TWI407673B - Switch control circuit - Google Patents

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Takashi Noma
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Sanyo Electric Co
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Description

開關控制電路
本發明，係有關於開關控制電路。
在各種電子機器中，係被使用有用以產生較輸入電壓為更低之目的準位的輸出電壓之降壓型的DC-DC變壓器。圖8，係為展示降壓型之DC-DC變壓器的一般構成之圖。DC-DC變壓器100，係包含有N通道MOSFET110、111，電感120，以及電容器121而構成。於N通道MOSFET110之汲極，係被施加有輸入電壓Vin，並藉由使通道MOSFET110成為導通，使N通道MOSFET111成為斷路，來在電感120施加輸入電壓Vin，而使電容器121被充電並使輸出電壓Vout上升。而後，若是N通道MOSFET110成為斷路，而N通道MOSFET111成為導通，則經由儲存於電感120中之能量，在藉由N通道MOSFET111、電感120、電容器121所構成之迴圈中係流動有電流，電容器121係放電，而輸出電壓Vout係下降。如此這般，在DC-DC變壓器100中，藉由在適當的時機而將N通道MOSFET110、111導通斷路，則能以使輸出電壓成為目的準位的方式而作控制。
而，DC-DC變壓器100，作為用以控制N通道MOSFET110、111之開關的電路，係具備有：電阻125、126；和誤差放大電路130；和電容器131；和電阻132；和電源135；和電流源136；和電容器137；和三角波震盪器140；和比較器150；和緩衝器151；以及反向器152。
在誤差放大電路130之－輸入端子，係被施加有將輸出電壓Vout藉由電阻125、126所分壓之回歸電壓Vf。又，在誤差放大電路130之其中一方的＋端子，係從電源135而被施加有成為目的準位之基準的參考電壓Vref。又，在誤差放大電路130之另外一方的＋端子，係被施加有經由從電流源136而來之電流，而使電容器137被充電所產生的電壓Vss。而，誤差放大電路130，係輸出：將在被施加於2個的＋輸入端子之電壓中較低一方之電壓與被施加於－輸入端子之回歸電壓Vf間之誤差作放大後的電壓Ve。另外，電容器131以及電阻132，係為用以使誤差放大電路130作積分動作者。
而，比較器150，係對從三角波震盪器140所輸出之以三角波狀而變化的電壓Vf，和從誤差放大電路130所輸出之誤差電壓Ve進行大小之比較，在誤差電壓Ve為較電壓Vf高的期間輸出H準位之訊號，並在誤差電壓Vf為較電壓Vf低的期間輸出L準位之訊號。而，若是從比較器150被輸出有H準位之訊號，則經由緩衝器151，H準位之訊號係被輸入於N通道MOSFET110之閘極，N通道MOSFET110係成為導通，且經由反向器152，L準位之訊號係被輸入於N通道MOSFET111，N通道MOSFET111係成為斷路。另一方面，若是從比較器150被輸出有L準位之訊號，則經由緩衝器151，L準位之訊號係被輸入於N通道MOSFET110之閘極，N通道MOSFET110係成為斷路，且經由反向器152，H準位之訊號係被輸入於N通道MOSFET111，N通道MOSFET111係成為導通。
亦即是，當回歸電壓Vf係較成為基準之電壓Vref又或是電壓Vss為更低的情況時，電壓Ve係上升，而從比較器150被輸出H準位之訊號的比例係變高，輸出電壓Vout係上升。又，當回歸電壓Vf係較成為基準之電壓Vref又或是電壓Vss為更高的情況時，電壓Ve係下降，而從比較器150被輸出L準位之訊號的比例係變高，輸出電壓Vout係下降。如此這般，在DC－DC變壓器100中，係以使回歸電壓Vf成為電壓Vref又或是電壓Vss中之較低一方之電壓的方式，而對從比較器150所輸出之訊號作PWM(Pulse Width Modulation)控制。
另外，在DC－DC變壓器100之動作開始時，若是以使回歸電壓Vf成為電壓Vref的方式而開始控制，則由於係使輸出電壓Vout急速上升，因此產生過電流，而使N通道MOSFET110、111被破壞。故而，在DC－DC變壓器100中，係藉由使用電壓Vss，而實現了使輸出電壓Vout緩慢上升的緩啟動(soft start)。
又，在DC－DC變壓器100之啟動時，係會有輸出電壓Vout並未成為0準位之狀態，係即是，會有產生有預偏壓(pre bias)之狀態的情況。例如，當在DC－DC變壓器100之前一次動作結束後電容器121並未完全被放電時，或是從被連接於輸出側之機器等漏洩有電流時，則會產生預偏壓狀態。
若是在預偏壓狀態下啟動DC－DC變壓器100，則由於回歸電壓Vf係較電壓Vss為更高，因此為了使輸出電壓Vout下降，而將N通道MOSFET110控制為導通、將N通道MOSFET111控制為斷路。藉由此，在藉由電容器121、電感120、N通道MOSFET111所構成之迴圈中流動有電流，而電容器121係被放電且輸出電壓Vout係下降。而後，接下來，若是N通道MOSFET110成為導通，而N通道MOSFET111成為斷路，則經由儲存於電感120中之能量，會成為電流從電感120而朝向身為DC－DC變壓器之輸入側的N通道MOSFET110之汲極而逆流。另外，將此種能量從輸出側而回到輸入側之動作，稱作再生(regenerative)動作。
而，在進行再生動作時之電感120的電壓方向，由於係為與預偏壓電壓為同方向，因此在輸入側係成為產生較預偏壓電壓為更高之電壓。又，在DC－DC變壓器100之啟動時，由於與回歸電壓Vf作比較之電壓Vss係為低，因此N通道MOSFET111成為導通之比例係為高，而N通道MOSFET110成為導通之比例係為低。因此，由於將N通道MOSFET111長時間導通，而使得在電感120中所儲存之能量變大，當產生再生動作時，輸入側之電壓上升亦成為非常的大。而，若是如此這般，輸入側之電壓成為非常高，則會產生：DC－DC變壓器100被破壞，或是用以監視DC－DC變壓器100之輸入電壓Vin的過電壓保護電路會有錯誤動作等的不良之處。
