JP5089462B2 - スイッチング電源回路及びそれを用いた電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、定電圧源やLEDドライバなどに利用することができるスイッチング電源回路に関する。
過電流保護機能を有する電源回路において、過電流状態から通常の動作状態に変動するとき、出力電圧のオーバーシュートが発生する。この出力電圧のオーバーシュートは、負荷の変動に対する電源回路の応答遅延又は出力電圧若しくは出力電圧の分圧と基準電圧との差に応じたエラー信号を生成するエラーアンプの能力の限界によって発生するが、出力電圧の低電圧化(例えば、1.2V出力、2.5V出力)や出力コンデンサの低容量化(例えば、10μF、22μF)に伴い特に発生しやすくなっている。
過電流保護機能を有する電源回路では、出力電圧のオーバーシュートを検出するためのエラーランプとは別に、出力電圧を安定化させるためのエラーアンプ又はコンパレータを設ける構成が一般的である(例えば特許文献1参照)。
ここで、過電流保護機能を有する従来のチョッパレギュレータの一般的な構成を図10に示す。図10に示すチョッパレギュレータは、出力電圧VOを安定化させるための第1エラーアンプ101とは別のエラーアンプである第2エラーアンプ102を備えている。第2エラーアンプ102が出力電圧VOのオーバーシュートを検出したときに、すなわち、出力電圧VOの分圧VADJが第2基準電圧VREF2より大きいときに、ドライブ回路103がスイッチング素子104の駆動を停止している。
特開平9−117131号公報(段落0101、段落0102、第1図、及び第2図) 特開2000−217342号公報
しかしながら、図10に示すチョッパレギュレータでは、出力電圧VOのオーバーシュートを検出するために、出力電圧VOを安定化させるための基準電圧である第1基準電圧VREF1と出力電圧VOのオーバーシュートを検出するための基準電圧である第2基準電圧REF2とに電圧差を持たし、かつ、第1エラーアンプ101のオフセット電圧と第2エラーアンプ102のオフセット電圧とのミスマッチを小さくするため、第1エラーアンプ101及び第2エラーアンプ102のサイズをともに大きくする必要がある。
第1基準電圧VREF1と第2基準電圧VREF2とに微小な電圧差を持たすことは難しいため、出力電圧VOの微小なオーバーシュートを検出することは困難となっている。また、第1エラーアンプ101に対してオフセット電圧のミスマッチの少ない第2エラーアンプ102を設けると、チップサイズが増大しコスト的なデメリットが大きい。また、通常動作の負荷変動に影響を与えないように第1基準電圧VREF1と第2基準電圧VREF2との電圧差を大きくすると、その分出力電圧VOのオーバーシュートが増加することになる。
本発明は、上記の状況に鑑み、低コストな構成により出力電圧のオーバーシュートを低減することができるスイッチング電源回路を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明に係るスイッチング電源回路は、スイッチング素子をオン/オフすることにより負荷に出力電圧を供給するスイッチング電源回路であって、前記スイッチング素子と、前記出力電圧に基づく電圧と基準電圧と比較し、その比較結果に応じた信号を出力するエラーアンプと、前記エラーアンプの出力に応じて前記スイッチング素子のオン/オフを制御する制御部と、前記スイッチング電源回路の出力電流が過電流であることを検出する過電流検出回路と、位相補償コンデンサと、前記出力電圧が設定電圧より小さい状態から前記設定電圧に復帰したことを検出する出力電圧復帰検出回路と、前記過電流検出回路が過電流を検出すると、前記エラーアンプと前記位相補償コンデンサとの電気的接続を切り離し、前記位相補償コンデンサの電荷を放電し、前記出力電圧復帰検出回路によって前記出力電圧が前記設定電圧に復帰したことが検出されると、前記エラーアンプと前記位相補償コンデンサを電気的に接続する手段とを備えている。
このような構成によると、過電流検出時にエラーアンプと位相補償コンデンサとの電気的接続を切り離し、位相補償コンデンサの電荷を放電しているので、過電流保護からの復帰時に位相補償コンデンサからの電荷の引き抜き量を低減できる。これにより、出力電圧のオーバーシュートを低減するためにエラーアンプの能力を必要以上に大きくする必要が無くなり、低コストな構成になる。
また、前記出力電圧復帰検出回路が、前記エラーアンプの出力と前記設定電圧に対応する電圧とを比較するコンパレータを有するようにしてもよい。
