層状に残存するように研磨を行う。

【００２８】図において、（ｂ）は一次研磨工程後の状
態を示している。

【００２９】このように、本発明の一次研磨工程ではバ
リア膜が露出する前に一次研磨を終了するため、金属膜
とバリア膜間の研磨速度の違いにより、従来の方法にお
いて問題となっていた、絶縁膜凹部中の金属膜のディッ
シングやエロージョンの問題は、全く発生しない。

【００３０】そのため、従来ディッシングが発生し易く
て使えなかったような高速の金属膜用研磨剤を使用する
ことができ、研磨時間の短縮に効果を発揮する。即ち、
凹部以外のバリア膜上に形成される初期の金属膜の厚み
は一般的に１μｍ前後であるので、研磨速度の高い研磨
剤を使用すれば１分前後という非常に短時間で金属膜を
研磨することもできる。

【００３１】このように高い研磨速度を持った研磨剤が
使用できるため、第２段研磨工程を含むトータルの研磨
時間を延長することなく、場合によっては研磨時間を短
縮しつつ、研磨によって平滑な研磨面を得ることができ
る。

【００３２】従って、本発明の一次研磨工程での研磨速
度は、可及的に速いものが好ましく、６０００オングス
トローム／分以上、好ましくは８０００オングストロー
ム／分以上が好ましい。また、一次研磨工程での研磨速
度はあまり速すぎると、金属膜を残存せさるための制御
が困難となるので、１５０００オングストローム／分以
下とすることが好ましい。

【００３３】また、本発明において、一次研磨工程の研
磨速度を６０００オングストローム／分以上とする他の
利点として、凹部以外のバリア膜上に残存する金属膜の
厚みを極めて均質に調整することができる点にある。

【００３４】即ち、一次研磨工程の研磨速度を６０００
オングストローム／分以上とすることにより、一次研磨
工程によって得られる研磨面は、凹部以外のバリア膜上
に極めて均一に金属膜が残存した状態となり、続く後工
程の研磨により、平滑な研磨面を得るために極めて有効
に作用する。

【００３５】かかる一次研磨工程において、高い研磨速
度を採用することによる効果の発現機構は明らかではな
いが、上記のような高速での研磨においては、後で詳述
する研磨剤における酸化剤による金属膜の化学的な腐食
と研磨砥粒による機械的研磨のバランスにより、金属膜
表面の突出部分が優先的に研磨されることによるものと
推定される。

【００３６】本発明において、前記一次研磨工程におい
て凹部以外のバリア膜上に残存させる金属膜の厚みは、
一様に金属膜が残存し、且つ薄い程トータルの研磨時間
を削減するために好ましい。一般には、３０００オング
ストローム以下、好ましくは２０００オングストローム
以下、更に好ましくは１０００オングストローム以下が
好ましい。

【００３７】上記残存させる金属膜の厚みが３０００オ
ングストロームを超えると、次の二次研磨工程での負担
が大きくなり、トータルの研磨時間が長くなり過ぎる場
合がある。

【００３８】また、残存させる金属膜の厚みの下限は、
制御の容易性から、５００オングストローム程度が適当
である。

【００３９】本発明の半導体装置の製造方法において、
一次研磨工程に用いられる第一研磨剤は、上述したよう
な研磨性能を有する研磨剤を公知の研磨剤より選択して
適宜使用することができるが、好適に使用される研磨剤
を具体的に示せば下記のものが挙げられる。

【００４０】即ち、第一研磨剤の基本的な組成は、砥粒
と、薬剤と、酸化剤と、溶媒としての水とよりなる。

【００４１】上記砥粒としては特に限定されず、シリ
カ、アルミナ、セリア、ジルコニアなどの酸化物あるい
はシリカ−アルミナなどの複合酸化物、窒化ケイ素、窒
化アルミニウムなどの窒化物、炭化珪素などの炭化物、
さらに樹脂系砥粒などの各種砥粒が使用可能である。

【００４２】上記研磨砥粒の中でも、特にシリカが好適
である。即ち、シリカは水に対する分散安定性に優れ、
被研磨膜に対してスクラッチを発生させることも少なく
好適である。これに対して、砥粒として他の種類の砥
粒、例えば、アルミナ粒子はスクラッチが発生し易く、
スクラッチが発生すると、デバイスの配線が断線したり
ショートし、デバイスの歩留まりを低下させる原因とな
る場合がある。また、本発明では、酸性、中性、アルカ
リ性と全ｐＨ範囲で使用される可能性があるが、シリカ
粒子はアルミナ粒子と異なり、どのｐＨにおいても殆ど
凝集せずに安定であるという特徴がある。

【００４３】上記シリカ粒子としては、公知のものを特
に制限なく用いることができる。例えば、火炎中で四塩
化ケイ素やシラン系ガスを燃焼させて製造されるヒュー
ムドシリカ、アルコキシシランを原料に用いて加水分解
して製造されるゾル−ゲルシリカ（以下、高純度コロイ
ダルシリカともいう）、珪酸ソーダを原料にして鉱酸で
中和して製造される沈殿法シリカ、同じく珪酸ソーダを
原料にしてオストワルド法で製造されるコロイダルシリ
カなどが挙げられる。

