CN101631893A - 溅射靶材以及由该溅射靶材所得的溅射靶 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于，提供一种能够可靠地减少电弧的产生且能够抑制裂纹和裂缝产生的溅射靶材以及由该溅射靶材所得的溅射靶。本发明的溅射靶材为，一种具有矩形状的溅射面、矩形状的侧面以及矩形状的粘合面并呈近似板状的溅射靶材，其特征在于，在通过构成该溅射靶材的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部上，实施倒角处理。

Description

溅射靶材以及由该溅射靶材所得的溅射靶
技术领域
本发明涉及一种溅射靶材、以及由该溅射靶材所得的溅射靶，该溅射靶材的特征在于，对角部实施倒角处理。
背景技术
到目前为止，作为在制造例如半导体等的电子元件用材料、以及电气元件用材料时所使用的成膜法，一直广泛采用能够较容易地控制膜厚度以及成分的溅射法。在该溅射法中所使用的溅射靶一般采用以下的溅射靶，即通过粘合材料，将由欲形成薄膜的材料所组成的溅射靶材、以及由具有优良导电性和导热性的材质所组成的背板进行接合而成。
当使用溅射靶进行溅射处理时，人们希望能尽可能地减少电弧的产生，从而进行稳定的成膜。而且，在制造溅射靶材时，也需要通过抑制该靶材的裂纹或裂缝的产生，从而提高成品率。
作为应对这些要求的靶材，在专利文件1～3中，公开了在边缘部实施了倒角处理的靶材。这些靶材均在边缘部实施了倒角处理，该边缘部例如由溅射面和侧面的两个面所构成。但是，虽然这些靶材具有若干改善效果，但依然不是能够可靠地减少电弧产生的制品。而且，当制造这些靶材时，也不能充分地抑制靶材的裂纹以及裂缝的产生。
专利文件1：日本特开平11-61395号公报
专利文件2：日本特开2000-345326号公报
专利文件3：日本特开2003-55763号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明是在以上情况的基础上完成的，其目的在于，提供一种能够可靠地减少电弧产生且难以产生裂纹和裂缝的溅射靶材、以及具备这种溅射靶材的溅射靶。
用于解决课题的手段
本发明的溅射靶材为，一种具有矩形状的溅射面、矩形状的侧面以及矩形状的粘合面并呈近似板状的溅射靶材，其特征在于，通过该溅射靶材所具有的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部，具有被实施倒角处理而成的形状。
所述倒角处理可以是C倒角处理，也可以是R倒角处理。
这种倒角处理可以在溅射面一侧所形成的角部上实施，也可以在粘合面一侧所形成的角部上实施。
并且，在所述溅射靶材中，也可以在两个面抵接而形成的边缘部上，实施倒角处理。
本发明的溅射靶的特征在于，所述溅射靶材和背板，通过粘合材料粘合而成。
另外，在所述溅射靶中，也可以并列设置多个所述溅射靶材。
发明的效果
由于本发明的溅射靶材，在通过构成该溅射靶材的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部上，实施倒角处理，因此在成为电弧产生的主要起点的角部上不具有尖形形状部。因而使用本发明的溅射靶材，就能够有效地抑制因角部而引起的电弧产生，从整个溅射靶来看，也能够显著减少电弧的产生。
另外，使用本发明的溅射靶材，能够抑制因电弧产生引起的裂缝或裂纹的生成，并能显著提高溅射靶材的利用效率。
其结果为，能够实现稳定的成膜工序。
并且，溅射处理的等离子体，不仅在溅射面有时也会蔓延到侧面，在这种情况下，将有可能产生因粘合面一侧的角部而引起的电弧。但是，如果使用对粘合面一侧的角部实施倒角处理的本发明的溅射靶材，就能够抑制这种电弧的产生，也能够有效防止因电弧冲击而引起的裂缝以及裂纹的产生。
另外，在本发明的溅射靶材中，还能够有效防止因存在于角部的尖形形状部而引起的真空包装的破裂。
附图说明
图1为本发明溅射靶材的一个示例的立体图。
图2为，具有近似板状的一般机械加工元件的立体图。
图3为，本发明的溅射靶材的一个示例，即角部A的放大立体图。(a)在角部A上实施C1的C倒角处理；(b)在角部A上实施C2的C倒角处理；(c)在角部A上实施C3的C倒角处理。
