TWI408514B - 微影裝置及元件製造方法 - Google Patents

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Description

微影裝置及元件製造方法
本發明係關於一種微影裝置、一種可程式化圖案化元件，及一種元件製造方法。
微影裝置為將所要圖案施加至基板或基板之部分上的機器。微影裝置可用於(例如)積體電路(IC)、平板顯示器及具有精細特徵之其他元件或結構之製造中。在習知微影裝置中，可被稱作光罩或比例光罩之圖案化元件可用以產生對應於IC、平板顯示器或其他元件之個別層的電路圖案。此圖案可(例如)經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上而轉印於基板(例如，矽晶圓或玻璃板)(之部分)上。
代替電路圖案，圖案化元件可用以產生其他圖案，例如，彩色濾光器圖案或圓點矩陣。代替習知光罩，圖案化元件可包含圖案化陣列，圖案化陣列包含產生電路或其他適用圖案之個別可控制器件陣列。此「無光罩」系統相較於習知以光罩為基礎之系統的優點在於：可更快且成本更少地提供及/或改變圖案。
因此，無光罩系統包括可程式化圖案化元件(例如，空間光調變器、對比元件，等等)。可程式化圖案化元件經程式化(例如，電子地或光學地)以使用個別可控制器件陣列來形成所要經圖案化光束。可程式化圖案化元件之類型包括微鏡面陣列、液晶顯示器(LCD)陣列、光柵光閥陣列，及其類似者。
需要(例如)提供一種包括一可程式化圖案化元件之可撓性低成本微影裝置。
在一實施例中，揭示一種微影裝置，該微影裝置包括：一調變器，該調變器經組態以將基板之一曝光區域曝光至根據一所要圖案所調變之複數個光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。該調變器可相對於該曝光區域可移動，及/或該投影系統可具有用以接收該複數個光束之一透鏡陣列，該透鏡陣列係相對於該曝光區域可移動。
在一實施例中，一種無光罩微影裝置可具備(例如)一光學圓柱，該光學圓柱能夠將一圖案產生至一基板之一目標部分上。該光學圓柱可具備：一自發射對比元件，該自發射對比元件經組態以發射一光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該光束之至少一部分投影至該目標部分上。對於每一光學圓柱，該裝置可具備一致動器，該致動器用以相對於該基板移動該各別光學圓柱或其一部分。因此，可達成在該光束與該基板之間的相對移動。藉由在該移動期間「開啟」或「關閉」該自發射對比元件，可在該基板上產生一圖案。為了節約時間及/或允許一大基板具備一圖案，可應用複數個光學圓柱，因此將複數個光束(每光學圓柱一或多個光束)並行地投影至該基板上。
每一個別自發射對比元件可在其光學輸出中展示一特定容許度。為了提供根據所要圖案之一均質強度或劑量，各種光束之一強度或劑量之一調平(leveling)可為理想的。
根據本發明之一實施例，提供一種裝置，該裝置包含：至少兩個光學圓柱，該至少兩個光學圓柱各自能夠在一基板之一目標部分上產生一圖案，每一光學圓柱具有：一自發射對比元件，該自發射對比元件經組態以發射一光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該光束投影至該目標部分上；針對每一光學圓柱之一致動器，該致動器用以相對於該基板移動該光學圓柱之至少一部分；及一光學感測器元件，該光學感測器元件係相對於該等光學圓柱可移動且具有一移動範圍，該移動範圍使該光學感測器元件能夠移動通過該等光學圓柱中之每一者之一投影區域以量測該等光學圓柱中之每一者之一光束。
根據本發明之一實施例，提供一種元件製造方法，該元件製造方法包含：使用至少兩個光學圓柱在一基板之一目標部分上產生一圖案，每一光學圓柱使用一自發射對比元件來發射一光束且藉由一投影系統將該光束投影至該目標部分上；相對於該基板移動該等光學圓柱之至少一部分；相對於該等光學圓柱將一光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之每一者之一投影區域；及使用該光學感測器元件來量測藉由該等光學圓柱中之每一者發射之該光束之一光學參數。
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明之一實施例，且連同[實施方式]進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本發明。在該等圖式中，相似元件符號可指示相同或功能上類似之器件。
本文中描述一種無光罩微影裝置、一種無光罩微影方法、一種可程式化圖案化元件以及其他裝置、製品及方法之一或多個實施例。在一實施例中，提供一種低成本及/或可撓性無光罩微影裝置。因為微影裝置係無光罩的，所以無需習知光罩來曝光(例如)IC或平板顯示器。類似地，對於封裝應用無需一或多個環(ring)；可程式化圖案化元件可提供用於封裝應用之數位邊緣處理「環」以避免邊緣投影。無光罩(數位圖案化)可實現與可撓性基板一起之使用。
在一實施例中，微影裝置能夠具有超非臨界應用(super-non-critical application)。在一實施例中，微影裝置能夠具有0.1微米解析度，例如，0.5微米解析度或1微米解析度。在一實施例中，微影裝置能夠具有20微米解析度，例如，10微米解析度或5微米解析度。在一實施例中，微影裝置能夠具有~0.1微米至10微米解析度。在一實施例中，微影裝置能夠具有50奈米疊對，例如，100奈米疊對、200奈米疊對或300奈米疊對。在一實施例中，微影裝置能夠具有500奈米疊對，例如，400奈米疊對、300奈米疊對或200奈米疊對。此等疊對值及解析度值可無關於基板大小及材料。
在一實施例中，微影裝置係高度可撓性的。在一實施例中，微影裝置對於不同大小、類型及特性之基板係可按比例調整的。在一實施例中，微影裝置具有虛擬無限場大小。因此，微影裝置可以單一微影裝置或使用多個微影裝置(使用很大程度上共同的微影裝置平台)來實現多個應用(例如，IC、平板顯示器、封裝，等等)。在一實施例中，微影裝置允許自動化工作產生以提供可撓性製造。在一實施例中，微影裝置提供3D整合。
在一實施例中，微影裝置係低成本的。在一實施例中，僅使用普通的現成組件(例如，輻射發射二極體、簡單可移動基板固持器，及透鏡陣列)。在一實施例中，使用像素柵格成像以實現簡單投影光學器件。在一實施例中，使用具有單一掃描方向之基板固持器以減少成本及/或減少複雜度。
圖1示意性地描繪根據本發明之一實施例的微影投影裝置100。裝置100包括圖案化元件104、物件固持器106(例如，物件台(例如，基板台))，及投影系統108。
在一實施例中，圖案化元件104包含複數個個別可控制器件102，以調變輻射以將圖案施加至光束110。在一實施例中，複數個個別可控制器件102之位置可相對於投影系統108係固定的。然而，在一替代配置中，可將複數個個別可控制器件102連接至一定位元件(圖中未繪示)，以根據特定參數來準確地定位該等個別可控制器件中之一或多者(例如，相對於投影系統108)。
在一實施例中，圖案化元件104為自發射對比元件。此圖案化元件104消除針對輻射系統之需要，此情形可減少(例如)微影裝置之成本及大小。舉例而言，個別可控制器件102中之每一者為一輻射發射二極體，諸如發光二極體(LED)、有機LED(OLED)、聚合物LED(PLED)或雷射二極體(例如，固態雷射二極體)。在一實施例中，個別可控制器件102中之每一者為一雷射二極體。在一實施例中，個別可控制器件102中之每一者為一藍紫色雷射二極體(例如，Sanyo型號DL-3146-151)。此等二極體係藉由諸如Sanyo、Nichia、Osram及Nitride之公司供應。在一實施例中，二極體發射具有約365奈米或約405奈米之波長的輻射。在一實施例中，二極體可提供選自0.5毫瓦特至100毫瓦特之範圍的輸出功率。在一實施例中，雷射二極體(裸晶粒)之大小係選自250微米至600微米之範圍。在一實施例中，雷射二極體具有選自1微米至5微米之範圍的發射區域。在一實施例中，雷射二極體具有選自7度至44度之範圍的發散角。在一實施例中，圖案化元件104具有約1×105 個二極體，該等二極體具有用以提供大於或等於約6.4×108 W/(m2 .sr)之總亮度的組態(例如，發射區域、發散角、輸出功率，等等)。
在一實施例中，自發射對比元件包含比所需要之個別可定址器件更多的個別可定址器件102，以在另一個別可控制器件102未能操作或未適當地操作時允許使用「冗餘」個別可控制器件102。在一實施例中，可在使用(例如)下文關於圖5所論述之可移動個別可控制器件102的實施例中有利地使用冗餘個別可控制器件。
在一實施例中，自發射對比元件之個別可控制器件102係在個別可控制器件102之功率/前向電流曲線之陡峭部分中操作(例如，雷射二極體)。此情形可更有效率且導致更少功率消耗/熱。在一實施例中，當在使用中時，每個別可控制器件之光學輸出為至少1毫瓦特，例如，至少10毫瓦特、至少25毫瓦特、至少50毫瓦特、至少100毫瓦特或至少200毫瓦特。在一實施例中，當在使用中時，每個別可控制器件之光學輸出小於300毫瓦特、小於250毫瓦特、小於200毫瓦特、小於150毫瓦特、小於100毫瓦特、小於50毫瓦特、小於25毫瓦特或小於10毫瓦特。在一實施例中，當在使用中時，用以操作個別可控制器件的每可程式化圖案化元件之功率消耗小於10千瓦特，例如，小於5千瓦特、小於1千瓦特或小於0.5千瓦特。在一實施例中，當在使用中時，用以操作個別可控制器件的每可程式化圖案化元件之功率消耗為至少100瓦特，例如，至少300瓦特、至少500瓦特或至少1千瓦特。
微影裝置100包含物件固持器106。在此實施例中，該物件固持器包含物件台106以固持基板114(例如，抗蝕劑塗佈矽晶圓或玻璃基板)。物件台106可為可移動的，且連接至定位元件116以根據特定參數來準確地定位基板114。舉例而言，定位元件116可相對於投影系統108及/或圖案化元件104準確地定位基板114。在一實施例中，可用包含未在圖1中被明確地描繪之長衝程模組(粗略定位)及(視情況)短衝程模組(精細定位)的定位元件116實現物件台106之移動。在一實施例中，裝置至少不存在用以移動物件台106之短衝程模組。可使用類似系統以定位個別可控制器件102。應瞭解，或者/另外，光束110可為可移動的，而物件台106及/或個別可控制器件102可具有固定位置以提供所需相對移動。此配置可輔助限制裝置之大小。在可(例如)適用於平板顯示器之製造中的實施例中，物件台106可為靜止的，且定位元件116經組態以相對於(例如，遍及)物件台106移動基板114。舉例而言，物件台106可具備用以橫越基板114以實質上恆定速度掃描基板114之系統。在進行此過程時，物件台106可在平坦最上部表面上具備眾多開口，氣體被饋入通過該等開口以提供能夠支撐基板114之氣墊(gas cushion)。此氣墊通常被稱作氣體軸承配置(gas bearing arrangement)。使用一或多個致動器(圖中未繪示)而遍及物件台106移動基板114，該一或多個致動器能夠相對於光束110之路徑準確地定位基板114。或者，可藉由選擇性地開始及停止氣體通過開口之傳遞而相對於物件台106移動基板114。在一實施例中，物件固持器106可為供捲動基板之卷軸系統(roll system)，且定位元件116可為用以轉動卷軸系統以將基板提供至物件台106上之馬達。
投影系統108(例如，石英及/或CaF2 透鏡系統或包含由此等材料製成之透鏡器件的反射折射系統，或鏡面系統)可用以將藉由個別可控制器件102調變之經圖案化光束投影至基板114之目標部分120(例如，一或多個晶粒)上。投影系統108可對藉由複數個個別可控制器件102提供之圖案進行投影成像，使得將圖案相干地形成於基板114上。或者，投影系統108可投影次級源之影像，對於該等次級源，複數個個別可控制器件102之器件擔當遮光片。
在此方面，投影系統可包含一聚焦器件或複數個聚焦器件(在本文中一般地被稱作透鏡陣列)，例如，微透鏡陣列(被稱作MLA)或菲涅耳(Fresnel)透鏡陣列，例如，以形成次級源且將光點成像至基板114上。在一實施例中，透鏡陣列(例如，MLA)包含至少10個聚焦器件，例如，至少100個聚焦器件、至少1,000個聚焦器件、至少10,000個聚焦器件、至少100,000個聚焦器件，或至少1,000,000個聚焦器件。在一實施例中，圖案化元件中之個別可控制器件的數目等於或大於透鏡陣列中之聚焦器件的數目。在一實施例中，透鏡陣列包含一聚焦器件，該聚焦器件係與個別可控制器件陣列中之個別可控制器件中之一或多者光學地相關聯，例如，僅與個別可控制器件陣列中之個別可控制器件中之一者光學地相關聯，或與個別可控制器件陣列中之個別可控制器件中之2者或2者以上(例如，3者或3者以上、5者或5者以上、10者或10者以上、20者或20者以上、25者或25者以上、35者或35者以上，或50者或50者以上)光學地相關聯；在一實施例中，該聚焦器件係與5,000個以下個別可控制器件(例如，2,500個以下、1,000個以下、500個以下或100個以下)光學地相關聯。在一實施例中，透鏡陣列包含一個以上聚焦器件(例如，1,000個以上、大多數或約全部)，該一個以上聚焦器件係與個別可控制器件陣列中之個別可控制器件中之一或多者光學地相關聯。
在一實施例中，透鏡陣列係(例如)藉由使用一或多個致動器而至少在至及遠離基板之方向上可移動。能夠將透鏡陣列移動至及遠離基板會允許(例如)在不必移動基板的情況下進行聚焦調整。在一實施例中，透鏡陣列中之個別透鏡器件(例如，透鏡陣列中之每一個別透鏡器件)係至少在至及遠離基板之方向上可移動(例如，用於在非平坦基板上之局域聚焦調整或用以將每一光學圓柱帶入至相同聚焦距離中)。
在一實施例中，透鏡陣列包含塑膠聚焦器件(該等塑膠聚焦器件可易於製造(例如，射出成形)及/或係可負擔得起的)，其中(例如)輻射之波長大於或等於約400奈米(例如，405奈米)。在一實施例中，輻射之波長係選自約400奈米至500奈米之範圍。在一實施例中，透鏡陣列包含石英聚焦器件。在一實施例中，該等聚焦器件中之每一者或複數者可為不對稱透鏡。不對稱性可對於複數個聚焦器件中之每一者係相同的，或可對於複數個聚焦器件中之一或多個聚焦器件相較於對於複數個聚焦器件中之一或多個不同聚焦器件係不同的。不對稱透鏡可促進將卵圓形輻射輸出轉換成圓形投影光點，或將圓形投影光點轉換成卵圓形輻射輸出。
在一實施例中，聚焦器件具有高數值孔徑(NA)，高NA經配置以在焦點外將輻射投影至基板上以獲得系統之低NA。更高NA透鏡相較於可購得之低NA透鏡可為更經濟、更普遍及/或品質更好。在一實施例中，低NA小於或等於0.3，在一實施例中為0.18、0.15或0.15以下。因此，更高NA透鏡具有大於系統之設計NA的NA，例如，大於0.3、大於0.18或大於0.15。
雖然在一實施例中投影系統108係與圖案化元件104分離，但無需如此。投影系統108可與圖案化元件108成整體。舉例而言，透鏡陣列區塊或板可附接至圖案化元件104(與圖案化元件104成整體)。在一實施例中，透鏡陣列可以個別空間分離小透鏡之形式，每一小透鏡附接至圖案化元件104之個別可定址器件(與圖案化元件104之個別可定址器件成整體)，如下文更詳細地所論述。
視情況，微影裝置可包含輻射系統以將輻射(例如，紫外線(UV)輻射)供應至複數個個別可控制器件102。若圖案化元件為輻射源自身(例如，雷射二極體陣列或LED陣列)，則微影裝置可經設計成無輻射系統，亦即，無除了圖案化元件自身以外之輻射源，或至少無簡化輻射系統。
輻射系統包括經組態以自輻射源接收輻射之照明系統(照明器)。照明系統包括以下器件中之一或多者：輻射傳送系統(例如，適當引導鏡面)；輻射調節元件(例如，光束擴展器)；調整元件，其用以設定輻射之角強度分佈(通常，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部徑向範圍及/或內部徑向範圍(通常分別被稱作σ外部及σ內部))；積光器；及/或聚光器。照明系統可用以調節將提供至個別可控制器件102之輻射，以在輻射之橫截面中具有所要均一性及強度分佈。照明系統可經配置以將輻射劃分成複數個子光束，該等子光束可(例如)各自與複數個個別可控制器件中之一或多者相關聯。二維繞射光柵可(例如)用以將輻射劃分成子光束。在本描述中，術語「輻射光束」涵蓋(但不限於)光束包含複數個此等輻射子光束之情形。
輻射系統亦可包括輻射源(例如，準分子雷射)，以產生用於供應至複數個個別可控制器件102或藉由複數個個別可控制器件102供應之輻射。舉例而言，當輻射源為準分子雷射時，輻射源與微影裝置100可為分離實體。在此等情況下，不認為輻射源形成微影裝置100之部分，且輻射係自輻射源傳遞至照明器。在其他情況下，例如，當輻射源為水銀燈時，輻射源可為微影裝置100之整體部分。應瞭解，在本發明之範疇內預期兩種此等情景。
在一實施例中，輻射源(其在一實施例中可為複數個個別可控制器件102)可提供具有至少5奈米之波長的輻射，例如，波長為至少10奈米、至少50奈米、至少100奈米、至少150奈米、至少175奈米、至少200奈米、至少250奈米、至少275奈米、至少300奈米、至少325奈米、至少350奈米或至少360奈米。在一實施例中，輻射具有至多450奈米之波長，例如，波長為至多425奈米、至多375奈米、至多360奈米、至多325奈米、至多275奈米、至多250奈米、至多225奈米、至多200奈米或至多175奈米。在一實施例中，輻射具有包括436奈米、405奈米、365奈米、355奈米、248奈米、193奈米、157奈米、126奈米及/或13.5奈米之波長。在一實施例中，輻射包括大約365奈米或大約355奈米之波長。在一實施例中，輻射包括寬波長頻帶，例如，涵蓋365奈米、405奈米及436奈米。可使用355奈米雷射源。在一實施例中，輻射具有約405奈米之波長。
在一實施例中，以在0°與90°之間(例如，在5°與85°之間、在15°與75°之間、在25°與65°之間，或在35°與55°之間)的角度將輻射自照明系統引導於圖案化元件104處。可將來自照明系統之輻射直接提供至圖案化元件104。在一替代實施例中，可藉由光束分裂器(圖中未繪示)將輻射自照明系統引導至圖案化元件104，光束分裂器經組態成使得最初藉由光束分裂器反射輻射且將輻射引導至圖案化元件104。圖案化元件104調變光束且將光束反射回至光束分裂器，光束分裂器將經調變光束透射朝向基板114。然而，應瞭解，可使用替代配置以將輻射引導至圖案化元件104且隨後引導至基板114。詳言之，若使用透射圖案化元件104(例如，LCD陣列)或圖案化元件104係自發射的(例如，複數個二極體)，則可能不需要照明系統配置。
在微影裝置100之操作中(其中圖案化元件104不係輻射發射的(例如，包含LED))，輻射係自輻射系統(照明系統及/或輻射源)入射於圖案化元件104(例如，複數個個別可控制器件)上，且係藉由圖案化元件104調變。經圖案化光束110在已藉由複數個個別可控制器件102產生之後傳遞通過投影系統108，投影系統108將光束110聚焦至基板114之目標部分120上。
憑藉定位元件116(及(視情況)在基座136上之位置感測器134(例如，接收干涉量測光束138之干涉量測元件、線性編碼器或電容性感測器))，可準確地移動基板114，例如，以使不同目標部分120定位於光束110之路徑中。在使用時，用於複數個個別可控制器件102之定位元件可用以(例如)在掃描期間準確地校正複數個個別可控制器件102相對於光束110之路徑的位置。
儘管本文中將根據本發明之一實施例的微影裝置100描述為用於曝光基板上之抗蝕劑，但應瞭解，裝置100可用以投影經圖案化光束110以供在無抗蝕劑微影中使用。如此處所描繪，微影裝置100為反射類型(例如，使用反射個別可控制器件)。或者，裝置可為透射類型(例如，使用透射個別可控制器件)。
所描繪裝置100可用於一或多個模式中，例如：
1.在步進模式中，在將整個經圖案化輻射光束110一次性投影至目標部分120上時，使個別可控制器件102及基板114保持基本上靜止(亦即，單次靜態曝光)。接著，使基板114在X及/或Y方向上移位，使得可將不同目標部分120曝光至經圖案化輻射光束110。在步進模式中，曝光場之最大大小限制單次靜態曝光中所成像之目標部分120的大小。
2.　在掃描模式中，在將經圖案化輻射光束110投影至目標部分120上時，同步地掃描個別可控制器件102及基板114(亦即，單次動態曝光)。可藉由投影系統PS之放大率(縮小率)及影像反轉特性來判定基板相對於個別可控制器件之速度及方向。在掃描模式中，曝光場之最大大小限制單次動態曝光中之目標部分的寬度(在非掃描方向上)，而掃描運動之長度判定目標部分之高度(在掃描方向上)。
3.　在脈衝模式中，使個別可控制器件102保持基本上靜止，且使用脈動(例如，藉由脈衝式輻射源或藉由脈動個別可控制器件提供)而將整個圖案投影至基板114之目標部分120上。以基本上恆定速率移動基板114，使得導致經圖案化光束110橫越基板114掃描一行(line)。在脈衝之間根據需要而更新藉由個別可控制器件提供之圖案且對脈衝進行時控，使得在基板114上之所需部位處曝光順次目標部分120。因此，經圖案化光束110可橫越基板114進行掃描以曝光用於基板114之條帶的完整圖案。重複該程序，直到已逐行曝光完整基板114為止。
4.　在連續掃描模式中，與脈衝模式基本上相同，惟如下情形除外：相對於經調變輻射光束B以實質上恆定速率掃描基板114，且在經圖案化光束110橫越基板114進行掃描且曝光基板114時更新個別可控制器件陣列上之圖案。可使用經同步於個別可控制器件陣列上之圖案之更新的實質上恆定輻射源或脈衝式輻射源。
亦可使用對上文所描述之使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
圖2描繪用於晶圓(例如，300毫米晶圓)的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。如圖2所示，微影裝置100包含基板台106以固持晶圓114。用以在至少X方向上移動基板台106之定位元件116係與基板台106相關聯。視情況，定位元件116可在Y方向及/或Z方向上移動基板台106。定位元件116亦可圍繞X方向、Y方向及/或Z方向旋轉基板台106。因此，定位元件116可提供在高達6個自由度中之運動。在一實施例中，基板台106提供僅在X方向上之運動，此情形之優點為更低成本及更少複雜度。在一實施例中，基板台106包含中繼光學器件。
微影裝置100進一步包含配置於框架160上之複數個個別可定址器件102。框架160可與基板台106及其定位元件116機械地隔離。可(例如)藉由與用於基板台106及/或其定位元件116之框架160分離地將框架160連接至地面或牢固基座來提供機械隔離。或者或此外，可在框架160與框架160被連接至之結構之間提供阻尼器，而無論該結構是地面、牢固基座或是支撐基板台106及/或其定位元件116之框架。
在此實施例中，個別可定址器件102中之每一者為一輻射發射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。如圖2所示，可將個別可定址器件102配置成沿著Y方向延伸之至少3個分離個別可定址器件102陣列。在一實施例中，個別可定址器件102陣列係在X方向上與鄰近個別可定址器件102陣列交錯。微影裝置100(特別為個別可定址器件102)可經配置以提供本文中更詳細地所描述之像素柵格成像。
個別可定址器件102陣列中之每一者可為一個別光學引擎組件之部分，該陣列及該個別光學引擎組件可出於容易複製起見而被製造為一部件(unit)。此外，框架160可經組態為可擴展且可組態的，以容易採用任何數目個此等光學引擎組件。光學引擎組件可包含個別可定址器件102陣列與透鏡陣列170之組合(見(例如)圖8)。舉例而言，在圖2中，描繪3個光學引擎組件(其中一關聯透鏡陣列170處於每一各別個別可定址器件102陣列下方)。因此，在一實施例中，可提供多圓柱光學配置，其中每一光學引擎形成一圓柱。
另外，微影裝置100包含對準感測器150。對準感測器係用以在曝光基板114之前及/或期間判定個別可定址器件102與基板114之間的對準。可藉由微影裝置100之控制器使用對準感測器150之結果以控制(例如)定位元件116，以定位基板台106以改良對準。或者或此外，控制器可控制(例如)與個別可定址器件102相關聯之定位元件，以定位個別可定址器件102中之一或多者以改良對準。在一實施例中，對準感測器150可包括用以執行對準之圖案辨識功能性/軟體。