【００４４】上記の中でも、ヒュームドシリカや高純度
コロイダルシリカは純度が高いため、半導体装置用の研
磨剤としては好適である。

【００４５】また、上記シリカ粒子の比表面積は特に限
定されないが、１０〜４００ｍ²／ｇの範囲が好適であ
る。即ち、比表面積が１０ｍ²／ｇよりも小さくなる
と、シリカ粒子が沈降し易くなる傾向にある。一方、比
表面積が４００ｍ²／ｇよりも大きい場合、研磨剤中の
シリカ粒子がゲル化し易くなる場合がある。

【００４６】本発明において、第一研磨剤中の上記シリ
カ濃度は２５重量％以下、好ましくは０．１〜１０重量
％が好適である。シリカ濃度が２５重量％より高い場
合、研磨剤がゲル化するなどの問題が発生する場合があ
る。

【００４７】また、上記薬剤としては、塩類及び／又は
ｐＨ調整剤が好適に採用できる。上記塩類としては、公
知の塩類が好適に使用できる。例えば、無機酸又は有機
酸とアンモニア又はアミンの組み合わせよりなる塩類が
好適に使用できる。無機酸としては、炭酸、リン酸、硫
酸、硝酸、塩酸、ホウ酸、フッ酸、過塩素酸、過硫酸、
過リン酸等が挙げられる。有機酸としては、シュウ酸、
クエン酸、酒石酸、フタル酸、フマル酸、酢酸、コハク
酸、乳酸等が挙げられる。上記酸を中和して塩類を生成
させるアルカリ剤としては、アンモニア又はアミンが好
適であるが、ＫＯＨも使用できる。上記アミンとして
は、トリエチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタ
ノールアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミ
ン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミ
ン、ペンタエチレンヘキサミン、トリエチレンジアミ
ン、２−アミノエタノール、ポリエチレンイミン、アミ
ノエチルエタノールアミン、ピペラジン、プロパンジア
ミン、ヘキサメチレンジアミン、グアニジン、テトラメ
チルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラエチルア
ンモニウムハイドロオキサイド等が挙げられる。

【００４８】更に具体的に上記塩類を例示すると、炭酸
アンモニウム、リン酸アンモニウム、シュウ酸アンモニ
ウム、クエン酸アンモニウム、酒石酸アンモニウム及び
上記塩類のアンモニアをトリエタノールアミン等のアミ
ンで置換した化合物を挙げることができる。

【００４９】上記第一研磨剤は、金属膜の研磨速度が高
いことが望まれるが、一般的に、金属膜の研磨速度を高
くするために塩類の濃度を高くすると、金属膜表面の凹
凸を効率よく平坦にする性質（以下、段差緩和性能と呼
ぶ）が悪くなる傾向がある。段差緩和性能が悪い研磨剤
で一次研磨を行うと、金属膜表面の凹凸が平坦にならな
いまま金属膜の厚みが減少し、絶縁膜凹部以外のバリア
膜上に金属膜の一部が層状に残存しているにもかかわら
ず、絶縁膜凹部内の金属膜にディッシングを生じる場合
がある。

【００５０】ただし、塩類として有機酸のアンモニウム
塩又は無機酸のアンモニウム塩を用いた場合には、金属
膜の研磨速度が高く、なおかつ段差緩和性能の良い研磨
剤を得ることができる。その中でも、シュウ酸アンモニ
ウムは特に研磨速度が高く、且つ段差緩和性能の良い研
磨剤が得られるため好適である。

【００５１】上記第一研磨剤としては、塩類の濃度は
０．１〜２重量％、好ましくは０．５〜１．５重量％が
好適である。塩類の濃度が０．１重量％未満の場合、金
属膜の研磨速度が６０００オングストローム／分未満に
なる場合がある。また、塩類の濃度が２重量％を超える
場合、研磨剤がゲル化するなどの問題が発生する場合が
ある。

【００５２】更に、第一研磨剤は、金属膜の研磨速度を
向上させるために、後述するｐＨ調整剤を用いて任意の
ｐＨにすることができる。ただし、一次研磨と二次研磨
を同一のパッド上で連続して行う場合には、第一研磨剤
のｐＨは後述する第二研磨剤のｐＨと同じか、あるいは
近い方が好ましい。

【００５３】ｐＨ調整剤としては、上記塩類として説明
した、無機酸、有機酸、アンモニア、アミンが好適に採
用できる。

【００５４】また、上記酸化剤としては、特に制限なく
公知のものが使用できる。例えば、過酸化物、過塩素酸
塩、過硫酸塩、過よう素酸塩、過マンガン酸塩等の酸化
性金属塩、酸化性金属錯体などが挙げられる。それらの
中でも、取り扱い易さ、純度等の上で過酸化水素と過硫
酸アンモニウムが好ましいが、中でも過酸化水素が最も
好適である。

