TWI411698B - 濺鍍靶材及由此製得之濺鍍靶 - Google Patents

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Description

濺鍍靶材及由此製得之濺鍍靶
本發明係有關以對角落部施作倒角處理為特徵之濺鍍靶材、及由此製得之濺鍍靶。
以往，就在製造例如半導體等電子零件用材料及電氣零件用材料之際所使用的成膜法而言，廣泛採用能夠容易控制膜厚及成分的濺鍍法。就此種濺鍍法中所使用的濺鍍靶而言，一般係使用將由欲形成薄膜的材料所構成的濺鍍靶材與由具有優異的導電性及熱傳導性的材質所構成的底板(backing plate)藉由接合(bonding)材予以接合而成者。
在使用濺鍍靶進行濺鍍處理之際，理想上應儘可能減少電弧作用(arcing)的發生以進行穩定的成膜。此外，在製造濺鍍靶材之際亦要求藉由抑制該靶材的破裂或龜裂(crack)的發生來獲得良好的良率。
就能夠達到該些要求的靶材而言，於後述之專利文獻1至3係揭示有對邊緣部施作倒角處理的靶材。該些靶材的任一者皆例如對由濺鍍面與如側面之兩面所構成的邊緣部施作有倒角處理。然而，雖然該些靶材具有或多或少的改善效果，但依然無法能確實地減少電弧作用的發生。此外，在製造該些靶材之際，並無法充分地抑制靶材的破裂或龜裂的發生。
專利文獻1：日本特開平11-61395號公報
專利文獻2：日本特開2000-345326號公報
專利文獻3：日本特開2003-55763號公報
本發明乃鑒於上述情事而研創者，其目的在於提供一種能夠確實地減少電弧作用的發生、且不易發生破裂或龜裂的濺鍍靶材、及具備有此種濺鍍靶材的濺鍍靶。
本發明的濺鍍靶材係具有矩形狀的濺鍍面、矩形狀的側面及矩形狀的接合面之大致板狀者，其中，由該濺鍍靶材所具有的複數個面之中的至少3個面抵接所形成的角落部係具有施作倒角處理而成的形狀。
前述倒角處理可為C倒角處理，亦可為R倒角處理。
上述倒角處理可施作於形成在濺鍍面側的角落部，亦可施作於形成在接合面側的角落部。
並且在前述濺鍍靶材中，亦可對由2個面抵接所形成的邊緣部施作倒角處理。
本發明的濺鍍靶係將前述濺鍍靶材與底板藉由接合材接合而成。
此外，在上述濺鍍靶中，可並排設置複數個前述濺鍍靶材。
本發明的濺鍍靶材係對構成該濺鍍靶材的複數個面之中的至少3個面抵接所形成的角落部施作有倒角處理，因此在成為發生電弧作用之主要起點的角落部不具有尖形狀部。因此，只要使用本發明濺鍍靶材，便有效地抑制起因於角落部的電弧作用的發生，從濺鍍靶整體觀之電弧作用的發生亦明顯減少。
此外，若使用本發明的濺鍍靶材，便能夠抑制起因於電弧作用的發生之龜裂或破裂的發生，而能夠使濺鍍靶材的利用效率格外提升。
結果，便能夠實現穩定的成膜製程。
並且，濺鍍處理的電漿並不僅在濺鍍面亦會繞行至側面，在此種情形下會有起因於接合面側的角落部的電弧作用發生之虞。而若使用對接合面側的角落部施作有倒角處理的本發明的濺鍍靶材，便能夠抑制此種電弧作用的發生，而亦能夠有效地防止因電弧作用的撞衝而導致的龜裂及破裂的發生。
此外，本發明的濺鍍靶材亦能夠有效地防止起因於存在於角落部的尖形狀部的真空包裝的破損。
以下，依據需要一邊參照圖式一邊對本發明的濺鍍靶材及使用該濺鍍靶材製造的濺鍍靶進行詳細說明。
