TWI405338B - 用於封裝發光裝置之方法及該封裝之發光裝置 - Google Patents

用於封裝發光裝置之方法及該封裝之發光裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI405338B
TWI405338B TW094110051A TW94110051A TWI405338B TW I405338 B TWI405338 B TW I405338B TW 094110051 A TW094110051 A TW 094110051A TW 94110051 A TW94110051 A TW 94110051A TW I405338 B TWI405338 B TW I405338B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
amount
encapsulant material
reflective cavity
light emitting
dispensed
Prior art date
Application number
TW094110051A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200605369A (en
Inventor
Peter Andrews
Thomas G Coleman
James Ibbetson
Michael Leung
Gerald H Negley
Eric Tarsa
Original Assignee
Cree Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Cree Inc filed Critical Cree Inc
Publication of TW200605369A publication Critical patent/TW200605369A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI405338B publication Critical patent/TWI405338B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Manufacturing Of Micro-Capsules (AREA)

Description

用於封裝發光裝置之方法及該封裝之發光裝置
本發明係關於半導體發光裝置及其製造方法，且更特定言之係關於用於半導體發光裝置之封裝及封裝方法。
已知提供在封裝中之半導體發光裝置類型之光源，該封裝可對發光裝置所發出光提供保護、顏色選擇、聚焦等等。舉例而言，發光裝置可為發光二極體("LED")。在用作光源之電源LED之封裝期間可遇到多種問題。將參看圖1及2中之電源LED之橫截面說明來描述此等可能問題之實例。如圖1及2中所示，電源LED封裝100通常包括基板部件102，發光裝置103安裝於該基板部件102上。發光裝置103可(例如)包括安裝於基板部件102之LED晶片/子基板總成103b及定位於LED晶片/子基板總成103b上之LED 103a。基板部件102可包括用於將封裝100連接至外部電路之跡線或金屬引線。基板102亦可充當在運作期間自LED 103傳導熱之散熱片。
諸如反射杯104之反射器可安裝於基板102上且圍繞發光裝置103。圖1中所說明之反射杯104包括成角度或傾斜之下側壁106，其用於反射由LED 103所產生之光向上並離開LED封裝100。所說明之反射杯104亦包括可充當用於將透鏡120固持於LED封裝100中之通道的向上延伸之壁105及水準肩形部分108。
如圖1中所說明，在將發光裝置103安裝於基板102上以後，將諸如液體聚矽氧凝膠之密封劑材料112分配於反射杯104之內部反射腔115中。圖1中所說明之內部反射腔115具有由基板102界定之底面以提供封閉腔，該封閉腔能夠在其中保持液體密封劑材料112。如圖1中進一步所示，當將密封劑材料112分配於腔115中時，其可芯吸(wick up)反射杯104之側壁105之內側以形成所說明之凹彎液面。如圖2中所示，接著可將透鏡120置放於反射腔115中與密封劑材料112接觸。在將透鏡120置放於腔115中時，液體密封劑材料112可移位且移動穿過透鏡120與側壁105之間的間隙117。因此，密封劑可移動出至透鏡120之上表面上及/或反射杯104之側壁105之上表面上。可稱為擠出之此運動由於若干原因通常為不當的。在所述封裝配置中，若密封劑在透鏡附著步驟之前未固化為拱形彎液面形狀則透鏡將位於較低架子上。此可導致透鏡在熱迴圈期間不漂浮且經由密封劑至其他表面之剝離或經由剝離內之內聚破壞而失效，兩者均可影響光輸出。密封劑材料或凝膠通常為黏性的且可干擾用於製造零件之自動化處理工具。此外，凝膠可干擾來自透鏡120之光輸出，例如，藉由改變光分佈模式及/或藉由阻擋透鏡120之部分。黏性凝膠亦可吸引可阻擋或減少自LED封裝100之光輸出的灰塵、汙物及/或其他污染物。凝膠亦可改變有效透鏡之形狀，此可調節所發出之光模式/射束形狀。
在透鏡120之置放之後，通常將封裝100熱固化，其使密封劑材料112凝固且黏附至透鏡120。因此，透鏡120可藉由固化之密封劑材料112被固持於適當位置中。然而，隨著固化具有輕微的收縮因數之密封劑材料(諸如聚矽氧凝膠)通常易於在熱固化過程中收縮。另外，熱膨脹係數(CTE)效應通常導致在高溫下透鏡之較高漂浮。在冷卻期間，零件具有剝離之趨勢。由於圖2中所示透鏡120下方之密封劑之所說明體積為相對較大的，此收縮可導致在固化過程中密封劑材料112自封裝100之部分剝離(離開)，該等部分包括發光裝置103、基板102之表面、反射杯104之側壁105及/或透鏡120。該剝離可顯著影響光學效能，尤其當自晶粒剝離時，其中其可導致全內反射。此收縮可在密封劑材料112與發光裝置103、透鏡120及/或反射杯104之間產生間隙或空隙113。密封劑材料112中之三軸應力亦可導致密封劑材料112中之內聚裂縫113'。此等間隙113及/或裂縫113'可大體上減少發光裝置封裝100所發出光之量。該收縮亦可自裂隙(意即，反射器)或自下方裝置(意即，晶粒/子基板)取出然後可干擾光腔效能之氣袋。
在燈之運作期間，發光裝置103可產生大量之熱。大量的熱可由基板102及反射杯104耗散，每一者可充當用於封裝100之散熱片。然而，封裝100之溫度在運作期間仍顯著增加。諸如聚矽氧凝膠之密封劑材料112通常具有高的熱膨脹係數。結果，當封裝100變熱時，密封劑材料112可膨脹。因為透鏡120安裝於由反射杯104之側壁105界定之通道內，所以在密封劑材料112膨脹且收縮時透鏡120可在側壁105內上下行進。密封劑材料112之膨脹可將密封劑擠壓至空間中或擠壓出腔外，使得在冷卻時其不可移動回腔中。此可導致剝離、空隙、較高三軸應力及/或類似物，其可導致不夠穩固之發光裝置。此透鏡運動進一步描述於(例如)美國專利申請案公開案第2004/0041222號中。側壁105亦可幫助保護透鏡120不受機械衝擊及機械應力。
本發明之實施例提供封裝半導體發光裝置之方法，其中發光裝置可安裝於反射腔之底面上。將第一數量之密封劑材料分配於包括發光裝置之反射腔中且使反射腔中第一數量之密封劑固化。將第二數量之密封劑材料分配至固化之第一數量之密封劑材料上。在反射腔中將透鏡定位於分配之第二數量之密封劑材料上。使分配之第二數量之密封劑材料固化以將透鏡附著於反射腔中。
在本發明之其他實施例中，分配第一數量之密封劑材料至包括發光裝置之反射腔中包括：分配第一數量之密封劑材料之第一部分至包括發光裝置之反射腔中及分配第一數量之密封劑材料之第二部分。第一部分足以潤濕發光裝置而不需將反射腔填補至超出發光裝置之高度之水準。將第一數量之密封劑材料之第二部分分配至第一數量之密封劑材料之第一部分上。
在本發明之另外實施例中，分配第一數量之密封劑材料至包括發光裝置之反射腔中包括：分配第一數量之密封劑材料之第一部分至包括發光裝置之反射腔中及分配第一數量之密封劑材料之第二部分。第一數量之第一部分足以大體上覆蓋發光裝置而不會在密封劑材料中形成任何氣袋。將第一數量之密封劑材料之第二部分分配至第一數量之密封劑材料之第一部分上。第二部分可約為第一部分之兩倍。第二數量可約等於第一數量之第一部分。該第一部分可足以將反射腔填補至約250微米之高度。