【００５５】上記第一の研磨剤としては、酸化剤濃度
は、０．１〜４重量％が好適である。酸化剤濃度が０．
１重量％より低い場合、また４重量％より高い場合は、
金属膜の研磨速度６０００オングストローム／分を達成
できない場合がある。

【００５６】本発明において、上記一次研磨工程に続く
二次研磨工程では、金属膜の研磨速度が１０００オング
ストローム／分以上、６０００オングストローム／分未
満、バリア膜の研磨速度が１００オングストローム／分
以下で、且つディッシング速度が５００オングストロー
ム／分以下となる条件で、凹部以外の部分に残存する金
属膜が消失するまで金属膜の研磨を行うことが重要であ
る。

【００５７】図において、（ｃ）は、二次研磨工程後の
状態を示している。即ち、上記二次研磨工程において、
金属膜に対する研磨速度が６０００オングストローム／
分を超える速度で研磨を行う場合、バリア膜が露出した
際の凹部中に存在する金属膜のディッシングの発生が激
しく起こるようになり、本発明の目的を達成することが
困難となる。

【００５８】また、二次研磨工程において、金属膜に対
する研磨速度が１０００オングストローム／分未満の研
磨剤を用いる場合、残存した金属膜が消失するまでに要
する研磨時間が著しく長くなり好ましくない。

【００５９】二次研磨工程での研磨では、金属膜に対す
る研磨速度が、特に、１２００〜４０００オングストロ
ーム／分であることが好ましい。

【００６０】また、本発明の方法によれば、凹部以外の
バリア膜上に残存する金属膜が消失した後には、絶縁膜
凹部中の金属膜とそれ以外の絶縁膜上のバリア膜との両
者が平滑面として露出するが、二次研磨工程の最終段階
においてかかる面と接触する二次研磨工程では、バリア
膜の研磨速度が１００オングストローム／分以下に調整
されることも必要である。

【００６１】即ち、バリア膜の研磨速度が１００オング
ストローム／分を超える場合、オーバーポリッシュ時
に、前記凹部以外のバリア膜が研磨除去されてしまい、
さらに絶縁膜が研磨されることによって配線層の厚みが
減少したり、不均一になる可能性がある。そして、配線
層の厚みが減少したり、不均一になることは、半導体装
置の製造に際して歩留まり低下の原因となる。

【００６２】上記バリア膜に対する研磨速度は、特に、
５０オングストローム／分以下であることが好ましい。

【００６３】また、二次研磨工程において金属膜のディ
ッシング速度が高い研磨剤を用いる場合、オーバーポリ
ッシュ時に凹部に存在する金属膜が腐食してディッシン
グを生じる可能性がある。

【００６４】すなわち、オーバーポリッシュの際に該凹
部中の金属膜が腐食を伴ってディッシングを生じ、該凹
部中の金属膜の厚みが減少していく速度を金属膜のディ
ッシング速度と定義したときに、該凹部の幅を１００μ
ｍとして測定される金属膜のディッシング速度が５００
オングストローム／分を超えると、二次研磨工程の終了
時に該凹部中の金属膜がバリア膜の厚さ以上にディッシ
ングしてしまい、次の三次研磨工程でバリア膜を除去し
てもなお該凹部中の金属膜のディッシングが残る可能性
がある。

【００６５】そのため、二次研磨工程では、金属膜のデ
ィッシング速度が５００オングストローム／分以下が好
ましく、特に、３００オングストローム／分以下である
ことが好ましい。

【００６６】本発明の半導体装置の製造方法において、
二次研磨工程に用いられる第二研磨剤は、上述したよう
な研磨性能を有する研磨剤を公知の研磨剤より選択して
適宜使用することができるが、好適に使用される研磨剤
を具体的に示せば下記のものが挙げられる。

【００６７】即ち、第二研磨剤の基本的な組成は、砥粒
と、薬剤と、防食剤と、酸化剤と、溶媒としての水とよ
りなる。

【００６８】上記第二研磨剤における上記砥粒として
は、前述した第一研磨剤と同様のものが使用できる。

【００６９】上記第二研磨剤中の砥粒濃度は、０．０５
〜０．５重量％、好ましくは０．０５〜０．２重量％の
範囲が好適である。砥粒濃度が０．０５重量％未満の場
合、金属膜の研磨速度が１０００オングストローム／分
未満になる場合がある。また、砥粒濃度が、０．５重量
％よりも高い場合、バリア膜の研磨速度が高くなる傾向
があり、好ましくない。

【００７０】上記第二研磨剤における上記薬剤として
は、前述した第一研磨剤と同様のものが使用できる。

【００７１】上記第二研磨剤中の塩類の濃度は、０．１
〜２重量％、好ましくは０．３〜１．５重量％が好適で
ある。塩類の濃度が０．１重量％未満の場合、金属膜の
研磨速度が１０００オングストローム／分未満になる傾
向がある。また、塩類の濃度が２重量％を超える場合、
研磨剤中の砥粒が凝集し易くなる傾向がある。