於此，為了防止再生動作，係被提案有：在DC－DC變壓器之啟動時，使電晶體之開關動作停止的方法(例如非專利文獻1)。而，在DC－DC變壓器100中，作為用以防止此種再生動作之電路，係被設置有比較器160。比較器160，係對回歸電壓Vf與電壓Vss作比較，當回歸電壓Vf係為較電壓Vss為更高時，輸出L準位之訊號，而當回歸電壓Vf係為較電壓Vss為更低時，輸出H準位之訊號。亦即是，當由於預偏壓狀態而使回歸電壓Vf成為較電壓Vss為更高時，從比較器160係被輸出有L準位之訊號。此時，在DC－DC變壓器100中，係進行有使N通道MOSFET110、111之兩方均成為斷路的控制。而，當隨著時間的經過，電壓Vss係上升，而使回歸電壓Vf成為較電壓Vss更低時，則從比較器160係被輸出有H準位之訊號，並使N通道MOSFET110、111開始互補之開關動作。
又，近年來，作為反應性佳之自勵型的DC－DC變壓器，漣波形變壓器(ripple converter)係被注目(例如專利文獻1)。
[非專利文獻1]日本德州儀器公司“低輸入電壓模式同步整流式降壓控制器”，[online]，平成13年11月，日本德州儀器公司，[平成18年3月7日檢索]，網際網路〈URL：http：//www.tij.co.jp/jsc/ds/SLUS585A.pdf〉
[專利文獻1]日本特開2006-14559號公報
然而，在DC-DC變壓器100中，為了防止再生動作，比較器160係為必要。因此，係要求有：相較於使用比較器之方法，電路規模較小，而低成本之開關控制電路。
本發明係有鑑於上述課題所進行者，其目的，係在於提供一種：可防止再生動作，且電路規模係為小的開關控制電路。
為了達成上述目的，本發明之開關控制電路，係為藉由將被串聯連接之第1以及第2電晶體互補地導通斷開，而對從被輸入於前述第1電晶體之輸入電壓來產生目的準位之輸出電壓的DC-DC變壓器之前述第1以及第2電晶體的導通斷路作控制之開關控制電路，其特徵為，具備有：誤差放大電路，其係輸出誤差電壓，該誤差電壓，係為將隨著時間之經過而一同增加的第1參考電壓以及成為前述目的準位之基準的第2參考電壓中，較低之一方的電壓與因應於前述輸出電壓的回歸電壓之間之誤差作了放大者；和比較電路，其係將前述回歸電壓與從前述誤差放大電路所輸出之前述誤差電壓間的比較訊號作輸出；和驅動電路，其係根據從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，而在前述誤差電壓超過前述回歸電壓後，以使前述第1以及第2電晶體互補地導通斷路，而使前述輸出電壓成為前述目的準位的方式，來分別對前述第1以及第2電晶體作控制。
又，前述驅動電路，係亦可以使前述第1電晶體較前述第2電晶體更先成為導通的方式，來開始前述第1以及第2控制訊號之輸出。
進而，前述驅動電路，係可具備有：開始訊號輸出電路，其係根據從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，而當前述誤差電壓超過前述回歸電壓時，輸出用以使前述第1以及第2控制訊號的輸出開始之開關開始訊號；和控制訊號輸出電路，其係根據從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，並在前述回歸電壓為較前述誤差電壓更高時，輸出用以使前述第1電晶體斷路，而使前述第2電晶體導通之前述第1以及第2控制訊號，而當前述回歸電壓為較前述誤差電壓更高時，輸出用以使前述第1電晶體斷路，而使前述第2電晶體導通之前述第1以及第2控制訊號，而在前述回歸電壓為較前述誤差電壓更低時，輸出用以使前述第1電晶體導通，而使前述第2電晶體斷路之前述第1以及第2控制訊號；和驅動控制電路，其若是從前述開始訊號輸出電路而被輸入有前述開關開始訊號，則對前述第2電晶體，輸出從前述驅動電路所輸出之用以將前述第2電晶體導通的前述第2控制訊號。
又，前述驅動電路，係亦可為：若是當前述第1參考電壓超過了前述第2參考電壓以上之特定電壓，則無關於從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，而開始前述第1以及第2控制訊號之輸出。
又，前述開關控制電路，係亦可更進而具備有：參考電壓比較電路，其係輸出前述第1參考電壓與前述第2參考電壓以上之特定電壓間的比較訊號，前述開始訊號輸出電路，係根據從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，和從前述參考電壓比較電路所輸出之前述比較訊號，而在前述誤差電壓超過前述回歸電壓，又或是前述第1參考電壓超過前述特定電壓時，輸出前述開關開始訊號。
又，前述開關控制電路，係亦可更進而具備有：誤差電壓控制電路，其係在前述驅動電路開始前述第1以及第2控制訊號之輸出為止的期間，將從前述誤差放大電路所輸出之前述誤差電壓，設為前述第1以及第2參考電壓中之較低一方的電壓。
另外，前述誤差電壓控制電路，係可為藉由：在前述驅動電路開始前述第1以及第2控制訊號之輸出為止的期間，於被施加有前述誤差放大電路之前述回歸電壓的輸入端子，代替前述回歸電壓而施加前述誤差電壓的開關電路所構成。
又，前述開關控制電路，係可更進而具備有：在被施加有前述誤差放大電路之前述回歸電壓的輸入端子，施加前述回歸電壓又或是前述誤差電壓中之任一方的開關電路，前述開始訊號輸出電路，係根據從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，在前述誤差電壓為較前述回歸電壓為更低時，經由前述開關電路而將前述誤差電壓施加於前述輸入端子，並藉由此而使前述誤差電壓上升至因應於前述第1以及第2參考電壓中之較低一方的電壓之電壓，而在前述誤差電壓為較前述回歸電壓為更高時，經由前述開關電路而將前述回歸電壓施加於前述輸入端子。
可以提供一種能夠防止再生動作之電路規模小的開關控制電路。
〈〈第1實施形態〉〉
==電路構成==
圖1，係為展示使用本發明之第1實施形態的開關控制電路所構成之DC-DC變壓器的構成之圖。DC-DC變壓器1A，係包含有開關控制電路10A、N通道MOSFET11、12，電感13，電容器14、電阻21、22、電流源23、電容器24、電源25、電容器31、電阻32、以及微電腦35而構成。又，開關控制電路10A，係包含有誤差放大電路40、比較器45、反向器47、緩衝器48、SR正反器(以後，標示為「SR-FF」)50、反向器51、AND電路53而構成。
