TWI424888B

TWI424888B - Rolled copper foil

Info

Publication number: TWI424888B
Application number: TW100134930A
Authority: TW
Inventors: Kaichiro Nakamuro; Yoshihiro Chiba; Mitsuhiro Ookubo; Daisuke Samejima
Original assignee: Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date: 2010-09-28
Filing date: 2011-09-27
Publication date: 2014-02-01
Also published as: CN103118812A; CN103118812B; TW201231179A; WO2012043462A1; JP5411357B2; JPWO2012043462A1; KR101387301B1; KR20130020834A

Description

壓延銅箔

本發明關於一種可較佳地使用於要求撓曲性之FPC之壓延銅箔。

用於撓曲用FPC(可撓性印刷電路基板)之銅箔，要求較高之撓曲性。用以對銅箔賦予撓曲性之方法，眾所周知有提高銅箔之(200)面之晶向(crystal orientation)之定向度之技術(專利文獻1)、使銅箔之板厚方向上貫通之晶粒之比例增多之技術(專利文獻2)、將銅箔之相當於油坑(oil pit)深度之表面粗糙度Ry(最大高度)降低至2.0μm以下之技術(專利文獻3)。

通常之FPC製造步驟係如以下所示者。首先，將銅箔與樹脂膜接合。接合方法有藉由對塗佈於銅箔上之清漆施加熱處理而醯亞胺化之方法、或使附有接著劑之樹脂膜與銅箔疊合進行層壓之方法。藉由該等步驟而接合之附有樹脂膜之銅箔稱作CCL(覆銅積層板-)。藉由該CCL製造步驟中之熱處理，而使銅箔進行再結晶。

然而，於使用銅箔製造FPC時，若為了使與覆蓋膜之密合性提高而蝕刻銅箔表面，則存在於表面產生直徑數10μm左右之凹陷(碟型下陷(dish down))之問題。可認為其原因在於，若於再結晶退火後，以立方體組織成長之方式將晶向控制為(200)面，則於均一之組織中單獨地存在不同晶向之晶粒。而且，由於因蝕刻之結晶面而導致蝕刻速度不同，故而該單獨晶粒較周圍蝕刻深而成為凹陷。該凹陷成為使電路之蝕刻性下降，或者於外觀檢查中判定為不良導致良率下降之原因。

減少如此之凹陷之方法，報告有如下之技術：於壓延前或壓延後，對銅箔之表面進行機械研磨，賦予成為加工變質層之變形後，進行再結晶(專利文獻4)。根據該技術，藉由加工變質層而於再結晶後使表面突發不均一之晶粒，則得晶向不同之晶粒便不會單獨存在。

專利文獻1：日本特許第3009383號公報

專利文獻2：日本特開2006-117977號公報

專利文獻3：日本特開2001-058203號公報

專利文獻4：日本特開2009-280855號公報

然而，於專利文獻4記載之技術之情形時，存在不均一之晶粒較多，銅箔表面之結晶未定向於(200)面，故而撓曲性降低之問題。

另一方面可判明，雖然為確保銅箔於製造時與輥之密合性，或者使銅箔製品之操作變得容易，而進行將最終冷壓延時之輥粗糙度增大，使銅箔表面變得粗糙之處理，但若使銅箔表面變得粗糙，則銅箔表面之結晶之定向度降低，導致撓曲性變差或者容易產生碟型下陷。

即，本發明係為解決上述問題而成者，其目的在於提供一種適度地使銅箔表面變得粗糙，提高操作性，進而撓曲性優異，並且表面蝕刻特性良好之壓延銅箔。

本發明人等進行各種研究，結果發現：於最終冷壓延之最終道次之前，不使銅箔之表面變得粗糙，而於最終冷壓延之最終道次中，使銅箔之表面變得粗糙，藉此，使最終之銅箔之表面變得粗糙，並且使剪切變形帶變少，使撓曲性提高，碟型下陷變少。