また、前記出力電圧復帰検出回路が、前記エラーアンプの出力を反転するインバータゲートを有し、前記インバータゲートの閾値電圧が前記設定電圧に対応しているようにしてもよい。
また、前記出力電圧復帰検出回路の出力が不安定な状態になることを防止する観点から、前記出力電圧復帰検出回路がヒステリシス特性を有するようにしてもよい。
また、前記出力電圧復帰検出回路が、抵抗を有し、前記抵抗の抵抗値により前記設定電圧の値が調整可能であるようにしてもよい。
また、再度負荷を引くために前記位相補償コンデンサを再充電するための遅延時間を低減する観点から、前記位相補償コンデンサの電荷の放電が、前記位相補償コンデンサの両端電圧に基づく電圧が所定値以下になることにより停止するようにしてもよい。
また、前記位相補償コンデンサの電荷の放電を停止するときの前記位相補償コンデンサの両端電圧がMOSトランジスタまたはバイポーラトランジスタのオン/オフにより調整可能であるようにしてもよい。
また、前記位相補償コンデンサの電荷の放電を停止するときの前記位相補償コンデンサの両端電圧が前記エラーアンプの駆動電流と負の相関を持つ定電流を出力する定電流源により調整可能であるようにしてもよい。
また、本発明に係る電子機器は、上記いずれかの構成のスイッチング電源回路を用いるようにする。
本発明に係るスイッチング電源回路によると、過電流保護からの復帰時に位相補償コンデンサからの電荷の引き抜き量を低減できるため、出力電圧のオーバーシュートを低減するためにエラーアンプの能力を必要以上に大きくする必要が無くなり、低コストな構成になる。また、本発明に係るスイッチング電源回路によると、出力電圧を安定化させるための回路の閾値と出力電圧VOのオーバーシュートを検出する回路の閾値との差を小さくして出力電圧のオーバーシュートの低減を図るのではなく、過電流検出時にエラーアンプと位相補償コンデンサとの電気的接続を切り離し、位相補償コンデンサの電荷を放電することで出力電圧のオーバーシュートを低減しているので、出力電圧のオーバーシュートを確実に低減することができる。
本発明の実施形態について図面を参照して以下に説明する。本発明に係るスイッチング電源回路の一構成例を図1に示す。
図1に示す本発明に係るスイッチング電源回路は、スイッチング電源集積回路IC1と、その外付け部品であるコイルL1、ショットキーバリアダイオードSBD1、抵抗R1、抵抗R2、出力コンデンサC1、抵抗R3、及び位相補償コンデンサC2と、出力端子TOとを備えており、電圧源VS1からの入力電圧VINを出力電圧VOに変換して負荷LD1に供給している。
スイッチング電源集積回路IC1の内部構成について以下に説明する。スイッチング電源集積回路IC1は、端子T1〜T4と、エラーアンプ1と、基準電圧源2と、ドライブ回路3と、スイッチング素子4と、電流検出用抵抗5及び電流検出用エラーアンプ6からなるカレントアンプと、発振器7と、インバータゲート8と、コンパレータ9と、SRフリップフロップ10と、NANDゲート11と、過電流保護回路12と、出力電圧復帰検出回路13と、SRフリップフロップ14と、インバータゲート15と、スイッチSW1及びSW2とを備えている。
端子T1はカレントアンプを介してNチャネルMOS電界効果トランジスタであるスイッチング素子のドレインに接続され、スイッチング素子のソースが端子T2に接続されている。
端子T3はエラーアンプ1の反転入力端子に接続され、エラーアンプ1の非反転入力端子は基準電圧源2の正極側に接続され、基準電圧源2の負極側はグランド電位に接続されている。エラーアンプ1の出力端子は、コンパレータ9の反転入力端子と、スイッチSW2を介して端子T4とに接続されている。また、スイッチSW2と端子T4との接続ノードにスイッチSW1の一端が接続され、スイッチSW1の他端がグランド電位に接続されている。
端子T1とスイッチング素子との間に設けられているカレントアンプの出力端子がコンパレータ9の非反転入力端子及び過電流保護回路12に接続され、コンパレータ9の出力端子がSRフリップフロップ10のR入力端子に接続されている。また、発振器7が、インバータゲート8の入力端子及びNANDゲート11の第1入力端子に接続されている。インバータゲート8の出力端子はSRフリップフロップ10のバーS入力端子に接続され、SRフリップフロップ10のバーQ出力端子はNANDゲート11の第2入力端子に接続され、NANDゲート11の出力端子はドライブ回路3に接続されている。ドライブ回路3は、スイッチング素子4のゲートにも接続される。