图4为，本发明的溅射靶材的一个示例，即角部A的放大立体图。(a)在角部A上实施R1的R倒角处理；(b)在角部A上实施R2的R倒角处理；(c)在角部A上实施R3的R倒角处理。
图5为现有溅射靶材的一个示例的立体图。在边缘部33a～33b上实施R倒角处理。
图6为本发明溅射靶材的一个示例的立体图。在边缘部45a～45c上实施R倒角处理，并且在角部A上实施R倒角处理。
图7为，并列设置了多个溅射靶材1的溅射靶50的俯视图。
图8为，表示在实施例中包装时破裂的评价方法的图。
符号说明
1溅射靶材
2溅射面
3侧面
4粘合面
20边缘部
22角部
23a、23b、23c边缘部
32溅射面
33a、33b侧面
35a、35b通过R倒角处理形成曲面的边缘部
36角部
43a、43b侧面
45a、45b、45c通过R倒角处理形成曲面的边缘部
50溅射靶(多分割靶)
52背板
60真空包装薄膜
62弹簧秤
A溅射靶材的角部
B溅射靶50的角部
X在角部所形成的棱线
C在多分割靶中各靶材的角部A所处的部位
D在多分割靶中各靶材的角部A所处的部位
d溅射靶材1的厚度
l在抵接的各个面的长度
具体实施方式
下面，根据需要参照附图，对本发明的溅射靶材以及使用该溅射靶材制造的溅射靶进行详细说明。
在本说明书中的“倒角处理”是指，在由面和面相交而形成的角上进行斜面或圆角的处理。在只称为“倒角处理”的情况下，对通过该处理所形成的角部形状没有严格限定。但是，在称为“C倒角处理”以及“R倒角处理”的情况下，由各自的处理所形成的角部形状，分别被限定为规定的形状。
C倒角处理是指，将面与面抵接的部分以规定的角度进行切割的加工处理，规定的角度是指，相对于抵接的面通常为45±15°。Cα％的C倒角处理是指，在所抵接的各个面的长度相对于溅射靶厚度的比例(％)是α的C倒角处理。例如C50％是指，当溅射靶的厚度为10mm时，在抵接的各个面的5mm处以45±15°的角度进行切割的C倒角处理。
Ca的C倒角处理是指，在抵接的各个面的长度是a mm处以规定的角度进行切割的加工处理，例如C3是指，在抵接的各个面的长度为3mm处以规定的角度进行切割的加工处理半径。所谓规定的角度，通常为45±15°。
R倒角处理是指，将面与面抵接的部分加工成圆角形状的加工处理。Rβ％的R倒角处理是指，加工成半径长度相对于溅射靶厚度的比例(％)为β的圆角形状的R倒角处理。例如R50％是指，当溅射靶的厚度为10mm时，将其加工成半径为5mm的圆角形状的R倒角处理。
Rb的C倒角处理是指，加工成半径b mm的圆角形状的R倒角处理。例如R3是指，加工成半径3mm的圆角形状的R倒角处理。
<溅射靶材>
图1为，作为本发明溅射靶材的一个示例即溅射靶材1的立体图。如图1所示，溅射靶材1为，一种具有矩形状的溅射面2、矩形状的侧面3以及矩形状的粘合面4，并呈近似板状的溅射靶材。
溅射靶材1的特征在于，通过构成溅射靶材1的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部A，具有被实施倒角处理而成的形状。
图2为，具有近似板状的一般机械加工元件的立体图。在机械加工元件等中，“边缘部”是指两个面相交的部位，在图2中表示为边缘部20。在机械加工元件等中，“角部”是指包括三个面的交点的部位，在图2中表示为角部22。它们的定义都是以日本JIS B0051-2004为标准的。
溅射靶材1的角部A为，溅射面2、侧面3和粘合面4这三个面抵接的部位，且该角部A被实施了倒角处理。这种角部在未被实施倒角处理的情况下，该角部呈包括三个面的边缘部的交点的三棱锥状。当进行溅射处理时，若在溅射靶材上存在这种三棱锥状的角部，则由该形状而引起的电弧的产生率将会变得非常高。该电弧的冲击即使很小，也有可能在溅射靶材上产生缺口。而且，若冲击较大，则溅射靶材有可能破裂。
在本发明的溅射靶材中，通过对该角部A实施倒角处理，从而能够去除存在于角部上的三棱锥状部，并使溅射处理时的电弧的产生锐减，且能够防止靶材的缺口以及裂纹。
具体而言，这种倒角处理既可以是C倒角处理，也可以是R倒角处理。