為達成上述目的，本發明之壓延銅箔係於壓延平行方向測得之表面之根據JIS-Z8741之60度光澤度G60_RD 為100以上300以下、200℃加熱30分鐘調質為再結晶組織之狀態下，壓延面之由X射線繞射求得之(200)面之強度(I)相對於由微粉末銅之X射線繞射求得之(200)面之強度(I₀ )為I/I₀ ≧50，在銅箔表面於壓延平行方向長度為175μm且於壓延直角方向分別相隔50μm以上之3條直線上，相當於油坑最大深度之各直線之厚度方向之最大高度與最小高度之差的平均值d與上述銅箔之厚度t之比率d/t為0.1以下，且於壓延平行方向測得之表面之光澤度G60_RD 與於壓延直角方向測得之表面之根據JIS-Z8741之60度光澤度G60_TD 之比率G60_RD /G60_TD 未達0.8。

上述200℃×30分鐘熱處理後之銅箔表面於電解研磨後利用EBSD進行觀察時，較佳為自[100]方位之角度差為15度以上之晶粒之面積率為20%以下。

將鑄塊於熱壓延後，反覆進行冷壓延與退火，最後進行最終冷壓延而製造，且於該最終冷壓延步驟中，較佳為於最終道次之前1道次之階段，於壓延平行方向測得之表面之60度光澤度G60_RD 超過300。

根據本發明，可獲得使銅箔表面適度地變得粗糙，提高操作性，進而撓曲性優異，並且表面蝕刻特性良好之壓延銅箔。

以下，對本發明之實施形態之壓延銅箔進行說明。再者，於本發明中所謂%只要未特別說明則均表示質量%。

首先，參照圖1，對本發明之技術思想進行說明。若使最終冷壓延中之輥粗糙度變大，使銅箔表面變得粗糙，則雖然銅箔之操作性提高，但撓曲性變低等，或者容易產生碟型下陷(圖1之先前例1)。可認為其原因在於，藉由最終冷壓延中較粗糙之輥，而於銅箔之厚度方向產生剪切變形帶，進而壓延繼續，剪切變形帶成長。

另一方面，為獲得銅箔之撓曲性而提高光澤度(表面粗糙度)之方法自先前已為眾所周知。可認為此方法在於藉由利用粗糙度較低之輥進行最終冷壓延，而使銅箔之厚度方向不易產生剪切變形帶。然而，若提高銅箔之光澤度(使表面粗糙度變小)，則銅箔之操作性降低(圖1之先前例2)。

與此相對，本發明人發現可藉由於最終冷壓延之接近最終道次之前不使銅箔之表面變得粗糙(例如，利用粗糙度較低之輥進行壓延)，且於最終冷壓延之最終道次使銅箔之表面變得粗糙(例如，利用較粗糙之輥進行壓延)，而使最終之銅箔之表面變得粗糙，並且減少剪切變形帶，且使撓曲性提高，碟型下陷減少(圖1之本發明例)。

即，先前係認為銅箔之定向性單純依存於銅箔表面之粗糙度，但實際可知材料內部之剪切變形帶之規模會對定向度(及碟型下陷)產生影響。而且，於最終冷壓延中，若於最終道次以前之道次中可充分地抑制剪切帶之成長，則即便於最終道次中將銅箔表面精加工成較為粗糙，亦可獲得較高之定向性。

然而，上述剪切帶之成長度無法僅由先前一直使用之光澤度值明確地捕獲。即，可認為若一面如圖1之「本發明例」所示使最終銅箔之表面變得粗糙，一面減少剪切變形帶，則油坑較淺且具有某種程度之寬度，進而油坑之產生頻率變少(參照圖2(a))，其係於與油坑方向垂直之壓延平行方向RD之光澤度中不易表現。另一方面，若自壓延直角方向TD觀察，則油坑具有某程度之寬度，故而，相較平行方向，易捕獲油坑之形狀或頻率之變化。