また、過電流保護回路12はドライブ回路3及びSRフリップフロップ14のS入力端子にも接続され、出力電圧復帰検出回路13はSRフリップフロップ14のR入力端子に接続されている。SRフリップフロップ14のQ出力端子は、スイッチSW1の制御端子と、インバータゲート15を介してスイッチSW2の制御端子とに接続されている。
続いて、外付け部品の構成について以下に説明する。コイルL1の一端及びショットキーバリアダイオードSBD1のカソードが端子T2に接続される。ショットキーバリアダイオードSBD1のアノードがグランド電位に接続される。コイルL1の他端は、抵抗R1の一端、及び出力コンデンサC2の一端、及び出力電圧VOを出力する出力端子TOに接続される。抵抗R1の他端は、端子T3及び抵抗R2の一端に接続される。抵抗R2の他端及び出力コンデンサC2の他端はグランド電位に接続される。また、抵抗R3の一端が端子T4に接続され、抵抗R3の他端が位相補償コンデンサC2の一端に接続され、位相補償コンデンサC2の他端がグランド電位に接続される。
次に、上述した構成の図1に示す本発明に係るスイッチング電源回路の概略動作について説明する。
過電流保護回路12は、カレントアンプの出力VCRRに基づいて過電流を検出し、過電流を検出しているときにHIGHレベルの信号をドライブ回路3及びSRフリップフロップ14のS入力端子に出力する。なお、カレントアンプの出力VCRRが予め設定した閾値を越えると、直ちに過電流保護回路12が過電流を検出するようにしてもよく、カレントアンプの出力VCRRが予め設定した閾値を越えた状態が所定期間継続して初めて過電流保護回路12が過電流を検出するようにしてもよい。
出力電圧復帰検出回路13は、出力電圧V O の検出信号を入力し(図1及び後述する図7において出力電圧V O の検出信号を出力電圧復帰検出回路13に入力するための入力線の図示は省略)、設定電圧より小さかった出力電圧VOが設定電圧に復帰したときに、HIGHレベルの信号をSRフリップフロップ14のR入力端子に出力する。制御信号S1及びS2はSRフリップフロップ14の出力に応じてレベルが変動する信号である。スイッチSW1は、その制御端子に供給される制御信号S1がHIGHレベルであるときに閉成状態になり、その制御端子に供給される制御信号S1がLOWレベルであるときに開成状態になるスイッチである。同様に、スイッチSW2は、その制御端子に供給される制御信号S2がHIGHレベルであるときに閉成状態になり、その制御端子に供給される制御信号S2がLOWレベルであるときに開成状態になるスイッチである。
エラーアンプ1の出力EOUTは、出力電圧VOの分圧VADJと基準電圧VREFとの差を増幅したものであり、ドライブ回路3はそのエラーアンプ1の出力EOUTに応じてスイッチング素子4のON/OFFを制御している。ドライブ回路3は、NANDゲート11の出力が「1」のときにスイッチング素子4をオフにし、NANDゲート11の出力が「0」のときにスイッチング素子4をオンにしている。これにより、発振器7の出力VOSC 立ち下がるとスイッチング素子4がオンになり、カレントアンプの出力VCRRがエラーアンプ1の出力EOUTを越えるとスイッチング素子4がオフになる。また、発振器7の発振周波数としては100kHz〜4MHz程度が一般的によく用いられる。
また、抵抗R3を介して端子T4に接続されている位相補償コンデンサC2は、帰還部の安定を確保するためのものである。通常、抵抗R3は1kΩ〜50kΩ、位相補償コンデンサC2は1nF〜100nF程度の定数が一般的によく用いられる。
図2は、電源の出力が短絡してから復帰するときのタイミングチャートであって、コイルL1を流れる電流IL、端子T4の電圧VCOMP、出力電圧VOの波形を示している。図2の実線は図10に示す従来のチョッパレギュレータのものであり、図2の破線は図1に示す本発明に係るスイッチング電源回路のものである。