例如，在图3中，图示了对角部A实施了C倒角处理的本发明溅射靶材1的放大立体图。图3(a)为实施了以C1、且以45°进行切割的C倒角处理的溅射靶材1的图；图3(b)为实施了以C2、且以45°进行切割的C倒角处理的溅射靶材1的图；图3(c)为实施了以C3、且以45°进行切割的C倒角处理的溅射靶材1的图。此时的溅射靶材1的厚度都是10mm。
C倒角处理是指，如上文所述，对通过构成该溅射靶材1的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部A，以规定的角度进行切割的加工处理。所谓规定的角度，通常为45±15°，优选为45°。当实施这种处理时，能够去除由于三个面抵接而在角部A上所形成的三棱锥状部，并能够制成平面形状，从而能够有效地防止由于位于角部A的三棱锥状部而产生的电弧。图3(a)～(c)都是没有对边缘部20实施倒角处理的示例，但从能够自与角部A邻接的部位中去除尖形形状部的观点出发，优选对这些边缘部20也实施倒角处理。
虽然这种C倒角处理能够根据溅射靶材1的厚度d而改变，但是在溅射靶材1的厚度d为2～20mm左右时，优选Cα％(α表示：通常是3～80、优选是3～50的数字)的C倒角处理。Cα％的C倒角处理为以下的C倒角处理，即、在由三个面抵接所形成的角部A上，通过进行C倒角处理而重新形成的三角形状的面的各边长度，相对于溅射靶材1的厚度d是α％。因此，所述Cα％(α表示：通常是3～80、优选是3～50的数字)的C倒角处理是指以下的C倒角处理，即、相对于溅射靶材1的厚度d，抵接的各个面的长度l的比例(％)、即通过进行C倒角处理而重新形成的三角形状的面的各边长度l，相对于溅射靶材1的厚度d的比例通常是3～80(％)、优选是3～50(％)。具体而言，例如在溅射靶材1的厚度d为10mm的情况下，C10％是指以下的C倒角处理，在抵接的各个面的长度，即通过进行C倒角处理而重新形成的三角形状的面的各边长度l为1mm。
另外，这种C倒角处理，也可以是C0.3～C5的C倒角处理。C0.3～C5的C倒角处理是指，在抵接的各个面的长度，即通过进行C倒角处理而重新形成的三角形状的面的各边长度l是0.3～5mm的C倒角处理。例如，虽然能够根据溅射靶材1的厚度d而改变，但优选为，相对于厚度5mm的溅射靶材1为C0.3～C4的C倒角处理，相对于厚度10mm的溅射靶材1为C0.3～C5的C倒角处理。
具体而言，这种C倒角处理是通过以下这些方法而实施的，例如，使用了磨石或纸的手工作业、平面磨床、激光加工、机械加工、NC铣刀、研磨机或放电加工。
另外，在图4中，图示了在角部A实施了R倒角处理的溅射靶材1的放大立体图。图4(a)为实施了R1的R倒角处理的图；图4(b)为实施了R2的C倒角处理的图；图4(c)为实施了R3的C倒角处理的图。此时的溅射靶材1的厚度都是10mm。
如上所述，R倒角处理是指，将通过构成该溅射靶材1的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部A，制成圆角形状的加工处理。当实施这种处理时，能够去除由于三个面抵接而在角部A上所形成的三棱锥状部，并能够制成曲面形状，从而能够有效地防止由于位于角部A上的三棱锥状部而产生的电弧。图4(a)～(c)都是没有对边缘部20实施倒角处理的示例，但从能够自与角部A邻接的部位中去除尖形形状部的观点出发，优选也对这些边缘部20实施倒角处理。
虽然这种R倒角处理能够根据溅射靶材1的厚度d而改变，但是在溅射靶材1的厚度d为2～20mm左右时，优选Rβ％(β表示：通常是3～80、优选是3～50的数字)的R倒角处理。该倒角处理是指，半径r的长度相对于溅射靶材1的厚度d的比例(％)通常是3～80(％)、优选是3～50(％)的R倒角处理。在这里，例如在溅射靶材1的厚度d为10mm的情况下，R10％是指，将其加工成半径r的长度为1mm的圆角形状的处理。因此，作为所述倒角处理，当溅射靶材1的厚度为5mm时，优选半径为0.15～4mm的R倒角处理，当溅射靶材1的厚度为10mm时，优选半径为0.3～8mm的R倒角处理。