或者或此外，微影裝置100包含位階感測器(level sensor)150。位階感測器150係用以判定基板106是否位於相對於來自個別可定址器件102之圖案的投影之位階處。位階感測器150可在曝光基板114之前及/或期間判定位階。可藉由微影裝置100之控制器使用位階感測器150之結果以控制(例如)定位元件116，以定位基板台106以改良調平。或者或此外，控制器可控制(例如)與投影系統108(例如，透鏡陣列)相關聯之定位元件，以定位投影系統108(例如，透鏡陣列)之器件以改良調平。在一實施例中，位階感測器可藉由將超音波光束投影於基板106處進行操作，及/或藉由將電磁輻射光束投影於基板106處進行操作。
在一實施例中，可使用來自對準感測器及/或位階感測器之結果以更改藉由個別可定址器件102提供之圖案。可更改圖案以校正(例如)可由(例如)個別可定址器件102與基板114之間的光學器件(若存在)而引起的失真、基板114之定位中的不規則性、基板114之不均勻度，等等。因此，可使用來自對準感測器及/或位階感測器之結果以更改經投影圖案以實現非線性失真校正。非線性失真校正可有用於(例如)可能不具有一致線性或非線性失真之可撓性顯示器。
在微影裝置100之操作中，使用(例如)機器人處置器(圖中未繪示)將基板114裝載至基板台106上。接著使基板114在框架160及個別可定址器件102下方於X方向上位移。藉由位階感測器及/或對準感測器150量測基板114，且接著使用個別可定址器件102將基板114曝光至圖案。舉例而言，經由投影系統108之焦平面(影像平面)掃描基板114，同時藉由圖案化元件104至少部分地開啟或完全地開啟或關閉子光束且因此至少部分地開啟或完全地開啟或關閉影像光點S(見(例如)圖12)。將對應於圖案化元件104之圖案的特徵形成於基板114上。可操作個別可定址器件102，例如，以提供本文中所論述之像素柵格成像。
在一實施例中，可完全地在正X方向上掃描基板114，且接著完全地在負X方向上掃描基板114。在此實施例中，對於負X方向掃描，可能需要在個別可定址器件102之對置側上的額外位階感測器及/或對準感測器150。
圖3描繪用於在(例如)平板顯示器(例如，LCD、OLED顯示器，等等)之製造中曝光基板的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。如同圖2所示之微影裝置100，微影裝置100包含：基板台106，基板台106係用以固持平板顯示器基板114；定位元件116，定位元件116係用以在高達6個自由度中移動基板台106；對準感測器150，對準感測器150係用以判定個別可定址器件102與基板114之間的對準；及位階感測器150，位階感測器150係用以判定基板114是否位於相對於來自個別可定址器件102之圖案的投影之位階處。
微影裝置100進一步包含配置於框架160上之複數個個別可定址器件102。在此實施例中，個別可定址器件102中之每一者為一輻射發射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。如圖3所示，將個別可定址器件102配置成沿著Y方向延伸之數個(例如，至少8個)靜止分離個別可定址器件102陣列。在一實施例中，該等陣列實質上靜止，亦即，該等陣列在投影期間不會顯著地移動。另外，在一實施例中，數個個別可定址器件102陣列係在X方向上以交替方式與鄰近個別可定址器件102陣列交錯。微影裝置100(特別為個別可定址器件102)可經配置以提供像素柵格成像。
在微影裝置100之操作中，使用(例如)機器人處置器(圖中未繪示)將平板顯示器基板114裝載至基板台106上。接著使基板114在框架160及個別可定址器件102下方於X方向上位移。藉由位階感測器及/或對準感測器150量測基板114，且接著使用個別可定址器件102將基板114曝光至圖案。可操作個別可定址器件102，例如，以提供本文中所論述之像素柵格成像。
圖4描繪用於卷軸式可撓性顯示器/電子器件的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。如同圖3所示之微影裝置100，微影裝置100包含配置於框架160上之複數個個別可定址器件102。在此實施例中，個別可定址器件102中之每一者為一輻射發射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。另外，微影裝置包含：對準感測器150，對準感測器150係用以判定個別可定址器件102與基板114之間的對準；及位階感測器150，位階感測器150係用以判定基板114是否位於相對於來自個別可定址器件102之圖案的投影之位階處。
微影裝置亦可包含具有物件台106之物件固持器，基板114係遍及物件台106而移動。基板114係可撓性的且捲動至連接至定位元件116之卷軸上，定位元件116可為用以轉動卷軸之馬達。在一實施例中，或者或此外，基板114可自連接至定位元件116之卷軸捲動，定位元件116可為用以轉動卷軸之馬達。在一實施例中，存在至少兩個卷軸，一卷軸係供基板自其捲動，且另一卷軸係供基板捲動至其上。在一實施例中，若(例如)基板114在該等卷軸之間足夠堅硬，則無需提供物件台106。在此情況下，仍將存在物件固持器，例如，一或多個卷軸。在一實施例中，微影裝置可提供無載體基板(例如，無載體箔片(carrier-less-foil,CLF))及/或卷軸式製造(roll to roll manufacturing)。在一實施例中，微影裝置可提供單片連續式製造(sheet to sheet manufacturing)。
在微影裝置100之操作中，在框架160及個別可定址器件102下方於X方向上將可撓性基板114捲動至卷軸上及/或自卷軸捲動可撓性基板114。藉由位階感測器及/或對準感測器150量測基板114，且接著使用個別可定址器件102將基板114曝光至圖案。可操作個別可定址器件102，例如，以提供本文中所論述之像素柵格成像。
圖5描繪具有可移動個別可定址器件102的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。如同圖2所示之微影裝置100，微影裝置100包含：基板台106，基板台106係用以固持基板114；定位元件116，定位元件116係用以在高達6個自由度中移動基板台106；對準感測器150，對準感測器150係用以判定個別可定址器件102與基板114之間的對準；及位階感測器150，位階感測器150係用以判定基板114是否位於相對於來自個別可定址器件102之圖案的投影之位階處。
微影裝置100進一步包含配置於框架160上之複數個個別可定址器件102。在此實施例中，個別可定址器件102中之每一者為一輻射發射二極體，例如，雷射二極體(例如，藍紫色雷射二極體)。如圖5所示，將個別可定址器件102配置成沿著Y方向延伸之數個分離個別可定址器件102陣列200。另外，在一實施例中，數個個別可定址器件102陣列200係在X方向上以交替方式與鄰近個別可定址器件102陣列200交錯。微影裝置100(特別為個別可定址器件102)可經配置以提供像素柵格成像。然而，在一實施例中，微影裝置100無需提供像素柵格成像。相反地，微影裝置100可以不形成用於投影至基板上之個別像素而是形成用於投影至基板上之實質上連續影像的方式將二極體之輻射投影至基板上。
在一實施例中，複數個個別可定址器件102中之一或多者係可移動於該一或多個個別可定址器件係用以投影光束110之全部或部分的曝光區域與該一或多個個別可定址器件不投影光束110之任何部分的曝光區域外部之部位之間。在一實施例中，一或多個個別可定址器件102為輻射發射元件，該等輻射發射元件在曝光區域204(圖5中之淡陰影區域)中開啟或至少部分地開啟(亦即，該等輻射發射元件發射輻射)，且在位於曝光區域204外部時關閉(亦即，該等輻射發射元件不發射輻射)。
在一實施例中，一或多個個別可定址器件102為輻射發射元件，該等輻射發射元件可在曝光區域204中及在曝光區域204外部開啟。在此情況下，若(例如)輻射未藉由一或多個個別可定址器件102適當地投影於曝光區域204中，則可在曝光區域204外部開啟一或多個個別可定址器件102以提供補償曝光。舉例而言，參看圖5，可開啟與曝光區域204對置之陣列之個別可定址器件102中之一或多者，以校正曝光區域204中之失敗或不適當的輻射投影。
在一實施例中，曝光區域204為狹長線。在一實施例中，曝光區域204為一或多個個別可定址器件102之單維陣列。在一實施例中，曝光區域204為一或多個個別可定址器件102之二維陣列。在一實施例中，曝光區域204狹長。
在一實施例中，可移動個別可定址器件102中之每一者可分離地且未必一起作為一部件可移動。
在一實施例中，一或多個個別可定址器件係可移動的，且在使用中，至少在投影光束110期間於橫向於光束110之傳播方向的方向上移動。舉例而言，在一實施例中，一或多個個別可定址器件102為輻射發射元件，該等輻射發射元件在投影光束110期間於實質上垂直於光束110之傳播方向的方向上移動。
在一實施例中，陣列200中之每一者為一可橫向位移板，該可橫向位移板具有沿著該板所配置之複數個空間分離個別可定址器件102，如圖6所示。在使用中，每一板沿著方向208平移。在使用中，對個別可定址器件102之運動進行適當地時控以位於曝光區域204(在圖6中被展示為濃陰影區域)中，以便投影光束110之全部或部分。舉例而言，在一實施例中，一或多個個別可定址器件102為輻射發射元件，且對個別可定址器件102之開啟或關閉進行時控，使得一或多個個別可定址器件102在處於曝光區域204中時開啟且在處於區域204外部時關閉。舉例而言，在圖6(A)中，在方向208上平移複數個二維輻射發射二極體陣列200(兩個陣列係在正方向208上且該兩個陣列之間的中間陣列係在負方向208上)。對輻射發射二極體102之開啟或關閉進行時控，使得每一陣列200之特定輻射發射二極體102在處於曝光區域204中時開啟且在處於區域204外部時關閉。當然，當(例如)陣列200到達該等陣列之行進末端時，陣列200可在相反方向上行進，亦即，兩個陣列係在負方向208上且該兩個陣列之間的中間陣列係在正方向208上。在一另外實例中，在圖6(B)中，在方向208上平移複數個交插單維輻射發射二極體陣列200(在正方向208及負方向208上交替)。對輻射發射二極體102之開啟或關閉進行時控，使得每一陣列200之特定輻射發射二極體102在處於曝光區域204中時開啟且在處於區域204外部時關閉。當然，陣列200可在相反方向上行進。在一另外實例中，在圖6(C)中，在方向208上平移單一輻射發射二極體陣列200(被展示為一維，但無需如此)。對輻射發射二極體102之開啟或關閉進行時控，使得每一陣列200之特定輻射發射二極體102在處於曝光區域204中時開啟且在處於區域204外部時關閉。
在一實施例中，陣列200中之每一者為一可旋轉板，該可旋轉板具有圍繞該板所配置之複數個空間分離個別可定址器件102。在使用中，每一板(例如)在藉由圖5中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸線206旋轉。亦即，陣列200可在如圖5所示之順時針方向及逆時針方向上交替地旋轉。或者，陣列200中之每一者可在順時針方向上旋轉或在逆時針方向上旋轉。在一實施例中，陣列200旋轉完整一圈。在一實施例中，陣列200旋轉小於完整一圈之弧。在一實施例中，若(例如)基板在Z方向上進行掃描，則陣列200可圍繞延伸於X方向或Y方向上之軸線旋轉。在一實施例中，參看圖6(D)，陣列200之個別可定址器件102可配置於邊緣處，且在向外朝向基板114之徑向方向上進行投影。基板114可圍繞陣列200之側之至少一部分延伸。在此情況下，陣列200圍繞延伸於X方向上之軸線旋轉，且基板114在X方向上移動。
在使用中，對個別可定址器件102之運動進行適當地時控以位於曝光區域204中，以便投影光束110之全部或部分。舉例而言，在一實施例中，一或多個個別可定址器件102為輻射發射元件，且對個別可定址器件102之開啟或關閉進行時控，使得一或多個個別可定址器件102在處於曝光區域204中時開啟且在處於區域204外部時關閉。因此，在一實施例中，可使輻射發射元件102在運動期間均保持開啟，且接著將輻射發射元件102中之特定輻射發射元件在曝光區域204中調變為關閉。可能需要在輻射發射元件102與基板之間及在曝光區域204外部的適當屏蔽，以屏蔽曝光區域204免於在曝光區域204外部開啟之輻射發射元件102。使輻射發射元件102一致地開啟可促進使輻射發射元件102在使用期間處於實質上均一溫度下。在一實施例中，可使輻射發射元件102時常保持關閉，且可使輻射發射元件102中之一或多者在處於曝光區域204中時開啟。
在一實施例中，可旋轉板可具有圖7所示之組態。舉例而言，在圖7(A)中，展示可旋轉板之示意性俯視圖。可旋轉板可具有陣列200，陣列200具有圍繞該板所配置之多個個別可定址器件102子陣列210(該可旋轉板相較於圖5之可旋轉板示意性地展示圍繞該板所配置之單一個別可定址器件102陣列200)。在圖7(A)中，子陣列210被展示為相對於彼此交錯，使得一子陣列210之一個別可定址器件102處於另一子陣列210之兩個個別可定址器件102之間。然而，子陣列210之個別可定址器件102可彼此對準。個別可定址器件102可藉由馬達216圍繞一軸線個別地或一起旋轉，在此實例中，該軸線通過馬達216而延伸於圖7(A)中之Z方向上。馬達216可附接至可旋轉板且連接至框架(例如，框架160)，或附接至框架(例如，框架160)且連接至可旋轉板。在一實施例中，馬達216(或(例如)位於別處之某一馬達)可導致個別可定址器件102之其他移動(無論是個別地或是一起)。舉例而言，馬達216可導致在X方向、Y方向及/或Z方向上的個別可定址器件102中之一或多者之平移。或者或此外，馬達216可導致圍繞X方向及/或Y方向的個別可定址器件102中之一或多者之旋轉(亦即，Rx 運動及/或Ry 運動)。
在圖7(B)中被示意性地展示為俯視圖之可旋轉板的實施例中，該可旋轉板可在其中心區域中具有開口212，其中個別可定址器件102陣列200係配置於開口212外部之板上。因此，例如，可旋轉板可形成如圖7(B)所示之環形圓盤，其中個別可定址器件102陣列200係圍繞該圓盤而配置。開口可減少可旋轉板之重量，及/或促進冷卻個別可定址器件102。
在一實施例中，可旋轉板可使用支撐件214而被支撐於外部周邊處。支撐件214可為軸承，諸如滾筒軸承或氣體軸承。可藉由如圖7(A)所示之馬達216提供旋轉(及/或其他移動，例如，在X方向、Y方向及/或Z方向上之平移，及/或Rx 運動及/或Ry 運動)。或者或另外，支撐件214可包括馬達以導致個別可定址器件102圍繞軸線A旋轉(及/或提供其他移動，例如，在X方向、Y方向及/或Z方向上之平移，及/或Rx 運動及/或Ry 運動)。
在一實施例中，參看圖7(D)及圖7(E)，具有個別可定址器件102陣列200之可旋轉板可附接至可旋轉結構218。可旋轉結構218可藉由馬達220圍繞軸線B旋轉。另外，可旋轉板可藉由馬達216相對於可旋轉結構218旋轉，馬達216導致可旋轉板圍繞軸線A旋轉。在一實施例中，旋轉軸線A與旋轉軸線B不重合，且因此，該等軸線係空間分離的，如圖7(D)及圖7(E)所示。在一實施例中，旋轉軸線A與旋轉軸線B彼此實質上平行。在曝光期間之使用中，可旋轉結構218及可旋轉板兩者均旋轉。可協調該旋轉，使得曝光區域204中之個別可定址器件102可以實質上直線進行對準。此情形可與(例如)圖5之實施例相比較，在圖5之實施例中，曝光區域204中之個別可定址器件102可能不以實質上直線進行對準。
在具有如上文所描述之可移動個別可定址器件的情況下，可在需要時藉由將個別可定址器件移動至曝光區域204中來減少個別可定址器件之數目。因此，可減少熱負荷。
在一實施例中，可提供比理論上所需要之可移動個別可定址器件(例如，在可旋轉板上)更多的可移動個別可定址器件。此配置之可能優點在於：若一或多個可移動個別可定址器件中斷或未能操作，則可代替地使用可移動個別可定址器件中之一或多個其他可移動個別可定址器件。或者或此外，額外可移動個別可定址器件可具有用於控制個別可定址器件上之熱負荷的優點，此係因為所存在之可移動個別可定址器件愈多，則存在使曝光區域204外部之可移動個別可定址器件冷卻的機會愈多。
在一實施例中，可移動個別可定址器件102嵌入於包含低熱導率之材料中。舉例而言，該材料可為陶瓷，例如，菫青石或以菫青石為基礎之陶瓷，及/或微晶玻璃陶瓷。在一實施例中，可移動個別可定址器件102嵌入於包含高熱導率之材料(例如，金屬，例如，相對輕量之金屬(例如，鋁或鈦))中。
在一實施例中，陣列200可包含溫度控制配置。舉例而言，參看圖7(F)，陣列200可具有流體(例如，液體)傳導通道222以在陣列200上、在陣列200附近或通過陣列200輸送冷卻流體以冷卻該陣列。通道222可連接至適當熱交換器及泵228以使流體循環通過該通道。連接於通道222與熱交換器及泵228之間的供應件(supply)224及返回件(return)226可促進流體之循環及溫度控制。感測器234可提供於陣列中、陣列上或陣列附近，以量測陣列200之參數，該量測可用以控制(例如)藉由熱交換器及泵提供之流體流的溫度。在一實施例中，感測器234可量測陣列200本體之膨脹及/或收縮，該量測可用以控制藉由熱交換器及泵提供之流體流的溫度。此膨脹及/或收縮可為溫度之代表。在一實施例中，感測器234可與陣列200整合(如藉由以圓點之形式的感測器234所示)，及/或可與陣列200分離(如藉由以方框之形式的感測器234所示)。與陣列200分離之感測器234可為光學感測器。
在一實施例中，參看圖7(G)，陣列200可具有一或多個散熱片230以增加用於熱耗散之表面區域。散熱片230可(例如)處於陣列200之頂部表面上及/或陣列200之側表面上。視情況，可提供一或多個另外散熱片232以與散熱片230合作以促進熱耗散。舉例而言，散熱片232能夠自散熱片230吸收熱，且可類似於如圖7(F)所示且關於圖7(F)所描述而包含流體(例如，液體)傳導通道及關聯熱交換器/泵。
在一實施例中，參看圖7(H)，陣列200可位於流體限制結構236處或附近，流體限制結構236經組態以使流體238維持接觸陣列200本體，以促進經由該流體之熱耗散。在一實施例中，流體238可為液體，例如，水。在一實施例中，流體限制結構236在其與陣列200本體之間提供密封。在一實施例中，該密封可為經由(例如)氣體流動或毛細管力所提供之無接觸密封。在一實施例中，類似於如關於流體傳導通道222所論述，使流體238循環以促進熱耗散。可藉由流體供應元件240供應流體238。
在一實施例中，參看圖7(H)，陣列200可位於流體供應元件240處或附近，流體供應元件240經組態以將流體238投射朝向陣列200本體，以促進經由該流體之熱耗散。在一實施例中，流體238為氣體，例如，清潔乾燥空氣、N2 、惰性氣體，等等。雖然圖7(H)中一起展示流體限制結構236及流體供應元件240，但無需一起提供流體限制結構236及流體供應元件240。
在一實施例中，陣列200本體為具有(例如)用於流體傳導通道222之空腔的實質上固體結構。在一實施例中，陣列200本體為實質上框架狀結構，該結構大部分敞開且各種組件(例如，個別可定址器件102、流體傳導通道222，等等)附接至該結構。此敞開狀結構促進氣體流動及/或增加表面區域。在一實施例中，陣列200本體為實質上固體結構，其中複數個空腔進入本體中或通過本體以促進氣體流動及/或增加表面區域。
雖然上文已描述用以提供冷卻之實施例，但或者或此外，該等實施例可提供加熱。
在一實施例中，在曝光使用期間，使陣列200理想地保持於實質上恆定穩定狀態下。因此，例如，陣列200之個別可定址器件102中之全部或多數可在曝光之前被通電以達到或接近所要穩定狀態溫度，且在曝光期間，任何一或多個溫度控制配置均可用以冷卻及/或加熱陣列200以維持穩定狀態溫度。在一實施例中，任何一或多個溫度控制配置均可用以在曝光之前加熱陣列200以達到或接近所要穩定狀態溫度。接著，在曝光期間，任何一或多個溫度控制配置均可用以冷卻及/或加熱陣列200以維持穩定狀態溫度。可以前饋及/或回饋方式使用來自感測器234之量測以維持穩定狀態溫度。在一實施例中，複數個陣列200中之每一者可具有相同穩定狀態溫度，或複數個陣列200中之一或多個陣列200可具有與複數個陣列200中之一或多個其他陣列200之穩定狀態溫度不同的穩定狀態溫度。在一實施例中，陣列200被加熱至高於所要穩定狀態溫度之溫度且接著在曝光期間下降，此係由於藉由任何一或多個溫度控制配置施加之冷卻，及/或因為個別可定址器件102之使用不足以維持高於所要穩定狀態溫度之溫度。
在一實施例中，為了改良熱控制及總冷卻，沿著及/或橫越曝光區域增加陣列200本體之數目。因此，例如，代替圖5所示之四個陣列200，可提供五個、六個、七個、八個、九個、十個或十個以上陣列200。可提供更少陣列(例如，一個陣列200)，例如，覆蓋基板之全寬度的單一大陣列。
在一實施例中，如本文中所描述之透鏡陣列係與可移動個別可定址器件相關聯或整合。舉例而言，透鏡陣列板可附接至可移動陣列200中之每一者，且因此隨著個別可定址器件102而可移動(例如，可旋轉)。如上文所論述，透鏡陣列板可相對於個別可定址器件102可位移(例如，在Z方向上)。在一實施例中，可針對陣列200提供複數個透鏡陣列板，每一透鏡陣列板係與複數個個別可定址器件102之不同子集相關聯。
在一實施例中，參看圖7(I)，單一分離透鏡242可附接於每一個別可定址器件102前方，且隨著個別可定址器件102而可移動(例如，圍繞軸線A可旋轉)。另外，透鏡242可經由使用致動器244而相對於個別可定址器件102可位移(例如，在Z方向上)。在一實施例中，參看圖7(J)，個別可定址器件102及透鏡242可藉由致動器244而相對於陣列200之本體246一起位移。在一實施例中，致動器244經組態以僅使透鏡242在Z方向上位移(亦即，相對於個別可定址器件102或連同個別可定址器件102)。
在一實施例中，致動器244經組態以使透鏡242在高達3個自由度中位移(Z方向、圍繞X方向之旋轉，及/或圍繞Y方向之旋轉)。在一實施例中，致動器244經組態以使透鏡242在高達6個自由度中位移。在透鏡242係相對於其個別可定址器件102可移動時，可藉由致動器244移動透鏡242以改變透鏡242相對於基板之聚焦位置。在透鏡242係隨著其個別可定址器件102而可移動時，透鏡242之聚焦位置實質上恆定，但相對於基板位移。在一實施例中，針對與陣列200之每一個別可定址器件102相關聯的每一透鏡242而個別地控制透鏡242之移動。在一實施例中，複數個透鏡242之子集係相對於或連同複數個透鏡242的複數個個別可定址器件102之關聯子集可一起移動。在此後者情形中，可為了更低資料耗用及/或更快回應而損耗聚焦控制之精細度。在一實施例中，可藉由散焦來調整藉由個別可定址器件102提供之輻射之光點的大小，亦即，散焦得愈多，則光點大小愈大。
在一實施例中，參看圖7(K)，具有孔隙之孔隙結構248可位於透鏡242下方。在一實施例中，孔隙結構248可在透鏡242與關聯個別可定址器件102之間位於透鏡242上方。孔隙結構248可限制透鏡242、關聯個別可定址器件102及/或鄰近透鏡242/個別可定址器件102之繞射效應。
在一實施例中，個別可定址器件102可為輻射發射元件，例如，雷射二極體。此輻射發射元件可具有高空間相干性，且因此可呈現斑點問題。為了避免此斑點問題，應藉由移位一光束部分相對於另一光束部分之相位來擾亂藉由輻射發射元件發射之輻射。在一實施例中，參看圖7(L)及圖7(M)，板250可位於(例如)框架160上，且個別可定址器件102相對於板250移動。隨著個別可定址器件102相對於且遍及板250移動，板250導致破壞藉由個別可定址器件102發射朝向基板之輻射之空間相干性。在一實施例中，隨著個別可定址器件102相對於且遍及板250移動，板250位於透鏡242與其關聯個別可定址器件102之間。在一實施例中，板250可位於透鏡242與基板之間。
在一實施例中，參看圖7(N)，空間相干性破壞元件252可位於該基板與將輻射投影至曝光區域上之至少該等個別可定址器件102之間。在一實施例中，空間相干性破壞元件252位於個別可定址器件102與透鏡242之間，且可附接至本體246。在一實施例中，空間相干性破壞元件252為相位調變器、振動板或旋轉板。隨著個別可定址器件102將輻射投影朝向基板，空間相干性破壞元件252導致破壞藉由個別可定址器件102發射之輻射之空間相干性。
在一實施例中，理想地經由高熱導率材料將透鏡陣列(無論是一起作為部件或是作為個別透鏡)附接至陣列200，以促進熱自透鏡陣列至陣列200之傳導，其中可更有利地提供冷卻。
在一實施例中，陣列200可包含一或多個聚焦或位階感測器254，如同位階感測器150。舉例而言，感測器254可經組態以針對陣列200之每一個別可定址器件102或針對陣列200之複數個個別可定址器件102量測聚焦。因此，若偵測到離焦條件，則可針對陣列200之每一個別可定址器件102或針對陣列200之複數個個別可定址器件102校正聚焦。可藉由(例如)在Z方向上(及/或圍繞X軸及/或圍繞Y軸)移動透鏡242來校正聚焦。
