TWI416753B - A light emitting device and a semiconductor device and a manufacturing method thereof - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 55
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 68
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 68
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 26
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 18
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 7
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 22
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 22
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 210000001503 joint Anatomy 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- -1 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49111—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting two common bonding areas, e.g. Litz or braid wires
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
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- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
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- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/01004—Beryllium [Be]
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- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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Description
本發明係關於一種含有半導體元件之半導體裝置,尤其係關於一種使用發光元件作為半導體元件之發光裝置與其製造方法。
近年,隨著半導體裝置或發光裝置之高輸出化之進展,發光二極體(以下稱為LED)等半導體元件產生數瓦特左右之熱,有效散發由如此之半導體元件所放出之熱的技術變得越來越重要。圖7係表示專利文獻1中所揭示之先前之半導體裝置的剖面圖,該半導體裝置中,藉由將半導體元件安裝於散熱板之上並進行樹脂鑄模,而提高散熱效率。
再者,於圖7中,201係半導體裝置,202係內引腳,203係外引腳,204係導線架,205係接片,206係開口部,207係散熱板,208係半導體元件,209係導電性金屬線,210係絕緣性樹脂。
[專利文獻1]日本專利特開平10-12788號公報
然而,若以先前之半導體裝置之構造而構成使用有高輸出之發光元件作為半導體元件之發光裝置,則有以下問題,即有可能發生金屬線之截斷等,而無法確保較高之可靠性。
為達成以上目的,本發明之發光裝置之特徵在於包含:發光元件;散熱構件,其含有上表面與下表面,且於其上表面上搭載有上述發光元件;第1及第2引線;以及絕緣性樹脂,其將上述第1及第2引線遠離上述散熱構件而保持;上述第1引線之內引腳與第2引線之內引腳係保持在低於上述上表面且高於上述下表面之位置處。
又,本發明之發光裝置中,較好的是於上述散熱構件中進而含有嵌入外周之金屬接片,且上述金屬接片之表面低於上述散熱構件之上述上表面。