參照圖2說明如此之油坑與光澤度之關係。圖2(a)、(b)、(c)係分別對應於圖1之「本發明例」、「先前例1」、「先前例2」之銅箔表面。

首先，於圖2(a)之「本發明例」之情形時，若沿著壓延平行方向RD，測定光澤度G_RD ，則於油坑中反射光之方向產生變化而未能檢測到，光澤度降低。另一方面，沿著壓延直角方向TD，測定光澤度G_TD 之情形時，油坑沿著TD延伸，故而於油坑中即便反射光之方向橫向(向RD方向)偏離亦可檢測到，光澤度升高。即，與G_RD 相比，G_TD 相對變高，若對後述之60度光澤度進行測定，則滿足G60_RD /G60_TD ＜0.8之關係。

接著，於圖2(b)之「先前例1」之情形時，銅箔表面變得過於粗糙，油坑之深度及長度(產生頻率)增加，即便沿著壓延平行方向RD及壓延直角方向TD之任一方向測定光澤度，於油坑中亦因反射光之方向產生變化而未能檢測到，光澤度降低。於此情形時，與G_RD 相比，G_TD 相對變低，若對後述60度光澤度進行測定，則滿足G60_RD /G60_TD ＞1之關係。

另一方面，於圖2(c)之「先前例2」之情形時，由於銅箔表面變得過於平滑，油坑變得過淺，故即便沿著壓延平行方向RD測定光澤度G_RD ，於油坑中亦因反射光之方向不易改變，光澤度提高。即，與G_TD 相比，G_RD 相對變高，故若對後述60度光澤度進行測定，則G60_RD /G60_TD 之關係接近1(即，RD與TD之異向性變小)。然而，如「先前例1」所示，由於銅箔表面並不粗糙，故而成為G60_RD /G60_TD ＜1。

接著，對本發明之壓延銅箔之規定及組成進行說明。

(1)光澤度G60_RD

使於壓延平行方向RD測得之表面之60°光澤度G60_RD 為100以上300以下。若G60_RD 超過300，則銅箔表面變得過於平滑而銅箔之製造時之與輥之密合性降低，或者銅箔製品之操作具有難度。另一方面，若G60_RD 未達100，則銅箔表面變得過於粗糙，於材料內部，剪切變形帶成長而銅箔表面之結晶之定向度降低，撓曲性變差，或者易產生碟型下陷。

(2)G60_RD /G60_TD

如上所述，藉由於最終冷壓延之最終道次之前，不使銅箔之表面變得粗糙，且於最終冷壓延之最終道次中使銅箔之表面變得粗糙，而使最終銅箔之表面變粗，並且減少剪切變形帶，使撓曲性提高，碟型下陷減少。而且，藉由本發明人等之實驗(後述之實施例)而獲悉如此之剪切變形帶較少之表面達到G60_RD /G60_TD ＜0.8。因此，將於壓延平行方向測得之表面之60°光澤度G60_RD 與於壓延直角方向測得之表面之60°光澤度G60_TD 之比率G60_RD /G60_TD 規定為未達0.8。再者，採用比率係為了抵消整體之光澤度之影響。

若達到G60_RD /G60_TD ≧0.8，則如上述之圖2(b)所述，銅箔表面變得過於平滑，導致銅箔之製造時與輥之密合性降低，或者銅箔製品之操作有困難。又，若如上述之圖2(c)所述，G60_RD /G60_TD ＞1，則銅箔表面變得過於粗糙，導致剪切變形帶成長，使撓曲性降低等，或者易產生碟型下陷。

再者，達到G60_RD /G60_TD ＜0.8之方法係於上述之最終冷壓延中，於最終道次以前之道次抑制剪切帶之成長，即於最終冷壓延之最終道次以前之道次中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.05μm以下)較小之輥進行壓延即可。另一方面，於最終冷壓延之最終道次中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.06μm以上)較大之輥進行壓延，使最終獲得之銅箔表面變得粗糙即可。