【００７２】更に、第二研磨剤は、ディッシング速度を
小さくするため、ｐＨは極端に酸性やアルカリ性でない
方が好ましい。好適にはｐＨが３〜１０の範囲が好まし
く、更に好ましくは５〜１０の範囲である。特に、第二
研磨剤に酸化剤を添加する場合はｐＨが６〜８の範囲が
好適である。上記ｐＨ範囲に合わせるには、前述したｐ
Ｈ調整剤等を添加することができる。

【００７３】また、ディッシング速度を小さくするため
に得に有効な前記防食剤としては、公知のものが制限無
く使用できる。代表例を例示すると、ベンゾトリアゾー
ル、イミダゾール、ベンゾイミダゾール、ベンゾチアゾ
ール、２−アミノチアゾール及びそれらの誘導体などが
挙げられる。これらの中でも金属膜、特に銅の防食効果
に優れたベンゾトリアゾールが好適に使用できる。

【００７４】上記第二研磨剤においては、防食剤の濃度
は１０〜５００ｐｐｍ、好ましくは１０〜２００ｐｐｍ
が好適である。防食剤の濃度が１０ｐｐｍ未満の場合、
十分な防食効果が得られず、研磨時にディッシング等の
腐食を防ぐことができない場合がある。具体的には、金
属膜の腐食速度が５００オングストローム／分を超える
傾向があり望ましくない。また、防食剤の濃度が５００
ｐｐｍを超える場合、金属膜の研磨速度が１０００オン
グストローム／分未満になる場合がある。

【００７５】上記第二研磨剤に使用する上記酸化剤とし
ては、前述した第一研磨剤と同様のものが使用できる。

【００７６】上記第二研磨剤中の酸化剤濃度は０．０１
〜４重量％、好ましくは０．０１〜１重量％、さらに好
ましくは０．０２〜０．５重量％が好適である。酸化剤
濃度が０．０１重量％未満の場合、金属膜の研磨速度が
１０００オングストローム／分未満になる場合がある。
また、酸化剤濃度が４重量％を超える場合、金属膜が酸
化される傾向が強まり、ディッシングが発生する場合が
ある。即ち、具体的には、金属膜のディッシング速度が
５００オングストローム／分を超える場合がある。

【００７７】本発明において、上記二次研磨工程に続く
三次研磨工程では、二次研磨工程とは選択比が異なる研
磨条件でバリア膜と金属膜を同時研磨し、更に必要に応
じて、金属膜、バリア膜及び絶縁膜を同時研磨すること
が好ましい。

【００７８】図において、（ｄ）は、三次研磨工程後の
状態を示している。

【００７９】上記三次研磨工程は、該被研磨面からバリ
ア膜を除去する必要があるため、金属膜に対してバリア
膜を同等以上の研磨速度で研磨できるものが望ましい。
従って、金属膜とバリア膜との選択比（金属膜／バリア
膜の研磨速度比）は１以下となる条件が好ましく、更に
好ましくは０．７以下の条件が好適に採用される。

【００８０】即ち、上記選択比が１を超えるとバリア膜
よりも金属膜が研磨されすぎる場合があり、ディッシン
グ特性が低下する可能性がある。

【００８１】なお、半導体基板上に形成するバリア膜の
厚みは、一般的に１００〜５００オングストロームの範
囲にあることが多いため、三次研磨工程におけるバリア
膜に対する研磨速度は５０〜１０００オングストローム
／分、好ましくは２００〜５００オングストローム／分
の範囲にある方が制御し易く、バリア膜の除去に要する
時間は２分以内、好ましくは１分以内であることが望ま
れる。

【００８２】上記バリア膜に対する研磨速度が５０オン
グストローム／分未満の場合、研磨時間が長くなること
で生産性が低下する場合がある。また、該研磨速度が１
０００オングストローム／分を超える場合、バリア膜の
みならず、その下部の絶縁膜又は配線の金属膜まで研磨
してしまう場合があり、所望の位置で研磨を停止するこ
とが困難となり、制御性が低下する可能性がある。

【００８３】上記三次研磨工程に用いられる研磨剤（第
三研磨剤）は、上述したような研磨性能を有する研磨剤
を公知の研磨剤より選択して適宜使用することができる
が、好適に使用される研磨剤を具体的に示せば下記のも
のが挙げられる。

【００８４】即ち、第三研磨剤の基本的な組成は、砥粒
と、防食剤と、酸化剤と、溶媒としての水とよりなる。

【００８５】上記第三研磨剤における上記砥粒としては
前述した第一、第二研磨剤と同様のものが使用できる。

【００８６】上記第三研磨剤中の砥粒濃度は、１〜２０
重量％、好ましくは２〜１０重量％の範囲が好適であ
る。バリア膜の研磨においては砥粒の機械的作用によっ
て研磨する場合が多いため、砥粒濃度を変えることによ
り、所望の研磨速度に制御することができる。