在一實施例中，感測器254係與一個別可定址器件102成整體(或可與陣列200之複數個個別可定址器件102成整體)。參看圖7(O)，示意性地描繪實例感測器254。聚焦偵測光束256經重新引導(例如，反射)離開基板表面、傳遞通過透鏡242且藉由半鍍銀鏡面258引導朝向偵測器262。在一實施例中，聚焦偵測光束256可為碰巧自基板重新引導的用於曝光之輻射。在一實施例中，聚焦偵測光束256可為引導於基板處且在藉由基板重新引導後隨即變為光束256之專用光束。刀緣(knife edge)260(其可為孔隙)在光束256照射偵測器262之前處於光束256之路徑中。在此實例中，偵測器262包含在圖7(O)中藉由偵測器262之分裂所示的至少兩個輻射敏感部分(例如，區域或偵測器)。當基板係聚焦時，清晰影像形成於刀緣260處，且因此，偵測器262之輻射敏感部分接收相等量之輻射。當基板係離焦時，光束256移位，且影像將形成於刀緣260前方或後方。因此，刀緣260將截取光束256之特定部分，且偵測器262之一輻射敏感部分相較於偵測器262之另一輻射敏感部分將接收較少量之輻射。來自偵測器262之輻射敏感部分之輸出信號的比較實現供重新引導光束256的基板之平面與所要位置相差的量，及基板之平面不同於所要位置所在的方向。可電子地處理該等信號以給出(例如)可供調整透鏡242之控制信號。鏡面258、刀緣260及偵測器262可安裝至陣列200。在一實施例中，偵測器262可為四邊形單元(quad cell)。
在一實施例中，可提供400個個別可定址器件102，其中133個工作(在任一時間)。在一實施例中，600個至1200個工作之個別可定址器件102可具備(視情況)額外個別可定址器件102以作為(例如)儲備物及/或用於校正曝光(如(例如)上文所論述)。工作之個別可定址器件102之數目可取決於(例如)抗蝕劑，抗蝕劑需要特定輻射劑量以用於圖案化。在個別可定址器件102係可旋轉時(諸如個別可定址器件102)，個別可定址器件102可隨著1200個工作之個別可定址器件102而在6赫茲之頻率下旋轉。若存在更少個別可定址器件102，則可在更高頻率下旋轉個別可定址器件102；若存在更多個別可定址器件102，則可在更低頻率下旋轉個別可定址器件102。
在一實施例中，相較於一個別可定址器件102陣列，可使用可移動個別可定址器件102來減少個別可定址器件102之數目。舉例而言，可提供600個至1200個工作(在任一時刻)之個別可定址器件102。此外，減少之數目可得到與一個別可定址器件102陣列實質上類似但具有一或多個益處的結果。舉例而言，對於使用紫藍色二極體陣列之足夠曝光能力，可能需要100,000個紫藍色二極體之陣列，例如，以200個二極體乘500個二極體進行配置。在10千赫茲之頻率下操作的情況下，每雷射二極體之光學功率將為0.33毫瓦特。每雷射二極體之電功率將為150 mW=35 mA×4.1 V。因此，對於該陣列，電功率將為15千瓦特。在使用可移動個別可定址器件之實施例中，可提供400個紫藍色二極體，其中133個工作。在9百萬赫茲之頻率下操作的情況下，每雷射二極體之光學功率將為250毫瓦特。每雷射二極體之電功率將為1000 mW=240 mA×4.2 V。因此，對於該陣列，電功率將為133瓦特。因此，可在如(例如)圖7(P)所示之光學輸出功率相對於前向電流曲線(240毫安培相對於35毫安培)之陡峭部分中操作可移動個別可定址器件配置之二極體，從而得到每二極體之高輸出功率(250毫瓦特相對於0.33毫瓦特)，但得到複數個個別可定址器件之低電功率(133瓦特相對於15千瓦特)。因此，二極體可被更有效率地使用且導致更少功率消耗及/或熱。
因此，在一實施例中，在功率/前向電流曲線之陡峭部分中操作二極體。在功率/前向電流曲線之非陡峭部分中操作可導致輻射之不相干性。在一實施例中，以大於5毫瓦特但小於或等於20毫瓦特或小於或等於30毫瓦特或小於或等於40毫瓦特之光學功率操作二極體。在一實施例中，不以大於300毫瓦特之光學功率操作二極體。在一實施例中，在單模式而非多模式中操作二極體。
陣列200上之個別可定址器件102的數目可尤其(且在一定程度上亦如上文所敍述)取決於陣列200意欲覆蓋的曝光區域之長度、在曝光期間移動該陣列之速率、光點大小(亦即，自個別可定址器件102投影於基板上之光點的橫截面尺寸，例如，寬度/直徑)、個別可定址器件中之每一者應提供的所要強度(例如，無論是否需要遍及一個以上個別可定址器件而擴展基板上之光點的所意欲劑量以避免對基板或基板上之抗蝕劑的損害)、基板之所要掃描速率、成本考慮、可開啟或關閉個別可定址器件之頻率，及針對冗餘個別可定址器件102之需要(如早期所論述；例如，(例如)在一或多個個別可定址器件發生故障的情況下用於校正曝光或作為儲備物)。在一實施例中，陣列200包含至少100個個別可定址器件102，例如，至少200個個別可定址器件、至少400個個別可定址器件、至少600個個別可定址器件、至少1000個個別可定址器件、至少1500個個別可定址器件、至少2500個個別可定址器件，或至少5000個個別可定址器件。在一實施例中，陣列200包含50000個以下個別可定址器件102，例如，25000個以下個別可定址器件、15000個以下個別可定址器件、10000個以下個別可定址器件、7500個以下個別可定址器件、5000個以下個別可定址器件、2500個以下個別可定址器件、1200個以下個別可定址器件、600個以下個別可定址器件，或300個以下個別可定址器件。
在一實施例中，對於每一10公分之曝光區域長度(亦即，將一陣列中之個別可定址器件的數目正規化成10公分之曝光區域長度)，陣列200包含至少100個個別可定址器件102，例如，至少200個個別可定址器件、至少400個個別可定址器件、至少600個個別可定址器件、至少1000個個別可定址器件、至少1500個個別可定址器件、至少2500個個別可定址器件，或至少5000個個別可定址器件。在一實施例中，對於每一10公分之曝光區域長度(亦即，將一陣列中之個別可定址器件的數目正規化成10公分之曝光區域長度)，陣列200包含50000個以下個別可定址器件102，例如，25000個以下個別可定址器件、15000個以下個別可定址器件、10000個以下個別可定址器件、7500個以下個別可定址器件、5000個以下個別可定址器件、2500個以下個別可定址器件、1200個以下個別可定址器件、600個以下個別可定址器件，或300個以下個別可定址器件。
在一實施例中，陣列200包含75%以下冗餘個別可定址器件102，例如，67%或67%以下、50%或50%以下、約33%或33%以下、25%或25%以下、20%或20%以下、10%或10%以下，或5%或5%以下。在一實施例中，陣列200包含至少5%冗餘個別可定址器件102，例如，至少10%、至少25%、至少33%、至少50%，或至少65%。在一實施例中，該陣列包含約67%冗餘個別可定址器件。
在一實施例中，基板上之個別可定址器件的光點大小為10微米或10微米以下、5微米或5微米以下，例如，3微米或3微米以下、2微米或2微米以下、1微米或1微米以下、0.5微米或0.5微米以下、0.3微米或0.3微米以下，或約0.1微米。在一實施例中，基板上之個別可定址器件的光點大小為0.1微米或0.1微米以上、0.2微米或0.2微米以上、0.3微米或0.3微米以上、0.5微米或0.5微米以上、0.7微米或0.7微米以上、1微米或1微米以上、1.5微米或1.5微米以上、2微米或2微米以上，或5微米或5微米以上。在一實施例中，光點大小為約0.1微米。在一實施例中，光點大小為約0.5微米。在一實施例中，光點大小為約1微米。
在微影裝置100之操作中，使用(例如)機器人處置器(圖中未繪示)將基板114裝載至基板台106上。接著使基板114在框架160及個別可定址器件102下方於X方向上位移。藉由位階感測器及/或對準感測器150量測基板114，且接著使用個別可定址器件102將基板114曝光至圖案，如上文所描述。可操作個別可定址器件102，例如，以提供本文中所論述之像素柵格成像。圖8描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側視圖。如圖8所示，微影裝置100包含圖案化元件104及投影系統108。投影系統108包含兩個透鏡176、172。第一透鏡176經配置以自圖案化元件104接收經調變輻射光束110，且將其聚焦通過孔徑光闌174中之對比孔隙。另外透鏡(圖中未繪示)可位於該孔隙中。輻射光束110接著發散且藉由第二透鏡172(例如，場透鏡)聚焦。
投影系統108進一步包含經配置以接收經調變輻射光束110之透鏡陣列170。對應於圖案化元件104中之個別可控制器件中之一或多者的經調變輻射光束110之不同部分傳遞通過透鏡陣列170中之各別不同透鏡。每一透鏡將經調變輻射光束110之各別部分聚焦至位於基板114上之點。以此方式，將輻射光點S陣列(見圖12)曝光至基板114上。應瞭解，儘管僅展示所說明之透鏡陣列170之五個透鏡，但該透鏡陣列可包含數百個或數千個透鏡(用作圖案化元件104之個別可控制器件亦如此)。
如圖8所示，自由工作距離FWD提供於基板114與透鏡陣列170之間。此距離允許移動基板114及/或透鏡陣列170以允許(例如)聚焦校正。在一實施例中，自由工作距離係在1毫米至3毫米之範圍內，例如，約1.4毫米。圖案化元件104之個別可定址器件係以間距P而配置，此情形導致基板114處之成像光點的關聯間距P。在一實施例中，透鏡陣列170可提供0.15或0.18之NA。在一實施例中，成像光點大小為大約1.6微米。在此實施例中，投影系統108可為1:1投影系統，此在於：基板114上之影像光點的陣列間隔係與圖案化元件104之像素的陣列間隔相同。為了提供改良型解析度，影像光點可顯著地小於圖案化元件104之像素。圖9描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側視圖。在此實施例中，除了透鏡陣列170以外，在圖案化元件104與基板114之間不存在光學器件。
圖9之微影裝置100包含圖案化元件104及投影系統108。在此情況下，投影系統108僅包含經配置以接收經調變輻射光束110之透鏡陣列170。對應於圖案化元件104中之個別可控制器件中之一或多者的經調變輻射光束110之不同部分傳遞通過透鏡陣列170中之各別不同透鏡。每一透鏡將經調變輻射光束110之各別部分聚焦至位於基板114上之點。以此方式，將輻射光點S陣列(見圖12)曝光至基板114上。應瞭解，儘管僅展示所說明之透鏡陣列170之五個透鏡，但該透鏡陣列可包含數百個或數千個透鏡(用作圖案化元件104之個別可控制器件亦如此)。
如同在圖8中，自由工作距離FWD提供於基板114與透鏡陣列170之間。此距離允許移動基板114及/或透鏡陣列170以允許(例如)聚焦校正。圖案化元件104之個別可定址器件係以間距P而配置，此情形導致基板114處之成像光點的關聯間距P。在一實施例中，透鏡陣列170可提供0.15之NA。在一實施例中，成像光點大小為大約1.6微米。圖10描繪使用如上文關於圖5所描述之可移動個別可定址器件102的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側視圖。在此實施例中，除了透鏡陣列170以外，在圖案化元件104與基板114之間不存在其他光學器件。
圖10之微影裝置100包含圖案化元件104及投影系統108。在此情況下，投影系統108僅包含經配置以接收經調變輻射光束110之透鏡陣列170。對應於圖案化元件104中之個別可控制器件中之一或多者的經調變輻射光束110之不同部分傳遞通過透鏡陣列170中之各別不同透鏡。每一透鏡將經調變輻射光束110之各別部分聚焦至位於基板114上之點。以此方式，將輻射光點S陣列(見圖12)曝光至基板114上。應瞭解，儘管僅展示所說明之透鏡陣列170之五個透鏡，但該透鏡陣列可包含數百個或數千個透鏡(用作圖案化元件104之個別可控制器件亦如此)。
如同在圖8中，自由工作距離FWD提供於基板114與透鏡陣列170之間。此距離允許移動基板114及/或透鏡陣列170以允許(例如)聚焦校正。圖案化元件104之個別可定址器件係以間距P而配置，此情形導致基板114處之成像光點的關聯間距P。在一實施例中，透鏡陣列170可提供0.15之NA。在一實施例中，成像光點大小為大約1.6微米。圖11說明複數個個別可定址器件102，特別為六個個別可定址器件102。在此實施例中，個別可定址器件102中之每一者為一輻射發射二極體，例如，藍紫色雷射二極體。每一輻射發射二極體橋接兩條電線，以將電流供應至輻射發射二極體以控制二極體。因此，二極體形成可定址柵格。兩條電線之間的寬度為大約250微米，且輻射發射二極體具有大約500微米之間距。
圖12示意性地說明可如何產生基板114上之圖案。實心圓圈表示藉由投影系統108中之透鏡陣列MLA投影至基板114上的光點S陣列。當一系列曝光被曝光於基板114上時，在X方向上相對於投影系統108移動該基板。空心圓圈表示先前已被曝光於基板上之光點曝光SE。如所展示，藉由投影系統108內之透鏡陣列170投影至基板114上的每一光點將光點曝光之列R曝光於基板114上。藉由光點S中之每一者所曝光之光點曝光SE之所有列R的總和來產生用於基板114之完整圖案。此配置通常被稱作「像素柵格成像」。應瞭解，圖12為示意性圖式且光點S實務上可重疊。
可看出，輻射光點S陣列係以相對於基板114之角度α而配置(基板114之邊緣平行於X方向及Y方向)。進行此過程，使得當在掃描方向(X方向)上移動基板114時，每一輻射光點將傳遞遍及該基板之不同區域，藉此允許藉由輻射光點S陣列來覆蓋整個基板。在一實施例中，角度α為至多20°、10°，例如，至多5°、至多3°、至多1°、至多0.5°、至多0.25°、至多0.10°、至多0.05°，或至多0.01°。在一實施例中，角度α為至少0.0001°，例如，至少0.001°。根據在垂直於掃描方向之方向上的影像光點大小及陣列間隔而判定在掃描方向上陣列之傾斜角α及寬度，以確保定址基板114之整個表面區域。
圖13示意性地展示可如何藉由使用複數個光學引擎而在單次掃描中曝光整個基板114，每一光學引擎包含一或多個個別可定址器件。藉由八個光學引擎產生八個輻射光點S陣列SA(圖中未繪示)，該等光學引擎係以「棋盤形」或交錯組態而配置成兩列R1、R2，使得一輻射光點S陣列之邊緣與鄰近輻射光點S陣列之邊緣略微重疊。在一實施例中，光學引擎經配置成至少3列，例如，4列或5列。以此方式，輻射頻帶延伸橫越基板W之寬度，從而允許在單次掃描中執行整個基板之曝光。此「全寬度」單次通過曝光有助於避免連接兩次或兩次以上通過之可能壓合問題，且亦可減少機器佔據面積，此係因為基板可能無需在橫向於基板通過方向之方向上移動。應瞭解，可使用任何適當數目個光學引擎。在一實施例中，光學引擎之數目為至少1，例如，至少2、至少4、至少8、至少10、至少12、至少14，或至少17。在一實施例中，光學引擎之數目少於40，例如，少於30或少於20。每一光學引擎可包含一分離圖案化元件104，及(視情況)如上文所描述之一分離投影系統108及/或輻射系統。然而，應瞭解，兩個或兩個以上光學引擎可共用輻射系統、圖案化元件104及/或投影系統108中之一或多者的至少一部分。
在本文中所描述之實施例中，提供控制器以控制個別可定址器件。舉例而言，在個別可定址器件為輻射發射元件之實例中，控制器可控制何時開啟或關閉個別可定址器件，且實現個別可定址器件之高頻率調變。控制器可控制藉由個別可定址器件中之一或多者發射之輻射的功率。控制器可調變藉由個別可定址器件中之一或多者發射之輻射的強度。控制器可橫越個別可定址器件陣列之全部或部分而控制/調整強度均一性。控制器可調整個別可定址器件之輻射輸出以校正成像誤差，例如，光展量及光學像差(例如，彗形像差、像散性，等等)。
在微影中，可藉由選擇性地將基板上之抗蝕劑層曝光至輻射(例如，藉由將抗蝕劑層曝光至經圖案化輻射)而在基板上產生所要特徵。接收特定最小輻射劑量(「劑量臨限值」)的抗蝕劑之區域經歷化學反應，而其他區域保持不變。抗蝕劑層中之因此產生的化學差異允許顯影抗蝕劑，亦即，選擇性地移除至少已接收到最小劑量之區域或移除未接收到最小劑量之區域。結果，基板之部分仍受到抗蝕劑保護，而曝光供移除抗蝕劑的基板之區域，從而允許(例如)額外處理步驟，例如，基板之選擇性蝕刻、選擇性金屬沈積，等等，藉此產生所要特徵。圖案化輻射可藉由如下操作實現：設定圖案化元件中之個別可控制器件，使得在所要特徵內透射至基板上之抗蝕劑層之區域的輻射係在足夠高之強度下以使得該區域在曝光期間接收高於劑量臨限值之輻射劑量，而基板上之其他區域藉由設定對應個別可控制器件以提供零或顯著更低輻射強度來接收低於劑量臨限值之輻射劑量。
實務上，即使設定個別可控制器件以在特徵邊界之一側上提供最大輻射強度且在另一側上提供最小輻射強度，所要特徵之邊緣處的輻射劑量亦可能不會自給定最大劑量突然地改變至零劑量。取而代之，歸因於繞射效應，輻射劑量之位準可橫越過渡區而下降。接著藉由經接收劑量下降至低於輻射劑量臨限值時之位置來判定在顯影抗蝕劑之後最終形成之所要特徵之邊界的位置。可藉由設定將輻射提供至處於特徵邊界上或附近的基板上之點的個別可控制器件不僅達最大強度位準或最小強度位準而且達在最大強度位準與最小強度位準之間的強度位準來更精確地控制橫越過渡區之輻射劑量下降之輪廓，且因此更精確地控制特徵邊界之精確位置。此情形通常被稱作「灰階化」(grayscaling)或「灰階層次化」(grayleveling)。
相較於在一微影系統中可能提供之控制，灰階化可提供特徵邊界之位置的更大控制，在該微影系統中，僅可將藉由給定個別可控制器件提供至基板之輻射強度設定至兩個值(即，僅僅最大值及最小值)。在一實施例中，可將至少三個不同輻射強度值投影至基板上，例如，至少4個輻射強度值、至少8個輻射強度值、至少16個輻射強度值、至少32個輻射強度值、至少64個輻射強度值、至少100個輻射強度值、至少128個輻射強度值，或至少256個輻射強度值。若圖案化元件為輻射源自身(例如，發光二極體或雷射二極體陣列)，則可(例如)藉由控制經透射之輻射的強度位準來實現灰階化。若對比元件為微鏡面元件，則可(例如)藉由控制微鏡面之傾斜角來實現灰階化。又，可藉由分組對比元件中之複數個可程式化器件且控制在給定時間開啟或關閉的群組內之器件的數目來實現灰階化。
在一實例中，圖案化元件可具有一系列狀態，該等狀態包括：(a)所提供輻射對其對應像素之強度分佈有最小貢獻或甚至有零貢獻的黑色狀態；(b)所提供輻射產生最大貢獻之最白狀態；及(c)所提供輻射產生中間貢獻之複數個狀態。該等狀態被劃分成用於正常光束圖案化/印刷之正常集合，及用於補償有缺陷器件之效應的補償集合。正常集合包含黑色狀態，及中間狀態之第一群組。此第一群組將被描述為灰色狀態，且該等灰色狀態係可選擇以向對應像素強度提供自最小黑色值直至特定正常最大值之逐漸增加的貢獻。補償集合包含中間狀態之剩餘第二群組，連同最白狀態。中間狀態之此第二群組將被描述為白色狀態，且該等白色狀態係可選擇以提供大於正常最大值之貢獻，從而逐漸地增加直至對應於最白狀態之真實最大值。儘管中間狀態之第二群組被描述為白色狀態，但應瞭解，此情形僅僅係促進區別正常曝光步驟與補償曝光步驟。或者，整個複數個狀態可被描述為在黑色與白色之間的灰色狀態序列，該等灰色狀態係可選擇以實現灰階印刷。
應瞭解，可出於上文所描述之目的之額外或替代目的而使用灰階化。舉例而言，可調諧在曝光之後基板之處理，使得取決於經接收輻射劑量位準，存在基板之區域的兩個以上潛在回應。舉例而言，接收低於第一臨限值之輻射劑量的基板之部分以第一方式作出回應；接收高於第一臨限值但低於第二臨限值之輻射劑量的基板之部分以第二方式作出回應；且接收高於第二臨限值之輻射劑量的基板之部分以第三方式作出回應。因此，灰階化可用以橫越基板而提供具有兩個以上所要劑量位準之輻射劑量輪廓。在一實施例中，輻射劑量輪廓具有至少2個所要劑量位準，例如，至少3個所要輻射劑量位準、至少4個所要輻射劑量位準、至少6個所要輻射劑量位準，或至少8個所要輻射劑量位準。
應進一步瞭解，可藉由除了如上文所描述的藉由僅僅控制在基板上之每一點處所接收之輻射之強度以外的方法來控制輻射劑量輪廓。舉例而言，或者或另外，藉由基板上之每一點接收之輻射劑量可藉由控制該點之曝光的持續時間進行控制。作為一另外實例，基板上之每一點可在複數次順次曝光中潛在地接收輻射。因此，或者或另外，藉由每一點接收之輻射劑量可藉由使用該複數次順次曝光之選定子集來曝光該點進行控制。
為了在基板上形成圖案，有必要在曝光程序期間之每一階段將圖案化元件中之個別可控制器件中之每一者設定至必需狀態。因此，必須將表示必需狀態之控制信號傳輸至個別可控制器件中之每一者。理想地，微影裝置包括產生控制信號之控制器400。可將待形成於基板上之圖案以向量定義格式(例如，GDSII)提供至微影裝置。為了將設計資訊轉換成用於每一個別可控制器件之控制信號，控制器包括一或多個資料操縱元件，該一或多個資料操縱元件各自經組態以對表示圖案之資料串流執行處理步驟。資料操縱元件可被共同地稱作「資料路徑」(datapath)。資料路徑之資料操縱元件可經組態以執行以下功能中之一或多者：將以向量為基礎之設計資訊轉換成位元映像圖案資料；將位元映像圖案資料轉換成所需輻射劑量映像(即，橫越基板之所需輻射劑量輪廓)；將所需輻射劑量映像轉換成每一個別可控制器件之所需輻射強度值；及將每一個別可控制器件之所需輻射強度值轉換成對應控制信號。
在一實施例中，可藉由有線或無線通信將控制信號供應至個別可控制器件102及/或一或多個其他元件(例如，感測器)。另外，可將來自個別可控制器件102及/或來自一或多個其他元件(例如，感測器)之信號傳達至控制器400。
參看圖14(A)，在一無線實施例中，收發器(或僅僅傳輸器)406發射體現用於藉由收發器(或僅僅接收器)402接收之控制信號的信號。藉由一或多條線404將控制信號傳輸至各別個別可控制器件102。在一實施例中，來自收發器406之信號可體現多個控制信號，且收發器402可將信號解多工成用於各別個別可控制器件102及/或一或多個其他元件(例如，感測器)之多個控制信號。在一實施例中，無線傳輸可藉由射頻(RF)。
參看圖14(B)，在一有線實施例中，一或多條線404可將控制器400連接至個別可控制器件102及/或一或多個其他元件(例如，感測器)。在一實施例中，可提供單一線404以將控制信號中之每一者攜載至陣列200本體及/或自陣列200本體攜載控制信號中之每一者。在陣列200本體處，可接著將控制信號個別地提供至個別可控制器件102及/或一或多個其他元件(例如，感測器)。舉例而言，如同無線實例，控制信號可經多工以用於傳輸於單一線上，且接著經解多工以用於提供至個別可控制器件102及/或一或多個其他元件(例如，感測器)。在一實施例中，可提供複數條線404以攜載個別可控制器件102及/或一或多個其他元件(例如，感測器)之各別控制信號。在陣列200係可旋轉之實施例中，可沿著旋轉軸線A提供線404。在一實施例中，可經由在馬達216處或周圍之滑動接點將信號提供至陣列200本體或自陣列200本體提供信號。此情形可對於可旋轉實施例係有利的。該滑動接點可經由(例如)接觸一板之刷子。
在一實施例中，線404可為光學線。在該情況下，信號可為光學信號，其中(例如)可在不同波長下攜載不同控制信號。
以與控制信號類似之方式，可藉由有線或無線手段將功率供應至個別可控制器件102或一或多個其他元件(例如，感測器)。舉例而言，在一有線實施例中，可藉由一或多條線404供應功率，而無論線404是與攜載該等信號之線相同或是不同。可如上文所論述而提供滑動接點配置以傳輸功率。在一無線實施例中，可藉由RF耦合傳送功率。雖然先前論述集中於供應至個別可控制器件102及/或一或多個其他元件(例如，感測器)之控制信號，但或者或此外，該等控制信號應被理解為經由適當組態而涵蓋信號自個別可控制器件102及/或自一或多個其他元件(例如，感測器)至控制器400之傳輸。因此，通信可為單向的(例如，僅至或自個別可控制器件102及/或一或多個其他元件(例如，感測器))或雙向的(亦即，自及至個別可控制器件102及/或一或多個其他元件(例如，感測器))。舉例而言，收發器402可多工來自個別可控制器件102及/或來自一或多個其他元件(例如，感測器)之多個信號以用於傳輸至收發器406，該信號在收發器406處可經解多工成個別信號。
在一實施例中，可更改用以提供圖案之控制信號以考量可影響基板上之圖案之適當供應及/或實現的因素。舉例而言，可將校正應用於控制信號以考量陣列200中之一或多者的加熱。此加熱可導致個別可控制器件102之指向方向改變、來自個別可控制器件102之輻射之均一性改變，等等。在一實施例中，可使用來自(例如)感測器234的與陣列200(例如，個別可控制器件102中之一或多者之陣列200)相關聯之經量測溫度及/或膨脹/收縮以更改原本被提供以形成圖案之控制信號。因此，例如，在曝光期間，個別可控制器件102之溫度可變化，該變化導致將在單一恆定溫度下所提供之經投影圖案改變。因此，可更改控制信號以考量此變化。類似地，在一實施例中，可使用來自對準感測器及/或位階感測器150之結果以更改藉由個別可控制器件102提供之圖案。可更改圖案以校正(例如)可由(例如)個別可控制器件102與基板114之間的光學器件(若存在)而引起的失真、基板114之定位中的不規則性、基板114之不均勻度，等等。