在本說明書中，「倒角處理」係指在面與面的交會所形成的角形成出斜面或圓弧之處理。單純以「倒角處理」稱之時，嚴格來說並未限定該處理所形成的角部的形狀。但以「C倒角處理」及「R倒角處理」稱之時，各者的處理所形成的角部的形狀係限定為各別規定的形狀。
C倒角處理係指將面與面抵接的部分以預定的角度進行切削的加工處理，而預定的角度係通常為相對於抵接的面成45±15°。Cα% 的C倒角處理係指，自抵接的各者的面起的長度相對於濺鍍靶的厚度之比例(%)為α的C倒角處理。例如C50% 係指，在濺鍍靶的厚度為10mm時，在自抵接的各者的面起5mm處切削出45±15°的角度之C倒角處理。
Ca的C倒角處理係指在自抵接的各者的面起的長度為amm處以預定的角度進行切削的加工處理，例如C3係指，自抵接的各者的面起的長度為3mm處以預定的角度進行切削的加工處理半徑。預定的角度係一般為45±15°。
R倒角處理係指使面與面抵接的部分形成為圓弧狀的加工處理。Rβ% 的R倒角處理係指，半徑的長度相對於濺鍍靶的厚度之比例(%)為β的加工出圓弧狀的R倒角處理。例如R50% 係指，在濺鍍靶的厚度為10mm時，加工出半徑5mm的圓弧形狀的R倒角處理。
Rb的R倒角處理係指加工出半徑bmm的圓弧狀的R倒角處理，例如R3係指加工出半徑3mm的圓弧狀的R倒角處理。
<濺鍍靶材>
第1圖係本發明的濺鍍靶材的一例的濺鍍靶材1之斜視圖。如第1圖所示，濺鍍靶材1係為具有矩形狀的濺鍍面2、矩形狀的側面3及矩形狀的接合面4之大致板狀的濺鍍靶材。
濺鍍靶材1的特徵在於，由構成濺鍍靶材1的該些複數個面之中的至少3個面抵接所形成的角落部A係具有施作倒角處理而成的形狀。
第2圖係大致板狀的一般的機械加工零件的斜視圖。在機械加工零件等中，「邊緣部」係指兩個面交會的部分，於第2圖係顯示有邊緣部20。在機械加工零件等中，「角落部」係指含有3個面的交點之部位，於第2圖係顯示有角落部22。該些之定義係為依據JIS B0051-2004者。
濺鍍靶材1的角落部A係為濺鍍面2、接合面4之與側面3的任3個面抵接之部分，並施作有倒角處理。此種角落部在未施作有倒角處理時，此角落部係呈現含有3個面的緣部之交點的三角錐狀。當進行濺鍍處理時，若在濺鍍靶材存在有此種的三角錐狀的角落部，則電弧作用的發生率會起因於該形狀而變得非常高。即使此種的電弧作用所產生的撞擊很小，仍會有於濺鍍靶材造成缺損之虞。此外，若所產生的撞擊很大，則會有濺鍍靶材破裂之虞。
本發明濺鍍靶材係藉由對該角落部A施作倒角處理而將可能存在於角落部的三角錐狀部去除，使濺鍍處理時的電弧作用的發生大幅減少，且能夠防止濺鍍靶材的缺損及破裂。
具體上，此種的倒角處理可為C倒角處理，亦可為R倒角處理。
例如，於第3圖顯示對角落部A施作有C倒角處理的本發明的濺鍍靶材1的放大斜視圖。第3圖係施作有C倒角處理的濺鍍靶材1之圖，其中，第3圖(a)係為以C1且以45°進行切削的C倒角處理之圖，第3圖(b)係為以C2且以45°進行切削的C倒角處理之圖，第3圖(c)係為以C3且以45°進行切削的C倒角處理之圖。此時的濺鍍靶材1的厚度皆為10mm。