此處，於最終冷壓延中，若使在最終道次之前1道次之階段於壓延平行方向測得之表面之光澤度G60_RD 超過300，則最終冷壓延之最終道次以前之道次中，銅箔表面變得相對平滑，剪切變形帶不易被導入，故而較佳。

(3)d/t

若銅箔之厚度t變薄，則即便相同之表面粗糙度，銅箔厚度中所占之表面凹凸之比例變大，故存在上述之G60_RD /G60_TD 之銅箔表面之評價無法充分進行之情形。因此，於本發明中，可藉由規定d/t≦0.1，而不依靠銅箔之厚度來進行銅箔表面之評價。

此處，d係如圖3所示在銅箔表面於壓延平行方向RD長度為175μm，且於壓延直角方向TD分別相隔50μm以上之3條直線L₁ ～L₃ 上，相當於油坑之最大深度之各直線L₁ ～L₃ 之厚度方向之最大高度H_M 與最小高度Hs之差di之平均值。具體而言，利用接觸式粗糙度，測定L₁ ～L₃ 上之厚度方向之分佈，求得最大高度H_M 與最小高度Hs，且將各直線L₁ ～L₃ 之di加以平均即可。

銅箔(或銅合金箔)之厚度並不無特別限制，例如可較佳地使用5～50μm者。

(4)I/I₀

以200℃加熱30分鐘調質為再結晶組織之狀態下，由壓延面之X射線繞射求得之(200)面之強度(I)，規定為相對於由微粉末銅之X射線繞射求得之(200)面之強度(I₀ )為I/I₀ ≧50。藉此，撓曲性優異之(200)面之定向度提高。若為I/I₀ ＜50，則撓曲性下降。上述200℃ 30分鐘之退火係模仿CCL製造步驟中賦予銅箔之溫度歷程。

(5)EBSD之方位差

於200℃加熱30分鐘調質為再結晶組織之狀態下，對銅箔表面進行電解研磨後利用EBSD觀察之情形時，較佳為，自[100]方位之角度差為15度以上之晶粒之面積率為20%以下。上述200℃ 30分鐘之退火係模仿CCL製造步驟中賦予銅箔之溫度歷程。再者，對已接受熱歷程而成為CCL之銅箔，可於200℃加熱30分鐘。經熱處理直至暫時再結晶為止之銅箔之組織，即便再次加熱亦幾乎不會變化，故於EBSD之觀察時，並不區別接受熱歷程之銅箔與未接受熱歷程之銅箔，而均於200℃加熱30分鐘。

於利用EBSD進行觀察之情形時，若上述面積率未達20%，則銅箔表面之晶粒彼此之方位差較小，均一之組織中晶向不同之晶粒單獨存在之比例較少，故而，蝕刻造成之凹陷(碟型下陷)減少。再者，於利用EBSD進行觀察之情形時，如上所述可藉由於最終冷壓延中，在最終道次以前之道次中抑制剪切帶之成長而使上述面積率未達20%，即，於最終冷壓延之最終道次以前之道次中使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.05μm以下)相對較小之輥壓延即可。

(6)組成

銅箔，可使用純度99.9 wt%以上之精銅(tough pitch copper)、無氧銅，又，可視需求之強度或導電性使用公知之銅合金。無氧銅係規格設為JIS-H3510(合金編號C1011)、JIS-H3100(合金編號C1020)，且精銅係規格設為JIS-H3100(合金編號C1100)。

公知之銅合金，例如可列舉0.01～0.3 wt%之摻錫銅合金(更佳為0.001～0.02 wt%之摻錫銅合金)；0.01～0.05 wt%之摻銀銅合金；0.005～0.02 wt%之摻銦銅合金；0.005～0.02 wt%之摻鉻銅合金；包含合計為0.05 wt%以下之選自由錫、銀、銦及鉻構成之群中之一種以上之銅合金；其中，性之優異者，多使用Cu-0.02 wt%Ag。