在一實施例中，可基於由經量測參數(例如，經量測溫度、藉由位階感測器之經量測距離，等等)而引起的關於所要圖案之物理/光學結果的理論而判定控制信號之改變。在一實施例中，可基於由經量測參數而引起的關於所要圖案之物理/光學結果的實驗或經驗模型而判定控制信號之改變。在一實施例中，可以前饋及/或回饋方式應用控制信號之改變。
在一實施例中，微影裝置可包含感測器500以量測已或待藉由一或多個個別可控制器件102透射朝向基板之輻射的特性。此感測器可為光點感測器或透射影像感測器。感測器可用以(例如)判定來自個別可控制器件102之輻射的強度、來自個別可控制器件102之輻射的均一性、來自個別可控制器件102之輻射之光點的橫截面大小或面積，及/或來自個別可控制器件102之輻射之光點的部位(在X-Y平面中)。
圖15描繪展示感測器500之一些實例部位的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖。在一實施例中，一或多個感測器500提供於用以固持基板114之基板台106中或上。舉例而言，感測器500可提供於基板台106之前邊緣及/或基板台106之後邊緣處。在此實例中，展示四個感測器500，每一陣列200係針對一個感測器。理想地，該等感測器位於將不藉由基板116覆蓋之位置處。在一替代或額外實例中，感測器可提供於基板台106之側邊緣處，理想地提供於將不藉由基板116覆蓋之部位處。基板台106之前邊緣處的感測器500可用於個別可控制器件102之曝光前偵測。基板台106之後邊緣處的感測器500可用於個別可控制器件102之曝光後偵測。基板台106之側邊緣處的感測器500可用於個別可控制器件102在曝光期間之偵測(「在運作中」(on-the-fly)之偵測)。
參看圖16(A)，描繪根據本發明之一實施例之微影裝置之部分的示意性側視圖。在此實例中，僅描繪單一陣列200，且出於清晰起見而省略微影裝置之其他部分；本文中所描述之感測器可應用於陣列200中之每一者或一些。圖16(A)中描繪感測器500之部位的一些額外或替代實例(除了基板台106之感測器500以外)。第一實例為經由光束重新引導結構502(例如，反射鏡面配置)自個別可控制器件102接收輻射的在框架160上之感測器500。在此第一實例中，個別可控制器件102在X-Y平面中移動，且因此，可定位個別可控制器件102中之不同個別可控制器件以將輻射提供至光束重新引導結構502。第二額外或替代實例為自個別可控制器件102之背側(亦即，與供提供曝光輻射之側對置的側)接收來自個別可控制器件102之輻射的在框架160上之感測器500。在此第二實例中，個別可控制器件102在X-Y平面中移動，且因此，可定位個別可控制器件102中之不同個別可控制器件以將輻射提供至感測器500。雖然在第二實例中於曝光區域204處之個別可控制器件102的路徑中展示感測器500，但感測器500可位於描繪感測器510之處。在一實施例中，在框架160上之感測器500處於固定位置中，或另外可依靠(例如)關聯致動器而可移動。除了曝光前及/或曝光後感測以外或替代曝光前及/或曝光後感測，上文之第一實例及第二實例亦可用以提供「在運作中」之感測。第三實例為在結構504、506上之感測器500。結構504、506可藉由致動器508而可移動。在一實施例中，結構504位於路徑下方的基板台將移動之處(如圖16(A)所示)或位於路徑之側處。在一實施例中，結構504可藉由致動器508移動至圖16(A)中展示基板台106之感測器500所在的位置(若基板台106不處於此處)，此移動可在Z方向上(如圖16(A)所示)或在X方向及/或Y方向上(若結構504處於路徑之側處)。在一實施例中，結構506位於路徑上方的基板台將移動之處(如圖16(A)所示)或位於路徑之側處。在一實施例中，結構506可藉由致動器508移動至圖16(A)中展示基板台106之感測器500所在的位置(若基板台106不處於此處)。結構506可附接至框架160且係相對於框架160可位移。
在用以量測已或待藉由一或多個個別可控制器件102透射朝向基板之輻射之特性的操作中，藉由移動感測器500及/或移動個別可控制器件102之輻射光束而使感測器500位於來自個別可控制器件102之輻射的路徑中。因此，作為一實例，可移動基板台106以將感測器500定位於來自個別可控制器件102之輻射的路徑中，如圖16(A)所示。在此情況下，感測器500定位至曝光區域204處之個別可控制器件102的路徑中。在一實施例中，感測器500可定位至曝光區域204外部之個別可控制器件102(例如，在左側所展示之個別可控制器件102(若光束重新引導結構502不處於此處))的路徑中。一旦位於輻射之路徑中，感測器500隨即可偵測輻射且量測輻射之特性。為了促進感測，感測器500可相對於個別可控制器件102移動，及/或個別可控制器件102可相對於感測器500移動。
作為一另外實例，可將個別可控制器件102移動至一位置，使得來自個別可控制器件102之輻射照射光束重新引導結構502。光束重新引導結構502將光束引導至在框架160上之感測器500。為了促進感測，感測器500可相對於個別可控制器件102移動，及/或個別可控制器件102可相對於感測器500移動。在此實例中，在曝光區域204外部量測個別可控制器件102。
在一實施例中，感測器500可為固定或移動的。若為固定的，則個別可控制器件102理想地係相對於固定感測器500可移動以促進感測。舉例而言，可相對於感測器500(例如，在框架160上之感測器500)移動(例如，旋轉或平移)陣列200以促進藉由感測器500之感測。若感測器500係可移動的(例如，在基板台106上之感測器500)，則可使個別可控制器件102保持靜止以用於感測，或另外使其移動以(例如)加速感測。
可使用感測器500以校準個別可控制器件102中之一或多者。舉例而言，可在曝光之前藉由感測器500偵測個別可控制器件102之光點的部位且相應地校準系統。可接著基於光點之此預期部位而調控曝光(例如，控制基板114之位置、控制個別可控制器件102之位置、控制個別可控制器件102之關閉或開啟，等等)。另外，可隨後進行校準。舉例而言，可使用(例如)在基板台106之後邊緣上的感測器500而立即在曝光之後且在另外曝光之前進行校準。可在每一曝光之前、在特定數目次曝光之後等等進行校準。另外，可使用感測器500而「在運作中」偵測個別可控制器件102之光點的部位，且相應地調控曝光。或許可基於「在運作中」之感測而重新校準個別可控制器件102。
在一實施例中，可編碼一或多個個別可控制器件102，以便能夠偵測哪一個別可控制器件102處於特定位置或正被使用。在一實施例中，個別可控制器件102可具有標記，且感測器510可用以偵測可為RFID、條碼等等之標記。舉例而言，可移動複數個個別可控制器件102中之每一者以鄰近於感測器510以讀取標記。在認識到哪一個別可控制器件102鄰近於感測器510的情況下，有可能知道哪一個別可控制器件102鄰近於感測器500、處於曝光區域204中，等等。在一實施例中，每一個別可控制器件102可用以提供具有不同頻率之輻射，且感測器500、510可用以偵測哪一個別可控制器件102鄰近於感測器500、510。舉例而言，可移動複數個個別可控制器件102中之每一者以鄰近於感測器500、510以自個別可控制器件102接收輻射，且接著，感測器500、510可解多工經接收輻射以判定在特定時間哪一個別可控制器件102鄰近於感測器500、510。在此認識的情況下，有可能知道哪一個別可控制器件102鄰近於感測器500、處於曝光區域204中，等等。
在一實施例中，如上文所論述，可提供位置感測器以判定在高達6個自由度中個別可控制器件102中之一或多者之位置。舉例而言，感測器510可用於位置偵測。在一實施例中，感測器510可包含干涉計。在一實施例中，感測器510可包含編碼器，該編碼器可用以偵測一或多個單維編碼器光柵及/或一或多個二維編碼器光柵。
在一實施例中，可提供感測器520以判定已透射至基板之輻射的特性。在此實施例中，感測器520捕獲藉由基板重新引導之輻射。在一實例使用中，藉由感測器520捕獲之經重新引導輻射可用以促進判定來自個別可控制器件102之輻射之光點的部位(例如，來自個別可控制器件102之輻射之光點的未對準)。詳言之，感測器520可捕獲自基板之剛剛經曝光部分重新引導的輻射(亦即，潛影)。此尾部經重新引導輻射之強度的量測可給出是否已適當地對準光點之指示。舉例而言，此尾部之重複量測可給出重複性信號，自該重複性信號之偏差將指示光點之未對準(例如，異相信號可指示未對準)。圖16(B)描繪感測器520之偵測區域相對於基板114之經曝光區域522的示意性位置。在此實施例中，展示三個偵測區域，該等偵測區域之結果可經比較及/或組合以促進辨識未對準。僅需要使用一個偵測區域，例如，在左側之偵測區域。在一實施例中，可以與感測器520類似之方式使用個別可控制器件102之偵測器262。舉例而言，可使用在右側之陣列200之曝光區域204外部的一或多個個別可控制器件102以偵測自基板上之潛影重新引導的輻射。
圖17描繪微影裝置之一實施例。在此實施例中，複數個個別可控制器件102將輻射引導朝向可旋轉多邊形600。輻射所照射的多邊形600之表面604將輻射重新引導朝向透鏡陣列170。透鏡陣列170將輻射引導朝向基板114。在曝光期間，多邊形600圍繞軸線602旋轉，從而導致來自複數個個別可控制器件102中之每一者的各別光束橫越透鏡陣列170在Y方向上移動。具體而言，當用輻射照射多邊形600之每一新刻面時，光束將橫越透鏡陣列170在正Y方向上重複地掃描。在曝光期間調變個別可控制器件102以提供本文中所論述之所要圖案。多邊形可具有任何數目個適當側。另外，用旋轉多邊形600在時序方面調變個別可控制器件102，使得各別光束照射透鏡陣列170之透鏡。在一實施例中，可將另外複數個個別可控制器件102提供於多邊形之對置側上(亦即，在右側)，以便導致輻射照射多邊形600之表面606。
在一實施例中，可使用振動光學器件以代替多邊形600。振動光學器件具有相對於透鏡陣列170之特定固定角度，且可在Y方向上來回地平移以導致光束在Y方向上橫越透鏡陣列170而來回地進行掃描。在一實施例中，可使用圍繞軸線602經由弧而來回地旋轉之光學器件以代替多邊形600。藉由經由弧而來回地旋轉光學器件，導致光束在Y方向上橫越透鏡陣列170而來回地進行掃描。在一實施例中，多邊形600、振動光學器件及/或旋轉光學器件具有一或多個鏡面表面。在一實施例中，多邊形600、振動光學器件及/或旋轉光學器件包含稜鏡。在一實施例中，可使用聲光調變器以代替多邊形600。可使用聲光調變器以使光束橫越透鏡陣列170進行掃描。在一實施例中，透鏡陣列170可置放於複數個個別可控制器件102與多邊形600、振動光學器件、旋轉光學器件及/或聲光調變器之間的輻射路徑中。
因此，通常，曝光區域(例如，基板)之寬度相較於被劃分成曝光區域之寬度的該等輻射輸出之寬度可被覆蓋有更少輻射輸出。在一實施例中，此情形可包含相對於曝光區域移動輻射光束源，或相對於曝光區域移動輻射光束。圖18描繪具有可移動個別可控制器件102的根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性橫截面側視圖。如同圖5所示之微影裝置100，微影裝置100包含：基板台106，基板台106係用以固持基板；及定位元件116，定位元件116係用以在高達6個自由度中移動基板台106。
微影裝置100進一步包含配置於框架160上之複數個個別可控制器件102。在此實施例中，個別可控制器件102中之每一者為一輻射發射二極體，例如，雷射二極體(例如，藍紫色雷射二極體)。個別可控制器件102經配置成沿著Y方向延伸之個別可控制器件102陣列200。雖然展示一個陣列200，但微影裝置可具有如(例如)圖5所示之複數個陣列200。在此實施例中，陣列200為可旋轉板，該可旋轉板具有圍繞該板所配置之複數個空間分離個別可控制器件102。在使用中，該板(例如)在藉由圖5中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸線206旋轉。使用馬達216圍繞軸線206旋轉陣列200之板。另外，可藉由馬達216在Z方向上移動陣列200之板，使得可使個別可控制器件102相對於基板台106位移。
在此實施例中，陣列200可具有一或多個散熱片230以增加用於熱耗散之表面區域。散熱片230可(例如)處於陣列200之頂部表面上。視情況，可提供一或多個另外散熱片232以與散熱片230合作以促進熱耗散。舉例而言，散熱片232能夠自散熱片230吸收熱，且可類似於如圖7(F)所示且關於圖7(F)所描述而包含流體(例如，液體)傳導通道及關聯熱交換器/泵。
在此實施例中，透鏡242可位於每一個別可控制器件102前方，且係隨著個別可控制器件102而可移動(例如，圍繞軸線A可旋轉)。在圖18中，兩個透鏡242經展示且附接至陣列200。另外，透鏡242可相對於個別可控制器件102可位移(例如，在Z方向上)。在此實施例中，具有孔隙之孔隙結構248可在透鏡242與關聯個別可控制器件102之間位於透鏡242上方。孔隙結構248可限制透鏡242、關聯個別可控制器件102及/或鄰近透鏡242/個別可控制器件102之繞射效應。在此實施例中，感測器254可具備個別可定址器件102(或具備陣列200之複數個個別可定址器件102)。在此實施例中，感測器254經配置以偵測聚焦。聚焦偵測光束256經重新引導(例如，反射)離開基板表面、傳遞通過透鏡242且藉由(例如)半鍍銀鏡面258引導朝向偵測器262。在一實施例中，聚焦偵測光束256可為碰巧自基板重新引導的用於曝光之輻射。在一實施例中，聚焦偵測光束256可為引導於基板處且在藉由基板重新引導後隨即變為光束256之專用光束。上文關於圖7(O)描述實例聚焦感測器。鏡面258及偵測器262可安裝至陣列200。
在此實施例中，可藉由有線或無線通信將控制信號供應至個別可控制器件102及/或一或多個其他元件(例如，感測器)。另外，可將來自個別可控制器件102及/或來自一或多個其他元件(例如，感測器)之信號傳達至控制器。在圖18中，可沿著旋轉軸線206提供線404。在一實施例中，線404可為光學線。在該情況下，信號可為光學信號，其中(例如)可在不同波長下攜載不同控制信號。以與控制信號類似之方式，可藉由有線或無線手段將功率供應至個別可控制器件102或一或多個其他元件(例如，感測器)。舉例而言，在一有線實施例中，可藉由一或多條線404供應功率，而無論線404是與攜載該等信號之線相同或是不同。在一無線實施例中，可藉由如700處所示之RF耦合傳送功率。
在此實施例中，微影裝置可包含感測器500以量測已或待藉由一或多個個別可控制器件102透射朝向基板之輻射的特性。此感測器可為光點感測器或透射影像感測器。感測器可用以(例如)判定來自個別可控制器件102之輻射的強度、來自個別可控制器件102之輻射的均一性、來自個別可控制器件102之輻射之光點的橫截面大小或面積，及/或來自個別可控制器件102之輻射之光點的部位(在X-Y平面中)。在此實施例中，感測器500處於框架160上，且可鄰近於基板台106或係經由基板台106可近接。
在一實施例中，在曝光基板期間，個別可控制器件102在X-Y平面中實質上靜止，而非使個別可控制器件102在X-Y平面中可移動。此情形並非意味著可控制器件102可能不在X-Y平面中可移動。舉例而言，該等可控制器件可在X-Y平面中可移動以校正該等可控制器件之位置。使可控制器件102實質上靜止之可能優點為更容易將功率及/或資料轉移至可控制器件102。另外或替代可能優點為局域地調整聚焦以補償基板之高度差的改良型能力，高度差大於系統之聚焦深度且係在比移動可控制器件之間距高的空間頻率上。
在此實施例中，雖然可控制器件102實質上靜止，但存在相對於個別可控制器件102移動之至少一光學器件。在下文中描述在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件102及相對於個別可控制器件102可移動之光學器件的各種配置。在下文之描述中，術語「透鏡」在內容背景允許時應通常被理解為涵蓋各種類型之光學組件中之任一者或其組合，包括折射、繞射、反射、磁性、電磁及靜電光學組件，諸如提供與參考透鏡之功能相同的功能之任何折射、反射及/或繞射光學器件。舉例而言，可以具有光學功率之習知折射透鏡的形式、以具有光學功率之史瓦茲西耳德(Schwarzschild)反射系統的形式及/或以具有光學功率之波帶片(zone plate)的形式體現成像透鏡。此外，若所得效應係在基板上產生收斂光束，則成像透鏡可包含非成像光學器件。
另外，在下文之描述中，參考複數個個別可控制器件102，諸如鏡面陣列調變器之鏡面或複數個輻射源。然而，該描述應更通常被理解為涉及經配置以輸出複數個光束之調變器。舉例而言，調變器可為聲光調變器以自藉由輻射源提供之光束輸出複數個光束。
圖19描繪微影裝置之部分的示意性俯視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之複數個個別可控制器件102(例如，雷射二極體)及相對於個別可控制器件102可移動之光學器件242。在此實施例中，複數個個別可控制器件102附接至框架且在X-Y平面中實質上靜止，複數個成像透鏡242相對於該等個別可控制器件102實質上在X-Y平面中移動(如在圖19中藉由轉輪801之旋轉之指示所示)，且基板在方向803上移動。在一實施例中，成像透鏡242藉由圍繞軸線旋轉而相對於個別可控制器件102移動。在一實施例中，成像透鏡242安裝於圍繞軸線旋轉(例如，在圖19所示之方向上)且以圓形方式所配置(例如，如圖19部分地所示)之結構上。個別可控制器件102中之每一者將經準直光束提供至移動成像透鏡242。在一實施例中，個別可控制器件102係與用以提供經準直光束之一或多個準直透鏡相關聯。在一實施例中，準直透鏡在X-Y平面中實質上靜止，且附接至個別可控制器件102被附接至之框架。
在此實施例中，經準直光束之橫截面寬度小於成像透鏡242之橫截面寬度。因此，一旦經準直光束完全地落入成像透鏡242之光學透射部分內，隨即可開啟個別可控制器件102(例如，二極體雷射)。當光束落入成像透鏡242之光學透射部分外時，則關閉個別可控制器件102(例如，二極體雷射)。因此，在一實施例中，來自個別可控制器件102之光束在任一時間傳遞通過單一成像透鏡242。成像透鏡242相對於來自個別可控制器件102之光束的所得橫穿自開啟之每一個別可控制器件102在基板上得到關聯的經成像線800。在圖19中，相對於圖19中之三個實例個別可控制器件102中之每一者而展示三個經成像線800，但將顯而易見，圖19中之其他個別可控制器件102可在基板上產生關聯的經成像線800。
在圖19佈局中，成像透鏡242間距可為1.5毫米，且來自個別可控制器件102中之每一者之光束的橫截面寬度(例如，直徑)稍微小於0.5毫米。在此組態的情況下，有可能用每一個別可控制器件102書寫長度為約1毫米之線。因此，在0.5毫米之光束直徑及1.5毫米之成像透鏡242直徑的此配置中，作用時間循環可高達67%。在個別可控制器件102相對於成像透鏡242之適當定位的情況下，橫越基板之寬度之全覆蓋係可能的。因此，例如，若僅使用標準5.6毫米直徑雷射二極體，則可使用雷射二極體之若干同心環(如圖19所示)以獲取橫越基板之寬度之全覆蓋。因此，在此實施例中，也許有可能使用比僅僅使用固定個別可控制器件102陣列之情況下或或許比本文中所描述之移動個別可控制器件102之情況下更少的個別可控制器件102(例如，雷射二極體)。
在此實施例中，成像透鏡242中之每一者應相同，此係因為每一個別可控制器件102將藉由所有移動成像透鏡242成像。在此實施例中，所有成像透鏡242均無需成像場，但需要更高NA透鏡，例如，大於0.3、大於0.18或大於0.15。在此單器件光學器件的情況下，繞射有限成像係可能的。
基板上之光束的聚焦固定至成像透鏡242之光軸，而獨立於經準直光束進入該透鏡之處(見(例如)圖20，其描繪圖19之微影裝置之部分的示意性三維圖式)。此配置之缺點在於：自成像透鏡242朝向基板之光束並非遠心的，且因此，可能發生聚焦誤差，從而可能導致疊對誤差。在此實施例中，藉由使用不在X-Y平面中(例如，在個別可控制器件102處)移動之器件來調整聚焦將很可能導致漸暈(vignetting)。因此，應在移動成像透鏡242中發生所要聚焦調整。因此，此情形可能需要比移動成像透鏡242更高之頻率的致動器。
圖21描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之三個不同旋轉位置。在此實施例中，圖19及圖20之微影裝置係藉由使成像透鏡242包含兩個透鏡802、804以自個別可控制器件102接收經準直光束而擴充。如同在圖19中，成像透鏡242在X-Y平面中相對於個別可控制器件102移動(例如，圍繞一軸線旋轉，在該軸線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡242)。在此實施例中，來自個別可控制器件102之光束在到達成像透鏡242之前係藉由透鏡806準直，但在一實施例中，無需提供此透鏡。透鏡806在X-Y平面中實質上靜止。基板在X方向上移動。
兩個透鏡802、804配置於自個別可控制器件102至基板之經準直光束的光徑中，以使朝向基板之光束係遠心的。在個別可控制器件102與透鏡804之間，透鏡802包含具有實質上相等焦距之兩個透鏡802A、802B。來自個別可控制器件102之經準直光束聚焦於兩個透鏡802A、802B之間，使得透鏡802B將光束準直朝向成像透鏡804。成像透鏡804將光束成像至基板上。在此實施例中，透鏡802相對於個別可控制器件102在X-Y平面中以特定速率移動(例如，特定的每分鐘轉數(RPM))。因此，在此實施例中，若移動成像透鏡804正以與透鏡802之速率相同的速率移動，則來自透鏡802之射出經準直光束將在X-Y平面中具有兩倍於移動成像透鏡804之速率的速率。因此，在此實施例中，成像透鏡804相對於個別可控制器件102以不同於透鏡802之速率的速率移動。詳言之，成像透鏡804在X-Y平面中以兩倍於透鏡802之速率(例如，兩倍於透鏡802之RPM)的速率移動，使得光束將遠心地聚焦於基板上。圖21中之三個實例位置中示意性地展示自透鏡802至成像透鏡804之射出經準直光束的此對準。另外，因為相較於圖19之實例將以兩倍的速率進行在基板上之實際書寫，所以應加倍個別可控制器件102之功率。
在此實施例中，藉由使用不在X-Y平面中(例如，在個別可控制器件102處)移動之器件來調整聚焦將很可能導致遠心性損失且導致漸暈。因此，應在移動成像透鏡242中發生所要聚焦調整。另外，在此實施例中，所有成像透鏡242均無需成像場。在此單器件光學器件的情況下，繞射有限成像係可能的。約65%之作用時間循環係可能的。在一實施例中，透鏡806、802A、802B及804可包含2個非球面透鏡及2個球面透鏡。在一實施例中，可使用約380個個別可控制器件102(例如，標準雷射二極體)。在一實施例中，可使用約1400個成像透鏡242集合。在使用標準雷射二極體之實施例中，可使用約4200個成像透鏡242集合，該等集合可以6個同心環配置於一轉輪上。在一實施例中，成像透鏡之旋轉轉輪將以約12,000 RPM旋轉。
圖22描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之三個不同旋轉位置。在此實施例中，為了避免如關於圖21所描述之以不同速率移動透鏡，可如圖22所示而使用用於移動成像透鏡242之所謂的4f遠心縮進(telecentric in)/遠心伸出(telecentric out)成像系統。移動成像透鏡242包含在X-Y平面中以實質上相同速率移動(例如，圍繞一軸線旋轉，在該軸線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡242)之兩個成像透鏡808、810，且接收遠心光束以作為輸入，且將遠心成像光束輸出至基板。在放大率為1之此配置中，基板上之影像比移動成像透鏡242快兩倍而移動。基板在X方向上移動。在此配置中，光學器件將很可能需要以相對較大NA成像場，例如，大於0.3、大於0.18或大於0.15。在兩個單器件光學器件的情況下，此配置也許不係可能的。可能需要具有極準確之對準容許度之六個或六個以上器件以獲取繞射有限影像。約65%之作用時間循環係可能的。在此實施例中，亦相對易於用不沿著或結合可移動成像透鏡242移動之器件局域地聚焦。