如上所述，C倒角處理係指將由構成該濺鍍靶材1的複數個面之中的至少3個面抵接所形成的角落部A以預定的角度進行切削的加工處理。預定的角度通常係為45±15°，較佳為45°。在施作有如此的處理時，能夠將由3個面抵接而形成在角落部A的三角錐狀去除而成為平面形狀，而能夠有效地防止起因於位於角落部A的三角錐狀而發生的電弧作用。雖然第3圖(a)至第3圖(c)皆係未對邊緣部20施作有倒角處理之例，但由能夠從鄰接於角落部A的部位去除尖狀部的觀點來看，較佳為也對該些邊緣部20施作倒角處理。
此種C倒角處理係依濺鍍靶材1的厚度d而亦能夠變動，而在濺鍍靶材1的厚度d為2mm至20mm左右時，較佳為Cα% (α通常表示3至80之數字，較佳為表示3至50之數字)的C倒角處理。Cα% 的C倒角處理係為在由3個面抵接所形成的角落部A中，藉由進行C倒角處理而新形成的三角形狀的面的各邊的長度相對於濺鍍靶材1的厚度d成為α%之C倒角處理。因此，前述Cα% (α通常表示3至80之數字，較佳為表示3至50之數字)的C倒角處理係指，自抵接的各者的面起的長度1相對於濺鍍靶材1的厚度d的比例(%)亦即藉由進行C倒角處理而新形成的三角形狀的面的各邊的長度1相對於濺鍍靶材1的厚度d的比率，通常為3(%)至80(%)、較佳為3(%)至50(%)之C倒角處理。具體而言，例如在濺鍍靶材1的厚度d為10mm時，C10% 係指，自抵接的各者的面起的長度亦即藉由進行C倒角處理而新形成的三角形狀的面的各邊的長度1成為1mm之C倒角處理。
此外，此種的C倒角處理亦可為C0.3至C5的C倒角處理。C0.3至C5的C倒角處理係指，自抵接的各者的面起的長度亦即藉由進行C倒角處理而新形成的三角形狀的面的各邊的長度1成為0.3mm至0.5mm之C倒角處理。例如，C倒角處理係依濺鍍靶材1的厚度d而能夠變動，而對於厚度5mm的濺鍍靶材1則較佳為C0.3至C4的C倒角處理，對於厚度10mm的濺鍍靶材1則較佳為C0.3至C5的C倒角處理。
具體上，此種的C倒角處理係例如藉由使用磨石或砂紙的手工作業、平面磨床、雷射加工、機械加工、NC銑削、磨機(grinder)、或者放電加工的方法來施作。
此外，於第4圖顯示對角落部A施作有R倒角處理的濺鍍靶材1的放大顯示圖。第4圖(a)係施作有R1的R倒角處理之圖，第4圖(b)係施作有R2的R倒角處理之圖，第4圖(c)係施作有R3的R倒角處理之圖。此時的濺鍍靶材1的厚度皆為10mm。
如上所述，R倒角處理係指將由構成該濺鍍靶材1的複數個面之中的至少3個面抵接所形成的角落部A作成為圓弧狀的加工處理。在施作有如此的處理時，能夠將由3個面抵接而形成在角落部A的三角錐狀去除而作成為曲面狀，而能夠有效地防止起因於位於角落部A的三角錐狀部而發生的電弧作用。雖然第4圖(a)至第4圖(c)皆係未對邊緣部20施作有倒角處理之例，但由能夠從鄰接於角落部A的部位去除尖狀部的觀點來看，較佳為也對該些邊緣部20施作倒角處理。
此種R倒角處理係依濺鍍靶材1的厚度d而亦能夠變動，而在濺鍍靶材1的厚度d為2mm至20mm左右時，較佳為Rβ% (β通常表示3至80之數字，較佳為表示3至50之數字)的R倒角處理。該倒角處理係指，半徑r的長度相對於濺鍍靶材1的厚度d的比例(%)通常為3(%)至80(%)、較佳為3(%)至50(%)之R倒角處理。在此，例如在濺鍍靶材1的厚度d為10mm時，R10% 係指加工出半徑r的長度為1mm的圓弧狀之處理。因此，就前述倒角處理而言，在濺鍍靶材1的厚度為5mm時，較佳為半徑0.15mm至4mm的R倒角處理，在濺鍍靶材1的厚度為10mm時，較佳為半徑0.3mm至8mm的R倒角處理。