図10に示す従来のチョッパレギュレータの場合、コイル電流ILが過電流レベルに達した時(t1時点)にコイル電流ILが過電流レベルで制限されるが、出力電圧VOが低下するため、第1エラーアンプ101の出力は第1エラーアンプ101の電源電圧まで達する。また、チョッパレギュレータの出力が短絡状態から復帰し(t2時点)、設定電圧より小さかった出力電圧VOが設定電圧に復帰した時(t3時点)以後も、出力電圧VOが設定電圧より高い閾値電圧に達する時(t4時点)まで位相補償コンデンサC2に蓄えられている電荷を引き抜くことができず、位相補償コンデンサC2の電荷の引き抜きに時間がかかり、余分なコイル電流ILにより負荷LD1に電流が供給されるため、出力電圧VOのオーバーシュートが起こる。このオーバーシュートの量は第1エラーアンプ101の能力に大きく依存する。また、通常動作に影響を与えないためには、出力電圧VOを安定化させるための回路の閾値(図10の1基準電圧VREF1)と出力電圧VOのオーバーシュートを検出する回路の閾値(図10の第2基準電圧VREF2)との差をある程度大きく設定しなければならないため、出力電圧VOのオーバーシュートを検出する回路が出力電圧VOのオーバーシュートを検出するには、上記閾値の差のオーバーシュートが必ず起こることになる。
一方、図1に示す本発明に係るスイッチング電源回路の場合、コイル電流ILが過電流レベルに達した時(t1時点)に、スイッチSW2が開成状態になり位相補償コンデンサC2とエラーアンプ1とが電気的に切り離され、同時にスイッチSW1が閉成状態になり位相補償コンデンサC2の電荷が引き抜かれる。また、スイッチング電源回路の出力が短絡状態から復帰し(t2時点)、その後、設定電圧より小さかった出力電圧VOが設定電圧に復帰した時(t3時点)に、スイッチSW1が開成状態になり位相補償コンデンサC2の電荷引き抜きが停止され、同時にスイッチSW2が閉成状態になり位相補償コンデンサC2とエラーアンプ1とが電気的に接続され、通常動作に戻る。このとき、すでに位相補償コンデンサC2の電荷は引き抜かれている状態であり、余分なコイル電流ILによる負荷への電流の供給が低減されるため、出力電圧VOのオーバーシュートは低減される。このような動作により、図1に示す本発明に係るスイッチング電源回路は、エラーアンプ1の能力に依存せずに、出力電圧VOのオーバーシュートを低減することができるので、低コストな構成により出力電圧VOのオーバーシュートを低減することができる。
次に、図1に示す本発明に係るスイッチング電源回路の一例を図3に示す。図3に示す例では、出力電圧復帰検出回路13をコンパレータ13A及び電圧源13Bによって構成している。設定電圧より小さかった出力電圧VOが設定電圧に復帰すると、エラーアンプ1の出力EOUTが電圧源13Bから出力される閾値電圧より小さくなり、コンパレータ13AがHIGHレベルの信号を出力する。過電流保護がかかった状態から出力電圧VOが設定電圧に復帰するまでの期間、エラーアンプ1と位相補償コンデンサC2とが電気的に切り離されていることからエラーアンプ1の出力EOUTの高周波特性が良好であるため、コンパレータ13Aの精度は低くできる。そのため、コンパレータ13Aのサイズを小さくすることができる。
続いて、図1に示す本発明に係るスイッチング電源回路の他の例を図4に示す。図4に示す例では、出力電圧復帰検出回路13をインバータゲート13Cによって構成している。設定電圧より小さかった出力電圧VOが設定電圧に復帰すると、エラーアンプ1の出力EOUTがインバータゲート13Cの閾値電圧より小さくなり、インバータゲート13CがHIGHレベルの信号を出力する。図4に示す例では、出力電圧復帰検出回路13を実現するためにコンパレータが必要無いためコストを低減することができる。
図3や図4に示す例では、エラーアンプ1の出力EOUTが出力電圧復帰検出回路13の閾値電圧付近で変動する場合、出力電圧復帰検出回路13の出力OVPがHIGHレベルとLOWレベルとを繰り返して不安定な状態になる可能性がある。このような不安定な状態を防止する観点から、出力電圧復帰検出回路13がヒステリシス特性を有するようにしてもよい。例えば、図3でのコンパレータ13A及び電圧源13Bによって構成される出力電圧復帰検出回路に代えて、図5(a)に示す構成のヒステリシス特性を有する出力電圧復帰検出回路を用いることができ、図4でのインバータゲート13Cによって構成される出力電圧復帰検出回路に代えて、図5(b)に示す構成のヒステリシス特性を有する出力電圧復帰検出回路を用いることができる。なお、図5中のV CC はスイッチング電源集積回路IC1内部で生成される定電圧である。図5(a)、図5(b)に示すヒステリシス特性を有する出力電圧復帰検出回路はともに、出力電圧復帰検出回路13の出力OVPがHIGHレベルとなったときに、PチャネルMOS電界効果トランジスタM1がオンになり、出力電圧復帰検出回路の閾値電圧が増大する。この閾値電圧の増大によりヒステリシス特性が得られる。