N通道MOSFET11(第1電晶體)與N通道MOSFET12(第2電晶體)係被串聯連接，在N通道MOSFET11之汲極係被施加有輸入電壓Vin，而N通道MOSFET12之源極係被接地。且，N通道MOSFET11之閘極(控制電極)係被連接於開關控制電路10A之端子HD，而N通道MOSFET12之閘極(控制電極)係被連接於開關控制電路10A的端子LD。另外，在本實施形態中，作為電晶體，雖係使用了N通道MOSFET，但是，亦可使用P通道MOSFET，而亦可使用雙極電晶體。
電感13，其一端係被連接於N通道MOSFET11的連接點，而另外一端係被連接於電容器14的一端。而，電容器14之另外一端係被接地，電感13與電容器14之連接點的電壓，亦即是，被充電於電容器14之電壓，係成為輸出電壓Vout。
電阻21、22，係為用以因應於輸出電壓Vout而產生回歸電壓Vf的分壓電阻。電阻21，其一端係被施加有輸出電壓Vout，而另外一端係被連接於電阻22的一端。又，電阻22之另外一端係被接地。而，電阻21、22之連接點的電壓，係成為將輸出電壓Vout藉由電阻21、22之電阻比而分壓的回歸電壓Vf，回歸電壓Vf，係被施加於開關控制電路10A之端子FB。
電流源23以及電容器24，係為產生用以使DC－DC變壓器1A緩啟動的電壓Vss(第1參考電壓)之電路。以使從電流源23所輸出之電流Iss流入電容器24的方式，來將電流源23與電容器24之一端相連接，而電容器24之另外一端係為接地。而，電流源23與電容器24之連接點的電壓，亦即是，電容器24所被充電之電壓，係成為緩啟動用之電壓Vss，電壓Vss，係被施加於開關控制電路10A之端子SS。
電源25，係為輸出：與將DC－DC變壓器1A之輸出電壓設為目的準位之電壓，亦即是，設為目的電壓時之回歸電壓Vf為同電位的電壓Vref(第2參考電壓)的電源。而，從電源25所輸出之電壓Vref，係被施加於開關控制電路10A之端子RF。
電容器31以及電阻32，係為用以經由以電容器31之容量C與電阻32之電阻值R的積所訂定的時間定數，而使誤差放大電路40作積分動作的電路。電容器31，其一端係被連接於開關控制電路10A之端子CC，而另外一端係被連接於電阻32的一端。又，電阻32之另外一端，係被連接於開關控制電路10A之端子CR。
誤差放大電路40，係具備有1個其中一方之極性的輸入端子(於本實施形態中係為－輸入端子)，和2個另外一方之極性的輸入端子(於本實施形態中係為＋輸入端子)。在誤差放大電路40之－輸入端子，係經由端子FB而被施加有回歸電壓Vf，而在其中一方之＋輸入端子係經由端子SS而被施加有電壓Vss，另外一方之＋輸入端子係經由端子RF而被施加有電壓Vref。又，誤差放大電路40之－輸入端子，係經由端子CC而被連接於電容器31，誤差放大電路40之輸出端子，係經由端子CR而被連接於電阻32。而，誤差放大電路40，係輸出：展示在電壓Vss以及電壓Vref中較低之一方與回歸電壓Vf間之誤差的誤差電壓Ve。另外，從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve，係依據藉由電容器31以及電阻32所訂定的時間定數而變化。
在比較器45(比較電路)之其中一方的輸入端子(於本實施形態中，係為＋輸入端子)，係經由端子FB而被施加有回歸電壓Vf，而在比較器45之另外一方之輸入端子(於本實施形態中係為－輸入端子)，係被施加有從誤差放大電路所輸出之誤差電壓Ve。而，比較器45，係進行被施加於＋輸入端子之回歸電壓Vf，與被施加於－輸入端子之誤差電壓Ve的比較。而後，比較器45，係當回歸電壓Vf為較誤差電壓be更高時，輸出其中一方之邏輯準位(於本實施形態中係為H準位)的比較訊號，當回歸電壓Vf為較誤差電壓be更低時，輸出另外一方之邏輯準位(於本實施形態中係為L準位)的比較訊號。
反向器47以及緩衝器48，係根據從比較器45所輸出之比較訊號，而輸出用以使N通道MOSFET11、12互補地導通斷路的控制訊號之電路。當從比較器45所輸出之比較訊號，係為展示當回歸電壓Vf為較誤差電壓be更高的情況時之邏輯準位(於本實施形態係為H準位)，則反向器47，係輸出用以使N通道MOSFET11(電源側電晶體)斷路的其中一方之邏輯準位(於本實施形態中係為L準位)的控制訊號(第1控制訊號)，而緩衝器48係輸出用以使N通道MOSFET12(接地側電晶體)導通之另外一方的邏輯準位(於本實施形態中係為H準位)的控制訊號(第2控制訊號)。又，當從比較器45所輸出之比較訊號，係為展示當回歸電壓Vf為較誤差電壓be更低的情況時之邏輯準位(於本實施形態係為L準位)，則反向器47，係輸出用以使N通道MOSFET11(電源側電晶體)導通的另外一方之邏輯準位(於本實施形態中係為H準位)的控制訊號(第1控制訊號)，而緩衝器48係輸出用以使N通道MOSFET12(接地側電晶體)斷路之另外一方的邏輯準位(於本實施形態中係為L準位)的控制訊號(第2控制訊號)。
SR-FF50，係在當DC-DC變壓器1A的啟動時產生有預偏壓狀態時，藉由停止N通道MOSFET11、12之互補的導通斷路動作，而用以防止再生動作的電路。另外，將藉由使N通道MOSFET11、12互補地導通斷路來控制流動於電感13的電流一事，稱為同步整流。SR-FF50，係在誤差電壓Ve成為較回歸電壓Vf更高之後，輸出用以使同步整流開始之訊號(開關開始訊號)。在SR-FF50之設置端子S，係經由反向器51，而被輸入有從比較器45而輸出之比較訊號。又，在SR-FF50之重置端子R，係經由端子STB，而被輸入有從微電腦35而輸出之待機訊號。
於此，在本實施形態中，待機訊號，係設為在DC-DC變壓器1A之啟動時成為H準位的脈衝訊號。又，從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的訊號，係成為展示是否可開始同步整流的訊號。而，在本實施形態中，將從SR－FF50之輸出端子Q被輸出有H準位之訊號(開始訊號)的情況，設為被進行有同步整流。故而，在本實施形態中，當DC－DC變壓器1A啟動時，經由從微電腦35所輸出之待機訊號，從SR－FF50所輸出之訊號係成為L準位，並成為進行再生防止動作。另外，除了待機訊號之外，亦可使用其他在DC－DC變壓器1A啟動時，能夠將從SR－FF50之輸出端子Q所輸出之訊號設為L準位的訊號。例如，亦可根據從用以判定DC－DC變壓器1A之電壓是否已達到驅動所需要之準位的UVLO(Under Voltage Lock Out)電路所輸出之訊號，來在DC－DC變壓器1A的啟動時，將從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的訊號設為L準位。
