TWI424975B - Glass fusion method - Google Patents

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TWI424975B
TWI424975B TW098119276A TW98119276A TWI424975B TW I424975 B TWI424975 B TW I424975B TW 098119276 A TW098119276 A TW 098119276A TW 98119276 A TW98119276 A TW 98119276A TW I424975 B TWI424975 B TW I424975B
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Hamamatsu Photonics Kk
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Description

玻璃熔接方法
本發明係關於一種將玻璃構件彼此熔接而製造玻璃熔接體之玻璃熔接方法。
作為上述技術領域中之先前之玻璃熔接方法,已知有如下方法:以沿熔接預定區域之方式將包含雷射光吸收性顏料之玻璃層燒接於一方之玻璃構件上之後,使另一方之玻璃構件隔著玻璃層重疊於該玻璃構件上,且沿熔接預定區域照射雷射光,藉此,將一方之玻璃構件與另一方之玻璃構件熔接。
然而,作為將玻璃層燒接於玻璃構件上之技術,通常係藉由自包含玻璃粉、雷射光吸收性顏料、有機溶劑及黏合劑之漿料層中去除有機溶劑及黏合劑而使玻璃層固著於玻璃構件上後,於煅燒爐內對固著有玻璃層之玻璃構件進行加熱,藉此使玻璃層熔融,從而將玻璃層燒接於玻璃構件上(例如參照專利文獻1)。
對此,自抑制使用煅燒爐所引起之能耗之增大及燒接時間之長時間化的觀點(即高效化之觀點)出發,提出藉由對固著於玻璃構件上之玻璃層照射雷射光而使玻璃層熔融,從而將玻璃層燒接於玻璃構件上之技術(例如參照專利文獻2)。
先行技術文獻 專利文獻
專利文獻1:日本專利特表2006-524419號公報
專利文獻2:日本專利特開2002-366050號公報
然而,若利用雷射光之照射而對於玻璃構件燒接玻璃層之,則存在於燒接時或於其後之玻璃構件彼此之熔接時,玻璃構件上產生龜裂等玻璃構件破損之情形。
因此,本發明係鑒於此種情況研究而成者,其目的在於提供一種可防止玻璃構件之破損,從而可高效地將玻璃構件彼此熔接之玻璃熔接方法。
本發明者為達成上述目的而反覆努力研究,結果查明:因利用雷射光之照射所進行之玻璃層之燒接而引起玻璃構件之破損的原因係如圖12所示,於燒接時若玻璃層之溫度超過熔點Tm,則玻璃層之雷射光吸收率急遽升高。即,在固著於玻璃構件上之玻璃層上,藉由因去除黏合劑而產生之空隙、或玻璃粉之粒子性,而產生超過雷射光吸收性顏料之吸收特性之光散射,從而變成雷射光吸收率較低之狀態(例如,於可見光下看上去發白)。因此,如圖13所示,若以照射功率P照射雷射光,以使玻璃層之溫度達到高於熔點Tm且低於結晶化溫度Tc之溫度Tp,則因玻璃粉之熔融而使空隙被填滿並且粒子性遭到破壞,故雷射光吸收性顏料之吸收特性得以顯著顯現,玻璃層之雷射光吸收率急遽升高(例如,於可見光下看上去發黑)。藉此,於玻璃層上產生超過預想之雷射光之吸收,從而因熱輸入過多所引起之熱震而使玻璃構件上產生龜裂。又,藉由以照射功率P照射雷射光,如圖13所示,玻璃層之溫度實際上達到高於結晶化溫度Tc之溫度Ta。若玻璃層中位於與作為燒接對象之玻璃構件相反側的部分(即,玻璃層中位於作為熔接對象之玻璃構件側之部分)因熱輸入過多而結晶化,則該部分之熔點變高。