此外，此種的R倒角處理亦可為R0.3至R5的R倒角處理。R0.3至R5的R倒角處理係指，半徑r的長度為0.3mm至0.5mm之R倒角處理。
具體上，此種的R倒角處理係藉由與C倒角處理所採用之方法相同的方法來施作。
本發明的濺鍍靶材係只要由至少3個面抵接所形成的角落部具有施作上述的倒角處理而成的形狀便可。例如，只要為施作有上述R倒角處理的角落部，則形成該角落部的曲面形狀係只要呈現於一部分具有藉由該R倒角處理而形成的曲面便可。但就本發明的濺鍍靶材1而言，較佳為形成角落部的曲面形狀之全部皆為藉由R倒角處理而形成的曲面。
此外，在第3圖(b)中，對於位在施作有C倒角處理的角落部周邊之藉由C倒角處理所新形成的邊緣部23a至23c，復可為施作有R倒角處理的形狀。
第5圖係顯示習知的濺鍍靶材的一例之斜視圖，雖然對側面33a至33b與濺鍍面32抵接的邊緣部35a至35b施作有R倒角處理，但對角落部並未施作有任何倒角處理。第6圖係顯示本發明的濺鍍靶材1的一例之斜視圖，對側面43a至43b與濺鍍面2抵接的邊緣部45a至45c施作有R倒角處理，並且對角落部亦施作有R倒角處理。如第5圖所示，若為習知的濺鍍靶材10，即使例如對邊緣部35a至35b施作有R倒角處理而形成曲面，在角落部36仍會形成因邊緣部35a及35b的R倒角處理而產生的稜線X。當具有此種稜線X的尖狀部特別存在於角落部36時，在濺鍍處理之際電弧作用會變得容易自該部分發生，並且亦有電弧作用作為開端使龜裂容易發生，進而成為靶材破裂的原因之虞。
而若為本發明的濺鍍靶材1，則如第6圖所示，由於對由濺鍍面2及側面43a至43b所構成的3個面抵接所形成的角落部A係施作有R倒角處理，因此不存在第5圖所示的稜線X，在角落部A並未形成有尖狀部。因此，能夠有效地防止起因於稜線X的電弧作用之發生。
另外，雖然第6圖係以對角落部A施作有R倒角處理的本發明的濺鍍靶材1為例來與習知例進行比較說明，但如上所述，對本發明的濺鍍靶材1的角落部A施作的倒角處理並非限於R倒角處理，亦可為C倒角處理。但就對角落部A施作的倒角處理而言，從亦將鄰接於角落部A的部位的尖狀部確實地去除的觀點來看，較佳為R倒角處理。
此外，雖然第6圖係為對邊緣部45a至45c施作有R倒角處理之態樣，但如第3圖及第4圖示，亦可為對邊緣部未施作有倒角處理之態樣。亦即，如第3圖至第4圖所示，於本發明的濺鍍靶材1係只要至少對角落部A施作有倒角處理便可，而從將尖狀部更確實地去除的觀點來看，較佳為對邊緣部亦施作有倒角處理。
濺鍍靶材1的角落部A係在濺鍍面2側形成4個，且在屬於濺鍍面2的背面側之接合面4側亦形成4個。若將上述的角落部的倒角處理係施作於形成在直接受到濺鍍處理之撞擊的濺鍍面2側的角落部A，則能夠更有效地抑制電弧作用的發生。
然而，亦有濺鍍處理之撞擊因該濺鍍處理條件而到達至濺鍍靶材的側面的情形，且有該撞擊從靶材的側面甚至傳達至接合面的情形。在受到此種撞擊之時，若於形成在濺鍍靶材1的接合面側的角落部A存在有尖狀部，則有助長電弧作用發生的可能性。此外，該電弧作用的發生亦可能成為濺鍍靶材1的龜裂或破裂的誘因。因此，較佳為對形成在濺鍍靶材1的接合面側的角落部A亦施作倒角處理，以去除可能成為電弧作用的發生原因的尖狀部。