又,本發明之發光裝置中,亦可將半導體元件安裝於上述金屬接片之表面。
本發明之發光裝置中,上述絕緣性樹脂亦可含有導向壁,該導向壁係以如下方式而設定:包圍上述散熱構件之側面中位於上述第1內引腳與第2引線之內引腳以上之部分,且其頂端部低於上述散熱構件之上述上表面。
本發明之發光裝置中,可藉由上述導向壁與上述散熱構件之側面,形成包圍上述散熱構件之環狀凹部,使上述第1引線之內引腳之表面、上述第2引線之內引腳之表面以及上述金屬接片之表面位於上述凹部之底面上。
本發明之發光裝置中,亦可於上述散熱構件之上表面上形成收納上述發光元件之收納凹部。
本發明之發光裝置中,較好的是進而設有覆蓋上述發光元件之透光性被覆構件,且使該透光性被覆構件之表面之至少一部分為球面。
本發明之發光裝置中,較好的是於上述透光性被覆構件中,使上述球面下方之部分為圓柱形狀。
本發明之第1半導體裝置之特徵在於包含:半導體元件;散熱構件,其搭載有上述半導體元件;引線,其與上述半導體元件導通連接;接片,其形成有上述散熱構件所插入之開口部;以及絕緣性樹脂,其使上述引線之其中一端露出,且至少固定上述引線之一部分以及上述散熱構件;並且,於上述接片之開口部形成有緣部,且於形成有上述緣部之上述開口部,以使上述散熱構件之元件搭載部成為上表面之方式而安裝有上述散熱構件。藉此,可提供散熱效果良好之半導體裝置。又,藉由將散熱構件壓著於導線架之緣部而使其等成為一體,不對接片直接施加壓著時之應力而可防止導線架之變形。
較好的是,上述散熱構件之下表面自上述絕緣性樹脂露出。
較好的是,上述散熱構件之元件搭載部設有用以防止自上述接片脫落之凸部或凹部。
本發明之半導體裝置之製造方法包含如下步驟:形成框架部與自上述框架部向內側延伸之引線以及接片;於上述接片之區域內形成上下貫通之開口部;對上述開口部實施沖緣加工,形成自上述開口後部向上下方向中之任一方向延伸之緣部;將散熱構件插入上述開口部安裝上述接片與上述散熱構件;藉由絕緣性樹脂固定上述引線之一部分以及上述散熱構件;以及將半導體元件搭載於上述散熱構件中。藉此,由於藉由對導線架實施沖緣加工,而必然於開口部之散熱構件插入部處產生被稱為圓角之R,故而其成為插入散熱構件時之插入導向,因此無須外部導向而可將散熱構件插入開口部中,由於散熱構件與導線架之緣部進行面接觸,故而接觸面積較大,可實現散熱性之提高並且位置精度較優良。
本發明之第2半導體裝置包含:半導體元件;散熱構件,其搭載有上述半導體元件;引線,其與上述半導體元件導通連接;接片,其形成有上述散熱構件所插入之開口部;以及絕緣性樹脂,其使上述引線之其中一端露出,且至少固定上述引線之一部分以及上述散熱構件;並且,於上述接片上搭載有保護元件,上述保護元件與上述引線導通連接,於上述接片之開口部安裝有上述散熱構件。藉此,可提供散熱效果良好之半導體裝置。又,可經由搭載有保護元件之接片而與引線導通連接。
上述接片與上述引線不接觸。藉此,來自半導體元件之熱將難以傳達至引線,可降低因熱而導致之引線之電阻。
上述保護元件與上述引線以不橫穿上述半導體元件上方之方式而經由金屬線相導通連接。於以聚矽氧樹脂等被覆半導體元件時,對於因聚矽氧樹脂之膨脹以及收縮而易於發生金屬線之斷線之情形,藉由設為本結構可防止金屬線之斷線。又,可防止連接半導體元件及引線之金屬線與連接保護元件及引線之金屬線的短路。
上述接片與上述引線以不橫穿上述半導體元件上方之方式而經由金屬線相導通連接。藉此可防止金屬線之斷線。又,可防止連接半導體元件及引線之金屬線與連接保護元件及引線之金屬線的短路。
較好的是,上述散熱構件包含至少包含上段、中段及下段之階梯狀,且上述上段之大小與上述接片之開口部之大小大致相同或者為上述接片之開口部之大小以下。藉此可提高散熱構件與接片之固著力。
較好的是,上述散熱構件包含搭載有上述半導體元件之元件搭載部,上述元件搭載部較上述接片突出。當於半導體元件中使用發光二極體時,自發光二極體所出射之光不會被接片遮擋而可放出至外部。
較好的是,上述散熱構件包含搭載有上述半導體元件之元件搭載部,上述元件搭載部較上述絕緣性樹脂突出。又,當於半導體元件中使用發光二極體時,自發光二極體所出射之光不會被絕緣性樹脂遮擋而可放出至外部。
較好的是,上述散熱構件之側面設有用以防止上述接片脫落之凸部或凹部。藉此可防止接片之脫落,可降低連接半導體元件與引線之金屬線、連接保護元件與引線之金屬線之斷線。
較好的是,上述散熱構件之下表面自上述絕緣性樹脂露出。藉此可提高散熱性。
較好的是,於上述第1及第2半導體裝置中,上述半導體元件為發光二極體。
根據本發明,可提供一種可有效散發半導體元件所產生之熱,且可靠性優良之半導體裝置以及發光裝置與其製造方法。