【００８７】上記第三研磨剤においては、上記防食剤と
しては、前述した第二研磨剤と同様のものが使用でき
る。

【００８８】上記第三研磨剤中の防食剤の濃度は５０〜
５００ｐｐｍが好適である。防食剤の濃度が５０ｐｐｍ
未満の場合、十分な防食効果を得ることができない場合
がある。また、防食剤の濃度が５００ｐｐｍを超える場
合、金属膜の研磨速度が著しく低下し、絶縁膜凹部に残
存した金属膜がバリア膜と同時に研磨されず、凸状に残
存する場合がある。

【００８９】上記第三研磨剤においては、上記酸化剤と
しては、前述した第一、第二研磨剤と同様のものが使用
できる。

【００９０】上記第三研磨剤中の酸化剤濃度は０．０１
〜４．０重量％が好適である。酸化剤の濃度を変えるこ
とで、所望の金属膜の研磨速度に制御することができ
る。

【００９１】また、上記第一、第二及び第三研磨剤に
は、必要に応じて、更に他の公知の各種添加剤を添加し
ても良い。例えば、界面活性剤、水溶性高分子類、アル
コール類、安定剤、沈降防止剤等である。

【００９２】本発明において、上記一次研磨工程、二次
研磨工程及び三次研磨工程は別々のパッド上で行っても
特に差し支えはないが、同一のパッド上で連続して実施
した方がトータルの処理時間の削減に有利である。

【００９３】また、上記のように、一次研磨工程と二次
研磨工程を同一のパッド上で連続して行う場合、上記第
二研磨剤の砥粒、塩類及び酸化剤は、第一研磨剤と同じ
ものを選択するのが好ましく、二次研磨工程と三次研磨
工程を同一のパッド上で連続して行う場合は、上記第三
研磨剤の砥粒、防食剤及び酸化剤は、第二研磨剤と同じ
ものを選択するのが好ましい。

【００９４】尚、一次研磨工程と二次研磨工程を同一の
パッドを用いて連続して実施する場合は、一次研磨工程
で使用した研磨剤成分がパッド上に残存しているため、
二次研磨工程に切り替わった直後は比較的高い金属膜の
研磨速度が維持され、時間とともに徐々にその研磨速度
が低下し、最終的には二次研磨工程で使用する研磨剤組
成に置き換わる。

【００９５】従って、一次研磨工程において凹部以外の
バリア膜上に金属膜を残存させる量の下限は、上記研磨
剤切替時の研磨量を勘案して前記範囲より適宜決定する
ことが好ましい。

【００９６】一方、腐食性の強い第一研磨剤を使用する
場合は、該研磨剤の影響が二次研磨工程でも残るため、
研磨表面に腐食跡やディッシングが発生することが懸念
される。

【００９７】従って、そのような場合、上述の残存金属
膜の厚みは、一次研磨工程から二次研磨工程に切り替え
た後、パッド上の第一研磨剤が第二研磨剤の組成に置換
し終わるまで金属膜が残っているような厚みが好適であ
る。具体的には、上記の残存金属膜の厚みは、５００オ
ングストローム以上、好ましくは１０００オングストロ
ーム以上であることが好ましい。

【００９８】また、上記のような腐食性の強い研磨剤を
使用する場合は、一次と二次の工程の切り替え時に、純
水等をパッド上に供給して一次研磨工程で使用した第一
研磨剤を洗い流すことも好適な態様である。

【００９９】さらに、二次研磨工程と三次研磨工程を同
一のパッドを用いて連続して実施する場合、三次研磨工
程に切り替わった直後は、パッド上で第二研磨剤と第三
研磨剤が混合された状態となる。従って、第二研磨剤と
第三研磨剤が混合された場合に、金属膜を著しく腐食す
るような性質がないことが好ましい。

【０１００】例えば、第二研磨剤が防食剤を含み、第三
研磨剤が防食剤を含んでいない場合、三次研磨工程への
切り替え時に防食剤濃度が低下し、金属膜が腐食する場
合がある。

【０１０１】この対策として、二次と三次の工程の切り
替え時に、純水等をパッド上に供給して二次研磨工程で
使用した第二研磨剤を洗い流すことも好適な態様であ
る。

【０１０２】本発明の半導体装置の製造方法において、
使用される上記第一、第二及び第三研磨剤を製造するた
めの各成分の添加順序は特に制限されるものではなく、
研磨に供する時点で全成分が含まれていれば良い。

【０１０３】また、本発明の半導体装置の製造方法にお
いて、一次研磨工程から二次研磨工程、さらに三次研磨
工程へ切り替えるために、第一、第二、第三研磨剤を切
り替える方法は特に限定されない。例えば、研磨剤を供
給するラインの途中で配管を切り替えることで行っても
良いし、研磨パッドまで各研磨剤の供給ラインを備えて
切り替えても良い。