藉由接合材使濺鍍靶材1在其接合面與底板接合，藉此而能夠製造出濺鍍靶。所製造出的濺鍍靶係於出貨時以真空包裝進行梱包，但若為習知的濺鍍靶，則由於在角落部存在有尖狀部，因此經常發生真空包裝破損。而本發明的濺鍍靶材1則由於對角落部A施作有倒角處理而將尖狀部自角落部去除，因此能夠減少真空包裝破損的發生。
就本發明的濺鍍靶材1的材質而言，並未特別限制，可舉出例如ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)的以銦或錫為主成分的金屬氧化物、鋁、銅、鈦、鉻、鉬、AZO(鋁-鋅氧化物)等。其中，較佳為屬於靶材尺寸特別需要大型化的平面顯示器(flat panel display)用成膜所採用的材料之ITO(Indium Tin Oxide)。
<濺鍍靶>
本發明的濺鍍靶通常係藉由接合材將一片上述的濺鍍靶材1接合於底板而製造。就底板的材質而言，並未特別限定，可適宜地使用具有優異導電性/熱傳導性的純銅、銅系合金等。就接合材的材質而言，亦取決於濺鍍靶材及底板的材質，並未特別限定，例如可使用銦系、錫系、銀系、鋅系等銲接合金、銲材、樹脂等。
此外，本發明的濺鍍靶係如第7圖之濺鍍靶50的俯視圖所示，亦可為藉由並排設置複數片濺鍍靶材1且使用接合材將該些濺鍍靶材1在該些的接合面接合於底板52而製造的濺鍍靶50，即所謂的多分割靶。此時，雖然於各個濺鍍靶材1係在複數處形成有角落部A，但只要至少對該些複數個角落部A之中形成於濺鍍靶50的角落部B施作有上述倒角處理便可。但從能夠更確實地抑制電弧作用的發生的觀點來看，較佳為對形成於各個濺鍍靶材1的角落部A亦施作有倒角處理。此外，如第7圖所示，該些角落部A所位處的部位係大致區分成部位C與部位D，而要對位於哪個部位的角落部A施作倒角處理則只要依據與所採用的濺鍍裝置的互適性來決定便可。
藉由上述方式，能夠將在實施濺鍍處理之際最可能成為電弧作用的發生原因之形成在濺鍍靶的角落部B的尖狀部予以去除，而能夠更有效地防止電弧作用的發生。
實施例
以下，根據實施例更具體地說明本說明，但本發明並非限定於該些實施例。
其中，使用所製得的濺鍍靶材並按照以下的評價項目進行評價。
《接合時的缺損》
使用接合材(純銦)將所製得的濺鍍靶材接合(bonding)於無氧銅製的底板。將該濺鍍靶材從底板剝下，再度使用接合材(純銦)進行接合。重複10次上述的接合步驟，確認於濺鍍靶材有無產生缺損。
○：接合面的邊緣部全周中，完全沒有產生缺損。
△：接合面的邊緣部全周中，產生1至3處的缺損。
×：接合面的邊緣部全周中，產生4處以上的缺損。
《包裝時的破損》
對經真空包裝的濺鍍靶，在真空包裝用膜的剩餘部分的折入作業、梱包行程、或搬運行程之際，施加通常500g左右的負荷。
因此，如第8圖所示，包裝時的破損的評價係以如下的方式進行：使用厚度100μm的真空包裝用膜(聚丙烯-聚乙烯製雙層構造膜)將所製得的濺鍍靶材進行真空包裝，且以上表面為接合面、下表面為濺鍍面的方式配置。接著，使用彈簧秤62將真空包裝用膜的剩餘部分以500g的力從上表面上方朝箭頭方向(垂直方向)拉引，確認此時真空包裝有無破損。
○：真空包裝無產生破損。
×：真空包裝產生破損。
《電弧作用發生次數》
使用所製得的濺鍍靶，在下述的濺鍍條件下施行濺鍍處理，並藉由電弧作用計數器(μArc Monitor MAM Genesis/Landmark Technology Co.,Ltd製)計數電弧作用發生次數。