以下,一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行說明。
使用圖式對實施形態之半導體裝置進行說明。圖1係表示實施形態之半導體裝置之平面圖。圖2係表示實施形態之半導體裝置之概略剖面圖。
此實施形態之半導體裝置係使用發光元件作為半導體元件之發光裝置,且以如下方式而構成。
於實施形態之半導體裝置中,發光元件110安裝於散熱構件107之上表面。又,環狀金屬接片105以其上表面低於散熱構件107之上表面之方式而嵌入散熱構件107之外周側面。進而,於金屬接片105之外側,第1引線23a與第2引線23b藉由絕緣性樹脂遠離金屬接片105而保持。此時,第1引線23a之內引腳102a與第2引線23b之內引腳102b保持在低於散熱構件107之上表面且高於散熱構件107之下表面之位置處。以如此之方式,於實施形態之發光裝置中,分別連接有金屬線之金屬接片105之上表面、內引腳102a之上表面及內引腳102b之上表面低於散熱構件107之上表面。
又,絕緣性樹脂115包含導向壁,該導向壁包圍散熱構件107之外周側面中位於內引腳102a之上表面及內引腳102b之上表面以上之部分,且藉由該導向壁以及散熱構件之外周側面,而形成包圍散熱構件107之凹部。於該凹部之底面上,露出有內引腳102a之表面、內引腳102b之表面以及上述金屬接片之表面,於該露出之部分上可分別進行連接以及進行半導體元件(發光元件以外之半導體元件)之安裝。該實施形態之半導體裝置中,於露出於凹部內之金屬接片上設有保護元件(曾納二極體)111,以使發光元件上不會承受高電壓。該實施形態中,絕緣性樹脂115之導向壁,以其頂端部低於散熱構件107之上表面之方式而形成,藉此,自安裝於散熱構件107之上表面之發光元件110之側面所出射之光不會被絕緣性樹脂之導向壁遮擋。
如上所述,於配置有散熱構件107、發光元件110、第1及第2引線23a、23b以及金屬接片105之實施形態之發光裝置中,藉由打線接合而進行特定之配線。
露出於凹部之底面的內引腳102a與發光元件110之其中一個電極藉由金屬線而連接。
發光元件110之另一個電極與露出於凹部之底面的內引腳102b藉由金屬線而連接。
露出於凹部之底面的內引腳102a與形成於保護元件111之上表面的電極藉由金屬線而連接。
再者,形成於保護元件111之下表面的電極例如藉由導電性接著劑等而連接於金屬接片105。
露出於凹部之底面的內引腳102b與金屬接片105藉由金屬線而連接。
藉由以上述方式進行配線,於第1引線23a與第2引線23b之間並聯連接有作為保護元件111之曾納二極體與發光元件。
而且,於實施形態之發光裝置中,設有圓頂形狀之透光性樹脂以覆蓋發光元件110及金屬線。該透光性樹脂亦填充於槽之內部,且露出於槽之底面的金屬接片、露出於凹部之底面的內引腳102a、露出於凹部之底面的內引腳102b以及保護元件111亦由透明樹脂所覆蓋。
再者,散熱構件107例如以如下方式而設置,即,當發光裝置安裝於基板上時,散熱構件107之下表面直接接觸於基板。亦即,散熱構件107之下表面與外引腳之下表面位於大致同一平面上。
以上述方式所構成之實施形態之發光裝置,在將發光元件110直接安裝於散熱構件上且發光裝置安裝於基板上時,散熱構件107之下表面107e直接接觸於基板,故而可獲得良好之散熱特性。
如上所述,本實施形態之發光裝置中,由於第1引線33a之內引腳102a與第2引線23b之內引腳102b配置在低於搭載有發光元件110之散熱構件107的上表面107a之位置處而進行連接,因此金屬線可難以受到因透光性被覆構件116之熱(溫度變化)所導致之膨脹.伸縮之影響(應力)。因此,本實施形態之發光裝置可防止金屬線之斷線而可獲得較高之可靠性。
又,實施形態之發光裝置中,由於以導向壁之頂端部低於散熱構件107之上表面107a之方式而形成有絕緣性樹脂,因此不會遮擋發光元件110所發出之光而可使其放出至透光性樹脂116之外部。
以下,對實施形態之發光裝置中的各構成要素亦包含製造方法進行詳細說明。
於實施形態中,分別包含內引腳與外引腳之第1及第2引線與含有開口部106之金屬接片105係藉由對金屬薄板材進行穿孔加工而製作。
又,散熱構件107含有相互對向之上表面107a及下表面107e、以及含有第1臺階107b及第2臺階107c之外周側面,例如,其係藉由透過壓製成形使由銅所構成之圓柱形狀原材料變形而加以製作。