圖23描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之五個不同旋轉位置。在此實施例中，為了避免如關於圖21所描述之以不同速率移動透鏡且為了使光學器件不會如關於圖22所敍述之成像場，將在X-Y平面中實質上靜止之透鏡的組合與移動成像透鏡242組合。參看圖23，提供在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件102。提供在X-Y平面中實質上靜止之選用準直透鏡806，以準直來自個別可控制器件102之光束，且將經準直光束(具有(例如)0.5毫米之橫截面寬度(例如，直徑))提供至透鏡812。
透鏡812在X-Y平面中亦實質上靜止，且將經準直光束聚焦至移動成像透鏡242之場透鏡814(具有(例如)1.5毫米之橫截面寬度(例如，直徑))。透鏡814具有相對較大焦距(例如，f=20毫米)。
可移動成像透鏡242之場透鏡814相對於個別可控制器件102移動(例如，圍繞一軸線旋轉，在該軸線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡242)。場透鏡814將光束引導朝向可移動成像透鏡242之成像透鏡818。如同場透鏡814，成像透鏡818相對於個別可控制器件102移動(例如，圍繞一軸線旋轉，在該軸線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡242)。在此實施例中，場透鏡814以與成像透鏡818之速率實質上相同的速率移動。一對場透鏡814與成像透鏡818相對於彼此對準。基板在X方向上移動。透鏡816處於場透鏡814與成像透鏡818之間。透鏡816在X-Y平面中實質上靜止，且將來自場透鏡814之光束準直至成像透鏡818。透鏡816具有相對較大焦距(例如，f=20毫米)。在此實施例中，場透鏡814之光軸應與對應成像透鏡816之光軸重合。場透鏡814經設計成使得將摺疊光束，使得藉由透鏡816準直的光束之主光線與成像透鏡818之光軸重合。以此方式，朝向基板之光束係遠心的。
透鏡812及816可歸因於大f數而為簡單球面透鏡。場透鏡814應不影響影像品質且亦可為球面器件。在此實施例中，準直透鏡806及成像透鏡818為無需成像場之透鏡。在此單器件光學器件的情況下，繞射有限成像係可能的。約65%之作用時間循環係可能的。
在可移動成像透鏡242係可旋轉之實施例中，提供透鏡及個別可控制器件102之至少兩個同心環以獲得橫越基板之寬度之全覆蓋。在一實施例中，此等環上之個別可控制器件102係以1.5毫米之間距而配置。若使用具有5.6毫米之直徑的標準雷射二極體，則對於全覆蓋可能需要至少6個同心環。圖24及圖25描繪根據此等配置之個別可控制器件102之同心環的配置。在一實施例中，此配置將導致具有在X-Y平面中實質上靜止之對應透鏡的大約380個個別可控制器件102。移動成像透鏡242將具有700×6個環=4200個透鏡814、818集合。在此組態的情況下，有可能用每一個別可控制器件102書寫長度為約1毫米之線。在一實施例中，可使用約1400個成像透鏡242集合。在一實施例中，透鏡812、814、816及818可包含4個非球面透鏡。在此實施例中，藉由使用不在X-Y平面中(例如，在個別可控制器件102處)移動之器件來調整聚焦將很可能導致遠心性損失且導致漸暈。因此，應在移動成像透鏡242中發生所要聚焦調整。因此，此情形可能需要比移動成像透鏡242更高之頻率的致動器。
圖26描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件。在此實施例中，使用光學反旋轉器(derotator)以將在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件102耦合至移動成像透鏡242。
在此實施例中，以一環配置個別可控制器件102連同選用準直透鏡。兩個抛物面鏡面820、822將來自個別可控制器件102之經準直光束之環減少至用於反旋轉器824之可接受直徑。在圖26中，將別漢稜鏡(pechan prism)用作反旋轉器824。若反旋轉器以相較於成像透鏡242之速率的一半的速率旋轉，則每一個別可控制器件102相對於其各別成像透鏡242顯現為實質上靜止。兩個另外抛物面鏡面826、828將來自反旋轉器824之經反旋轉光束之環擴展至用於移動成像透鏡242之可接受直徑。基板在X方向上移動。在此實施例中，每一個別可控制器件102係與一成像透鏡242成對。因此，也許不可能將個別可控制器件102安裝於同心環上，且因此，可能不會獲得橫越基板之寬度之全覆蓋。約33%之作用時間循環係可能的。在此實施例中，成像透鏡242為無需成像場之透鏡。
圖27描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件。在此配置中，成像透鏡242經配置以圍繞延伸於X-Y平面中之方向旋轉(例如，旋轉轉鼓，而非如(例如)關於圖19至圖26所描述之旋轉轉輪)。參看圖27，可移動成像透鏡242配置於經配置以圍繞(例如)Y方向旋轉之轉鼓上。可移動成像透鏡242自在轉鼓之旋轉軸線與移動成像透鏡242之間於Y方向上以一線延伸的個別可控制器件102接收輻射。原則上，將藉由此轉鼓之可移動成像透鏡242書寫之線將平行於基板之掃描方向831。因此，在45°下所安裝之反旋轉器830經配置以將藉由轉鼓之可移動成像透鏡242產生之線旋轉達90°，使得經成像線垂直於基板之掃描方向。基板在X方向上移動。
對於基板上之每一條紋，在轉鼓上將需要可移動成像透鏡242之一圓圈。若一種此類圓圈可在基板上書寫3毫米寬度之條紋且基板係300毫米寬，則在轉鼓上可能需要700(轉鼓之圓周上的光學器件)×100=70000個光學總成。其在轉鼓上使用圓柱形光學器件之情況下可更少。另外，在此實施例中，成像光學器件可能需要成像特定場，此情形可使光學器件更複雜。約95%之作用時間循環係可能的。此實施例之優點在於：經成像條紋可具有實質上相等長度且實質上平行且筆直。在此實施例中，相對易於用不沿著或結合可移動成像透鏡242移動之器件局域地聚焦。圖28描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示成像透鏡242集合相對於個別可控制器件之五個不同旋轉位置。參看圖28，提供在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件102。可移動成像透鏡242包含複數個透鏡集合，每一透鏡集合包含場透鏡814及成像透鏡818。基板在X方向上移動。
可移動成像透鏡242之場透鏡814(例如，球面透鏡)在方向815上相對於個別可控制器件102移動(例如，圍繞一軸線旋轉，在該軸線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡242)。場透鏡814將光束引導朝向可移動成像透鏡242之成像透鏡818(例如，非球面透鏡，諸如雙重非球面表面透鏡)。如同場透鏡814，成像透鏡818相對於個別可控制器件102移動(例如，圍繞一軸線旋轉，在該軸線中，至少部分地以圓形方式配置成像透鏡242)。在此實施例中，場透鏡814以與成像透鏡818之速率實質上相同的速率移動。場透鏡814之焦平面在部位815處與成像透鏡818之背焦平面重合，此情形給出遠心縮進/遠心伸出系統。相反於圖23之配置，成像透鏡818成像特定場。場透鏡814之焦距係使得用於成像透鏡818之場大小小於2度至3度半角。在此情況下，仍有可能用一單器件光學器件(例如，雙重非球面表面單器件)獲取繞射有限成像。場透鏡814經配置為在個別場透鏡814之間無間隔之情況下加以安裝。在此情況下，個別可控制器件102之作用時循用時環可為約95%。成像透鏡818之焦距係使得在基板處具有0.2之NA的情況下，此等透鏡將不變得大於場透鏡814之直徑。等於場透鏡814之直徑的成像透鏡818之焦距將給出成像透鏡818之直徑，該直徑留下用於安裝成像透鏡818之足夠空間。
歸因於場角，可書寫比場透鏡814之間距略微更大之線。此情形給出基板上之相鄰個別可控制器件102之經成像線之間的重疊，該重疊亦取決於成像透鏡818之焦距。因此，個別可控制器件102可以與成像透鏡242相同的間距安裝於一環上。
圖29描繪圖28之微影裝置之部分的示意性三維圖式。在此描繪中，描繪5個個別可控制器件102與5個關聯可移動成像透鏡集合242。將顯而易見，可提供另外個別可控制器件102及關聯可移動成像透鏡集合242。基板在如藉由箭頭829所示之X方向上移動。在一實施例中，場透鏡814係在該等場透鏡之間無間隔的情況下進行配置。光瞳平面位於817處。
為了避免相對較小之雙重非球面成像透鏡818、減少移動成像透鏡242之光學器件的量及將標準雷射二極體用作個別可控制器件102，在此實施例中存在用可移動成像透鏡242之單一透鏡集合成像多個個別可控制器件102的可能性。只要將個別可控制器件102遠心地成像於每一可移動成像透鏡242之場透鏡814上，對應成像透鏡818便將遠心地將來自個別可控制器件102之光束重新成像於基板上。若(例如)同時地書寫8條線，則可以相同產出率而將場透鏡814之直徑及成像透鏡818之焦距增加達8倍，而可將可移動成像透鏡242之量減小為原先的1/8。另外，可減少在X-Y平面中實質上靜止之光學器件，此係因為將個別可控制器件102成像於場透鏡814上所需要的光學器件之部分可為共同的。圖30中示意性地描繪藉由單一可移動成像透鏡242集合同時地書寫8條線之此配置，其中具有成像透鏡242集合之旋轉軸線821及成像透鏡242集合距旋轉軸線821之半徑823。自1.5毫米之間距至12毫米之間距(當藉由單一可移動成像透鏡242集合同時地書寫8條線時)留下用於安裝標準雷射二極體以作為個別可控制器件102之足夠空間。在一實施例中，可使用224個個別可控制器件102(例如，標準雷射二極體)。在一實施例中，可使用120個成像透鏡242集合。在一實施例中，28個實質上靜止光學器件集合可用於224個個別可控制器件102。
在此實施例中，亦相對易於用不沿著或結合可移動成像透鏡242移動之器件局域地聚焦。只要使場透鏡814上之個別可控制器件102的遠心影像沿著光軸移動且保持遠心，基板上之影像的聚焦便將僅改變且影像將保持遠心。圖31描繪用以在圖28及圖29之配置中以移動脊頂來控制聚焦的示意性配置。在場透鏡814之前將具有脊頂(例如，稜鏡或鏡面集合)834之兩個摺疊鏡面832置放於來自個別可控制器件102之遠心光束中。藉由在方向833上將脊頂834移動遠離或朝向摺疊鏡面832，使影像沿著光軸移位且因此亦相對於基板移位。因為沿著光軸存在大的放大率(此係因為軸向聚焦改變等於F/數目之二次比)，所以在基板處以F/2.5光束之25微米散焦將給出在場透鏡814處以5.625毫米之f/37.5光束的聚焦移位(37.5/2.5)2 。此情形意謂脊頂834必須移動該聚焦移位的一半。
圖32描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性橫截面側視圖，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件。雖然圖32描繪類似於圖23之配置，但其可經適當地修改以適合圖19至圖22及/或圖24至圖31之實施例中的任一者。
參看圖32，微影裝置100包含：基板台106，基板台106係用以固持基板；及定位元件116，定位元件116係用以在高達6個自由度中移動基板台106。微影裝置100進一步包含配置於框架160上之複數個個別可控制器件102。在此實施例中，個別可控制器件102中之每一者為一輻射發射二極體，例如，雷射二極體(例如，藍紫色雷射二極體)。個別可控制器件102配置於框架838上且沿著Y方向延伸。雖然展示一個框架838，但微影裝置可具有如(例如)在圖5中被類似地展示為陣列200之複數個框架838。透鏡812及816進一步配置於框架838上。框架838在X-Y平面中實質上靜止，且因此，個別可控制器件102以及透鏡812及816在X-Y平面中實質上靜止。框架838、個別可控制器件102以及透鏡812及816可藉由致動器836在Z方向上移動。
在此實施例中，提供可旋轉之框架840。場透鏡814及成像透鏡818配置於框架840上，其中場透鏡814與成像透鏡818之組合形成可移動成像透鏡242。在使用中，板(例如)相對於陣列200在藉由圖5中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸線206旋轉。使用馬達216圍繞軸線206旋轉框架840。另外，可藉由馬達216在Z方向上移動框架840，使得可使可移動成像透鏡242相對於基板台106位移。
在此實施例中，具有孔隙之孔隙結構248可在透鏡812與關聯個別可控制器件102之間位於透鏡812上方。孔隙結構248可限制透鏡812、關聯個別可控制器件102及/或鄰近透鏡812/個別可控制器件102之繞射效應。在一實施例中，微影裝置100包含一或多個可移動板890(例如，可旋轉板(例如，可旋轉圓盤))，該一或多個可移動板890包含光學器件(例如，透鏡)。在圖32之實施例中，展示具有場透鏡814之板890及具有成像透鏡818之板890。在一實施例中，微影裝置不存在當在使用中時旋轉之任何反射光學器件。在一實施例中，微影裝置不存在當在使用中時旋轉之任何反射光學器件，該等反射光學器件自任何或所有個別可控制器件102接收輻射。在一實施例中，一或多個(例如，全部)板890實質上平坦，例如，不具有突出至該板之一或多個表面上方或下方的光學器件(或光學器件之部分)。此情形可(例如)藉由確保板890足夠厚(亦即，至少厚於光學器件之高度且定位該等光學器件，使得該等光學器件不會突出)或藉由遍及板890提供平坦蓋板(圖中未繪示)而達成。確保板之一或多個表面實質上平坦可在裝置係在使用中時輔助(例如)雜訊減少。
圖33示意性地描繪微影裝置之部分的示意性橫截面側視圖。在一實施例中，微影裝置具有在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件(如下文進一步所描述)，然而，無需為該情況。微影裝置900包含：基板台902，基板台902係用以固持基板；及定位元件904，定位元件904係用以在高達6個自由度中移動基板台902。基板可為抗蝕劑塗佈基板(例如，矽晶圓或玻璃板)或可撓性基板(例如，箔片)。
微影裝置900進一步包含複數個個別可控制自發射對比元件906，複數個個別可控制自發射對比元件906經組態以發射複數個光束。在一實施例中，自發射對比元件906為輻射發射二極體，諸如發光二極體(LED)、有機LED(OLED)、聚合物LED(PLED)或雷射二極體(例如，固態雷射二極體)。在一實施例中，個別可控制器件906中之每一者為一藍紫色雷射二極體(例如，Sanyo型號DL-3146-151)。此等二極體可藉由諸如Sanyo、Nichia、Osram及Nitride之公司供應。在一實施例中，二極體發射具有約365奈米或約405奈米之波長的輻射。在一實施例中，二極體可提供選自0.5毫瓦特至200毫瓦特之範圍的輸出功率。在一實施例中，雷射二極體(裸晶粒)之大小係選自100微米至800微米之範圍。在一實施例中，雷射二極體具有選自0.5平方微米至5平方微米之範圍的發射區域。在一實施例中，雷射二極體具有選自5度至44度之範圍的發散角。在一實施例中，二極體具有用以提供大於或等於約6.4×108 W/(m2 .sr)之總亮度的組態(例如，發射區域、發散角、輸出功率，等等)。
自發射對比元件906配置於框架908上且可沿著Y方向及/或X方向延伸。雖然展示一個框架908，但微影裝置可具有複數個框架908。透鏡920進一步配置於框架908上。框架908在X-Y平面中實質上靜止，且因此，自發射對比元件906及透鏡920在X-Y平面中實質上靜止。可藉由致動器910在Z方向上移動框架908、自發射對比元件906及透鏡920。或者或另外，可藉由與特定透鏡920相關之致動器在Z方向上移動透鏡920。視情況，每一透鏡920可具備一致動器。
自發射對比元件906可經組態以發射光束，且投影系統920、924及930可經組態以將光束投影至基板之目標部分上。自發射對比元件906及投影系統形成光學圓柱。微影裝置900可包含致動器(例如，馬達918)以相對於基板移動光學圓柱或其一部分。經配置有場透鏡924及成像透鏡930之框架912可藉由致動器而可旋轉。場透鏡924與成像透鏡930之組合形成可移動光學器件914。在使用中，框架912(例如)在藉由圖34中之箭頭所示之方向上圍繞其自有軸線916旋轉。使用致動器(例如，馬達918)圍繞軸線916旋轉框架912。另外，可藉由馬達910在Z方向上移動框架912，使得可使可移動光學器件914相對於基板台902位移。具有孔隙之孔隙結構922可在透鏡920與自發射對比元件906之間位於透鏡920上方。孔隙結構922可限制透鏡920、關聯自發射對比元件906及/或鄰近透鏡920/自發射對比元件906之繞射效應。
可藉由旋轉框架912且同時地在光學圓柱下方移動基板台902上之基板而使用所描繪裝置。當透鏡920、924及930彼此實質上對準時，自發射對比元件906可通過該等透鏡發射光束。藉由移動透鏡924及930，使基板上之光束之影像遍及基板之一部分進行掃描。藉由同時地在光學圓柱下方移動基板台902上之基板，經受自發射對比元件906之影像的基板之部分亦正移動。藉由在控制器(控制器控制光學圓柱或其部分之旋轉、控制自發射對比元件906之強度，且控制基板之速率)之控制下以高速率「開啟」及「關閉」自發射對比元件906(例如，當自發射對比元件906「關閉」時無輸出或具有低於臨限值之輸出，且當自發射對比元件906「開啟」時具有高於臨限值之輸出)，可在基板上之抗蝕劑層中成像所要圖案。
圖34描繪具有自發射對比元件906的圖33之微影裝置的示意性俯視圖。如同圖33所示之微影裝置900，微影裝置900包含：基板台902，基板台902係用以固持基板928；定位元件904，定位元件904係用以在高達6個自由度中移動基板台902；對準/位階感測器932，對準/位階感測器932係用以判定自發射對比元件906與基板928之間的對準，且判定基板928是否位於相對於自發射對比元件906之投影之位階處。如所描繪，基板928具有圓形形狀，然而，可處理矩形或其他形狀基板。
自發射對比元件906配置於框架926上。自發射對比元件906可為輻射發射二極體，例如，雷射二極體(例如，藍紫色雷射二極體)。如圖34所示，對比元件906可經配置為在X-Y平面中延伸之陣列，一或多個對比元件906係與每一光學圓柱相關聯。陣列934可為狹長線。在一實施例中，陣列934可為自發射對比元件906之單維陣列。在一實施例中，陣列934可為自發射對比元件906之二維陣列。
可提供可旋轉框架912，可旋轉框架912可在藉由各別箭頭描繪之方向上旋轉。可旋轉框架可具備透鏡924、930(圖33所示)以提供自發射對比元件906中之每一者之影像。在本申請案中，關於可旋轉框架912及其縱向軸線916使用術語「徑向」及「切線方向」。裝置可具備致動器，致動器用以旋轉可旋轉框架912，且隨其旋轉包括透鏡924、930的光學圓柱之旋轉式部分。隨著可旋轉框架旋轉，光束入射於順次透鏡上，且每當藉由光束輻照透鏡時，光束入射於透鏡之表面上所在之地點移動。因為光束取決於光束在透鏡上之入射地點而不同地(以(例如)不同偏轉)投影於基板上，所以光束(當到達基板時)將隨著後繼透鏡之每次通過而進行掃描移動。圖35描繪微影裝置之部分的俯視圖，其展示對應光學圓柱之三個可旋轉框架912。描繪基板台902，該基板台係在X方向上可移動，如藉由箭頭所指示。在此實例中，該等光學圓柱中之每一者包含複數個自發射對比元件以發射光束。每一光學圓柱之自發射對比元件經配置以使圓區段狀投影區域940能夠投影至基板上。儘管圖35描繪三個光學圓柱，但可應用其他量，例如，兩個、四個、五個、六個、七個、八個、九個、十個或十個以上光學圓柱。每一光學圓柱可具備一致動器以旋轉其至少一部分，在此實例中，旋轉如圖33所描繪之可旋轉框架912及附接式透鏡924、930。
光學圓柱係以交錯方式予以配置，該交錯方式使該等光學圓柱能夠定位成在基板之掃描方向上彼此接近，此情形可允許光學圓柱在總體上之無縫圖案投影。在圖35之平面中，對於在基板掃描移動之上游側處的光學圓柱，自發射對比元件位於下游側處，且反之亦然。換言之，在基板掃描方向上，下游光學圓柱經配置以在其上游側處將光束投影於投影區域中，且反之亦然。
如上文簡要地所提及，每一自發射對比元件可展現可起源於各種原因(諸如不同敏感度曲線、不同溫度特性、光學耦合差異，及/或其他原因)之特定容許度。此外，可觀測每光學圓柱之差異。歸因於基板之掃描移動，自發射對比元件及/或光學圓柱之上述變化可在掃描方向上於基板上之投影中導致非想要條紋、區，等等。所提及因素或其他因素中之一些因素可為恆定的，而其他因素可展現動態或波動行為。因此，量測及(可能地)校正可為理想的。
因此，圖35描繪第一光學感測器936，諸如光電二極體、光電二極體陣列、電荷耦合元件，等等。光學感測器936可移動。光學感測器936可沿著944在垂直於掃描方向之方向上可移動。諸如馬達之致動器(圖中未繪示)可移動光學感測器。光學感測器具有涵蓋光學圓柱中之每一者之投影區域之至少一部分的移動範圍。在此實例中，可藉由光學感測器在至少兩個方向上執行移動。首先，光學感測器可沿著垂直於掃描方向之線944移動(例如，藉由適當導引系統、線性馬達，等等)，藉此使能夠在垂直於掃描方向之方向上執行線掃描(line scan)。另外，光學感測器可在掃描方向x上可移動，例如，藉由提供基板或基板台902之掃描移動的致動器，或藉由分離致動器(圖35中未繪示)，例如，經配置以在掃描方向上移動包含光學感測器之總成942的致動器。總成942可在掃描方向x上可分離地移動，或該總成可附接至基板台902或形成基板台902之部分。藉由在掃描方向x上之位移，可使垂直於該掃描方向的光學感測器936之移動線(例如)在掃描方向x上位移，使得其到達其他光學圓柱之投影區域。在一實施例中，可驅動感測器936之致動器，以便使該感測器遵循光學圓柱中之每一者之投影區域940，因此順次地量測光學圓柱中之每一者之一光束之光學參數(例如，強度或劑量)，理想地為光學圓柱中之每一者之每一光束之光學參數。可應用所獲得之量測結果以校準光學圓柱中之每一者。
為了提供更快校準，可利用一或多個額外感測器，諸如圖35所描繪之感測器938。提供第二感測器938a，在此實例中，第二感測器938a偵測光學圓柱中之第一光學圓柱之光束。提供第三感測器938b，第三感測器938b偵測光學圓柱中之第二光學圓柱之光束。此外，在此實例中，提供第四感測器938c，第四感測器938c偵測光學圓柱中之第三光學圓柱之光束。第二感測器及另外感測器中之每一者係藉由對應致動器在垂直於掃描方向x之方向上可彼此獨立地移動。可藉由具備適當程式指令以如下驅動該等致動器之控制器(諸如微控制器、微處理器，或其他適當控制元件)驅動該等致動器。
在一實施例中，首先定位感測器之總成，如圖35所示。在此位置中，第一感測器936在垂直於掃描方向之方向上移動(亦即，沿著線944)，藉此在第二光學圓柱之投影區域之兩個部分(在此實例中為兩個末端)處進行量測。接著，在掃描方向上將總成942移動至圖36所描繪之位置。在此位置中，第一感測器936再次在垂直於掃描方向之方向上移動，藉此在此實例中在第一光學圓柱及第三光學圓柱之投影區域940之兩個部分(在此實例中再次為兩個末端)處進行量測。接著，使用第二感測器、第三感測器及第四感測器。如將參看圖37所解釋，在此實例中，此等感測器中之每一者遵循圓區段狀投影區域940中之一對應圓區段狀投影區域的一半(以更通用之術語，量測一對應投影區域之光束之至少一部分)。在此實例中，歸因於光學圓柱之投影區域之形狀及定向，操作在垂直於掃描方向之方向上移動第二感測器938a、第三感測器938b及第四感測器938c的該等致動器，以及在掃描方向上移動該等感測器之該或該等致動器。根據沿著區段之至少一部分的後者量測，可校準光學圓柱之個別自發射對比元件，以便相對於同一光學圓柱之其他自發射對比元件匹配。應用前者量測(其中第一光學感測器936捕獲光學圓柱中之每一者之投影區域之部分(在此實例中，在歸因於光學圓柱之交錯定位的兩個順次運行中))以使不同光學圓柱相對於彼此匹配。因此，相對較短量測程序可實現光學圓柱中之每一者之光束之光學參數(諸如強度或劑量)相對於彼此的匹配。
代替藉由第一光學感測器執行之量測或除了藉由第一光學感測器執行之量測以外，亦可判定光學圓柱中之每一者之自發射對比元件之輸出劑量與電功率(例如，電驅動電流)之間的關係。舉例而言，可根據藉由第一光學感測器之量測判定此關係。接著可將所判定關係應用於調平，藉此調整自發射對比元件之電驅動功率，以便達成所要光學輸出(例如，劑量)。因此，可結合所判定關係而將藉由第二光學感測器及另外光學感測器執行的每一自發射對比元件之量測用於調平(藉此根據該等量測及該所判定關係調整每一自發射對比元件之電驅動功率)。
根據本發明之一態樣的元件製造方法可進一步包含顯影經輻照基板及自經顯影基板製造元件(諸如顯示元件、電子電路，等等)之步驟。