因此,於其後之玻璃構件彼此之熔接時,為了使玻璃層中位於作為熔接對象之玻璃構件側之部分熔融,必需提高照射功率而照射雷射光,從而與燒接時相同,因熱輸入過多所引起之熱震,而於玻璃構件上產生龜裂。本發明者根據該見解進一步反覆研究,最終完成本發明。再者,於因玻璃層之熔融而導致玻璃層之雷射光吸收率提高之情形時,可見光下之玻璃層之顏色變化並不限定於自發白之狀態轉變成發黑之狀態,例如於近紅外雷射光用之雷射光吸收性顏料之中,亦存在若玻璃層熔融,則呈現綠色者。
即,本發明之玻璃熔接方法之特徵在於:其係將第1玻璃構件與第2玻璃構件熔接而製造玻璃熔接體者,該方法包括如下步驟:將藉由自包含玻璃粉、雷射光吸收材、有機溶劑及黏合劑之漿料層中去除有機溶劑及黏合劑所形成之玻璃層以沿熔接預定區域之方式配置於第1玻璃構件上;藉由沿熔接預定區域照射具有第1熱輸入量之第1雷射光而使玻璃層熔融,當與第1雷射光之行進方向交叉之方向上之玻璃層的熔融率超過規定值時,自第1熱輸入量切換成少於第1熱輸入量之第2熱輸入量,繼而沿熔接預定區域照射具有第2熱輸入量之第1雷射光而使玻璃層熔融,從而使玻璃層固定於第1玻璃構件上;以及,使第2玻璃構件隔著玻璃層重疊於固定有玻璃層之第1玻璃構件上,並沿熔接預定區域照射第2雷射光,藉此將第1玻璃構件與第2玻璃構件熔接。
該玻璃熔接方法中,當沿熔接預定區域照射第1雷射光而使玻璃層熔融時,藉由沿熔接預定區域照射具有第1熱輸入量之第1雷射光而使玻璃層熔融,當與第1雷射光之行進方向交叉之方向上之玻璃層的熔融率超過規定值時切換熱輸入量,沿熔接預定區域照射具有少於第1熱輸入量之第2熱輸入量之第1雷射光而使玻璃層熔融,從而使玻璃層固定於第1玻璃構件上。當固定有該玻璃層時,若玻璃層之熔融率超過規定值,則玻璃層之雷射光吸收率會急遽升高,但其後,由於照射具有少於第1熱輸入量之第2熱輸入量之第1雷射光,因此抑制了玻璃層變成熱輸入過多之狀態。藉由此種熱輸入量之切換,即便利用第1雷射光之照射而使玻璃層固定於第1玻璃構件上,於固定有玻璃層時或於其後之玻璃構件彼此熔接時,亦可防止出現玻璃構件上產生龜裂等玻璃構件破損之情形。因此,藉由該玻璃熔接方法,可防止玻璃構件之破損,從而可高效地將玻璃構件彼此熔接。再者,所謂「熱輸入量」係指第1雷射光於其照射區域內所具有之能量密度。又,所謂「玻璃層之熔融率」係指在與第1雷射光之行進方向交叉之方向上,「玻璃層之總寬度」中「玻璃層之熔融部分之寬度」所佔之比例。
本發明之玻璃熔接方法中,較好的是,藉由降低第1雷射光之照射功率,而自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。於此情形時,由於藉由照射功率之下降而進行熱輸入量之切換,因此能夠確實地自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。
本發明之玻璃熔接方法中,較好的是,藉由提高第1雷射光相對於玻璃層之行進速度,而自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。於此情形時,由於藉由提高第1雷射光之行進速度而進行熱輸入量之切換,因此能夠確實地自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。而且,由於提高行進速度而進行切換,因此可縮短固定玻璃層時所需要之時間。再者,所謂「第1雷射光相對於玻璃層之行進速度」係指第1雷射光之相對行進速度,其包括:第1雷射光被固定而玻璃層移動之情形、玻璃層被固定而第1雷射光移動之情形、以及第1雷射光及玻璃層分別移動之情形。