繼而,於該金屬接片105之開口部106中,插入散熱構件107之位於第1臺階107b以上之部分。進而,將第1及第2引線23a、23b配置於成型模具內之特定位置處,並將絕緣性樹脂射出至(射出成形)模穴內。以如此之方式,使第1引線23a與第2引線23b在藉由絕緣性樹脂115而與金屬接片105及散熱構件107電性隔離之狀態下保持於金屬接片105之外側。再者,於實施形態中,內引腳102以藉由絕緣性樹脂115電性隔離之方式而設於第2臺階107c之上方。
再者,於本說明書中,僅稱為內引腳102之情形時,包含內引腳102a與內引腳102b兩者。
以上述方式配置金屬接片105與第1及第2引線23a、23b之後,將發光二極體110搭載於散熱構件107之上表面(元件搭載部)107a上,將保護元件111搭載於金屬接片105上,藉由打線接合而實施特定之配線。
具體而言,發光二極體110與內引腳102之間、保護元件111與內引腳102a之間、金屬接片105與內引腳102b之間經由金屬線而導通連接。
再者,將引線之自絕緣性樹脂115向外側延伸之一側稱為外引腳,將由絕緣性樹脂115所內包之一側稱為內引腳。
繼而,發光二極體110藉由透光性被覆構件116而被覆。
此時,透光性被覆構件116形成為填充於散熱構件107周圍之凹部且覆蓋成型樹脂115之導向壁之半球形狀,該半球形狀之曲率係以可獲得所期望之定向特性之方式而設定。
以上之結構中,散熱構件107與金屬接片105並不與內引腳102接觸。藉此可隔離散熱路徑與電氣路徑。
較好的是,金屬接片105如該實施形態所示,於中央附近含有開口部106,進而,較好的是,開口部106之形狀係與散熱構件107之形狀相嵌合的形狀。然而,本發明並不限定於此,可根據目的而採用其他形狀。又,開口部106之形狀,例如可採用自上方觀察呈圓形、橢圓形狀、正方形、長方形等之形狀。又,金屬接片105與散熱構件107相接觸。金屬接片105之形狀只要是將安裝散熱構件107之部分開口之形狀即可,例如可採用自上方觀察呈C型、U型等之形狀。
較好的是,散熱構件107如本實施形態所示,含有至少包含上表面(相當於元件搭載部107a)、中段(第1臺階)107b以及下段(第2臺階)107c之階梯狀。較好的是,形成自上表面107a朝向下段(第2臺階)107c擴展之形狀。較好的是,上表面107a之大小(面積)與接片105之開口部106之大小(面積)大致相同或為開口部106之大小以下。藉由使上表面107a之大小與開口部106之大小大致相同,可防止散熱構件107之脫落。藉由於散熱構件107中設置中段(第1臺階)107b,可防止自金屬接片105脫落。又,本發明中,如圖2所示,較好的是於散熱構件107之側面,於中段107b之正上形成凸部,藉此,可由該凸部與中段107b夾持接片105。又,藉由設置中段107b,可增大散熱構件107與接片105之接觸面積。藉由設置散熱構件107之下段107c,可使散熱構件107不會接觸於內引腳102,而可擴大與絕緣性樹脂115之接觸面積。
較好的是,散熱構件107之上表面(元件搭載部)107a如實施形態所示較接片105突出。將發光二極體110搭載於元件搭載部107a中,並將保護元件111搭載於接片105上,藉此,保護元件111不會遮擋來自發光二極體110之光。又,可進一步有效防止散熱構件107自接片105脫落。
較好的是,散熱構件107之元件搭載部107a如實施形態所示較絕緣性樹脂115突出。自發光二極體110在橫方向所出射之光不會被絕緣性樹脂115遮擋而可放出至外部。
較好的是,散熱構件107之側面107d如實施形態所示,設有用以防止接片105之脫落之凸部或凹部。其係如實施形態中半導體裝置之製造方法所說明般,自散熱構件107之上方利用沖頭等施加機械壓力,而於側面107d上形成凸部。除了對散熱構件107進行加工以外,亦可利用其他構件設置防止接片105之脫落之環。又,藉由於散熱構件107之側面,於107d上設置凹部,於所對應之接片105上設置凸部,可防止散熱構件107自接片105脫落。
較好的是,散熱構件107之下表面107e如實施形態所示自絕緣性樹脂115露出。其原因在於可提高散熱性。又,藉由使散熱構件107之下表面107e與外引腳103為相同高度,亦可提高半導體裝置100之穩定性。
實施形態中,保護元件111與內引腳102係以金屬線相導通連接,但該金屬線係以不橫穿發光二極體110上方之方式而進行連接。因此,利用連接保護元件111與內引腳102之金屬線,可不遮擋發光元件所發出之光,且可防止金屬線之斷線。又,實施形態中,保護元件111與內引腳102以最短距離相導通連接。藉此,可進一步有效防止金屬線之斷線。例如,當於被覆構件116中使用樹脂之情形,於樹脂硬化時等施加有應力。當金屬線橫穿發光二極體110之上方之情形,有時樹脂硬化時等之應力會變大,可能會發生金屬線之斷線。又,由於不橫穿發光二極體110之上方,故而亦可防止來自發光二極體110之金屬線與來自保護元件111之金屬線的短路。