另外，这种R倒角处理，也可以是R0.3～R5的R倒角处理。R0.3～R5的R倒角处理是指，半径r的长度为0.3～5mm的R倒角处理。
具体而言，这种R倒角处理是通过与C倒角处理中所采用的方法相同的方法而实施的。
在本发明的溅射靶材中，通过至少三个面抵接而形成的角部，只需具有实施了所述倒角处理而成的形状即可。例如，如果是实施了所述R倒角处理的角部，则形成该角部的曲面形状，只需呈具有一部分的由该R倒角处理所形成的曲面形状即可。作为本发明的溅射靶材，最优选为，形成角部的曲面形状全部都是由R倒角处理所形成的曲面。
另外，在图3(b)中，也可以为，对位于实施了C倒角处理的角部周边的、通过C倒角处理而重新形成的边缘部23a～23c，再进一步实施R倒角处理后的形状。
图5为，表示现有溅射靶材的一个示例的立体图，虽然在侧面33a～33b与溅射面32抵接的边缘部35a～35b上实施了R倒角处理，但没有对角部实施任何倒角处理。图6为表示本发明的溅射靶材1的一个示例的立体图，在侧面43a～43b与溅射面2抵接的边缘部45a～45c上实施了R倒角处理，并且也在角部上实施了R倒角处理。如图5所示，在现有的溅射靶材10中，即使在边缘部35a～35b上实施R倒角处理从而形成曲面，但是也在角部36上形成了因边缘部35a和35b的R倒角处理而导致的棱线X。特别是在具有该棱线X的尖形形状部存在于角部36时，不仅在溅射处理时从该部位处容易产生电弧，而且还因电弧而容易产生裂缝，并且也有可能成为靶材产生裂纹的原因。
但是，如图6所示，在本发明的溅射靶材1中，由于在由溅射面2和侧面43a～43b组成的三个面抵接所形成的角部A上，实施R倒角处理，因此不会存在如图5所示的棱线X，也不会在角部A上形成尖形形状部。因此，能够有效地防止因棱线X引起的电弧产生。
另外，虽然图6以在角部A实施了R倒角处理的本发明溅射靶材1为例，与现有的示例进行了比较说明，但如上所述，在本发明的溅射靶材1的角部A实施的倒角处理，不只是R倒角处理也可以是C倒角处理。但是，从还能可靠地去除在与角部A邻接的部位中的尖形形状部的观点出发，优选为R倒角处理。
而且，图6为在边缘部45a～45c上实施R倒角处理的状态，但如图3以及图4所示，也可以是在边缘部未实施倒角处理的状态。即、在本发明的溅射靶材1中，只要如图3～图4所示、至少在角部A实施倒角处理即可，但从进一步可靠地去除尖形形状部的观点出发，优选在边缘部也实施倒角处理。
在溅射面2的一侧，形成有四个溅射靶材1的角部A，并且在溅射面2的背面一侧即粘合面4一侧，也形成有四个溅射靶材1的角部A。若在直接受到溅射处理冲击的溅射面2一侧所形成的角部A上，实施所述的角部的倒角处理，则能够更加有效地抑制电弧的产生。
但是，溅射处理的冲击，有时会根据该溅射处理条件而到达溅射靶材的侧面，该冲击也有时会从靶材的侧面传导到粘合面。当受到这种冲击时，如果在溅射靶材1的粘合面一侧所形成的角部A上存在尖形形状部，则有可能促进电弧的产生。而且，该电弧的产生，有可能成为溅射靶材1的龟裂或裂纹的诱因。因此，优选为，在溅射靶材1的粘合面一侧所形成的角部A上也实施倒角处理，从而去除能够成为电弧的产生原因的尖形形状部。
通过粘合材料，将溅射靶材1与背板接合在该粘合面上，从而能够制造溅射靶。所制造的溅射靶在发货时利用真空包装进行捆包，如果是现有的溅射靶，则由于在角部存在尖形形状部，因而经常会发生真空包装的破裂。但是，在本发明的溅射靶材1中，由于在角部A实施倒角处理，因此能够从角部中去除尖形形状部，从而减少真空包装的破裂。
对于本发明的溅射靶材1的材质，没有特别的限制，可包括如ITO(Indium-Tin-Oxide)这种以In或Sn为主成分的金属氧化物、铝、铜、钛、铬、钼、AZO(铝-锌氧化物)等。其中优选为，在非常需要靶尺寸大型化的平板显示器用成膜中所采用的材料，即ITO(Indium-Tin-Oxide)。
<溅射靶>
本发明的溅射靶通常为，通过粘合材料，将一个所述的溅射靶材1接合在背板上而制造的。对背板的材质没有特别的限定，优选使用具有优良的导电性、导热性的纯铜、铜合金等。作为粘合材料的材质，其受到溅射靶材和背板的材质的影响，对其没有特别的限定，例如可以使用In类、Sn类、Ag类、Zn类等合金焊料、蜡材料、树脂等。