在本發明之其他實施例中，固化第一數量之密封劑材料包括在分配第一數量之密封劑材料之第二部分之前固化第一數量之密封劑材料之第一部分。第一數量之密封劑材料之第一部分可包括磷，且第一數量之密封劑材料之第二部分可為大體上無磷的。
在本發明之另外實施例中，發光裝置安裝於反射腔之約中點處。可將密封劑材料在一自該中點向該腔之側壁移位之點處進行分配以便不會將密封劑材料直接分配至發光裝置上。或者，可將密封劑材料直接分配至發光裝置上。分配密封劑材料可包括：在分配器之一端上形成密封劑材料之球狀物且將所形成球狀物與反射腔及/或發光裝置接觸以自分配器分配球狀物。密封劑材料可為聚矽氧凝膠。第一數量之密封劑材料可包括磷及第二數量之密封劑材料可為大體上無磷的。換言之，每一分配可具有含磷或不含磷之材料。
在本發明之其他實施例中，定位透鏡包括將透鏡推至反射腔中直至透鏡接觸到固化之第一數量之密封劑材料。可分配第一數量之密封劑材料以使得具足以在反射腔中建立用於透鏡之所要位置。發光裝置可為發光二極體(LED)。
在本發明之另外實施例中，封裝半導體發光裝置之方法包括於反射腔之底面上提供發光裝置。發光裝置相對於底面具有高度。將第一數量之密封劑材料分配至包括發光裝置之反射腔中。第一數量足以潤濕發光裝置而不需將反射腔填補至超過發光裝置之高度之水準。可將第二數量之密封劑材料分配至第一數量之密封劑材料上。使所分配之密封劑材料固化。
在本發明之其他實施例中，封裝半導體發光裝置包括於反射腔之底面上提供發光裝置。將第一數量之密封劑材料分配至包括發光裝置之反射腔中。第一數量足以大體上覆蓋發光裝置而不會在密封劑材料中形成任何氣袋。可將第二數量之密封劑材料分配至第一數量之密封劑材料上。不同之分配可具有不同黏度或其他特性之不同材料。舉例而言，可選擇不同黏度之材料以用於潤濕及/或彎液面形成之目的。使所分配之密封劑材料固化。
在本發明之另外實施例中，封裝半導體發光裝置包括將具有第一折射率之第一數量之密封劑材料分配至包括發光裝置之反射腔中。使第一數量之密封劑材料固化。將第二數量之密封劑材料分配至固化之第一數量之密封劑材料上。第二數量之密封劑材料具有不同於第一折射率之第二折射率。選擇第一及第二折射率以在反射腔中提供內埋透鏡。使第二數量之密封劑材料固化以形成內埋透鏡。
現將參看所附圖式在下文更充分描述本發明，該等圖式中展示了本發明之實施例。然而，本發明可以多種不同形式具體化且不應被解釋為限制於本文所述之實施例。更確切地，提供此等實施例以使得本揭示案將全面且完整，且將使本發明之範疇完全傳送至熟習此項技術者。在圖式中，出於清晰之目的可放大層及區域之大小及相對大小。整篇文中類似數字係指類似元件。
應瞭解，當諸如層、區域或基板之元件被稱為位於另一元件"上"時，其可直接位於另一元件上或亦可存在介入元件。應瞭解，若諸如表面之元件之零件被稱為位於"內部"，則其比該元件之其他零件離裝置之外部遠。此外，諸如"在下方"或"在上方"之相對術語在本文中可用於描述如圖式中所說明之一層或區域對另一層或區域相對於基板或基層之相對關係。應瞭解此等術語除了包含圖式中所述之定向以外意欲包含裝置之不同定向。最後，術語"直接"意味不存在介入元件。如本文所用之術語"及/或"包括一或多個相關聯所列項之任何及全部組合。
應瞭解，儘管術語第一、第二等等在本文中可用於描述各種元件、元件、區域、層及/或區段，但是此等元件、元件、區域、層及/或區段不應受此等術語限制。此等術語僅用於區別一元件、元件、區域、層或區段與另一區域、層或區段。因此，下文所討論之第一元件、元件、區域、層或區段可被稱為第二元件、元件、區域、層或區段而不會背離本發明之教示。
本文將描述用於封裝半導體發光裝置103之本發明之各種實施例。如本文所用之術語半導體發光裝置103可包括一發光二極體、雷射二極體及/或其他半導體裝置，其包括：一或多個半導體層，該等半導體層可包括矽、碳化矽、氮化鎵及/或其他半導體材料；一基板，其可包括藍寶石、矽、碳化矽及/或其他微電子基板；及一或多個接觸層，其可包括金屬及/或其他傳導層。在某些實施例中，可提供紫外線、藍色及/或綠色發光二極體("LED")。亦可提供紅色及/或琥珀色LED。半導體發光裝置103之設計及製造已為熟習此項技術者所熟知且不需在本文中詳細描述。
舉例而言，半導體發光裝置103可為於碳化矽基板上製造之基於氮化鎵之LED或雷射器，諸如彼等由Durham,North Carolina之Cree,Inc.製造且出售之裝置。本發明可適用於如美國專利第6,201,262號、第6,187,606號、第6,120,600號、第5,912,477號、第5,739,554號、第5,631,190號、第5,604,135號、第5,523,589號、第5,416,342號、第5,393,993號、第5,338,944號、第5,210,051號、第5,027,168號、第5,027,168號、第4,966,862號及/或第4,918,497號中所描述之LED及/或雷射器，該等揭示內容以如同本文完全陳述之引用的方式倂入本文中。其他適當之LED及/或雷射器描述於2003年1月9日公開之公開的美國專利公開案第US 2003/0006418 A1號中，標題為Group III Nitride Based Light Emitting Diode Structures With a Quantum Well and Superlattice,Group III Nitride Based Quantum Well Structures and Group III Nitride Based Superlattice Structures，以及描述於公開之美國專利公開案第US 2002/0123164 A1號中，標題為Light Emitting Diodes Including Modifications for Light Extraction and Manufacturing Methods Therefor。此外，塗佈磷之LED亦可適用於本發明之實施例中，塗佈磷之LED諸如彼等描述於2003年9月9日申請之美國申請案第10/659,241號，標題為Phosphor－Coated Light Emitting Diodes Including Tapered Sidewalls and Fabrication Methods Therefor，該揭示內容以如同完全陳述之引用的方式倂入本文中。可組態LED及/或雷射器以運作使得穿過基板發生光發射。在此等實施例中，可使基板圖案化以便增強所述裝置之光輸出，例如在上面引用之美國專利公開案第US 2002/0123164 A1號中所描述。
現在將參看圖3－11中所說明之各種實施例來描述本發明之實施例。更特定言之，在圖3A至3C中說明了用於封裝發光裝置103之雙固化密封過程之某些實施例。此雙固化密封過程可減少在固化期間與密封劑材料之收縮相關聯之問題。如本文將描述，對於本發明之某些實施例，雙固化過程可包括三個分配運作及兩個固化運作。然而，應瞭解或多或少之分配運作與固化運作亦可用於封裝本發明之其他實施例中之發光裝置。如本文亦將進一步描述，本發明之實施例亦包括多分配運作，使得第一固化運作之後係另一組分配及固化運作以附著透鏡。
如圖3A中所說明，將在所說明之實施例中包括兩種密封劑材料部分112、114之第一預定量(數量)之密封劑材料分配至腔115內。密封劑材料112、114可為(例如)液體矽凝膠、環氧樹脂或類似物。可分配第一部分112以潤濕發光裝置103之曝露表面部分，更特定言之，發光裝置103之發光二極體晶片/子基板總成101與基板102。反射杯104之部分亦可藉由初始分配來潤濕。在本發明之某些實施例中，分配為第一部分112之密封劑材料之數量足以潤濕發光裝置103而不需將反射腔填補至超過發光裝置103之高度之水準。在本發明之某些其他實施例中，分配為第一部分112之密封劑材料之數量足以大體上覆蓋發光裝置103而不會在密封劑材料112中形成任何氣袋。