於本發明之玻璃熔接方法中,較好的是,當自開始照射第1雷射光起經過了規定時間時,自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。於此情形時,能夠利用控制預先所求得之規定時間該簡單之方法而容易地自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。而且,對於結構相同之玻璃層而言,只要第1雷射光之照射條件相同,則可將規定時間設定為大致相同,因此,易於連續地或同時使複數層結構相同之玻璃層熔融,從而可提高製造效率。
本發明之玻璃熔接方法中,較好的是,當自玻璃層放射出之熱輻射光之強度上升至規定值時,自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。於此情形時,藉由對具有伴隨玻璃層之熔融率之上升而逐漸增強該關聯性的熱輻射光之強度進行檢測,可準確地進行熱輸入量之切換。
本發明之玻璃熔接方法中,較好的是,當由玻璃層所反射之第1雷射光之反射光的強度下降至規定值時,自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。於此情形時,藉由對具有伴隨玻璃層之熔融率上升而逐漸下降該關聯性的反射光之強度進行檢測,可準確地進行熱輸入量之切換
根據本發明,可防止玻璃構件之破損,從而可高效地將玻璃構件彼此熔接。
以下,參照圖式對本發明之較佳之實施形態進行詳細說明。再者,各圖中對於相同或相當之部分標註相同符號,並省略重複之說明。
圖1係藉由本發明之玻璃熔接方法之一實施形態所製造之玻璃熔接體之立體圖。如圖1所示,玻璃熔接體1係經由沿熔接預定區域R所形成之玻璃層3,而將玻璃構件(第1玻璃構件)4與玻璃構件(第2玻璃構件)5熔接而成者。玻璃構件4、5例如係由無鹼玻璃構成之厚度為0.7mm之矩形板狀之構件,熔接預定區域R係沿玻璃構件4、5之外緣而設定成矩形環狀。玻璃層3例如係由低熔點玻璃(磷酸釩系玻璃、硼酸鉛玻璃等)構成,且沿熔接預定區域R形成為矩形環狀。
其次,對用以製造上述玻璃熔接體1之玻璃熔接方法進行說明。
首先,如圖2所示,利用分配器或網版印刷等塗佈粉漿料,藉此沿熔接預定區域R而於玻璃構件4之表面4a上形成漿料層6。粉漿料係將例如由非晶質之低熔點玻璃(磷酸釩系玻璃、硼酸鉛玻璃等)構成之粉末狀之玻璃粉(glass frit)2、氧化鐵等無機顏料即雷射光吸收性顏料(雷射光吸收材)、乙酸戊酯等有機溶劑、以及於玻璃之軟化點溫度以下熱分解之樹脂成分(丙烯酸系樹脂等)即黏合劑混練而成者。粉漿料亦可為將玻璃粉(glass frit)、有機溶劑及黏合劑混練而成者,上述玻璃粉係將預先添加有雷射光吸收性顏料(雷射光吸收材料)之低熔點玻璃製成粉末狀而成者。即,漿料層6中包含玻璃粉2、雷射光吸收性顏料、有機溶劑及黏合劑。
繼而,使漿料層6乾燥而去除有機溶劑,進而,對漿料層6進行加熱而去除黏合劑,藉此,使玻璃層3沿熔接預定區域R而固著於玻璃構件4之表面4a上。再者,在固著於玻璃構件4之表面4a上之玻璃層3上,藉由因去除黏合劑所產生之空隙、或玻璃粉2之粒子性,而產生超過雷射光吸收性顏料之吸收特性之光散射,從而變成雷射光吸收率較低之狀態(例如於可見光下看上去發白)。
繼而,如圖3所示,於由鋁構成之板狀之載置台7之表面7a(此處為研磨面)上,隔著玻璃層3而載置玻璃構件4。藉此,藉由自漿料層6中去除有機溶劑及黏合劑而形成之玻璃層3以沿熔接預定區域R之方式而配置於玻璃構件4與載置台7之間。