また、図3や図4に示す例において、出力電圧復帰検出回路の閾値電圧の設定を容易にするために、例えば、図3でのコンパレータ13A及び電圧源13Bによって構成される出力電圧復帰検出回路を図6(a)に示す構成にしてもよく、図4でのインバータゲート13Cによって構成される出力電圧復帰検出回路を図6(b)に示す構成にしてもよい。なお、図6中のV CC はスイッチング電源集積回路IC1内部で生成される定電圧である。図6(a)に示す構成では、分圧抵抗r1及びr2と分圧抵抗r3との比を変更することにより出力電圧復帰検出回路の閾値電圧の設定を容易に変更することができる。図6(b)に示す構成では、PチャネルMOS電界効果トランジスタM2及びNチャネルMOS電界効果トランジスタM3からなるインバータゲートと、そのインバータゲートの駆動電圧である定電圧V CC が印加されている端子との間に設けられる抵抗r4の定数を変更することにより出力電圧復帰検出回路の閾値電圧の設定を容易に変更することができる。
次に、本発明に係るスイッチング電源回路の図1とは異なる構成例を図7に示す。
負荷電流を大きくするためには位相補償コンデンサC2を充電し、端子T4の電圧VCOMPを上昇させる必要がある。しかしながら、図1に示す本発明に係るスイッチング電源回路では、出力電圧の電圧VOが過電圧になっている状態において、スイッチSW1を閉成状態にして位相補償コンデンサC2を放電しすぎると、再度負荷を引くために位相補償コンデンサC2を再充電するための遅延時間が生じる。
このような遅延時間を低減する観点から、図7に示すスイッチング電源回路は、図1中のスイッチング電源集積回路IC1にインバータゲート16及びNANDゲート17を追加した構成であるスイッチング電源集積回路IC2を備えている。図7に示すスイッチング電源回路では、端子T4の電圧VCOMPがインバータゲート16の閾値電圧以下になったときに制御信号S1がLOWレベルになりスイッチSW1が開成状態になり、位相補償コンデンサC2の電荷放電を防ぐことができる。
図7に示すスイッチング電源回路が具備するインバータゲート16の一例を図8に示す。なお、図8において、V16はインバータゲート16の出力電圧である。電圧VCONTをLOWレベルにしてPチャネルMOS電界効果トランジスタM1をオンすることにより、位相補償コンデンサC2の電荷引き抜き停止電圧を上げることができる。出力電圧VOが小さい場合は出力電圧VOのオーバーシュート許容範囲が小さいが、出力電圧VOが大きい場合は出力電圧VOのオーバーシュート許容範囲を大きくすることができる。例えば、出力電圧VOが大きい場合に電圧VCONTをLOWレベルにしてPチャネルMOS電界効果トランジスタM1をオンすることによって、位相補償コンデンサC2の電荷引き抜き停止電圧を上げることができる。
図7に示すスイッチング電源回路が具備するインバータゲート16の他の例を図9に示す。なお、図9において、V16はインバータゲート16の出力電圧である。ここでは、定電流源が出力する定電流I1をエラーアンプ1の駆動電流と負の相関を持つ構成としている。位相補償コンデンサC2の充電電流はエラーアンプ1の駆動電流と正の相関がある。エラーアンプ1の駆動電流が大きいときは位相補償コンデンサC2の充電電流が確保でき、端子T4の電圧VCOMPを小さくできる。定電流源が出力する定電流I1を小さくすることで位相補償コンデンサC2の電荷引き抜き停止電圧を下げることができる。
本発明に係るスイッチング電源回路は電子機器全般に搭載可能であるが、特に低コスト、小型化が必要な次に示す電子機器に用いると好適である。
・カーオーディオなどの車戴機器
・液晶テレビ等各種テレビ、DVDビデオなどのAV機器
・CD−ROM装置、CD−R装置、DVD装置などのパソコン周辺機器
・携帯電話機の液晶画面バックライト用LEDドライバ
上記好適例の中でも、光ストレージ装置、液晶テレビなどの電子機器が特に好適である。
は、本発明に係るスイッチング電源回路の一構成例を示す図である。 は、電源回路の各部電流・電圧のタイミングチャートである。 は、図1に示す本発明に係るスイッチング電源回路の一例を示す図である。 は、図1に示す本発明に係るスイッチング電源回路の他の例を示す図である。 は、ヒステリシス特性を有する出力電圧復帰検出回路の構成例を示す図である。 は、図3及び図4に示すスイッチング電源回路が具備する出力電圧復帰検出回路の一例をそれぞれ示す図である。 は、本発明に係るスイッチング電源回路の他の構成例を示す図である。 は、図7に示すスイッチング電源回路が具備し、位相補償コンデンサの電荷引き抜き停止電圧を設定するインバータゲートの一例を示す図である。 は、図7に示すスイッチング電源回路が具備し、位相補償コンデンサの電荷引き抜き停止電圧を設定するインバータゲートの他の例を示す図である。 は、過電流保護機能を有する従来のチョッパレギュレータの一般的な構成を示す図である。