如圖3A中所示，發光裝置定位於反射腔115之約中點115m處。可將密封劑材料在一自中點115m向反射腔115之側壁105移位之點115d處自分配器200進行分配，以使得不會將密封劑材料112直接分配至發光裝置103上。直接分配密封劑材料112至發光裝置103上可導致在密封劑材料112自上方經過發光裝置103之結構時捕集到氣泡。然而，在本發明之其他實施例中，除了偏移分配以外或替代偏移分配，可將密封劑材料112分配至發光裝置103晶粒之頂部。分配密封劑材料112可包括在分配器200之一端上形成密封劑材料112之球狀物，且將所形成球狀物與反射腔115及/或發光裝置103接觸以自分配器分配球狀物。
可選擇用於分配之材料之黏度及/或其他特性以使得(例如)發生潤濕而不會有氣泡形成。在本發明之另外實施例中，可將塗料塗覆至由所分配材料接觸之表面以加速/減速潤濕速率。舉例而言，使用留下微觀殘留物之某些已知清潔程序可處理所選表面，且因此使其用於操縱潤濕作用之動力學特性。
由於界定腔115之反射杯104之內表面之表面特性、發光裝置103之表面特性及密封劑材料112之表面特性，即使在自腔115之中點115m移位之點115d分配時，所分配之密封劑材料112可以仍可在密封劑材料112中導致氣泡之方式流至腔115內。詳言之，吾人預期密封劑材料112在反射杯104之內表面周圍及發光裝置103之側壁周圍比在發光裝置103之頂部上移動或"芯吸(wick)"得更快。結果，當流動密封劑材料之側滿足時，可在與分配密封劑材料之側相對之腔115之側上捕集到氣泡且然後密封劑材料流過發光裝置103之頂部，因此密封劑材料自上方被局部分配而沒有用於氣流之側出口。因此，可選擇已分配密封劑材料112之第一部分之數量以減少或防止形成此等氣泡之風險。同樣地，如本文所用之，參照"大體上"覆蓋發光裝置103係指覆蓋足夠之發光裝置103之結構以使得在分配第一數量之密封劑材料112、114之剩餘部分114時將不會產生此氣泡。
在允許初始分配之密封劑材料112固定之後，將第一預定數量之密封劑材料之第二部分114分配至反射腔115中。在本發明之某些特定實施例中，密封劑材料之第二部分114約為第一部分112之兩倍。
在分配全部第一數量之密封劑材料112、114之後，(例如)藉由熱處理使第一數量之密封劑材料112、114固化以使密封劑材料112、114凝固。在固化之後，由於密封劑材料112、114之收縮反射腔115內之密封劑材料112、114之水準可自水準114A下降至水準114B。
在本發明之某些實施例中，在將第二部分114分配至反射腔115之前使第一部分112固化。舉例而言，吾人已知添加諸如磷、奈米晶體或類似物之光轉換材料至密封劑材料112、114中以影響自封裝100所發射光之特點。出於本文描述之目的，將引用磷作為光轉換材料。然而，應瞭解可使用其他光轉換材料以替代磷。視封裝100所要之色譜及/或色溫調整而定，當磷定位於相鄰發射器103b處，(換言之)直接位於發光裝置103之頂部上時可最有利地利用磷。同樣地，可需要在第二部分114中包括磷而在第一部分112中不包括磷。然而，因為第一部分112位於第二部分114下方，所以磷可自第二部分114沉澱至第一部分112中，從而減少在第二部分114中磷添加物之有效性。因此，可將磷添加至第一部分112中以限制此沉澱及/或在分配第二部分114之前使第一部分112固化。
多次分配之使用亦可允許添加所要組態之磷預成型坯/晶圓以用於光轉換。另外，多次分配可允許使用具有不同折射率之材料以提供(例如)內埋透鏡(意即，由兩次具有不同折射率之材料之分配之間的介面形成)。
如圖3B中所說明，以預定量將第二數量之密封劑材料116分配至反射腔115中之固化的第一數量之密封劑材料112、114上。在本發明之某些特定實施例中，第二數量116約等於第一數量之密封劑材料112、114之第一部分112。第二數量116可為大體上無磷的，然而，在本發明之其他實施例中磷亦可包括於第二數量116中。
如圖3C中所示，在第二數量之密封劑材料116固化之前，將透鏡120定位於反射腔115內且靠著第二數量之密封劑材料116。然後(例如)藉由加熱使第二數量之密封劑材料116固化以硬化密封劑材料116且將透鏡120附著於反射腔115中。在本發明之某些實施例中，使用如上所述之雙固化過程以密封封裝100中之發光裝置103可減少固化之密封劑材料112、114、116自發光裝置103、透鏡120及/或反射杯104之剝離。
在圖4A－4B中進一步說明了圖3A－3B中所示之反射杯104。圖4A為反射杯104之俯視平面圖，其展示上側壁105、下側壁106及上側壁105與下側壁106之間的大體上水準之肩形側壁部分108之頂面。圖4B為沿圖4A之線B－B之反射杯104之橫截面圖。
現在將描述根據本發明之各種實施例之替代反射杯組態以及使用此替代反射杯組態之發光裝置之封裝方法。在本發明之各種實施例中，此等替代反射杯組態可減少將透鏡插入反射杯中之密封劑材料中時密封劑材料之進入及/或所擠出之量。圖5A－5B、6及7說明了如現將描述之各種替代反射杯組態。圖5A為反射杯4之俯視平面圖及圖5B為沿圖5A之線B－B之反射杯4之橫截面圖。圖6為反射杯4A之橫截面圖及圖7為反射杯4B之橫截面圖。所說明之反射杯4、4A、4B中之每一者包括一上側壁5、一成角度之下側壁6及上側壁5與下側壁6之間的一水準肩形部分8，其共同界定了反射腔15。如本文所用之參照肩形部分8，"水準"係指肩形部分8在下側壁部分6與上側壁部分5之間延伸之總體方向(意即，與下側壁部分6及上側壁部分5相比較)’而非指肩形部分8在其任何中間部分處之特定角度(參見例如圖7，其中水準肩形部分在下側壁部分6與上側壁部分5之間的垂直高度上可實際上具有某些改變以容納其之其他特徵)。另外，反射杯4、4A、4B中之每一者可包括至少一圍繞下側壁6之溝18，其中溝18由唇狀物(意即，凸出邊緣)22而與下側壁6隔開。溝18被說明為形成於肩形部分8中。在圖5A－5B之實施例中，可藉由衝壓形成溝18，在此狀況下溝18與下側壁6之間的唇狀物22可具備銳利的邊緣而不是平坦的表面。然而，應瞭解到，由於所用製造過程之限制，圖5B中示意性所說明之唇狀物22之平坦表面可實際上具有更圓化之輪廓。如將參看圖8A－8C進一步描述，過度圓化之輪廓可為不當的。
現將參看圖6之橫截面圖來描述反射杯4A之另外實施例。如圖6中所示，第一溝18形成於上側壁5與下側壁6之間，其中第一或內部唇狀物22隔開下側壁6與第一溝18。第二溝24形成於上側壁5與第一溝18之間。第二或外部唇狀物26隔開第二溝24與第一溝18。
現將參看圖7之橫截面圖來描述反射杯4B之又一些實施例。如圖7中所示，第一溝18形成於上側壁5與下側壁6之間，其中第一或內部唇狀物22隔開下側壁6與第一溝18。第二溝24形成於上側壁5與第一溝18之間。第二或外部唇狀物26'隔開第二溝24與第一溝18。如圖7中所說明，第二唇狀物26'相對於第一唇狀物22升高。
在本發明之特定實施例中，第一唇狀物22具有曲率半徑小於約50微米(μm)之峰頂且第二唇狀物26、26'具有曲率半徑小於約50μm之峰頂。第一溝18與第二溝24可為水準肩形部分8之衝壓特徵。如圖6及7中所示，第二溝24可具有自第二唇狀物26、26'延伸至上側壁部分5之寬度。
在本發明之某些實施例中，傾斜之下側壁部分6可為大體上圓錐形的且可具有自約1.9毫米(mm)(用於500μm之發光裝置晶片)至約3.2 mm(用於900μm之發光裝置晶片)之最小直徑及自約2.6 mm(用於500μm之發光裝置晶片)至約4.5 mm(用於900μm之發光裝置晶片)之最大直徑以及自約0.8 mm至約1.0 mm之高度。上側壁部分可為大體上橢圓形的且可具有自約3.4 mm至約5.2 mm之內徑及自約0.6 mm至約0.7 mm之高度。水準肩形部分自下側壁部分至上側壁部分可具有自約0.4 mm至約0.7 mm之寬度。應瞭解，如本文所用之術語"橢圓形"及"圓錐形"意欲包含圓形、圓柱形及其它形狀，包括基於用於形成反射杯4、4A、4B之製造技術之不規則形狀，其仍然可結合基板2或其他部件運作以提供用於發光裝置103之反射器且保持及硬化其中之密封劑材料12、14、16。