實施形態中,金屬接片105與內引腳102係以不橫穿發光二極體110上方之方式而經由經連接之金屬線相導通連接。由於金屬接片105配置於散熱構件107之外周,且於其外側配置有內引腳102,故而可易於導通連接保護元件111與內引腳102。
實施形態中,被覆構件116係以樹脂直接被覆發光二極體110,但亦可取代上述方式,而以中空之遮罩進行被覆。較好的是,被覆構件116係設為透鏡形狀。
可提供如上所述之半導體元件110。
實施形態中,於半導體元件中使用發光二極體110,但本發明並不限定於發光二極體,亦可使用其他半導體元件而構成。
本發明之變形例1之發光裝置除了以下部分以外,與實施形態同樣形成,即:(1)散熱構件107含有收納發光元件110之收納凹部107r;(2)透光性被覆構件216之形狀與透光性被覆構件116不同;(3)金屬接片上並未設有保護元件111(圖3)。
再者,本變形例1之發光裝置例如係使用耐電壓特性良好之紅色發光元件之發光裝置,且不具備保護元件111。
以下,對與實施形態不同之處進行說明。
首先,變形例1之發光裝置中,於散熱構件107上形成有收納凹部107r,而將發光元件110搭載於該收納凹部107r之底面。
又,變形例1之發光裝置中,透光性被覆構件216包含表面為球面且發揮透鏡功能之透鏡部、及位於上述球面以下之圓柱形狀部,藉由設置該圓柱形狀部,可進行高精度的安裝。
亦即,當藉由安裝機來安裝發光裝置時,將吸附噴嘴之頂端形狀(吸附面)設為含有與圓柱形狀部之外周面216s相對應之內周面之形狀,藉此,可無傾斜地吸附發光裝置,而可提高安裝精度。
本發明之發光裝置中,亦可於金屬接片中形成緣部。
以下,對變形例2之發光裝置中之導線架與散熱構件之部分進行詳細說明。
圖4A係表示變形例2之導線架之正面圖,圖4B係沿圖4A之A-A'線之剖面圖。
對金屬薄板材進行穿孔而形成之導線架1如圖4A所示,包含:內引腳2;與內引腳2相導通連接之外引腳3;以及用以相互固定外引腳3之分流條4。
再者,於本說明書中,將內包於樹脂密封中之部分設為內引腳2,將自樹脂密封露出之部分設為外引腳3。又,分流條4係用以於密封前接合在進行樹脂密封之後隔離並去處之各引線的輔助機構。
於導線架1之大致中央設置接片5,於接片5之中央部形成開口部6。含有銅、銅合金、鋁或陶瓷等熱傳導性優良之原材料之散熱構件7插入開口部6中進行安裝。
此時,對接片5之開口部6實施被稱為去毛頭之壓製加工而形成緣部5a。亦即,接片5包含緣部5a及筒狀部分5b。
藉由如此般由緣部5a與筒狀部分5b構成接片5,可增大散熱構件7與接片5之接觸面積,故而可使由安裝於散熱構件中之半導體元件(未圖示)所產生之熱經由散熱構件7及接片5兩條路徑而有效地散發至外部。
進而,亦可藉由壓低而將接片5下壓至導線架1更下方。
藉此,可提高下述打線接合性。
散熱構件7以元件搭載部7a為上表面而安裝於接片5之開口部6中。於元件搭載部7a上搭載有半導體元件,且半導體元件與內引腳2經由金屬線等相導通連接。
於搭載半導體元件之前或者搭載之後,至少以絕緣性樹脂(未圖示)固定內引腳2與散熱構件7。
藉此可提供散熱效果優良之半導體裝置。
圖5A~圖5E係沿變形例2之導線架之製造步驟流程的剖面圖。圖6A以及圖6B係變形例2之接片與散熱構件之概略剖面圖。
於圖5A~圖5E中,對於與圖4A及圖4B相同之構成要素使用有相同的符號,故而省略說明。
藉由對金屬薄板材(未圖示)進行壓製加工或蝕刻加工,形成內引腳2、外引腳3、分流條、接片5、開口部6。此時,開口部6與之後所插入之散熱構件7之形狀吻合而形成為圓形或四邊形。
藉由壓製加工而對開口部6實施沖緣加工。此時,於開口部6中藉由沖緣加工而形成自開口部6向上或下中之任一方向延伸之緣部5a。又,緣部5a可與圓筒部5b成直角,亦可傾斜,可進行適當選擇。藉此,之後所插入之散熱構件7之插入性提高且密著性提高優良。
又,亦可藉由壓低而將接片5下壓至導線架更下方。此時,若壓低接片5以使之後所插入之散熱構件7上表面與導線架1成為大致相同平面,則打線接合性優良。
變形例2中,將包含一個段差部且形成為T字形之散熱構件7插入開口部6中進行安裝。此處,散熱構件7係藉由沖頭8而對上表面實施衝擊加工,從而利用散熱構件7對接片5進行縮壓填縫。