繼而,如圖3~圖5所示,將聚光點對準玻璃層3之熔接預定區域R中之照射起始位置A,開始照射雷射光(第1雷射光)L1,並沿熔接預定區域R朝圖示箭頭之行進方向進行照射。然而,雷射光L1如圖6所示,具有如下之溫度分布,即寬度方向(與雷射光L1之行進方向大致正交之方向)之中央部之溫度較高,而朝向兩端部溫度降低。因此,如圖5所示,自玻璃層3之熔融率(在與雷射光L1之行進方向大致正交之方向上,玻璃層3之總寬度中玻璃層3之熔融部分之寬度所佔之比例)大致為零之照射起始位置A起熔融率緩慢上升,直至作為熔融率接近100%之穩定區域之穩定區域起始位置B為止具有規定距離,自照射起始位置A起直至穩定區域起始位置B為止之區域成為玻璃層3之寬度方向上之一部分被熔融的不穩定區域。
該不穩定區域中,由於玻璃層3並非於整個寬度方向上被熔融,故而雷射光吸收率並未完全升高。因此,如圖7所示,雷射光L1以如照射於穩定區域之玻璃層3上之情形時會導致玻璃層3結晶化之較強的照射條件,例如以雷射光L1之照射功率為10W之第1熱輸入量開始照射。再者,熱輸入量可由以下之數學式(1)表示,本實施形態中,由於行進速度或點徑係固定,故而熱輸入量根據照射功率而變化。
熱輸入量(J/mm2 )=功率密度(J‧S/mm2 )÷行進速度(S) (1)
其後,若到達穩定區域起始位置B後成為玻璃層3之整個寬度方向上被熔融之穩定區域,則玻璃層3之整個寬度方向上之溫度達到熔點Tm以上,從而因玻璃粉之熔融而使空隙被填滿,並且粒子性遭到破壞,故雷射光吸收性顏料之吸收特性得以顯著顯現,玻璃層3之雷射光吸收率於整個寬度方向上急遽升高,而導致熔融率接近100%(例如,於可見光下看上去發黑)。藉此,於玻璃層3上產生超過預想之雷射光L1之吸收,而導致對於玻璃層3之熱輸入過多。
因此,如圖7所示,於經過了玻璃層3之熔融率接近100%之規定時間X後(或者即將經過之前)、即玻璃層3之溫度於整個寬度方向上超過熔點Tm而導致雷射光吸收率急遽升高之後不久,切換雷射光L1之照射功率,使得自10W之照射功率下降至8W之照射功率,且切換熱輸入量,使得自照射功率為10W之第1熱輸入量切換成照射功率為8W之第2熱輸入量。本實施形態中,針對各玻璃層3之結構而預先求得規定時間X,繼而利用控制預先所求得之規定時間X該簡單之方法而自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。又,對於結構相同之玻璃層而言,由於相同熱輸入量下之熔融程度大致相同,故而,只要雷射光L1之照射條件相同,則可將規定時間X設定為大致相同。
其後,以第2熱輸入量即8W之照射功率進行雷射照射,繼續利用雷射光L1沿熔接預定區域R對玻璃層3進行照射,直至返回至照射起始位置A為止,從而完成燒接。再者,視需要亦可照射重疊雷射,以再次對不穩定區域照射雷射光L1而形成穩定區域。
藉由進行此種切換熱輸入量之控制而對玻璃層3進行燒接,使配置於玻璃構件4與載置台7之間之玻璃層3於結晶化受到抑制之狀態下熔融‧再固化,從而燒接於玻璃構件4之表面4a上。而且,本實施形態中,由於實施自玻璃構件4側照射雷射光L1之燒接,故而,不僅能切實地將玻璃層3固定於玻璃構件4上,而且作為將玻璃構件4、5彼此熔接時之熔接面的玻璃層3之表面3a之結晶化進一步得到抑制。再者,燒接於玻璃構件4之表面4a上之玻璃層3上,因玻璃粉2之熔融而使空隙被填滿並且粒子性遭到破壞,故雷射光吸收性顏料之吸收特性得以顯著顯現,而變成雷射光吸收率較高之狀態(例如於可見光下看上去發黑)。
接著,若熔接預定區域R之整個一周上結晶化受到抑制之玻璃層3之燒接結束,則將燒接有玻璃層3之玻璃構件4自載置台7上卸下。此時,由於玻璃粉2與載置台7之線膨脹係數之差大於玻璃粉2與玻璃構件4之線膨脹係數之差,因此玻璃層3並未固著於載置台7上。又,由於載置台7之表面7a受到研磨,因此燒接於玻璃構件4之表面4a上之玻璃層3之狀態為與玻璃構件4相反側之表面3a之凹凸經過平坦化。