【０１０４】また、混合することによって第一、第二、
及び第三研磨剤を調製することが可能な複数の構成成分
を、タンクから所定比で混合機に供給し、混合すること
によって第一、第二及び第三研磨剤を調製して研磨に供
しても良い。上記混合のための混合機としてはプロペラ
等の攪拌機を用いて混合するもの、ジェット流によって
混合するもの、あるいは、スタティックミキサーなど、
公知のものが使用できる。

【０１０５】

【発明の効果】以上の説明より理解されるように、本発
明の方法によれば、半導体装置を製造する際の配線等の
回路を研磨によって形成する工程において、ディッシン
グを効果的に防止しながら、且つ平坦性の高い回路面
を、効率良く短時間で作製することが可能である。

【０１０６】

【実施例】以下、本発明の実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれらの実施例によって何ら制限され
るものではない。

【０１０７】尚、実施例及び比較例に示す各研磨性能及
び研磨後の評価試験は、下記の方法に準じて行った。

【０１０８】１．研磨速度研磨剤を使用し、後記の実施例及び比較例における研磨
工程で採用した条件と同一の条件、即ち、研磨パッドと
してロデール製のＩＣ１０００／ＳＵＢＡ４００を用
い、加工圧力３００ｇ／ｃｍ²、パッド回転数４０ｒｐ
ｍ、研磨剤の供給速度８０ｍｌ／分の条件で各対象膜に
ついてそれぞれ研磨速度を測定した。

【０１０９】先ず、銅（Ｃｕ）膜、窒化タンタル（Ｔａ
Ｎ）膜、酸化シリコン（ＳｉＯ₂）膜がそれぞれ表面に
形成された４インチのシリコンウェハを用いて、研磨剤
の研磨速度を調べた。

【０１１０】２．研磨後の平坦性０．３５〜１００μｍの幅の凹部を有する絶縁膜（Ｓｉ
Ｏ₂膜）上にバリア膜（ＴａＮ膜）を２５０オングスト
ローム製膜し、更にその上に１．５μｍの金属膜（Ｃｕ
膜）を形成したパターンウェハを用いて二次研磨工程以
降（比較例においては、第一段研磨以降）の、研磨後に
おける１００μｍ幅の配線部分（凹部）の表面段差を測
定することで平坦性を評価した。さらに、ＳＥＭ観察に
よって、凹部以外のバリア膜上に残存する金属膜の厚み
を測定した。

【０１１１】３．ディッシング速度２．で使用したパターンウェハを使用し、研磨時間を極
めて厳密に制御することにより、SEM観察によって凹部
以外のバリア膜上に金属膜が残存しないことが確認さ
れ、且つ１００μｍ幅の凹部における表面段差が段差計
を用いた測定値で、１００オングストローム以下であ
る、凹部に存在する金属膜とバリア膜とが平坦となるよ
うに加工した試験片を使用し、該表面を二次研磨工程
（比較例においては、第一段研磨工程）と同様な条件下
に研磨剤を使用して２分間研磨（オーバーポリッシュ）
し、研磨前後の表面段差の差を該研磨時間で除してディ
ッシング速度を求めた。

【０１１２】実施例１比表面積が３０ｍ²／ｇの高純度コロイダルシリカが
１．７５重量％、シュウ酸アンモニウムが６０００ｐｐ
ｍ、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂として）が０．２５重量％、残
部が水よりなる第一研磨剤を調製した。上記シリカをＳ
ＥＭで観察したところ、平均粒子径が１００ｎｍの単分
散性の高い球状のシリカ粒子であった。

【０１１３】また、上記コロイダルシリカが０．１重量
％、シュウ酸アンモニウムが４０００ｐｐｍ、過酸化水
素（Ｈ₂Ｏ₂として）が０．１重量％、ベンゾトリアゾー
ルが５０ｐｐｍ、残部が水よりなる第二研磨剤を調製し
た。

【０１１４】また、上記コロイダルシリカが７重量％、
過酸化水素（H₂O₂として）が１重量％、ベンゾトリアゾ
ールが２００ｐｐｍ、残部が水よりなる第三研磨剤を調
製した。

【０１１５】まず、第一研磨剤のＣｕ膜に対する研磨速
度を調べた結果、研磨速度は７１２８オングストローム
／分と極めて高かった。また、第二研磨剤のＣｕ膜に対
する研磨速度は１５４９オングストローム／分、ＴａＮ
膜に対する研磨速度は４２オングストローム／分であ
り、また、ディッシング速度は２５０オングストローム
／分であった。また、第三研磨剤のＣｕ膜に対する研磨
速度は５４０オングストローム／分、ＴａＮ膜に対する
研磨速度は６２１オングストローム／分、ＳｉＯ ₂膜に
対する研磨速度は４８４オングストローム／分であっ
た。

【０１１６】次に、上記の第一、第二及び第三研磨剤を
用いて、研磨パッドとしてロデール製のＩＣ１０００／
ＳＵＢＡ４００を用い、加工圧力３００ｇ／ｃｍ²、パ
ッド回転数４０ｒｐｍ、研磨剤の供給速度８０ｍｌ／分
の条件でパターンウェハを研磨した。