另外，如图7的溅射靶50的俯视图所示，本发明的溅射靶可以是溅射靶50、即多分割靶，该溅射靶50是通过并列设置多个溅射靶材1，并在它们的粘合面上，通过粘合材料将这些溅射靶材1接合于背板52而制造的。在这种情况下，在各个溅射靶材1的多个位置上形成有角部A，但是在这多个角部A中，至少对溅射靶50上所形成的角部B实施所述的倒角处理即可。但是，从能够更加可靠地抑制电弧产生的观点出发，优选在各个溅射靶材1上所形成的角部A处也实施倒角处理。另外，如图7所示，这些角部A所处的部位，被大致区分为部位C和部位D，但对位于哪个部位的角部A实施倒角处理，可根据与所使用的溅射装置的关系来决定。
通过这种方式，能够在实施溅射处理时对最容易成为电弧产生原因的溅射靶的角部B上所形成的尖形形状部进行去除，从而能够更加有效地防止电弧的产生。
实施例
下面根据实施例，对本发明再进行具体的说明，但本发明不受这些实施例的限定。
另外，使用所获得的溅射靶材，按照以下的评价项目进行了评价。
《粘合时的缺口》
使用粘合材料(纯In)，将所获得的溅射靶材接合(粘合)在无氧铜制的背板上。从背板上剥离该溅射靶材，并再次使用粘合材料(纯In)进行了粘合。重复十次该粘合后，对在溅射靶材上有没有产生缺口进行了确认。
○：在粘合面的全部边缘部中，完全没有产生缺口。
△：在粘合面的全部边缘部中，产生了1～3处的缺口。
×：在粘合面的全部边缘部中，产生了4处以上的缺口。
《包装时的破裂》
在真空包装用薄膜的剩余部分的折叠加工、捆包过程或装卸过程时，被真空包装后的溅射靶通常会受到500g左右的负载。
因此，如图8所示，对包装时的破裂的评价为，使用厚度为100μm的真空包装用薄膜(聚丙烯-聚乙烯制造的双层结构的薄膜)，对所获得的溅射靶材进行了真空包装，并配置成上表面为粘合面，下表面为溅射面。然后，使用弹簧秤62，从上表面的上方沿箭头方向(垂直方向)以500g的力牵拉真空包装用薄膜的剩余部分，并对此时的真空包装上有无破裂进行了确认。
○：真空包装上没有发生破裂。
×：真空包装上发生了破裂。
《电弧产生次数》
使用所获得的溅射靶，在以下所示的溅射条件下，实施溅射处理，并通过电弧计数器(μArc Monitor MAM Genesis、株式会社ランドマ一クテクノロジ一制造)，对电弧产生次数进行了计数。
溅射条件
工艺压力＝0.4Pa
接通电能＝3W/cm2
溅射时间＝3小时
成膜温度＝室温
[实施例1]
如图6所示，制造了宽150mm×长635mm×厚10mm的近似板状的ITO溅射靶材(SnO2＝10重量％，相对密度为99.8％)，在边缘部45a～45c上实施了R1的倒角处理，并且在位于溅射面2的四个角部A上实施了R1的倒角处理。
然后，使用所述的粘合材料，将该溅射靶材1接合于无氧铜制的背板(230×750×20mm)上，从而制成了溅射靶。使用所获得的溅射靶，进行了有关所述各评价项目的评价。所得的结果如表1所示。
[比较例1]
如图5所示，制造了宽150mm×长635mm×厚10mm的近似板状的ITO溅射靶材(SnO2＝10重量％，相对密度为99.8％)，在边缘部35a～35b上实施了R1的倒角处理。
然后，以与实施例1相同的方式，制造了溅射靶，并进行了各项评价。所得的结果如表1所示。
[实施例2]
制造了由表1所示材质组成的ITO溅射靶材，在位于溅射面2的四个角部A上实施了C0.3的倒角处理，并且在位于粘合面的边缘部以及角部上实施了C0.5的倒角处理。
然后，以与实施例1相同的方式，制造了溅射靶，并进行了各项评价。所得的结果如表1所示。
[比较例2]
制造了由表1所示材质组成的ITO溅射靶材，并且没有对边缘部以及角部实施任何倒角处理。
然后，以与实施例1相同的方式，制造了溅射靶，并进行了各项评价。所得的结果如表1所示。
[实施例3～9、比较例3～5]
制造了由表1所示材质组成的ITO溅射靶材，并根据表1所示的内容，在边缘部或角部上实施了倒角处理。
然后，以与实施例1相同的方式，制造了溅射靶，并进行了各项评价。所得的结果如表1所示。
[实施例10]