於玻璃層3之燒接之後,如圖8所示,將玻璃構件5隔著玻璃層3而重疊於燒接有玻璃層3之玻璃構件4上。此時,由於玻璃層3之表面3a平坦,因此玻璃構件5之表面5a與玻璃層3之表面3a無間隙地接觸。
繼而,如圖9所示,將聚光點對準玻璃層3,沿熔接預定區域R照射雷射光(第2雷射光)L2。藉此,雷射光L2被處於熔接預定區域R之整個一周上之雷射光吸收率較高且結晶化受到抑制之狀態的玻璃層3吸收,玻璃層3及其周邊部分(玻璃構件4、5之表面4a、5a部分)得以熔融‧再固化,從而玻璃構件4與玻璃構件5得到熔接。此時,玻璃構件5之表面5a與玻璃層3之表面3a無間隙地接觸,並且燒接於玻璃構件4上之玻璃層3之熔融成為於熔接預定區域R之整個一周上之結晶化受到抑制的穩定區域,因此玻璃層3之熔點並未升高,玻璃構件4與玻璃構件5沿熔接預定區域R均勻地熔接,破損得到防止。
如以上說明所述,於用以製造玻璃熔接體1之玻璃熔接方法中,當沿熔接預定區域R照射雷射光L1而使玻璃層3熔融時,藉由沿熔接預定區域R照射具有第1熱輸入量之雷射光L1而使玻璃層3熔融,當與雷射光L1之行進方向大致交叉之方向上之玻璃層3之熔融率接近100%時切換熱輸入量,繼而沿熔接預定區域R照射具有少於第1熱輸入量之第2熱輸入量之雷射光L1而使玻璃層3熔融,從而使玻璃層3固定於玻璃構件4上。當固定有該玻璃層3時,若玻璃層3之熔融率接近100%,則玻璃層3之雷射光吸收率會急遽升高,但其後,由於照射具有少於第1熱輸入量之第2熱輸入量之雷射光L1,因此抑制了玻璃層3變成熱輸入過多之狀態。藉由此種熱輸入量之切換,即便利用雷射光L1之照射將玻璃層3固定於玻璃構件4上,於固定有玻璃層3時或於其後之玻璃構件4、5彼此之熔接時,亦可防止出現玻璃構件4、5上產生龜裂等玻璃構件4、5破損之情形。因此,藉由該玻璃熔接方法,可防止玻璃構件4、5破損,從而可高效地將玻璃構件4、5彼此熔接。
又,上述之玻璃熔接方法中,係藉由降低雷射光L1之照射功率,而自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。由於藉由此種照射功率之下降而進行熱輸入量之切換,因此能夠切實地自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。
又,上述之玻璃熔接方法中,當自開始照射雷射光L1起經過了規定時間X時熔融率接近100%,從而自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。因此,能夠利用控制預先所求得之熔融率接近100%之規定時間X該簡單的方法而容易地自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。而且,對於結構相同之玻璃層而言,只要雷射光L1之照射條件相同,則可將規定時間X設定為大致相同,因此易於連續地或同時使複數層結構相同之玻璃層熔融,從而可大幅提高製造複數個玻璃熔接體1時之製造效率。
然而,於有機EL封裝等中,由於容器本身較小,因此使用更薄型化之玻璃構件4、5,故作為玻璃構件4、5之材料,為了難以產生裂痕而多選擇低膨脹玻璃。此時,為了使玻璃層3之線膨脹係數與玻璃構件4、5之線膨脹係數一致(即,為了降低玻璃層3之線膨脹係數),而使玻璃層3中含有大量由陶瓷等構成之填料。若使玻璃層3中含有大量填料,則於照射雷射光L1之前後,玻璃層3之雷射光吸收率會進一步變大。因此,上述玻璃熔接方法於選擇低膨脹玻璃作為玻璃構件4、5之材料之情形時特別有效。