濺鍍條件
製程壓力=0.4Pa
投入電力量=3W/cm2
濺鍍時間=3小時
成膜溫度=室溫
[實施例1]
如第6圖所示，製作寬度150mm×長度635mm×厚度10mm的大致板狀的ITO濺鍍靶材(SnO2 =10wt%、相對密度99.8%)，且對邊緣部45a至45c施作R1的倒角處理，並且對位於濺鍍面2的4個角落部A施作R1的倒角處理。
接著，使用上述接合材將該濺鍍靶材1接合於無氧銅製的底板(230mm×750mm×20mm)，而製作得濺鍍靶。使用所製得的濺鍍靶，針對上述各評價項目進行評價。於表1顯示所得的評價結果。
[比較例1]
如第5圖所示，製作寬度150mm×長度635mm×厚度10mm的大致板狀的ITO濺鍍靶材(SnO2 =10wt%、相對密度99.8%)，且對邊緣部35a至35b施作R1的倒角處理。
接著，與實施例1同樣地進行而製作得濺鍍靶，並進行各項評價。於表1顯示所得的評價結果。
[實施例2]
製作由表1顯示的材質所構成的ITO濺鍍靶材，且對位於濺鍍面2的4個角落部部A施作C0.3的倒角處理，並且對位於接合面的邊緣部及角落部施作C0.5的倒角處理。
接著，與實施例1同樣地進行而製作得濺鍍靶，並進行各項評價。於表1顯示所得的評價結果。
[比較例2]
製作由表1顯示的材質所構成的ITO濺鍍靶材，對邊緣部及角落部無皆施作倒角處理。
接著，與實施例1同樣地進行而製作得濺鍍靶，並進行各項評價。於表1顯示所得的評價結果。
[實施例3至9、比較例3至5]
製作由表1顯示的材質所構成的ITO濺鍍靶材，且按照表1顯示的內容對邊緣部或角落部施作倒角處理。
接著，與實施例1同樣地進行而製作得濺鍍靶，並進行各項評價。於表1顯示所得的評價結果。
[實施例10]
製作2片寬度150mm×長度635mm×厚度10mm的大致板狀的ITO濺鍍靶材(SnO2 =10wt%、相對密度99.7%)，且對邊緣部45a至45c施作R1的倒角處理，並且對位於接合面的邊緣部及角落部施作C3的倒角處理。
接著，使用上述接合材將該2片濺鍍靶材接合於底板，而製作得並排設置有2片濺鍍靶材的多分割濺鍍靶。2片濺鍍靶材係以各者的長邊為平行排列的方式配置，其間隔為0.3mm。針對濺鍍面則對角落部B施作R1的倒角處理，亦對位於2片濺鍍靶材對峙的分割部之角落部A施作倒角處理。使用所製得的多分割濺鍍靶，針對上述各評價項目進行評價，於表1顯示所得的評價結果。
[實施例11]
除了按照表1顯示的內容施作位於濺鍍面及接合面的邊緣部及角落部的倒角處理，而對位於2片濺鍍靶材對峙的分割部的角落部A無施作倒角處理之外，其餘與實施例10同樣地進行而製作得多分割濺鍍靶。使用所製得的多分割濺鍍靶，針對上述各評價項目進行評價，於表1顯示所得的評價結果。
[實施例12]
製作4片寬度150mm×長度635mm×厚度10mm的大致板狀的ITO濺鍍靶材(SnO2 =10wt%、相對密度99.5%)，且對位於接合面的邊緣部施作C0.3的倒角處理。
接著，使用上述接合材將該4片濺鍍靶材接合於底板，而製作得並排設置有4片濺鍍靶材的多分割濺鍍靶。4片濺鍍靶材係以各者的2邊與其他濺鍍靶材的2邊平行排列的方式配置，其間隔為0.3mm。針對濺鍍面則對角落部B施作C2的倒角處理，對位於4片濺鍍靶材對峙的分割部之角落部A無施作倒角處理。使用所製得的多分割濺鍍靶，針對上述各評價項目進行評價，於表1顯示所得的評價結果。