制造了两个宽150mm×长635mm×厚10mm的近似板状的ITO溅射靶材(SnO2＝10重量％，相对密度为99.7％)，在边缘部45a～45c上实施了R1的倒角处理，并且在位于粘合面的边缘部以及角部上实施了C3的倒角处理。
然后，使用所述的粘合材料，将这两个溅射靶材接合于背板上，从而制成了并列设置有两个溅射靶材的多分割溅射靶。两个溅射靶材被配置为，使其各自的长边平行排列，且其间隔为0.3mm。关于溅射面，在角部B实施了R1的倒角处理，并在位于两个溅射靶材相互对置的分割部处的角部A上也实施了倒角处理。使用所得的多分割溅射靶，进行了有关所述各评价项目的评价。所得的结果如表1所示。
[实施例11]
将位于溅射面和粘合面的边缘部以及角部上的倒角处理按照表1所示的内容实施，而在位于两个溅射靶材相互对置的分割部处的角部A上没有实施倒角处理，除此之外，以与实施例10相同的方式制造了多分割溅射靶。使用所获得的多分割溅射靶，进行了有关所述各评价项目的评价。所得的结果如表1所示。
[实施例12]
制造了四个宽150mm×长635mm×厚10mm的近似板状的ITO溅射靶材(SnO2＝10重量％，相对密度为99.5％)，在位于粘合面的边缘部上实施了C0.3的倒角处理。
然后，使用所述的粘合材料，将四个溅射靶材接合于背板上，从而制成了并列设置有四个溅射靶材的多分割溅射靶。四个溅射靶材被设置为，使其各自的两边分别与其它溅射靶材的两边平行排列，且其间隔为0.3mm。关于溅射面，在角部B上实施了C2的倒角处理，而在位于四个溅射靶材相互对置的分割部处的角部A上没有实施倒角处理。使用所获得的多分割溅射靶，进行了有关所述各评价项目的评价。所得的结果如表1所示。
[实施例13]
按照表1所示的内容，在位于溅射面和粘合面的边缘部以及角部上实施了倒角处理，除此之外，以与实施例12相同的方式制造了多分割溅射靶。使用所获得的多分割溅射靶，进行了有关所述各评价项目的评价。所得的结果如表1所示。
[实施例14～15]
制造SnO2-5重量％的Ta2O5靶材(相对密度为98％，宽150mm×长635mm×厚6mm)来代替ITO溅射靶材，并且按照表1所示的内容，在位于溅射面和粘合面上的边缘部以及角部处实施了倒角处理，除此之外，以与实施例1相同的方式制造了溅射靶，并进行了各种评价。所得的结果如表1所示。
[实施例16～17]
制造ZnO-2重量％的Al2O3靶材(相对密度为99％，宽150mm×长635mm×厚10mm)来代替ITO溅射靶材，并且按照表1所示的内容，在位于溅射面和粘合面上的边缘部以及角部处实施了倒角处理，除此之外，以与实施例1相同的方式制造了溅射靶，并进行了各种评价。所得的结果如表1所示。
[实施例18、比较例6]
制造ZnO-2重量％的Ga2O3靶材(相对密度为99％，宽150mm×长635mm×厚7mm)来代替ITO溅射靶材，并且按照表1所示的内容，在位于溅射面和粘合面上的边缘部以及角部处实施了倒角处理，除此之外，以与实施例1相同的方式制造了溅射靶，并进行了各种评价。所得的结果如表1所示。
[实施例19、比较例7]
制造Al靶材(纯度为99.999％，宽150mm×长635mm×厚16mm)来代替ITO溅射靶材，并且按照表1所示的内容，在位于溅射面上的边缘部以及角部处实施了倒角处理，除此之外，以与实施例1相同的方式制造了溅射靶，并进行了各种评价。所得的结果如表1所示。
[实施例20、比较例8]
制造Cu靶材(纯度为99.999％，宽150mm×长635mm×厚2mm)来代替ITO溅射靶材，并且按照表1所示的内容，在位于溅射面上的边缘部以及角部处实施了倒角处理，除此之外，以与实施例1相同的方式制造了溅射靶，并进行了各种评价。所得的结果如表1所示。
[实施例21、比较例9]
制造Mo靶材(纯度为99.95％，宽150mm×长635mm×厚4mm)来代替ITO溅射靶材，并且按照表1所示的内容，在位于溅射面上的边缘部以及角部处实施了倒角处理，除此之外，以与实施例1相同的方式制造了溅射靶，并进行了各种评价。所得的结果如表1所示。
[表1]
Figure A20088000823900161

Claims (13)

1、一种溅射靶材，其具有矩形状的溅射面、矩形状的侧面以及矩形状的粘合面并呈近似板状，其特征在于，