而，從反向器47所輸出之訊號，係經由端子HFD而被輸入至N通道MOSFET11之閘極(控制電極)。又，從緩衝器48所輸出之訊號，係被輸入至AND電路53之其中一方的輸入端子。又，從SR－FF50之輸出端子Q所輸出之訊號，係被輸入至AND電路53之另外一方的輸入端子。而，從AND電路53所輸出之訊號，係經由端子LD而被輸入至N通道MOSFET12之閘極(控制電極)。亦即是，在從SR－FF50之輸出端子Q而輸出有L準位之訊號的期間，從AND電路53所輸出之訊號，係無關於從比較器45所輸出之比較訊號，而成為L準位，同步整流係未被進行。
另外，在開關控制電路10A中之反向器47、緩衝器48、SR－FF50、反向器51、以及AND電路53，係相當於本發明之驅動電路。又，SR－FF50以及反向器51係相當於本發明之開始訊號輸出電路，反向器47以及緩衝器48係相當於本發明之控制訊號輸出電路，而AND電路53係相當於本發明之驅動控制電路。
又，開關控制電路10A，係可積體化。當將開關控制電路10A積體化的情況時，例如，係亦可使開關控制電路10A具備電流源23或電源25。又，亦可使開關控制電路10A具備有N通道MOSFET11、12。
＝＝動作說明＝＝針對DC－DC變壓器1A的動作作說明。首先，針對在DC－DC變壓器1A之啟動時，輸出電壓Vout成為0準位的情況，亦即是，並未產生有預偏壓(prebias)之情況的動作作說明。圖2，係為展示在未產生有預偏壓狀態之情況的DC－DC變壓器1A中之電壓變化的圖。若是DC－DC變壓器1A被啟動，則經由從電流源23所輸出之電流Iss，電壓Vss係開始上升。在此時間點，由於相較於電壓Vref電壓Vss係為較低，因此誤差放大電路40，係成為將電壓Vss與回歸電壓Vf間之誤差作放大並輸出。而，在未產生有預偏壓狀態的情況，由於相較於回歸電壓Vf電壓Vss係為較高，因此從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve，係跟隨電壓Vss而逐漸變高。故而，從比較器45所輸出之訊號係成為L準位，從反向器47係被輸出有H準位，從緩衝器48係被輸出有L準位。又，由於從比較器45所輸出之訊號係為L準位，因此在SR－FF50之設定端子S，係被輸入有H準位之訊號。而，若是在SR－FF50之設定端子S被輸入有H準位之訊號，則從SR－FF50之輸出端子Q係被輸出有H準位之訊號。亦即是，從AND電路53所輸出之訊號的準位，係成為經由從緩衝器48所輸出之訊號的準位而被訂定。現在，由於從反向器47係被輸出有H準位之訊號，從緩衝器48係被輸出有L準位之訊號，因此N通道MOSFET11係成為導通，而N通道MOSFET12係成為斷路。故而，輸出電壓Vout係開始上升。
而，若是輸出電壓Vout上升，而回歸電壓Vf超過電壓Vss，則從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve係開始下降。而，若是誤差電壓Ve成為較回歸電壓Vf為更低，則從比較器45所輸出之訊號係成為H準位。而，若是從比較器45所輸出之訊號係成為H準位，則從反向器47係被輸出有L準位之訊號，N通道MOSFET11係成為斷路。此時，由於從緩衝器48係被輸出有H準位之訊號，從SR－FF50之輸出端子Q係被輸出有H準位之訊號，因此從AND電路53係輸出有H準位之訊號，而N通道MOSFET12係成為導通。故而，輸出電壓Vout係開始下降。
亦即是，若是回歸電壓Vf為較電壓Vss更低，則N通道MOSFET11係成為導通，N通道MOSFET12係成為斷路，藉由此，回歸電壓Vf係上升；而若是回歸電壓Vf為較電壓Vss更高，則N通道MOSFET11係成為斷路，N通道MOSFET12係成為導通，藉由此，回歸電壓Vf係下降。如此這般，在DC-DC變壓器1A中，藉由將N通道MOSFET11、12互補地導通斷路所致之同步整流，能以使回歸電壓Vf成為電壓Vss的方式而使輸出電壓Vout緩慢的上升。
而，若是電壓Vss超過電壓Vref，則緩啟動動作係結束，誤差放大電路40，係成為將電壓Vref與回歸電壓Vf間之誤差作放大並輸出。若是誤差電壓Vf成為較回歸電壓Vref為更低，則從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve係上升，從比較器45所輸出之訊號係成為L準位。故而，藉由N通道MOSFET11成為導通，N通道MOSFET12成為斷路，回歸電壓Vf係上升。又，若是誤差電壓Vf成為較回歸電壓Vref為更高，則從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve係下降，從比較器45所輸出之訊號係成為H準位。故而，藉由N通道MOSFET11成為斷路，N通道MOSFET12成為導通，回歸電壓Vf係下降。如此這般，在DC-DC變壓器1A中，藉由以使回歸電壓Vf成為電壓Vref的方式來進行同步整流，輸出電壓Vout係成為因應於回歸電壓Vref之目的電壓。
接下來，針對在DC－DC變壓器1A之啟動時，輸出電壓Vout未成為0準位的情況，亦即是，產生有預偏壓(pre bias)之情況的動作作說明。圖3，係為展示在啟動時輸出電壓Vout係成為0準位以上目的準位以下之電壓的情況中，在DC－DC變壓器1A中之電壓變化的圖。若是DC－DC變壓器1A被啟動，則經由從微電腦35所輸出之待機訊號，從SR－FF50之輸出端子Q所輸出之訊號係成為L準位。又，經由從電流源23所輸出之電流Iss，電壓Vss係開始上升。在此時間點，由於相較於電壓Vref電壓Vss係為較低，因此誤差放大電路40，係成為將電壓Vss與回歸電壓Vf間之誤差作放大並輸出。而，藉由預偏壓狀態，由於相較於電壓Vss回歸電壓Vf係為較高，因此從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve，係成為靠上L準位的狀態。故而，從比較器45所輸出之訊號係成為H準位，從反向器47係被輸出有L準位，從緩衝器48係被輸出有H準位之訊號。又，由於從比較器45所輸出之訊號係為H準位，因此在SR－FF50之設定端子S，係被輸入有L準位之訊號。故而，從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的訊號，係維持在L準位。