[實施例13]
除了按照表1顯示的內容施作位於濺鍍面及接合面的邊緣部及角落部的倒角處理之外，其餘與實施例12同樣地進行而製作得多分割濺鍍靶。使用所製得的多分割濺鍍靶，針對上述各評價項目進行評價，於表1顯示所得的評價結果。
[實施例14至15]
除了取代ITO濺鍍靶材而改製作SnO2 -5wt%Ta2 O5 靶材(相對密度98%、寬度150mm×長度635mm×厚度6mm)，且按照表1顯示的內容施作位於濺鍍面及接合面的邊緣部及角落部的倒角處理之外，其餘與實施例1同樣地進行而製作得濺鍍靶，並進行各項評價。於表1顯示所得的評價結果。
[實施例16至17]
除了取代ITO濺鍍靶材而改製作ZnO-2wt%Al2 O3 靶材(相對密度99%、寬度150mm×長度635mm×厚度10mm)，且按照表1顯示的內容施作位於濺鍍面及接合面的邊緣部及角落部的倒角處理之外，其餘與實施例1同樣地進行而製作得濺鍍靶，並進行各項評價。於表1顯示所得的評價結果。
[實施例18、比較例6]
除了取代ITO濺鍍靶材而改製作ZnO-2wt%Ga2 O3 靶材(相對密度99%、寬度150mm×長度635mm×厚度7mm)，且按照表1顯示的內容施作位於濺鍍面及接合面的邊緣部及角落部的倒角處理之外，其餘與實施例1同樣地進行而製作得濺鍍靶，並進行各項評價。於表1顯示所得的評價結果。
[實施例19、比較例7]
除了取代ITO濺鍍靶材而改製作Al靶材(純度99.999%、寬度150mm×長度635mm×厚度16mm)，且按照表1顯示的內容施作位於濺鍍面的邊緣部及角落部的倒角處理之外，其餘與實施例1同樣地進行而製作得濺鍍靶，並進行各項評價。於表1顯示所得的評價結果。
[實施例20、比較例8]
除了取代ITO濺鍍靶材而改製作Cu靶材(純度99.999%、寬度150mm×長度635mm×厚度2mm)，且按照表1顯示的內容施作位於濺鍍面的邊緣部及角落部的倒角處理之外，其餘與實施例1同樣地進行而製作得濺鍍靶，並進行各項評價。於表1顯示所得的評價結果。
[實施例21、比較例9]
除了取代ITO濺鍍靶材而改製作Mo靶材(純度99.95%、寬度150mm×長度635mm×厚度4mm)，且按照表1顯示的內容施作位於濺鍍面的邊緣部及角落部的倒角處理之外，其餘與實施例1同樣地進行而製作得濺鍍靶，並進行各項評價。於表1顯示所得的評價結果。
※1：於由濺鍍面與側面構成的2個面抵接所形成的邊緣部之處理
※2：於形成在濺鍍面的4個角落部之處理
※3：於由接合面與側面構成的2個面抵接所形成的邊緣部之處理
※4：於形成在接合面的4個角落部之處理
※5：於形成在多分割靶50的4個角落部B之處理
※6：於形成在多分割靶50的4個角落部B之處理
1、10．．．濺鍍靶材
2、32．．．濺鍍面
3、33a、33b、43a、43b．．．側面
4．．．接合面
20、23a至23c．．．邊緣部
22、36．．．角落部
35a、35b、45a至45c．．．藉由R倒角處理而形成曲面的邊緣部
50．．．濺鍍靶(多分割濺鍍靶)
52．．．底板
60．．．真空包裝膜
62．．．彈簧秤
A．．．濺鍍靶材的角落部
B．．．濺鍍靶50的角落部
C、D．．．多分割濺鍍靶中位於各靶材的角落部A之部位