【０１１７】先ず初めに上記第一研磨剤を用いて一次研
磨工程を７０秒間実施した。一次研磨実施後のパターン
ウェハにおける、凹部以外の絶縁膜上のＣｕ膜の残存膜
厚を測定したところ、１０００オングストロームであっ
た。また、このとき凹部部分の上部に残存する金属膜の
表面段差は３５０オングストロームであった。

【０１１８】つぎに、一次研磨工程後に連続して、第二
研磨剤を用いて二次研磨工程を４０秒間実施した。二次
研磨実施後のパターンウェハは、凹部以外に存在するＣ
ｕ膜が研磨除去され、また、このときの１００μｍ幅の
凹部部分の表面段差は１００オングストローム以下と平
坦であった。

【０１１９】さらに、二次研磨工程後に連続して、第三
研磨剤を用いて三次研磨工程を６０秒間実施した。三次
研磨実施後のパターンウェハは、凹部以外に存在するＴ
ａＮ膜が研磨除去され、また、このときの１００μｍ幅
の凹部部分の表面段差は１００オングストローム以下と
平坦であった。

【０１２０】本実施例において、Ｃｕ膜及びバリア膜の
研磨を終え、平坦な表面を得るのに要する最短の研磨時
間は、一次、二次及び三次研磨の時間を合計して１７０
秒であった。

【０１２１】比較例１上記実施例１による本発明の方法と、従来の二段研磨法
との比較を行った。

【０１２２】実施例１の第一の研磨剤と同じコロイダル
シリカが１．７５重量％、シュウ酸アンモニウムが４０
００ｐｐｍ、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂として）が１重量％、
ベンゾトリアゾールが１００ｐｐｍ、残部が水よりなる
研磨剤Ａを調製した。

【０１２３】また、上記と同じコロイダルシリカが７重
量％、過酸化水素（H₂O₂として）が１重量％、残部が水
よりなる研磨剤Ｂを調製した。

【０１２４】まず、上記研磨剤Ａについて研磨速度を調
べたところ、Ｃｕ膜に対する研磨速度は３６４８オング
ストローム／分、ＴａＮ膜に対する研磨速度は２５０オ
ングストローム／分、ＳｉＯ₂膜に対する研磨速度は１
０５オングストローム／分であった。また、上記研磨剤
ＢのＣｕ膜に対する研磨速度は６３３オングストローム
／分、ＴａＮ膜に対する研磨速度は６１８オングストロ
ーム／分、ＳｉＯ₂膜に対する研磨速度は４８０オング
ストローム／分であった。

【０１２５】次に、研磨剤Ａ及びＢを用いて研磨パッド
としてロデール製のＩＣ１０００／ＳＵＢＡ４００を用
い、加工圧力３００ｇ／ｃｍ²、パッド回転数４０ｒｐ
ｍ、研磨剤の供給速度８０ｍｌ／分の条件でパターンウ
ェハを研磨した。

【０１２６】まず、研磨剤Ａを用いて第一段研磨を１２
０秒間実施した。第一段研磨実施後のパターンウェハ
は、凹部以外に存在するＣｕ膜が研磨除去され、また、
このときの１００μｍ幅の凹部部分の表面段差は４５０
オングストロームであった。

【０１２７】また、第一段研磨後に、研磨剤Ｂを用いて
第二段研磨工程を６０秒間実施した。第二段研磨実施後
のパターンウェハは、凹部以外に存在するＴａＮ膜が研
磨除去され、また、このときの１００μｍ幅の凹部部分
の表面段差は２００オングストロームであった。

【０１２８】本比較例において、Ｃｕ膜及びバリア膜の
研磨を終え、平坦な表面を得るのに要する最短の研磨時
間は、第一段及び第二段研磨の時間を合計して１８０秒
であった。実際には、第一段研磨工程と第二段研磨工程
の間には洗浄やウェハ移動の工程が含まれるため、上記
洗浄及びウェハ移動の工程に要する時間を加算しなけれ
ばならない。

【０１２９】なお、研磨剤Ａのディッシング速度は１６
００オングストローム／分と極めて高く、オーバーポリ
ッシュによってディッシングが発生し易いことがわかっ
た。

【０１３０】このことは、従来の研磨法では、第一段研
磨においてオーバーポリッシュを極力行わないように、
被研磨面がウェハ全面に渡って同時にバリア膜に到達す
る技術を要し、さらに、バリア膜に達した直後に研磨を
終了する厳密な終点検出技術が必要であることを示して
いる。

【０１３１】以上のように、本発明の方法を採用した場
合、高速でＣｕ膜を研磨可能であり、且つオーバーポリ
ッシュ時間を大きく取ることによって、終点検出を行わ
なくとも、常に配線部分の腐食が小さく、均一な研磨表
面を得られることがわかる。