以下,一面參照圖6A以及圖6B,一面對插入散熱構件7並進行填縫之步驟進行詳細說明。
進行填縫之模具含有剖面觀察形成為八字形狀之沖頭8以及包含平坦部之底模9。
使底模9抵接於散熱構件7之下表面,於上表面,以沖頭8之形成為八字形狀之傾斜面對散熱構件7之上表面周邊緣部施加壓力而進行縮壓填縫。
根據如此之方法,藉由形成於沖頭8上之傾斜面,於縮壓時加壓力施加於接片5之中心,可提高散熱構件7之位置精度。
利用沖頭8對散熱構件7之周緣部(側面)進行縮壓,藉此使散熱構件7之一部分壁自散熱構件7之邊緣部逸至接片5上而抵壓於緣部5a。以如此之方式,將散熱構件7與接片5進行填縫。藉此,於散熱構件7上,於元件搭載面上設置凸部。
其後,將內引腳2與散熱構件7配置於特定之模具內並注入絕緣性樹脂材料,使其硬化,藉此而藉由絕緣性樹脂固定內引腳2與散熱構件7(未圖示)。繼而,將半導體元件搭載於散熱構件7之元件搭載部7a上。
然而,亦可在將半導體元件搭載於散熱構件7之元件搭載部7a上之後,將內引腳2與散熱構件7配置於特定之模具內並注入絕緣性樹脂材料,使其硬化,從而藉由絕緣性樹脂固定內引腳2與散熱構件7。
如上所述,本變形例2中,於導線架之接片內部設置有保留接片之外周框而實施有沖緣加工之開口部6,將散熱構件7插入開口部6中,並自散熱構件7之上表面利用沖頭8等施加機械壓力而將散熱構件7壓著於沖緣加工部上部。藉由如此般實施沖緣加工,可降低壓著時施加至導線架之壓力,不會使導線架產生變形,而可使散熱構件7與導線架為一體。
又,當對導線架實施沖緣加工時,於開口部6之插入有散熱構件7之部分中必然產生被稱為圓角之R。該R成為插入散熱構件7時之插入導向,因此在插入散熱構件7時無須特別之外部導向。藉此可實現成本之降低。
進而,在將散熱構件7插入實施有沖緣加工之開口部6中時,由於散熱構件7與導線架之接觸面積變大,故而可抑制散熱構件7之搖晃,可防止散熱構件7相對於開口部6之垂直方向之傾斜,可提高位置精度。
進而,由於散熱構件7與導線架之接觸面積較大,故而可實現散熱性之提高。
以上之實施形態及變形例1、2中,對於使用發光元件作為半導體元件之示例進行了說明,但本發明並不限定於發光元件,例如,亦可使用功率電晶體等其他半導體元件而構成半導體裝置。
本發明之半導體裝置可利用於照明或大型背光單元、集中光源方式信號燈機等中。
1...導線架
2、102...內引腳
3、103...外引腳
4...分流條
5、105...接片
5a...緣部
6、106...開口部
7、107...散熱構件
7a、107a...元件搭載部
8...沖頭
9...底模
100...發光裝置
107a...元件搭載部(上表面)
107b...中段
107c...下段
107d...側面
107e...下表面
110...發光二極體
111...保護元件
115...絕緣性樹脂
116...透光性被覆構件
圖1係表示本發明實施形態之發光裝置之結構的正面圖。
圖2係表示實施形態之發光裝置之結構的概略剖面圖。
圖3係表示本發明變形例1之發光裝置之結構的剖面圖。
圖4A係表示變形例2之導線架之正面圖。
圖4B係沿圖4A之A-A'線之剖面圖。
圖5A係變形例2之導線架之製造步驟流程之第1步驟中的剖面圖。
圖5B係變形例2之導線架之製造步驟流程之第2步驟中的剖面圖。
圖5C係變形例2之導線架之製造步驟流程之第3步驟中的剖面圖。
圖5D係變形例2之導線架之製造步驟流程之第4步驟中的剖面圖。
圖5E係變形例2之導線架之製造步驟流程之第5步驟中的剖面圖。
圖6A係表示於變形例2中使散熱構件變形之步驟之情形的剖面圖。
圖6B係於變形例2中使散熱構件變形之後的剖面圖。
圖7係表示先前之半導體裝置的剖面圖。
23a...第1引線
23b...第2引線
100...半導體裝置
102a...第1引線之內引腳
102b...第2引線之內引腳
103a...第1引線之外引腳
103b...第2引線之外引腳
105...金屬接片
106...開口部
107...散熱構件
110...發光元件
111...保護元件
115...絕緣性樹脂
116...透光性被覆構件
Claims (19)
- 一種發光裝置,其特徵在於包含:發光元件;散熱構件,其含有上表面與下表面,且於其上表面上搭載有上述發光元件;第1及第2引線;絕緣性樹脂,其將上述第1及第2引線離開上述散熱構件而保持;金屬接片,其嵌入於上述散熱構件之外周,且其表面低於上述散熱構件之上述上表面;及半導體元件,其安裝於上述金屬接片之表面;上述第1引線之內引腳與第2引線之內引腳保持在低於上述上表面且高於上述下表面之位置處。