接著，對本發明之壓延銅箔之製造方法之一例進行說明。首先，將由銅及必要之合金元素且更包含不可避免之雜質構成之鑄塊熱壓延後，反覆進行冷壓延與退火，最後於最終冷壓延精加工成特定厚度。

此處，如上所述，藉由於最終冷壓延之最終道次之前，不使銅箔之表面變得較粗糙，且於最終冷壓延之最終道次中使銅箔之表面變得較粗糙，而使最終之銅箔之表面變得粗糙，並且使剪切變形帶變少，使撓曲性提高，碟型下陷減少。而且，如此之剪切變形帶較少之表面成為G60_RD /G60_TD ＜0.8。

因此，於最終冷壓延之最終道次之前，以使銅箔之表面不變得粗糙之方式，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.05μm以下)相對較小之輥進行壓延，或者將最終冷壓延中之1道次加工度變大進行壓延即可。另一方面，於最終冷壓延之最終道次中，使用粗糙度(表面粗糙度Ra例如為0.06μm以上)相對較大之輥進行壓延，或者使用黏度較高之壓延油進行壓延，使最終所得之銅箔表面變得粗糙。

再者，為使最終之銅箔之表面變得粗糙，並且使剪切變形帶變少，而必需於最終冷壓延之最終2道次、或最終道次中，使用上述之較粗糙輥，或者使用黏度較高之壓延油進行壓延，但就便於調整之方面而言，較佳為調整最終道次中之壓延條件。另一方面，若自最終冷壓延之最終3道次之前將輥之粗糙度變得粗糙，則剪切變形帶成長。

再者，以使利用最終冷壓延之前之退火所得之再結晶粒之平均粒徑成為5～20μm之方式，調整退火條件即可。又，使最終冷壓延中之壓延加工度為90%以上即可。

實施例

將添加有表1所示之組成之元素之精銅或無氧銅作為原料鑄造成鑄錠，且於800℃以上進行熱壓延直至厚度達到10mm為止，對表面之氧化皮進行平面切削後，反覆進行冷壓延與退火，最後利用最終冷壓延精加工成厚度0.012mm(實施例1～9、比較例1～7)。其中，實施例10中使精加工厚度為0.018mm，且實施例11中使精加工厚度為0.006mm。使最終冷壓延中之壓延加工度達到99.2%。

再者，最終冷壓延進行10～15道次，且如表1所示，改變最終道次之前之輥之表面粗糙度、及最終道次之輥之表面粗糙度進行壓延。自最終道次之第1道次直至最終道次之前之輥之表面粗糙度全部相同。

再者，表1之組成欄之「添加0.02%Ag之TPC」係指對JlS-H3100(合金編號C1100)之精銅(TPC)中添加0.02質量%之Ag。又，表1之組成欄之「添加0.007%Sn之OFC」係指對JIS-H3100(合金編號C1020)之無氧銅(OFC)中添加0.007質量%之Sn。其中，僅於實施例6中，使用規格設為JIS-H3510(合金編號C1011)之無氧銅(OFC)作為無氧銅，而於實施例4、5、7、9、10、比較例7中，使用規格設為JIS-H3100(合金編號C1020)之無氧銅(OFC)作為無氧銅。

對以此方式獲得之各銅箔試樣，進行各特性之評價。

(1)光澤度

分別沿著壓延平行方向RD、及壓延直角方向TD，依據JIS-Z8741，測定銅箔表面之光澤度G60_RD 、G60_TD 。

(2)立方體集合組織

將試樣於200℃加熱30分鐘後，求出由壓延面之X射線繞射求得之(200)面強度之積分值(I)。將該值除以預先測得之微粉末銅(325mesh，於氫氣流中在300℃加熱1小時後使用)之(200)面強度之積分值(I₀ )，算出I/I₀ 值。

(3)油坑之最大深度(平均值d)

使用接觸式粗糙度計(小阪研究所製造SE-3400)，如圖3所示，分別求得在銅箔表面於壓延平行方向RD長度175μm，且於壓延直角方向TD分別求得相隔50μm以上之3根直線L₁ ～L₃ 上之最大高度H_M 與最小高度H_S 之差di。將各直線L₁ ～L₃ 之di加以平均作為d。再者，設為d(mm)/t(mm)。