【０１３２】比較例２第一研磨剤の研磨速度と段差緩和性能の関係について調
べた。

【０１３３】実施例１の第一研磨剤と同じコロイダルシ
リカが１．７５重量％、シュウ酸アンモニウムが６００
０ｐｐｍ、過酸化水素（Ｈ₂Ｏ₂として）が１重量％、残
部が水よりなる研磨剤Ｃを調製した。上記研磨剤ＣのＣ
ｕ膜に対する研磨速度を調べたところ、４７２５オング
ストローム／分であった。

【０１３４】この研磨剤Ｃを用いて一次研磨工程を１０
５秒間実施した。一次研磨実施後のパターンウェハにお
ける、凹部以外の絶縁膜上のＣｕ膜の残存膜厚を測定し
たところ、実施例１と同様に１０００オングストローム
であった。しかし、このときの１００μｍ幅の凹部絶縁
膜の上部に残存する金属膜の表面段差は１４００オング
ストロームであった。

【０１３５】つぎに、一次研磨工程後に連続して、実施
例１の第二研磨剤を用いて二次研磨工程を４０秒間実施
した。二次研磨実施後のパターンウェハは、凹部以外に
存在するＣｕ膜が研磨除去され、また、このときの１０
０μｍ幅の凹部部分の表面段差は６５０オングストロー
ムであった。

【０１３６】さらに、二次研磨工程後に連続して、実施
例１の第三研磨剤を用いて三次研磨工程を６０秒間実施
した。三次研磨実施後のパターンウェハは、凹部以外に
存在するＴａＮ膜が研磨除去され、また、このときの１
００μｍ幅の凹部部分の表面段差は３００オングストロ
ームであった。

【０１３７】上記研磨結果を、実施例１のデータと共に
表１に示す。

【０１３８】以上の結果を実施例１と比較すると、全て
の研磨工程終了後にパターンウェハ表面が平坦になるよ
うに、第一研磨剤の段差緩和性能を高くするためには、
第一研磨剤のＣｕ研磨速度が６０００オングストローム
／分以上必要であることが判った。

【０１３９】

【表１】

【０１４０】実施例２〜５実施例１において、各研磨剤の成分濃度を変え、表２に
示す研磨速度及び研磨時間等の条件で研磨を実施した。

【０１４１】研磨結果を表３に示す。

【０１４２】

【表２】

【０１４３】

【表３】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の方法の代表的な態様を示す概略図

【符号の説明】

Ａ凹部１半導体基板２絶縁膜３バリア膜４金属膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3C058 AA07 BA04 CB02 CB03 DA02 DA17 5F033 GG00 GG01 HH08 HH11 HH18 HH19 HH21 HH32 HH33 HH34 MM01 MM12 MM13 QQ48 QQ50 XX01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体基板上に配線形成用の凹部を設け
た絶縁膜が積層され、該凹部を含む絶縁膜表面にバリア
膜を介して金属膜が積層された積層体を構成し、該積層
体を金属膜、バリア膜の順に研磨して上記凹部に残存す
る金属膜により配線が形成された半導体装置を製造する
方法において、（１）研磨剤（第一研磨剤）を用いて上記凹部以外に存
在するバリア膜上に金属膜の一部が層状に残存するよう
に、金属膜の研磨速度が６０００オングストローム／分
以上となる条件で金属膜の研磨を行う一次研磨工程、（２）研磨剤（第二研磨剤）を用いて前記凹部以外に存
在するバリア膜上に残存する金属膜が消失するように、
金属膜の研磨速度が１０００オングストローム／分以
上、６０００オングストローム／分未満、バリア膜の研
磨速度が１００オングストローム／分以下で、且つディ
ッシング速度が５００オングストローム／分以下となる
条件で金属膜の研磨を行う二次研磨工程、及び（３）研
磨剤（第三研磨剤）を用いて前記凹部以外に存在するバ
リア膜が消失するように、バリア膜及び金属膜を同時に
研磨する三次研磨工程よりなることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【請求項２】第一研磨剤の組成がシリカ砥粒、塩類、
酸化剤、及び水からなる請求項１記載の半導体装置の製
造方法。
【請求項３】一次研磨工程において、バリア膜上に残
存させる金属膜の厚みが５００〜３０００オングストロ
ームである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】第二研磨剤の組成がシリカ砥粒、塩類、
酸化剤、防食剤及び水からなる、請求項１記載の半導体
装置の製造方法。
【請求項５】第一研磨剤と第二研磨剤が共通のシリカ
砥粒、酸化剤、塩類を含んでおり、その組成を、シリカ
砥粒濃度を減少させ、且つ防食剤を添加し、酸化剤、塩
類の濃度を調節することにより、同一パッド上で一次研
磨工程と二次研磨工程を連続して実施することを特徴と
する、請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】第二研磨剤と第三研磨剤が共通のシリカ
砥粒、酸化剤及び防食剤を含んでおり、その組成を、シ
リカ砥粒濃度を増加させ、且つ酸化剤及び防食剤の濃度
を調節することにより、同一パッド上で二次研磨工程と
三次研磨工程を連続して実施することを特徴とする、請
求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】塩類がシュウ酸アンモニウムである請求
項２〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。