下文亦在已編號條款中提供實施例：
1.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器經組態以將該基板之一曝光區域曝光至根據一所要圖案所調變之複數個光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上，且包含用以接收該複數個光束之一透鏡陣列，該投影系統經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該調變器移動該透鏡陣列。
2.　如實施例1之微影裝置，其中每一透鏡包含至少兩個透鏡，該至少兩個透鏡係沿著自該調變器至該基板的該複數個光束中之至少一者之一光束路徑而配置。
3.　如實施例2之微影裝置，其中該至少兩個透鏡中之一第一透鏡包含一場透鏡，且該至少兩個透鏡中之一第二透鏡包含一成像透鏡。
4.　如實施例3之微影裝置，其中該場透鏡之焦平面與該成像透鏡之背焦平面重合。
5.　如實施例3或4之微影裝置，其中該成像透鏡包含一雙重非球面表面透鏡。
6.　如實施例3至5中任一者之微影裝置，其中該場透鏡之焦距係使得用於該成像透鏡之場大小小於2度至3度半角。
7.　如實施例3至6中任一者之微影裝置，其中該成像透鏡之該焦距係使得在該基板處具有0.2之一數值孔徑(NA)的情況下，該成像透鏡不變得大於該場透鏡之直徑。
8.　如實施例7之微影裝置，其中該成像透鏡之該焦距等於該場透鏡之該直徑。
9.　如實施例3至8中任一者之微影裝置，其中複數個該等光束係藉由該場透鏡與該成像透鏡之一單一組合而成像。
10.　如實施例3至9中任一者之微影裝置，其進一步包含一聚焦控制元件，該聚焦控制元件係沿著自該調變器至該場透鏡的該複數個光束中之至少一者之一光束路徑而配置。
11.　如實施例10之微影裝置，其中該聚焦控制元件包含一摺疊鏡面及一可移動脊頂。
12.　如實施例3之微影裝置，其進一步包含用以準直自該第一透鏡至該第二透鏡之該光束的在該路徑中之一透鏡。
13.　如實施例12之微影裝置，其中用以準直該光束的在該路徑中之該透鏡相對於該調變器實質上靜止。
14.　如實施例3、12或13中任一者之微影裝置，其進一步包含介於該調變器與該第一透鏡之間的用以將該複數個光束中之至少一者聚焦朝向該第一透鏡的在該路徑中之一透鏡。
15.　如實施例14之微影裝置，其中用以聚焦該光束的在該路徑中之該透鏡相對於該調變器實質上靜止。
16.　如實施例3或12至15中任一者之微影裝置，其中該場透鏡之光軸與該成像透鏡之光軸重合。
17.　如實施例2之微影裝置，其中該至少兩個透鏡中之一第一透鏡包含至少兩個子透鏡，其中該複數個光束中之至少一者聚焦於該兩個子透鏡中間。
18.　如實施例17之微影裝置，其中該至少兩個子透鏡中之每一者具有一實質上相等焦距。
19.　如實施例2、17或18中任一者之微影裝置，其中該第一透鏡經配置以將一經準直光束輸出朝向該至少兩個透鏡中之一第二透鏡。
20.　如實施例2或17至19中任一者之微影裝置，其經組態以使該至少兩個透鏡中之一第一透鏡以不同於該至少兩個透鏡中之一第二透鏡的一速率移動。
21.　如實施例20之微影裝置，其中該第二透鏡之該速率係兩倍於該第一透鏡之該速率。
22.　如實施例1之微影裝置，其中每一透鏡包含一4f遠心縮進/遠心伸出成像系統。
23.　如實施例22之微影裝置，其中該4f遠心縮進/遠心伸出成像系統包含至少6個透鏡。
24.　如實施例1之微影裝置，其進一步包含介於該調變器與該透鏡陣列之間的一反旋轉器。
25.　如實施例24之微影裝置，其中該反旋轉器包含一別漢稜鏡。
26.　如實施例24或25之微影裝置，其中該反旋轉器經配置成以該透鏡陣列之速率的一半的速率移動。
27.　如實施例24至26中任一者之微影裝置，其進一步包含用以減少介於該調變器與該反旋轉器之間的該等光束之大小的一抛物面鏡面。
28.　如實施例24至27中任一者之微影裝置，其進一步包含用以增加介於該反旋轉器與該透鏡陣列之間的該等光束之該大小的一抛物面鏡面。
29.　如實施例1至28中任一者之微影裝置，其中該透鏡陣列係相對於該調變器旋轉。
30.　如實施例1至29中任一者之微影裝置，其中該調變器包含用以發射電磁輻射之複數個個別可控制輻射源。
31.　如實施例1至29中任一者之微影裝置，其中該調變器包含一微鏡面陣列。
32.　如實施例1至29中任一者之微影裝置，其中該調變器包含一輻射源及一聲光調變器。
33.　一種元件製造方法，其包含：提供根據一所要圖案所調變之複數個光束；及使用接收該複數個光束之一透鏡陣列將該複數個光束投影至一基板上；及在該投影期間相對於該等光束移動該透鏡陣列。
34.　如實施例33之方法，其中每一透鏡包含至少兩個透鏡，該至少兩個透鏡係沿著自該複數個光束中之至少一者之一源至該基板的該至少一光束之一光束路徑而配置。
35.　如實施例34之方法，其中該至少兩個透鏡中之一第一透鏡包含一場透鏡，且該至少兩個透鏡中之一第二透鏡包含一成像透鏡。
36.　如實施例35之方法，其中該場透鏡之焦平面與該成像透鏡之背焦平面重合。
37.　如實施例35或36之方法，其中該成像透鏡包含一雙重非球面表面透鏡。
38.　如實施例35至37中任一者之方法，其中該場透鏡之焦距係使得用於該成像透鏡之場大小小於2度至3度半角。
39.　如實施例35至38中任一者之方法，其中該成像透鏡之該焦距係使得在該基板處具有0.2之一數值孔徑(NA)的情況下，該成像透鏡不變得大於該場透鏡之直徑。
40.　如實施例39之方法，其中該成像透鏡之該焦距等於該場透鏡之該直徑。
41.　如實施例35至40中任一者之方法，其中複數個該等光束係藉由該場透鏡與該成像透鏡之一單一組合而成像。
42.　如實施例35至41中任一者之方法，其進一步包含在該複數個光束中之至少一者之一源與該場透鏡之間使用一聚焦控制元件。
43.　如實施例42之方法，其中該聚焦控制元件包含一摺疊鏡面及一可移動脊頂。
44.　如實施例35之方法，其進一步包含使用一透鏡來準直介於該第一透鏡與該第二透鏡之間的該至少一光束。
45.　如實施例44之方法，其中用以準直該至少一光束之該透鏡相對於該至少一光束實質上靜止。
46.　如實施例35、44或45中任一者之方法，其進一步包含在該複數個光束中之至少一者之一源與該第一透鏡之間的該路徑中使用一透鏡將該至少一光束聚焦朝向該第一透鏡。
47.　如實施例46之方法，其中用以聚焦該至少一光束之該透鏡相對於該至少一光束實質上靜止。
48.　如實施例35或44至47中任一者之方法，其中該場透鏡之光軸與該對應成像透鏡之光軸重合。
49.　如實施例34之方法，其中該至少兩個透鏡中之一第一透鏡包含至少兩個子透鏡，其中該複數個光束中之至少一者聚焦於該兩個子透鏡中間。
50.　如實施例49之方法，其中該至少兩個子透鏡中之每一者具有一實質上相等焦距。
51.　如實施例34、49或50中任一者之方法，其中該第一透鏡經配置以將一經準直光束輸出朝向該至少兩個透鏡中之一第二透鏡。
52.　如實施例34或49至51中任一者之方法，其包含使該至少兩個透鏡中之一第一透鏡以不同於該至少兩個透鏡中之一第二透鏡的一速率移動。
53.　如實施例52之方法，其中該第二透鏡之該速率係兩倍於該第一透鏡之該速率。
54.　如實施例33之方法，其中每一透鏡包含一4f遠心縮進/遠心伸出成像系統。
55.　如實施例54之方法，其中該4f遠心縮進/遠心伸出成像系統包含至少6個透鏡。
56.　如實施例33之方法，其進一步包含在該等光束之一源與該透鏡陣列之間使用一反旋轉器來反旋轉該等光束。
57.　如實施例56之方法，其中該反旋轉器包含一別漢稜鏡。
58.　如實施例56或57之方法，其包含以該透鏡陣列之速率的一半的速率移動該反旋轉器。
59.　如實施例56至58中任一者之方法，其進一步包含使用一抛物面鏡面來減少介於該光束之一源與該反旋轉器之間的該等光束之大小。
60.　如實施例56至59中任一者之方法，其進一步包含使用一抛物面鏡面來增加介於該反旋轉器與該透鏡陣列之間的該等光束之該大小。
61.　如實施例33至60中任一者之方法，其包含相對於該等光束旋轉該透鏡陣列。
62.　如實施例33至61中任一者之方法，其中複數個個別可控制輻射源中之每一者發射該複數個光束中之每一者。
63.　如實施例33至61中任一者之方法，其中一微鏡面陣列發射該複數個光束。
64.　如實施例33至61中任一者之方法，其中一輻射源及一聲光調變器產生該複數個光束。
65.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含用以發射電磁輻射之複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將該基板之一曝光區域曝光至根據一所要圖案所調變之複數個光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上，且包含用以接收該複數個光束之一透鏡陣列，該投影系統經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該等個別可控制輻射源移動該透鏡陣列。
66.　一種元件製造方法，其包含：使用複數個個別可控制輻射源來提供根據一所要圖案所調變之複數個光束；及使用接收該複數個光束之一透鏡陣列將該複數個光束投影至一基板上；及在該投影期間相對於該等個別可控制輻射源移動該透鏡陣列。
67.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器經組態以將該基板之一曝光區域曝光至根據一所要圖案所調變之複數個光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上，且包含用以接收該複數個光束之複數個透鏡陣列，該等陣列中之每一者係沿著該複數個光束之光束路徑而分離地配置。
68.　如實施例67之微影裝置，其中該投影系統經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該調變器移動該等透鏡陣列。
69.　如實施例67或68之微影裝置，其中每一陣列之該等透鏡係以一單一本體而配置。
70.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含用以發射電磁輻射之複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將該基板之一曝光區域曝光至根據一所要圖案所調變之複數個光束，且經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該曝光區域移動該複數個輻射源，使得僅少於該複數個輻射源之全部的輻射源可在任一時間曝光該曝光區域；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
71.　一種微影裝置，其包含：複數個個別可控制輻射源，該複數個個別可控制輻射源經組態以提供根據一所要圖案所調變之複數個光束，該複數個輻射源中之至少一輻射源係可移動於其發射輻射之一部位與其不發射輻射之一部位之間；一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
72.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含用以發射電磁輻射之複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將該基板之一曝光區域曝光至根據一所要圖案所調變之複數個光束，且經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之至少一輻射源，使得來自該至少一輻射源之輻射同時鄰接於或重疊於來自該複數個輻射源中之至少一另一輻射源的輻射；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
73.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；複數個個別可控制輻射源，該複數個個別可控制輻射源經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，該複數個輻射源中之至少一輻射源係可移動於其可將輻射發射至該曝光區域之一部位與其不能將輻射發射至該曝光區域之一部位之間；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
74.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以在曝光該曝光區域期間相對於該曝光區域移動該複數個輻射源，該調變器具有該複數個光束至該曝光區域之一輸出，該輸出具有少於該複數個輻射源之輸出之區域的一區域；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
75.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源陣列，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一各別曝光區域，且經組態以相對於其各別曝光區域移動每一陣列，或相對於其各別曝光區域移動來自每一陣列之該複數個光束，或相對於該各別曝光區域移動該陣列及該複數個光束兩者，其中在使用中，該複數個陣列中之一陣列的一各別曝光區域鄰接於或重疊於該複數個陣列中之另一陣列的一各別曝光區域；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
76.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，或相對於該曝光區域移動該複數個光束，或相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者及該複數個光束兩者，其中在使用期間，該等輻射源中之每一者係在其各別功率/前向電流曲線之陡峭部分中操作；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
77.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，或相對於該曝光區域移動該複數個光束，或相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者及該複數個光束兩者，其中該等個別可控制輻射源中之每一者包含一藍紫色雷射二極體；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
78.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源係以至少兩個同心圓形陣列而配置；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
79.　如實施例78之微影裝置，其中該等圓形陣列中之至少一圓形陣列係以與該等圓形陣列中之至少一另一圓形陣列交錯之一方式而配置。
80.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源係圍繞一結構之一中心而配置，且該結構在該複數個輻射源內部具有延伸通過該結構之一開口；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
81.　如實施例80之微影裝置，其進一步包含一支撐件，該支撐件係用以將支撐結構固持於該等輻射源處或外部。
82.　如實施例81之微影裝置，其中該支撐件包含一軸承，該軸承係用以准許移動該結構。
83.　如實施例81或82之微影裝置，其中該支撐件包含一馬達，該馬達係用以移動該結構。
84.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源係圍繞一結構之一中心而配置；一支撐件，該支撐件係用以將該結構支撐於該等輻射源處或外部，該支撐件經組態以旋轉或允許旋轉該結構；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
85.　如實施例84之微影裝置，其中該支撐件包含一軸承，該軸承係用以准許旋轉該結構。
86.　如實施例84或85之微影裝置，其中該支撐件包含一馬達，該馬達係用以旋轉該結構。
87.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源配置於一可移動結構上，該可移動結構又配置於一可移動板上；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
88.　如實施例87之微影裝置，其中該可移動結構係可旋轉的。
89.如實施例87或88之微影裝置，其中該可移動板係可旋轉的。
90.　如實施例89之微影裝置，其中該可移動板之旋轉中心係不與該可移動結構之旋轉中心重合。
91.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源配置於一可移動結構中或上；一流體通道，該流體通道配置於該可移動結構中以提供一溫度控制流體以至少鄰近於該複數個輻射源；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
92.　如實施例91之微影裝置，其進一步包含一感測器，該感測器位於該可移動結構中或上。
93.　如實施例91或92之微影裝置，其進一步包含一感測器，該感測器位於鄰近於該複數個輻射源中之至少一輻射源的一位置處，而非位於該可移動結構中或上。
94.　如實施例92或93之微影裝置，其中該感測器包含一溫度感測器。
95.　如實施例92至94中任一者之微影裝置，其中該感測器包含經組態以量測該結構之一膨脹及/或收縮的一感測器。
96.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源配置於一可移動結構中或上；一散熱片，該散熱片配置於該可移動結構中或上以提供該結構之溫度控制；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
97.　如實施例96之微影裝置，其進一步包含一靜止散熱片，該靜止散熱片係用以與在該可移動結構中或上之該散熱片合作。
98.　如實施例97之微影裝置，其包含在該可移動結構中或上之至少兩個散熱片，且該靜止散熱片位於在該可移動結構中或上之該等散熱片中之至少一散熱片與在該可移動結構中或上之該等散熱片中之至少一另一散熱片之間。
99.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源配置於一可移動結構中或上；一流體供應元件，該流體供應元件經組態以將一流體供應至該結構之一外部表面以控制該結構之一溫度；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
100.　如實施例99之微影裝置，其中該流體供應元件經組態以供應氣體。
101.　如實施例99之微影裝置，其中該流體供應元件經組態以供應一液體。
102.　如實施例101之微影裝置，其進一步包含一流體限制結構，該流體限制結構經組態以使該液體維持接觸該結構。
103.　如實施例102之微影裝置，其中該流體限制結構經組態以維持介於該結構與該流體限制結構之間的一密封。
104.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者；一結構分離透鏡，該結構分離透鏡經附接成接近或附接至該複數個輻射源中之每一輻射源且隨著各別輻射源而可移動。
105.　如實施例104之微影裝置，其進一步包含一致動器，該致動器經組態以使一透鏡相對於其各別輻射源位移。
106.　如實施例104或105之微影裝置，其進一步包含一致動器，該致動器經組態以使一透鏡及其各別輻射源相對於支撐該透鏡及其各別輻射源之一結構位移。
107.　如實施例105或106之微影裝置，其中該致動器經組態以在高達3個自由度中移動該透鏡。
108.　如實施例104至107中任一者之微影裝置，其進一步包含一孔隙結構，該孔隙結構位於該複數個輻射源中之至少一輻射源下游。
109.　如實施例104至107中任一者之微影裝置，其中該透鏡係用一高熱導率材料附接至支撐該透鏡及其各別輻射源之一結構。
110.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者；一空間相干性破壞元件，該空間相干性破壞元件經組態以擾亂來自該複數個輻射源中之至少一輻射源的輻射；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
111.　如實施例110之微影裝置，其中該空間相干性破壞元件包含一靜止板，且該至少一輻射源係相對於該板可移動。
112.　如實施例110之微影裝置，其中該空間相干性破壞元件包含選自以下各項之至少一者：一相位調變器、一旋轉板或一振動板。
113.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者；一感測器，該感測器經組態以量測與該複數個輻射源中之至少一輻射源相關聯的聚焦，該感測器之至少一部分處於該至少一輻射源中或上；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
114.　如實施例113之微影裝置，其中該感測器經組態以個別地量測與該等輻射源中之每一者相關聯的聚焦。
115.　如實施例113或114之微影裝置，其中該感測器為刀緣聚焦偵測器。
116.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者；一傳輸器，該傳輸器經組態以將一信號及/或功率無線地傳輸至該複數個輻射源以分別控制及/或供電給該複數個輻射源；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
117.　如實施例116之微影裝置，其中該信號包含複數個信號，且該微影裝置進一步包含用以將該複數個信號中之每一者發送朝向一各別輻射源的一解多工器。
118.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源配置於一可移動結構中或上；一單一線，該單一線將一控制器連接至該可移動結構，以將複數個信號及/或功率傳輸至該複數個輻射源以分別控制及/或供電給該複數個輻射源；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
119.　如實施例118之微影裝置，其中該信號包含複數個信號，且該微影裝置進一步包含用以將該複數個信號中之每一者發送朝向一各別輻射源的一解多工器。
120.　如實施例118或119之微影裝置，其中該線包含一光學線。
121.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者；一感測器，該感測器係用以量測已或待藉由該複數個輻射源中之至少一輻射源透射朝向該基板之輻射的一特性；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
122.　如實施例121之微影裝置，其中該感測器之至少一部分位於該基板固持器中或上。
123.　如實施例122之微影裝置，其中該感測器之該至少一部分在該基板被支撐於該基板固持器上所在之一區域外部的一位置處位於該基板固持器中或上。
124.　如實施例121至123中任一者之微影裝置，其中該感測器之至少一部分位於在使用中實質上延伸於該基板之一掃描方向上的該基板之一側處。
125.　如實施例121至124中任一者之微影裝置，其中該感測器之至少一部分安裝於用以支撐可移動結構之一框架中或上。
126.　如實施例121至125中任一者之微影裝置，其中該感測器經組態以量測來自該曝光區域外部之該至少一輻射源的輻射。
127.　如實施例121至126中任一者之微影裝置，其中該感測器之至少一部分係可移動的。
128.　如實施例121至127中任一者之微影裝置，其進一步包含一控制器，該控制器經組態以基於感測器結果而校準該至少一輻射源。
129.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源配置於一可移動結構中或上；一感測器，該感測器係用以量測該可移動結構之一位置；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
130.　如實施例129之微影裝置，其中該感測器之至少一部分安裝於支撐該可移動結構之一框架中或上。