(4)EBSD之方位差

對於(2)中於200℃加熱30分鐘後之試樣表面進行電解研磨後利用EBSD(電子背散射繞射裝置，日本電子股份有限公司JXA8500F、加速電壓20 kV、電流2_e -8A、測定範圍1000μm×1000μm、階寬5μm)觀察。利用影像分析求得自[100]方位之角度差為15度以上之晶粒之面積率。進而，以目視計量試樣表面1mm見方之觀察範圍內晶粒徑超過20μm者之個數。接著，對包含該觀察範圍之試樣，使用ADEKATEC CL-8(ADEKA股份有限公司製造)20%溶液，於常溫進行2分鐘蝕刻，並利用光學顯微鏡拍攝蝕刻後之表面所得之影像明暗二值化，將超過短徑50μm之暗部作為碟型下陷進行計量。再者，蝕刻後之銅箔表面變為反映晶向之形狀，且具有[100]方位之組織成為與銅箔表面平行之面，相對於此，具有其他之晶向之部分出現因晶向引起之凹凸。因此，碟型下陷之部分在光學顯微鏡中顯得較暗。

再者，圖4係表示實施例1之光學顯微鏡像，圖5係表示比較例3之光學顯微鏡像。又，圖6係表示實施例1之EBSD測定結果，圖7係表示比較例1之EBSD測定結果。於圖6、圖7中，灰色或黑色之區域係表示自[100]方位之角度差為15度以上之晶粒。

(5)表面之傷痕

對各試樣之表面進行目測觀察，且將於壓延方向具有10mm以上之長度之傷痕以5部位/m² 以上存在之情形作為×。

(6)撓曲性

將試樣於200℃加熱30分鐘使其再結晶後，藉由圖8所示之撓曲試驗裝置，進行撓曲疲勞壽命之測定。該裝置為於振盪驅動體4結合有振動傳遞構件3之構造而成，被試驗銅箔1係於箭線表示之螺釘2之部分與3之前端部之共計4處固定於裝置。若將振動部3進行上下驅動，則銅箔1之中間部以特定之曲率半徑r撓曲為迴管狀。本試驗係求出以下之條件下反覆撓曲時直至斷裂為止之次數。

再者，於板厚為0.012mm之情形時，試驗條件為以下所述：試驗片寬度：12.7mm，試驗片長度：200mm，試驗片採取方向：以試驗片之長度方向成為與壓延方向平行之方式採取，曲率半徑r：2.5mm，振動衝程：25mm，振動速度：1500次/分鐘。再者，於撓曲疲勞壽命為3萬次以上之情形時，判斷為具有優異撓曲性。

又，於板厚分別為0.018mm、0.006mm之情形時，以使彎曲應變與板厚為0.012mm時之撓曲試驗相同之方式，將曲率半徑r分別變更為4mm、1.3mm，而其他試驗條件相同。

所得結果示於表1。

[表1]

由表1可知，於G60_RD 為100以上300以下且I/I₀ ≧50，且d/t為0.1以下，G60_RD /G60_TD 未達0.8之各發明例之情形時，EBSD之自[100]方位之角度差為15度以上之晶粒之面積率未達20%，碟型下陷之個數較少，進而銅箔表面無傷痕，撓曲性亦優異。

另一方面，於最終冷壓延中，直至最終道次之前之輥之表面粗糙度，及最終道次之輥之表面粗糙度均為Ra=0.05μm以下之比較例1、5、7之情形時，銅箔表面之G60_RD 超過300，銅箔表面劃有傷痕，操作性變差。再者，於比較例5之情形時，由於最終冷壓延之壓延加工度降低為96%，故I/I₀ ＜50，即便提高光澤度，自[100]方位之角度差為15度以上之晶粒之面積率亦超過20%，較多地產生碟型下陷。