符号の説明
1 エラーアンプ
2 基準電圧源
3 ドライブ回路
4 スイッチング素子
5 電流検出用抵抗
6 電流検出用エラーアンプ
7 発振器
8、15、16 インバータゲート
9 コンパレータ
10、14 SRフリップフロップ
11、17 NANDゲート
12 過電流保護回路
13 出力電圧復帰検出回路
C1 出力コンデンサ
C2 位相補償コンデンサ
IC1、IC2 スイッチング電源集積回路
L1 コイル
LD1 負荷
M1、M2 PチャネルMOS電界効果トランジスタ
M3 NチャネルMOS電界効果トランジスタ
R1〜R3、r4 抵抗
r1〜r3 分割抵抗
SBD1 ショットキーバリアダイオード
SW1、SW2 スイッチ
T1〜T4 端子
O 出力端子
VS1 電圧源

Claims (9)

  1. スイッチング素子をオン/オフすることにより負荷に出力電圧を供給するスイッチング電源回路であって、
    前記スイッチング素子と、
    前記出力電圧に基づく電圧と基準電圧と比較し、その比較結果に応じた信号を出力するエラーアンプと、
    前記エラーアンプの出力に応じて前記スイッチング素子のオン/オフを制御する制御部と、
    前記スイッチング電源回路の出力電流が過電流であることを検出する過電流検出回路と、
    位相補償コンデンサと、
    前記出力電圧が設定電圧より小さい状態から前記設定電圧に復帰したことを検出する出力電圧復帰検出回路と、
    前記過電流検出回路が過電流を検出すると、前記エラーアンプと前記位相補償コンデンサとの電気的接続を切り離し、前記位相補償コンデンサの電荷を放電し、前記出力電圧復帰検出回路によって前記出力電圧が前記設定電圧に復帰したことが検出されると、前記エラーアンプと前記位相補償コンデンサを電気的に接続する手段とを備えることを特徴とするスイッチング電源回路。
  2. 前記出力電圧復帰検出回路が、前記エラーアンプの出力と前記設定電圧に対応する電圧とを比較するコンパレータを有することを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  3. 前記出力電圧復帰検出回路が、前記エラーアンプの出力を反転するインバータゲートを有し、前記インバータゲートの閾値電圧が前記設定電圧に対応していることを特徴とする請求項1に記載のスイッチング電源回路。
  4. 前記出力電圧復帰検出回路がヒステリシス特性を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のスイッチング電源回路。
  5. 前記出力電圧復帰検出回路が、抵抗を有し、前記抵抗の抵抗値により前記設定電圧の値が調整可能であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のスイッチング電源回路。
  6. 前記位相補償コンデンサの電荷の放電が、前記位相補償コンデンサの両端電圧に基づく電圧が所定値以下になることにより停止することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のスイッチング電源回路。
  7. 前記位相補償コンデンサの電荷の放電を停止するときの前記位相補償コンデンサの両端電圧がMOSトランジスタまたはバイポーラトランジスタのオン/オフにより調整可能であることを特徴とする請求項6に記載のスイッチング電源回路。
  8. 前記位相補償コンデンサの電荷の放電を停止するときの前記位相補償コンデンサの両端電圧が前記エラーアンプの駆動電流と負の相関を持つ定電流を出力する定電流源により調整可能であることを特徴とする請求項6に記載のスイッチング電源回路。
  9. 請求項1〜8のいずれか1項に記載のスイッチング電源回路を用いたことを特徴とする電子機器。
JP2008094616A 2008-04-01 2008-04-01 スイッチング電源回路及びそれを用いた電子機器 Expired - Fee Related JP5089462B2 (ja)

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