在本發明之某些實施例中，第一溝18具有自約0.3 mm至約0.4 mm之寬度及第二溝24具有自約0.3 mm至約0.4 mm之寬度。如圖6中所說明，第一溝18之邊緣可為第一唇狀物22，其相對於下側壁部分6之底端(意即，基板2之頂面)具有自約0.79 mm至約0.85之高度；及第二溝24之邊緣可為第二唇狀物26，其相對於下側壁部分6之底端具有自約0.79 mm至約0.85 mm之高度。在如圖7中所說明之本發明之其他實施例中，第一唇狀物22相對於下側壁部分之底端具有自約0.79 mm至約0.85 mm之高度及第二唇狀物26'相對於下側壁部分之底端具有自約0.9 mm至約1.0 mm之高度。
在本發明之各種實施例中，當封裝反射杯4、4A、4B中之發光裝置103時反射杯4、4A、4B可提供彎液面控制。如將進一步描述之，當結合上述之雙固化方法時，對不同之密封劑材料之分配亦可提供不同之凸彎液面且(結果)可減少拱起失敗之發生。在本發明之其他實施例中，所提供之彎液面控制可減少以所要之深度及/或角度置放透鏡之困難，減少透鏡芯吸或擠出密封劑材料至透鏡之頂部及/或允許封裝之發光裝置之光學特點之組態。舉例而言，藉由在封裝之中點上拱起(凸彎液面)載入磷之密封劑材料可在封裝之中心(中點)集結磷。
藉由在該過程中使用多彎液面控制技術結合分配及/或固化變化可提供不同之光學模式(視角、習知色譜、色溫調整及類似物)。舉例而言，載入磷之材料之高的尖拱頂藉由提供自發光裝置穿過載入磷之材料之更均勻長度的光路可提供白色溫度發光之較大色譜均勻度同時在朝著反射杯之邊緣方向較少變換至黃色。類似地，當需要時，藉由較平拱頂可提供自中點處之白色至邊緣處之黃色的較大色譜變化。在本發明之某些其他實施例中，當由不同於透鏡之特徵提供與保護相關之功能性時，彎液面控制可允許藉由使用密封劑材料作為透鏡來不用透鏡封裝發光裝置，其中彎液面經組態以提供所要之透鏡形狀。
圖8A－8C說明了根據本發明之某些實施例使用反射杯之結構特點用於彎液面控制來封裝發光裝置之方法。圖8A－8C中說明之運作利用圖5A－5B中所說明之反射杯4及同樣先前描述之雙固化運作。如圖8A中所示，第一數量之密封劑材料14沉積於封裝10A之反射腔15中。在本發明之某些實施例中，可使用獨立(潤濕)分配及第二分配來分配第一數量14。由於對所分配密封劑材料之量的適當控制，表面張力將使得液體密封劑材料14緊貼唇狀物22以在14A處所指示之高度形成如圖8A中所說明之凸彎液面。因此，唇狀物22可用於防止所分配密封劑材料14接觸及芯吸上側壁5且防止形成如圖1中所示之凹彎液面。
所分配密封劑材料14(例如)藉由加熱來固化且可收縮下降至以14B所指示之高度。如圖8B中所示，接著將第二數量之密封劑材料16分配至腔15中固化之第一數量之密封劑材料14上。在某些實施例中，如圖8B中所說明，第二數量之密封劑材料16亦可緊貼至唇狀物22之相同邊緣以形成凸彎液面。在其他實施例中，唇狀物22可在其上具有內邊緣及外邊緣，且第二數量之密封劑材料16可緊貼至外邊緣及第一數量之密封劑材料14可緊貼至內邊緣。因此，第二數量之密封劑材料16亦不可接觸或芯吸上側壁5以便不形成凹彎液面。
參看圖8C，將透鏡20插入反射腔15中且使其接觸未固化之液體密封劑材料16。同樣地，可自透鏡20之下方擠出密封劑材料16。然而，在本發明之某些實施例中，過量之密封劑材料16並非被擠出至反射杯及透鏡之曝露之上表面上(如圖2中所示)，而是被擠入溝18中並由其容納，因此即使在將透鏡20插入且圖8B中所示之凸彎液面移位之後亦限制密封劑材料16芯吸側壁5。然後使密封劑材料16固化以將透鏡20附著於封裝10A中且使密封劑材料16凝固。
圖9A－9C說明了根據本發明之某些實施例使用反射杯之結構特點用於彎液面控制來封裝發光裝置之方法。圖9A－9C中所說明之運作利用圖6中所說明之反射杯4A及同樣先前描述之雙固化運作。如圖9A中所示，第一數量之密封劑材料14沉積於封裝10B之反射腔15中。在本發明之某些實施例中，可使用不同之第一(潤濕)分配及在潤濕發光裝置之後的第二分配來分配第一數量14。由於對所分配密封劑材料之量的適當控制，表面張力將使得液體密封劑材料14緊貼內部唇狀物22以在14A所指示之高度處形成如圖9A中所說明之凸彎液面。因此，內部唇狀物22可用於防止所分配密封劑材料14接觸及芯吸上側壁5且防止形成如圖1中所示之凹彎液面。
所分配密封劑材料14(例如)藉由加熱來固化且可收縮下降至以14B所指示之高度。如圖9B中所示，接著將第二數量之密封劑材料16分配至反射腔15中固化之第一數量之密封劑材料14上。在某些實施例中，如圖9B中所說明，第二數量之密封劑材料16緊貼至外部唇狀物26以形成凸彎液面。因此，外部唇狀物26可用於防止所分配第二數量之密封劑材料16接觸及芯吸上側壁5且防止形成如圖1中所示之凹彎液面。
參看圖9C，將透鏡20插入反射腔15中且使其接觸未固化之液體密封劑材料16。同樣地，可自透鏡20之下方擠出密封劑材料16。然而，在本發明之某些實施例中，過量之密封劑材料16並非被擠出至反射杯及透鏡之曝露之上表面上(如圖2中所示)，而是被擠入第二溝24中並由其容納，因此即使在將透鏡20插入且圖9B中所示之凸彎液面移位之後亦限制密封劑材料16芯吸側壁5。然後使密封劑材料16固化以將透鏡20附著於封裝10B中且使密封劑材料16凝固。
圖9C進一步說明，在本發明之某些實施例中，固化之密封劑14可用作提供對透鏡20之水準(置放之深度)控制的擋止物。對透鏡20之定位之此控制可有助於產生具有更一致之光學效能之零件。
如圖9C中所示，定位本發明之某些實施例中之透鏡20而不需將其推至腔中直至其接觸到固化之第一數量之密封劑材料14，同時密封劑材料16之薄膜保留於其間。因此，在本發明之某些實施例中，該裝置經組態使得透鏡20可被推至由第一數量之密封劑材料14所建立之位置，在本發明之各種實施例中，該位置可被建立為使透鏡20與固化之密封劑材料14接觸或不接觸。
圖10A－10C說明了根據本發明之某些實施例，使用反射杯之結構特點用於彎液面控制來封裝發光裝置之方法。圖10A－10C中所說明之運作係利用圖7中所說明之反射杯4B及同樣先前描述之雙固化運作。如圖10A中所示，第一數量之密封劑材料14沉積於封裝10C之反射腔15中。在本發明之某些實施例中，可使用獨立(潤濕)分配及第二分配來分配第一數量14。由於對所分配密封劑材料之量的適當控制，表面張力將使得液體密封劑材料14緊貼內部唇狀物22以在14A所指示之高度形成如圖10A中所說明之凸彎液面。因此，內部唇狀物22可用於防止所分配密封劑材料14接觸及芯吸上側壁5且防止形成如圖1中所示之凹彎液面。
所分配密封劑材料14(例如)係藉由加熱來固化且可收縮下降至以14B所指示之高度。如圖10B中所示，接著將第二數量之密封劑材料16分配至反射腔15中固化之第一數量之密封劑材料14上。在某些實施例中，如圖10B中所說明，第二數量之密封劑材料16緊貼至外部唇狀物26'以形成凸彎液面。因此，外部唇狀物26'可用於防止所分配第二數量之密封劑材料16接觸及芯吸上側壁5且防止形成如圖1中所示之凹彎液面。
參看圖10C，將透鏡20插入反射腔15中且使其接觸未固化之液體密封劑材料16。同樣地，可自透鏡20之下方擠出密封劑材料16。然而，在本發明之某些實施例中，過量之密封劑材料16並非被擠出至反射杯及透鏡之曝露之上表面上(如圖2中所示)，而是被擠入第二溝24中並由其容納，因此即使在將透鏡20插入且圖10B中所示之凸彎液面移位之後亦限制密封劑材料16芯吸側壁5。然後使密封劑材料16固化以將透鏡20附著於封裝10C中且使密封劑材料16凝固。
圖10C進一步說明，在本發明之某些實施例中，外部唇狀物26'可用作提供對透鏡20之水準(置放之深度)控制的擋止物。對透鏡20之定位之此控制可有助於產生具有更一致之光學效能之零件。在此實施例中，透鏡置放不取決於在第一固化步驟期間密封劑之收縮量。對於圖10C中所說明之實施例，與圖9C中所說明之彼等實施例對比，透鏡20之置放不需要取決於第一數量之密封劑材料14的收縮量，因為置放深度實際由外部唇狀物26'之高度來界定。同樣地，在本發明之某些實施例中，該置放可更加精確，此可引起封裝10C之改良之光學效能。