- 如請求項1之發光裝置,其中上述絕緣性樹脂含有導向壁,該導向壁包圍上述散熱構件之外周側面中位於上述第1引線之內引腳與第2引線之內引腳之上方的部分,且該導向壁之頂端部位於上述散熱構件之上述上表面以下。
- 如請求項2之發光裝置,其中藉由上述導向壁及上述散熱構件之外周側面,而形成有包圍上述散熱構件之環狀凹部,且上述第1引線之內引腳之表面、上述第2引線之內引腳之表面以及上述金屬接片之表面係位於上述凹部之底面。
- 請求項3之發光裝置,其中於上述散熱構件之上表面形成有收納上述發光元件之收納凹部。
- 如請求項3之發光裝置,其進而含有覆蓋上述發光元件之透光性被覆構件,該透光性被覆構件之表面之至少一部分為球面。
- 如請求項5之發光裝置,其中於上述透光性被覆構件中,上述球面以下之部分為圓柱形狀。
- 一種半導體裝置,其特徵在於包含:半導體元件;散熱構件,其搭載有上述半導體元件;引線,其與上述半導體元件導通連接;接片,其形成有上述散熱構件所插入之開口部;及絕緣性樹脂,其使上述引線之其中一端露出,且至少固定上述引線之一部分以及上述散熱構件;上述接片係由緣部及筒狀部所構成,且於上述接片之上述開口部中,上述散熱構件係以被上述筒狀部所包圍,且其元件搭載部係成為上表面之方式被安裝。
- 如請求項7之半導體裝置,其中上述散熱構件之下表面自上述絕緣性樹脂露出。
- 如請求項7或8之半導體裝置,其中上述散熱構件之元件搭載部設有用以防止自上述接片脫落之凸部或凹部。
- 一種半導體裝置之製造方法,其特徵在於包含如下步驟: 形成框架部與自上述框架部向內側延伸之引線及接片;於上述接片之區域內形成上下貫通之開口部;對上述開口部實施沖緣加工,形成自上述開口後部向上下方向中之任一方向延伸之緣部;將散熱構件插入上述開口部,安裝上述接片與上述散熱構件;藉由絕緣性樹脂而固定上述引線之一部分以及上述散熱構件;以及將半導體元件搭載於上述散熱構件中。
- 一種半導體裝置,其特徵在於含有:半導體元件;散熱構件,其搭載有上述半導體元件;引線,其與上述半導體元件導通連接;接片,其形成有上述散熱構件所插入之開口部;及絕緣性樹脂,其使上述引線之其中一端露出,且至少固定上述引線之一部分及上述散熱構件;於上述接片上搭載有保護元件,且上述保護元件與上述引線相導通連接,於上述接片之開口部安裝有上述散熱構件。
- 如請求項11之半導體裝置,其中上述接片與上述引線不接觸。
- 如請求項11或12之半導體裝置,其中上述保護元件與上述引線以不橫穿上述半導體元件上方之方式而經由金屬 線相導通連接。
- 如請求項12之半導體裝置,其中上述接片與上述引線以不橫穿上述半導體元件上方之方式而經由金屬線相導通連接。
- 如請求項12之半導體裝置,其中上述散熱構件含有至少包含上段、中段及下段之階梯狀,且上述上段之大小與上述接片之開口部之大小大致相同或者小於上述接片之開口部之大小。
- 如請求項15之半導體裝置,其中上述散熱構件含有搭載有上述半導體元件之元件搭載部,且上述元件搭載部較上述接片突出。
- 如請求項15之半導體裝置,其中上述散熱構件含有搭載有上述半導體元件之元件搭載部,且上述元件搭載部較上述絕緣性樹脂突出。
- 如請求項15之半導體裝置,其中上述散熱構件之側面設有用以防止上述接片之脫落之凸部或凹部。
- 如請求項15之半導體裝置,其中上述散熱構件之下表面自上述絕緣性樹脂露出。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005357200 | 2005-12-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200729555A TW200729555A (en) | 2007-08-01 |
TWI416753B true TWI416753B (zh) | 2013-11-21 |
Family
ID=38162715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW095140041A TWI416753B (zh) | 2005-12-12 | 2006-10-30 | A light emitting device and a semiconductor device and a manufacturing method thereof |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7910946B2 (zh) |
EP (1) | EP1970968B1 (zh) |