d．．．濺鍍靶材1的厚度
l．．．自抵接的各者的面起的長度
X．．．形成在角落部的稜線
第1圖係本發明的濺鍍靶材的一例之斜視圖。
第2圖係大致板狀的一般的機械加工零件的斜視圖。
第3圖係本發明的濺鍍靶材的一例的角落部A的放大斜視圖。(a)係顯示對角落部A施作有C1的倒角處理，(b)係顯示對角落部A施作有C2的倒角處理，(c)係顯示對角落部A施作有C3的倒角處理。
第4圖係本發明的濺鍍靶材的一例的角落部A的放大斜視圖。(a)係顯示對角落部A施作有R1的倒角處理，(b)係顯示對角落部A施作有R2的倒角處理，(c)係顯示對角落部A施作有R3的倒角處理。
第5圖係習知的濺鍍靶材的一例之斜視圖。對邊緣部33a至33b施作有R倒角處理。
第6圖係本發明的濺鍍靶材的一例之斜視圖。對邊緣部45a至45c施作有R倒角處理，並且對角落部A施作有R倒角處理。
第7圖係並排設置複數片濺鍍靶材1而成的濺鍍靶50之俯視圖。
第8圖係顯示在實施例包裝時的破裂的評價方法之示意圖。
1．．．濺鍍靶材
2．．．濺鍍面
3．．．側面
4．．．接合面
A．．．濺鍍靶材的角落部
d．．．濺鍍靶材1的厚度

Claims (10)

  1. 一種濺鍍靶材，係具有矩形狀的濺鍍面、矩形狀的側面及矩形狀的接合面之大致板狀者，其中，由該濺鍍靶材所具有的複數個面之中的至少3個面抵接所形成的角落部係具有施作倒角處理而成的形狀，前述倒角處理係為C倒角處理或R倒角處理，並且對由2個面抵接所形成的邊緣部施作有倒角處理。
  2. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶材，其中，前述C倒角處理係為Cα% 的C倒角處理(前述Cα% 中的α表示3至80之數字)。
  3. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶材，其中，前述C倒角處理係為C0.3至C5且以45°進行切削的C倒角處理。
  4. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶材，其中，前述R倒角處理係為Rβ% 的R倒角處理(前述Rβ% 中的β表示3至80之數字)。
  5. 如申請專利範圍第1項之濺鍍靶材，其中，前述R倒角處理係為R0.3至R5的R倒角處理。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之濺鍍靶材，其中，前述倒角處理係施作於形成在濺鍍面側的角落部。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之濺鍍靶材，其中，前述倒角處理係施作於形成在接合面側的角落部。
  8. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之濺鍍靶材，其 中，該濺鍍靶材係由ITO所構成。
  9. 一種濺鍍靶，係將申請專利範圍第1至8項中任一項之濺鍍靶材與底板藉由接合材接合而成。
  10. 如申請專利範圍第9項之濺鍍靶，其中，並排設置有複數個申請專利範圍第1至8項中任一項之濺鍍靶材。
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