現將參看圖11之流程圖說明進一步描述根據本發明之某些實施例之使用第一(潤濕)分配來封裝發光裝置之方法。如圖11中所示，可藉由將發光裝置安裝於反射腔之底面上於區塊1100處開始運作。所安裝之發光裝置相對於反射腔之底面具有相關聯之高度。將第一數量之密封劑材料分配至包括發光裝置之反射腔中(區塊1120)。
第一數量可足以大體上覆蓋發光裝置而不會在密封劑材料中形成任何氣袋。在本發明之某些實施例中，第一數量可足以潤濕發光裝置而不需將反射腔填補至超過發光裝置之高度之水準。在本發明之其他實施例中，可改變分配密封劑材料之時間/速度以減少在密封劑材料中形成氣袋。在又一些實施例中，可使用(例如)具有低分配速率、來自小分配針、低壓力或類似狀況之單一分配從而允許在分配足夠的密封劑材料以防止氣袋壓平之前潛在地形成氣袋且然後凹陷/壓平。因此，可藉由以選定黏度密封劑材料之選定速率之連續分配來提供第一(潤濕)分配及第二分配，此允許所形成氣袋在分配運作期間凹陷/壓平。第一數量可足以潤濕發光裝置而不需將反射腔填補至超過發光裝置之高度之水準。
將第二數量之密封劑材料分配至第一數量之密封劑材料上(區塊1130)。然後使所分配之第一及第二數量之密封劑材料固化(區塊1140)。在本發明之某些實施例中，可在分配密封劑材料之剩餘部分之前使第一分配之潤濕數量之密封劑材料固化。
第一數量之密封劑材料12、14與第二數量之密封劑材料16可為相同或不同之材料。類似地，第一數量之密封劑材料之第一部分12與第二部分14可為相同或不同之材料。在本發明之各種實施例中可用作密封劑材料之材料之實例包括矽。
現將參看圖12之流程圖說明來描述與使用彎液面控制之根據本發明之某些實施例之半導體發光裝置之封裝相關之運作。如圖12中所示，可藉由將發光裝置103安裝於反射器5之反射腔15中於區塊1200處開始運作。將密封劑材料分配至包括發光裝置103之反射腔15中以覆蓋發光裝置103且在反射腔中形成密封劑材料之凸彎液面，該凸彎液面自溝之邊緣延伸而不與反射器4、4A、4B之上側壁5接觸(區塊1210)。更一般而言，於區塊1210處之運作提供凸彎液面的形成，該凸彎液面自位於一在反射腔15內定位彎液面之外邊緣之高度的彎液面之外邊緣延伸。舉例而言，選擇用於上側壁5之材料與密封劑材料12、14、16可有助於形成延伸至反射腔15中之凸(而非凹的)彎液面。密封劑材料12、14、16在反射腔15中(區塊1220)。在透鏡20包括於封裝10A、10B、10C中之實施例中，透鏡20之插入可包括藉由透鏡20壓平凸彎液面及將密封劑材料12、14、16之一部分移動至溝18、24中及然後固化密封劑材料12、14、16以將透鏡20附著於反射腔15中。或者，可使密封劑材料12、14、16固化以自密封劑材料12、14、16形成用於已封裝之發光裝置103的透鏡且可分配密封劑材料12、14、16以形成提供透鏡之所要形狀之凸彎液面。
現將參看圖13進一步描述使用多次分配及/或固化運作來封裝反射器4、4A、4B中之半導體發光裝置103之方法之實施例，反射器4、4A、4B具有定位於其下側壁6與上側壁5之間的溝18、24，上側壁5與下側壁6界定反射腔15。如圖13之實施例中所示，藉由將第一數量之密封劑材料14分配至反射腔15中以形成第一凸彎液面於區塊1300處開始運作。使第一數量之密封劑材料14固化(區塊1310)。將第二數量之密封劑材料16分配至固化之第一數量之密封劑材料14上以在反射腔15中形成密封劑材料之第二凸彎液面，該第二凸彎液面自溝18、24之邊緣延伸而不接觸反射器4、4A、4B之上側壁5(區塊1320)。
如圖8B中所說明，密封劑材料之第二凸彎液面與第一凸彎液面均可自溝18之相同邊緣延伸。然而，在本發明之其他實施例中，溝18、24可具有內邊緣與外邊緣，諸如第一唇狀物22與第二唇狀物26、26'，且密封劑材料之第二凸彎液面自溝18、24之外邊緣(第二唇狀物26、26')延伸及密封劑材料之第一凸彎液面自溝18、24之內邊緣(第一唇狀物22)延伸。因此，藉由第一唇狀物22，內部溝18可經組態為限制密封劑材料14沿著水準肩形部分8向外芯吸以允許分配至反射腔15中之密封劑材料形成第一凸彎液面。藉由第二唇狀物26、26'，外部溝24可經組態為限制密封劑材料沿著水準肩形部分8向外芯吸以允許分配至反射腔15中之密封劑材料形成第二凸彎液面。
在包括透鏡之本發明之某些實施例中，透鏡20定位於反射腔15中且最接近所分配之第二數量之密封劑材料16(區塊1330)。如圖9C及10C中所說明，定位透鏡20可包括藉由透鏡20壓平第二凸彎液面及將第二數量之密封劑材料16之一部分移動至外部溝24中。另外，如圖10C中所說明，第二唇狀物26'可具有大於第一唇狀物22之高度之高度。可選擇第二唇狀物26'之高度以提供用於透鏡20之所要位置且可將透鏡20移動至反射腔15中直至其接觸第二唇狀物26'。在本發明之其他實施例中，如圖9C中所說明，將透鏡20推至反射腔15中直至其接觸固化之第一數量之密封劑材料14，且所分配之第一數量之密封劑材料14足以在反射腔15中建立用於透鏡20之所要位置。使分配之第二數量之密封劑材料16固化以將透鏡20附著於反射腔15中(區塊1340)。
圖11－13之流程圖及圖8A－8C、9A－9C及10A－10C之示意性說明說明了根據本發明之某些實施例之封裝發光裝置之方法之可能實施例之功能性及運作。應注意，在某些替代實施例中，在描述圖式中標注之動作可不按該等圖式中所標注之次序發生。舉例而言，事實上，連續展示之兩個區塊/運作視所涉及之功能性而定可大體上同時執行或可以相反次序執行。
以上為說明本發明而不應解釋為限制本發明。儘管已描述了本發明之幾個例示性實施例，但熟習此項技術者將易瞭解在實質上不背離本發明之新穎教示及優點之狀況下，例示性實施例中之多種修改為可能的。因此，所有此等修改將意欲包括於如申請專利範圍所界定之本發明之範疇以內。因此，應瞭解以上為說明本發明且不應解釋為受限於所揭示之特定實施例，且對所揭示實施例之修改以及其他實施例將意欲包括於附加之申請專利範圍之範疇以內。本發明由以下申請專利範圍界定，該等申請專利範圍之等同物將包括於其中。
2,102．．．基板
4,4A,4B,104．．．反射杯
5,105．．．上側壁
6,106．．．下側壁
8,108．．．水準肩形部分
10A,10B,10C,100．．．封裝
14,112,114．．．第一數量之密封劑材料
112．．．第一部分
114．．．第二部分
14A,14B．．．高度
15,115．．．反射腔
16,116．．．第二數量之密封劑材料
18．．．第一溝
20,120．．．透鏡
22．．．第一或內部唇狀物
24．．．第二溝
26,26'．．．第二或外部唇狀物
103．．．發光裝置
103a．．．發光二極體(LED)
103b．．．LED晶片/子基板總成
113．．．間隙/空隙
113'．．．裂縫
114A,114B．．．水準
115d．．．點
115m．．．中點
117．．．間隙
200．．．分配器
圖1及2為說明習知發光裝置封裝之橫截面側視圖；圖3A至3C為說明根據本發明之某些實施例之封裝發光裝置之方法之橫截面側視圖；圖4A為說明適用於本發明之某些實施例之發光裝置封裝之俯視圖；圖4B為說明圖4A之發光裝置封裝之橫截面側視圖；圖5A為說明根據本發明之某些實施例之發光裝置封裝之俯視圖；圖5B為說明圖5A之發光裝置封裝之橫截面側視圖；圖6為說明根據本發明之另外實施例之發光裝置封裝之橫截面側視圖；圖7為說明根據本發明之其他實施例之發光裝置封裝之橫截面側視圖；圖8A至8C為說明根據本發明之另外實施例之封裝發光裝置之方法之橫截面側視圖；圖9A至9C為說明根據本發明之其他實施例之封裝發光裝置之方法之橫截面側視圖；圖10A至10C為說明根據本發明之又一些實施例之封裝發光裝置之方法之橫截面側視圖；圖11為說明根據本發明之某些實施例之用於封裝發光裝置之運作之流程圖；圖12為說明根據本發明之某些其他實施例之用於封裝發光裝置之運作之流程圖；圖13為說明根據本發明之又一些實施例之用於封裝發光裝置之運作之流程圖。
100．．．封裝
102．．．基板
103．．．發光裝置
104．．．反射杯
105．．．上側壁
112,114．．．第一數量之密封劑材料
116．．．第二數量之密封劑材料
120．．．透鏡