通过该溅射靶材所具有的多个面中的至少三个面抵接而形成的角部，具有被实施倒角处理而成的形状。
2、根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述倒角处理为C倒角处理。
3、根据权利要求2所述的溅射靶材，其特征在于，所述C倒角处理为Cα％的C倒角处理，所述Cα％中的α表示3～80的数字。
4、根据权利要求2所述的溅射靶材，其特征在于，所述C倒角处理为，C0.3～C5且以45°进行切割的C倒角处理。
5、根据权利要求1所述的溅射靶材，其特征在于，所述倒角处理为R倒角处理。
6、根据权利要求5所述的溅射靶材，其特征在于，所述R倒角处理为Rβ％的R倒角处理，所述Rβ％中的β表示3～80的数字。
7、根据权利要求5所述的溅射靶材，其特征在于，所述R倒角处理为，R0.3～R5的R倒角处理。
8、根据权利要求1至7中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，所述倒角处理是在形成于溅射面一侧的角部上实施的。
9、根据权利要求1至8中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，所述倒角处理是在形成于粘合面一侧的角部上实施的。
10、根据权利要求1至9中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，在由两个面抵接而形成的边缘部上，实施倒角处理。
11、根据权利要求1至10中任意一项所述的溅射靶材，其特征在于，所述溅射靶材由ITO组成。
12、一种溅射靶，其特征在于，其由权利要求1至10中任意一项所述的溅射靶材以及背板，通过粘合材料粘合而成。
13、根据权利要求12所述的溅射靶，其特征在于，并列设置有多个权利要求1至10中任意一项所述的溅射靶材。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108778588A (zh) * 2017-02-16 2018-11-09 住友化学株式会社 溅射靶的加工方法及溅射靶制品的制造方法
CN109072419A (zh) * 2016-05-25 2018-12-21 山阳特殊制钢株式会社 溅射靶材
CN109689925A (zh) * 2017-02-16 2019-04-26 住友化学株式会社 溅射靶用切削工具、溅射靶的加工方法及溅射靶制品的制造方法
CN110268092A (zh) * 2017-02-16 2019-09-20 住友化学株式会社 溅射靶的加工方法、溅射靶的加工装置、溅射靶及溅射靶制品的制造方法
CN110431252A (zh) * 2017-03-31 2019-11-08 三井金属矿业株式会社 分割溅射靶
CN111455328A (zh) * 2020-05-07 2020-07-28 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种避免反溅射层剥离的sip系列靶材及其用途

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170072965A (ko) 2009-11-13 2017-06-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 스퍼터링 타겟 및 그 제조방법, 및 트랜지스터
WO2011062003A1 (ja) * 2009-11-17 2011-05-26 Jx日鉱日石金属株式会社 ランタン酸化物ターゲットの保管方法及び真空密封したランタン酸化物ターゲット
JP5580235B2 (ja) * 2010-03-31 2014-08-27 太平洋セメント株式会社 スパッタリングターゲット
US20140021038A1 (en) * 2011-03-01 2014-01-23 Sharp Kabushiki Kaisha Sputtering target, method for manufacturing the same, and method for manufacturing thin film transistor