此時，從緩衝器48雖係被輸出有H準位之訊號，但是由於從SR－FF50之輸出端子Q係被輸出有L準位之訊號，因此從AND電路53係成為輸出有L準位之訊號。因此，在端子HD以及端子LD之兩者均係輸出有L準位之訊號，而N通道MOSFET11、12之兩者係均成為斷路，同步整流係未被進行，而再生動作係被防止。
而後，輸出電壓Vss係上升，而若是電壓Vss超過回歸電壓Vf，則從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve係開始上升。而，若是誤差電壓Ve成為較回歸電壓Vf為更高，則從比較器45所輸出之訊號係成為L準位。而，若是從比較器45所輸出之訊號係成為L準位，則從反向器47係被輸出有H準位之訊號，N通道MOSFET11係成為導通。此時，由於從緩衝器48係被輸出有L準位之訊號，因此從AND電路53係被輸出有L準位之訊號，N通道MOSFET12係成為斷路。故而，輸出電壓Vout係開始上升。又，若是從比較器45所輸出之訊號係成為L準位，則在SR－FF50之設定端子S係被輸入有H準位之訊號，從SR－FF50之輸出端子Q係被輸出有H準位之訊號。
而，若是輸出電壓Vout上升，而回歸電壓Vf超過電壓Vss，則從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve係開始下降。而，若是誤差電壓Ve成為較回歸電壓Vf為更低，則從比較器45所輸出之訊號係成為H準位。而，若是從比較器45所輸出之訊號係成為H準位，則從反向器47係被輸出有L準位之訊號，N通道MOSFET11係成為斷路。此時，由於從緩衝器48係被輸出有H準位之訊號，從SR－FF50之輸出端子Q係被輸出有H準位之訊號，因此從AND電路53係輸出有H準位之訊號，而N通道MOSFET12係成為導通。故而，輸出電壓Vout係開始下降。
亦即是，在從SR－FF50之輸出端子Q所輸出之訊號成為H準位之後，亦即是，再生防止動作被解除之後，若是回歸電壓Vf為較電壓Vss更低，則N通道MOSFET11係成為導通，N通道MOSFET12係成為斷路，藉由此，回歸電壓Vf係上升；而若是回歸電壓Vf為較電壓Vss更高，則N通道MOSFET11係成為斷路，N通道MOSFET12係成為導通，藉由此，回歸電壓Vf係下降。如此這般，在DC－DC變壓器1A中，藉由將N通道MOSFET11、12互補地導通斷路所致之同步整流，能以使回歸電壓Vf成為電壓Vss的方式而使輸出電壓Vout緩慢的上升。而，若是電壓Vss超過電壓Vref，則誤差放大電路40，係成為將電壓Vref與回歸電壓Vf間之誤差作放大並輸出。故而，在DC－DC變壓器1A中，藉由以使回歸電壓Vf成為電壓Vref的方式來進行同步整流，輸出電壓Vout係成為因應於回歸電壓Vref之目的電壓。
如此這般，在DC－DC變壓器1A中，係根據從比較器45而輸出之比較訊號，來控制再生防止動作。亦即是，藉由比較器45，而實現有在DC－DC變壓器1A中產生對同步整流作控制之訊號的功能，和產生用以解除再生防止動作之訊號的功能。故而，在DC－DC變壓器1A中，並不必要設置用以實現再生防止動作之專用的比較器，而可縮小開關控制電路10A之電路規模。
又，在DC－DC變壓器1A中，在再生防止動作被解除而開始同步整流時，係成為在通道MOSFET12之前，先將N通道MOSFET11作導通。於此，假設，若是在同步整流開始時先將N通道MOSFET12作導通，則在將N通道MOSFET11作導通為止的期間，輸出電壓Vout係成為下降。但是，在DC-DC變壓器1A中，由於係成為先將N通道MOSFET11作導通，因此在同步整流開始時，能夠抑制輸出電壓Vout之下降。
〈〈第2實施形態〉〉
==電路構成==
圖4，係為展示使用本發明之第2實施形態的開關控制電路所構成之DC-DC變壓器的構成之圖。DC-DC變壓器1B，係代替在第1實施形態之DC-DC變壓器1A中的開關控制電路10A，而具備有開關控制電路10B。而，開關控制電路10B，係在開關控制電路10A所具備的構成之外，更進而具備有：比較器60(參考電壓比較電路)、電源61、NOR電路62、以及反向器63。
比較器60，係為用以將在DC-DC變壓器1B中之再生防止動作強制作解除的電路。例如，在第1實施形態之DC-DC變壓器1A中，考慮在預偏壓狀態下，輸出電壓Vout為較目的電壓為更高的情況。此時，由於回歸電壓Vf係成為較電壓Vref為更高，因此從比較器45所輸出之訊號係成為維持在H準位。故而，從SR-FF50之輸出端子Q所輸出的訊號係成為維持在L準位，而同步整流 不會被開始，並成為輸出電壓Vout持續維持在較目的電壓為更高之狀態。於此，在DC-DC變壓器1B中，係藉由使用比較器60，而實現了在緩啟動動作結束後，將再生防止動作強制作解除的功能。
在比較器60之其中一方的輸入端子(於本實施形態中，係為+輸入端子)，係經由端子SS而被施加有電壓Vss，而在比較器60之另外一方之輸入端子(於本實施形態中係為-輸入端子)，係被施加有從電源61所輸出之電壓Vend。而，比較器60，係進行被施加於+輸入端子之電壓Vss，與被施加於-輸入端子之電壓Vend的比較，當電壓Vss為較電壓電壓Vend更高時，輸出其中一方之邏輯準位(於本實施形態中係為H準位)的比較訊號，當電壓Vss為較誤差電壓Vend更低時，輸出另外一方之邏輯準位(於本實施形態中係為L準位)的比較訊號。另外，電源61，係亦可設置於開關控制電路10B之外部。
於此，電壓Vend，係為用以檢測出緩啟動動作之結束的電壓，而成為電壓Vref以上之電壓。亦即是，若是電壓Vss成為較電壓Vend為更高，而從比較器60被輸出有H準位之訊號，則係判斷緩啟動動作為結束，並成為將再生防止動作解除。另外，為了將解除再生防止動作之時機設在緩啟動動作已確實結束之後，故電壓Vend，係並非為與電壓Vref相同，而係以設為較電壓Vref為些許高之電壓為理想。
在NOR電路62之其中一方的輸入端子中，係被輸入有從SR-FF50之輸出端子Q所輸出之訊號，而在NOR電路62之另外一方的輸入端子中，係被輸入有從比較器60所輸出之訊號。。故而，若是在從SR-FF50之輸出端子Q所輸出之訊號，又或是從比較器60所輸出之訊號之任一方係成為H準位，則從NOR電路62所輸出之訊號係成為L準位。而，從NOR電路62所輸出之訊號，係經由反向器63，而與從緩衝器48所輸出之訊號一同被輸入至AND電路53。