Claims (24)

  1. 一種封裝一半導體發光裝置之方法，其包含：分配一第一數量之密封劑材料之一第一部分至一包括該發光裝置之反射腔中；當該第一部分固定時停止該第一數量之密封劑材料之分配；分配該第一數量之密封劑材料之一第二部分至該第一數量之密封劑材料之該固定未固化的第一部分上；同時固化該反射腔中之該第一數量之密封劑材料之該等第一及第二部分；分配一第二數量之密封劑材料至該固化之第一數量之密封劑材料上；在該反射腔中將一透鏡定位於該分配之第二數量之密封劑材料上；及固化該分配之第二數量之密封劑材料以將該透鏡附著於該反射腔中。
  2. 如請求項1之方法，其中該第一部分足以潤濕該發光裝置且其中該第一部分不將該反射腔填補至一超過該發光裝置之高度之水準。
  3. 如請求項1之方法，其中該第一數量之該第一部分足以實質上覆蓋該發光裝置而不會在該密封劑材料中形成任何氣袋。
  4. 如請求項3之方法，其中該第二部分約為該第一部分之兩倍。
  5. 如請求項4之方法，其中該第二數量約等於該第一數量之該第一部分。
  6. 如請求項5之方法，其中該第一部分足以將該反射腔填補至一約250微米之高度。
  7. 如請求項3之方法，其中該第一數量之密封劑材料之該第一部分包括磷，且其中該第一數量之密封劑材料之該第二部分為實質上無磷的。
  8. 如請求項1之方法，其中安裝該發光裝置包含將該發光裝置安裝於該反射腔之約一中點處，且其中分配該第一數量之密封劑材料之該第一部分與該第二部分及分配該第二數量之密封劑材料包含將該密封劑材料分配至一自該中點向該腔之一側壁移位之點處，以便不會將該密封劑材料直接分配至該發光裝置上。
  9. 如請求項1之方法，其中該密封劑材料包含一聚矽氧凝膠。
  10. 如請求項1之方法，其中定位該透鏡包含將該透鏡推至該反射腔中直至其接觸該固化之第一數量之密封劑材料，且其中分配該第一數量之密封劑材料之該等第一與第二部分包含分配足以在該反射腔中建立一用於該透鏡之所要位置之第一數量之密封劑材料。
  11. 如請求項1之方法，其中該第一數量之密封劑材料之該第一部分包括磷，且其中該第二數量之密封劑材料為實質上無磷的。
  12. 如請求項1之方法，其中該發光裝置包含一發光二極體 (LED)。
  13. 如請求項1之方法，其進一步包含將該發光裝置安裝於該反射腔之一底面上。
  14. 如請求項1之方法，其中分配該第一數量之密封劑材料之該第一部分包括在一分配器之一端上形成該密封劑材料之一球狀物，並將該形成之球狀物與該反射腔及/或該發光裝置接觸以自該分配器分配該球狀物。
  15. 如請求項1之方法，其中該第一數量之密封劑材料具有一第一折射率而該第二數量之密封劑材料具有一不同於該第一折射率之第二折射率，且其中該第一折射率及該第二折射率係經選擇以在該反射腔中提供一內埋透鏡。
  16. 一種封裝一半導體發光裝置之方法，其包含：於一反射腔之一底面上提供該發光裝置，該發光裝置相對於該底面具有一高度；分配一第一數量之密封劑材料至該包括該發光裝置之反射腔中，該第一數量足以潤濕該發光裝置，且其中該第一數量不將該反射腔填補至一超過該發光裝置之高度之水準；分配一第二數量之密封劑材料至該第一數量之密封劑材料上；及固化該分配之密封劑材料；其中分配該第一數量之密封劑材料包括在一分配器之一端上形成該密封劑材料之一球狀物，並將該形成之球狀物與該反射腔及/或該發光裝置接觸以自該分配器分配 該球狀物。
  17. 如請求項16之方法，其中該第二數量約為該第一數量之兩倍。
  18. 如請求項17之方法，其中該第一數量足以將該反射腔填補至一約250微米之高度。
  19. 如請求項16之方法，其中固化該分配之密封劑材料包括在分配該第二數量之密封劑材料之前固化該第一數量之密封劑材料，且其中該第二數量之密封劑材料包括磷，且其中該第一數量之密封劑材料為實質上無磷的。
  20. 一種封裝一半導體發光裝置之方法，其包含：於一反射腔之一底面上提供該發光裝置；分配一第一數量之密封劑材料至該包括該發光裝置之反射腔中，該第一數量足以實質上覆蓋該發光裝置而不會在該密封劑材料中形成任何氣袋；及固化該分配之密封劑材料；其中分配該第一數量之密封劑材料包括在一分配器之一端上形成該密封劑材料之一球狀物，並將該形成之球狀物與該反射腔及/或該發光裝置接觸以自該分配器分配該球狀物。
  21. 如請求項20之方法，其中固化該分配之密封劑材料之前將一第二數量之密封劑材料分配至該第一數量之密封劑材料上。
  22. 如請求項21之方法，其中該第二數量約為該第一數量之兩倍。
  23. 如請求項22之方法，其中該第一數量足以將該反射腔填補至一約250微米之高度。
  24. 如請求項21之方法，其中固化該分配之密封劑材料包括在分配該第二數量之密封劑材料之前固化該第一數量之密封劑材料。
TW094110051A 2004-03-31 2005-03-30 用於封裝發光裝置之方法及該封裝之發光裝置 TWI405338B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US55792404P 2004-03-31 2004-03-31
US11/044,126 US7279346B2 (en) 2004-03-31 2005-01-27 Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200605369A TW200605369A (en) 2006-02-01
TWI405338B true TWI405338B (zh) 2013-08-11