131.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者，該複數個輻射源中之每一者具有或提供一識別；一感測器，該感測器經組態以偵測該識別；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
132.　如實施例131之微影裝置，其中該感測器之至少一部分安裝於支撐該複數個輻射源之一框架中或上。
133.　如實施例131或132之微影裝置，其中該識別包含來自一各別輻射源之輻射的一頻率。
134.　如實施例131至133中任一者之微影裝置，其中該識別包含選自以下各項之至少一者：一條碼、一射頻識別或一標記。
135.　一種微影裝置，其包含：一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板；一調變器，該調變器包含複數個個別可控制輻射源，該調變器經組態以將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供至該基板之一曝光區域，且經組態以相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之每一者；一感測器，該感測器經組態以偵測藉由該基板重新引導的來自該複數個輻射源中之至少一輻射源的輻射；及一投影系統，該投影系統經組態以將該等經調變光束投影至該基板上。
136.　如實施例135之微影裝置，其中該感測器經組態以根據該經重新引導輻射而判定入射於該基板上的來自該至少一輻射源之該輻射之一光點的一部位。
137.　如實施例70至136中任一者之微影裝置，其中該調變器經組態以圍繞實質上平行於該複數個光束之一傳播方向的一軸線旋轉至少一輻射源。
138.　如實施例70至137中任一者之微影裝置，其中該調變器經組態以在橫向於該複數個光束之一傳播方向的一方向上平移至少一輻射源。
139.　如實施例70至138中任一者之微影裝置，其中該調變器包含一光束偏轉器，該光束偏轉器經組態以移動該複數個光束。
140.　如實施例139之微影裝置，其中該光束偏轉器係選自由鏡面、稜鏡或聲光調變器組成之群組。
141.　如實施例139之微影裝置，其中該光束偏轉器包含一多邊形。
142.　如實施例139之微影裝置，其中該光束偏轉器經組態以振動。
143.　如實施例139之微影裝置，其中該光束偏轉器經組態以旋轉。
144.　如實施例70至143中任一者之微影裝置，其中該基板固持器經組態以在提供該複數個光束所沿著之一方向上移動該基板。
145.　如實施例144之微影裝置，其中該基板之該移動為一旋轉。
146.　如實施例70至145中任一者之微影裝置，其中該複數個輻射源係可一起移動的。
147.　如實施例70至146中任一者之微影裝置，其中該複數個輻射源係以一圓形方式而配置。
148.　如實施例70至147中任一者之微影裝置，其中該複數個輻射源配置於一板中且彼此隔開。
149.　如實施例70至148中任一者之微影裝置，其中該投影系統包含一透鏡陣列。
150.　如實施例70至149中任一者之微影裝置，其中該投影系統基本上由一透鏡陣列組成。
151.　如實施例149或150之微影裝置，其中該透鏡陣列之一透鏡具有一高數值孔徑，且該微影裝置經組態以使該基板處於與該透鏡相關聯的該輻射之該聚焦外，以有效地降低該透鏡之該數值孔徑。
152.　如實施例70至151中任一者之微影裝置，其中該等輻射源中之每一者包含一雷射二極體。
153.　如實施例152之微影裝置，其中每一雷射二極體經組態以發射具有約405奈米之一波長的輻射。
154.　如實施例70至153中任一者之微影裝置，其進一步包含一溫度控制器，該溫度控制器經組態以在曝光期間將該複數個輻射源維持於一實質上恆定溫度下。
155.　如實施例154之微影裝置，其中該控制器經組態以在曝光之前將該複數個輻射源加熱至處於或接近該實質上恆定溫度之一溫度。
156.　如實施例70至155中任一者之微影裝置，其包含沿著一方向所配置之至少3個分離陣列，該等陣列中之每一者包含複數個輻射源。
157.　如實施例70至156中任一者之微影裝置，其中該複數個輻射源包含至少約1200個輻射源。
158.　如實施例70至157中任一者之微影裝置，其進一步包含一對準感測器，該對準感測器係用以判定該複數個輻射源中之至少一輻射源與該基板之間的對準。
159.　如實施例70至158中任一者之微影裝置，其進一步包含一位階感測器，該位階感測器係用以判定該基板相對於該複數個光束中之至少一光束之一聚焦的一位置。
160.　如實施例158或159之微影裝置，其進一步包含一控制器，該控制器經組態以基於對準感測器結果及/或位階感測器結果而更改該圖案。
161.　如實施例70至160中任一者之微影裝置，其進一步包含一控制器，該控制器經組態以基於該複數個輻射源中之至少一輻射源之一溫度的一量測或與該複數個輻射源中之至少一輻射源相關聯之一溫度的一量測而更改該圖案。
162.　如實施例70至161中任一者之微影裝置，其進一步包含一感測器，該感測器係用以量測已或待藉由該複數個輻射源中之至少一輻射源透射朝向該基板之輻射的一特性。
163.　一種微影裝置，其包含：複數個個別可控制輻射源，該複數個個別可控制輻射源經組態以提供根據一所要圖案所調變之複數個光束；一透鏡陣列，該透鏡陣列包含複數個小透鏡；及一基板固持器，該基板固持器經建構以固持一基板，其中在使用期間，除了該透鏡陣列以外，在該複數個輻射源與該基板之間不存在其他光學器件。
164.　一種可程式化圖案化元件，其包含：一基板，在該基板上具有在至少一方向上隔開之一輻射發射二極體陣列；及一透鏡陣列，該透鏡陣列處於該等輻射發射二極體之一輻射下游側上。
165.　如實施例164之可程式化圖案化元件，其中該透鏡陣列包含具有複數個微透鏡之一微透鏡陣列，該等微透鏡之數目對應於輻射發射二極體之數目，且經定位以將藉由該等輻射發射二極體中之各別輻射發射二極體選擇性地傳遞之輻射聚焦成一微光點陣列。
166.　如實施例164或165之可程式化圖案化元件，其中該等輻射發射二極體係在至少兩個正交方向上隔開。
167.　如實施例164至166中任一者之可程式化圖案化元件，其中該等輻射發射二極體嵌入於一低熱導率材料中。
168.　一種元件製造方法，其包含：使用複數個個別可控制輻射源將根據一所要圖案所調變之複數個光束提供朝向一基板之一曝光區域；移動該複數個輻射源中之至少一者，同時提供該複數個光束，使得僅少於該複數個輻射源之全部的輻射源可在任一時間曝光該曝光區域；及將該複數個光束投影至該基板上。
169.　一種元件製造方法，其包含：使用複數個個別可控制輻射源來提供根據一所要圖案所調變之複數個光束；使該複數個輻射源中之至少一者移動於其發射輻射之一部位與其不發射輻射之一部位之間；及將該複數個光束投影至一基板上。
170.　一種元件製造方法，其包含：使用複數個個別可控制輻射源來提供根據一所要圖案所調變之一光束；及使用僅一透鏡陣列將來自該複數個個別可控制輻射源之該經調變光束投影至一基板。
171.　一種元件製造方法，其包含：使用複數個個別可控制輻射源來提供根據一所要圖案所調變之複數個電磁輻射光束；在曝光一曝光區域期間相對於該曝光區域移動該複數個輻射源中之至少一輻射源，使得來自該至少一輻射源之輻射同時鄰接於或重疊於來自該複數個輻射源中之至少一另一輻射源的輻射；及將該複數個光束投影至一基板上。
172.　如實施例168至171中任一者之方法，其中該移動包含圍繞實質上平行於該複數個光束之一傳播方向的一軸線旋轉至少一輻射源。
173.　如實施例168至172中任一者之方法，其中該移動包含在橫向於該複數個光束之一傳播方向的一方向上平移至少一輻射源。
174.　如實施例168至173中任一者之方法，其包含藉由使用一光束偏轉器來移動該複數個光束。
175.　如實施例174之方法，其中該光束偏轉器係選自由鏡面、稜鏡或聲光調變器組成之群組。
176.　如實施例174之方法，其中該光束偏轉器包含一多邊形。
177.　如實施例174之方法，其中該光束偏轉器經組態以振動。
178.　如實施例174之方法，其中該光束偏轉器經組態以旋轉。
179.　如實施例168至178中任一者之方法，其包含在提供該複數個光束所沿著之一方向上移動該基板。
180.　如實施例179之方法，其中該基板之該移動為一旋轉。
181.　如實施例168至180中任一者之方法，其包含一起移動該複數個輻射源。
182.　如實施例168至181中任一者之方法，其中該複數個輻射源係以一圓形方式而配置。
183.　如實施例168至182中任一者之方法，其中該複數個輻射源配置於一板中且彼此隔開。
184.　如實施例168至183中任一者之方法，其中該投影包含使用一透鏡陣列將該等光束中之每一者的一影像形成至該基板上。
185.　如實施例168至184中任一者之方法，其中該投影包含使用基本上僅一透鏡陣列將該等光束中之每一者的一影像形成至該基板上。
186.　如實施例168至185中任一者之方法，其中該等輻射源中之每一者包含一雷射二極體。
187.　如實施例186之方法，其中每一雷射二極體經組態以發射具有約405奈米之一波長的輻射。
188.　一種平板顯示器，其係根據如實施例168至187中任一者之方法而製造。
189.　一種積體電路元件，其係根據如實施例168至187中任一者之方法而製造。
190.　一種輻射系統，其包含：複數個可移動輻射陣列，每一輻射陣列包含複數個個別可控制輻射源，該複數個個別可控制輻射源經組態以提供根據一所要圖案所調變的複數個光束；及一馬達，該馬達經組態以移動該等輻射陣列中之每一者。
191.　如實施例190之輻射系統，其中該馬達經組態以圍繞實質上平行於該複數個光束之一傳播方向的一軸線旋轉該等輻射陣列中之每一者。
192.　如實施例190或191之輻射系統，其中該馬達經組態以在橫向於該複數個光束之一傳播方向的一方向上平移該等輻射陣列中之每一者。
193.　如實施例190至192中任一者之輻射系統，其進一步包含一光束偏轉器，該光束偏轉器經組態以移動該複數個光束。
194.　如實施例193之輻射系統，其中該光束偏轉器係選自由鏡面、稜鏡或聲光調變器組成之群組。
195.　如實施例193之輻射系統，其中該光束偏轉器包含一多邊形。
196.　如實施例193之輻射系統，其中該光束偏轉器經組態以振動。
197.　如實施例193之輻射系統，其中該光束偏轉器經組態以旋轉。
198.　如實施例190至197中任一者之輻射系統，其中該等輻射陣列中之每一者的該複數個輻射源係可一起移動的。
199.　如實施例190至198中任一者之輻射系統，其中該等輻射陣列中之每一者的該複數個輻射源係以一圓形方式而配置。
200.　如實施例190至199中任一者之輻射系統，其中該等輻射陣列中之每一者的該複數個輻射源配置於一板中且彼此隔開。
201.　如實施例190至200中任一者之輻射系統，其進一步包含一透鏡陣列，該透鏡陣列係與該等輻射陣列中之每一者相關聯。
202.　如實施例201之輻射系統，其中該等輻射陣列中之每一者的該複數個輻射源中之每一者係與一透鏡陣列之一透鏡相關聯，該透鏡陣列係與該輻射陣列相關聯。
203.　如實施例190至202中任一者之輻射系統，其中該等輻射陣列中之每一者的該複數個輻射源中之每一者包含一雷射二極體。
204.　如實施例203之輻射系統，其中每一雷射二極體經組態以發射具有約405奈米之一波長的輻射。
205.　一種用於將一基板曝光至輻射之微影裝置，該裝置包含一可程式化圖案化元件，該可程式化圖案化元件具有100個至25000個自發射個別可定址器件。
206.　如實施例205之微影裝置，其包含至少400個自發射個別可定址器件。
207.　如實施例205之微影裝置，其包含至少1000個自發射個別可定址器件。
208.　如實施例205至207中任一者之微影裝置，其包含10000個以下自發射個別可定址器件。
209.　如實施例205至207中任一者之微影裝置，其包含5000個以下自發射個別可定址器件。
210.　如實施例205至209中任一者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件為雷射二極體。
211.　如實施例205至209中任一者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有選自0.1微米至3微米之範圍的一光點大小。
212.　如實施例205至209中任一者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有約1微米之一光點大小。
213.　一種用於將一基板曝光至輻射之微影裝置，該裝置包含一可程式化圖案化元件，該可程式化圖案化元件在經正規化至10公分之一曝光場長度的情況下具有100個至25000個自發射個別可定址器件。
214.　如實施例213之微影裝置，其包含至少400個自發射個別可定址器件。
215.　如實施例213之微影裝置，其包含至少1000個自發射個別可定址器件。
216.　如實施例213至215中任一者之微影裝置，其包含10000個以下自發射個別可定址器件。
217.　如實施例213至215中任一者之微影裝置，其包含5000個以下自發射個別可定址器件。
218.　如實施例213至217中任一者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件為雷射二極體。
219.　如實施例213至217中任一者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有選自0.1微米至3微米之範圍的一光點大小。
220.　如實施例213至217中任一者之微影裝置，其中該等自發射個別可定址器件經配置以在該基板上具有約1微米之一光點大小。
221.　一種包含一可旋轉圓盤之可程式化圖案化元件，該圓盤具有100個至25000個自發射個別可定址器件。
222.　如實施例221之可程式化圖案化元件，其中該圓盤包含至少400個自發射個別可定址器件。
223.　如實施例221之可程式化圖案化元件，其中該圓盤包含至少1000個自發射個別可定址器件。
224.　如實施例221至223中任一者之可程式化圖案化元件，其中該圓盤包含10000個以下自發射個別可定址器件。
225.　如實施例221至223中任一者之可程式化圖案化元件，其中該圓盤包含5000個以下自發射個別可定址器件。
226.　如實施例221至225中任一者之可程式化圖案化元件，其中該等自發射個別可定址器件為雷射二極體。
227.　一種本發明中之一或多者之用途，其係用於平板顯示器之製造中。
228.　一種本發明中之一或多者之用途，其係用於積體電路封裝中。
229.　一種微影方法，其包含使用具有自發射器件之一可程式化圖案化元件將一基板曝光至輻射，其中在該曝光期間，用以操作該等自發射器件的該可程式化圖案化元件之功率消耗小於10千瓦特。
230.　如實施例229之方法，其中該功率消耗小於5千瓦特。
231.　如實施例229或230之方法，其中該功率消耗為至少100毫瓦特。
232.　如實施例229至231中任一者之方法，其中該等自發射器件為雷射二極體。
233.　如實施例232之方法，其中該等雷射二極體為藍紫色雷射二極體。
234.　一種微影方法，其包含使用具有自發射器件之一可程式化圖案化元件將一基板曝光至輻射，其中當在使用中時，每發射器件之光學輸出為至少1毫瓦特。
235.　如實施例234之方法，其中該光學輸出為至少10毫瓦特。
236.　如實施例234之方法，其中該光學輸出為至少50毫瓦特。
237.　如實施例234至236中任一者之方法，其中該光學輸出小於200毫瓦特。
238.　如實施例234至237中任一者之方法，其中該等自發射器件為雷射二極體。
239.　如實施例238之方法，其中該等雷射二極體為藍紫色雷射二極體。
240.　如實施例234之方法，其中該光學輸出大於5毫瓦特，但小於或等於20毫瓦特。
241.　如實施例234之方法，其中該光學輸出大於5毫瓦特，但小於或等於30毫瓦特。
242.　如實施例234之方法，其中該光學輸出大於5毫瓦特，但小於或等於40毫瓦特。
243.　如實施例234至242中任一者之方法，其中該等自發射器件係在單模式中操作。
244.　一種微影裝置，其包含：一可程式化圖案化元件，該可程式化圖案化元件具有自發射器件；及一可旋轉框架，該可旋轉框架具有用於自該等自發射器件接收輻射之光學器件，該等光學器件為折射光學器件。
245.　一種微影裝置，其包含：一可程式化圖案化元件，該可程式化圖案化元件具有自發射器件；及一可旋轉框架，該可旋轉框架具有用於自該等自發射器件接收輻射之光學器件，該可旋轉框架不具有用以自該等自發射器件中之任一者或全部接收輻射的反射光學器件。
246.　一種微影裝置，其包含：一可程式化圖案化元件；及一可旋轉框架，該可旋轉框架包含具有光學器件之一板，具有光學器件之該板的一表面係平坦的。
247.　一種本發明中之一或多者之用途，其係用於平板顯示器之製造中。
248.　一種本發明中之一或多者之用途，其係用於積體電路封裝中。
249.　一種平板顯示器，其係根據該等方法中之任一者而製造。
250.　一種積體電路元件，其係根據該等方法中之任一者而製造。
251.　一種裝置，其包含：至少兩個光學圓柱，該至少兩個光學圓柱各自能夠在一基板之一目標部分上產生一圖案，每一光學圓柱具有：一自發射對比元件，該自發射對比元件經組態以發射一光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該光束投影至該目標部分上；針對每一光學圓柱之一致動器，該致動器用以相對於該基板移動該光學圓柱之至少一部分；及一光學感測器元件，該光學感測器元件係相對於該等光學圓柱可移動且具有一移動範圍，該移動範圍使該光學感測器元件能夠移動通過該等光學圓柱中之每一者之一投影區域以量測該等光學圓柱中之每一者之一光束。
252.　如實施例251之裝置，其包含至少兩個光學感測器元件，每一光學感測器元件係相對於該等光學圓柱可個別地移動，其中該等光學感測器元件中之至少一第一光學感測器元件具有一移動範圍，該移動範圍使該光學感測器元件能夠移動通過該等光學圓柱中之每一者之一投影區域。
253.　如實施例251或252之裝置，對於每一光學感測器元件，該裝置進一步包含：一光學感測器元件致動器，該光學感測器元件致動器用以移動該光學感測器元件；及一控制器，該控制器用以驅動該等光學感測器元件致動器，其中該控制器經配置以驅動該等光學感測器元件致動器，以將一第一光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之每一者之該投影區域以量測該等光學圓柱中之每一者之一光束。
254.　如實施例253之裝置，其中該控制器經進一步配置以驅動該等光學感測器元件致動器，以將一第二光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之一第一光學圓柱之一投影區域且將一第三光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之一第二光學圓柱之一投影區域。
255.　如實施例254之裝置，其中每一光學圓柱包含複數個自發射對比元件，且其中該控制器經配置以驅動該等光學感測器元件致動器，以將該第二光學感測器元件及/或該第三光學感測器元件移動通過一對應光學圓柱之該投影區域且順次地量測該光學圓柱之光束。
256.　如實施例255之裝置，其中該控制器經配置以根據藉由該第二光學感測器元件之該等量測調平該等光學圓柱中之該第一光學圓柱之該等自發射對比元件之一劑量，且根據藉由該第三光學感測器元件之該等量測調平該等光學圓柱中之該第二光學圓柱之該等自發射對比元件之一劑量。
257.　如實施例253至256中任一者之裝置，其中該控制器經配置以根據藉由該第一光學感測器元件之該量測而相對於該等光學圓柱中之該第二光學圓柱之該自發射對比元件之該劑量調平該等光學圓柱中之該第一光學圓柱之該自發射對比元件之一劑量。
258.　如實施例251至257中任一者之裝置，其中該光學圓柱之至少一部分係相對於該基板可旋轉，每一光學圓柱經組態以發射在該基板上形成一圓區段形狀之複數個光束，且該等光學圓柱在垂直於該基板之一掃描方向的一方向上以一列或交錯列予以配置。
259.　一種元件製造方法，其包含：使用至少兩個光學圓柱在一基板之一目標部分上產生一圖案，每一光學圓柱使用一自發射對比元件來發射一光束且藉由一投影系統將該光束投影至該目標部分上；相對於該基板移動該等光學圓柱之至少一部分；相對於該等光學圓柱將一光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之每一者之一投影區域；及使用該光學感測器元件來量測藉由該等光學圓柱中之每一者發射之該光束之一光學參數。
260.　如實施例259之方法，其中提供至少兩個光學感測器元件，每一光學感測器元件係相對於該等光學圓柱可個別地移動，且該方法包含將該等光學感測器元件中之至少一第一光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之每一者之該投影區域以量測該等光學圓柱中之每一者之一光束。
261.　如實施例260之方法，其包含將該等光學感測器元件中之一第二光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之一第一光學圓柱之一投影區域，及將該等光學感測器元件中之一第三光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之一第二光學圓柱之一投影區域。
262.　如實施例261之方法，其中每一光學圓柱包含複數個自發射對比元件，且該方法包含將該等光學感測器元件中之該第二光學感測器元件及/或該第三光學感測器元件移動通過一對應光學圓柱之該投影區域，及量測該光學圓柱之光束。
263.　如實施例262之方法，其包含根據藉由該第二光學感測器元件之該等量測調平該等光學圓柱中之該第一光學圓柱之該等自發射對比元件之一劑量，及根據藉由該第三光學感測器元件之該等量測調平該等光學圓柱中之該第二光學圓柱之該等自發射對比元件之一劑量。
264.　如實施例260至263中任一者之方法，其包含根據藉由該第一光學感測器元件之該量測而相對於該等光學圓柱中之該第二光學圓柱之該自發射對比元件之該劑量調平該等光學圓柱中之該第一光學圓柱之該自發射對比元件之一劑量。
265.　如實施例259至264中任一者之方法，其中該光學圓柱之至少一部分係相對於該基板可旋轉，每一光學圓柱經組態以發射在該基板上形成一圓區段形狀之複數個光束，且該等光學圓柱在垂直於該基板之一掃描方向的一方向上以一列或交錯列予以配置。
266.　如實施例259至265中任一者之方法，其中該量測包含藉由該光學感測器元件順次地量測藉由該等光學圓柱中之每一者發射之該光束之一光學參數。
儘管在本文中可特定地參考微影裝置在特定元件或結構(例如，積體電路或平板顯示器)之製造中之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置及微影方法可具有其他應用。應用包括(但不限於)製造積體電路、整合光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、OLED顯示器、薄膜磁頭、微機電元件(MEMS)、微光機電系統(MOEMS)、DNA晶片、封裝(例如，覆晶、重新分佈，等等)、可撓性顯示器或電子器件(該等可撓性顯示器或電子器件為可為可捲動、可彎曲(比如紙張)且保持無變形、適型的、結實的、薄及/或輕量的顯示器或電子器件，例如，可撓性塑膠顯示器)，等等。又，例如，在平板顯示器中，本裝置及方法可用以輔助產生各種層，例如，薄膜電晶體層及/或彩色濾光器層。熟習此項技術者應瞭解，在此等替代應用之內容背景中，可認為本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用分別與更通用之術語「基板」或「目標部分」同義。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(例如，通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)、度量衡工具及/或檢測工具中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之揭示應用於此等及其他基板處理工具。另外，可將基板處理一次以上，(例如)以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語「基板」亦可指代已經含有多個經處理層之基板。
本文中所使用之術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外線(UV)輻射(例如，具有為或為約365奈米、248奈米、193奈米、157奈米或126奈米之波長)及極紫外線(EUV)輻射(例如，具有在為5奈米至20奈米之範圍內的波長)；以及粒子束(諸如離子束或電子束)。