另外，在開關控制電路10B中，反向器47、緩衝器48、SR-FF50、反向器51、AND電路53、NOR電路62、以及反向器63，係相當於本發明之驅動電路。又，SR-FF50以及反向器51係相當於本發明之開始訊號輸出電路，反向器47以及緩衝器48係相當於本發明之控制訊號輸出電路，而AND電路53、NOR電路62、以及反向器63係相當於本發明之驅動控制電路。
==動作說明==
針對DC-DC變壓器1B的動作作說明。另外，在未產生有預偏壓狀態的情況中，由於係並未被進行有再生防止動作，因此係成為與第1實施形態之DC-DC變壓器1A相同的動作。又，在預偏壓狀態中，當回歸電壓Vf為較電壓Vref更低的情況時，係經由緩啟動狀態而使電壓Vss上升，若是電壓Vss成為較回歸電壓Vf為更高，則與第1實施形態之DC－DC變壓器1A相同的，從SR－FF50之輸出端子Q所輸出之訊號係成為H準位。而，若是從DR－FF50之輸出端子Q所輸出之訊號係成為H準位，則從反向器63所輸出之訊號係成為H準位，而再生防止動作係被解除。
而，在預偏壓狀態中，當回歸電壓Vf成為較電壓Vref為更高時，就算是緩啟動動作結束，從比較器45所輸出之訊號亦係維持在H準位。故而，從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的訊號係成為維持在L準位，而經由從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的訊號，同步整流係不會被解除。但是，若是電壓Vss成為較電壓Vend為更高，則從比較器60所輸出之訊號係成為H準位，而從NOR電路62所輸出之訊號係成為L準位。亦即是，從反相器63所輸出之訊號係成為H準位，而無關於從比較器45所輸出之訊號的準位，再生防止動作係被強制解除。
如此這般，在DC－DC變壓器1B中，與在第1實施形態中之DC－DC變壓器1A相同的，係根據從比較器45所輸出之比較訊號，來控制再生防止動作，而並不必要設置用以實現再生防止動作之專用的比較器，而可縮小開關控制電路10B之電路規模。進而，在DC－DC變壓器1B中，就算是在緩啟動動作結束之後，當回歸電壓Vf為較電壓Vref更高時，再生防止動作係被強制解除。故而，輸出電壓Vout係不會持續維持在較目的電壓更高之狀態，而能減低對被供給有輸出電壓Vout之電路的影響。
〈〈第3實施形態〉〉
＝＝電路構成＝＝然而，在第2實施形態所展示之DC－DC變壓器1B中，當將再生防止動作強制作解除時，輸出電壓Vout係會暫時的下降。圖5，係為展示在第2實施形態所示之DC－DC變壓器1B中，於預偏壓狀態下之回歸電壓Vf為較電壓Vref為更高的情況時之電壓變化的圖。由於相較於電壓Vref回歸電壓Vf係為較高，因此就算是電壓Vss上升，從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve，亦係成為維持在靠上L準位的狀態。而後，如前述所示，若是電壓Vss成為較電壓Vend為更高，則從比較器60係被輸出有H準位之訊號，再生防止動作係被強制解除，而同步整流係開始。
此時，從誤差放大電路40所輸出的電壓Ve，係維持在L準位。故而，從比較器45所輸出之訊號係成為H準位，而N通道MOSFET11係成為斷路，N通道MOSFET12係成為導通。故而，輸出電壓Vout係開始下降。而，若是輸出電壓Vout下降，而回歸電壓Vf成為較電壓Vref更低，則從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve係開始上升。但是，誤差放大電路40，由於係依據藉由電容器31以及電阻32所訂定的積分定數而作積分動作，因此誤差電壓Ve係並不會立即上升。故而，在DC－DC變壓器1B中，輸出電壓Vout係下降至接近0準位之電壓為止。而後，若是誤差電壓Ve上升，則從比較器45所輸出之訊號係成為L準位，而N通道MOSFET11係成為導通，N通道MOSFET12係成為斷路。而，以使回歸電壓Vf成為電壓Vref的方式，輸出電壓Vout係成為上升。
如此這般，在第2實施形態之DC－DC變壓器1B中，當將再生防止動作強制作解除時，輸出電壓Vout係會下降。於此，依存於輸出電壓Vout所供給之電路，係有如以下之第3實施形態所示，以對再生防止動作之強制解除時之輸出電壓Vout的下降作抑制為理想的情況。
圖6，係為展示使用本發明之第3實施形態的開關控制電路所構成之DC－DC變壓器的構成之圖。DC－DC變壓器1C，係代替在第2實施形態之DC－DC變壓器1B中的開關控制電路10B，而具備有開關控制電路10C。開關控制電路10C，係為具備有能夠抑制在再生防止動作之強制解除時的輸出電壓Vout之大幅下降的功能者，除了開關控制電路10B所具備之構成以外，進而具備有開關電路70(誤差電壓控制電路)。
開關電路70，係可將施加於誤差放大電路40之－輸入端子的電壓，因應於從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的訊號來作切換。具體而言，當從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的訊號，係為展示使再生防止動作進行一事之其中一方的邏輯準位(於本實施形態中係為L準位)時，開關電路70，係藉由將誤差放大電路40之輸出端子與－輸入端子電性連接，而在－輸入端子施加誤差電壓Ve。此時，誤差電壓Ve，係與電壓Vss又或是電壓Vref之較低一方成為相同電位。亦即是，誤差放大電路40，係成為作為將電壓Vss又或是電壓Vref之較低一方作輸出的緩衝電路而動作。又，當從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的訊號，係為展示使再生防止動作解除一事之另外一方的邏輯準位(於本實施形態中係為H準位)時，則開關電路70，係藉由將端子FB與誤差放大電路40之－輸入端子電性連接，而在－輸入端子施加回歸電壓Vf。
另外，在開關控制電路10C中，反向器47、緩衝器48、SR－FF50、反向器51、AND電路53、NOR電路62、以及反向器63，係相當於本發明之驅動電路。又，SR－FF50以及反向器51係相當於本發明之開始訊號輸出電路，反向器47以及緩衝器48係相當於本發明之控制訊號輸出電路，而AND電路53、NOR電路62、以及反向器63係相當於本發明之驅動控制電路。