Family

ID=35053329

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW094110051A TWI405338B (zh) 2004-03-31 2005-03-30 用於封裝發光裝置之方法及該封裝之發光裝置

Country Status (8)

Country Link
US (3) US7279346B2 (zh)
EP (1) EP1730784B1 (zh)
JP (1) JP5357423B2 (zh)
KR (2) KR101278361B1 (zh)
AT (1) ATE470242T1 (zh)
DE (1) DE602005021622D1 (zh)
TW (1) TWI405338B (zh)
WO (1) WO2005098975A2 (zh)

Families Citing this family (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
TWI260788B (en) * 2004-10-06 2006-08-21 Siliconware Precision Industries Co Ltd Electronic package including light emitter and IC
JP2006156837A (ja) * 2004-11-30 2006-06-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置、発光モジュール、および照明装置
US20060139575A1 (en) * 2004-12-23 2006-06-29 Upstream Engineering Oy Optical collection and distribution system and method
WO2006071806A2 (en) 2004-12-27 2006-07-06 Quantum Paper, Inc. Addressable and printable emissive display
TWI248218B (en) * 2004-12-31 2006-01-21 Ind Tech Res Inst Light-emitting diode package structure and fabrication method thereof
US7939842B2 (en) 2005-01-27 2011-05-10 Cree, Inc. Light emitting device packages, light emitting diode (LED) packages and related methods
KR101161383B1 (ko) * 2005-07-04 2012-07-02 서울반도체 주식회사 발광 다이오드 및 이를 제조하기 위한 방법
US7646035B2 (en) * 2006-05-31 2010-01-12 Cree, Inc. Packaged light emitting devices including multiple index lenses and multiple index lenses for packaged light emitting devices
US8835952B2 (en) 2005-08-04 2014-09-16 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting devices and methods of forming packaged light emitting devices including dispensed encapsulants
US7365371B2 (en) * 2005-08-04 2008-04-29 Cree, Inc. Packages for semiconductor light emitting devices utilizing dispensed encapsulants
MY152857A (en) * 2005-09-01 2014-11-28 Dominant Opto Tech Sdn Bhd Surface mount optoelectronic component with lens
US20070096139A1 (en) * 2005-11-02 2007-05-03 3M Innovative Properties Company Light emitting diode encapsulation shape control
US20070108463A1 (en) * 2005-11-17 2007-05-17 Chua Janet B Y Light-emitting diode with UV-blocking nano-particles
US7943946B2 (en) * 2005-11-21 2011-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device
WO2007063489A1 (en) * 2005-12-02 2007-06-07 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting diode module
DE102006033894B4 (de) 2005-12-16 2019-05-09 Osram Gmbh Beleuchtungseinrichtung und Anzeigegerät mit einer Beleuchtungseinrichtung
JP2007173561A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置の製造方法
CN101385145B (zh) 2006-01-05 2011-06-08 伊鲁米特克斯公司 用于引导来自led的光的分立光学装置
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
KR100703217B1 (ko) * 2006-02-22 2007-04-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 제조방법
JP2007311445A (ja) * 2006-05-17 2007-11-29 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置及びその製造方法
US7655486B2 (en) * 2006-05-17 2010-02-02 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with multilayer silicon-containing encapsulant
US20070269586A1 (en) * 2006-05-17 2007-11-22 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing composition
US20070272934A1 (en) * 2006-05-23 2007-11-29 Kee Yean Ng LED device with improved life performance
WO2007139894A2 (en) 2006-05-26 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Solid state light emitting device and method of making same
US20070295968A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Kheng Leng Tan Electroluminescent device with high refractive index and UV-resistant encapsulant
KR100904152B1 (ko) * 2006-06-30 2009-06-25 서울반도체 주식회사 히트싱크 지지부를 갖는 리드프레임, 그것을 사용한 발광다이오드 패키지 제조방법 및 그것에 의해 제조된 발광다이오드 패키지
US7960819B2 (en) * 2006-07-13 2011-06-14 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state emitting devices
US8044418B2 (en) 2006-07-13 2011-10-25 Cree, Inc. Leadframe-based packages for solid state light emitting devices
KR100828900B1 (ko) 2006-09-04 2008-05-09 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
US8087960B2 (en) 2006-10-02 2012-01-03 Illumitex, Inc. LED system and method
US7808013B2 (en) * 2006-10-31 2010-10-05 Cree, Inc. Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies
US20080121911A1 (en) * 2006-11-28 2008-05-29 Cree, Inc. Optical preforms for solid state light emitting dice, and methods and systems for fabricating and assembling same
DE102006062066A1 (de) * 2006-12-29 2008-07-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Linsenanordnung und LED-Anzeigevorrichtung
US9944031B2 (en) * 2007-02-13 2018-04-17 3M Innovative Properties Company Molded optical articles and methods of making same
TWI481064B (zh) 2007-02-13 2015-04-11 3M Innovative Properties Co 具有透鏡之發光二極體裝置及其製造方法
DE102007021904A1 (de) * 2007-02-28 2008-09-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Vorrichtung mit Gehäusekörper
US20080230797A1 (en) * 2007-03-21 2008-09-25 Hui-Hung Chang LED module and manufacturing method thereof
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8395568B2 (en) * 2007-05-31 2013-03-12 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8889216B2 (en) 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8133768B2 (en) 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
KR100880638B1 (ko) * 2007-07-06 2009-01-30 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지
TWI360238B (en) * 2007-10-29 2012-03-11 Epistar Corp Photoelectric device
US8058088B2 (en) * 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
KR20100122485A (ko) 2008-02-08 2010-11-22 일루미텍스, 인크. 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법
KR101431711B1 (ko) 2008-05-07 2014-08-21 삼성전자 주식회사 발광 장치 및 발광 시스템의 제조 방법, 상기 방법을이용하여 제조한 발광 장치 및 발광 시스템
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
US7804103B1 (en) 2009-01-07 2010-09-28 Lednovation, Inc. White lighting device having short wavelength semiconductor die and trichromatic wavelength conversion layers
RU2488195C2 (ru) * 2009-03-10 2013-07-20 Непес Лед Корпорейшн Комплект светодиодной выводной рамки, светодиодная группа, использующая данную рамку, и способ изготовления светодиодной группы
US8058667B2 (en) * 2009-03-10 2011-11-15 Nepes Led Corporation Leadframe package for light emitting diode device
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
TWI528604B (zh) * 2009-09-15 2016-04-01 無限科技全球公司 發光、光伏或其它電子裝置及系統
WO2011096116A1 (ja) * 2010-02-02 2011-08-11 シャープ株式会社 発光装置、バックライト装置および表示装置
TWI407597B (zh) * 2010-02-05 2013-09-01 Shinyoptics Corp 發光二極體照明裝置
US20110220920A1 (en) * 2010-03-09 2011-09-15 Brian Thomas Collins Methods of forming warm white light emitting devices having high color rendering index values and related light emitting devices
DE102010024864B4 (de) * 2010-06-24 2021-01-21 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronisches Halbleiterbauteil
CN102122695A (zh) * 2010-10-21 2011-07-13 电子科技大学 一种发光二极管及其制备方法
CN102064273A (zh) * 2010-10-21 2011-05-18 电子科技大学 一种发光二极管及其制备方法
CN102064271A (zh) * 2010-10-21 2011-05-18 电子科技大学 一种发光二极管及其制备方法
CN102074646A (zh) * 2010-10-21 2011-05-25 电子科技大学 一种发光二极管及其制备方法
US8772817B2 (en) 2010-12-22 2014-07-08 Cree, Inc. Electronic device submounts including substrates with thermally conductive vias
CN102569594A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 展晶科技(深圳)有限公司 封装载体及采用该封装载体的发光二极管封装结构
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same
US9508904B2 (en) 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
US10147853B2 (en) 2011-03-18 2018-12-04 Cree, Inc. Encapsulant with index matched thixotropic agent
JP5962102B2 (ja) * 2011-03-24 2016-08-03 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
CN102185081A (zh) * 2011-04-07 2011-09-14 深圳市华星光电技术有限公司 发光二极管封装构造
US8426873B2 (en) * 2011-04-07 2013-04-23 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. LED package structure
US20120256213A1 (en) * 2011-04-08 2012-10-11 Shenzhen China Star Optoelectonics Technology Co., Ltd. Led structure and manufacturing method thereof
US8575645B2 (en) * 2011-11-22 2013-11-05 GEM Weltronics TWN Corporation Thin multi-layer LED array engine
US8956892B2 (en) * 2012-01-10 2015-02-17 Asm Technology Singapore Pte. Ltd. Method and apparatus for fabricating a light-emitting diode package
TWM436230U (en) * 2012-02-14 2012-08-21 Lumenmax Optoelectronics Co Ltd Package structure of light emitting diode with wide angle and uniform light-emitting
TWI500185B (zh) * 2012-06-13 2015-09-11 Everlight Electronics Co Ltd 發光二極體封裝結構及其製作方法
CN102891241B (zh) * 2012-06-21 2015-07-08 惠州雷曼光电科技有限公司 贴片式led支架、贴片式led及其制作方法
DE102012214488B4 (de) 2012-08-14 2022-07-28 Osram Gmbh Herstellen eines bandförmigen Leuchtmoduls
EP2898258A4 (en) * 2012-09-19 2016-07-27 Venntis Technologies LLC LIGHT DIFFUSION DEVICE
CN103441208B (zh) * 2013-09-02 2015-10-14 厦门华联电子有限公司 快速固化的白光led荧光胶涂覆方法
SG10201705797UA (en) * 2013-09-10 2017-08-30 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Compact opto-electronic modules and fabrication methods for such modules
KR102221598B1 (ko) * 2014-06-16 2021-03-02 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
CN104157775A (zh) * 2014-06-17 2014-11-19 京东方光科技有限公司 一种led照明装置及封装方法
JP6730017B2 (ja) 2014-11-10 2020-07-29 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 発光素子パッケージ、及びこれを含む照明システム
US9633883B2 (en) 2015-03-20 2017-04-25 Rohinni, LLC Apparatus for transfer of semiconductor devices
DE102015112042B4 (de) * 2015-07-23 2021-07-01 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronische Leuchtvorrichtung
US10141215B2 (en) 2016-11-03 2018-11-27 Rohinni, LLC Compliant needle for direct transfer of semiconductor devices
US10504767B2 (en) 2016-11-23 2019-12-10 Rohinni, LLC Direct transfer apparatus for a pattern array of semiconductor device die
US10471545B2 (en) 2016-11-23 2019-11-12 Rohinni, LLC Top-side laser for direct transfer of semiconductor devices
US10062588B2 (en) 2017-01-18 2018-08-28 Rohinni, LLC Flexible support substrate for transfer of semiconductor devices
US10410905B1 (en) 2018-05-12 2019-09-10 Rohinni, LLC Method and apparatus for direct transfer of multiple semiconductor devices
US11094571B2 (en) 2018-09-28 2021-08-17 Rohinni, LLC Apparatus to increase transferspeed of semiconductor devices with micro-adjustment
CN114253027B (zh) * 2020-09-24 2023-10-20 京东方科技集团股份有限公司 光源组件、显示模组及光源组件的制造方法
CN216389362U (zh) * 2020-12-07 2022-04-26 光宝科技股份有限公司 发光结构及光源模块
CN118472155A (zh) * 2024-07-12 2024-08-09 江西省兆驰光电有限公司 一种led光源及其封装方法及灯具

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3875456A (en) * 1972-04-04 1975-04-01 Hitachi Ltd Multi-color semiconductor lamp
JPH1065220A (ja) * 1996-08-23 1998-03-06 Sharp Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US20030211804A1 (en) * 1999-04-22 2003-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg LED light source with lens and corresponding production method