於最終冷壓延中，使直至最終道次之前之輥之表面粗糙度變粗達到Ra=0.06μm以上，且使最終道次之輥之表面粗糙度達到Ra=0.05μm以下之比較例2之情形時，上述面積率超過20%，碟型下陷之個數增加。又，銅箔表面之G60_RD 超過300，銅箔表面劃有傷痕，操作性變差。

於最終冷壓延中，使直至最終道次之前之輥之表面粗糙度、及最終道次之輥之表面粗糙度均變粗達到Ra=0.06μm以上之比較例3、4、6之情形時，上述面積率超過20%，碟型下陷之個數增加。

再者，於比較例3、4之情形時，由於使最終冷壓延之所有道次之輥表面粗糙度變粗，故於材料內部，剪切變形帶成長，銅箔表面之結晶之定向度下降，達到I/I₀ ＜50。另一方面，於比較例6之情形時，由於使直至最終道次之前之輥之粗糙度相較比較例3、4平滑，故光澤度及I/I₀ 成為高於比較例3、4之值，但剪切帶之抑制依然不充分，上述面積率超過20%，碟型下陷之個數增加。再者，可認為於使直至接近最終道次之前之輥粗糙度為0.07μm之狀態下，存在使通板速度下降，以抑制剪切帶等之方法，但於此情形時光澤度超過300，故表面傷判定為×。

1．．．銅箔

2．．．螺釘

3．．．振動傳遞構件

4．．．振盪驅動體

RD．．．壓延平行方向

TD．．．壓延直角方向

G_RD 、G_TD 、G60_RD 、G60_TD ．．．光澤度

L₁ ～L₃ ．．．直線

H_M ．．．最大高度

H_S ．．．最小高度

Ry、Ra．．．表面粗糙度

d．．．平均值

di．．．最大高度與最小高度之差

I、I₀ ．．．強度

t．．．厚度

r．．．曲率半徑

圖1係表示銅箔表面之粗糙度與剪切變形帶之關係之圖。

圖2係表示油坑與光澤度之關係之圖。

圖3係表示相當於油坑最大深度之平均值d之測定法之圖。

圖4係表示實施例1之光學顯微鏡像之圖。

圖5係表示比較例3之光學顯微鏡像之圖。

圖6係表示實施例1之EBSD測定結果之圖。

圖7係表示比較例1之EBSD測定結果之圖。

圖8係表示藉由撓曲試驗裝置來測定撓曲疲勞壽命之方法之圖。

Claims

一種壓延銅箔，於壓延平行方向測得之表面根據JIS-Z8741之60度光澤度G60_RD 為100以上300以下、200℃加熱30分鐘調質為再結晶組織之狀態下，由壓延面之X射線繞射求得之(200)面之強度(I)相對於由微粉末銅之X射線繞射求得之(200)面之強度(I₀ )為I/I₀ ≧50，且在銅箔表面於壓延平行方向長度為175μm，且於壓延直角方向分別相隔50μm以上之3條直線上，相當於油坑(oil pit)最大深度之各直線之厚度方向的最大高度與最小高度之差的平均值d與該銅箔之厚度t之比率d/t為0.1以下，於壓延平行方向測得之表面之60度光澤度G60_RD 與於壓延直角方向測得之表面根據JIS-Z8741之60度光澤度G60_TD 之比率G60_RD /G60_TD 未達0.8。
如申請專利範圍第1項之壓延銅箔，其中，對該經200℃×30分鐘熱處理後之銅箔表面電解研磨後利用EBSD進行觀察時，自[100]方位之角度差為15度以上之晶粒之面積率為20%以下。
如申請專利範圍第1或2項之壓延銅箔，其中，將鑄塊於熱壓延後，反覆進行冷壓延與退火，最後進行最終冷壓延而製造，且於該最終冷壓延步驟中，於最終道次之前1道次之階段，於壓延平行方向測得之表面之60度光澤度G60_RD 超過300。