＝＝動作說明＝＝針對DC－DC變壓器1C的動作作說明。首先，針對未產生有預偏壓狀態之情況的動作作說明。此時，若是DC－DC變壓器1C被啟動，則經由從微電腦35所輸出之待機訊號，從SR－FF50之輸出端子Q所輸出之訊號係成為L準位。而，開關電路70，係因應於從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的L準位之訊號，來將誤差放大電路40之輸出端子與－輸入端子作電性連接。亦即是，誤差放大電路40之＋輸入端子與－輸入端子，係成為被假想短路的狀態。而，在DC－DC變壓器1C之啟動時，由於相較於電壓Vref電壓Vss係為較低，因此從誤差放大電路40之輸出端子所輸出之誤差電壓Ve，係成為與電壓Vss同電位。而，由於電壓Vss係逐漸上升，因此誤差電壓Ve係成為較電壓Vf更高。故而，由於從比較器45所輸出之訊號係成為L準位，因此從SR－FF50之輸出端子Q所輸入之訊號係變化為H準位。若是從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的訊號變化為H準位，則開關電路70係將端子FB與誤差放大電路40之－輸入端子作電性連接。而後，係以使回歸電壓Vf成為與電壓Vss又或是電壓Vref之較低一方成為相同電位的方式，而進行同步整流。
接下來，針對在預偏壓狀態中，回歸電壓Vf為較電壓Vref更低之情況時的動作作說明。此時，若是DC－DC變壓器1C被啟動，則經由從微電腦35所輸出之待機訊號，從SR－FF50之輸出端子Q所輸出之訊號係成為L準位。而，開關電路70，係因應於從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的L準位之訊號，來將誤差放大電路40之輸出端子與－輸入端子作電性連接。故而，從誤差放大電路40之輸出端子所輸出的誤差電壓Ve，係成為與電壓Vss同電位。此時，經由預偏壓狀態，由於回歸電壓Vf係成為較電壓Vss為更高，因此從比較器45所輸出之訊號係成為H準位，而從SR－FF50所輸出之訊號係維持在L準位。故而，在DC－DC變壓器1C中，係成為進行再生防止動作。
而，若是隨著電壓Vss之上升，從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve上升，而誤差電壓Ve成為較回歸電壓Vf為更高，則從比較器45所輸出之訊號係成為L準位。亦即是，若是電壓Vss成為較回歸電壓Vf為更高，而預偏壓狀態被解除，則從比較器45所輸出之訊號係成為L準位。而，若是從比較器45所輸出之訊號係成為L準位，則從SR－FF50之輸出端子Q所輸出之訊號係成為H準位，再生防止動作係被解除。而後，係以使回歸電壓Vf成為與電壓Vss又或是電壓Vref之較低一方成為相同電位的方式，而進行同步整流。
接下來，針對在預偏壓狀態中，回歸電壓Vf為較電壓Vref更高之情況時的動作作說明。圖7，係為展示在DC－DC變壓器1C中，於預偏壓狀態下之回歸電壓Vf為較電壓Vref為更高的情況時之電壓變化的圖。此時，若是DC－DC變壓器1C被啟動，則經由從微電腦35所輸出之待機訊號，從SR－FF50之輸出端子Q所輸出之訊號亦係成為L準位。而，開關電路70，係因應於從SR－FF50之輸出端子Q所輸出的L準位之訊號，來將誤差放大電路40之輸出端子與－輸入端子作電性連接。故而，從誤差放大電路40之輸出端子所輸出的誤差電壓Ve，係成為與電壓Vss同電位。此時，經由預偏壓狀態，由於回歸電壓Vf係成為較電壓Vss為更高，因此從比較器45所輸出之訊號係成為H準位，而從SR－FF50所輸出之訊號係維持在L準位。故而，在DC－DC變壓器1C中，係成為進行再生防止動作。
而，若是電壓Vss上升而成為較電壓Vref為更高，則從誤差放大電路40之輸出端子所輸出的誤差電壓Ve，係成為與電壓Vref同電位。此時，由於回歸電壓Vf係成為較電壓Vref為更高，因此從比較器45所輸出之訊號係成為維持在H準位。故而，從SR－FF50所輸出的訊號係維持在L準位，而在DC－DC變壓器1C中之再生防止動作係繼續。
而後，若是電壓Vss繼續上升，而成為較從電源61所輸出之電壓Vend為更高，則從比較器60所輸出之訊號係成為H準位，再生防止動作係被強制解除。此時，從誤差放大電路40所輸出的誤差電壓Ve，由於誤差放大電路40係作為緩衝電路而動作，因此係成為與電壓Vref同電位。故而，若是再生防止動作被解除，則係成為立即以使回歸電壓Vf成為電壓Vref的方式而進行同步整流。因此，係可抑制輸出電壓Vout之大幅的下降。
以上，係針對本發明之實施形態作了說明。如第1~第3實施形態所示，在DC－DC變壓器1A、1B、1C中，係根據從比較器45而輸出之比較訊號，來控制再生防止動作。亦即是，藉由比較器45，而實現有在DC－DC變壓器1A、1B、1C中產生對同步整流作控制之訊號的功能，和產生用以解除再生防止動作之訊號的功能。故而，在DC－DC變壓器1A、1B、1C中，並不必要設置用以實現再生防止動作之專用的比較器，而可縮小開關控制電路10A、10B、10C之電路規模。
又，在DC－DC變壓器1A、1B、1C中，在再生防止動作被解除而開始同步整流時，係成為在N通道MOSFET12之前，先將N通道MOSFET11作導通。故而，能夠抑制在開始同步整流時之輸出電壓Vout下降的事態。
又，如第2、第3實施形態所示，在DC－DC變壓器1B、1C中，就算是在緩啟動動作結束之後，當回歸電壓Vf為較電壓Vref更高時，再生防止動作係被強制解除。故而，在預偏壓狀態中，就算是當輸出電壓Vout成為較目的電壓為更高時，亦能在緩啟動動作結束後，強制地將再生防止動作解除。因此，輸出電壓Vout係不會持續維持在較目的電壓更高之狀態，而能使輸出電壓Vout變化為目的電壓。
又，如第3實施形態所示，在DC－DC變壓器1C中，當進行有再生防止動作時，誤差放大電路40係作為輸出電壓Vss又或是Vref中之較低一方的緩衝電路而起作用。因此，當再生防止動作被強制解除時，從誤差放大電路40所輸出之誤差電壓Ve係成為與電壓Vref同電位，而能抑制輸出電壓Vout之大幅的下降。
另外，上述實施例，係為用以使本發明成為易於理解者，而並非將本發明作限定解釋者。本發明，係在不脫離該內容的範圍內，可作各種之變更或改良，同時，此些之等價物亦包含於本發明之內。
1A、1B、1C．．．DC－DC變壓器
10A、10B、10C‧‧‧開關控制電路
11、12‧‧‧N通道MOSFET
13‧‧‧電感