平板顯示器基板可為矩形形狀。經設計以曝光此類型之基板的微影裝置可提供覆蓋矩形基板之全寬度或覆蓋寬度之一部分(例如，寬度之一半)的曝光區域。可在曝光區域下方掃描基板，同時經由經圖案化光束而同步地掃描圖案化元件，或圖案化元件提供變化圖案。以此方式，將所要圖案之全部或部分轉印至基板。若曝光區域覆蓋基板之全寬度，則可以單次掃描來完成曝光。若曝光區域覆蓋(例如)基板之寬度之一半，則可在第一次掃描之後橫向地移動基板，且通常執行另外掃描以曝光基板之剩餘部分。
本文中所使用之術語「圖案化元件」應被廣泛地解釋為指代可用以調變輻射光束之橫截面以便在基板(之部分)中產生圖案的任何元件。應注意，例如，若被賦予至輻射光束之圖案包括相移特徵或所謂的輔助特徵，則圖案可能不會確切地對應於基板之目標部分中的所要圖案。類似地，最終產生於基板上之圖案可能不會對應於在任一瞬間形成於個別可控制器件陣列上之圖案。在如下配置中可為此情況：其中遍及個別可控制器件陣列上之圖案及/或基板之相對位置改變期間的給定時段或給定數目次曝光而建置形成於基板之每一部分上的最終圖案。通常，產生於基板之目標部分上的圖案將對應於產生於目標部分中之元件(例如，積體電路或平板顯示器)中的特定功能層(例如，平板顯示器中之彩色濾光器層或平板顯示器中之薄膜電晶體層)。此等圖案化元件之實例包括(例如)光罩、可程式化鏡面陣列、雷射二極體陣列、發光二極體陣列、光柵光閥，及LCD陣列。圖案係憑藉電子元件(例如，電腦)可程式化之圖案化元件(例如，包含可各自調變輻射光束之部分之強度之複數個可程式化器件的圖案化元件(例如，在前句中所提及之除了光罩以外的所有元件))(包括具有藉由調變輻射光束之部分相對於輻射光束之鄰近部分之相位而將圖案賦予至輻射光束之複數個可程式化器件的電子可程式化圖案化元件)在本文中被共同地稱作「對比元件」。在一實施例中，圖案化元件包含至少10個可程式化器件，例如，至少100個可程式化器件、至少1000個可程式化器件、至少10000個可程式化器件、至少100000個可程式化器件、至少1000000個可程式化器件或至少10000000個可程式化器件。以下稍微更詳細地論述此等元件中之若干者的實施例：
-　可程式化鏡面陣列。可程式化鏡面陣列可包含具有黏彈性控制層之矩陣可定址表面及反射表面。此裝置所隱含之基本原理在於(例如)：反射表面之經定址區域將入射輻射反射為繞射輻射，而未經定址區域將入射輻射反射為非繞射輻射。在使用適當空間濾光器的情況下，可將非繞射輻射濾出反射光束，從而僅使繞射輻射到達基板。以此方式，光束根據矩陣可定址表面之定址圖案而變得圖案化。應瞭解，作為一替代例，濾光器可濾出繞射輻射，從而使非繞射輻射到達基板。亦可以對應方式使用繞射光學MEMS元件陣列。繞射光學MEMS元件可包含複數個反射帶，該等反射帶可相對於彼此而變形以形成將入射輻射反射為繞射輻射之光柵。可程式化鏡面陣列之另外實施例使用微小鏡面之矩陣配置，該等微小鏡面中之每一鏡面可藉由施加適當局域化電場或藉由使用壓電致動構件而圍繞一軸線個別地傾斜。傾斜度界定每一鏡面之狀態。當器件無缺陷時，鏡面可藉由來自控制器之適當控制信號進行控制。每一無缺陷器件係可控制的，以採用一系列狀態中之任一者，以便調整經投影輻射圖案中之其對應像素的強度。再次，鏡面係矩陣可定址的，使得經定址鏡面在與未經定址鏡面不同之方向上反射入射輻射光束；以此方式，反射光束可根據矩陣可定址鏡面之定址圖案而圖案化。可使用適當電子構件來執行所需矩陣定址。可(例如)自全文以引用之方式併入本文中的美國專利第US 5,296,891號及第US 5,523,193號以及PCT專利申請公開案第WO 98/38597號及第WO 98/33096號搜集關於此處所提及之鏡面陣列的更多資訊。
-　可程式化LCD陣列。全文以引用之方式併入本文中的美國專利第US 5,229,872號中給出此構造之實例。
微影裝置可包含一或多個圖案化元件，例如，一或多個對比元件。舉例而言，微影裝置可具有複數個個別可控制器件陣列，每一者彼此獨立地被控制。在此配置中，個別可控制器件陣列中之一些或全部可具有共同照明系統(或照明系統之部分)、用於個別可控制器件陣列之共同支撐結構及/或共同投影系統(或投影系統之部分)中的至少一者。
應瞭解，在(例如)使用特徵之預偏置、光學近接式校正特徵、相位變化技術及/或多次曝光技術時，「經顯示」於個別可控制器件陣列上之圖案可實質上不同於最終轉印至基板之層或基板上之層的圖案。類似地，最終產生於基板上之圖案可能不會對應於在任一瞬間形成於個別可控制器件陣列上之圖案。在如下配置中可為此情況：其中遍及個別可控制器件陣列上之圖案及/或基板之相對位置改變期間的給定時段或給定數目次曝光而建置形成於基板之每一部分上的最終圖案。
投影系統及/或照明系統可包括用於引導、塑形或控制輻射光束的各種類型之光學組件，例如，折射、反射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件，或其任何組合。
微影裝置可為具有兩個(例如，雙載物台)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上圖案化元件台)的類型。在此等「多載物台」機器中，可並行地使用額外台，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他台用於曝光。
微影裝置亦可為如下類型：其中基板之至少一部分可藉由具有相對較高折射率之「浸沒液體」(例如，水)覆蓋，以便填充介於投影系統與基板之間的空間。亦可將浸沒液體施加至微影裝置中之其他空間，例如，圖案化元件與投影系統之間的空間。浸沒技術係用以增加投影系統之NA。本文中所使用之術語「浸沒」不意謂結構(例如，基板)必須浸漬於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
另外，裝置可具備流體處理單元以允許流體與基板之經輻照部分之間的相互作用(例如，以選擇性地將化學物附接至基板或選擇性地修改基板之表面結構)。
在一實施例中，基板具有實質上圓形形狀，視情況，沿著其周邊之部分具有凹口及/或平坦化邊緣。在一實施例中，基板具有多邊形形狀，例如，矩形形狀。基板具有實質上圓形形狀之實施例包括如下實施例：其中基板具有至少25毫米之直徑，例如，至少50毫米、至少75毫米、至少100毫米、至少125毫米、至少150毫米、至少175毫米、至少200毫米、至少250毫米或至少300毫米。在一實施例中，基板具有至多500毫米、至多400毫米、至多350毫米、至多300毫米、至多250毫米、至多200毫米、至多150毫米、至多100毫米或至多75毫米之直徑。基板係多邊形(例如，矩形)之實施例包括如下實施例：其中基板之至少一側(例如，至少兩側或至少三側)具有至少5公分之長度，例如，至少25公分、至少50公分、至少100公分、至少150公分、至少200公分或至少250公分。在一實施例中，基板之至少一側具有至多1000公分之長度，例如，至多750公分、至多500公分、至多350公分、至多250公分、至多150公分或至多75公分。在一實施例中，基板為具有約250公分至350公分之長度及約250公分至300公分之寬度的矩形基板。基板之厚度可變化，且在一定程度上，可取決於(例如)基板材料及/或基板尺寸。在一實施例中，厚度為至少50微米，例如，至少100微米、至少200微米、至少300微米、至少400微米、至少500微米或至少600微米。在一實施例中，基板之厚度為至多5000微米，例如，至多3500微米、至多2500微米、至多1750微米、至多1250微米、至多1000微米、至多800微米、至多600微米、至多500微米、至多400微米或至多300微米。可在曝光之前或之後在(例如)塗佈顯影系統(通常將抗蝕劑層施加至基板且顯影經曝光抗蝕劑之工具)中處理本文中所提及之基板。可在曝光之前或之後在(例如)度量衡工具及/或檢測工具中量測基板之屬性。
在一實施例中，抗蝕劑層提供於基板上。在一實施例中，基板為晶圓，例如，半導體晶圓。在一實施例中，晶圓材料係選自由Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP及InAs組成之群組。在一實施例中，晶圓為III/V化合物半導體晶圓。在一實施例中，晶圓為矽晶圓。在一實施例中，基板為陶瓷基板。在一實施例中，基板為玻璃基板。玻璃基板可有用於(例如)平板顯示器及液晶顯示器面板之製造中。在一實施例中，基板為塑膠基板。在一實施例中，基板係透明的(對於人類肉眼而言)。在一實施例中，基板係彩色的。在一實施例中，基板係無色的。
雖然在一實施例中將圖案化元件104描述及/或描繪為處於基板114上方，但其可代替地或另外位於基板114下方。另外，在一實施例中，圖案化元件104與基板114可並排，例如，圖案化元件104及基板114垂直地延伸且圖案經水平地投影。在一實施例中，提供圖案化元件104以曝光基板114之至少兩個對置側。舉例而言，至少在基板114之每一各別對置側上可存在至少兩個圖案化元件104以曝光該等側。在一實施例中，可存在用以投影基板114之一側的單一圖案化元件104，及用以將來自單一圖案化元件104之圖案投影至基板114之另一側上的適當光學器件(例如，光束引導鏡面)。
雖然上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。舉例而言，本發明可採取如下形式：電腦程式，該電腦程式含有描述如上文所揭示之方法之機器可讀指令的一或多個序列；或資料儲存媒體(例如，半導體記憶體、磁碟或光碟)，該資料儲存媒體具有儲存於其中之此電腦程式。
此外，儘管已在特定實施例及實例之內容背景中揭示本發明，但熟習此項技術者應理解，本發明超出特定揭示之實施例而擴充至本發明之其他替代實施例及/或使用以及其明顯修改及等效物。此外，雖然已詳細地展示及描述本發明之許多變化，但基於此揭示，對於熟習此項技術者而言，在本發明之範疇內的其他修改將係顯而易見的。舉例而言，據預期，可進行該等實施例之特定特徵及態樣的各種組合或子組合，且該等組合或子組合仍屬於本發明之範疇。因此，應理解，可將所揭示實施例之各種特徵及態樣彼此組合或彼此取代，以便形成本發明之變化模式。舉例而言，在一實施例中，可將圖5之可移動個別可控制器件實施例與(例如)不可移動個別可控制器件陣列組合，以提供或具有備用系統。
因此，雖然上文已描述本發明之各種實施例，但應理解，該等實施例係僅藉由實例而非限制進行呈現。對於熟習相關技術者將顯而易見，在不脫離本發明之精神及範疇的情況下，可在該等實施例中進行形式及細節之各種改變。因此，本發明之廣度及範疇不應受到上述例示性實施例中之任一者限制，而應僅根據申請專利範圍及該等申請專利範圍之等效物進行界定。
100．．．微影投影裝置
102．．．個別可定址器件/個別可控制器件/輻射發射二極體/輻射發射元件
104．．．圖案化元件
106．．．物件固持器/物件台/基板台
108．．．投影系統
110．．．經圖案化輻射光束/經調變輻射光束
114．．．基板/晶圓
116．．．定位元件
120．．．目標部分
134．．．位置感測器
136．．．基座
138．．．干涉量測光束
150．．．對準感測器/位階感測器
160．．．框架
170．．．透鏡陣列
172．．．第二透鏡
174．．．孔徑光闌
176．．．第一透鏡
200．．．個別可定址器件102陣列/個別可控制器件102陣列/二維輻射發射二極體陣列
204．．．曝光區域
206．．．軸線
208．．．方向
210．．．個別可定址器件102子陣列
212．．．開口
214．．．支撐件
216．．．馬達
218．．．可旋轉結構
220．．．馬達
222．．．流體傳導通道
224．．．供應件
226．．．返回件
228．．．熱交換器及泵
230．．．散熱片
232．．．散熱片
234．．．感測器
236．．．流體限制結構
238．．．流體
240．．．流體供應元件
242．．．成像透鏡/光學器件
244．．．致動器
246．．．陣列200之本體
248．．．孔隙結構
250．．．板
252．．．空間相干性破壞元件
254．．．聚焦或位階感測器
256．．．聚焦偵測光束
258．．．半鍍銀鏡面
260．．．刀緣
262．．．偵測器
400．．．控制器
402．．．收發器
404．．．線
406．．．收發器
500．．．感測器
502．．．光束重新引導結構
504．．．結構
506．．．結構
508．．．致動器
510．．．感測器
520．．．感測器
522．．．經曝光區域
600．．．可旋轉多邊形
602．．．軸線
604．．．多邊形600之表面
606．．．多邊形600之表面
700．．．RF耦合
800．．．經成像線
801．．．轉輪
802．．．透鏡
802A．．．透鏡
802B．．．透鏡
803．．．方向
804．．．成像透鏡
806．．．準直透鏡
808．．．成像透鏡
810．．．成像透鏡
812．．．透鏡
814．．．場透鏡
815．．．方向/部位
816．．．成像透鏡
817．．．光瞳平面
818．．．成像透鏡
820．．．抛物面鏡面
821．．．旋轉軸線
822．．．抛物面鏡面
823．．．成像透鏡242集合距旋轉軸線821之半徑
824．．．反旋轉器
826．．．抛物面鏡面
828．．．抛物面鏡面
829．．．X方向
830．．．反旋轉器
831．．．掃描方向
832．．．摺疊鏡面
833．．．方向
834．．．脊頂
836．．．致動器
838．．．框架
840．．．框架
890．．．可移動板
900．．．微影裝置
902．．．基板台
904．．．定位元件
906．．．個別可控制自發射對比元件/個別可控制器件
908．．．框架
910．．．致動器/馬達
912．．．可旋轉框架
914．．．可移動光學器件
916．．．軸線
918．．．馬達
920．．．透鏡/投影系統
922．．．孔隙結構
924．．．場透鏡/投影系統
926．．．框架
928．．．基板
930．．．成像透鏡/投影系統
932．．．對準/位階感測器
934．．．陣列
936．．．第一光學感測器
938．．．感測器
938a．．．第二感測器
938b．．．第三感測器
938c．．．第四感測器
940．．．圓區段狀投影區域
942．．．總成
944．．．垂直於掃描方向之線
A．．．旋轉軸線
B．．．旋轉軸線
FWD．．．自由工作距離
P．．．間距
R．．．光點曝光之列
R1．．．列
R2．．．列
S．．．輻射光點
SA．．．輻射光點S陣列
SE．．．光點曝光
X．．．方向
Y．．．方向
Z．．．方向
圖1描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側視圖；
圖2描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖；
圖3描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖；
圖4描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖；
圖5描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖；
圖6(A)至圖6(D)描繪根據本發明之一實施例之微影裝置之部分的示意性俯視圖及側視圖；
圖7(A)至圖7(O)描繪根據本發明之一實施例之微影裝置之部分的示意性俯視圖及側視圖；
圖7(P)描繪根據本發明之一實施例之個別可定址器件的功率/前向電流圖解；
圖8描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側視圖；
圖9描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側視圖；
圖10描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性側視圖；
圖11描繪根據本發明之一實施例之用於微影裝置之個別可控制器件陣列的示意性俯視圖；
圖12描繪使用本發明之一實施例將圖案轉印至基板之模式；
圖13描繪光學引擎之示意性配置；
圖14(A)及圖14(B)描繪根據本發明之一實施例之微影裝置之部分的示意性側視圖；
圖15描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖；
圖16(A)描繪根據本發明之一實施例之微影裝置之部分的示意性側視圖；
圖16(B)描繪感測器之偵測區域相對於基板之示意性位置；
圖17描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性俯視圖；
圖18描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性橫截面側視圖；
圖19描繪微影裝置之部分的示意性俯視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件；
圖20描繪圖19之微影裝置之部分的示意性三維圖式；
圖21描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示光學器件242集合相對於個別可控制器件之三個不同旋轉位置；
圖22描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示光學器件242集合相對於個別可控制器件之三個不同旋轉位置；
圖23描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示光學器件242集合相對於個別可控制器件之五個不同旋轉位置；
圖24描繪在使用具有5.6毫米之直徑的標準雷射二極體以獲得橫越基板之寬度之全覆蓋時個別可控制器件102之部分的示意性佈局；
圖25描繪圖24之細節的示意性佈局；
圖26描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件；
圖27描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件；
圖28描繪微影裝置之部分的示意性側視圖佈局，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件，且展示光學器件242集合相對於個別可控制器件之五個不同旋轉位置；
圖29描繪圖28之微影裝置之部分的示意性三維圖式；
圖30示意性地描繪藉由圖28及圖29之單一可移動光學器件242集合同時地書寫的8條線之配置；
圖31描繪用以在圖28及圖29之配置中以移動脊頂來控制聚焦的示意性配置；
圖32描繪根據本發明之一實施例之微影裝置的示意性橫截面側視圖，微影裝置具有根據本發明之一實施例的在X-Y平面中實質上靜止之個別可控制器件及相對於個別可控制器件可移動之光學器件；
圖33描繪可供體現本發明的微影裝置之部分；
圖34描繪可供體現本發明的圖33之微影裝置之部分的俯視圖；
圖35描繪根據本發明之一實施例的圖33之微影裝置之器件的俯視圖；
圖36描繪根據本發明之一實施例的在另一位置中根據圖35之器件的俯視圖；及
圖37描繪根據本發明之一實施例的在一另外位置中根據圖35之器件的俯視圖。
902．．．基板台
904．．．定位元件
912．．．可旋轉框架
936．．．第一光學感測器
938a．．．第二感測器
938b．．．第三感測器
938c．．．第四感測器
940．．．圓區段狀投影區域
942．．．總成
944．．．垂直於掃描方向之線
X．．．方向

Claims (16)

  1. 一種裝置，其包含：至少兩個光學圓柱，該至少兩個光學圓柱各自能夠在一基板之一目標部分上產生一圖案，每一光學圓柱具有：一自發射對比元件，該自發射對比元件經組態以發射一光束；及一投影系統，該投影系統經組態以將該光束投影至該目標部分上；針對每一光學圓柱之一致動器，該致動器用以相對於該基板移動該光學圓柱之至少一部分；及一光學感測器元件，該光學感測器元件係相對於該等光學圓柱可移動且具有一移動範圍，該移動範圍使該光學感測器元件能夠移動通過該等光學圓柱中之每一者之一投影區域以量測該等光學圓柱中之每一者之一光束。
  2. 如請求項1之裝置，其包含至少兩個光學感測器元件，每一光學感測器元件係相對於該等光學圓柱可個別地移動，其中該等光學感測器元件中之至少一第一光學感測器元件具有一移動範圍，該移動範圍使該光學感測器元件能夠移動通過該等光學圓柱中之每一者之一投影區域。
  3. 如請求項1或2之裝置，對於每一光學感測器元件，該裝置進一步包含：一光學感測器元件致動器，該光學感測器元件致動器用以移動該光學感測器元件；及一控制器，該控制器用以驅動該等光學感測器元件致動器，其中該控制器經配置以驅動該等光學感測器元件致動器，以將一第一光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之每一者之該投影區域以量測該等光學圓柱中之每一者之一光束。
  4. 如請求項3之裝置，其中該控制器經進一步配置以驅動該等光學感測器元件致動器，以將一第二光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之一第一光學圓柱之一投影區域且將一第三光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之一第二光學圓柱之一投影區域。
  5. 如請求項4之裝置，其中每一光學圓柱包含複數個自發射對比元件，且其中該控制器經配置以驅動該等光學感測器元件致動器，以將該第二光學感測器元件及/或該第三光學感測器元件移動通過一對應光學圓柱之該投影區域且順次地量測該光學圓柱之光束。
  6. 如請求項5之裝置，其中該控制器經配置以根據藉由該第二光學感測器元件之該等量測調平該等光學圓柱中之該第一光學圓柱之該等自發射對比元件之一劑量，且根據藉由該第三光學感測器元件之該等量測調平該等光學圓柱中之該第二光學圓柱之該等自發射對比元件之一劑量。
  7. 如請求項3之裝置，其中該控制器經配置以根據藉由該第一光學感測器元件之該量測而相對於該等光學圓柱中之該第二光學圓柱之該自發射對比元件之該劑量調平該等光學圓柱中之該第一光學圓柱之該自發射對比元件之一劑量。
  8. 如請求項1或2之裝置，其中該光學圓柱之至少一部分係相對於該基板可旋轉，每一光學圓柱經組態以發射在該基板上形成一圓區段形狀之複數個光束，且該等光學圓柱在垂直於該基板之一掃描方向的一方向上以一列或交錯列予以配置。
  9. 一種元件製造方法，其包含：使用至少兩個光學圓柱在一基板之一目標部分上產生一圖案，每一光學圓柱使用一自發射對比元件來發射一光束且藉由一投影系統將該光束投影至該目標部分上；相對於該基板移動該等光學圓柱之至少一部分；相對於該等光學圓柱將一光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之每一者之一投影區域；及使用該光學感測器元件來量測藉由該等光學圓柱中之每一者發射之該光束之一光學參數。
  10. 如請求項9之方法，其中提供至少兩個光學感測器元件，每一光學感測器元件係相對於該等光學圓柱可個別地移動，且該方法包含將該等光學感測器元件中之至少一第一光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之每一者之該投影區域以量測該等光學圓柱中之每一者之一光束。
  11. 如請求項10之方法，其包含將該等光學感測器元件中之一第二光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之一第一光學圓柱之一投影區域，及將該等光學感測器元件中之一第三光學感測器元件移動通過該等光學圓柱中之一第二光學圓柱之一投影區域。
  12. 如請求項11之方法，其中每一光學圓柱包含複數個自發射對比元件，且該方法包含將該等光學感測器元件中之該第二光學感測器元件及/或該第三光學感測器元件移動通過一對應光學圓柱之該投影區域，及量測該光學圓柱之光束。
  13. 如請求項12之方法，其包含根據藉由該第二光學感測器元件之該等量測調平該等光學圓柱中之該第一光學圓柱之該等自發射對比元件之一劑量，及根據藉由該第三光學感測器元件之該等量測調平該等光學圓柱中之該第二光學圓柱之該等自發射對比元件之一劑量。
  14. 如請求項10至13中任一項之方法，其包含根據藉由該第一光學感測器元件之該量測而相對於該等光學圓柱中之該第二光學圓柱之該自發射對比元件之該劑量調平該等光學圓柱中之該第一光學圓柱之該自發射對比元件之一劑量。
  15. 如請求項9至13中任一項之方法，其中該光學圓柱之至少一部分係相對於該基板可旋轉，每一光學圓柱經組態以發射在該基板上形成一圓區段形狀之複數個光束，且該等光學圓柱在垂直於該基板之一掃描方向的一方向上以一列或交錯列予以配置。
  16. 如請求項9至13中任一項之方法，其中該量測包含藉由該光學感測器元件順次地量測藉由該等光學圓柱中之每一者發射之該光束之一光學參數。
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