本發明並不限定於上述實施形態。
例如,上述實施形態中,當自雷射光L1之照射起始位置A起經過了規定時間X時熔融率接近100%,從而自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量,但如圖10所示,亦可當自玻璃層3放射出之熱輻射光之強度上升至規定值Q時,自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。於此情形時,藉由對具有伴隨玻璃層3之熔融率上升而逐漸增強該關聯性之熱輻射光的強度進行檢測,從而可準確地進行熱輸入量之切換。又,如圖11所示,亦可當由玻璃層3所反射之雷射光L1之反射光的強度下降至規定值P時,自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。於此情形時,藉由對具有伴隨玻璃層3之熔融率上升而逐漸下降該關聯性之反射光的強度進行檢測,從而可準確地進行熱輸入量之切換。
又,上述實施形態中,係藉由變更雷射光L1之照射功率而控制對於玻璃層3之熱輸入量,但如上述數學式(1)所示般,亦可使雷射光L1之照射功率固定,而提高雷射光L1之相對照射速度(即,雷射光L1相對於玻璃層3之行進速度),藉此而進行對於玻璃層3之熱輸入量之切換。於此情形時,藉由提高雷射光L1之行進速度而進行熱輸入量之切換,因此能夠確實地自第1熱輸入量切換成第2熱輸入量。而且,由於提高行進速度而進行切換,因此可縮短固定玻璃層3時所需要之時間。再者,於藉由提高行進速度而進行熱輸入量之切換之情形時,由於包括速度之加速過程之情形較多,故而自抑制玻璃層3之結晶化之觀點觀之,較好的是,於到達應進行切換之時點(經過規定時間X時、或者熱輻射光或反射光之強度達到規定值)之前開始行進速度之切換控制,而於實際上應該進行切換之時點完成切換。
又,上述實施形態中,係使雷射光L1、L2相對於被固定之玻璃構件4、5行進,但只要雷射光L1、L2相對於各玻璃構件4、5相對地行進即可,故而亦可將雷射光L1、L2固定而使玻璃構件4、5移動,亦可使玻璃構件4、5與雷射光L1、L2分別移動。
又,上述實施形態中,當熔融率達到100%該規定值時進行熱輸入量之切換,但若玻璃層3適當地進行熔融,則亦可當例如熔融率達到90%該規定值時進行熱輸入量之切換,從而切實地抑制玻璃層3之結晶化。
又,上述實施形態中,係隔著玻璃構件4而對玻璃層3照射雷射光L1,但亦可直接對玻璃層3照射雷射光L1。
[產業上之可利用性]
根據本發明,可防止玻璃構件之破損,從而可高效地將玻璃構件彼此熔接。
1...玻璃熔接體
2...玻璃粉(glass frit)
3...玻璃層
4...玻璃構件(第1玻璃構件)
5...玻璃構件(第2玻璃構件)
6...漿料層
7...載置台
A...照射起始位置
B...穩定區域起始位置
L1...雷射光(第1雷射光)
L2...雷射光(第2雷射光)
R...熔接預定區域
圖1係藉由本發明之玻璃熔接方法之一實施形態所製造的玻璃熔接體之立體圖。
圖2係用以說明用於製造圖1所示之玻璃熔接體之玻璃熔接方法之立體圖。
圖3係用以說明用於製造圖1所示之玻璃熔接體之玻璃熔接方法之剖面圖。
圖4係用以說明用於製造圖1所示之玻璃熔接體之玻璃熔接方法之剖面圖。
圖5係用以說明用於製造圖1所示之玻璃熔接體之玻璃熔接方法之平面圖。
圖6係表示雷射照射之溫度分布之圖。
圖7係表示雷射光之照射條件之切換時序之圖。
圖8係用以說明用於製造圖1所示之玻璃熔接體之玻璃熔接方法之立體圖。
圖9係用以說明用於製造圖1所示之玻璃熔接體之玻璃熔接方法之立體圖。