JP (1) | JP5228489B2 (zh) |
KR (1) | KR101101476B1 (zh) |
CN (1) | CN101326648B (zh) |
TW (1) | TWI416753B (zh) |
WO (1) | WO2007069399A1 (zh) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100904152B1 (ko) | 2006-06-30 | 2009-06-25 | 서울반도체 주식회사 | 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지 |
KR100880638B1 (ko) * | 2007-07-06 | 2009-01-30 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 |
JP2009200209A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Anritsu Corp | 半導体レーザ用パッケージおよび半導体レーザモジュール |
KR101257581B1 (ko) * | 2008-11-07 | 2013-04-23 | 도판 인사츠 가부시키가이샤 | 리드 프레임 및 그 제조 방법 및 그것을 이용한 반도체 발광 장치 |
JP2010129923A (ja) * | 2008-11-28 | 2010-06-10 | Showa Denko Kk | 発光部材、発光装置、照明装置、バックライト装置および発光部材の製造方法 |
JP5496570B2 (ja) | 2009-08-05 | 2014-05-21 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
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- 2006-10-27 KR KR1020087016866A patent/KR101101476B1/ko active IP Right Grant
- 2006-10-27 CN CN2006800465040A patent/CN101326648B/zh active Active
- 2006-10-27 JP JP2007550093A patent/JP5228489B2/ja active Active
- 2006-10-27 EP EP06822497.1A patent/EP1970968B1/en active Active
- 2006-10-27 WO PCT/JP2006/321536 patent/WO2007069399A1/ja active Application Filing
- 2006-10-27 US US12/097,208 patent/US7910946B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-30 TW TW095140041A patent/TWI416753B/zh active
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---|---|
JP5228489B2 (ja) | 2013-07-03 |
WO2007069399A1 (ja) | 2007-06-21 |
EP1970968A1 (en) | 2008-09-17 |
CN101326648B (zh) | 2010-05-19 |
KR101101476B1 (ko) | 2012-01-03 |
EP1970968B1 (en) | 2016-07-06 |
US20090289268A1 (en) | 2009-11-26 |
JPWO2007069399A1 (ja) | 2009-05-21 |
CN101326648A (zh) | 2008-12-17 |
EP1970968A4 (en) | 2010-08-25 |
KR20080080169A (ko) | 2008-09-02 |
US7910946B2 (en) | 2011-03-22 |
TW200729555A (en) | 2007-08-01 |
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