JP6359901B2 (ja) * 2014-07-16 2018-07-18 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット
TWI803501B (zh) * 2017-08-01 2023-06-01 日本商出光興產股份有限公司 濺鍍靶材、氧化物半導體膜之成膜方法及背板
JP6345892B1 (ja) * 2018-01-10 2018-06-20 住友化学株式会社 スパッタリングターゲットの加工方法およびスパッタリングターゲット製品の製造方法
JP7258714B2 (ja) * 2019-10-09 2023-04-17 日本電波工業株式会社 光学ブランク部材

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59211575A (ja) * 1983-05-17 1984-11-30 Toshiba Corp スパツタリング用タ−ゲツト
JPH1161395A (ja) * 1997-08-08 1999-03-05 Tosoh Corp Ｉｔｏスパッタリングターゲット
JP3076311B2 (ja) * 1998-10-06 2000-08-14 株式会社日鉱マテリアルズ 酸化物焼結体スパッタリングターゲット組立体
US6673220B2 (en) * 2001-05-21 2004-01-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. System and method for fabricating silicon targets
TW562870B (en) * 2001-10-12 2003-11-21 Tosoh Corp Sputtering target
JP2007070715A (ja) * 2005-09-09 2007-03-22 Idemitsu Kosan Co Ltd スパッタリングターゲット

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109072419A (zh) * 2016-05-25 2018-12-21 山阳特殊制钢株式会社 溅射靶材
CN109072419B (zh) * 2016-05-25 2020-10-23 山阳特殊制钢株式会社 溅射靶材
CN108778588A (zh) * 2017-02-16 2018-11-09 住友化学株式会社 溅射靶的加工方法及溅射靶制品的制造方法
CN109689925A (zh) * 2017-02-16 2019-04-26 住友化学株式会社 溅射靶用切削工具、溅射靶的加工方法及溅射靶制品的制造方法
CN110268092A (zh) * 2017-02-16 2019-09-20 住友化学株式会社 溅射靶的加工方法、溅射靶的加工装置、溅射靶及溅射靶制品的制造方法
CN110788349A (zh) * 2017-02-16 2020-02-14 住友化学株式会社 溅射靶的加工方法及溅射靶制品的制造方法
CN110788349B (zh) * 2017-02-16 2021-06-08 住友化学株式会社 溅射靶的加工方法及溅射靶制品的制造方法
CN110268092B (zh) * 2017-02-16 2022-11-15 住友化学株式会社 溅射靶的加工方法、溅射靶的加工装置、溅射靶及溅射靶制品的制造方法
CN110431252A (zh) * 2017-03-31 2019-11-08 三井金属矿业株式会社 分割溅射靶
CN111455328A (zh) * 2020-05-07 2020-07-28 宁波江丰电子材料股份有限公司 一种避免反溅射层剥离的sip系列靶材及其用途

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