圖10係表示雷射光之照射條件之其他切換時序之圖。
圖11係表示雷射光之照射條件之其他切換時序之圖。
圖12係表示玻璃層之溫度與雷射光吸收率之關係之圖。
圖13係表示雷射功率與玻璃層之溫度之關係之圖。
A...照射起始位置
B...穩定區域起始位置
R...熔接預定區域
X...規定時間

Claims (12)

  1. 一種玻璃熔接方法,其特徵在於:其係將第1玻璃構件與第2玻璃構件熔接而製造玻璃熔接體者,且包括如下步驟:將藉由自包含玻璃粉、雷射光吸收材、有機溶劑及黏合劑之漿料層中去除上述有機溶劑及上述黏合劑而形成之玻璃層以沿熔接預定區域之方式配置於上述第1玻璃構件;藉由沿上述熔接預定區域照射具有第1熱輸入量之第1雷射光而使上述玻璃層熔融,當與上述第1雷射光之行進方向交叉之方向上的上述玻璃層之熔融率超過規定值時,自上述第1熱輸入量切換成少於上述第1熱輸入量之第2熱輸入量,沿上述熔接預定區域照射具有上述第2熱輸入量之上述第1雷射光而使上述玻璃層熔融,使上述玻璃層固定於上述第1玻璃構件上;以及將上述第2玻璃構件隔著上述玻璃層重疊於固定有上述玻璃層之上述第1玻璃構件,並沿上述熔接預定區域照射第2雷射光,藉此將上述第1玻璃構件與上述第2玻璃構件熔接。
  2. 如請求項1之玻璃熔接方法,其中藉由降低上述第1雷射光之照射功率,而自上述第1熱輸入量切換成上述第2熱輸入量。
  3. 如請求項1之玻璃熔接方法,其中藉由提高上述第1雷射光相對於上述玻璃層之行進速度,而自上述第1熱輸入 量切換成上述第2熱輸入量。
  4. 如請求項1之玻璃熔接方法,其中當自開始照射上述第1雷射光起經過了規定時間時,自上述第1熱輸入量切換成上述第2熱輸入量。
  5. 如請求項1之玻璃熔接方法,其中當自上述玻璃層放射出之熱輻射光之強度上升至規定值時,自上述第1熱輸入量切換成上述第2熱輸入量。
  6. 如請求項1之玻璃熔接方法,其中當由上述玻璃層所反射之上述第1雷射光之反射光的強度下降至規定值時,自上述第1熱輸入量切換成上述第2熱輸入量。
  7. 一種玻璃層固定方法,其特徵在於:其係使玻璃層固定於第1玻璃構件者,且包括如下步驟:將藉由自包含玻璃粉、雷射光吸收材、有機溶劑及黏合劑之漿料層中去除上述有機溶劑及上述黏合劑而形成之玻璃層以沿熔接預定區域之方式配置於上述第1玻璃構件;及藉由沿上述熔接預定區域照射具有第1熱輸入量之第1雷射光而使上述玻璃層熔融,當與上述第1雷射光之行進方向交叉之方向上的上述玻璃層之熔融率超過規定值時,自上述第1熱輸入量切換成少於上述第1熱輸入量之第2熱輸入量,沿上述熔接預定區域照射具有上述第2熱輸入量之上述第1雷射光而使上述玻璃層熔融,使上述玻璃層固定於上述第1玻璃構件上。
  8. 如請求項7之玻璃層固定方法,其中藉由降低上述第1雷 射光之照射功率,而自上述第1熱輸入量切換成上述第2熱輸入量。
  9. 如請求項7之玻璃層固定方法,其中藉由提高上述第1雷射光相對於上述玻璃層之行進速度,而自上述第1熱輸入量切換成上述第2熱輸入量。
  10. 如請求項7之玻璃層固定方法,其中當自開始照射上述第1雷射光起經過了規定時間時,自上述第1熱輸入量切換成上述第2熱輸入量。
  11. 如請求項7之玻璃層固定方法,其中當自上述玻璃層放射出之熱輻射光之強度上升至規定值時,自上述第1熱輸入量切換成上述第2熱輸入量。
  12. 如請求項7之玻璃層固定方法,其中當由上述玻璃層所反射之上述第1雷射光之反射光的強度下降至規定值時,自上述第1熱輸入量切換成上述第2熱輸入量。
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