14、24、31‧‧‧電容器
21、22、32‧‧‧電阻
23‧‧‧電流源
25、61‧‧‧電源
35‧‧‧微電腦
40‧‧‧誤差放大電路
45、60‧‧‧比較器
47、51、63‧‧‧反向器
48‧‧‧緩衝器
50‧‧‧SR型正反器
53‧‧‧AND電路
62‧‧‧NOR電路
70‧‧‧開關電路
[圖1]展示使用本發明之第1實施形態的開關控制電路所構成之DC－DC變壓器的構成之圖。
[圖2]展示在啟動時未產生有預偏壓狀態之情況的DC－DC變壓器1A中之電壓變化的圖。
[圖3]展示在啟動時輸出電壓Vout係成為0準位以上目的準位以下之電壓的情況中，在DC－DC變壓器1A中之電壓變化的圖。
[圖4]展示使用本發明之第2實施形態的開關控制電路所構成之DC－DC變壓器的構成之圖。
[圖5]展示在DC－DC變壓器1B中，於預偏壓狀態下之回歸電壓Vf為較電壓Vref為更高的情況時之電壓變化的圖。
[圖6]展示使用本發明之第3實施形態的開關控制電路所構成之DC－DC變壓器的構成之圖。
[圖7]展示在DC－DC變壓器1C中，於預偏壓狀態下之回歸電壓Vf為較電壓Vref為更高的情況時之電壓變化的圖。
[圖8]展示降壓型之DC－DC變壓器的一般構成之圖。
1A．．．DC－DC變壓器
10A．．．開關控制電路
11．．．N通道MOSFET
12．．．N通道MOSFET
13．．．電感
14．．．電容器
21．．．電阻
22．．．電阻
23．．．電流源
24．．．電容器
25．．．電源
31．．．電容器
32．．．電阻
35．．．微電腦
40．．．誤差放大電路
45．．．比較器
47．．．反向器
48．．．緩衝器
50．．．SR正反器
51．．．反向器
53．．．AND電路

Claims (8)

  1. 一種開關控制電路，係為藉由將被串聯連接之第1以及第2電晶體互補地導通斷開，而對從被輸入於前述第1電晶體之輸入電壓來產生目的準位之輸出電壓的DC-DC變壓器之前述第1以及第2電晶體的導通斷路作控制之開關控制電路，其特徵為，具備有：誤差放大電路，其係輸出誤差電壓，該誤差電壓，係為將隨著時間之經過而一同增加的第1參考電壓以及成為前述目的準位之基準的第2參考電壓中，較低之一方的電壓與因應於前述輸出電壓的回歸電壓之間之誤差作了放大者；和比較電路，其係將前述回歸電壓與從前述誤差放大電路所輸出之前述誤差電壓間的比較訊號作輸出；和驅動電路，其係根據從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，而在前述誤差電壓超過前述回歸電壓後，以使前述第1以及第2電晶體互補地導通斷路，而使前述輸出電壓成為前述目的準位的方式，來輸出分別對前述第1以及第2電晶體作控制的第1以及第2控制訊號。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之開關控制電路，其中，前述驅動電路，係以使前述第1電晶體較前述第2電晶體更先成為導通的方式，來開始前述第1以及第2控制訊號之輸出。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之開關控制電路，其中，前述驅動電路，係具備有： 開始訊號輸出電路，其係根據從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，而當前述誤差電壓超過前述回歸電壓時，輸出用以使前述第1以及第2控制訊號的輸出開始之開關開始訊號；和控制訊號輸出電路，其係根據從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，並在前述回歸電壓為較前述誤差電壓更高時，輸出用以使前述第1電晶體斷路，而使前述第2電晶體導通之前述第1以及第2控制訊號，而在前述回歸電壓為較前述誤差電壓更低時，輸出用以使前述第1電晶體導通，而使前述第2電晶體斷路之前述第1以及第2控制訊號；和驅動控制電路，其若是從前述開始訊號輸出電路而被輸入有前述開關開始訊號，則對前述第2電晶體，輸出從前述驅動電路所輸出之用以將前述第2電晶體導通的前述第2控制訊號。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中之任一項所記載之開關控制電路，其中，前述驅動電路，若是當前述第1參考電壓超過了前述第2參考電壓以上之特定電壓，則無關於從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，而開始前述第1以及第2控制訊號之輸出。
  5. 如申請專利範圍第3項所記載之開關控制電路，其中，係更進而具備有：參考電壓比較電路，其係輸出前述第1參考電壓與前述第2參考電壓以上之特定電壓間的比較訊號， 前述開始訊號輸出電路，係根據從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，和從前述參考電壓比較電路所輸出之前述比較訊號，而在前述誤差電壓超過前述回歸電壓，又或是前述第1參考電壓超過前述特定電壓時，輸出前述開關開始訊號。
  6. 如申請專利範圍第4項所記載之開關控制電路，其中，係更進而具備有：誤差電壓控制電路，其係在前述驅動電路開始前述第1以及第2控制訊號之輸出為止的期間，將從前述誤差放大電路所輸出之前述誤差電壓，設為前述第1以及第2參考電壓中之較低一方的電壓。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之開關控制電路，其中，前述誤差電壓控制電路，係為藉由：在前述驅動電路開始前述第1以及第2控制訊號之輸出為止的期間，於被施加有前述誤差放大電路之前述回歸電壓的輸入端子，代替前述回歸電壓而施加前述誤差電壓的開關電路所構成。
  8. 如申請專利範圍第5項所記載之開關控制電路，其中，係更進而具備有：在被施加有前述誤差放大電路之前述回歸電壓的輸入端子，施加前述回歸電壓又或是前述誤差電壓中之任一方的開關電路，前述開始訊號輸出電路，係根據從前述比較電路所輸出之前述比較訊號，在前述誤差電壓為較前述回歸電壓為 更低時，經由前述開關電路而將前述誤差電壓施加於前述輸入端子，並藉由此而使前述誤差電壓上升至因應於前述第1以及第2參考電壓中之較低一方的電壓之電壓，而在前述誤差電壓為較前述回歸電壓為更高時，經由前述開關電路而將前述回歸電壓施加於前述輸入端子。
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