Family Cites Families (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3805347A (en) * 1969-12-29 1974-04-23 Gen Electric Solid state lamp construction
JPS4946938B1 (zh) * 1970-12-08 1974-12-12
FR2592221B1 (fr) * 1985-12-20 1988-02-12 Radiotechnique Compelec Procede d'encapsulation d'un composant electronique au moyen d'une resine synthetique
JPS63132801A (ja) * 1986-11-22 1988-06-04 Takeshi Ishii 樹脂封入植物標本の製造方法
US5043716A (en) * 1988-07-14 1991-08-27 Adaptive Micro Systems, Inc. Electronic display with lens matrix
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US5027168A (en) * 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US4966862A (en) * 1989-08-28 1990-10-30 Cree Research, Inc. Method of production of light emitting diodes
US5210051A (en) * 1990-03-27 1993-05-11 Cree Research, Inc. High efficiency light emitting diodes from bipolar gallium nitride
US5416342A (en) * 1993-06-23 1995-05-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with high external quantum efficiency
US5338944A (en) * 1993-09-22 1994-08-16 Cree Research, Inc. Blue light-emitting diode with degenerate junction structure
US5393993A (en) * 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
JPH0832120A (ja) 1994-07-19 1996-02-02 Rohm Co Ltd 面発光表示器
US5604135A (en) 1994-08-12 1997-02-18 Cree Research, Inc. Method of forming green light emitting diode in silicon carbide
US5523589A (en) * 1994-09-20 1996-06-04 Cree Research, Inc. Vertical geometry light emitting diode with group III nitride active layer and extended lifetime
US5631190A (en) * 1994-10-07 1997-05-20 Cree Research, Inc. Method for producing high efficiency light-emitting diodes and resulting diode structures
JPH08115993A (ja) * 1994-10-18 1996-05-07 Kyocera Corp 半導体装置
JP3060363B2 (ja) * 1994-10-26 2000-07-10 矢崎総業株式会社 樹脂充填コネクタの電線保護構造
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
US5701451A (en) * 1995-06-07 1997-12-23 International Business Machines Corporation Method for fulfilling requests of a web browser
JPH0927643A (ja) 1995-07-13 1997-01-28 Stanley Electric Co Ltd 受光／発光素子
JP4006765B2 (ja) * 1996-02-14 2007-11-14 株式会社カネカ 太陽電池モジュールの製造方法
DE29724543U1 (de) 1996-06-26 2002-02-28 OSRAM Opto Semiconductors GmbH & Co. oHG, 93049 Regensburg Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
JP3065263B2 (ja) 1996-12-27 2000-07-17 日亜化学工業株式会社 発光装置及びそれを用いたｌｅｄ表示器
US6201262B1 (en) * 1997-10-07 2001-03-13 Cree, Inc. Group III nitride photonic devices on silicon carbide substrates with conductive buffer interlay structure
DE19755734A1 (de) * 1997-12-15 1999-06-24 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines oberflächenmontierbaren optoelektronischen Bauelementes
JPH11329519A (ja) * 1998-04-27 1999-11-30 Minnesota Mining & Mfg Co <3M> 光電池
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
JP2000174350A (ja) * 1998-12-10 2000-06-23 Toshiba Corp 光半導体モジュール
JP3604298B2 (ja) 1999-02-25 2004-12-22 日亜化学工業株式会社 発光ダイオードの形成方法
DE19940319B4 (de) 1999-08-25 2004-10-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum spannungsarmen Aufsetzen einer Linse auf ein oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement
DE10020465A1 (de) * 2000-04-26 2001-11-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
DE10023353A1 (de) * 2000-05-12 2001-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US6747406B1 (en) * 2000-08-07 2004-06-08 General Electric Company LED cross-linkable phospor coating
JP2002057375A (ja) * 2000-08-09 2002-02-22 Rohm Co Ltd 発光ダイオード
US6635363B1 (en) * 2000-08-21 2003-10-21 General Electric Company Phosphor coating with self-adjusting distance from LED chip
EP1187226B1 (en) 2000-09-01 2012-12-26 Citizen Electronics Co., Ltd. Surface-mount type light emitting diode and method of manufacturing same
JP3663120B2 (ja) * 2000-09-04 2005-06-22 株式会社日立製作所 自動車用エンジンコントロールユニットの実装構造及び実装方法
JP3614776B2 (ja) * 2000-12-19 2005-01-26 シャープ株式会社 チップ部品型ｌｅｄとその製造方法
US6791119B2 (en) * 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
DE10109349B4 (de) 2001-02-27 2012-04-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement
US20020163001A1 (en) * 2001-05-04 2002-11-07 Shaddock David Mulford Surface mount light emitting device package and fabrication method
KR100419611B1 (ko) 2001-05-24 2004-02-25 삼성전기주식회사 발광다이오드 및 이를 이용한 발광장치와 그 제조방법
US6958497B2 (en) * 2001-05-30 2005-10-25 Cree, Inc. Group III nitride based light emitting diode structures with a quantum well and superlattice, group III nitride based quantum well structures and group III nitride based superlattice structures
US6642652B2 (en) * 2001-06-11 2003-11-04 Lumileds Lighting U.S., Llc Phosphor-converted light emitting device
US6878973B2 (en) * 2001-08-23 2005-04-12 Lumileds Lighting U.S., Llc Reduction of contamination of light emitting devices
JP2003181853A (ja) * 2001-12-18 2003-07-02 Mitsubishi Electric Corp 光モジュールの樹脂封入装置、光モジュールの樹脂封入方法及び光モジュール
JP2003234511A (ja) * 2002-02-06 2003-08-22 Toshiba Corp 半導体発光素子およびその製造方法
US6924514B2 (en) 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP4269709B2 (ja) * 2002-02-19 2009-05-27 日亜化学工業株式会社 発光装置およびその製造方法
US6791116B2 (en) * 2002-04-30 2004-09-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
JP4221649B2 (ja) * 2002-09-02 2009-02-12 スタンレー電気株式会社 波長変換素子並びにその製造方法
US7264378B2 (en) * 2002-09-04 2007-09-04 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
KR20110118848A (ko) * 2002-09-19 2011-11-01 크리 인코포레이티드 경사 측벽을 포함하고 인광물질이 코팅된 발광 다이오드, 및 그의 제조방법
US6744077B2 (en) * 2002-09-27 2004-06-01 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective filtering of wavelength-converted semiconductor light emitting devices
US6917057B2 (en) * 2002-12-31 2005-07-12 Gelcore Llc Layered phosphor coatings for LED devices
US6982523B2 (en) * 2003-01-28 2006-01-03 Kabushiki Kaisha Fine Rubber Kenkyuusho Red light emitting phosphor, its production and light emitting device
TWI237546B (en) 2003-01-30 2005-08-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor-component sending and/or receiving electromagnetic radiation and housing-basebody for such a component
US6936857B2 (en) * 2003-02-18 2005-08-30 Gelcore, Llc White light LED device
US7423296B2 (en) * 2003-02-26 2008-09-09 Avago Technologies Ecbu Ip Pte Ltd Apparatus for producing a spectrally-shifted light output from a light emitting device utilizing thin-film luminescent layers
US6835960B2 (en) * 2003-03-03 2004-12-28 Opto Tech Corporation Light emitting diode package structure
US7108386B2 (en) * 2003-05-12 2006-09-19 Illumitech Inc. High-brightness LED-phosphor coupling
JP2007516601A (ja) * 2003-09-08 2007-06-21 ナノクリスタル・ライティング・コーポレーション 高屈折率のカプセル材料を用いたｌｅｄランプのための光の効率的なパッケージ構成
TW200512949A (en) * 2003-09-17 2005-04-01 Nanya Plastics Corp A method to provide emission of white color light by the principle of secondary excitation and its product
JP2005197369A (ja) * 2004-01-05 2005-07-21 Toshiba Corp 光半導体装置
US7279346B2 (en) * 2004-03-31 2007-10-09 Cree, Inc. Method for packaging a light emitting device by one dispense then cure step followed by another
US20090039375A1 (en) * 2007-08-07 2009-02-12 Cree, Inc. Semiconductor light emitting devices with separated wavelength conversion materials and methods of forming the same
US8861087B2 (en) * 2007-08-12 2014-10-14 Toyota Motor Corporation Multi-layer photonic structures having omni-directional reflectivity and coatings incorporating the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3875456A (en) * 1972-04-04 1975-04-01 Hitachi Ltd Multi-color semiconductor lamp
JPH1065220A (ja) * 1996-08-23 1998-03-06 Sharp Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US20030211804A1 (en) * 1999-04-22 2003-11-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg LED light source with lens and corresponding production method

Also Published As

Publication number Publication date
ATE470242T1 (de) 2010-06-15
US8154043B2 (en) 2012-04-10
WO2005098975A3 (en) 2006-08-24
JP2007531320A (ja) 2007-11-01
KR20070013290A (ko) 2007-01-30
US20070290218A1 (en) 2007-12-20
TW200605369A (en) 2006-02-01
EP1730784A2 (en) 2006-12-13
WO2005098975A2 (en) 2005-10-20
EP1730784B1 (en) 2010-06-02
US20050218421A1 (en) 2005-10-06
US20110180834A1 (en) 2011-07-28
DE602005021622D1 (de) 2010-07-15
JP5357423B2 (ja) 2013-12-04
KR20120039074A (ko) 2012-04-24
US7928456B2 (en) 2011-04-19
US7279346B2 (en) 2007-10-09
KR101278361B1 (ko) 2013-06-25
KR101166592B1 (ko) 2012-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI405338B (zh) 用於封裝發光裝置之方法及該封裝之發光裝置
TWI442578B (zh) 反射器封裝及用以封裝一半導體發光裝置之方法
TWI413272B (zh) 包含一發光轉換元件之半導體發光裝置及其封裝方法
US9385287B2 (en) Batwing LED with remote phosphor configuration
JP5566114B2 (ja) ケーシングボディを有するオプトエレクトロニクス装置およびその製造方法